WO2010082542A1 - 熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロック - Google Patents

熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロック Download PDF

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hole
end portion
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雄一 廣山
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住友化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a thermoelectric conversion module and a thermoelectric conversion module block.
  • thermoelectric conversion module in which n-type and p-type thermoelectric conversion elements connected in series are arranged on a substrate is known as an element that generates power using a temperature difference.
  • a plurality of thermoelectric conversion modules may be further connected in series.
  • Patent Document 1 discloses a thermoelectric conversion module in which electrode plates for connection to other modules are extended from both ends of a substrate.
  • Patent Document 2 discloses connecting thermoelectric conversion modules using lead wires.
  • thermoelectric conversion module if the electrode protrudes outside the substrate, it becomes difficult to handle the thermoelectric conversion module, and when connecting a plurality of thermoelectric conversion modules by joining the electrodes, the electrode is subject to external vibration, thermal stress, etc. Since it is mainly supported, it is difficult to stably operate the thermoelectric conversion module for a long time. On the other hand, it is complicated to connect the thermoelectric conversion module using the lead wires.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and is easy to handle, easy to connect between thermoelectric conversion modules, and stably extends a thermoelectric conversion module block in which a plurality of thermoelectric conversion modules are connected. It is an object of the present invention to provide a thermoelectric conversion module capable of operating for a time and a thermoelectric conversion module block using the same.
  • the thermoelectric conversion module includes a substrate having an upper surface and a lower surface facing each other, and a plurality of thermoelectric conversion elements arranged on the upper surface of the substrate and electrically connected in series.
  • the lower surface of one end of the substrate is higher than the lower surface of the other end of the substrate, and the upper surface of one end of the substrate is higher than the upper surface of the other end of the substrate.
  • Each has a through hole.
  • one end electrode layer electrically connected to one end of the plurality of thermoelectric conversion elements is provided on one end of the substrate from the upper surface through the inner surface of the through hole to the periphery of the through hole on the lower surface.
  • the other end electrode layer is provided around the through hole on the upper surface with the other end electrode layer electrically connected to the other ends of the plurality of thermoelectric conversion elements.
  • thermoelectric conversion module block includes a plurality of the above-described thermoelectric conversion modules, and one end of the substrate of one thermoelectric conversion module and the other end of the substrate of another thermoelectric conversion module are overlapped, and one end Each of the pair of substrates is fixed by a fixing member that passes through the through hole and the through hole at the other end.
  • thermoelectric conversion modules can be easily electrically connected to each other.
  • the thermoelectric conversion modules are fixed by penetrating through holes of the pair of substrates with a fixing member, the mechanical structure of the block is held mainly with the fixing member and the substrate instead of the electrode main body. Therefore, the mechanical strength of the block is high, and damage to the connecting portion due to vibration or thermal stress is suppressed as compared with the case where the protruding electrodes are joined together.
  • a radiator having a through hole corresponding to the through hole of the substrate is arranged on the lower surface of the substrate, and the fixing member further penetrates the through hole of the radiator to fix the pair of substrates and the radiator. It is preferable to do. According to this, a radiator can also be fixed using a through-hole.
  • thermoelectric conversion module that is easy to handle, can be prevented from being damaged, and can be easily connected to each other, and a thermoelectric conversion module block using the same.
  • thermoelectric conversion module 1 It is a partially broken top view of the thermoelectric conversion module 1 according to the embodiment. It is the II arrow directional view of FIG. It is a schematic sectional drawing of the thermoelectric conversion module block 100 using the thermoelectric conversion module 1 of FIG.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the thermoelectric conversion module block 100. It is a figure which shows the 1st modification of the thermoelectric conversion module. It is a figure which shows the 2nd modification of the thermoelectric conversion module. It is a figure which shows the 3rd modification of the thermoelectric conversion module.
  • FIG. 1 is a partially broken top view of an example of a thermoelectric conversion module 1 according to the first embodiment.
  • the right direction in the figure is the X direction
  • the upper direction in the figure is the Y direction
  • the direction from the drawing toward the front is the Z direction.
  • FIG. 2 is a view taken in the direction of arrows II in FIG.
  • the thermoelectric conversion module 1 includes a first substrate 2, a first electrode 8, a p-type thermoelectric conversion element 3, an n-type thermoelectric conversion element 4, a second electrode 6, and a second substrate 7. Is mainly provided.
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 are alternately arranged in a matrix between the first substrate 2 and the second substrate 7, and the first electrodes corresponding to both surfaces thereof are arranged. 8 and the second electrode 6 are electrically connected in series as a whole.
  • the first substrate 2 has, for example, a rectangular shape, is electrically insulating and has thermal conductivity, and covers one end of the plurality of thermoelectric conversion elements 3 and 4.
  • the material for the first substrate include alumina, aluminum nitride, magnesia, silicon carbide, zirconia, and mullite.
  • the first substrate 2 has a lower surface 2u and an upper surface 2t facing each other, one end portion 2A on one side in the longitudinal direction (right side in the drawing), and the other side in the longitudinal direction (left side in the drawing). ), And a central portion 2C sandwiched between the one end 2A and the other end 2B.
  • the first electrode 8 is provided on the central portion 2C of the first substrate 2 and electrically connects the lower end surfaces of the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 adjacent to each other. .
  • the first electrode 8 can be formed at a predetermined position on the central portion 2C on the first substrate 2 by using, for example, a thin film technique such as sputtering or vapor deposition, a method such as screen printing, plating, or thermal spraying. it can. Further, a metal plate or the like having a predetermined shape may be bonded onto the first substrate 2 by, for example, soldering or brazing.
  • the material of the first electrode 8 is not particularly limited as long as it has conductivity, but from the viewpoint of improving the heat resistance, corrosion resistance, and adhesion to the thermoelectric element of the electrode, titanium, vanadium, chromium, manganese, A metal containing at least one element selected from the group consisting of iron, cobalt, nickel, copper, molybdenum, silver, palladium, gold, tungsten and aluminum as a main component is preferable.
  • the main component refers to a component contained in the electrode material by 50% by volume or more.
  • the first electrode 8 is preferably bonded to the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 via a bonding material 9.
  • the bonding material 9 include AuSb, PbSb-based solder, silver paste, and the like. This bonding material is preferably solid when used as a thermoelectric conversion module.
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 may have a metal layer on the surface facing the first electrode 8.
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 are disposed on the first electrode 8.
  • the shape of the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 is not particularly limited, a columnar shape, preferably a square columnar shape is preferable.
  • the material which comprises the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 will not be specifically limited if it has the property of a p-type semiconductor or an n-type semiconductor, Various materials, such as a metal and a metal oxide, are used. Can be used.
  • thermoelectric conversion element 3 examples include the following materials.
  • metal composite oxides such as Na x CoO 2 (0 ⁇ x ⁇ 1), Ca 3 Co 4 O 9 , MnSi 1.73 , Fe 1-x Mn x Si 2 , Si 0 .8 Ge 0.2 : B (B-doped Si 0.8 Ge 0.2 ), silicide such as ⁇ -FeSi 2 , CoSb 3 , FeSb 3 , RFe 3 CoSb 12 (R represents La, Ce or Yb) Examples thereof include skutterudites such as BiTeSb, PbTeSb, alloys containing Te such as Bi 2 Te 3 , PbTe, and Sb 2 Te 3 , Zn 4 Sb 3, and the like.
  • n-type material examples include metal complex oxides such as SrTiO 3 , Zn 1-x Al x O, CaMnO 3 , LaNiO 3 , BaTiO 3 , Ti 1-x Nb x O, Mg 2 Si, Fe 1-x Co x Si 2 , Si 0.8 Ge 0.2 : P (P-doped Si 0.8 Ge 0.2 ), silicide such as ⁇ -FeSi 2 , skutterudite such as CoSb 3 , Ba 8 Al 12 Si 30, Ba 8 Al x Si 46-x, Ba 8 Al 12 Ge 30, Ba clathrate compound such as 8 Al x Ge 46-x, CaB 6, SrB 6, BaB 6, CeB boron compounds such as 6, Examples include alloys containing Te such as BiTeSb, PbTeSb, Bi 2 Te 3 , Sb 2 Te 3 , PbTe, and Sb 2 Te 3 , Zn 4 Sb 3, and the like.
  • metal complex oxides such as SrT
  • the p-type thermoelectric conversion element and the n-type thermoelectric conversion element contain a metal oxide as a main component among the above materials. It is preferable.
  • the metal oxides Ca 3 Co 4 O 9 is preferable as the p-type material, and CaMnO 3 is preferable as the n-type material.
  • Ca 3 Co 4 O 9 and CaMnO 3 have particularly excellent oxidation resistance in the air atmosphere at high temperature and have high thermoelectric conversion performance.
  • the second substrate 7 has a rectangular shape, for example, and covers the upper end sides of the thermoelectric conversion elements 3 and 4. In addition, the second substrate 7 is disposed to face the first substrate 2 in parallel. Similarly to the first substrate 2, the second substrate 7 is not particularly limited as long as it is electrically insulative and has thermal conductivity. For example, alumina, aluminum nitride, magnesia, carbonization, etc. Materials such as silicon, zirconia, and mullite can be used.
  • the second electrode 6 is for electrically connecting the upper end surfaces of the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 adjacent to each other, and is formed on the second substrate 7.
  • the second electrode 6 can also be manufactured in the same manner as the first electrode, and is preferably bonded to each thermoelectric conversion element via the bonding material 9. Note that the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 may have a metal layer on the surface facing the second electrode 6.
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 are electrically connected in series as a whole by the second electrode 6 and the first electrode 8.
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric element constituting both ends of the group of the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 electrically connected in series as a whole.
  • the conversion elements are denoted by E1 and E2, respectively.
  • the end p-type thermoelectric conversion element E1 is disposed on the one end electrode layer 8a made of the same material as the first electrode.
  • the end n-type thermoelectric conversion element E2 is arranged on the other end electrode layer 8b made of the same material as the second electrode.
  • the height of the lower surface 2u of the one end 2A of the first substrate 2 is made higher than the height of the lower surface 2u of the other end 2B.
  • the height of the upper surface 2t of the one end 2A of the first substrate 2 is also higher than the height of the upper surface 2t of the other end 2B.
  • one end portion 2A of the first substrate 2 has a bowl shape.
  • the protruding length L (see FIG. 2) in the longitudinal direction (X direction) of the one end portion 2A is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 5 cm.
  • the length in the longitudinal direction (X direction) of the other end 2B is not less than the protruding length L of the one end 2A.
  • the width W (see FIG. 1) of the one end portion 2A is preferably provided so as to correspond to the width of the other end portion 2B.
  • the difference D between the height of the lower surface 2u of the one end 2A and the height of the lower surface 2u of the other end 2B may be approximately the same as the thickness of the other end 2B of the first substrate 2. preferable.
  • a through hole 12 that penetrates the first substrate 2 is formed in the one end 2A.
  • the through-hole 12 is in the vicinity of the p-type thermoelectric conversion element E ⁇ b> 1 serving as an end of a group of the p-type thermoelectric conversion element 3 and the n-type thermoelectric conversion element 4 connected in series at the one end 2 ⁇ / b> A. It is preferable to be formed.
  • the one end electrode layer 8a to which the lower surface of the p-type thermoelectric conversion element E1 is bonded extends to the one end portion 2A on the upper surface 2t of the first substrate 2 as shown in FIG. Is formed over the through hole 12 of the lower surface 2u of the one end 2A.
  • a through hole 13 penetrating the first substrate 2 is formed.
  • the through hole 13 has a distance 13X from the end surface of the first substrate 2 in the ⁇ X direction and the distance 12X from the end surface of the first substrate in the through hole 12 in the + X direction.
  • the through hole 13 has a distance 13Y from the end surface of the first substrate 2 in the ⁇ Y direction that is approximately the same as a distance 12Y from the end surface of the first substrate 2 in the ⁇ Y direction.
  • the diameter of the through hole 13 is preferably approximately the same as that of the through hole 12.
  • the other end electrode layer 8b to which the lower surface of the n-type thermoelectric conversion element E2 is bonded is formed around the through hole 13 extending to the other end 2B on the upper surface 2t of the first substrate 2.
  • the through holes 12 and 13 can be formed by a known method.
  • the one end electrode layer 8a and the other end electrode layer 8b can be easily formed by, for example, thin film technology such as sputtering or vapor deposition, screen printing, plating, thermal spraying, or the like.
  • thermoelectric conversion module block using the thermoelectric conversion module according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
  • the thermoelectric conversion module block 100 of the present embodiment includes a plurality of the above-described thermoelectric conversion modules 1, one end 2 ⁇ / b> A of the first substrate 2 of one thermoelectric conversion module 1, and the second substrate of the other thermoelectric conversion module 1.
  • the pair of first substrates 2 is fixed by a fixing member 30 that is overlapped with the other end 2B of the second end and penetrates the through hole 12 of the one end 2A and the through hole 13 of the other end 2B.
  • the fixing member 30 is not particularly limited, and for example, rivets, bolts, nuts, and the like can be used as long as the pair of second substrates 2 and 2 can be fixed in close contact with each other.
  • the material of the fixing member is not particularly limited, and may be a conductor or an insulator.
  • the one end portion 2A of the first substrate 2 has a step with the other end portion 2B, so that one end portion of the first substrate 2 of the one thermoelectric conversion module 1 is utilized.
  • 2A and the other end 2B of the first substrate 2 of the other thermoelectric conversion module 1 can be easily overlapped, and the second substrates 2 and 2 are overlapped with each other in this manner.
  • the two substrates can be easily adhered and fixed, and the one end electrode layer 8a and the other end electrode layer 8b are reliably in contact with each other.
  • the thermoelectric conversion modules 1 and 1 can be easily electrically connected to each other.
  • thermoelectric conversion modules 1 are fixed by penetrating the through holes 12 and 13 of the pair of first substrates 2 with the fixing member 30, the fixing member 30 and the first substrate 2 are not the main body of the electrodes.
  • the mechanical structure of the thermoelectric conversion module block 100 is held as a main body. Therefore, the mechanical strength of the thermoelectric conversion module block 100 is high, and damage to the connecting portion due to vibration or thermal stress is suppressed as compared with the case where the protruding electrodes are joined together. Therefore, it becomes easy to operate the thermoelectric conversion module block 10 stably for a long time.
  • thermoelectric conversion module block a radiator 40 is disposed on the lower surface 2 u of the second substrate 2.
  • a plate member 40b having a large number of fins 40a provided upright can be used.
  • the material of the radiator 40 is not particularly limited as long as it has a high thermal conductivity, and examples thereof include metal materials such as aluminum and stainless steel.
  • a through hole 42 is formed in the plate material 40b of the radiator 40, and the fixing member 30 further penetrates the plate material 40b through hole 42 of the radiator 40 in addition to the pair of first substrates 2.
  • the first substrate and the radiator 40 are fixed integrally and in close contact with each other. According to the present embodiment, the radiator 40 can be easily fixed, and the heat radiation efficiency can be increased.
  • a through hole 14 is further provided in one end 2A, and a through hole 15 is further provided in the other end 2B at a position corresponding to the through hole 14 in the same manner as the through hole 13.
  • the pair of thermoelectric conversion modules 1 may be adhered and fixed using the fixing member 30 penetrating the through holes 14 and 15.
  • the positions of the through holes 14 and 15 are not particularly limited, but are preferably separated from the other through holes 12 and 13. Of course, it goes without saying that the number of through holes may be further increased.
  • the location of the one end electrode layer 8a in the one end portion 2A is not particularly limited.
  • the one end electrode layer 8a may be provided at the center in the Y direction.
  • the other end electrode layer 8b may be disposed at the center of the other end 2B in the Y direction.
  • thermoelectric conversion element connected in series although only one group of the several thermoelectric conversion element connected in series is provided on the board
  • the p-type thermoelectric conversion element 3 is connected to the one end electrode layer 8a and the n-type thermoelectric conversion element 4 is connected to the other end electrode layer 8b.
  • the one end electrode layer 8a may be connected, and the p-type thermoelectric conversion element 3 may be connected to the other end electrode layer 8b.
  • the height of the upper surface 2t and the lower surface 2u in the central portion 2C is the same as the height of the upper surface 2t and the lower surface 2u of the other end 2B, but is not limited thereto.
  • the height of the upper surface 2t and the lower surface 2u in the center portion 2C may be the same as the height of the upper surface 2t and the lower surface 2u of the one end portion 2A.
  • the height of the central portion 2C may be set completely independently of the height of the upper surface and the lower surface of one end portion and the other end portion.
  • thermoelectric conversion elements are arranged in a matrix, but the arrangement method is not particularly limited, and may be arranged in a line, for example.
  • thermoelectric conversion module block the thermoelectric conversion module block to obtain Depending on the shape, the shape of the first substrate, the arrangement of the one end 2A and the other end 2B, and the positions of the through holes 12, 13 and the like can be set arbitrarily and suitably.
  • thermoelectric conversion module 1 has the 2nd board
  • thermoelectric conversion module 1 has the 2nd board
  • thermoelectric conversion module 1 has the 2nd board
  • thermoelectric conversion module 1 has the 2nd board
  • thermoelectric conversion module 1 has the 2nd board
  • thermoelectric conversion module 2 ... 1st board
  • substrate 2t ... Upper surface, 2u ... Lower surface, 2A ... One end part, 2B ... Other end part, 2C ... Central part, 3 ... p-type thermoelectric conversion element, 4 ... n-type thermoelectric Conversion element, 6 ... second electrode, 7 ... second substrate, 8 ... first electrode, 9 ... bonding material, 12, 13 ... through-hole, 100 ... thermoelectric conversion module block.

Abstract

【課題】取り扱いやすく、熱電変換モジュール同士の接続が容易であり、複数の熱電変換モジュールを接続した熱電変換モジュールブロックを安定して長時間動作させる。 【解決手段】基板2と、基板2上に電気的に直列に接続された複数の熱電変換素子3、4を備える。基板2の一端部2Aの下面2uは基板2の他端部2Bの下面2uよりも高く、かつ、基板2の一端部2Aの上面2tは基板2の他端部2Bの上面2tよりも高く、基板2の一端部2A及び他端部2Bにはそれぞれ貫通孔12、13が形成され、基板2の一端部2Aには、複数の熱電変換素子3、4の一端E1と電気的に接続された一端部電極層8aが、上面2tから貫通孔12の内面を通って下面2uにおける貫通孔12の周りにまで渡って設けられ、基板2の他端部2Bには複数の熱電変換素子3、4の他端E2と電気的に接続された他端部電極層8bが、上面2tにおける貫通孔13の周りに設けられている。

Description

熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロック
 本発明は、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュールブロックに関する。
 従来より、温度差を利用して発電を行なう素子として、直列に接続されたn型及びp型の熱電変換素子を基板上に配置した熱電変換モジュールが知られている。そして、高い出力を得るために、複数の熱電変換モジュールをさらに直列に接続する場合がある。このような接続を可能とする熱電変換モジュールとして、特許文献1には、基板の両端から他のモジュールとの接続用の電極板をそれぞれ延ばした熱電変換モジュールが開示されている。また、特許文献2には、リード線を用いて熱電変換モジュール同士を接続することが開示されている。
特開2008-108900号公報 特開2000-252528号公報
 しかしながら、基板の外に電極が突出していると、熱電変換モジュールが取り扱い難くなる上、電極同士を接合することにより熱電変換モジュールを複数接続した場合に、外部からの振動や熱応力等を電極が主として支持することとなるため、熱電変換モジュールを長時間安定動作させることが困難である。一方、リード線を用いて熱電変換モジュールを接続することは煩雑である。
 本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、取り扱いやすく、かつ、熱電変換モジュール同士の接続が容易であり、かつ、複数の熱電変換モジュールを接続した熱電変換モジュールブロックを安定して長時間動作させることが可能な、熱電変換モジュール及びこれを用いた熱電変換モジュールブロックを提供することを目的とする。
 本発明に係る熱電変換モジュールは、互いに対向する上面及び下面を有する基板と、基板の上面上に配置されると共に電気的に直列に接続された複数の熱電変換素子と、を備える。そして、基板の一端部の下面は基板の他端部の下面よりも高くされ、かつ、基板の一端部の上面は基板の他端部の上面よりも高くされ、基板の一端部及び他端部にはそれぞれ貫通孔が形成されている。また、基板の一端部には複数の熱電変換素子の一端と電気的に接続された一端部電極層が上面から貫通孔の内面を通って下面における貫通孔の周りにまで渡って設けられ、基板の他端部には、複数の熱電変換素子の他端と電気的に接続された他端部電極層が上面における貫通孔の周りに設けられている。
 本発明に係る熱電変換モジュールブロックは、上述の熱電変換モジュールを複数有し、一の熱電変換モジュールの基板の一端部と、他の熱電変換モジュールの基板の他端部とが重ねられ、一端部の貫通孔及び他端部の貫通孔を貫通する固定部材により各一対の基板が固定されている。
 本発明によれば、基板の一端部と他端部とに段差が生じているのでこれを利用して一の基板の一端部と他の基板の他端部とを容易に重ねることができ、また、このように基板同士を重ねて一対の基板の各貫通孔を固定部材で貫通することにより、2つの基板を容易に密着固定でき、一端部電極層と他端部電極層とを確実に接触させることができ、熱電変換モジュール同士を容易に電気的に接続させることができる。また、一対の基板の貫通孔同士を固定部材で貫通することにより熱電変換モジュール同士の固定を行うので、電極主体ではなく固定部材及び基板を主体としてブロックの機械的構造が保持される。したがって、ブロックの機械的強度も高く、突出した電極同士を接合する場合に比べて、振動や熱応力による連結部の破損等も抑制される。
 ここで、基板の下面上に、基板の貫通孔に対応する貫通孔を有する放熱器が配置され、固定部材はさらに前記放熱器の貫通孔を貫通して、一対の基板と放熱器とを固定することが好ましい。これによれば、さらに、貫通孔を利用して放熱器をも固定することができる。
 本発明によれば、取り扱いやすく、かつ、破損が抑制され、かつ、熱電変換モジュール同士の接続が容易な熱電変換モジュール及びこれを用いた熱電変換モジュールブロックが提供される。
実施形態に係る熱電変換モジュール1の一部破断上面図である。 図1のI-I矢視図である。 図1の熱電変換モジュール1を用いた熱電変換モジュールブロック100の概略断面図である。 熱電変換モジュールブロック100の変形例を示す概略断面図である。 熱電変換モジュール1の第1の変形例を示す図である。 熱電変換モジュール1の第2の変形例を示す図である。 熱電変換モジュール1の第3の変形例を示す図である。
 以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図面の寸法比率は、必ずしも実際の寸法比率とは一致していない。(第1実施形態に係る熱電変換モジュール)
 図1は、第1実施形態に係る熱電変換モジュール1の一例の一部破断上面図である。図の右方向をX方向、図の上方向をY方向とし、図面から手前に向かう方向をZ方向とする。また、図2は、図1のI-I矢視図である。本実施形態に係る熱電変換モジュール1は、第1の基板2、第1の電極8、p型熱電変換素子3、n型熱電変換素子4、第2の電極6、及び、第2の基板7を主として備える。p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、第1の基板2及び第2の基板7間に交互にマトリクス状に並んで配置されると共に、これらの両面が対応する第1の電極8及び第2の電極6によって全体として電気的に直列に接続されている。
 第1の基板2は、例えば矩形状をなし、電気的絶縁性で、かつ熱伝導性を有し、複数の熱電変換素子3、4の一端を覆うものである。この第1の基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、マグネシア、炭化珪素、ジルコニア、ムライト等が挙げられる。
 第1の基板2は、図2に示すように、互いに対向する、下面2u及び上面2tを有し、さらに長手方向の一方側(図示右側)の一端部2A、長手方向の他方側(図示左側)の他端部2B、及び、これら一端部2A及び他端部2Bに挟まれた中央部2Cを有している。
 第1の電極8は、第1の基板2の中央部2C上に設けられ、互いに隣接するp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の下端面同士を電気的に接続するものである。この第1の電極8は、第1の基板2上の中央部2C上の所定位置に、例えば、スパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等の方法を用いて形成することができる。また、所定形状の金属板等を例えば、はんだ、ロウ付け等で第1の基板2上に接合させてもよい。第1の電極8の材料としては、導電性を有するものであれば特に制限されないが、電極の耐熱性、耐食性、熱電素子への接着性を向上させる観点から、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、銀、パラジウム、金、タングステン及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を主成分として含む金属が好ましい。ここで、主成分とは、電極材料中に50体積%以上含有されている成分を言う。
 ここで、第1の電極8は、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4に対して接合材9を介して接合されていることが好ましい。接合材9としては、例えば、AuSb、PbSb系のはんだや銀ペースト等が挙げられる。この接合材は、熱電変換モジュールとしての使用時に固体であるものが好ましい。また、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、第1の電極8との対向面に金属層を有するものであってもよい。
 第1の電極8上に、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4が配置されている。p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の形状は特に限定されないが、柱状好ましくは、四角柱状の形態が好ましい。
 p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4を構成する材料は、p型半導体又はn型半導体の性質を有するものであれば特に限定されず、金属、金属酸化物等の種々の材料を用いることができる。
 ここで、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の材料として、下記の材料が挙げられる。
 例えば、p型の材料としては、NaCoO(0<x<1)、CaCo等の金属複合酸化物、MnSi1.73、Fe1-xMnSi、Si0.8Ge0.2:B(BドープSi0.8Ge0.2)、β-FeSi等のシリサイド、CoSb、FeSb、RFeCoSb12(RはLa、Ce又はYbを示す)等のスクッテルダイト、BiTeSb、PbTeSb、Bi2Te、PbTe、Sb2Te等のTeを含む合金、ZnSb等が挙げられる。
 また、n型の材料としては、例えば、SrTiO、Zn1-xAlO、CaMnO、LaNiO、BaTiO、Ti1-xNbO等の金属複合酸化物、MgSi、Fe1-xCoSi、Si0.8Ge0.2:P(PドープSi0.8Ge0.2)、β-FeSi等のシリサイド、CoSb等のスクッテルダイト、BaAl12Si30、BaAlSi46―x、BaAl12Ge30、BaAlGe46-x等のクラスレート化合物、CaB、SrB、BaB、CeB等のホウ素化合物、BiTeSb、PbTeSb、Bi2Te、Sb2Te、PbTe、SbTe等のTeを含む合金、ZnSb等が挙げられる。
 熱電変換モジュールを300℃以上で使用する場合を考慮すると、耐熱性及び耐酸化性の観点から、p型熱電変換素子及びn型熱電変換素子は、上記材料の中でも金属酸化物を主成分として含むことが好ましい。また、金属酸化物の中でも、p型の材料としてはCaCoが好ましく、n型の材料としてはCaMnOが好ましい。CaCo及びCaMnOは、高温下大気雰囲気中において特に優れた耐酸化性を有し、熱電変換性能も高い。
 第2の基板7は、例えば矩形状をなし、熱電変換素子3、4の上端側を覆うものである。また、第2の基板7は、第1の基板2と平行に対向配置されている。第2の基板7は、第1の基板2と同様に、電気的絶縁性で、かつ熱伝導性を有するものであれば特に制限されるものではなく、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、マグネシア、炭化珪素、ジルコニア、ムライト等の材料を用いることができる。
 第2の電極6は、互いに隣接するp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4の上端面同士を電気的に接続するものであり、第2の基板7上に形成されている。この第2の電極6も、第1の電極と同様にして製造でき、接合材9を介して各熱電変換素子と接合されることが好ましい。なお、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は、第2の電極6との対向面に金属層を有するものであってもよい。
 そして、この第2の電極6と、第1の電極8とにより、p型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4は全体として電気的に直列に接続されている。ここで、図1に示すように、全体として電気的に直列に接続されたp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4のグループの両端を構成するp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子をそれぞれE1、E2とする。端となるp型熱電変換素子E1は、第1の電極と同様の材料からなる一端部電極層8a上に配置されている。端となるn型熱電変換素子E2は、第2の電極と同様の材料からなる他端部電極層8b上に配置されている。
 そして、図2に示すように、本実施形態にかかる熱電変換モジュール1において、第1の基板2の一端部2Aの下面2uの高さは、他端部2Bの下面2uの高さよりも高くされ、かつ、第1の基板2の一端部2Aの上面2tの高さも他端部2Bの上面2tの高さよりも高くされている。特に、本実施形態では、第1の基板2の一端部2Aは、庇形状とされている。一端部2Aの長手方向(X方向)への突出長さL(図2参照)は特に限定されないが、0.5~5cm程度が好ましい。他端部2Bの長手方向(X方向)の長さは、一端部2Aの突出長さL以上とされていることが好ましい。また、一端部2Aの幅W(図1参照)は、他端部2Bの幅に対応するように設けられることが好ましい。
 図2に戻って、一端部2Aの下面2uの高さと、他端部2Bの下面2uの高さとの差Dは、第1の基板2の他端部2Bの厚みと同程度であることが好ましい。
 さらに、一端部2Aには、第1の基板2を貫通する貫通孔12が形成されている。貫通孔12は、図1に示すように、一端部2Aにおいて、直列に接続されたp型熱電変換素子3及びn型熱電変換素子4のグループの端部となるp型熱電変換素子E1の近傍に形成されていることが好ましい。また、p型熱電変換素子E1の下面が接合された一端部電極層8aは、図2に示すように、第1の基板2の上面2t上を一端部2Aにまで延び、さらに、貫通孔12の内面を通って、一端部2Aの下面2uの貫通孔12の周りまでにわたって形成されている。
 一方、他端部2Bにおいては、第1の基板2を貫通する貫通孔13が形成されている。貫通孔13は、図1に示すように、第1の基板2の-X方向の端面からの距離13Xが、貫通孔12の第1の基板の+X方向の端面からの距離12Xと同程度とされている。また、貫通孔13は、第1の基板2の-Y方向の端面からの距離13Yが、貫通孔12の第1の基板の-Y方向の端面からの距離12Yと同程度とされている。また、貫通孔13の径は、貫通孔12と同程度であることが好ましい。さらに、n型熱電変換素子E2の下面が接合された他端部電極層8bは、第1の基板2の上面2t上を他端部2Bに延びて貫通孔13の周りに形成されている。
 なお、貫通孔12、13は公知の方法により形成できる。また、一端部電極層8aや他端部電極層8bも、例えば、スパッタや蒸着等の薄膜技術、スクリーン印刷、めっき、溶射等により容易に形成できる。
 続いて、図3を参照して、本実施形態に係る熱電変換モジュールを用いた熱電変換モジュールブロックについて説明する。
 本実施形態の熱電変換モジュールブロック100は、上述の熱電変換モジュール1を複数有し、一方の熱電変換モジュール1の第1の基板2の一端部2Aと他方の熱電変換モジュール1の第2の基板2の他端部2Bとが重ねられ、一端部2Aの貫通孔12及び他端部2Bの貫通孔13を貫通する固定部材30により各一対の第1の基板2が固定されている。
 固定部材30は特に限定されず、例えば、リベット、ボルト及びナット等を使用することができ、一対の第2の基板2、2を密着して固定できればよい。固定部材の材質は特に限定されず、導体でも絶縁体でもよい。
 本実施形態によれば、第1の基板2の一端部2Aに、他端部2Bとの段差が生じているのでこれを利用して一の熱電変換モジュール1の第1の基板2の一端部2Aと、他の熱電変換モジュール1の第1の基板2の他端部2Bとを容易に重ねることができ、また、このように第2の基板2,2同士を重ねて一対の第2の基板2,2の各貫通孔12、13を固定部材30で貫通して固定することにより、2つの基板を容易に密着固定でき一端部電極層8aと他端部電極層8bとを確実に接触させることができ、熱電変換モジュール1、1同士を容易に電気的に接続させることができる。また、一対の第1の基板2の貫通孔12、13同士を固定部材30で貫通することにより熱電変換モジュール1同士の固定を行うので、電極主体ではなく固定部材30及び第1の基板2を主体として熱電変換モジュールブロック100の機械的構造が保持される。したがって、熱電変換モジュールブロック100の機械的強度も高く、突出した電極同士を接合する場合に比べて、振動や熱応力による連結部の破損等も抑制される。したがって、熱電変換モジュールブロック10を安定して長時間動作させることが容易となる。
 続いて、熱電変換モジュールブロックの変形例について図4を参照して説明する。本変形例では、第2の基板2の下面2u上に、放熱器40が配置されている。放熱器40としては、図4に示すように、板材40bに多数のフィン40aを立設させたものが挙げられる。放熱器40の材質は熱伝導率の高い材料であれば特に限定されず、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属材料が挙げられる。
 放熱器40の板材40bには、貫通孔42が形成されており、固定部材30は、一対の第1の基板2に加えてさらに放熱器40の板材40b貫通孔42を貫通しており、一対の第1の基板及び放熱器40が一体にかつ密着して固定されている。本実施形態によれば、放熱器40の固定も容易となり、放熱効率も高くできる。
 本発明は上記実施形態に限定されずに様々な変形態様が可能である。
 例えば、図5に示すように、一端部2Aに貫通孔14をさらに設け、他端部2Bにも、貫通孔13と同様に貫通孔14に対応する位置に貫通孔15をさらに設け、これらの貫通孔14、15を貫通する固定部材30をさらに用いて一対の熱電変換モジュール1を密着して固定してもよい。貫通孔14、15の位置は特に限定されないが、他の貫通孔12、13とはなれた位置が好ましい。もちろん、貫通孔の数はさらに増やしてもよいことは言うまでもない。
 また、一端部2Aにおける一端部電極層8aの場所も特に限定されず、例えば、図6に示すように、Y方向の中央部に一端部電極層8aを設けてもよく、この場合、これに対して他端部電極層8bも他端部2BにおいてY方向の中央部に配置すればよい。
 また、上記実施形態では、直列に接続された複数の熱電変換素子のグループを基板上に1つのみ設けているが、図7に示すように、直列に接続された複数の熱電変換素子のグループを基板上に複数設けてもよく、この場合、(貫通孔12及び一端部電極層8a)及び(貫通孔13及び他端部電極層8b)の組合せを複数有することとなる。
 また、上記実施形態では、p型熱電変換素子3が一端部電極層8aと接続され、n型熱電変換素子4が他端部電極層8bと接続されているが、n型熱電変換素子4が一端部電極層8aと接続され、p型熱電変換素子3が他端部電極層8bと接続されていてもよい。
 また、図2において、中央部2Cにおける上面2t及び下面2uの高さは、他端部2Bの上面2t及び下面2uの高さとそれぞれ同一とされているがこれに限られない。例えば、中央部2Cにおける上面2t及び下面2uの高さが、一端部2Aの上面2t及び下面2uの高さとそれぞれ同一とされていてもよい。また、中央部2Cの高さは、一端部や他端部の上面や下面の高さとは全く独立に設定されていてもよい。
 また、上記実施形態では、熱電変換素子がマトリクス状に並べられているが、配置方法も特に限定されず、例えば、一列に並べられていてもよい。
 また、上記実施形態では、第1の基板2が矩形状とされ、長手方向の一方側に一端部2Aが、他方側に他端部2Bが形成されているが、得たい熱電変換モジュールブロックの形状に応じて、第1の基板の形状や、一端部2Aや他端部2Bの配置、貫通孔12、13等の位置は、任意好適に設定することができる。
 また、上記実施形態では、熱電変換モジュール1が、第2の基板7を有しているが、第2の電極6を有していれば、第2の基板7が無くても実施は可能である。
 1…熱電変換モジュール、2…第1の基板、2t…上面、2u…下面、2A…一端部、2B…他端部、2C…中央部、3…p型熱電変換素子、4…n型熱電変換素子、6…第2の電極、7…第2の基板、8…第1の電極、9…接合材、12、13…貫通孔、100…熱電変換モジュールブロック。

Claims (3)

  1.  互いに対向する上面及び下面を有する基板と、前記基板の前記上面上に配置されると共に電気的に直列に接続された複数の熱電変換素子と、を備え、
     前記基板の一端部の下面は前記基板の他端部の下面よりも高く、かつ、前記基板の前記一端部の上面は前記基板の前記他端部の上面よりも高く、
     前記基板の一端部及び他端部にはそれぞれ貫通孔が形成され、
     前記基板の一端部には、前記複数の熱電変換素子の一端と電気的に接続された一端部電極層が、前記上面から、前記貫通孔の内面を通って、前記下面における前記貫通孔の周りにまで渡って設けられ、
     前記基板の他端部には、前記複数の熱電変換素子の他端と電気的に接続された他端部電極層が、前記上面における前記貫通孔の周りに設けられた熱電変換モジュール。
  2.  請求項1記載の前記熱電変換モジュールを複数有し、一の前記熱電変換モジュールの前記基板の一端部と他の前記熱電変換モジュールの前記基板の他端部とが重ねられ、前記一端部の貫通孔及び前記他端部の貫通孔を貫通する固定部材により各一対の基板が固定された熱電変換モジュールブロック。
  3.  前記基板の下面上に、前記基板の貫通孔に対応する貫通孔を有する放熱器が配置され、前記固定部材はさらに前記放熱器の貫通孔を貫通して、前記一対の基板と前記放熱器とを固定する請求項2記載の熱電変換モジュールブロック。
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