KR0164007B1 - 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 - Google Patents

미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

기판의 처리방법은, 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 둘레로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 상기 기판의 표면을 건조시키는 스텝에 있어서, 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다. 이것에 대신하여 상기 기판의 세정단계에서 소정의 가스가 용해된 세정액이 사용되어도 좋다. 이 경우, 바람직하기로는 기판표면을 건조시키는 단계에서, 기판표면에 공급되는 세정액 중의 가스는 과포화상태로 된다. 이와 같은 방법은 실현하는 제어장치를 구비한 기판의 처리장치도 개시되어 있다.

Description

미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
제1도는 고 애스펙트 비의 레지스트 패턴의 도괴현상에 대해서 설명하기 위한 모식도.
제2도는 분위기 압력 여하에 의해 고체면상에 위치된 린스액(순수)의 형태가 변화하는 것을 설명하기 위한 모식도.
제3도는 본 발명에 관한 기판의 회전식 건조처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략종단면도.
제4도는 본 발명에 관한 건조처리방법에 있어서 일련의 처리조작의 일예를 나타내는 플로워챠트.
제5도는 제4도에 나타낸 일련의 건조처리조작에서 처리실내의 압력변화를 나타내는 타임챠트.
제6도는 제4도와 다른 일련의 건조처리조작에서 처리실내의 압력변화를 나타내는 타임챠트.
제7도는 제4도와 다른 별도의 일련의 건조처리조작에서 처리실내의 압력변화를 나타내는 타임챠트.
제8도는 본 발명에 관한 기판처리방법을 실시하기 위해 사용되는 기판처리장치의 구성의 일예를 나타내는 개략종단면도.
제9도는 제8도에 나타낸 기판처리장치에서 순수공급수단의 구성의 일예를 나타내는 개략배관도.
제10도는 본 발명에 관한 기판처리방법에서 일련의 처리조작의 일예를 나타내는 플로워챠트.
제11도는 제9도에 나타낸 일련의 기판처리조작에서 처리실내의 압력변화를 나타냄과 동시에 기판의 세정처리공정에 있어서 가스용존순수를 사용하는 시기를 설명하기 위한 타임챠트이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 레지스트패턴
3 : 린스액 4a,4b,4c : 액체물방울
5 : 고체면 10 : 반도체웨이퍼
12 : 처리실 14 : 스핀척
16 : 회전축 20 : 모터
22 : 통기로 24 : 펌프
26 : 현상액공급노즐 28 : 순수공급노즐
30 : 에어공급노즐 32 : 차폐통
34 : 배출구 36 : 드레인파이프
38 : 트랩 38a,38b : 분실
40 : 진공펌프 42 : 웨이퍼반입로
50,52,58,60 : 밀폐문 54 : 개구
56 : 개구 62 : 파이프
64 : 밸브 66 : 제어장치
68 : 펌프 70 : 펌프
72 : 에어공급파이프 74 : 팬
76 : 밸브 78 : 밸브
80 : 순수공급파이프 82 : 가스용해부
84 : 탄소가스봄베 86 : 탄소가스파이프
88 : 필터 90 : 압력조정밸브
92 : 압력계 94 : 전자밸브
본 발명은 포토리소그래피를 이용하여 반도체 장치와 포토마스크, 액정표시장치(LCD)등을 제조하는 경우에 있어서 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 그라스 기판, 광디스크용 그라스기판, LCD용 그라스기판 등의 각종기판(이하, 간단히 기판이라 한다)의 표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막을 현상처리하고 세정처리한 후 기판표면을 건조처리하는 방법에 관한 것으로, 특히 미세패턴화된 레지스트막을 가지는 기판을 수평자세로 유지하고 연직축 주위로 회전시켜 기판표면을 건조시키는 회전식 건조처리방법 및 그 방법을 실시하기 위해 사용되는 회전식 건조처리장치에 관한 것이다.
근년, 반도체 장치는 점점 고집적화에 대응하는 경향이 있다. 이 반도체 장치는 포토리소그래피를 이용하여 제조되는 것이다. 포토레지스트액과 노광기 등의 분야에 있어서, 기술의 진보에 의해 상기 고집적화에 대응한 레지스트패턴의 미세화가 가능하게 되었다. 레지스트패턴이 미세화되어도 도포에 의해 형성된 포토레지스트막의 두께는 어느정도(1.0㎛)이상으로는 얇게 할 수가 없다. 따라서, 이 경우 레지스트 패턴의 애스펙트비(레지스트막두께/레지스트패턴의 선폭)가 높게 되는 경향이 있다.
애스펙트비는 보통의 레지스트패턴에는 1.5∼3정도이다. 상기 고집적화에 의해 애스펙트비가 5∼10처럼 높게 되면 기판을 현상처리하고 순수 등으로 세정(린스)처리한 후에 기판을 건조처리하는 과정에서 레지스트 패턴의 도괴현상이 일어나는 것이 알려져 있다. 이 모양을 제1도에 모식적으로 나타낸다. 제1도를 참조하여 기판(1)상에 형성된 레지스트패턴(2)이 순수 등의 린스액(3)으로 세정되는 것이다. 기판표면의 건조가 진행해 가면 인접하는 레지스트패턴(2)이 서로 바짝 달라붙도록 되어 도괴한다.
이 레지스트 패턴의 도괴의 발생원인에 대해서는 1993년 3월 29일 발행(발행소 : (주)응용물리학회)의 「1993년 (평성 5년) 춘계 제40회 응용물리학 관계연합강연회 강연 예고집 제2분책」의 제509페이지에 「현상공정에서 발생하는 레지스트패턴 도괴의 검토」 및 「고애스펙트비 레지스트 패턴의 도괴기구」의 각 연제에서의 보고가 있다. 그것들은 레지스트패턴 도괴의 원인은 린스액의 표면장력이라고 하고 있다. 그 기재에 의하면 현상·린스 처리 직후의 기판표면이 충분히 젖은 상태에서는 레지스트패턴의 도괴는 일어나지 않는다. 그러나, 린스액의 액면이 레지스트패턴의 상단면에 도달하고 나서 린스액이 완전히 증발하기 까지의 사이에 레지스트 패턴사이에 잔류한 린스액의 표면장력에 의해 인접하는 레지스트패턴끼리 서로 끌어 당겨 합쳐지도록 변형하여 레지스트 패턴의 도괴현상이 발생한다.
상술한 바와 같은 기판의 건조처리시에 있어서, 레지스트패턴의 도괴현상을 방지하는 것에는 여러가지 방법이 생각된다. 예를들면 표면장력이 낮은 린스액을 선정하거나 또는 새롭게 개발하면 좋다. 혹은 린스액과 포토레지스트의 조합을 선정하고, 레지스트 표면에 대한 린스액의 접촉각을 가능한 180°에 근접하여 린스액의 표면장력에 의해 인접 레지스트 패턴간에 작용하는 끌어당기는 힘을 작게하는 것이 생각된다.
그런데 그와 같은 방법은 고애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴현상을 완전히 방지하는 것은 어렵다. 그위에 사용하는 포토레지스트와 린스액의 종류에 제약이 생기고, 감광성과 세정성 등의 특성에 대해서 소망의 품종을 사용할 수 없는 경우가 생긴다. 한편, 장치적인 개량에 의해 상기 레지스트 패턴 도괴현상을 방지하는 것은 종래에는 전혀 생각되지 않았다.
그러므로, 본 발명의 목적은 사용하는 약품 등에 제약을 받지 않고 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 사용하는 약품 등에 제약을 받지 않고 장치적인 개량에 의해 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 세정액의 표면장력에 의한 악영향을 방지하는 것으로, 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 관련된 기판의 처리방법은 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후에 세정액을 기판의 표면에 공급하는 것에 의해 기판을 세정하는 스텝과, 그후에 기판을 수평면내에서 수직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판의 표면을 건조시키는 스텝에 있어서 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다.
본 발명의 다른 국면에 의하면 기판의 처리장치는 밀폐가능한 처리실과, 처리실내에 배치되고 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지장치와, 이 기판유지장치에 의해 유지된 현상처리후의 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급장치를 포함한다. 장치는 더우기 처리실내를 감압하기 위한 감압장치와, 기판 유지장치에 의해 기판을 수평면 내서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 감압장치를 제어하기 위한 제어장치를 포함한다.
본원에 있어서 「대기압」은 본 발명은 실시하는 장치가 설치된 실내의 기압을 말한다.
본원발명에 의하면 적어도 기판표면을 건조(스핀드라이)시키는 과정에서 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다. 여기서 분위기의 압력여하에 따라 제2도에 나타낸 바와 같이, 고체면(5)상에 놓여진 린스액, 예를들면 순수의 형태가 변화한다. 즉, 분위기가 감압상태에 있을 때는 제2도(a)에 나타낸 바와 같이, 순수의 액체물방울(4a)은 거의 구형으로 된다. 분위기가 대기압하에 있을 때는 제2도(b)에 나타낸 바와 같이, 순수의 액체물방울(4b)은 반구상으로 된다. 분위기가 양압상태에 있을 때는 제2도(c)에 나타낸 바와 같이, 현상액의 액체물방울(4c)은 접시 형상으로 된다. 이와 같이 분위기의 압력이 변화는 것에 의해 순수와 고체면과의 접촉면적이 변화하고, 고체면에 대한 순수의 접촉각이 변화한다. 따라서, 건조과정에 있어서 표면이 순수로 적셔진 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되면 기판표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막에 순수의 접촉각이 크게 된다. 이 때문에 순수의 표면장력에 의해 생기는 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어 당겨합치는 힘이 작게되기 때문에 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 방지된다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면 기판의 처리방법은 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급하는 것에 의해 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판을 세정하는 스텝에 있어서, 소정의 가스가 용해된 세정액이 이용된다.
이 경우 바람직하게는 기판표면을 건조시키는 스텝에서 기판표면에 공급된 세정액 중의 가스는 과포화상태로 된다.
본 발명의 추가의 국면에 의하면 기판의 처리장치는 밀폐가능한 처리실과, 처리실 내에 배치되고 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지장치와, 이 기판유지장치에 의해 유지된 현상 처리후의 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정액공급장치와, 세정액 공급장치에 의해 공급된 세정액에 가스를 용해시키기 위한 장치와, 기판을 세정하는 과정의 최종단계 혹은 최후에 가까운 단계에 있어서, 세정액 공급장치에 의해 공급된 세정액에 가스가 용해되도록 가스용해장치를 제어하기 위한 제어장치를 포함한다.
바람직한 기판의 처리장치는 처리실내를 감압하기 위한 감압장치를 더 포함하고, 제어장치가 기판을 건조시키는 과정에 있어서, 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 감압장치를 제어한다.
상술한 구성의 기판처리 방법에 의하면 기판의 세정처리후 기판의 건조처리(스핀드라이)를 개시하려고 하는 시점에 있어서, 기판의 표면은 질소, 탄소가스 등의 가스가 용해된 순수 등의 세정액으로 적셔진 상태에 있다. 이 상태에서 기판의 회전동작에 수반하여 기판표면에서 세정액이 비산·증발하여 가는 과정에서 세정액 중에 용해된 가스가 기포로 되어 액면방향으로 부상하고 액면에서 기체를 빼낸다. 이 때에 인접하는 레지스트패턴(제1도 참조)간의 간격에 있어서도 기포의 부상이 생기고, 그 기포의 부력에 의해 레지스트 패턴의 기울어짐이 방지된다. 또한 세정액 중에 용해되어 있던 가스가 레지스트패턴의 근방에서 기포로 되어 발생하는 것에 의해 기판 표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막에 대한 세정액의 접촉각이 크게된다. 이 때문에 세정액의 표면장력에 의해 생기는 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어당겨 합치는 힘이 작게된다. 이 작용에 의해 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴현상이 방지된다.
또한 세정액 중의 가스를 포화상태로 한 때에는 기포의 발생이 촉진되고 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 보다 확실하게 방지된다.
그리고, 상술한 구성의 기판처리장치에서는 세정액 공급수단에 의해 기판에 공급되는 세정액 중에 가스용해수단에 의해 가스를 용해시킬 수 있기 때문에 이 장치를 사용하면 상기 기판처리방법을 실시하여 상기 작용이 효과가 있다.
또한 처리실내를 감압하는 감압장치를 설치하고, 이 감압장치를 제어장치로 제어하여 기판표면을 건조시키는 과정에서 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 하면 상술한 대로 레지스트패턴의 도괴현상의 방지효과가 보다 크게 된다.
[실시예]
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 기판의 회전식 건조처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략 종단면도이다. 본 장치는 현상, 세정 및 건조의 각 처리를 연속하여 행하는 것이고, 밀폐가능한 상자형의 처리실(12)을 구비한다. 이 처리실(12)의 내부의 중앙부에 기판, 예를들면 반도체 웨이퍼(10)를 흡착하고 수평자세로 유지하는 스핀척(14)이 배열설치되어 있다.
스핀척(14)의 저면중앙부에는 회전축(16)이 연이어 접속되어 있다. 회전축(16)은 처리실(12)의 저벽부에 고정 설치된 축받침(18)에 회전자유롭게 지지되어 있다. 그리고 회전축(16)의 하단부는 처리실(12)의 저벽부를 관통하여 처리실(12)외부에 설치된 모타(20)에 연결되어 있다. 모터(20)를 회전구동시키는 것에 의해 스핀척(14)에 흡착 유지된 웨이퍼(10)가 수평면 내에서 연직축 주위로 회전한다. 회전축(16)의 축심부에는 통기로(22)가 형성 설치되고, 통기로(22)는 배관을 통하여 진공펌프(24)에 연통 접속되어 있다. 통기로(22) 및 진공펌프(24)가 감압장치로서 동작한다.
처리실(12)의 내부상방에는 스핀척(14)에 대향하도록 현상액 공급노즐(26) 및 순수공급 노즐(28)이 배열설치되어 있다. 처리실(12)내에 크린에어를 공급하는 에어공급노즐(30)도 거기에 배열설치되어 있다.
처리실(12)의 내부에는 스핀척(14) 및 회전축(16)의 주위를 둘러쌈과 동시에 처리실(12)의 저벽부의 회전축(16) 관통장소를 덮도록 통상을 이루고 하단부가 삿갓모양으로 펼쳐진 차단통(32)이 배열설치되어 있다.
처리실(12)의 저벽부의 차단통으로 덮어진 영역에 배출구(34)가 형성되어 있다. 배출구(34)는 현상액공급노즐(26)과 순수공급노즐(28)에서 웨이퍼(10)상에서 공급되는 웨이퍼(10) 상으로 흘러떨어진 현상액과 세정액(순수)을 회수하기 위한 것이다. 이 배출구(34)는 드레인 파이프(36)를 통하여 트랩(38)에 연통되어 있다. 트랩(38)은 전후 2단의 분실(38a,38b)로 구분되어 있다. 후단의 분실(38b)에 진공펌프(40)가 연통접속되어 있다. 진공펌프(40)의 흡인동작에 의해 트랩(38) 및 드레인 파이프(36)를 통하여 처리실(12)내를 감압할 수 있다.
스핀척(14)을 좁혀 서로 대향하는 처리실(12)의 양측벽부에는 밀폐구조의 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)가 각각 형성되어 있다. 이 웨이퍼 반입로(42)와 처리실(12)내를 연통시키는 개구(46) 및 웨이퍼 반입로(42)가 외계로 통하는 개구(48)는 각각 밀폐문(50,52)에 의해 개폐자유롭게 폐지되어 있다.
오히려 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)는 밸브(64)가 끼워 설치된 파이프(62)를 통하여 도시되지 않은 질소가스의 공급원에 접속되어 있다. 컴퓨터 등으로 이루어진 제어장치(66)에 의해 밸브(64)를 제어하여 개폐하는 것에 의해 필요에 응하여 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)로 질소가스를 공급할 수 있다.
제어장치(66)는 스핀척(14)을 회전시키는 모타(20)의 구동 및 정지제어, 진공펌프(24)의 구동제어, 현상액 공급노즐(26)에 현상액을 공급하는 펌프(68)의 구동제어, 순수공급노즐(28)에 순수를 공급하는 펌프(70)의 구동제어, 에어공급노즐(30)에 에어공급파이프(72)를 통하여 크린에어를 공급하는 풍량 가변형 팬(74)의 구동제어 및 에어공급파이프(72)에 끼워 설치된 밸브(76)의 개폐제어, 진공펌프(40)의 구동제어 및 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)의 개폐제어 그리고 각 밀폐문(50,52,58,60)의 개폐제어 등도 행하도록 구성되어 있다.
다음에 상술한 장치를 사용하여 현상, 세정 및 건조의 각처리를 연속하여 행하는 방법의 일예에 대해서 제4도에 표시한 플로워챠트 및 제5도에 처리실(12)내의 압력변화를 나타낸 타임챠트에 기초하여 설명한다.
우선, 웨이퍼반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)을 개방한다. 표면에 포토레지스트막이 피착형성되고, 노광작업을 마친 웨이퍼를 도시하지 않은 웨이퍼 반입장치에 의해 웨이퍼반입로(42)를 통하여 처리실(12)내로 반입한다. 그 웨이퍼(1)를 스핀척(14)상에 주요면을 상향하여 수평자세로 흡착유지시킨다. 그후에 웨이퍼반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)을 닫고 처리실(12)내를 밀폐 상태로 한다(제5도 to참조)
모타(20)를 구동시켜 스핀척(14)을, 예를들면 50∼100rpm 정도의 속도로 저속회전시키고 스핀척(14)에 흡착유지된 웨이퍼(10)를 수평면내에서 연직축 주위로 회전시킨다. 오히려, 이 웨이퍼(10)의 회전개시는 다음에 설명하는 현상액 공급후에 행하도록 해도 좋다. 또, 필요가 없으면 웨이퍼(10)를 정지시킨 상태로 있어도 좋다.
제5도 t1시점에 있어서 펌프(68)를 구동시켜 현상액공급노즐(26)에서 현상액을 웨이퍼(10)표면의 포토레지스트 막상에 공급한다. 소요량의 현상액이 포토레지스트막상에 공급되면 현상액의 공급을 정지한다. 그리고 경우에 따라 웨이퍼(10)의 회전을 정지시키고 계속 t2시점 까지의 소요시간 포토레지스트막의 현상처리를 행한다. 현상처리가 완료하면 t2시점(제5도)에 있어서 펌프(70)를 구동시켜 순수공급노즐(28)에서 순수를 웨이퍼(10)상에 공급하면서 모타(20)를 구동시켜 웨이퍼(10)를 예를들면 약 1,000rpm으로 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(10)를 세정(린스처리)한다. 그리고 t3시점에 있어서, 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)을 열고 트랩(28)의 후단의 분실(38b)에 연통 접속된 진공펌프(40)를 작동시키며 처리실(12)내를 감압상태로 한다.
세정처리가 완료하면 순수공급을 정지한다. t4시점에서 모타(20)를 구동하여 웨이퍼(10)를, 예를들면 3,000∼5,000rpm의 속도로 고속회전시키고 웨이퍼(10)를 건조처리(스핀드라이)한다.
t5시점에서 모타(20)를 정지시키고 건조처리를 완료한다. 그것과 동시에 진공펌프(40)를 정지시킨다. 밸브(76)를 열어 팬(74)을 구동시키고, 에어공급파이프(72)를 통하여 에어공급노즐(30)에 크린에어를 공급한다. 에어공급노즐(30)에서 처리실(12)내로 크린에어(혹은 질소가스 등의 불활성가스)를 유입시키고 처리실(12)내를 대기압으로 되돌린다.
그리고 웨이퍼반출로(44)의 각 밀폐문(58,60)을 개방한다. 표면에 현상을 끝낸 포토레지스트막이 피착형성된 웨이퍼(10)를 도시하지 않은 웨이퍼 반출장치에 의해 웨이퍼 반출로(44)를 통하여 처리실(12) 외부로 반출한다(t6시점). 그후에 웨이퍼반출로(44)의 각 밀폐문(58,60)을 닫는다. 이와 같이 하여 현상, 세정 및 건조의 각 처리가 완료한 웨이퍼가 처리실(12)에서 반출된다.
다음에 현상처리할 웨이퍼를 상술한 것처럼 처리실(12)내로 반입하고 상술한 동작을 다시 반복한다. 이상의 일련의 동작은 프로그램 시퀀스에 따라 자동적으로 행해진다.
이상과 같이 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 처리실(12)내가 감압상태로 되는 것에 의해 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 크게된다. 이 때문에 포토레지스트막상의 순수의 표면장력에 의해 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어당겨 합치는 힘이 작게된다. 그 결과 고 아스팩스비의 레지스트패턴의 도괴현상이 방지된다.
오히려, 처리실(12)내를 감압하는 과정에 있어서 밸브(64)를 열고 파이프(62)를 통하여 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)에 질소가스(혹은 그외의 불활성가스)를 공급하고, 웨이퍼반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)에 불활성가스를 충만시키도록 해도 좋다. 이와 같이 하는 것에 의해 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)를 통하여 처리실(12)내에 외기가 유입하는 것을 완전히 방지할 수 있다. 오히려, 불활성가스를 충진하는 대신에 웨이퍼반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)도 동시에 감압시키도록 해도 좋다.
제6도 및 제7도에 각각 나타낸 바와 같이, 현상처리의 과정에서 처리실(12)내를 대기압보다 높은 압력으로 조정하고, 건조처리의 과정에서 상술한 것처럼 처리실(12)내를 감압상태로 하도록 해도 좋다. 즉, 이 변형예에는 처리실(12)내에 웨이퍼(1)가 반입되고 스핀척(14) 상에 흡착유지되며, 웨이퍼 반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)이 닫혀지고, 처리실(12)내가 밀폐 상태로 된다(제6도 및 제7도 t0시점). 밸브(76)를 연 상태에서 팬(74)을 구동시키는 것에 의해 에어공급밸브(72)를 통하여 에어공급노즐(30)에 크린에어를 보내고, 에어공급노즐(30)에서 처리실(12)내에 크린에어를 보낸다. 이때에 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)를 닫아놓도록 한다.
이와 같이하여 완전히 밀폐된 상태의 처리실(12)내에 크린에어가 공급되는 것에 의해 처리실(12)내는 대기압보다 높은 압력, 예를들면 0.5kg/㎠ 정도의 높은 압력(양압)으로 된다. 이 상태에서 t1시점에 있어서 상기와 같은 조작을 행하여 t2시점까지 포토레지스트막의 현상처리를 행한다.
현상처리가 완료하면 t2시점에 있어서 팬(74)은 정지시키고 처리실(12) 내에의 크린에어공급을 중지한다. 이것과 함께 드레인파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)를 열고 처리실(12)내를 대기압상태로 복귀시킨다. 이후는 상기와 같은 조작을 행하여 웨이퍼(1)를 세정 및 건조처리한다.
이와 같이 현상처리시에 처리실(12)내를 양압상태로 하는 것에 의해 현상액에 대한 포토레지스트막면의 적셔지는 성질이 양호하게 된다. 포토레지스트막상에 공급된 현상액이 포토레지스막면과 잘 융합하기 쉽게 되고 포토레지스트막의 액탄성이 없게 된다. 이 결과 포토레지스막면의 전체에 걸쳐서 현상액이 펼쳐지기 쉽게 된다. 포토레지스트막상에 공급된 현상액의 양이 비교적 적어도 포토레지스트막의 전체면을 덮도록 현상액이 넘치게 된다.
이상과 같이 본 실시예에 의하면 약액의 선정과 개발 등의 방법은 아니고 장치적인 개량에 의해 고애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상을 방지할 수 있다. 또한 본 실시예의 회전식 건조처리장치를 사용하면 상기 방법을 바람직하게 실시하여 상기효과를 달성할 수 있다.
제8도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 기판처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략종단면도이다. 제8도에 나타낸 장치는 제3도에 나타낸 장치와 거의 같지만 급수공급노즐(28)에 순수를 공급하는 순수공급파이프(80)에 순수중에, 질소, 탄소가스 등의 가스를 용해시키기 위한 가스용해부(82)가 끼워 설치되어 있는 점에서 상이하다. 제8도와 제3도에 있어서, 같은 참조부호는 같은 요소를 나타낸다. 이것들의 기능도 명칭도 동일하다. 따라서 이것에 대해서 상세는 여기서 반복하지 않는다.
이 장치는 가스 용애부(82)에 탄소가스를 공급하는 시스템을 포함한다. 제8도 및 제9도를 참조하여 그 시스템은 탄소가스봄베(84)를 가스용해부(82)에 접속하는 탄소가스공급파이프(86)와, 탄소가스공급파이프(86)에 순차 끼워 설치된 필터(88), 압력조정밸브(90), 압력계(92) 및 전자밸브(94)를 포함한다.
가스용해부(82)로서 예를들면 물분자를 투과시키지 않고 기체분자만을 투과시키는 격막을 구비하고, 그 격막에서 떨어진 한쪽에 순수를 흘리고, 다른 한쪽에 가압된 가스, 예를들면 탄소가스를 공급하여 상기 격막을 통해서 탄소가스를 순수 중에 용해된 구성의 장치 혹은 밀폐용기내에 초음파 노즐을 통하여 순수를 분무함과 동시에 그 밀폐용기 내에 가스, 예를들면 탄소가스를 공급하여 순수 중에 탄소가스를 용해시키는 구성의 장치 등이 사용된다.
또한, 이 실시예의 제어장치(66)(제8도 참조)는 제1실시예에 기술한 여러가지의 요소의 제어에 더해서 밸브(94)의 개폐의 제어도 행하는 것에 주의된다.
이 제2실시예의 장치도 제1실시예의 장치와 거의 같게 동작하기 때문에 그 상세는 여기서는 반복하지 않는다. 단 이 제2실시예의 장치에는 가스용해부(82)를 설치하는 것으로 제1실시예의 동작에 더해서 다음과 같은 동작을 행한다.
또한, 이하의 설명에 있어서 장치의 동작의 플로워챠트를 제10도에 나타낸다. 제10도는 제4도의 플로워챠트와 거의 동일하지만 세정처리에 있어서 제4도에서와 같은 간단한 세정은 아니고 가스용해부(82)에 의해 가스가 용존하고 있는 순수를 사용하는 점이 다르다. 또한 제11도는 제5도에 상당한다. 세정처리공정에 있어서 적어도 그 최종단계 혹은 최종에 가까운 단계에서 순수공급밸브(80)에 끼워 설치된 가스용해부(82)에 탄소가스봄베(84)에서 탄소가스를 공급하여 탄소가스가 포화상태 혹은 그것에 가까운 상태까지 용해시키므로 그 용해된 순수를 순수공급노즐(28)에서 웨이퍼(10)상에 공급하도록 한다. 예를들면 제11도를 참조하여 세정처리를 개시한 t2시점에서 세정처리를 완료시키는 t7시점까지의 전기간(T1) 혹은 진공펌프(40)의 동작을 개시한 후의 t4시점에서 세정처리를 완료시키기 전의 t8시점까지의 기간(T2)(혹은 세정처리를 완료시키는 t7시점까지의 기간) 처리실(12)내가 대기압보다 낮은 압력으로 되어 시작한 t5시점에서 세정처리를 완료시키기전의 t8시점까지의 기간(T3)(혹은 세정처리를 완료시키는 t7시점까지의 기간), 또는 세정처리를 완료시키기 조금전의 t6시점에서 t7시점까지의 기간(T4)에 있어서 탄소가스가 용해된 순수를 웨이퍼(10)상에 공급하도록 한다.
그리고 현상, 세정 및 건조의 각 처리가 완료한 웨이퍼가 처리실(12)에서 반출되면 다음에 현상처리해야 할 웨이퍼를 상술한 것처럼 처리실(12)내에 반입하고, 상술한 동작을 다시 반복한다. 이상의 일련의 동작은 프로그램 시퀀스에 의해 자동적으로 행해지는 것은 제1실시예와 같다.
이상과 같이 세정처리공정의 최종단계 혹은 최후에 가까운 단계에서 탄소가스가 용해된 순수가 웨이퍼(10)상에 공급되는 것에 의해 웨이퍼(10)의 표면은 탄소가스가 용해된 순수로 젖은 상태로 된다. 이 상태에서 웨이퍼(10)를 고속회전시켜 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 순수 중에 용해된 탄산가스가 기포로 되어 액면방향으로 부상하고 액면에서 기체를 빼낸다. 그래서 처리실(12)내가 감압상태로 되어 있는 것에 의해 그것에 수반되어 순수 중에 용해된 탄산가스는 과포화상태로 되고, 순수중에 있어서 기포의 발생이 촉진된다. 이때의 기포의 부력에 의해 레지스트패턴의 기울어짐이 방지된다. 또한 순수중에 용해된 탄소가스가 기포로 되어 발생해 가는 것에 의해 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 크게된다. 이 때문에 포토레지스트막 상의 순수의 표면장력에 의해 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어 당겨 합치는 힘이 작게 된다. 더우기 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 처리실(12)내가 감압상태로 됨으로써, 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 보다 크게되기 때문에 인접한 레지스트 패턴끼리를 서로 끌어 당겨 합치는 힘이 작게된다. 이 결과 같은 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 방지된다.
그리고, 상기 실시예에서는 세정처리공정의 후반에서 건조처리공정까지의 기간, 처리실(12)내를 감압상태로 하였다. 그러나 본 발명은 이와 같은 실시예에 한정되는 것은 아니다. 예를들면 처리실(12)내를 대기압 상태로 한 그대로 웨이퍼(10)의 세정처리 및 건조처리를 행하도록 하여도 된다. 어느 것이나 순수에 용해되어 있는 가스는 충분한 량인 것이 바람직하다. 처리실(12)내를 감압으로 하지 않는 경우에는 용해된 가스를 미리 과포화의 상태로하여 웨이퍼(10)상에 공급하는 것이 바람직하다.
또한 이 실시예의 또다른 변형예도 생각될 수 있다. 예를들면, 제6도 및 제7도에 도시한 바와 같은 제1실시예의 변형예와 같은 변형을 행할 수가 있다. 이와 같은 변형은 이미 제1실시예의 끝에서 설명하였기 때문에 여기서는 반복하지 않는다.
이상과 같이 본 실시예에 의해도 약액의 선정이나 개발 등에 의한 방법 뿐만 아니라 장치적인 개량에 의해 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상을 방지할 수가 있다. 따라서 본 발명은 레지스트패턴의 미세화 기술의 진보에 크게 기여를 할 수 있다.

Claims (25)

  1. 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되도록 한 기판의 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입, 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실로 연통하는 반송실에 불활성가스를 충만하도록 한 기판의 처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입하거나 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 한 기판의 처리방법.
  5. 제4항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판의 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법.
  7. 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 둘레로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판을 세정하는 상기 스텝에 있어서, 소정의 가스가 용해된 세정액이 사용되는 기판의 처리방법.
  8. 제7항에 있어서, 기판을 세정하는 상기 스텝에 있어서, 상기 세정액에 상기 가스를 용해시키면서 상기 세정액을 기판에 공급하도록 하는 기판의 처리방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 세정액 중의 상기 가스는, 적어도 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서 과포화상태로 되게 한 기판의 처리방법.
  10. 제7항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판의 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되게한 기판의 처리방법.
  11. 제10항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실에 불활성가스를 충만시키도록 하는 기판의 처리방법.
  12. 제10항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 하는 기판의 처리방법.
  13. 제7항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하는 기판의 처리방법.
  14. 개폐가능한 처리실과, 상기 처리실 내에 배치되고, 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지수단과, 상기 기판유지수단에 의해 유지되고, 현상처리후의 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급수단을 포함하는 기판의 처리장치에 있어서, 상기 처리실내를 감압하기 위한 감압수단과, 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면 내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 상기 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 상기 감압수단을 제어하기 위한 제어수단을 더 포함하는 기판의 처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 처리실은, 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실을 가지며, 상기 기판처리장치는, 기판의 표면을 건조시키는 상기 과정에 있어서, 상기 반송실에 상기 불활성가스를 충만시키도록 상기 불활성가스공급수단을 제어하도록 하는 기판의 처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 처리실내에 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은 기판의 표면을 건조시키는 상기 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어 공급수단을 제어하도록 한 기판의 처리장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 기판의 처리장치는, 상기 감압수단을 상기 반송실로 연통하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면 건조시키는 상기 과정에 있어서, 상기 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 처리실내로 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면을 건조시키는 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어 공급수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 처리실내로 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면을 건조시키는 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어공급수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  20. 밀폐가능한 처리실과, 상기 처리실내에 배치되고, 표면에 감광성 수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지수단과, 상기 기판유지수단에 의해 유지된 현상 처리후의 기판으로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급수단과, 상기 세정액공급수단에 의해 공급된 상기 세정액에 가스를 용해시키기 위한 수단과, 기판을 세정하는 과정의 최종단계 또는 최종에 가까운 단계에서, 상기 세정액 공급수단에 의해 공급되는 상기 세정액에 가스가 용해되도록 가스용해 장치를 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 기판의 처리장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 세정액 중의 상기 가스는, 상기 유지수단에 의해 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 과포화상태로 되는 기판의 처리장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 처리실내를 감압시키기 위한 감압수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의하며 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 처리실 내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 처리실은, 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로 부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실을 가지며, 상기 기판의 처리장치는, 상기 반송실에 연통하고, 상기 반송실에 불활성가스를 공급하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면내에 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 상기 반송실에 상기 불활성가스를 충만시키도록 상기 불활성가스공급수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  24. 제20항에 있어서, 상기 처리실내에 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 낮게 조정하도록 상기 크린에어공급수단을 제어하는 기판의 처리장치.
  25. 제22항에 있어서, 상기 기판의 처리장치는, 상기 감압수단을 상기 반송실에 연통하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의하여 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 반송실 내의 압력을 동시에 감압시키도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치.
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KR1019950006249A KR0164007B1 (ko) 1994-04-06 1995-03-23 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치

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US (1) US5678116A (ko)
KR (1) KR0164007B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101384982B1 (ko) * 2012-12-18 2014-04-14 주식회사 테스 박막증착장치

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW494714B (en) * 1995-04-19 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
US6350319B1 (en) * 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
US6264752B1 (en) 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
KR100203781B1 (ko) * 1996-09-13 1999-06-15 윤종용 반도체 포토리소그래피 공정의 현상액 공급시스템
US5988896A (en) * 1996-10-26 1999-11-23 Applied Science Fiction, Inc. Method and apparatus for electronic film development
JP3471543B2 (ja) * 1996-11-07 2003-12-02 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板乾燥装置
US6069714A (en) 1996-12-05 2000-05-30 Applied Science Fiction, Inc. Method and apparatus for reducing noise in electronic film development
US6017688A (en) 1997-01-30 2000-01-25 Applied Science Fiction, Inc. System and method for latent film recovery in electronic film development
JPH10303106A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp 現像処理装置およびその処理方法
JPH11126743A (ja) * 1997-10-24 1999-05-11 Tokyo Electron Ltd 処理装置
FR2772291B1 (fr) 1997-12-12 2000-03-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede de nettoyage d'un polymere contenant de l'aluminium sur une plaquette de silicium
FR2772290B1 (fr) * 1997-12-12 2000-03-17 Sgs Thomson Microelectronics Procede de nettoyage d'un polymere brome sur une plaquette de silicium
KR100271764B1 (ko) * 1997-12-24 2000-12-01 윤종용 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
EP1086577B1 (en) 1998-02-23 2002-09-18 Applied Science Fiction, Inc. Progressive area scan in electronic film development
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6318385B1 (en) 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
US6632292B1 (en) 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US6248171B1 (en) * 1998-09-17 2001-06-19 Silicon Valley Group, Inc. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US6689215B2 (en) 1998-09-17 2004-02-10 Asml Holdings, N.V. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
US6530340B2 (en) * 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6594041B1 (en) 1998-11-20 2003-07-15 Applied Science Fiction, Inc. Log time processing and stitching system
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6511914B2 (en) 1999-01-22 2003-01-28 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6404516B1 (en) 1999-02-22 2002-06-11 Applied Science Fiction, Inc. Parametric image stitching
US6781620B1 (en) 1999-03-16 2004-08-24 Eastman Kodak Company Mixed-element stitching and noise reduction system
AU6202100A (en) 1999-06-29 2001-01-31 Applied Science Fiction, Inc. Slot coating device for electronic film development
EP1232418B1 (en) 1999-08-17 2004-10-13 Eastman Kodak Company Method and system for using calibration patches in electronic film processing
US6322009B1 (en) * 1999-10-29 2001-11-27 Advanced Micro Devices, Inc. Common nozzle for resist development
US6248175B1 (en) 1999-10-29 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6270579B1 (en) 1999-10-29 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6774056B2 (en) * 1999-11-10 2004-08-10 Semitool, Inc. Sonic immersion process system and methods
AU2054401A (en) * 1999-12-17 2001-06-25 Applied Science Fiction, Inc. Method and system for selective enhancement of image data
WO2001052556A2 (en) * 1999-12-30 2001-07-19 Applied Science Fiction, Inc. Methods and apparatus for transporting and positioning film in a digital film processing system
EP1247140A1 (en) 1999-12-30 2002-10-09 Applied Science Fiction, Inc. Improved system and method for digital film development using visible light
US20010030685A1 (en) * 1999-12-30 2001-10-18 Darbin Stephen P. Method and apparatus for digital film processing using a scanning station having a single sensor
WO2001050197A1 (en) 1999-12-30 2001-07-12 Applied Science Fiction, Inc. System and method for digital color dye film processing
US6788335B2 (en) 1999-12-30 2004-09-07 Eastman Kodak Company Pulsed illumination signal modulation control & adjustment method and system
US6864973B2 (en) 1999-12-30 2005-03-08 Eastman Kodak Company Method and apparatus to pre-scan and pre-treat film for improved digital film processing handling
US6965692B1 (en) 1999-12-30 2005-11-15 Eastman Kodak Company Method and apparatus for improving the quality of reconstructed information
US6447178B2 (en) 1999-12-30 2002-09-10 Applied Science Fiction, Inc. System, method, and apparatus for providing multiple extrusion widths
US6554504B2 (en) 1999-12-30 2003-04-29 Applied Science Fiction, Inc. Distributed digital film processing system and method
US6813392B2 (en) 1999-12-30 2004-11-02 Eastman Kodak Company Method and apparatus for aligning multiple scans of the same area of a medium using mathematical correlation
AU2743701A (en) 1999-12-30 2001-07-16 Applied Science Fiction, Inc. System and method for digital film development using visible light
US6707557B2 (en) 1999-12-30 2004-03-16 Eastman Kodak Company Method and system for estimating sensor dark current drift and sensor/illumination non-uniformities
AU2733601A (en) * 1999-12-31 2001-07-16 Applied Science Fiction, Inc. Digital film processing method
US6475711B1 (en) 1999-12-31 2002-11-05 Applied Science Fiction, Inc. Photographic element and digital film processing method using same
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
AU2001238021A1 (en) 2000-02-03 2001-08-14 Applied Science Fiction Match blur system and method
AU2001236694A1 (en) 2000-02-03 2001-12-17 Applied Science Fiction Method and system for self-service film processing
US6619863B2 (en) 2000-02-03 2003-09-16 Eastman Kodak Company Method and system for capturing film images
WO2001057797A2 (en) 2000-02-03 2001-08-09 Applied Science Fiction Method, system and software for signal processing using sheep and shepherd artifacts
WO2001057796A2 (en) 2000-02-03 2001-08-09 Applied Science Fiction Method, system, and software for signal processing using pyramidal decomposition
JP2004514156A (ja) 2000-02-03 2004-05-13 アプライド・サイエンス・フィクション フィルム処理液カートリッジ、および、フィルムを現像しかつディジタル化するための方法
US6451512B1 (en) 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
US7456113B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US20060182337A1 (en) * 2000-06-28 2006-08-17 Ford Benjamin C Method and apparatus for improving the quality of reconstructed information
US6746826B1 (en) 2000-07-25 2004-06-08 Asml Holding N.V. Method for an improved developing process in wafer photolithography
US20020118402A1 (en) * 2000-09-19 2002-08-29 Shaw Timothy C. Film bridge for digital film scanning system
JP2004517384A (ja) * 2000-09-21 2004-06-10 アプライド・サイエンス・フィクション 動的な画像訂正および画像システム
US6888997B2 (en) 2000-12-05 2005-05-03 Eastman Kodak Company Waveguide device and optical transfer system for directing light to an image plane
JP4902091B2 (ja) * 2000-12-28 2012-03-21 義治 山本 半導体基板の洗浄装置
JP2004523793A (ja) 2001-02-09 2004-08-05 イーストマン コダック カンパニー デジタルフィルム処理液およびデジタルフィルムの処理方法
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
US6660459B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-09 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6805501B2 (en) * 2001-07-16 2004-10-19 Eastman Kodak Company System and method for digital film development using visible light
US7263240B2 (en) * 2002-01-14 2007-08-28 Eastman Kodak Company Method, system, and software for improving signal quality using pyramidal decomposition
US6513996B1 (en) 2002-01-16 2003-02-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated equipment to drain water-hexane developer for pattern collapse
US6858464B2 (en) * 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
TWI276366B (en) * 2002-07-09 2007-03-11 Semiconductor Energy Lab Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
JP4588445B2 (ja) * 2002-11-11 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN100447943C (zh) * 2003-03-20 2008-12-31 Sez股份公司 用于湿处理盘形物体的装置及方法
US20050079451A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Doan Trung Tri Processes for treating a substrate and removing resist from a substrate
KR20060119707A (ko) * 2004-02-13 2006-11-24 소니 가부시끼 가이샤 화상 처리 장치와 화상 처리 방법 및 프로그램
KR100596783B1 (ko) * 2004-05-03 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 감광액 도포장치
JP4237184B2 (ja) * 2005-03-31 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4652959B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP5063138B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板現像方法および現像装置
JP4700117B2 (ja) 2009-02-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法
TWI402111B (zh) * 2010-07-06 2013-07-21 Au Optronics Corp 製程反應系統
JP5926086B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5889691B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9748123B2 (en) * 2013-03-14 2017-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pressure-controlled wafer carrier and wafer transport system
JP6535649B2 (ja) * 2016-12-12 2019-06-26 株式会社荏原製作所 基板処理装置、排出方法およびプログラム
KR102000019B1 (ko) * 2017-04-28 2019-07-18 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
US5326672A (en) * 1992-04-23 1994-07-05 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
US5374502A (en) * 1992-04-23 1994-12-20 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
JPH06105683B2 (ja) * 1992-04-23 1994-12-21 株式会社ソルテック レジストパターン形成方法
JPH06105684B2 (ja) * 1992-05-13 1994-12-21 株式会社ソルテック レジストパターン形成方法
US5273589A (en) * 1992-07-10 1993-12-28 Griswold Bradley L Method for low pressure rinsing and drying in a process chamber
JPH0754795B2 (ja) * 1993-01-28 1995-06-07 日本電気株式会社 レジスト現像方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101384982B1 (ko) * 2012-12-18 2014-04-14 주식회사 테스 박막증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR950030270A (ko) 1995-11-24
US5678116A (en) 1997-10-14

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