WO2006059556A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

　特許文献１に記載のようにハイブリッドＩＣ等の電子部品の低背化の促進に伴ってシールドケースを薄くすると、シールドケースが金属製であるため、その折り曲げ等の加工を高精度に行うことが難しくなる他、ピックアップ時に作用する外力によってシールドケースの変形が顕著になる。特許文献２に記載の技術ではセラミック製のキャップが箱型形状に形成されているため、電子部品の低背化のためにキャップのセラミック厚を薄くすると、例えば図１８の（ａ）、（ｂ）に示すように天井部２Ａにうねりが生じる。 　本発明の電子部品１０は、配線パターン１４を有する配線基板１１と、配線基板１１の上面に搭載された表面実装部品１２と、配線基板１１を覆うキャップ１３とを備え、キャップ１３は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部１３Ａと、面実装部品１２と同程度の高さを有する柱状部材によって形成された脚部１３Ｂとを有する。

Description

明 細 書

電子部品及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、配線基板に実装された表面実装部品を被覆部材で覆った電子部品及 びその製造方法に関し、更に詳しくは、被覆部材構造を改良して小型化、低背化を 促進することができる電子部品及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来のこの種の技術としては特許文献 1〜特許文献 3にお 、て提案された技術が ある。

[0003] 特許文献 1では、セラミック基板に金属製のシールドケースを装着するノ、イブリツド I Cが提案されている。このハイブリッド ICは、配線パターンを有するセラミック基板と、 セラミック基板の片面あるいは両面に表面実装されたマイクロコンピュータ、トランジス タ、 ICなどの電子部品とを有している。セラミック基板は、外周縁から垂直下方向に 延びる複数の接続端子を有している。また、セラミック基板の上面には矩形状の板の 両端を折り曲げて形成した金属製のシールドケースが装着され、このシールドケース によって外来ノイズを遮蔽するようにしている。このシールドケースは、ハイブリッド をマザ一ボードへのピックアップ時の吸着面としての役割も有している。

[0004] 特許文献 2では、箱型形状を有するセラミック製の被覆部材を有する半導体チップ 用セラミックパッケージが提案されている。この半導体チップ用セラミックパッケージは 、半導体チップを搭載するセラミック製のパッケージ基体と、パッケージ基体に被着さ れたセラミック製の被覆部材を備えて構成されて！、る。この被覆部材の内表面に銅メ ツキ層を設け、封止面に銅メツキ層を介して封止用半田層を設け、封止面の銅メツキ 層は内表面の銅メツキ層と電気的に接続されている。そして、パッケージ基体の封止 面にグランド電極を設け、被覆部材の封止用半田層を介してパッケージ基体を封止 した際、被覆部材の封止面の銅メツキ層がパッケージ基体のグランド電極と電気的に 接続されてグランド電極層を形成し、被覆部材の内表面の銅メツキ層が電磁シールド 層を形成する。 [0005] 特許文献 3では、半導体装置の封止用被覆部材とその製造方法が提案されて!ヽる 。この封止用被覆部材は、複数のセラミック層からなる多層構造として形成され、内層 にシールド層がペーストのベタ印刷によって形成されている。セラミック被覆部材の表 面及び裏面のうち、裏面とこれに対向する基板本体とが接合ペーストによって接合さ れ、これによつて基板本体のキヤビティを封止している。セラミック被覆部材の表裏両 面にはそれぞれチップ部品を搭載できる。

[0006] 特許文献 1 :特開平 6— 350280号公報

特許文献 2：特開平 8 - 250615号公報

特許文献 3：特開平 11― 354663号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] し力しながら、特許文献 1に記載の技術では、ハイブリッド IC等の電子部品の低背 化の促進に伴ってシールドケースを薄くすると、シールドケースが金属製であるため 、その折り曲げ等の加工を高精度に行うことが難しくなる他、ピックアップ時に作用す る外力によってシールドケースの変形が顕著になると!/、う課題があった。特にシール ドケースの変形が顕著になると、一般的に図 17の (a)に示すように、電子部品 1の特 性選別を行う際に冶具 Jを用いて電子部品 1にシールドケース 2上面力 荷重をかけ 、同図の (b)に示すように電子部品 1の基板本体 3の裏面に形成された端子電極 4を 測定機器の測定用端子 Pに電気的に接触させるが、この時の荷重によりシールドケ ース 2の上面が橈み、これによつてシールドケース 2とチップ部品等の要素部品 5が 接触し、ショートする虞がある。また、シールドケース 2と要素部品 5との距離が変化す ることによって要素部品 5の特性値が変化し、延いては電子部品 1の特性値を正確に 測定することが難しぐ場合によっては、良品を不良品として除去したり、不良品を良 品として市場に出荷したりすることがある。このような事態を避けるためにシールドケ ース 2の内側に絶縁層として薄い榭脂膜を形成することも考えられるが、榭脂膜を形 成するため製造コストが増大し、あるいは榭脂膜が剥離するなどして電子部品の信頼 性を低下させる虞がある。

[0008] また、特許文献 2に記載の技術では、セラミック製の被覆部材が箱型形状に形成さ れているため、電子部品の低背化のために被覆部材のセラミック厚を薄くすると、例 えば図 18の（a)、 (b)に示すように焼成時の箱型形状被覆部材 2の天井部 2Aと外周 壁部 2Bとの面方向の収縮挙動差により、天井部 2Aにうねりが生じる。このうねりのた めに、被覆部材 2としての天井部 2Aの実質的な厚みが減少せず、延いては電子部 品の低背化を促進することができず、また電子部品をマザ一ボードへ搭載する際に、 被覆部材 2の天井部 2Aが平坦でな 、ためにピックアップ時に被覆部材 2を介して電 子部品を吸着することが難しぐ搭載不良が発生し易い。尚、図 18の (a)は複数の被 覆部材を一括して製造する時の部分断面図、同図の (b)は個々の被覆部材に切断 した時の断面図である。

[0009] また、特許文献 3に記載の技術では、電子部品のキヤビティ部分を平板状被覆部 材により封止するためのものであり、キヤビティを有さない電子部品に対しては適用 することができない。即ち、この場合には被覆部材を使用するためには配線基板側 にキヤビティを形成しなければならず、製造工程が複雑化し、コスト高を招くこととなる 。更に、被覆部材にチップ部品を実装する場合には、被覆部材へのチップ部品の実 装時及び被覆部材の配線基板への実装時の 2回に渡って半田付け、リフローを行う 必要がある。ところが、被覆部材を配線基板に実装する時には、被覆部材に実装さ れたチップ部品が半田の再溶融によって落下したり、断線し、場合によっては半田の 再結晶化による合金化や脆性ィ匕が進み、半田接続部の信頼性が著しく低下する。

[0010] 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、薄く高精度に作製すること ができると共に配線基板に対する搭載精度が高ぐしかも低背化を促進することがで きる被覆部材を備えた電子部品及びその製造方法を提供することを目的として 、る。 課題を解決するための手段

[0011] 本発明の請求項 1に記載の電子部品は、配線パターンを有する配線基板と、この 配線基板の主面に搭載された表面実装部品と、この表面実装部品を覆う被覆部材と 、を備え、上記被覆部材は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部と、少 なくとも上記表面実装部品と同程度の高さを有する柱状部材によって形成された脚 部と、を有することを特徴とするものである。

[0012] また、本発明の請求項 2に記載の電子部品は、請求項 1に記載の発明において、 上記柱状部材は柱状金属であって、この柱状金属は上記平板状のセラミック部材と 同時焼成によって一体ィ匕していることを特徴とするものである。

[0013] また、本発明の請求項 3に記載の電子部品は、請求項 2に記載の発明において、 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内層 部分及び Zまたは外表面部分にはシールド電極層が配置されてなり、上記シールド 電極層は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続され て ヽることを特徴とするものである。

[0014] また、本発明の請求項 4に記載の電子部品は、請求項 3に記載の発明において、 上記シールド電極層と上記柱状金属は、同時焼成によって一体ィ匕して 、ることを特 徴とするちのである。

[0015] また、本発明の請求項 5に記載の電子部品は、請求項 3または請求項 4に記載の 発明において、上記シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対 向する部分には、開口部が形成されていることを特徴とするものである。

[0016] また、本発明の請求項 6に記載の電子部品は、請求項 1〜請求項 5のいずれか 1項 に記載の発明において、上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造 を有し、且つ、その内層部分及び Zまたは表面部分には厚膜抵抗体が配置されてな り、上記厚膜抵抗体は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金 属に接続されていることを特徴とするものである。

[0017] また、本発明の請求項 7に記載の電子部品は、上記天井部には、その内層部分及 び Zまたは外側表面部分にシールド電極層が配置されており、上記シールド電極層 のうち上記厚膜抵抗体に対向する部分には、開口部が形成されていることを特徴と するものである。

[0018] また、本発明の請求項 8に記載の電子部品は、請求項 1〜請求項 7のいずれかに 記載の発明において、上記天井部には、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極 を有するチップ状セラミック電子部品が設けられており、このチップ状セラミック電子 部品の少なくとも一部が上記天井部に埋め込まれていることを特徴とするものである

[0019] また、本発明の請求項 9に記載の電子部品は、請求項 1〜請求項 8のいずれかに 記載の発明において、上記配線基板は、複数の第 1の低温焼結セラミック層を積層 してなるセラミック多層基板として形成され、その内層に銀または銅を主成分とする配 線パターンを有することを特徴とするものである。

[0020] また、本発明の請求項 10に記載の電子部品は、請求項 9に記載の発明において、 上記天井部は、複数の第 2の低温焼結セラミック層を積層してなる積層構造を有し、 この第 2の低温焼結セラミック層と上記第 1の低温焼結セラミック層は、実質的に同じ 材料組成力 なることを特徴とするものである。

[0021] また、本発明の請求項 11に記載の電子部品の製造方法は、配線パターンを有す る配線基板を作製する工程と、平板状の天井部と、この天井部と一体化され且つこ の天井部から垂直方向に延びる柱状部材からなる脚部と、を有する被覆部材を作製 する工程と、上記被覆部材を、配線基板の主面上に積み重ねて、上記脚部を介して 上記配線基板に接続する工程と、を備えて ヽることを特徴とするものである。

[0022] また、本発明の請求項 12に記載の電子部品の製造方法は、請求項 11に記載の発 明において、上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、そ の内層部分及び Zまたは表面部分にシールド電極層が配置されてなり、上記柱状 部材は、上記シールド電極層との同時焼結により一体ィ匕された柱状金属であることを 特徴とするものである。

[0023] また、本発明の請求項 13に記載の電子部品の製造方法は、請求項 11または請求 項 12に記載の発明において、上記被覆部材を作製する工程は、低温焼結セラミック を主成分とし且つ内層部分及び Zまたは表面部分に未焼成シールド電極層を有す る天井部用セラミック未焼成体を作製する工程と、上記低温焼結セラミックの焼成温 度では実質的に焼結しない難焼結セラミックを主成分とし且つ上記柱状部材となる 未焼成柱状部材を有する収縮抑制用セラミック未焼成体を作製する工程と、上記天 井部用セラミック未焼成体の一方の主面に上記収縮抑制用セラミック未焼成体を重 ね合わせる工程と、これら両セラミック未焼成体を上記低温焼結セラミックの焼成温 度で焼成し、上記天井部用セラミック未焼成体を焼結させると共に上記未焼成シー ルド電極層と上記未焼成柱状部材とを同時焼結により一体化させる工程と、上記収 縮抑制用セラミック未焼成体を除去する工程と、を有することを特徴とするものである [0024] また、本発明の請求項 14に記載の電子部品の製造方法は、請求項 13に記載の発 明において、上記天井部用セラミック未焼成体は、その内層部分及び Zまたは表面 部分に未焼成厚膜抵抗体を有することを特徴とするものである。

[0025] また、本発明の請求項 15に記載の電子部品の製造方法は、請求項 13または請求 項 14に記載の発明において、上記未焼成シールド電極層のうち少なくとも一つの上 記表面実装部品に対向する部分には、開口部を有することを特徴とするものである。

[0026] また、本発明の請求項 16に記載の電子部品の製造方法は、請求項 13〜請求項 1 5のいずれか 1項に記載の発明において、上記天井部用セラミック未焼成体は、上記 主面に、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミック電子部 品を有することを特徴とするものである。

[0027] また、本発明の請求項 17に記載の電子部品の製造方法は、請求項 11〜請求項 1 6のいずれか 1項に記載の発明において、上記柱状部材を、断面テーパ状に形成す ることを特徴とするちのである。

[0028] また、本発明の請求項 18に記載の電子部品の製造方法は、請求項 11〜請求項 1 7のいずれか〖こ記載の発明において、上記被覆部材の柱状部材を、接合材を介して 上記配線基板の表面に設けられた上記配線パターンに接続することを特徴とするも のである。

[0029] また、本発明の請求項 19に記載の電子部品の製造方法は、請求項 11〜請求項 1 8の ヽずれか 1項に記載の発明にお ヽて、上記配線基板と上記被覆部材とを集合基 板状態で接続し、これを個々の電子部品に分割する工程を有することを特徴とするも のである。

[0030] また、本発明の請求項 20に記載の電子部品の製造方法は、請求項 19に記載の発 明において、上記集合基板状態のものを分割するに際し、上記柱状部材をも分割し 、この柱状部材の分割面を側面電極とする電子部品を得ることを特徴とするものであ る。

発明の効果

[0031] 本発明の請求項 1〜請求項 20に記載の発明によれば、薄く高精度に作製すること ができると共に配線基板に対する搭載精度が高ぐしかもて低背化を促進することが できる被覆部材を備えた電子部品及びその製造方法を提供することができる。 図面の簡単な説明

[図 l] (a)、（b)はそれぞれ本発明の電子部品の一実施形態を示す図で、（a)は電子 部品の全体を示す断面図、（b)は電子部品の被覆部材を示す斜視図である。

[図 2] (a)〜 (c)はそれぞれ図 1に示す電子部品の配線基板の製造工程の要部を示 す工程図である。

[図 3] (a)〜 (c)はそれぞれ図 1に示す電子部品の被覆部材の製造工程の要部を示 す工程図である。

[図 4] (a)〜 (c)はそれぞれ図 1に示す電子部品のを組立工程を示す工程図である。

[図 5]図 1の (b)に示す被覆部材の集合基板を示す斜視図である。

[図 6]図 5に示す集合基板を用いて組み立てられた電子部品の集合体を示す断面図 である。

[図 7]本発明の電子部品の他の実施形態に用いられる被覆部材の集合基板を斜視 図である。

[図 8]図 7に示す集合基板を用いて組み立てられた電子部品の集合体を示す断面図 である。

[図 9] (a)、 (b)はそれぞれ電子部品の被覆部材と表面実装部品との関係を示す断面 図で、（a)は図 1に示す電子部品に用いられる被覆部材と表面実装部品との関係を 示す図、 (b)は従来の電子部品に用いられる金属製被覆部材と表面実装部品との関 係を示す図である。

[図 10]本発明の電子部品の更に他の実施形態を示す断面図である。

[図 11] (a)、 (b)は図 1に示す電子部品の被覆部材の脚部と本発明の更に他の実施 形態の電子部品の被覆部材の脚部を比較して示す断面図である。

[図 12] (a)、 (b)は本発明の電子部品の更に他の実施形態の被覆部材の製造工程 の要部を示す断面図である。

[図 13] (a)、 (b)はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態を示す断面図で 、電子部品の組立工程を示す図である。 [図 14] (a)〜 (d)はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態の要部を示す 断面図である。

[図 15] (a)〜 (c)はそれぞれ本発明の電子部品の更に他の実施形態の要部を示す 断面図である。

[図 16] (a)、 (b)はそれぞれ図 15の（a)に示す被覆部材を適用した電子部品を示す 断面図である。

[図 17] (a)、 (b)はそれぞれ従来の電子部品を示す断面図である。

[図 18] (a)、 (b)はそれぞれ従来の他の電子部品の被覆部材の製造工程の要部を示 す断面図である。

符号の説明

10 電子部品

11 配線基板

12 表面実装部品

13 被覆部材

13A 天井部

13B 脚部 (柱状部材、柱状金属）

13C シールド電極層

13D ビア導体

13E 開口部

13F 厚膜抵抗体

13H チップ状セラミック電子部品

14 配線パターン

100、 100A 収縮抑制用シート (収縮抑制用セラミック未焼成体）

113A 天井部用セラミックグリーンシート（天井部用セラミック未焼成体）

113C 未焼成シールド電極層

112C 未焼成ビア導体

P 接合材

発明を実施するための最良の形態 [0034] 以下、図 1〜図 16に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。

[0035] 第 1の実施形態

本実施形態の電子部品 10は、例えば図 1 (a)に示すように、所定の配線パターンを 有する配線基板 11と、この配線基板の主面 (上面）に実装された複数の表面実装部 品 12と、これらの表面実装部品 12を覆う被覆部材 13と、を備え、例えばマザ一ボー ド（図示せず)等の実装基板に実装するように構成されて 、る。

[0036] 配線基板 11は、図 1 (a)に示すように、例えば複数のセラミック層 11Aが積層してな るセラミック多層基板として形成されている。配線パターン 14は、上下のセラミック層 1 1A、 11Aの界面に所定のパターンで形成された面内導体 14Aと、上下の面内導体 14A、 14Aを電気的に接続するようにセラミック層 11 Aを貫通して所定のパターンで 配置して形成されたビア導体 14Bと、配線基板 11の上下両面にそれぞれ所定のパ ターンで形成された表面電極 (端子電極） 14C、 14Cとから構成されている。

[0037] 表面実装部品 12としては、例えば図 1の（a)に示すようにシリコン半導体素子、ガリ ゥム砒素半導体素子等のチップ状の能動電子部品 12Aやコンデンサ、インダクタ、 抵抗等のチップ状の受動電子部品 12B等が実装されている。これらの表面実装部品 12A、 12Bは、例えば同図に示すように半田や導電性榭脂を介して、あるいは Au、 Al、 Cu等のボンディングワイヤを介して配線基板 11上面の表面電極 14C、即ち配 線パターン 14に電気的に接続され、互いに導通して 、る。

[0038] 被覆部材 13は、図 1の（a)、 (b)に示すように、平板状のセラミック部材によって形 成された天井部 13Aと、この天井部 13A下面の周縁部から垂直下方に延びる柱状 部材によって形成された複数の脚部 13Bと、を有している。天井部 13Aは、複数のセ ラミック層が積層して形成された積層構造を有している。脚部 13Bは、例えば柱状金 属によって表面実装部品 12の配線基板 11上面力もの高さより高く形成され、し力も 焼結により天井部 13Aと一体ィ匕している。天井部 13A内には、シールド電極層 13C が面方向に形成されていると共にシールド電極層 13Cの周縁部と脚部 13Bとを接続 するビア導体 13Dが形成されている。脚部 13B、シールド電極層 13C及びビア導体 13Dは、同一の導電性金属材料によって形成することが好ましい。天井部 13A内の シールド電極層 13Cは、ビア導体 13D及び脚部 13Bを介して配線基板 11の配線パ ターン 14に接続され、表面実装部品 12を外部の電磁界環境から保護している。尚、 シールド電極層 13Cは配線基板 11に設けられたグランド電極に、柱状金属からなる 脚部 13Bを介して接地されて 、ることが好ま 、が、必ずしも接地されて!、る必要は ない。

[0039] 而して、セラミック層 11 A及び被覆部材 13の天井部 13Aのセラミック層はいずれも セラミック材料によって形成されており、これら両者は同一のセラミック材料によって形 成することが好ましい。セラミック材料としては、例えば低温焼結セラミック (LTCC : Lo w Temperature Co-fired Ceramic)材料を使用することができる。低温焼結セラミツ ク材料とは、 1050°C以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな銀や銅等と 同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミックとしては、具体的には、 アルミナやジルコユア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系 ガラスを混合してなるガラス複合系 LTCC材料、 ZnO— MgO—Al O—SiO系の

2 3 2 結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系 LTCC材料、 BaO-Al O SiO系セラミツ

2 3 2 ク粉末や Al O -CaO-SiO -MgO-B O系セラミック粉末等を用いた非ガラス

2 3 2 2 3

系 LTCC材料等が挙げられる。

[0040] 被覆部材の 13のシールド電極層 13C、ビア導体 13D及び脚部 13B並びに配線基 板 11の配線パターン 14は、それぞれ上述のように導電性金属材料によって形成さ れている。導電性金属材料としては、 Ag、 Ag— Pt合金、 Ag— Pd合金、 Cu、 Ni、 Pt 、 Pd、 W、 Mo及び Auの中力 選択される少なくとも一種を主成分とする金属を用い ることができる。これらの導電性金属材料のうち、 Ag、 Ag— Pt合金、 Ag— Pd合金及 び Cuは、比抵抗が小さいため、特に配線材料として好ましく用いることができる。また 、セラミック層 11 A及び天井部 13Aのセラミック層を形成するセラミック材料として低 温焼結セラミック材料を用いる場合には、導電性金属材料として Agまたは Cu等の低 抵抗で 1050°C以下の低融点をもつ金属が用いられ、これらの金属材料は低温焼結 セラミック材料と 1050°C以下の低温で同時焼成することができる。

[0041] 尚、本実施形態において、配線基板 11及び被覆部材 13それぞれに用いられるセ ラミック材料及び配線パターン用の導電性金属材料は、実質的に同一であることが 好ましい。配線基板 11と被覆部材 13の材料が異なると、温度変化に対するそれぞれ の材料の熱膨張率差によって被覆部材 13が配線基板 11から剥離する虞がある。

[0042] 次いで、本発明の電子部品の製造方法の一実施形態について、図 2〜図 4を参照 しながら説明する。本実施形態では無収縮工法を用いて配線基板 11及び被覆部材 13を作製する。無収縮工法とは、セラミック基板の焼成前後でセラミック基板の平面 方向の寸法が実質的に変化しない工法のことを云う。この無収縮工法では後述する 収縮抑制シートを用いる。本実施形態の電子部品の製造方法は、以下で説明するよ うに、配線パターン 14を有する配線基板 11を作製する工程と、平板状のセラミック部 材によって形成された天井部 13Aと、この天井部 13Aと一体ィ匕され且つこの天井部 13 Aから下方に延びる柱状部材からなる脚部 13Bと、を有する被覆部材 13を作製 する工程と、被覆部材 13を配線基板 11の上面に積み重ねて、脚部 13Bを介して配 線基板 11に接続する工程と、を備えている。

[0043] 1.配線基板の作製

1)基板用セラミック未焼成体 (基板用セラミックグリーンシート）の作製

まず、低温焼結セラミック粉末として例えばアルミナ粉末及びホウ珪酸ガラス力 な る混合粉末を調製する。この混合粉末を有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製 し、これをキャスティング法によってシート状に成形することによって、図 2の（a)に示 す基板用セラミックグリーンシート 111Aを、例えば 20 mの厚みで所定枚数を作製 する。このセラミックグリーンシート 111Aは、後述する積層工程、圧着工程及び焼成 工程を経て、焼成後の厚みが 10 mになる。次いで、例えばレーザー光や金型を用 V、て基板用セラミックグリーンシート 111Aに所定のパターンでビアホールを形成した 後、このビアホールに導電性ペーストを充填して未焼成ビア導体 114Bを形成する。 導電性ペーストとしては、例えば Agを主成分とするものを用いる。その後、例えばス クリーン印刷法によって同一の導電性ペーストを基板用セラミックグリーンシート 111 A上に所定のパターンで印刷して未焼成面内導体 114Aを形成する。また、同様に して未焼成面内導体 114A、未焼成ビア導体 114B及び未焼成表面電極 114Cを所 定のパターンで形成したセラミックグリーンシート 111Aを作製し、例えば全部で 5枚 のセラミックグリーンシート 111 Aを準備する。

[0044] 2)収縮抑制用セラミック未焼成体 (収縮抑制用セラミックグリーンシート）の作製 収縮抑制用セラミックグリーンシートは、低温焼結セラミック材料の焼成温度では焼 結しな 、難焼結性セラミック粉末を主成分として含んで 、る。難焼結性セラミック粉末 として例えばアルミナ粉末を準備し、このアルミナ粉末を有機ビヒクル中に分散させて スラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することによって、 図 2の（a)に示す収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aを所定枚数作製す る。これらの収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aの焼結温度は 1500〜1 600°Cで、低温焼結セラミック粉末力 なる基板用セラミックグリーンシート 111Aの焼 結温度（1050°C以下)より格段に高い焼結温度を有するため、基板用セラミックダリ ーンシート 111 Aの焼成温度では実質的には焼結しな 、。これらの収縮抑制用セラミ ックグリーンシート 100、 100Aを例えば図 2の（a)に示すように 3枚ずつ作製する。収 縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aは実質的に同一のものである。難焼結 性セラミック粉末としては、例えば、アルミナの他、ジルコユア、マグネシア等のセラミ ック粉末を用いることもできる。これらの収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100 Aとしては、基板用セラミックグリーンシート 111Aに含まれるセラミック成分と共通のも のを含むことが好ましい。

[0045] 3)複合積層体の作製

図 2の (b)に示すように、収縮抑制用セラミックグリーンシート 100Aを 3枚積層し、こ の上に未焼成ビア導体 114B及び未焼成表面電極 114Cを有する基板用セラミック グリーンシート 111Aをその未焼成表面電極 114Cを下向きにして積層し、この上に 未焼成面内導体 114A及び未焼成ビア導体 114Bを有する基板用セラミックグリーン シート 111 Aを 3枚積層し、更にこの上に未焼成ビア導体 114B及び未焼成表面電 極 114Cを有する基板用セラミックグリーンシート 111Aをその未焼成表面電極 114C を上向きにして積層する。次いで、これらの上に収縮抑制用セラミックグリーンシート 1 00を 3枚積層した後、積層方向（上下方向）から 0. 2〜1. 5MPaの圧力で各層をプ レスして圧着しこれらの層を一体化すると、図 2の（b)に示す複合積層体 110を形成 することができる。

[0046] 4)複合積層体の焼成

上記複合積層体 110を例えば 1050°C以下の所定温度 (例えば 870°C)で焼成す ると、収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aは実質的に焼結せず、実質的 に面方向に収縮することがないため、 5枚の基板用セラミックグリーンシート 111Aが 焼結して一体ィ匕しても、収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aの働きで、面 方向には実質的に収縮することなぐ実質的に積層方向（厚み方向）にのみ収縮して 高精度な配線パターン 14を有する、図 2の (c)に示す配線基板 11を作製することが できる。配線基板 11は実質的に厚み方向にのみ収縮するため、電子部品 10の低背 化に寄与することができる。この焼成で、収縮抑制セラミックグリーンシート 100、 100 Aは、有機ビヒクルが焼失してアルミナ粉末の集合体になる。アルミナ粉末の集合体 はブラスト処理等により簡単に除去することができ、アルミナ粉末を除去することにより 配線基板 11を容易に得ることができる。例えば 20 mの基板用セラミックグリーンシ ート 111Aは 5層で 100 μ mであるが、この焼成によって高さ方向に収縮して 50 μ m 厚の配線基板 11を得ることができる。

[0047] 5)メツキ処理

配線基板 11を作製した後、表面電極 14Cに例えば金メッキ等のメツキ処理を施し、 半田等の接合部材との濡れ性を高める。

[0048] 2.被覆部材の作製

1 )天井部用セラミック未焼成体 (天井部用セラミックグリーンシート）の作製 被覆部材 12は配線基板 11と同一の材料を用いて同一要領で作製する。まず、図 3の（a)に示すように天井部用セラミックグリーンシート 113Aを所定枚数 (例えば 2枚 )作製する。これらの天井部用セラミックグリーンシート 113Aは 20 m厚に形成され ている。一枚の天井部用セラミックグリーンシート 113Aの上面には導電性ペーストの ベタ印刷によって広面積の未焼成シールド電極層 113Cを形成する。また、他の天 井部用セラミックグリーンシート 113Aには所定のパターンで配置されたビアホールを 複数形成し、これらのビアホール内に導電性ペーストを充填して複数の未焼成ビア 導体 113Dを形成する。これらの天井部用セラミックグリーンシート 113Aを積層する と、複数の未焼成ビア導体 113Dが未焼成シールド電極層 113Cの周縁部にそれぞ れ位置するようにしてある。

[0049] 2)収縮抑制用セラミックグリーンシートの作製 配線基板 11の場合と同様に収縮抑制用セラミックグリーンシートを所定枚数 (例え ば 6枚)作製する。 3枚の収縮抑制用セラミックグリーンシート 200にレーザー光や金 型を用いて所定のパターンで脚部用のビアホールを形成した後、このビアホール内 に導電性ペーストを充填して未焼成脚部 113Bを形成する。未焼成脚部 113Bは、 焼成後の高さが表面実装部品 12の実装高さと同程度若しくはより長い寸法が必要で あり、その高さは収縮抑制用セラミックグリーンシート 200の使用枚数によって調整す る。また、未焼成脚部 113Bの焼成後の横方向の断面形状は、円形状でも多角形状 でも良ぐ円形状の直径 (多角形状の場合にはその中心を通る最大寸法）は、 0. 1〜 lmm程度であれば良い。本実施形態では、収縮抑制用セラミックグリーンシート 200 を図 3の（a)、 (b)に示すように例えば 3枚作製する。また、未焼成脚部 113Bを含ま ない、抑制収縮用セラミックグリーンシート 200Aも同図に示すように例えば 3枚作製 する。尚、電気的導通を取る必要がない場合には、柱状部材用のビアホールにセラミ ックペースト (低温焼結セラミックを主成分とする）を充填することによって脚部として 用いることができる。この場合であっても、セラミックペーストによる柱状部材は、配線 基板と同時焼成により一体化される。

[0050] 3)複合積層体の作製

然る後、図 3の（a)に示すように未焼成脚部のない収縮抑制用セラミックグリーンシ ート 200Aを 3枚積層し、この上に未焼成シールド電極層 113Cを有する天井部用セ ラミックグリーンシート 113Aを未焼成シールド電極層 113Cが上向きになるようにして 積層し、この上に未焼成ビア導体 113Dを有する天井部用セラミックグリーンシート 1 13Aを積層する。次いで、この上に未焼成脚部 113Bを有する収縮抑制用セラミック グリーンシート 200を 3枚積層する。この際、収縮抑制用セラミックグリーンシート 200 の未焼成脚部 113Bと天井部用セラミックグリーンシート 113Aの未焼成ビア導体 11 3Dとの位置合わせを行う。然る後、収縮抑制用セラミックグリーンシート 200を所定の 圧力（例えば 0. 2〜1. 5MPa)で圧着して同図の (b)に示す複合積層体 130を作製 した後、この複合積層体 130を所定温度 (例えば 870°C)で焼成することによって同 図の (c)に示す被覆部材 13を作製することができる。

[0051] 本実施形態ではシールド電極層 13Cが天井部 13Aの内層として形成されて 、るが 、天井部 13 Aの外表面に形成しても良い。しかし、シールド電極層 13Cは、天井部 1 3Aの内表面 (被覆部材 13の内面）になるように形成しない方が良い。シールド電極 層 13Cが被覆部材 13の内面に形成されていると、特性選別時等に治具の押圧力で 天井部 13 Aが内側へ橈み、配線基板 11に実装された表面実装部品 12に接触する などして、精度の良い特性選別を行えない虞がある。換言すれば、シールド電極層 1 3Cが被覆部材 13の内層または外表面に形成されていると、特性選別を精度良く行 うことができる。

[0052] 3.配線基板への表面実装部品及び被覆部材の搭載

配線基板 11上に表面実装部品 12を実装する場合には、図 4の（a)に示すように表 面実装部品 12が実装される面を上向きにして配置し、例えばメタルマスクを用いて、 表面実装部品用の表面電極 14Cと、被覆部材 13の脚部が接続されるビア導体 14B に半田ペースト等の接合材 Pを塗布した後、同図の（a)に示すように、マウンター（図 示せず)を用いて表面実装部品 12を配線基板 11上に搭載し、配置する。更に、同 図の（b)に示すようにマウンターを用いて被覆部材 13を配線基板 11上に搭載し、配 置する。引き続き、配線基板 11に対してリフロー等の熱処理を施すことによって、半 田を溶融させて同図の (c)に示すように表面実装部品 12及び被覆部材 13を配線基 板 11上にそれぞれ実装する。このように実装時にメタルマスクを用いる場合には実装 面が平坦面になっているため、実装面にメタルマスクを精度良く密着させることができ る。

[0053] 以上の説明では一個の電子部品 10を作製する場合について説明したが、工業的 には図 5、図 6に示すように複数個の電子部品 10を同時に集合基板状態で作製する 。複数個の電子部品 10を同時に作製する場合でも、配線基板及び被覆部材を複数 個取りする以外は、上述した作製手順で何等変わることなく作製することができる。即 ち、一個の電子部品 10を作製する場合と同一要領で、複数の配線基板がマトリック ス状に配列された第 1集合基板 51 (図 6参照)を作製すると共に複数の被覆部材 13 力 Sマトリックス状に配列された第 2集合基板 53 (図 5、図 6参照)を作製する。第 2集合 基板 53には個々の被覆部材 13に分割する仮想分割ライン Lが形成され、仮想分割 ライン Lの両側に沿って個々の被覆部材 13の脚部 13Bが矩形枠状に配列されて ヽ る。そして、マウンターを用いて、第 1集合基板 51の個々の配線基板 11に表面実装 部品 12を搭載した後、第 2集合基板 53を搭載し、熱処理して一体化することによつ て、図 6に示す電子部品集合体 50を作製することができる。然る後、電子部品集合 体 50の仮想分割ライン Lに従って電子部品集合体 50をダイシングすると、個々の電 子部品 10を得ることができる。

[0054] また、第 1、第 2集合基板は、図 7に示すように形成しても良い。即ち、図 7に示す第 2集合基板 53Aは、被覆部材 13の脚部 13Bとなる部分が第 2集合基板 53Aの仮想 分割ライン L上に矩形状に配列されている。また、各脚部 13Bに対応する配線基板 1 1のビア導体 14Bは、図 8に示すように第 1集合基板 51Aの仮想分割ライン Lに従つ て形成されている。そして、マウンターを用いて、第 1集合基板 51 Aの個々の配線基 板に表面実装部品を搭載した後、第 2集合基板 53Aを搭載して一体化し、図 8に示 す電子部品集合体 50Aを作製する。然る後、電子部品集合体 50Aの仮想分割ライ ン Lに従って電子部品集合体 50をダイシングすると、脚部 13Bとなる部分及びビア導 体 14Bとなる部分を仮想分割ライン Lで二分割し、個々の電子部品 10を得ることがで きる。この場合には、被覆部材 13の脚部 13B及び配線基板 11の一部の面内導体 1 4A及びビア導体 14Bは、電子部品 10の端面に揃っているため、電子部品 10の実 装時に側面電極としても利用することができる。

[0055] 以上説明したように本実施形態によれば、配線基板 11上の表面実装部品 12を覆 う被覆部材 13は、平板状のセラミック部材によって形成された天井部 13Aと、少なく とも表面実装部品の高さを有する柱状部材によって形成された脚部 13Bと、を有し、 天井部 13 Aが平板状のセラミック部材によって形成されて 、るため、従来のように厚 みの異なる部分がなぐ焼成時に厚み方向に均一に収縮して焼結し、うねり等の発 生がなく平坦な天井部 13Aとして形成することができ、電子部品 10の低背化を促進 することができる。また、被覆部材 13の天井部 13Aがセラミック部材であるため、電子 部品 10の特性選別時等に天井部 13Aが橈むことがあっても、表面実装部品 12との 間でショートすることがな 、。

[0056] また、天井部 13Aがセラミック部材で、橈みによる表面実装部品 12への影響が殆ど ないため、天井部 13Aと表面実装部品 12との隙間を狭くすることができ、低背化を 更に促進することができる。例えば図 9の（a)に示すように、天井部 13Aの厚みが 50 μ mの場合には、表面実装部品 12との間に天井部 13Aの厚みに相当する隙間 50 μ mを設けても、表面実装部品 12の上面から天井部 13Aの外表面までの寸法が 10 O /z mで済む。ところが、従来の金属製被覆部材 2は、同図の（b)に示すように機械 的強度などを勘案すると被覆部材の厚みは 100 mが限界であり、被覆部材の厚み に相当する隙間 100 μ mを設けると表面実装部品の上面力も被覆部材の外表面ま での寸法が 200 mとなる。従って、本実施形態における被覆部材 13は電子部品 1 0の低背化を確実に実現することができる。

[0057] また、本実施形態によれば、天井部 13Aは、複数のセラミック層を積層してなる多 層構造を有し、且つ、その内層としてシールド電極層 13Cが配置されてなり、し力も シールド電極層 13Cはセラミック層に設けられたビア導体 13Dを介して柱状金属から なる脚部 13Bに接続されて!ヽるため、配線基板 11の接地電位となって!/ヽる配線パタ ーン 14に接続された被覆部材 13は、そのシールド電極層 13Cによって配線基板 11 上の表面実装部品 12を外部の電磁界環境力も遮蔽して保護することができる。

[0058] また、本実施形態によれば、シールド電極層 13Cと脚部 13Bの柱状金属は、同時 焼成によって一体ィ匕しているため、被覆部材 13の搭載時に被覆部材 13に接続用の 半田バンプ等を別途形成する必要がなぐ表面実装部品 12と同様に被覆部材 13を マウンターによる配線基板 11へ搭載することができ、製造工程を簡素化することがで きる。

[0059] また、本実施形態によれば、収縮抑制用セラミックグリーンシート 100、 100Aを用 いる無収縮工法によって配線基板 11を作製することにより、歪がなぐ高精度の配線 ノターン 14を有する配線基板 11を作製することができ、し力も無収縮工法では面方 向の収縮を抑制する分、積層方向 (厚み方向）に大きく収縮して配線基板 11をより薄 く形成することができ、電子部品 10の低背化を促進することができる。収縮抑制用セ ラミックグリーンシート 200、 200Aを用いる無収縮工法によって被覆部材 13を作製 することにより、上述のように天井部 13Aにうねりを生じることなく薄くすることができ、 し力も脚部 13Bを天井部 13Aと同時焼成して一体ィ匕することができる。また、被覆部 材 13の天井部 13Aが平坦であるため、マウンターを用 V、て被覆部材 13を配線基板 11に対して高精度に搭載することができる。

[0060] 第 2の実施形態

本実施形態の電子部品について、第 1の実施形態と同一または相当部分には同一 符号を附して説明する。上記実施形態では、被覆部材 13のシールド電極層 13Cで 複数の表面実装部品 12を全て覆う電子部品 10について説明した。しかし、表面実 装部品 12の中には、例えばある種の SAWフィルターパッケージのように被覆部材 1 3のグランド電位であるシールド電極層 13Cとの距離により、表面実装部品 12の特性 が変化する場合がある。例えば、電子部品 10の特性選別時に被覆部材 13の天井部 13Aが治具等の作用により橈むと、被覆部材 13のシールド電極層 13Cと表面実装 部品 12間の距離が変化し、表面実装部品 12の特性が影響を受けることがある。

[0061] そこで、本実施形態の電子部品 10Aは、図 10に〇印で囲んで示す特定の表面実 装部品 12Cと、この表面実装部品 12Cの特性選別時等にその特性に影響を与えな い被覆部材 13を備えている以外は、上記実施形態と同様に構成されている。この被 覆部材 13のシールド電極層 13Cには同図に示すように特定の表面実装部品 12Cの 真上に位置する部分に開口部 13Eが形成され、天井部 13Aの開口部 13Eに相当す る部分がセラミック材料のみによって形成されている。この被覆部材 13は、天井部セ ラミックグリーンシートに開口部を有する未焼成シールド電極層をベタ印刷する以外 には、上記実施形態と同一要領で作製することができる。

[0062] 従って、本実施形態によれば、被覆部材 13の天井部 13Aの特定の表面実装部品 12Cの真上がセラミック部材によって形成されているため、電子部品 10Aの特性選 別時等に被覆部材 13の天井部 13Aが橈んでも、特定の表面実装部品 12Cはシー ルド電極層 13Cによる電磁気的な影響を受けることがなぐ特定の表面実装部品 12 Cの本来特性を測定することができ、電子部品 10Aの良否を高精度に選別すること ができる。従って、良品を廃棄したり、不良品を市場に出荷したりすることがない。そ の他、本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果を期することができる

[0063] 第 3の実施形態

本実施形態の電子部品は、図 11の（a)に示すように被覆部材 13の脚部 13Bの形 状を異にする以外は、第 1の実施形態と同様に構成されている。従って、第 1の実施 形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

[0064] 上記各実施形態では被覆部材 13の脚部 13Bが図 11の（b)に示すように直胴状の ものについて説明した力 本実施形態における脚部 13Bは、同図の（a)に示すように 、軸芯方向の断面がテーパ状を呈する形状、つまり逆円錐台形状または逆四角錐形 状に形成されている。この脚部 13Bは、レーザー光によって収縮抑制シートに断面 形状がテーパを呈するようにビアホールをカ卩ェし、このビアホールに導電性ペースト を充填することによって形成することができる。尚、上記各実施形態の、軸方向の断 面形状が直胴状の脚部 13Bは、それぞれ金型等でパンチング加工によって直胴状 のビアホールをカ卩ェし、このビアホールに導電性ペーストを充填することによって形 成することができる。

[0065] 従って、本実施形態によれば、図 11の（a)に示すように半田フィレット Fを含めた脚 部 13Bの配線基板 11との接続面積、つまり直径 d'は、同図の（b)に示す直胴状の 場合の直径 dと比較して小さくなる。即ち、脚部 13Bの上端面と下端面 (被覆部材 13 を接続する配線基板 11の接続面）が同一の接続面積で被覆部材 13を配線基板 11 上に接続することができる。その他、本実施形態においても上記実施形態と同様の 作用効果を期することができる。尚、脚部 13Bは、断面テーパ状のものが上下方向に 複数連なったものであっても良い。

[0066] 第 4の実施形態

本実施形態の電子部品は、図 12の（a)に示すように被覆部材 13がシールド電極 層を有さず、被覆部材 13と配線基板 11との間の導通を必要としないこと以外は、第 1 の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形態においても、第 1の実施形 態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態について説明する。

[0067] 本実施形態における被覆部材 13は、図 12の（b)に示すようにして作製することが できる。即ち、同図に示すように、天井部用セラミックグリーンシート 113Aとして、例え ば 20 μ m厚のセラミックグリーンシートを 2枚積層し、その下面に例えば 250 μ m厚 の未焼成脚部を有しない収縮抑制用セラミック層 200Aを配置し、その上面に例えば 250 m厚の未焼成脚部 113Bを有する収縮抑制用セラミック層 200を配置し、これ らを積層し、圧着して複合積層体 (図示せず)を作製する。この複合積層体を焼成す ることによって同図の（a)に示す天井部 13A及び脚部 13Bからなる被覆部材 13を作 製することができる。天井部 13Aは 20 m厚に形成されている。未焼成脚部 113Bと しては例えば低温焼結セラミックを主成分とするセラミックペーストを用いることができ る。尚、必要に応じて、被覆部材 13には導通性のない脚部と導通性のある脚部とを 混在させることもできる。この場合には天井部 13Aにシールド電極層が形成されて!ヽ る。その他、本実施形態においても第 1の実施形態と同様に低背化に寄与する被覆 部材 13を得ることができる。

[0068] 第 5の実施形態

本実施形態の電子部品は、図 13の（a)に示すように、配線基板 11上にボンディン グワイヤ 12Dを介して実装され且つ榭脂 Rで封止された表面実装部品 12を備えてい ること以外は、第 1の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形態におい ても、第 1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態につ いて説明する。

[0069] 本実施形態における表面実装部品 12は、配線基板 11上で榭脂封止された状態で 実装されているため、被覆部材 13を配線基板 11上に装着する時にメタルマスクを用 いてビア導体 14Bに半田ペーストを直接塗布することができない。

[0070] そこで、本実施形態では、図 13の (b)に示すように被覆部材 13の脚部 13Bの先端 面に接合材を塗布する方法が用いられる。接合材としては、液状または半液状であ れば良ぐ半田ペーストや導電性榭脂等が好適に用いられる。即ち、例えば図 13の（ b)に示すように被覆部材 13の脚部 13Bを、容器 A内の液状の接合材 Pに接触させ て脚部 13Bの先端面に接合材 Pを直接転写する。そして、同図の（a)に示すように被 覆部材 13の脚部 13Bと配線基板 11のビア導体 14Bとの位置合わせを行った後、被 覆部材 13を配線基板 11上に積み重ねて熱処理することによって、被覆部材 13を配 線基板 11上に搭載することができる。

[0071] 本実施形態によれば、メタルマスクによって接合材を配線基板 11のビア導体 14B、 表面電極 14Cに塗布することができなくても、被覆部材 13の脚部 13Bの下端に接合 材 Pを転写することによって被覆部材 13を配線基板 11上に容易に搭載し固定するこ とができる。その他、本実施形態においても第 1の実施形態と同様の作用効果を期 することができる。

[0072] 第 6の実施形態

本実施形態の電子部品は、図 14の（a)に示すように、被覆部材 13の天井部 13A 内に、シールド電極層 13Cに代えて厚膜抵抗体 13F及びその配線パターン 13Gが 設けられている以外は、第 1の実施形態と同様に構成されている。従って、本実施形 態における被覆部材 13は、実質的に第 1の実施形態と同一の要領で作製することが できる。従って、本実施形態においても、第 1の実施形態と同一または相当部分には 同一符号を附して本実施形態について説明する。

[0073] 図 14の（a)に示す被覆部材 13は、シールド電極層 13Cに代えて厚膜抵抗体 13F 及びその配線パターン 13Gを有している。この被覆部材 13を作製する時には、天井 部用セラミックグリーンシート（図示せず)を所定枚数作製し、所定の天井部用セラミツ クグリーンシートに所定のパターンでビアホールを形成し、このビアホール内に導電 性ペーストを充填して未焼成ビア導体をセラミックグリーンシートに形成する。次 、で 、所定のパターンで導電性ペーストを印刷して未焼成面内導体を形成した後、抵抗 ペーストを印刷して未焼成厚膜抵抗体を形成する。抵抗ペーストとしては、例えば、 酸化ルテニウムを主成分とする抵抗材料等、従来公知の抵抗材料を用いることがで きる。一方、第 1の実施形態と同様に未焼成脚部を有する収縮抑制シートと未焼成 脚部を有さない収縮抑制シートを作製した後、第 1の実施形態と同一要領で天井部 用セラミックグリーンシートと収縮抑制シートと積層して複合積層体を作製し、この複 合積層体を焼成することにより被覆部材 13を作製することができる。この被覆部材 13 は、図 14の（a)に示すように、厚膜抵抗体 13F及び配線パターン 13Gを有している。 焼成後には被覆部材 13の厚膜抵抗体 13Fにレーザー光を照射してトリミングするこ とによって所望の抵抗値を得ることができる。

[0074] 図 14の（a)に示す実施形態によれば、通常、配線基板 11上に実装する必要のあ つた抵抗チップが被覆部材 13内に厚膜抵抗体 13Fとして内蔵されているため、配線 基板 11上に抵抗チップを実装する必要がなぐその実装面積を省スペース化するこ とができ、電子部品を小型化、機能の高密度化を実現することができる。その他、本 実施形態においても第 4の実施形態と同様に低背化に寄与する被覆部材 13を得る ことができる。

[0075] 図 14の（a)では被覆部材 13の天井部 13A内に厚膜抵抗体 13F及びその配線パ ターン 13Gを設けた場合について説明した力 同図の (b)〜（d)に示すように、被覆 部材 13のシールド電極層 13Cに厚膜抵抗体 13F及びその配線パターン 13Gを付 設しても良い。図 14の（b)〜（d)に示す被覆部材の場合には、シールド電極層 13C 以外に厚膜抵抗体 13F及びその配線パターン 13Gを形成するためのセラミックダリ ーンシートが一枚増やす以外は、第 1の実施形態と同一要領で被覆部材を作製する ことができる。従って、図 14の (b)〜（d)に示す被覆部材の製造方法の説明は省略 する。

[0076] 図 14の（b)に示す被覆部材 13の天井部 13A内にはシールド電極層 13Cと厚膜抵 抗体 13F及びその配線パターン 13Gが形成され、厚膜抵抗体 13F及びその配線パ ターン 13Gがシールド電極層 13Cの上方に配置して形成されている。厚膜抵抗体 1 3Fのトリミングは、天井部 13Aの上方力も厚膜抵抗体 13Fにレーザー光を照射する こと〖こよって行うことができる。

[0077] また、図 14の（c)に示す被覆部材 13の場合には、天井部 13Aの上面にシールド 電極層 13Cが形成され、天井部 13Aの内部に厚膜抵抗体 13F及びその配線パター ン 13Gが形成されている。シールド電極層 13Cにはトリミング用の開口部 13Eが厚膜 抵抗体 13Fの真上に位置させて形成され、天井部 13Aの上方力 レーザー光を照 射して厚膜抵抗体 13Fのトリミングを良好に行うことができる。

[0078] 図 14の（d)に示す被覆部材 13の場合には、天井部 13A内にシールド電極層 13C と厚膜抵抗体 13F及びその配線パターン 13Gが形成され、厚膜抵抗体 13F及びそ の配線パターン 13Gがシールド電極層 13Cの下方に配置して形成されている。シー ルド電極層 13Cにはトリミング用の開口部 13Eが厚膜抵抗体 13Fの真上に位置させ て形成され、天井部 13Aの上方からレーザー光を照射して厚膜抵抗体 13Fのトリミン グを良好に行うことができる。

[0079] 図 14の (b)〜 (d)に示す本実施形態によれば、電子部品を小型化、高機能化を実 現することができる他、第 1の実施形態と同様の作用効果を期することができる。 [0080] 第 7の実施形態

本実施形態の電子部品は、図 15の (a)〜(c)に示すように、第 6の実施形態の厚 膜抵抗体 13Fに代えてチップ状セラミック電子部品 13Hが設けられている以外は、 図 14の (a)、（c)、（d)に示す実施形態に準じて構成されている。チップ状セラミック 電子部品 13Hは、セラミック焼結体を素体とし、その両端に外部端子電極を有してい る。チップ状セラミック電子部品 13Hとしては、例えば積層セラミックコンデンサ、積層 インダクタ等の受動電子部品を挙げることができる。従って、本実施形態における被 覆部材 13は、実質的に第 1の実施形態と同一の要領で作製することができる。従つ て、本実施形態においても、第 1の実施形態と同一または相当部分には同一符号を 附して本実施形態について説明する。

[0081] 図 15の（a)に示す被覆部材 13は、図 14の（a)の厚膜抵抗体 13Fに代えてチップ 状セラミック電子部品 13Hを有して 、る。このチップ状セラミック電子部品 13Hは被 覆部材 13の天井部 13Aの下面側から内部の配線パターン 13Gに接続されて!、る。 被覆部材 13を作製する時には、第 6の実施形態と同様に天井部用セラミックグリーン シート上に所定の未焼成配線パターン (未焼成面内導体及び未焼成ビア導体)を形 成する。所定枚数の天井用セラミックグリーンシートを収縮抑制セラミックグリーンシー ト上に積層し、積層体の上面に所定のパターンで未焼成ランド部が表出する積層体 を形成する。その後、スプレー等を用いて積層体の上面に有機系接着剤を塗布して 有機系接着剤層を形成した後、マウンター（図示せず)を用いて未焼成ランド部にチ ップ状セラミック電子部品 13Hを搭載し、未焼成ランド部上にチップ状セラミック電子 部品を接合、固定する。次いで、未焼成脚部を有する収縮抑制セラミックグリーンシ 一トを積層、圧着して複合積層体を作製する。この圧着によってチップ状セラミック電 子部品 13Hが未焼成ランド部と一緒に積層体の上面力も少し埋め込まれる。この複 合積層体を焼成するとチップ状セラミック電子部品 13Hの外部端子電極がランド部 1 31と一体ィ匕して焼結し、チップ状セラミック電子部品 13Hが部分的に埋め込まれた被 覆部材 13 (015 (a)参照）を作製することができる。チップ状セラミック電子部品 13H の天井部 13A内への埋め込み量は、 1 μ m以上が好ましぐ特に 1〜200 μ mが好 ましい。 [0082] 本実施形態によれば、被覆部材 13に実装されたチップ状セラミック電子部品 13H は、天井部 13Aの下面力 埋め込まれているため、被覆部材 13を配線基板 11上に 搭載し、固定する時にリフロー等の熱処理を行ってもチップ状セラミック電子部品 13 Hとランド部との接続部分が劣化することなぐ長時間に渡って接続信頼性を確保す ることができる他、第 1の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

[0083] 図 15の（b)に示す被覆部材 13の場合には、天井部 13 Aの上面にシールド電極層 13Cが形成され、天井部 13Aの内部に配線パターン 13Gが形成され、この配線パタ ーン 13Gにはチップ状セラミック電子部品 13Hが同図の（a)に示す場合と同様に接 続されている。

[0084] 図 15の（c)に示す被覆部材 13の場合には、天井部 13A内にシールド電極層 13C とチップ状セラミック電子部品 13H用の配線パターン 13Gが形成され、配線パターン 13Gがシールド電極層 13Cの下方に配置して形成されて!、る。この配線パターン 13 Gにはチップ状セラミック電子部品 13Hが同図の（a)に示す場合と同様に接続されて いる。

[0085] 図 15の (b)、（c)に示す本実施形態によれば、チップ状セラミック電子部品 13Hの 接続信頼性を長時間に渡って確保できると共に、外部の電磁界環境カゝら確実に保 護することができる他、第 1の実施形態と同様の作用効果を期することができる。

[0086] 図 15の（a)〜（c)に示す被覆部材 13を配線基板 11に搭載する場合には、図 16の

(a)に示すようチップ状セラミック電子部品 13Hの配線基板 11上の対向面には表面 実装部品 12を搭載しない方が良い。このようにすることで、電子部品 10の特性選別 の際に、治具で被覆部材 13の天井部 13Aが橈んでもチップ状セラミック電子部品 1 3Hが配線基板 11上でショートすることがない。また、表面実装部品 12を搭載するに しても、図 16の (b)に示すようにチップ状セラミック電子部品 13Hの配線基板 11上の 対向面には榭脂によって封止された表面実装部品 12Cを搭載する。表面実装部品 12Cが榭脂によって封止されたものであれば、被覆部材 13の天井部 13Aが橈んで チップ状セラミック電子部品 13Hが表面実装部品 12Cと接触してもショートすることが なぐ精度良く特性を評価することができる。

[0087] 尚、本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではなぐ本発明の趣旨に 反しない限り、本発明に含まれる。

産業上の利用可能性

本発明は、種々の電子機器等に使用される電子部品として、好適に利用することが できる。

Claims

請求の範囲

[1] 配線パターンを有する配線基板と、この配線基板の主面に搭載された表面実装部 品と、この表面実装部品を覆う被覆部材と、を備え、上記被覆部材は、平板状のセラ ミック部材によって形成された天井部と、少なくとも上記表面実装部品と同程度の高 さを有する柱状部材によって形成された脚部と、を有することを特徴とする電子部品

[2] 上記柱状部材は柱状金属であって、この柱状金属は上記平板状のセラミック部材 と同時焼成によって一体ィ匕していることを特徴とする請求項 1に記載の電子部品。

[3] 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内 層部分及び Zまたは外表面部分にはシールド電極層が配置されてなり、上記シール ド電極層は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続さ れていることを特徴とする請求項 2に記載の電子部品。

[4] 上記シールド電極層と上記柱状金属は、同時焼成によって一体ィ匕していることを特 徴とする請求項 3に記載の電子部品。

[5] 上記シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する部分に は、開口部が形成されていることを特徴とする請求項 3または請求項 4に記載の電子 部品。

[6] 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、且つ、その内 層部分及び Zまたは表面部分には厚膜抵抗体が配置されてなり、上記厚膜抵抗体 は、上記セラミック層に設けられたビア導体を介して上記柱状金属に接続されて ヽる ことを特徴とする請求項 1〜請求項 5のいずれか 1項に記載の電子部品。

[7] 上記天井部には、その内層部分及び Zまたは外側表面部分にシールド電極層が 配置されており、上記シールド電極層のうち上記厚膜抵抗体に対向する部分には、 開口部が形成されて 、ることを特徴とする請求項 6に記載の電子部品。

[8] 上記天井部には、セラミック焼結体を素体とし且つ端子電極を有するチップ状セラミ ック電子部品が設けられており、このチップ状セラミック電子部品の少なくとも一部が 上記天井部に埋め込まれていることを特徴とする請求項 1〜請求項 7のいずれか 1項 に記載の電子部品。

[9] 上記配線基板は、複数の第 1の低温焼結セラミック層を積層してなるセラミック多層 基板として形成され、その内層に銀または銅を主成分とする配線パターンを有するこ とを特徴とする請求項 1〜請求項 8のいずれかに記載の電子部品。

[10] 上記天井部は、複数の第 2の低温焼結セラミック層を積層してなる積層構造を有し 、この第 2の低温焼結セラミック層と上記第 1の低温焼結セラミック層は、実質的に同 じ材料組成力 なることを特徴とする請求項 9に記載の電子部品。

[11] 配線パターンを有する配線基板を作製する工程と、

平板状の天井部と、この天井部と一体化され且つこの天井部から垂直方向に延び る柱状部材カゝらなる脚部と、を有する被覆部材を作製する工程と、

上記被覆部材を、配線基板の主面上に積み重ねて、上記脚部を介して上記配線 基板に接続する工程と、

を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。

[12] 上記天井部は、複数のセラミック層を積層してなる多層構造を有し、その内層部分 及び Zまたは表面部分にシールド電極層が配置されてなり、上記柱状部材は、上記 シールド電極層との同時焼結により一体ィ匕された柱状金属であることを特徴とする請 求項 11に記載の電子部品の製造方法。

[13] 上記被覆部材を作製する工程は、

低温焼結セラミックを主成分とし且つ内層部分及び Zまたは表面部分に未焼成シ 一ルド電極層を有する天井部用セラミック未焼成体を作製する工程と、

上記低温焼結セラミックの焼成温度では実質的に焼結しな 、難焼結セラミックを主 成分とし且つ上記柱状部材となる未焼成柱状部材を有する収縮抑制用セラミック未 焼成体を作製する工程と、

上記天井部用セラミック未焼成体の一方の主面に上記収縮抑制用セラミック未焼 成体を重ね合わせる工程と、

上記天井部用セラミック未焼成体と上記収縮抑制用セラミック未焼成体とを上記低 温焼結セラミックの焼成温度で焼成し、上記天井部用セラミック未焼成体を焼結させ ると共に上記未焼成シールド電極層と上記未焼成柱状部材とを同時焼結により一体 化させる工程と、 上記収縮抑制用セラミック未焼成体を除去する工程と、

を有することを特徴とする請求項 11または請求項 12に記載の電子部品の製造方 法。

[14] 上記天井部用セラミック未焼成体は、その内層部分及び Zまたは表面部分に未焼 成厚膜抵抗体を有することを特徴とする請求項 13に記載の電子部品の製造方法。

[15] 上記未焼成シールド電極層のうち少なくとも一つの上記表面実装部品に対向する 部分には、開口部を有することを特徴とする請求項 13または請求項 14に記載の電 子部品の製造方法。

[16] 上記天井部用セラミック未焼成体は、上記主面に、セラミック焼結体を素体とし且つ 端子電極を有するチップ状セラミック電子部品を有することを特徴とする請求項 13〜 請求項 15のいずれか 1項に記載の電子部品の製造方法。

[17] 上記柱状部材を、断面テーパ状に形成することを特徴とする請求項 11〜請求項 1

6のいずれか 1項に記載の電子部品の製造方法。

[18] 上記被覆部材の柱状部材を、接合材を介して上記配線基板の表面に設けられた 上記配線パターンに接続することを特徴とする請求項 11〜請求項 17のいずれかに 記載の電子部品の製造方法。

[19] 上記配線基板と上記被覆部材とを集合基板状態で接続し、これを個々の電子部品 に分割する工程を有することを特徴とする請求項 11〜請求項 18のいずれか 1項に 記載の電子部品の製造方法。

[20] 上記集合基板状態のものを分割するに際し、上記柱状部材をも分割し、この柱状 部材の分割面を側面電極とする電子部品を得ることを特徴とする請求項 19に記載の 電子部品の製造方法。