WO2007063962A1 - 基板の処理装置 - Google Patents

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WO2007063962A1
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processing
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processing apparatus
processing liquid
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Yoshiaki Kurokawa
Koichi Higuchi
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corporation
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    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid to which ultrasonic waves are applied.
  • a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device includes a lithography process in which a circuit pattern is formed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.
  • a lithography process as is well known, a resist is applied to the substrate, and light is irradiated through a mask having a circuit pattern formed on the resist.
  • a circuit pattern is formed on the substrate by repeating a series of processes such as removing a portion irradiated with light and etching the removed portion a plurality of times.
  • a spin processing apparatus is known as an apparatus for processing the substrate with a processing liquid!
  • the spin processing apparatus has a cup body.
  • a rotating table is provided in the cup body, and the substrate is detachably held on the rotating table.
  • a nozzle body is provided above the rotary table. Then, when the substrate is processed by supplying the processing liquid toward the substrate while rotating the rotating table, the nozzle strength! / It is done to meet.
  • a nozzle body has been used to supply a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to a substrate.
  • the nozzle body has a treatment liquid supply port and an injection port, and a diaphragm is provided inside. Yes.
  • the treatment liquid is supplied into the nozzle body from the supply port, and is contacted with the vibration plate that is ultrasonically vibrated to be applied with ultrasonic vibration. Be jetted! / Speak.
  • the treatment liquid sprayed toward the substrate is repeatedly pressurized and depressurized by ultrasonic vibration, so that a gas dissolved in the treatment liquid at the time of depressurization serves as a nucleus to form a cavity, and is added.
  • the substrate is decontaminated by a cavity action that generates a shock wave by crushing the cavity during pressing.
  • the conventional nozzle body has a structure in which the treatment liquid is brought into contact with the diaphragm provided inside the nozzle body to give ultrasonic vibration as described above.
  • a diaphragm that vibrates ultrasonically is heated to a high temperature by energy applied to the diaphragm. For this reason, the temperature of the processing liquid that comes into contact with the vibration plate is unavoidably increased. Therefore, if the substrate is processed by applying ultrasonic vibration to the processing liquid, the substrate may be damaged.
  • the processing liquid sprayed from the spray port of the nozzle body toward the substrate is accelerated.
  • the accelerated processing solution gives an impact to the substrate, which may cause damage to the substrate.
  • the temperature of the processing liquid can be reliably controlled, so that the cleaning process is performed without damaging the substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can perform the above-described process.
  • the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied,
  • An oscillating body that has a rectangular parallelepiped shape and has an opening on the lower surface of one end portion in the longitudinal direction and is inclined toward the other end portion in the longitudinal direction;
  • a vibrator provided on the upper surface of the oscillator for ultrasonically vibrating the oscillator, a first cooling means for cooling the treatment liquid supplied to the supply path,
  • FIG. 1 is a schematic view showing a spin processing apparatus as a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the longitudinal direction of an oscillating body provided on an arm body of a spin processing apparatus.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XX in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the lower end portion of the oscillator.
  • FIG. 5 is a graph obtained by measuring the relationship between the temperature of the processing solution, the particle removal rate, and damage.
  • FIG. 1 shows a spin processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • This spin processing device has a cup body 1.
  • a plurality of discharge pipes 2 are connected to the bottom of the cup body 1 at predetermined intervals in the circumferential direction.
  • Each exhaust pipe 2 communicates with an exhaust pump, not shown.
  • a rotating table 3 is provided in the cup body 1.
  • the turntable 3 has a base 3a and four arms 3b (only two are shown) having one end connected to the base 3a.
  • a support portion 4 is provided at the tip of each arm 3b.
  • Each support portion 4 includes a support pin 5 and a pair of engagement pins 6 (only one is shown) provided closer to the distal end side of the arm 3b than the support pin 5 is.
  • the engagement pin 6 is set to be taller than the support pin 5.
  • the turntable 3 is supplied with a glass substrate W forming a liquid crystal display device.
  • the substrate W supplied to the turntable 3 is such that the lower surface of the corner is supported by the support pins 5 and the pair of side surfaces of the corners are engaged and held by the engagement pins 6. Yes.
  • the rotary table 3 is rotationally driven by a control motor 11.
  • This control motor 11 has a cylindrical rotor 13 inserted into a cylindrical stator 12 in a rotatable manner.
  • the base 3a of the rotary table 3 is connected to the rotor 13 via a power transmission member 13a.
  • the rotation of the control motor 11 is controlled by the control device 14. Accordingly, the rotary table 3 can be rotated at a predetermined rotational speed by the control device 14.
  • a hollow fixed shaft 15 is passed through the rotor 13.
  • a nozzle head 16 located on the upper surface side of the rotary table 3 is provided at the upper end of the fixed shaft 15. In other words, the nozzle head 16 is not rotated together with the rotary table 3.
  • the nozzle head 16 is provided with a plurality of first nozzles 17 for injecting a processing liquid and a second nozzle 18 for injecting a gas.
  • the processing liquid and the gas can be selectively ejected from the nozzles 17 and 18 toward the central portion of the lower surface of the substrate W held on the rotary table 3. . That is, the substrate W can be cleaned and dried.
  • An arm body 22 is provided on the side of the cup body 1.
  • the base end portion of the arm body 22 is connected to the upper end of the hollow shaft body 23.
  • the lower end of the shaft body 23 is connected to the rotary motor 24.
  • the rotary motor 24 rotates the shaft body 23 at a predetermined angle. Accordingly, the arm body 22 can be driven to swing along the radial direction of the rotary table 3.
  • the rotary motor 24 is attached to a movable plate 25 that is movable in the vertical direction by a linear guide (not shown).
  • the movable plate 25 is driven up and down by a vertical drive cylinder 26.
  • the supply device 31 has an oscillating body 32 formed in a rectangular parallelepiped shape from a material having chemical resistance and heat resistance such as quartz.
  • a plurality of guide grooves 33 having a mountain-shaped cross section are formed on the lower surface of the oscillator 32 over the entire length in the longitudinal direction, and the force is also formed in parallel in the width direction.
  • the angle ⁇ of the slope 33a forming the guide groove 33 is set to 7 to: LO degree.
  • a treatment liquid supply path 35 having one end opened at the upper end surface is formed at one end in the longitudinal direction of the oscillator 32.
  • the other end of the supply path 35 is inclined from one end in the longitudinal direction of the oscillator 32 toward the other end, and the other end is formed on the bottom surface of the one end of the oscillator 32 over almost the entire length in the width direction. It communicates with the diffusion groove 38. That is, the other end of the supply path 35 is opened through the diffusion groove 38 on the lower surface of one end in the longitudinal direction of the oscillator 32.
  • a connection block 39 is provided on the upper surface of one end of the oscillating body 32 so that the lower end surface is in liquid-tight contact.
  • a communication path 39a is formed in the connection block 39. One end of the communication path 39 a communicates with one end of the supply path 35.
  • One end of a supply pipe 41 for supplying a processing liquid is connected to the other end of the communication path 39a.
  • the supply pipe 41 is led out through the arm body 22, and the other end is connected to a supply source of the soot treatment liquid not shown.
  • a heat exchanger 42 as a first cooling means for cooling the treatment liquid and a nitrogen gas as the treatment liquid A gas dissolver 43 for dissolving a gas such as air or carbon dioxide gas is sequentially connected.
  • the heat exchanger 42 can cool the processing liquid to a desired temperature.
  • a flange 44 is formed over the entire circumference.
  • a cooling body 45 as a second cooling means is provided on the side surface of the oscillator 32 above the flange 44.
  • the cooling body 45 has a flow path 46 through which a cooling medium such as cooling water flows. Is formed.
  • the oscillator 32 and the vibrator 34 provided on the upper surface of the oscillator 32 are cooled through the oscillator 32.
  • the cooling body 45 may be provided on at least one of the upper surfaces of the oscillator 32 instead of the side surfaces.
  • the upper portion of the oscillator 32 above the flange 44 is covered with an internal force bar 47.
  • the inner cover 47 is covered with an external force bar 49 whose both ends are liquid-tightly polymerized on the lower surface of the flange 44 via a packing (not shown).
  • the cooling medium is caused to flow through the flow path 46 of the cooling body 45, and the arm body 22 is driven downward.
  • the lower surface of the oscillation body 32 is slightly placed at the center portion of the upper surface of the substrate W held by the rotary table 3. Opposite through an interval.
  • the oscillator 32 is positioned with respect to the radial direction of the substrate W so that the tip of the supply path 35 opened on the lower surface substantially coincides with the rotation center of the substrate W.
  • a high frequency voltage is applied to the vibrator 34 to ultrasonically vibrate the oscillating body 32, and a processing liquid is supplied from a supply pipe 41 connected to the oscillating body 32.
  • the arm body 22 is swung, and the supply device 31 is reciprocated between the rotation center portion of the substrate W and the radially outer end.
  • the treatment liquid passes through the supply path 35 formed in the oscillator 32 from the supply pipe 41 and diffuses over the entire length in the width direction of the oscillator 32 through the diffusion groove 38 on the lower surface, and the lower surface of the oscillator 32. It flows into the gap with the upper surface of the substrate W. Since the processing liquid diffuses in the diffusion groove 38, the processing liquid flows on the substrate W without being accelerated as compared with the speed flowing through the supply path 35.
  • the lower end portion of the supply path 35 is inclined with the longitudinal one end force of the oscillator 32 directed toward the other end. Therefore, as indicated by the arrow A in FIG. Then, it flows out to the lower surface and is guided from the diffusion groove 38 to the guide groove 33 and flows on the upper surface of the substrate W.
  • the treatment liquid flowing in the guide groove 33 is subjected to ultrasonic vibration from the oscillator 32. Therefore, the upper surface of the substrate W is cleaned with the processing liquid to which ultrasonic vibration is applied.
  • the processing liquid that has cleaned the upper surface of the substrate W smoothly flows in a predetermined direction along the guide groove 33, and the upper surface force of the substrate W flows out.
  • the dirt on the substrate W removed by the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied flows out smoothly and quickly together with the processing liquid from the upper surface of the substrate W, so that it adheres again to the upper surface of the substrate W. Is prevented.
  • the treatment liquid supplied to the oscillator 32 is heated at a predetermined temperature by a heat exchanger 42 provided in the supply pipe 41, for example, a temperature lower than the room temperature of a clean room in which the apparatus is installed, for example, 10 to 20 ° C. Has been cooled.
  • the oscillator 32 is cooled by the cooling medium flowing through the cooling body 45 provided on the outer peripheral surface.
  • the processing liquid flowing through the supply path 35 is subjected to ultrasonic vibration by the oscillator 32 and the substrate W is cleaned by the cavitation action of the processing liquid, the processing liquid has a temperature set by heat exchange 42. Since the substrate W is cleaned in a maintained state, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the temperature rise of the processing solution.
  • FIG. 5 shows the relationship between the temperature of the processing solution and the removal rate of the particles on the cleaned substrate by a first broken line X, and the relationship between the temperature of the processing solution and the damage given to the substrate is shown in FIG.
  • This is a graph indicated by a broken line Y. That is, in the above graph, the horizontal axis represents the temperature of the processing liquid, one vertical axis represents the removal rate of the particles, and the other vertical axis represents the damage given to the substrate.
  • the unit of bad over di represents the number of defect sites, such as falling of the cutting and wiring of the wiring per lcm 2.
  • the particle removal rate is almost constant with almost no influence on the temperature of the treatment liquid.
  • the damage to the substrate W is the temperature of the processing solution. It was confirmed that the force was slightly lower at 18 ° C than S22 ° C and decreased significantly at 10 ° C than 18 ° C.
  • the damage to the substrate W was reduced as the temperature of the processing solution was lowered. Then, when ultrasonic vibration is applied to the processing liquid cooled to a temperature of about 10 ° C and the substrate W is treated with the processing liquid, the substrate W is hardly damaged.
  • the temperature of the treatment liquid in the range of 10 to 18 ° C. Even if the force is in the range of 18 to 20 ° C, the damage caused to the substrate W is reduced to some extent. be able to. Therefore, the temperature of the treatment liquid may be set in the range of 10 to 20 ° C.
  • the processing liquid Since the processing liquid is diffused from the supply path 35 through the diffusion groove 38 and supplied to the substrate W, the processing liquid is supplied to the substrate W without being accelerated more than the speed flowing through the supply path 35. Therefore, since the substrate W is not impacted by the flow rate of the processing liquid, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by this.
  • a gas dissolver 43 is provided in the supply pipe 41 for supplying the treatment liquid. Therefore, the gas dissolver 43 can adjust the amount of gas dissolved in the treatment liquid. By controlling the amount of gas contained in the treatment liquid, the strength of the cavity action that occurs when ultrasonic vibration is applied to the treatment liquid can be adjusted. Therefore, if the amount of gas contained in the treatment liquid is controlled along with the temperature of the treatment liquid, the cleaning performance by the treatment liquid can be further improved.
  • the substrate W a portion having the same area as the lower surface of the oscillator 32 is cleaned per unit time. That is, the treatment liquid to which ultrasonic vibration is applied is interposed between the entire lower surface of the oscillator 32 and the portion of the substrate W facing the entire lower surface, and therefore the treatment with the treatment liquid is performed on the lower surface of the oscillator 32. It can be performed in an area corresponding to. Therefore, since the processing area per unit time is increased as compared with the conventional method using a nozzle body, the substrate W can be efficiently cleaned. [0053] Since the oscillating body 32 is provided on the arm body 22 and the oscillating body 32 is swung along the radial direction of the upper surface of the substrate W by the arm body 22, the substrate W Can be efficiently cleaned.
  • the treatment liquid cooled by the first cooling means passes through the supply path provided at one end in the longitudinal direction of the oscillating body and comes into contact with the vibrator that ultrasonically vibrates the oscillating body. Without applying ultrasonic vibration, the supply path force flows out. Therefore, it is possible to supply ultrasonic waves to the substrate without increasing the temperature of the processing liquid.

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Abstract

　超音波振動を与えた処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、直方体状であって、長手方向の一端部の下面に開口するとともに長手方向の他端部に向かって傾斜して形成された処理液の供給路（３５）を有する発振体（３２）と、発振体の上面に設けられ発振体を超音波振動させる振動子（３４）と、供給路に供給される処理液を冷却する熱交換器（４２）とを具備する。

Description

基板の処理装置
技術分野
[0001] この発明は超音波を付与した処理液によって基板を処理するための基板の処理装 置に関する。
背景技術
[0002] 半導体装置や液晶表示装置などの製造過程には、半導体ウェハやガラス基板など の基板に回路パタ一ンを形成するリソグラフィープロセスがある。このリソグラフィープ ロセスは、周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが 形成されたマスクを介して光を照射し、っ 、でレジストの光が照射されな 、部分 (ある いは光が照射された部分)を除去し、除去された部分をエッチングするなどの一連の 工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成するものである。
[0003] 上記一連の各工程にぉ 、て、上記基板が汚染されて 、ると回路パターンを精密に 形成することができなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、それぞれの工程 で回路パターンを形成する際には、レジストや塵埃などの微粒子が残留しない清浄 な状態に上記基板を処理液によって処理するということが行われている。
[0004] 上記基板を処理液によって処理する装置としてはスピン処理装置が知られて!/ヽる。
スピン処理装置はカップ体を有する。このカップ体内には回転テーブルが設けられ、 この回転テーブルには上記基板が着脱可能に保持される。
[0005] 上記回転テーブルの上方にはノズル体が設けられている。そして、上記回転テー ブルを回転させながらノズル体力ゝら基板に向けて処理液を供給することで、この基板 を処理すると！/ヽうことが行われる。
[0006] 基板に処理液を単に供給するだけでは、基板に付着した汚れを十分に除去するこ とができないことがある。そこで、基板に供給される処理液に超音波振動を与え、洗 浄効果を高めると 、うことが行われて 、る。
[0007] 従来、超音波振動が与えられた処理液を基板に供給するにはノズル体が用いられ ている。ノズル体は処理液の供給口と噴射口を有し、内部には振動板が設けられて いる。処理液は供給口からノズル体の内部に供給され、超音波振動する上記振動板 に接触して超音波振動が付与されてから、開口面積が絞られた上記噴射口で加速さ れて基板に噴射されるようになって！/ヽる。
[0008] 上記基板に向けて噴射された処理液は、超音波振動によって加圧と減圧が繰り返 されることで、減圧時にその処理液に溶け込んだガスが核となって空洞が生じ、加圧 時にその空洞が押し潰されて衝撃波が発生するキヤビテーシヨン作用によって上記 基板の汚れを除去する。
[0009] 処理液に超音波振動を与えることで生じるキヤビテーシヨン作用は、処理液の温度 が高いと大きくなるということが知られている。しかしながら、処理液のキヤビテーショ ン作用が大きいと、そのキヤビテーシヨン作用によって基板に形成された微細な配線 が損傷させられるということがある。したがって、処理液に超音波振動を与える場合、 処理液の温度を制御することが要求されて 、る。
[0010] ところで、従来のノズル体は、上述したように処理液をノズル体の内部に設けられた 振動板に接触させて超音波振動を与える構造となって 、た。超音波振動する振動板 は、振動板に加えられるエネルギによって高温度に加熱される。そのため、振動板に 接触した処理液は温度上昇することが避けられないため、その処理液に超音波振動 を与えて基板を処理すると、基板に損傷を与えるということがあった。
[0011] しカゝも、ノズル体の噴射口から基板に向けて噴射する処理液は加速される。そのた め、加速された処理液は基板に衝撃を与えることになるから、そのことによっても基板 に損傷を与えると 、うことがある。
発明の開示
[0012] この発明は、超音波振動が与えられた処理液によって基板を洗浄する際、処理液 の温度を確実に制御できるようにすることで、基板に損傷を与えずに洗浄処理するこ とができるようにした基板の処理装置を提供することにある。
[0013] すなわち、この発明は、超音波振動を与えた処理液によって基板を処理する基板 の処理装置であって、
直方体状であって、長手方向の一端部の下面に開口するとともに長手方向の他端 部に向かって傾斜して形成された上記処理液の供給路を有する発振体と、 この発振体の上面に設けられ発振体を超音波振動させる振動子と、 上記供給路に供給される処理液を冷却する第 1の冷却手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]図 1はこの発明の一実施の形態に係る処理装置としてのスピン処理装置を示す 概略図である。
[図 2]図 2はスピン処理装置のアーム体に設けられる発振体の長手方向に沿う断面図 である。
[図 3]図 3は図 2の X— X線に沿う断面図である。
[図 4]図 4は発振体の下端部の拡大断面図である。
[図 5]図 5は処理液の温度とパーティクルの除去率及びダメージとの関係を測定した グラフである。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
[0016] 図 1はこの発明の一実施の形態に係るスピン処理装置を示す。このスピン処理装置 はカップ体 1を備えている。このカップ体 1の底部には複数の排出管 2が周方向に所 定間隔で接続されて 、る。各排出管 2は図示しな 、排気ポンプに連通して 、る。
[0017] 上記カップ体 1内には回転テーブル 3が設けられている。この回転テーブル 3は基 部 3aと、この基部 3aに一端を連結した 4本のアーム 3b (2本のみ図示）とを有する。 各アーム 3bの先端部にはそれぞれ支持部 4が設けられている。各支持部 4は支持ピ ン 5及び支持ピン 5よりもアーム 3bの先端側に設けられた一対の係合ピン 6 (1本のみ 図示)からなる。係合ピン 6は支持ピン 5よりも背が高く設定されている。
[0018] 上記回転テーブル 3には液晶表示装置を形成するガラス製の基板 Wが供給される 。回転テーブル 3に供給された基板 Wは周辺部の角部下面が上記支持ピン 5によつ て支持され、角部の一対の側面が上記係合ピン 6によって係合保持されるようになつ ている。
[0019] 上記回転テーブル 3は制御モータ 11によって回転駆動される。この制御モータ 11 は筒状の固定子 12内に同じく筒状の回転子 13が回転可能に挿入されてなり、この 回転子 13に上記回転テーブル 3の基部 3aが動力伝達部材 13aを介して連結されて いる。
[0020] 上記制御モータ 11は制御装置 14によって回転が制御される。それによつて、上記 回転テーブル 3は上記制御装置 14によって所定の回転数で回転させることができる
[0021] 上記回転子 13内には中空状の固定軸 15が揷通されている。この固定軸 15の上端 には上記回転テーブル 3の上面側に位置するノズルヘッド 16が設けられて!/、る。つ まり、ノズルヘッド 16は回転テーブル 3と一緒に回転しない状態になっている。このノ ズルヘッド 16には処理液を噴射する複数の第 1のノズル 17及び気体を噴射する第 2 のノズル 18が設けられている。
[0022] それによつて、上記各ノズル 17, 18から回転テーブル 3に保持された基板 Wの下 面の中央部分に向けて処理液や気体を選択的に噴射することができるようになって いる。つまり、基板 Wは下面を洗浄及び乾燥処理することができるようになつている。
[0023] 上記カップ体 1の側方にはアーム体 22が設けられている。このアーム体 22の基端 部は中空状の軸体 23の上端に連結されている。この軸体 23の下端は回転モータ 24 に連結されている。回転モータ 24は軸体 23を所定の角度で回転駆動する。それに よって、上記アーム体 22は回転テーブル 3の径方向に沿って揺動駆動可能となって いる。
[0024] 上記回転モータ 24は図示しないリニアガイドによって上下方向に沿って移動可能 な可動板 25に取付けられている。この可動板 25は上下駆動シリンダ 26によって上 下方向に駆動される。
[0025] 上記アーム体 22の先端には上記回転テーブル 3に保持された基板 Wに向けて純 水、オゾン水、過酸化水素水、アンモニア水などの処理液を供給するための供給装 置 31が設けられている。この供給装置 31は図 2と図 3に示すように石英などの耐薬 品性及び耐熱性を有する材料によって直方体状に形成された発振体 32を有する。 この発振体 32の下面には、断面山形状の複数のガイド溝 33が長手方向全長にわた り、し力も幅方向に並列に形成されている。図 4に示すように、上記ガイド溝 33を形成 する斜面 33aの角度 Θは 7〜： LO度に設定されている。 [0026] 上記発振体 32の上面には、幅方向に離間した帯状の 2つの振動子 34が長手方向 に沿って接着固定されている。この振動子 34には図示しない超音波発振装置力も高 周波電圧が印加される。それによつて、振動子 34とともに上記発振体 32が超音波振 動する。
[0027] 上記斜面 33aの角度 Θを 7〜： LO度に設定すると、発振体 32の上面の振動子 34の 超音波振動が発振体 32の下面へ伝播したときに、その下面の斜面 33aで全反射し て戻ることなく透過する。
[0028] 上記発振体 32の長手方向一端部には上端面に一端を開口させた処理液の供給 路 35が形成されている。この供給路 35の他端部は上記発振体 32の長手方向一端 部から他端部に向かって傾斜しており、他端は上記発振体 32の一端部下面に幅方 向ほぼ全長にわたって形成された拡散溝 38に連通している。つまり、上記供給路 35 の他端は上記発振体 32の長手方向一端部の下面に拡散溝 38を介して開口してい る。
[0029] 上記発振体 32の一端部上面には接続ブロック 39が下端面を液密に接触させて設 けられている。この接続ブロック 39には連通路 39aが形成されている。この連通路 39 aの一端は上記供給路 35の一端に連通して 、る。
[0030] 上記連通路 39aの他端には処理液を供給する供給管 41の一端が接続されて 、る
。この供給管 41は図 1に示すようにアーム体 22を通されて外部に導出され、その他 端は図示しな ヽ処理液の供給源に接続されて 、る。
[0031] そして、上記供給管 41の外部に導出された部分には図 1に示すように処理液を冷 却するための第 1の冷却手段としての熱交換器 42と、処理液に窒素ガス、空気或い は炭酸ガスなどの気体を溶解させる気体溶解器 43が順次接続されている。
[0032] 上記熱交換器 42は処理液を所望する温度に冷却することができるようになつており
、この実施の形態では処理装置が設置されるクリーンルームの室温よりも低い温度で ある、たとえば 10〜20°Cの範囲で冷却することができる。
[0033] 上記発振体 32の外周面の高さ方向中途部には鍔 44が全周にわたって形成されて
V、る。発振体 32の側面の上記鍔 44よりも上方の部分には第 2の冷却手段としての冷 却体 45が設けられている。この冷却体 45には冷却水等の冷却媒体を流す流路 46 が形成されている。
[0034] 上記流路 46に冷却媒体を流すことで、発振体 32及びこの発振体 32を介してその 上面に設けられた振動子 34が冷却されるようになっている。なお、冷却体 45は発振 体 32の側面でなく上面に設けてもよぐ少なくともどちらか一方に設けるようにすれば よい。
[0035] 上記発振体 32の上記鍔 44よりも上部は内力バー 47によって覆われている。この内 カバー 47は両端部を上記鍔 44の下面に図示しないパッキングを介して液密に重合 させた外力バー 49によって覆われている。それによつて、基板 Wに供給された硫酸 や過酸化水素水などの処理液がカップ体 1内で飛散しても、その処理液及び雰囲気 が振動子 34などに付着するのを防止できるようになって 、る。
[0036] つぎに、上記構成のスピン処理装置によって基板 Wに付着したパーティクルなどの 汚れを除去する場合にっ 、て説明する。
まず、冷却体 45の流路 46に冷却媒体を流すとともに、アーム体 22を下方向に駆 動し、発振体 32の下面を回転テーブル 3に保持された基板 Wの上面の中央部分に わずかな間隔を介して対向させる。このとき、発振体 32は、基板 Wの径方向に対して 、下面に開口した供給路 35の先端が基板 Wの回転中心とほぼ一致するよう位置決 めする。
[0037] つぎに、振動子 34に高周波電圧を印加し、発振体 32を超音波振動させるとともに 、発振体 32に接続された供給管 41から処理液を供給する。それと同時に、アーム体 22を揺動させ、供給装置 31を基板 Wの回転中心部と径方向外方端との間で往復動 させる。
[0038] 処理液は、上記供給管 41から発振体 32に形成された供給路 35を通り、下面の拡 散溝 38で発振体 32の幅方向ほぼ全長にわたって拡散して発振体 32の下面と基板 Wの上面との間隙に流出する。処理液は拡散溝 38で拡散するため、供給路 35を流 れる速度に比べて加速されることなく基板 W上を流れる。
[0039] 上記発振体 32の下面と基板 Wの上面との間隙に流出した処理液は、上記供給路 35の下端部が発振体 32の長手方向一端力も他端に向力つて傾斜しているため、図 2に矢印 Aで示すように上記供給路 35の傾斜方向に沿って発振体 32の拡散溝 38か ら下面に流出し、その拡散溝 38からガイド溝 33にガイドされて基板 Wの上面を流れ る。
[0040] ガイド溝 33を流れる処理液は発振体 32から超音波振動が付与される。そのため、 基板 Wの上面は超音波振動が付与された処理液によって洗浄されることになる。基 板 Wの上面を洗浄した処理液はガイド溝 33に沿って所定方向に円滑に流れ、基板 Wの上面力 流出する。
[0041] そのため、超音波振動が付与された処理液によって除去された基板 Wの汚れは、 この処理液とともに基板 Wの上面から円滑かつ迅速に流出するため、基板 Wの上面 に再付着するのが防止される。
[0042] 発振体 32に供給される処理液は供給管 41に設けられた熱交換器 42によって所定 の温度、たとえば装置が設置されるクリーンルームの室温よりも低い温度、たとえば 1 0〜20°Cに冷却されている。しかも、発振体 32は外周面に設けられた冷却体 45を流 れる冷却媒体によって冷却されて 、る。
[0043] そのため、振動子 34に電圧を印加して超音波振動させることで、この振動子 34が 発熱しても、その熱によって発振体 32や発振体 32に形成された供給路 35を流れる 処理液が加熱されて温度上昇するのを防止することができる。
[0044] したがって、供給路 35を流れる処理液に発振体 32によって超音波振動を与え、そ の処理液のキヤビテーシヨン作用によって基板 Wを洗浄処理する際、処理液は熱交 42で設定した温度が維持された状態で基板 Wを洗浄処理するから、処理液の 温度上昇によって基板 Wに損傷を与えるのを防止することができる。
[0045] 図 5は処理液の温度と洗浄された基板のパーティクルの除去率との関係を第 1の折 れ線 Xで示し、処理液の温度と基板に与えたダメージとの関係を第 2の折れ線 Yで示 すグラフである。つまり、上記グラフは横軸に処理液の温度を示し、一方の縦軸にパ 一ティクルの除去率を示し、他方の縦軸に基板に与えたダメージを示す。なお、ダメ ージの単位は lcm2当たりの配線の切断や配線の倒れなどの欠陥箇所の数を示し ている。
[0046] 図 5から明らかなように、パーティクルの除去率は処理液の温度にほとんど影響され ることなくほぼ一定である。それに対して、基板 Wに与えるダメージは処理液の温度 力 S22°Cよりも 18°Cのときはわずかに低くなり、 18°Cよりも 10°Cのときは大幅に低下す ることが確認できた。
[0047] すなわち、処理液の温度が低くなる程、基板 Wに与えるダメージが小さくなることを 確認することができた。そして、約 10°Cの温度に冷却した処理液に超音波振動を付 与し、その処理液で基板 Wを処理すると、基板 Wにほとんどダメージを与えることなく
、洗浄処理できることが確認できた。
[0048] 以上のことから、処理液の温度は、 10〜18°Cの範囲に設定することが最も好ましい 力 18〜20°Cの範囲であっても基板 Wに生じるダメージをある程度は低減すること ができる。したがって、処理液の温度は 10〜20°Cの範囲に設定すればよい。
[0049] なお、処理液の温度が 10°Cのときには基板 Wに生じるダメージの数はほぼ 0に近 いから、処理液をそれ以上低い温度に設定しても、基板 Wに生じるダメージの数はほ とんど変化しな 、ものと考えられる。
[0050] 処理液は、供給路 35から拡散溝 38で拡散されて基板 Wに供給されるため、供給 路 35を流れる速度よりも加速されることなぐ基板 Wに供給される。そのため、基板 W は処理液の流速によって衝撃を受けるということがないから、そのことによっても基板 Wにダメージが生じるのを防止することができる。
[0051] 処理液を供給する供給管 41には気体溶解器 43が設けられている。そのため、この 気体溶解器 43によって処理液に溶解する気体の量を調整することができる。処理液 に含まれる気体の量を制御すれば、処理液に超音波振動を与えたときに生じるキヤ ビテーシヨン作用の強さを調整できる。したがって、処理液の温度とともに、処理液に 含まれる気体の量を制御すれば、処理液による洗浄性能をより一層、向上させること ができる。
[0052] 基板 Wは、単位時間当たりに発振体 32の下面と同じ大きさの面積の部分が洗浄処 理される。つまり、超音波振動が付与された処理液は、発振体 32の下面全体と、基 板 Wの上記下面全体に対向する部分との間に介在するため、処理液による処理を 発振体 32の下面に対応した面積で行うことができる。そのため、ノズル体を用いる従 来に比べて単位時間当たりの処理面積が増大するから、基板 Wを効率よく洗浄処理 することが可能となる。 [0053] し力も、発振体 32をアーム体 22に設け、このアーム体 22によって上記発振体 32を 基板 Wの上面の径方向に沿って揺動させるようにしたから、そのことによっても基板 Wを効率よく洗浄処理することが可能となる。
産業上の利用可能性
[0054] この発明によれば、第 1の冷却手段によって冷却された処理液は、発振体の長手 方向一端部に設けられた供給路を通り、発振体を超音波振動させる振動子と接触せ ずに超音波振動が与えられて上記供給路力 流出する。そのため、処理液を温度上 昇させずに超音波振動を与えて基板に供給することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 超音波振動を与えた処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、 直方体状であって、長手方向の一端部の下面に開口するとともに長手方向の他端 部に向かって傾斜して形成された上記処理液の供給路を有する発振体と、
この発振体の上面に設けられ発振体を超音波振動させる振動子と、
上記供給路に供給される処理液を冷却する第 1の冷却手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
[2] 上記発振体には、この発振体を冷却する第 2の冷却手段が設けられて 、ることを特 徴とする請求項 1記載の基板の処理装置。
[3] 上記供給路に供給された処理液は、加速されずに上記基板に供給されることを特 徴とする請求項 1記載の基板の処理装置。
[4] 上記第 1の冷却手段は、上記処理液の温度を 10〜18°Cに冷却することを特徴とす る請求項 1記載の基板の処理装置。
[5] 上記処理液の供給路には、この処理液に気体を溶解させる気体溶解手段が設けら れていることを特徴とする請求項 1記載の基板の処理装置。
[6] 上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上面で上記基板の径方向に沿って揺動駆動されるアーム体を 有し、
上記アーム体の先端部に上記発振体が下面を上記基板に対向するよう設けられる ことを特徴とする請求項 1記載の基板の処理装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101394090B1 (ko) * 2007-10-22 2014-05-13 주식회사 케이씨텍 습식세정장치의 냉각구조
JP2012064800A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Sumco Corp ウェーハ洗浄装置
US9662686B2 (en) * 2010-09-24 2017-05-30 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning method and apparatus
FR2966046B1 (fr) * 2010-10-13 2013-04-26 Mg Dev Dispositif de nettoyage d'une prothese auditive
US11141762B2 (en) * 2015-05-15 2021-10-12 Acm Research (Shanghai), Inc. System for cleaning semiconductor wafers
JP7032816B2 (ja) * 2016-09-19 2022-03-09 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板の洗浄方法及び洗浄装置
KR102415678B1 (ko) * 2017-03-30 2022-07-04 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 기판 세정 장치
JP2019161161A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 栗田工業株式会社 基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116809A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Tadahiro Omi 洗浄方法及び洗浄システム
JP2004207469A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Shibaura Mechatronics Corp 処理液の供給装置及びスピン処理装置
JP2004273961A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Ebara Corp 金属配線形成基板の洗浄処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766164A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 薄板状物の回転洗浄装置
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
JPH0878368A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Hitachi Ltd ワークの処理方法および装置
TW494714B (en) * 1995-04-19 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
US5990060A (en) * 1997-02-25 1999-11-23 Tadahiro Ohmi Cleaning liquid and cleaning method
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
ATE506702T1 (de) * 2001-11-02 2011-05-15 Product Systems Inc Radialleistungs-megasonic-wandler
JP4036815B2 (ja) * 2003-10-31 2008-01-23 シャープ株式会社 洗浄装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10116809A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Tadahiro Omi 洗浄方法及び洗浄システム
JP2004207469A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Shibaura Mechatronics Corp 処理液の供給装置及びスピン処理装置
JP2004273961A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Ebara Corp 金属配線形成基板の洗浄処理装置

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