JP7260662B2 - 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 - Google Patents

蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 Download PDF

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Description

本開示は、蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置に関する。
従来、半導体素子、および圧電素子等の電子部品を搭載するための電子部品収納用パッケージにおいて、外部への不要電波の放出を抑制するため、蓋体に電波吸収性のある電気抵抗体層を設けることがある(例えば特開2005-51112号公報を参照)。
しかし、蓋体の電気抵抗体層の位置によっては、電子部品の動作周波数に影響する恐れがある。また、その対策として電子部品と電気抵抗体層との物理的距離を大きくすると電子装置のサイズが大きくなってしまう。
本開示に係る蓋体は、電子部品収納用パッケージの蓋体であって、
複数の開口部を有するとともに、前記複数の開口部を囲んで位置した第1部を有する導体層と、
前記複数の開口部内に位置した第2部と、前記導体層の上に位置した第1誘電体層と、前記導体層の下に位置した第2誘電体層と、を有する誘電体層と、を備える。
前記導体層は、電気抵抗体層であり、
前記第1部は、線状であり、
電子部品が動作する電波波長をλとしたとき、平面透視において、前記開口部の開口幅は、前記第1部の線幅より大きく、λ/4以下である。
本開示に係る電子部品収納用パッケージは、前記蓋体と、
電子部品が搭載される搭載部と、前記搭載部を囲んで位置するとともに前記蓋体の下面外周部と接合する上面外周部と、を有する電子部品収納用基体と、を有する。
本開示に係る電子装置は、前記電子部品収納用パッケージと、前記搭載部に搭載されている電子部品と、を備える。
本開示の実施形態1に係る電子装置を示す縦断面図である。但し、蓋体は分離状態で示す。 図1の電気抵抗体層が位置する蓋体内の層を示す平面図である。 図2の部分拡大図である。 本開示の実施形態1に係る蓋体の外周部の縦断面図である。 本開示の実施形態2に係る電子装置を示す縦断面図である。但し、蓋体は分離状態で示す。 図1の電子装置の蓋体の下面(内側面)を示す平面図である。 図1の導体層が位置する蓋体内の層を示す平面図である。 本開示の実施形態2に係る蓋体の外周部の縦断面図である。
以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、蓋体について、パッケージの内側に向く面を「下面」とし、その反対面である外側に向く面を「上面」とするが、蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置の使用時における上下方向を特定するものではない。また、実施形態において、「層厚」とは、蓋体の上面に垂直な断面において上記上面と垂直な方向の層の厚みを意味する。蓋体が第1誘電体層以外の構造物を上部に含む場合、上記上面とは、構造物を除去した第1誘電体層の上面とする。
(実施形態1)
図1に示すように実施形態1の電子部品収納用パッケージ1Aは、蓋体2Aと、電子部品収納用基体3とを備える。
蓋体2Aは平板状であり上面21及び下面22を有する。下面22はパッケージ内面に相当する中央面22aと、その外周の少なくとも一部にシールエリア22bを有する下面外周部とを有する。シールエリア22bとは、後述する電子部品収納用基体3と接合されるエリアのことである。
電子部品収納用基体3は底面部31と外周壁部32とを有して収納空間33を形成する容器状であり、外周壁部32に囲まれた収納空間33内の上面に電子部品4の搭載部34を有する。また、電子部品収納用基体3は、電子部品4の電極を引き出すための所定の配線パターンを有している。
外周壁部32の上端面は、蓋体2Aのシールエリア22bに接合する上面外周部32aである。
搭載部34に電子部品4が搭載され、電子部品収納用基体3の上面外周部32aに蓋体2Aのシールエリア22bがろう材などにより接合されて、収納空間33内に電子部品4が密閉封止されて電子装置10Aが構成される。
蓋体2A及び電子部品収納用基体3の絶縁基材は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミックス焼結体等のセラミックス材料により構成される誘電体である。
さて、以上のような電子部品収納用パッケージ1Aの蓋体2Aは、導体層である電気抵抗体層23Aと、当該電気抵抗体層23Aの上下(パッケージ外側と内側)にそれぞれ位置する誘電体層である、第1誘電体層24および第2誘電体層25を有する。
第1誘電体層24は、電気抵抗体層23Aの上に位置する誘電体層であり、上面21まで形成されている。第2誘電体層25は、電気抵抗体層23Aの下に位置する誘電体層であり、下面22まで形成されている。
電気抵抗体層23Aの下に第2誘電体層25が配置されることによって、蓋体の下面に電波吸収体を配置する方法と比較して、電気抵抗体層23Aが電子部品4から物理的に遠ざかるため、電子部品4の動作周波数に与える影響を小さくすることができ、電子部品4を安定動作させることができる。
また、電気抵抗体層23Aによって、収納空間33を共振空間としたキャビティ共振を抑えることができ、外部への不要電波の放出を抑制することができる。
電気抵抗体層23Aは、複数の開口部23Ahを有するとともに、複数の開口部23Ahを囲んで位置した第1部23Acとを有する。第1部23Acは線状であるのがよい。線状とは、長尺で短手方向の幅よりも長手方向の長さが大きい形状を意味し、帯状を含む。また、線状とは、直線状である必要はない。また、誘電体層は、複数の開口部23Ah内に位置する第2部27Aと、第1誘電体層24と第2誘電体層25とを有している。第2部27Aは、第1誘電体層24と連続、一体的になるように位置している。具体的には、第2部27Aは、電気抵抗体層23Aおよび第1誘電体層24または第2誘電体層25と、を積層する際に、電気抵抗体層23Aの開口部23Ahに入り込んだ第1誘電体層24または第2誘電体層25の一部のことである。
図2及び図3に示すように電気抵抗体層23Aは、平面透視において、2つの開口部23Ahがあるようなものであってもよいし、細かい複数の開口部23Ahがあるメッシュ状であってもよい。つまり、メッシュ状である場合には、複数の開口部23Ahが等間隔で並んだ状態であってもよい。このとき、開口部23Ahは、平面視において、矩形状であってもよいし、円形状であってもよい。
このため、後述する開口部23Ahの開口幅とは、矩形状であれば、少なくとも長辺の長さと一致する幅のことであり、円形状であれば、直径に一致する幅のことであり、楕円形状であれば、直軸と一致する幅のことをいう。また、その他の形状であっても、最も幅が大きい箇所であればよい。
そもそも、電子部品から発せられる動作周波数が外部に対して不要電波となって悪影響を及ぼさないように対策が必要となる場合がある。主な対策としては蓋体に電波吸収体を貼付して外部に対して不要電波となる周波数帯を吸収することが一般的である。しかし、電波吸収体を用いることによるコスト増加につながることと、電波吸収体自体が電子部品の動作に影響を与えることが懸念点として挙げられていた。このため、蓋体に内部に抵抗体を配置することで、電子部品から発せられる動作周波数が外部に対して不要電波となって悪影響を及ぼすことを低減させることができる。
電気抵抗体層23Aのメッシュの開口幅W1は、電子部品4が動作する電波波長をλとして、λ/4以下である。なお、メッシュ線幅とは電気抵抗体層の第1部23Acの線幅であり、メッシュの開口幅は隣り合うメッシュ線幅との空間距離のことである。電気抵抗体層23Aをメッシュ状としても、メッシュの開口幅W1が0よりも大きく、λ/4以下であれば、外部への不要電波の放出を良好に低減させることができる。電子部品が動作する電波波長とは、電子部品の動作周波数と一致する周波数の電波の実効波長を意味する。以下、同様である。なお、線幅とは、平面視において、対象物が延びる方向と直交する方向への広がり幅のことである。
電気抵抗体層23Aの下に位置する第2誘電体層25の層厚は、電子部品4が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下である。これにより、蓋体2A内部での誘電体共振を低減させることができる。また、第2誘電体層25の層厚がλ/16以上であれば、電気抵抗体層23Aの影響による動作周波数に与える影響を低減できると同時に蓋体2Aにおける定在波の発生を低減させることができる。
同様に電気抵抗体層23Aの上に位置する第1誘電体層24の層厚は、電子部品4が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下である。これにより、蓋体2A内部での誘電体共振をさらに低減させることができる。また、第1誘電体層24の層厚がλ/16以上であれば、外部からの機械的外圧に対して一定の強度を保持しつつ、蓋体2Aにおける定在波の発生を低減させることができる。蓋体2Aに一定以上の厚みが必要な場合は、下側の誘電体層の方が電子部品に対して物理的距離が近く、電子部品与える影響が大きいため、第2誘電体層25の層厚をλ/16より大きく、λ/4以下とし、第1誘電体層24の層厚を第2誘電体層25の層厚より大きくしてもよいし、第1誘電体層24の層厚をλ/4を超える厚みとして実施してもよい。
第2誘電体層25は、電気抵抗体層23Aの第1部23Acと接続するとともに、上下方向に延びたコンタクト導体26を有している。コンタクト導体26の材料は、タングステンなどの導電性材料でもよく、上下層の導通に用いる、いわゆるviaとしてもよい。このとき、電気抵抗体層23Aに導通するコンタクト導体(金属膜)26が、蓋体2Aの表面に露出している。実施形態1ではコンタクト導体26が、蓋体2Aの下面外周部のシールエリア22bに露出している。図4に示すようにコンタクト導体26は、第2誘電体層25を貫通する貫通部26aを有している。貫通部26aは、下面外周部のシールエリア22bと上下に重なるようλ/4以下のピッチで複数配置されていてもよい。これにより蓋体2Aのシールド効果が向上し、不要電波の放出を低減することができる。電子部品収納用基体3の上面外周部32aには、グランド配線に導通する金属膜を配置しておく。電子部品収納用基体3に蓋体2Aをろう付けすると、電気抵抗体層23Aが電子部品収納用基体3のグランド配線に電気的に接続される。
したがって、電子装置10Aの使用時において、電気抵抗体層23Aがグランドに電気的に接続され、電気抵抗体層23Aにより吸収した不要電波をグランドに落として高周波特性の安定を図ることができる。
電気抵抗体層23Aの第1部23Acの構成材料として、例えば酸化ルテニウム(RuO)が適用される。
電気抵抗体層23Aの第1部23Acのシート抵抗値は、20~100Ω/SQ程度であってもよい。酸化ルテニウム以外の材料として、例えばタングステン(W)やCu/Ni系などの卑金属系抵抗ペーストなどを適用してもよい。また、電気抵抗体層23Aを、酸化ルテニウム等の金属材料にカーボンを混合することで構成してもよい。カーボンが含まれることで高抵抗化が可能である。ただし、電気抵抗体層23Aの第1部23Acは、メッシュ状であることによってベタ状である場合に比較して抵抗値を上げることができる。例えば、電気抵抗体層23Aの構成材料をシート抵抗値が3Ω/SQ程度の抵抗体とし、電気抵抗体層23Aの第1部23Acの線幅W2を150μm、開口部23Ahの開口幅W1を850μmとすると、全体としては見かけ上、20Ω/SQ程度に上がる。なお、開口部23Ahの開口幅を小さくしすぎると開口部23Ah内に電界が滞留してしまうため、悪影響を及ぼす。開口部23Ahの開口幅は第1部23Acの線幅以下、つまり第1部23Acの線幅W2以下にしない範囲で適宜選択するのがよい。電気抵抗体層23Aをメッシュ構造にすることにより、3Ω/SQ程度であったシート抵抗値が20~100Ω/SQ程度となり、電気抵抗体層での不要電波吸収率を向上させることができる。本構成により、外部への不要電波放出を低減させると同時に、蓋体において不要電波の吸収率を向上させることができる。このとき、メッシュ構造の場合の開口部23Ahは、上述したように、平面視において必ずしも正方形状である必要はなく、長方形状でも、円形状であってもよい。また、第1部23Acの線幅が一定であってもよいし、異なっていてもよい。異なるとは、例えば、直交した第1部23Acが形成されている場合に、縦に延びる部分の幅と横に延びる部分の幅とが異なる線幅であってもよいし、1つの横に延びる部分の幅と、他の横に延びる部分の幅とが異なる幅であってもよいということである。
以上のように実施形態1の蓋体2Aを適用することにより、外部への不要電波の放出と、蓋体2A内部での誘電体共振とを抑制するとともに、電子部品4への影響も少なく電子部品4を安定動作させることができる。
また、電気抵抗体層23Aは第1誘電体層24、第2誘電体層25により被覆され、蓋体2Aの内部に保持されているので、損傷、浸食等のダメージから保護される。そのため。電気抵抗体層23Aの構成材料として、様々な導体材料を選択しやすい。また、電気抵抗体層23Aをメッシュ構造としても、当該メッシュ構造が保全されやすい。
電気抵抗体層23Aをメッシュ構造として、そのメッシュの開口部23Ahの開口幅W1やメッシュの構成要素である第1部23Acの線幅W2を選択することで、同じ構成材料でも、シート抵抗値を上下させることができる。
以上の結果、上記の共振防止性等の対電波特性の良好な蓋体とすることが容易である。
<電子部品収納用パッケージおよび基体の製造方法>
次に、本開示の実施形態1に係る電子部品収納用パッケージ1Aの製造方法について説明する。蓋体2Aと、電子部品収納用基体3はそれぞれ以下のように別々に作製される。
電子部品収納用基体3の底面部31に相当する実装基板は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製される。まず、セラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末と適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。次に、セラミックグリーンシートからなる積層体は、複数のセラミックグリーンシートが積層されて作製される。なお、積層体は、必ずしも複数のセラミックグリーンシートが積層される必要はなく、実装基板としての機械的な強度等の点で支障がなければ、1層のみでも構わない。その後、これらのセラミックグリーンシートが1300~1600℃の温度で焼成されることによって実装基板が作製される。
外周壁部32に相当する枠体は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、上記の実装基板と同様にして作製される。まず、セラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。次に、セラミックグリーンシートからなる積層体は、複数のセラミックグリーンシートが積層されて作製される。そして、積層体は、打ち抜き加工法によって貫通孔が中央部に設けられることによって枠状に成形される。さらに、積層体は、上面にタングステンの粉末と有機溶剤および有機バインダとを混合して作製した、金属層となる金属ペーストがスクリーン印刷法等の方法で印刷されて設けられる。その後、積層体は、1300~1600℃の温度で焼成されることによって枠体となる。なお、枠体は、必ずしも複数のセラミックグリーンシートが積層されて形成される必要はなく、枠体としての機械的な強度等の点で支障がなければ、1層のみでも構わない。そして、枠体は、ガラス接合材や樹脂接合材等の接合材によって実装基板の上面に接合される。また、枠体は、実装基板と同様の酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、枠状のセラミックグリーンシートが実装基板となるセラミックグリーンシートの上面に積層され、これらのセラミックグリーンシートが同時焼成される方法で、実装基板と一体的に形成されてもよい。
蓋体2Aは、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製される。まず、セラミックグリーンシートは、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末と適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形され、矩形シート状に作製される。
第1誘電体層24及び第2誘電体層25のうち一方に相当するセラミックグリーンシートの一面に電気抵抗体層23Aとする電気抵抗体を成膜し、さらに一面から他面にかけて貫通部を設けて電気抵抗体と同様の材料を充填してもよいし、導通性の良いタングステンなどの材料を充填してもよく、これらの材料を充填することでコンタクト導体26とする。その上に第1誘電体層24及び第2誘電体層25の他方に相当するセラミックグリーンシートを積層し、積層体が得られる。
その後、一端がシールエリア22bに開口し他端が電気抵抗体層23Aに連通する貫通部が、第2誘電体層25に相当するセラミック層に貫通形成され、当該貫通部内部及びシールエリア22bに金属膜が印刷されることよって、電気抵抗体層23Aに導通するコンタクト導体26が構成され、その後、積層体は、1300~1600℃の温度で焼成される。以上により、蓋体2Aが作製される。
(実施形態2)
図5に示すように実施形態2の電子部品収納用パッケージ1Bは、蓋体2Bと、電子部品収納用基体3とを備える。
蓋体2Bは平板状であり上面21及び下面22を有する。下面22はパッケージ内面に相当する中央面22aと、その外周の少なくとも一部にシールエリア22bを有する下面外周部とを有する。
電子部品収納用基体3は、実施形態1のものと同様である。電子部品収納用基体3の外周壁部32の上端面は、蓋体2Bのシールエリア22bに接合する上面外周部32aである。
搭載部34に電子部品4が搭載され、電子部品収納用基体3の上面外周部32aに蓋体2Bのシールエリア22bがろう材などにより接合されて、収納空間33内に電子部品4が密閉封止されて電子装置10Bが構成される。
蓋体2B及び電子部品収納用基体3の絶縁基材は、実施形態1と同様の材料より構成される誘電体である。
さて、以上のような電子部品収納用パッケージ1Bの蓋体2Bは、導体層23Bと、当該導体層23Bの上下(パッケージ外側と内側)にそれぞれ位置した誘電体層である、第1誘電体層24および第2誘電体層25を有する。
第1誘電体層24は、導体層23Bの上に位置した誘電体層であり、上面21まで形成されている。第2誘電体層25は、導体層23Bの下に位置した誘電体層であり、下面22まで形成されている。
導体層23Bの下に第2誘電体層25が配置されることによって、蓋体の下面に電波吸収体を配置する方法と比較して、導体層23Bが電子部品4から物理的に遠ざかるため、電子部品4の動作周波数に与える影響を小さくすることができ、電子部品4を安定動作させることができる。
また、導体層23Bによって、収納空間33を共振空間としたキャビティ共振を抑えることができる。
導体層23Bは、中央部に位置した開口部23Bhと、開口部23Bhを囲んで位置した第1部23Bcとを有する。中央部とは、平面透視において、蓋体2Bの中心を含む周辺の領域のことを指す。
また、誘電体層は、開口部23Bh内に位置した第2部27Bと、第1誘電体層24と第2誘電体層25とを有している。第2部27Bは、第1誘電体層24と連続、一体的になるように位置している。具体的には、第2部27Bは、導体層23Bおよび第1誘電体層24または第2誘電体層25と、を積層する際に、導体層23Bの開口部23Bhに入り込んだ第1誘電体層24または第2誘電体層25の一部のことである。
図7に示すように導体層23Bは、平面透視において導体層23Bの開口部23Bhの開口幅W11は、電子部品が動作する電波波長をλとして、λ/2以上、3λ/2以下であってもよい。このような構成を満たすときには、内部の電子部品から発生する不要電波が、導体層23Bの開口部23Bhを通して外部に放出されるため、不要電波が収納空間33内に滞在することが低減される。そのため、キャビティ共振が低減される。
図7に示すように、導体層23Bの開口部23Bhは、円形であってもよい。このように導体層23Bの開口部23Bhが円形であるときには、不要電波を効率よく外部へ放出できる。また、導体層23Bの開口部23Bhは、蓋体2Bの中央部、すなわち収納空間33上に位置していてもよい。開口部23Bhが収納空間33上に位置しているときには、収納空間33で発生するキャビティ共振を低減さることができる。また、導体層23Bの開口部23Bhが単一であるときには、開口部23Bhが複数であることによる誘電体共振が少なく、収納空間33で発生するキャビティ共振を低減させることができる。
図7に示すように導体層23Bの第1部23Bcは、第2部27Bが埋まる開口部23Bhの外縁から誘電体層(第1誘電体層24及び第2誘電体層25)の外周部まで延在していてもよい。上記構成の場合、収納空間33の上端開口面のうち、第2部27Bが埋まる導体層23Bの開口部23Bh以外の部分は、導体層23Bの第1部23Bcが位置する。
導体層23Bの下に位置した第2誘電体層25の層厚は、電子部品4が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下であってもよい。このような構成を満たすときには、蓋体2B内部での誘電体共振をさらに低減させることができる。また、第2誘電体層25の層厚がλ/16より大きいことにより、導体層23Bの影響による動作周波数に与える影響を低減できると同時に蓋体2Bにおける定在波の発生を低減させることができる。
同様に導体層23Bの上に位置した第1誘電体層24の層厚は、電子部品4が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下であってもよい。このような構成を満たすときには、蓋体2B内部での誘電体共振をさらに低減させることができる。また、第1誘電体層24の層厚がλ/16より大きいことにより、外部からの機械的外圧に対して一定の強度を保持しつつ、蓋体2Bにおける定在波の発生を低減させることができる。蓋体2Bにおいては、誘電体層の方が電子部品に対して物理的距離が近く、電子部品与える影響が大きいため、第2誘電体層25の層厚をλ/16より大きく、λ/4以下とし、第1誘電体層24の層厚を第2誘電体層25の層厚より大きくしてもよいし、第1誘電体層24の層厚をλ/4を超える厚みとして実施してもよい。
第2誘電体層25は、導体層23Bの第1部23Bcと接続するとともに、上下方向に延びたコンタクト導体26を有していてもよい。コンタクト導体26の材料は、タングステンなどの導電性材料でもよく、上下層の導通に用いる、いわゆるviaとしてもよい。このとき、導体層23Bに導通するコンタクト導体(金属膜)26が、蓋体2Bの表面に露出していてもよい。図5および図8に示す例ではコンタクト導体26が、蓋体2Bの下面外周部のシールエリア22bに露出している。図8に示すコンタクト導体26は、第2誘電体層25を貫通する貫通部26aを有している。平面透視において、貫通部26aは、第2誘電体層25の下面外周部と重なった位置において、互いに間隔をあけて複数配置されており、その間隔は、電子部品が動作する電波波長をλとして、0よりも大きく、λ/4以下である。言い換えると、貫通部26aは、下面外周部のシールエリア22bと上下に重なるようλ/4以下のピッチで複数配置されていてもよい。これにより蓋体2Bのシールド効果が向上し、中央の開口部23Bh以外での不要電波の放出を低減することができる。電子部品収納用基体3の上面外周部32aには、グランド配線に導通する金属膜を配置しておく。電子部品収納用基体3に蓋体2Bをろう付けすると、導体層23Bが電子部品収納用基体3のグランド配線に電気的に接続される。
したがって、電子装置10Bの使用時において、導体層23Bがグランドに電気的に接続され、導体層23Bにより吸収した不要電波をグランドに落として高周波特性の安定を図ることができる。
導体層23Bの第1部23Bcの構成材料として、例えばタングステンやモリブデンが適用される。
以上のように実施形態2の蓋体2Bを適用することにより、内部の導体層23Bの中央に限定された開口部23Bhから外部へ不要電波を放出してキャビティ内に不要電波が滞在することを防止し、キャビティ共振と、蓋体2B内部での誘電体共振とを抑制するとともに、電子部品4への影響も少なく電子部品4を安定動作させることができる。
また、導体層23Bは第1誘電体層24,第2誘電体層25により挟まれ、蓋体2Bの内部に保持されているので、損傷、浸食等のダメージから保護される。そのため。導体層23Bの構成材料として、様々な導体材料を選択しやすい。
以上の結果、上記の共振防止性等の対電波特性の良好な蓋体とすることが容易である。
<電子部品収納用パッケージおよび基体の製造方法>
蓋体2Bと、電子部品収納用基体3は別々に作製される。電子部品収納用基体3は、実施形態1に示した方法と同様の製造方法で作製できる。蓋体2Bは、実施形態1の蓋体2Aにおいて電気抵抗体層23Aを成膜していたところを、導体層23Bの成膜に替えるほかは、実施形態1に示した蓋体2Aの製造方法と同様に作製することができる。
以上、本発明の実施形態について説明した。なお、蓋体又は電子部品収納用基体の各部の素材、形状、大きさなど、実施形態及び図面に示された細部は、適宜変更可能である。
本開示は、蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置に利用できる。
1A、1B 電子部品収納用パッケージ
2A、2B 蓋体
3 電子部品収納用基体
4 電子部品
10A、10B 電子装置
21 上面
22 下面
22a 中央面
22b シールエリア(下面外周部)
23A 電気抵抗体層
23B 導体層
23Ac、23Bc 第1部
23Ah、23Bh 開口部
24 第1誘電体層
25 第2誘電体層
27A、27B 第2部
26 コンタクト導体
34 搭載部
W1、W11 開口幅
W2 線幅

Claims (16)

  1. 電子部品収納用パッケージの蓋体であって、
    複数の開口部を有するとともに、前記開口部を囲んで位置した第1部を有する導体層と、
    前記開口部内に位置した第2部と、前記導体層の上に位置した第1誘電体層と、前記導体層の下に位置した第2誘電体層と、を有する誘電体層と、を備え
    前記導体層は、電気抵抗体層であり、
    前記第1部は、線状であり、
    電子部品が動作する電波波長をλとしたとき、平面透視において、前記開口部の開口幅は、前記第1部の線幅より大きく、λ/4以下である蓋体。
  2. 前記第1部は、メッシュ状である請求項に記載の蓋体。
  3. 前記第1部は、酸化ルテニウムまたはタングステンを含む請求項1又は請求項2に記載の蓋体。
  4. 前記第1部は、カーボンを含む請求項から請求項のうちいずれか一に記載の蓋体。
  5. 前記第1部は、シート抵抗値が20~100Ω/SQである請求項から請求項のうちいずれか一に記載の蓋体。
  6. 電子部品収納用パッケージの蓋体であって、
    開口部を有するとともに、前記開口部を囲んで位置した第1部を有する導体層と、
    前記開口部内に位置した第2部と、前記導体層の上に位置した第1誘電体層と、前記導体層の下に位置した第2誘電体層と、を有する誘電体層と、を備え、
    平面透視において、前記開口部は、前記導体層の中央部に位置し、
    平面透視において、前記開口部の開口幅は、電子部品が動作する電波波長をλとして、λ/2以上、3λ/2以下である蓋体。
  7. 平面透視において、前記開口部は、円形である請求項に記載の蓋体。
  8. 前記第1部は、前記開口部の外縁から前記誘電体層の外周部まで延在している請求項6または請求項7に記載の蓋体。
  9. 前記第2誘電体層の層厚は、電子部品が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下である請求項1から請求項のうちいずれか一に記載の蓋体。
  10. 前記第1誘電体層の層厚は、電子部品が動作する電波波長をλとして、λ/16より大きく、λ/4以下である請求項1から請求項のうちいずれか一に記載の蓋体。
  11. 前記第1誘電体層の層厚は、前記第2誘電体層の層厚よりも大きい請求項1から請求項10のうちいずれか一に記載の蓋体。
  12. 前記誘電体層は、前記第1部と電気的に接続するとともに、上下方向に延びたコンタクト導体を有しており、
    前記コンタクト導体が、前記第2誘電体層の下面に露出した請求項1から請求項11のうちいずれか一に記載の蓋体。
  13. 前記コンタクト導体が、前記下面の外周部に露出した請求項12に記載の蓋体。
  14. 前記コンタクト導体は、前記第2誘電体層を貫通する貫通部を有しており、
    平面透視において、前記貫通部は、前記第2誘電体層の下面外周部に、互いに間隔をあけて複数配置されており、
    前記間隔は、電子部品が動作する電波波長をλとして、λ/4以下
    である請求項12または請求項13に記載の蓋体。
  15. 請求項1から請求項14のいずれか一に記載の蓋体と、
    電子部品が搭載される搭載部と、前記搭載部を囲んで位置するとともに前記蓋体の下面外周部と接合する上面外周部と、を有する電子部品収納用基体と、を有する電子部品収納用パッケージ。
  16. 請求項15に記載の電子部品収納用パッケージと、前記搭載部に搭載されている電子部品と、を備える電子装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11948893B2 (en) 2021-12-21 2024-04-02 Qorvo Us, Inc. Electronic component with lid to manage radiation feedback

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231843A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Tdk Corp 電子部品保護用キャップおよびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
JP2005051112A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 高周波半導体装置
WO2006059556A1 (ja) 2004-12-02 2006-06-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
JP2008244475A (ja) 2007-03-27 2008-10-09 Endwave Corp 開口を有する回路カバーアセンブリ
JP2017191835A (ja) 2016-04-12 2017-10-19 Tdk株式会社 電子回路モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4376938A (en) * 1980-04-17 1983-03-15 Raytheon Company Wire grid microstrip antenna
EP0910107A4 (en) * 1996-03-13 1999-08-18 Fujitsu General Ltd FILTER FOR PREVENTING ELECTROMAGNETIC WAVE LEAKS
US6262364B1 (en) * 1997-06-24 2001-07-17 Bridgestone Corporation Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate
JP2004087953A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Tokai Rubber Ind Ltd 電子機器用筐体
JP4377157B2 (ja) * 2003-05-20 2009-12-02 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置用パッケージ
US7813145B2 (en) * 2004-06-30 2010-10-12 Endwave Corporation Circuit structure with multifunction circuit cover
US8838022B2 (en) * 2010-04-13 2014-09-16 Radeum, Inc. System and method for securely pairing a wireless device using wireless communication
US9302452B2 (en) * 2012-03-02 2016-04-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same
US11559971B2 (en) * 2020-05-06 2023-01-24 The Boeing Company Conductive composite and method for manufacturing a conductive composite

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231843A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Tdk Corp 電子部品保護用キャップおよびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
JP2005051112A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp 高周波半導体装置
WO2006059556A1 (ja) 2004-12-02 2006-06-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
JP2008244475A (ja) 2007-03-27 2008-10-09 Endwave Corp 開口を有する回路カバーアセンブリ
JP2017191835A (ja) 2016-04-12 2017-10-19 Tdk株式会社 電子回路モジュール及びその製造方法

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