WO2005015406A1

WO2005015406A1 - 半導体メモリカード、アクセス装置及びアクセス方法

Info

Publication number: WO2005015406A1
Application number: PCT/JP2004/011427
Authority: WO
Inventors: Takuji Maeda; Shinji Inoue; Yoshiho Gotoh; Jun Ohara; Masahiro Nakanishi; Shoichi Tsujita; Tomoaki Izumi; Tetsushi Kasahara; Kazuaki Tamura; Kiminori Matsuno; Koichi Horiuchi; Manabu Inoue; Makoto Ochi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2003-08-06
Filing date: 2004-08-03
Publication date: 2005-02-17
Also published as: TWI359360B; EP1653362A1; KR100749298B1; JP4647492B2; CN1833229A; JPWO2005015406A1; KR20060055518A; EP1653362A4; TW200525353A; US8161225B2; US20070183179A1; EP1653362B1; CN100422956C

Abstract

半導体メモリカード内にカード情報格納部を設け、半導体メモリカードのアクセス条件やアクセス速度などのアクセス性能に関する情報を保持する。また、保持した情報をアクセス装置が半導体メモリカードから取得し、ファイルシステムの制御に使用できるようにする。これにより、使用する半導体メモリの特性や管理方法の違いにかかわらずアクセス装置、半導体メモリカードの処理を最適化し、アクセス装置から半導体メモリカードに対して高速のアクセスを実現することができる。

Description

明細書半導体メモリカード、アクセス装置及びアクセス方法

技術分野

本発明は、半導体メモリカード、及び半導体メモリカードにアクセスするアクセス装置及びアクセス方法に関する。背景技術

音楽コンテンツや、映像データなどのデジタルデータを記録する記録媒体には.、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクなど、様々な種類が存在する。これら記録媒体の 1種類である半導体メモリカードは、' 録素子としてフラッシュ R〇 Μなどの半導体メモリを使用しており、記録媒体の小型化 -が図れることから、デジタルスチルカメラや携帯電話端末など、小型の携帯機器を中心に急速に普及しつつある。

半導体メモリカードに格納されたデータはファイルシステムにより管理されており、ユーザは格納されたデータをファイルとして容易に取り扱うことができる。従来使用されているファイルシステムとして、 I SO / I EC 9 293、 " I n f o rma t i o n T e c h n o l o gy— Vo l ume a n d f i l e s t r u c t u r e o f d i s k c a r t r i d g e s f o r i n f o rma t i o n " 、 1.994年、に示されている FATファイルシステムがある。又 OSTA Un i v e r s a l D i s k Fo rma t S p e c i f i c a t i o n R e v i s i o n 1. 50、 1 997年、に記載されている UD F (Un i v e r s a l D i s k F o rma t) や、 NTFS (New T e c hn o l o gy F i l e S y s t em) などが存在する。これらファイルシステムによりデータが管理された半導体メモリカードは、同一のファイルシステムを解釈する機器間でファイルを共有することができるため、機器間でデータを授受することが可能となる。

ファイルシステムでは、データを記録する情報記録領域を、最小アクセス単位であるセクタ、及びセクタの集合であるクラスタに分割して管理し、 1 つ以上のクラスタをファイルとして管理する。ファイルに含まれるデ一夕が格納される領域は、空き領域からクラスタ単位で割り当てられ、 1つのファィルに含まれるデータが必ずしも連続領域に格納されるとは限らない。連続領域に格納されていないファイルを読み書きする場合、読み書きの間にシーク動作が発生するため、連続領域に格納されたファイルに比べ、読み書き速度が低下するという問題があった。 '

従来、ホスト機器、例えば、動画記録カメラ等がリアルタイムで半導体記録媒体にデータの書き込み処理を行う場合、半導体記録媒体め用状態、つまり、内部データ記録領域の状態により、データ書き換え処理がデータ取りみ処理に追従できなくなることがあった。その結果、データの書き換えができなくなり、動画ストリームが途切れるなどの不具合が生じる場合があつた。

従来、このような問題を解決する方法として、例えば特開 2 0 0 2— 2 9 1 0 1号公報に、画像処理装置において原稿 1頁分のデータが連続領域に格納されるようにデータ書き込みを制御する方法が提案されている。この従来の方法では、データ書き込み時に固定長の連続領域に必ずデータを書き込むことで、データ読み込み時に一定の処理時間で処理が完了することを保証できるようにしている。

又特開昭 6 3 - 2 2 8 2 8 1号にはメモリカードにおいてホスト機器がメモリカードからメモリの種別やメモリ容量、メモリ速度を取得できるようにしたメモリカードが示されている。又特開平 1— 7 6 3 1 6号、特開平 7— 3 2 0 0 1 8号には、メモリカードの内部に複数の転送速度を保持し、ホストからの指示に応じて転送速度を切換えるようにしたメモリカードが示されている。

しかしながら、上記の従来技術には次のような問題点がある。従来の制御方法では、画像処理装置の処理単位である原稿 1頁分のデータサイズを連続領域の単位として使用している。すなわち、アプリケーションが取り扱うデ一夕に適したサイズを基に、連続領域の単位を決定している。こ-の方法は、記録媒体への書き込み単位の違いにより書き込み速度に差が生じない記録媒体には有効である。しかしながら、半導体メモリカードでは、書き込み単位が書き込み速度に大きく影響し、かつ書き込み単位と書き込み速度の関係は使用する半導体メモリの特性や管理方法により異なるため、全ての半導体メモリカードにおいて最適なアクセス方法は一意に定まらず、従来例のようにデータサイズを固定しても全ての半導体メモリカードに対し高速にアクセスすることはできない。 ' 発明の開示

本発明では上記問題点に鑑み、半導体メモリカード内に半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を保持し、アクセス装置からその情報の少なくとも一部を取得できるようにすることを特徴とする。アクセス装置はその取得した情報を基にファイルシステムの処理内容を変更することにより、半導体メモリカードに対する高速アクセスを実現することを目的とする。本発明による半導体メモリカードは、アクセス装置に接続されて使用される半導体メモリカードであって、制御信号及びデータをアクセス装置に対して送信し、アクセス装置からの信号を受信するホストイン夕一フェース部と、複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位である消去ブロックとしてグループ化され、ァドレス管理情報領域とユーザデータ領域とを含む不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの消去、書き込み、読み出しを制御するメモリコントローラと、前記不揮発性メモリのアクセス性能に関する情報を格納するカード情報格納部を含むカード情報格納用のメモリと、前記ィンターフェース部を介して得られた制御信号に基づいて各部を制御すると共に、前記カード情報格納部のデータアクセス性能に関する情報を読み出し、前記アクセス装置に伝送する制御部と、を具備することを特徴とする。

本発明によるアクセス装置は、複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位であるブロックとしてグループ化されており、格納されたデータがファィルシステムにより管理されている半導体メモリカードにアクセスするァクセス装置であって、装着された前記半導体メモリ力一ドのアクセス性能に関する情報を前記半導体メモリカードから取得するカード情報取得部と、前記アクセス装置が前記半導体メモリカードにアクセスする際に使用可能なァクセス条件に関する情報と、半導体メモリカードに求めるアクセス速度に関する情報を格納するカード使用条件格納部と、前記カード情報琅 ίί部が取得した前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報と、前記カード使用 -条件格納部に格納された情報から、アクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、前記アクセス条件決定部が決定したアクセス条件を取得し、前記ァクセス条件に適合したファイルアクセスを行うファイルシステム制御部と、前記ファイルシステム制御部からのアクセス要求に応じて前記半導体メモリカードにアクセスするアクセス制御部と、を具備することを特徴とする。更に本発明によるアクセス方法は、複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位であるブロックとしてグループ化されており、格納されたデ一夕がファイルシステムにより管理されている半導体メモリカードにアクセスするアクセス方法であって、装着された前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を前記半導体メモリカードから取得するカード情報取得ステップと、前記半導体メモリカードにアクセスする際に使用可能なアクセス条件に関する情報と、半導体メモリカードに求めるアクセス性能に関する情報を格納するカード使用条件格納ステップと、前記力一ド情報取得ステップが取得した前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報と、前記カード使用条件格納ステップで格納した情報から、ァクセス条件を決定するァクセス条件決定ステップと、前記アクセス条件決定ステップで決定したアクセス条件を取得し、前記アクセス条件に適合したファイルアクセスを行うフアイルシステム制御ステップと、前記ファイルシステム制御ステップからのァクセス要求に応じて前記半導体メモリカードにアクセスするアクセス制御ステップと、を具備することを特徴とする。

本発明によれば、格納したデータをファイルシステムにより管理している半導体メモリカード、及び半導体メモリ力一ドにアクセスするアクセス装置において、半導体メモリカード内に半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を保持し、その情報を基にアクセス装置側、半導体メモリカード側のい.ずれか、あるいは両者の処理を最適化することにより、半導体メモリ力一ドに対する高速アクセスを実現することができる。 '

-図面の簡単な説明

図 1は本発明の実施例 1に於ける半導体メモリカード、及びアクセス装置を示した説明図である。

図 2は本発明の実施例 1に於ける消去ブロックとセクタとの関係例を示した説明図である。

図 3は本発明の実施例 1に於ける半導体メモリカードへの消去プロック倍数長のデータ書き込み処理を示したフローチャートである。

図 4は本発明の実施例 1に於ける半導体メモリ.カードへの 1セクタ分のデ一夕書き込み処理を示したフローチャートである。

図 5は本発明の実施例 1に於ける 2枚のフラッシュメモリを使用した半導体メモリカードの構成例を示した説明図である。

図 6は本発明の実施例 1に於ける 2枚のフラッシュメモリを使用した半導体メモリカードのアクセスタイミング例を示した説明図である。

図 7は本発明の実施例 1に於けるカード情報格納部に格納される情報を示した説明図である。 .

図 8は本発明の実施例 1に於ける第 1の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチヤ一トである。

図 9は本発明の実施例 1に於ける第 1の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートの一部である。

図 1 0は本発明の実施例 1に於ける第 1の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートの他の一部である。

図 1 1は本発明の実施例 1に於ける第 1の方法に関するアクセス条件、ァクセス速度値の一例を示した説明図である。

図 1 2は本発明の実施例 1に於ける第 2の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチヤ一卜である。

図 1 3は本発明の実施例 1に於ける第 2の方法に関する半導メモリカード内部処理を示したフローチャートである。

図 1' 4は本発明の実施例 1に於ける第 2の方法に関するアクセス条件、ァクセス速度値の一例を示した説明図である。

図 1 5は本発明の実施例 1に於ける第 3の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチャートである。

図 1 6は本発明の実施例 1に於ける第 3の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートである。

図 1 7は本発明の実施例 1に於ける第 4の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチャートである。

図 1 8は本発明の実施例 1に於ける第 4の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートである。

図 1 9は本発明の実施例 1に於ける第 5の方法に関する速度性能レベル判定基準例を示した説明図である。

図 2 0は本発明の実施例 1に於ける第 6の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートである。図 2 1は本発明の実施例 1に於ける第 7の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチヤ一卜である。

図 2 2は本発明の実施例 1に於ける第 7の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートである。

図 2 3は本発明の実施例 1に於ける第 7の方法に関するアクセス性能基礎情報表例を示した説明図である。

図 2 4は本発明の実施例 1に於ける第 7の方法に関するリード処理、ライト処理におけるアクセス装置と半導体メモリカード間のアクセス夕イミング例を示した説明図である。

図 2 5は本発明の実施例 1に於ける第 7の方法に関するィレース処理におけるアクセス装置と半導体メモリ力一ド間のアクセスタイミング例を示した説明図である。 ' '

図 2 6は本発明の実施例 1に於ける第 8の方法に関する単位時間あたりに処理可'能なデ一タサイズを用いたアクセス性能表例を示した説明図である。図 2 7は本発明の実施例 1に於ける第 8の方法に関する単位サイズのデ一夕処理に必要な時間を用いたアクセス性能表例を示した説明図である。図 2 8は本発明の実施例 1に於ける第 8の方法に関するアクセス性能表例を示した説明図である。

図 2 9は本発明の実施例 1に於ける第 8の方法に関するアクセス装置内部処理を示したフローチャートである。

図 3 0は本発明の実施例 1に於ける第 8の方法に関する半導体メモリカード内部処理を示したフローチャートである。

図 3 1は本発明の実施例 2に於ける F A Tファイルシステムの構成を示した説明図である。

図 3 2は本発明の実施例 2に於ける F A Tファイルシステムのデータ格納例を示した説明図である。

図 3 3は本発明の実施例 2に於ける F A Tファイルシステムのデータ書き込み処理を示したフローチャートである。

図 3 4は本発明の実施例 2に於ける F A Tファイルシステムのデータ書き込み前の状態を示した説明図である。

図 3 5は本発明の実施例 2に於ける F A Tファイルシステムのデータ書き込み後の状態を示した説明図である。

図 3 6は本発明の実施例 2に於ける F Sアクセス単位取得処理を示したフローチャー卜である。

図 3 7は本発明の実施例 2に於ける第 1の方法に関する F Sアクセス単位を用いたフォーマツト後のファイルシステムの構成例を示した説明図である図. 3 8は本発明の実施例 2に於ける第 2の方法に関する F Sアクセス単位を用いたファイルデータ書き込み処理を示したフローチャートである。図 3 9は本発明の実施例 2に於ける第 2の方法に関するデータ配置例を示した説明図である。

図 4 0は本発明の実施例 2に於ける第 3の方法に関する F Sアクセス単位を用いたディレクトリ領域割り当て処理を示したフローチャートである。図 4 1は本発明の実施例 2に於ける第 3の方法に関する F Sアクセス単位を用いたディレクトリ領域割り当て処理を示したフローチャートである。図 4 2は本発明の実施例 2に於ける第 3の方法に関するデータ配置例を示した説明図である。 ·

図 4 3は本発明の実施例 2に於ける第 4の方法に関する F Sアクセス単位を用いたデフラグ処理前のデータ配置例を示した説明図である。

図 4 4は本発明の実施例 2に於ける第 4の方法に関する F Sアクセス単位を用いたデフラグ処理後のデ一夕配置例を示した説明図である。

図 4 5は本発明の実施例 2に於ける第 5の方法に関する F Sアクセス単位を用いた残り空き領域長取得処理を示したフローチャートである。

図 4 6は本発明の実施例 2に於ける第 5の方法に関するデータ配置例を示した説明図である。

図 47は本発明め実施例 2に於ける半導体メモリカード制御 L S Iを用いたアクセス装置の他の例を示した説明図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明による半導体メモリカード、アクセス装置及びアクセス方法の実施例について、図面を参照しつつ説明する。

(実施例 1 )

• 図 1は本発明の実施例 1による半導体メモリカードとアクセス装置を示すブロック図である。図 1においてアクセス装置 1 00は、 C PU 1 0 1、 R AM 102、スロット 1 03、 ROM1 04を含む。 ROM104にはァクセス装置 100を制御するプログラムが格納されている。 C P(j 1 0 1はこのプログラムに従い、 RAM 1 02を一時記憶領域として使用して動作する制御部である。スロット 1 0 3は、半導体メモリカード 1 1 1とアクセス装置 1 00との接続部である。制御信号及びデータはスロット 1 03を経由してアクセス装置 1 00と半導体メモリカード 1 1 1間で送受信される。更に ROM 1 04は、アプリケーションプログラム 1 05、ファイルシステム制御部 106、アクセス条件決定部 1 07、カード情報取得部 108、ァクセス制御部 1 09、カード使用条件を格納する条件格納部 1 1 0を含む。一方、半導体メモリカード 1 1 1は、ホストインターフェース（ I ZF) 部 1 12、 CPU 1 1 3、 RAM 1 14, ROM 1 1 5, メモリコントローラ 1 16、不揮発性メモリ 1 1 7、第 1のメモリ 1 1 8、第 2のメモリ 1 1 9を含む。ホストインターフェース部 1 1 2は、アクセス装置 1 00と制御信号及びデータを送受信するインタ一フェースである。 ROM1 1 5には半導体メモリカード 1 1 1を制御するプログラムが格納されており、 RAMI 14を一時記憶領域として使用し、 CPU 1 1 3上で動作する。メモリコントロ一ラ 1 1 6は半導体メモリカード 1 1 1内のデータ記憶領域である不揮発性メモリ 1 1 7を制御する素子である。不揮発性メモリ 1 1 7は、ァドレス管理情報 1 3 0とユーザデータ 1 3 1とを含む。ァドレス管理情報 1 3 0 は不揮発性メモリ 1 1 7内の物理ァドレスとアクセス装置 1 0 0がアクセスに使用する論理ァドレスとの対応を管理した表である。ユーザデータ 1 3 1 はユーザが半導体メモリカード 1 1 1に記録したデータである。第 1のメモリ 1 1 8は更新可能な不揮発性メモリであり、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能に関する情報を格納するカード情報格納部 1 3 2を含む。第 1 のメモリ 1 1 8はカード情報格納メモリとして使用される。第 2のメモリ 1 1 9は更新可能な不揮発性メモリであり、半導体メモリカード 1 1 1にァクセスするアクセス装置 1 0 0に関する情報を格納するホスト情報格納部 1 3 3を含む。

続いて、半導体メモリカード 1 1 1のデータの記録素子であ ¾不揮発性メモリ 1 1 7に使用する半導体メモリの特徴について説明する。不揮発性メモリ 1 1' 7に用いられる半導体メモリは、 E E P R O Mあるいはフラッシュ R O Mと呼ばれる不揮発性メモリ（以下、フラッシュメモリという）を情報記録用の素子として使用している。多くの情報記録媒体で使用される N A N D 型のメモリには、データを書き込む前に一旦書き込み先に記録されているデ —夕を消去して、未記録の状態に戻してからデ一夕を書き込まなければならないという特徴がある。

ここでデータを消去する単位は消去ブロックと呼ばれ、アクセスの最小単位であるセクタ（例えば 5 1 2バイト）が複数個.集まったブロックとして管理されている。各消去ブロックは通常、 2 ^! ( iは 0以上の整数）個の複数のセクタが連続する領域がデータ消去の最小単位である消去ブロックとしてグループ化されている。

図 2はフラッシュメモリ F Mにおける消去ブロックとセクタとの関係の一例を示した図である。図 2の例では、消去ブロック E Bは 0〜（N— 1 ) までの Nブロックから成り、 1消去ブロックは例えば 1 2 8 K Bとする。 1つの消去プロックは 256セクタから構成されており、 P SN=0〜（N— 1 ) X 2 56 + 2 55までの一連の物理セクタ番号 P S Nが付されている。ァクセスはセクタ単位で行うことが可能であるが、書き込みに先立ち必要となるデータの消去処理は消去ブロック（1 28 KB) 単位で行われる。

この半導体メモリカード 1 1 1におけるデータ消去、書き込み理の例を、図 3、図 4を用いて説明する。図 3では、書き込み処理の例として、消去ブロック倍数長のデータを書き込む場合における半導体メモリカード 1 1 1内部の処理手順を示す。

• 図 3におけるデータ記録処理では、先ずアクセス装置 1 00から送信されたコマンドと引数を、ホストインターフェース部 1 1 2を介して受信する（ S 3.0 1) 。次に、受信したコマンドを参照し、自身が認識できない不正コマンドか否かを判定する（S 302 ) 。不正コマンドの場合、' クセス装置 1 00にエラ一を通知して処理を終了する（S 303 ) 。認識可能なコマンドの場合、そのコマンドが書き込みコマンドであるか判定する（S 304) 。書き込みコマンド以外の場合、各コマンドに対応した他の処理を実施する (S 30 5 ) 。書き込みコマンドの場合、引数に格納された書き込み位置、書き込みサイズの情報から、実際にフラッシュメモリにデータを書き込む消去ブロックの物理アドレスを決定する（S 306 ) 。次に、書き込みに先立ち、メモリコントローラ 1 1 6を介して、フラッシュメモリに存在する S 3 06で決定した消去ブロックに存在するデータを消去する（S 307 ) 。次に、アクセス装置 100から 1セクタ分のデータを、ホストインタ一フエ一ス部 1 1 2を介して受信する（S 308) 。データの受信を完了すると、受信した 1セクタ分のデータを、メモリコント口一ラ 1 16を介して、フラッシュメモリへ書き込む（S 309) 。こうして S 308、 S 30 9のデータ受信、書き込み処理を、 1消去ブロック分のデータ書き込みが完了するまで繰り返し実施する（S 3 10) 。 S 306から S 3 1 0までの 1消去プロック分のデータ書き込み処理を、アクセス装置 1 00から指定された書き込みサイズ分のデータ書き込みが完了するまで繰り返し実施する 3 1 1) 。アクセス装置 1 00から指定された書き込みサイズ分のデータ書き込みが完了した場合、処理を終了する。

次に図 4は 1セクタのデータを書き込む場合における半導体メモリカード 1 1 1内部の処理手順を示す。図 4におけるデータ記録処理において、図 3 の処理と異なる点は、 S 41 0において書き込みを行う消去ブロックに含まれるデータのうち、アクセス装置 1 00からデータを受信する 1セクタ以外のデータを、 S 406で決定した消去ブロックに書き込む点である。 NAN D型のメモリでは、デ一タ書き込みに先立ち一旦データを消去する必要があり、この消去処理は消去ブロック単位でしか行えない。そのため 1セクタのデータを書き込む場合でも、 1消去ブロック分のデ一夕を消去し、更に S 4 1 0の処理のように同じ消去プロックに含まれる既存データ新しい消去ブロックに書き戻す必要がある。

図 3'、図 4で示したようにデータ記録処理では、大きく分けてコマンド解釈処理、データ消去処理、データ書き込み処理の 3つの処理が存在する。例えば、コマンド解釈のオーバーヘッドに 3m秒、 1セクタの書き込み処理に 200 秒、 1消去ブロック（例えば 1 28 KB) の消去処理に 2m秒かかるフラッシュメモリを想定する。このフラッシュメモリに対して 1消去ブロック（1 28 KB) 分のデータの書き込みでは図 3に示す処理が実行され、コマンド解釈に 3 m秒、消去処理に 2 m秒、書き込み処理に 2 56 X 200 秒かかり、合計 56. 2m秒となる。同様に 1セクタ（5 1 2 B) 分のデ一夕の書き込みでは、図 4に示す処理が実行され、コマンド解釈に 3m秒、消去処理に 2m秒、書き込み処理に 200 ^秒 + 2 55 X 200 ^秒かかり、合計 56. 2m秒となる。すなわち、 1 28 KBのデータを書き込んだ場合と 51 2 Bのデータを書き込んだ場合で同じ時間がかかることになる。この例ではデータ転送時間などを考慮せず極端に性能差が出る場合について説明したが、実際のフラッシュメモリにおいても消去ブロック単位で書き込みを行った場合に書き込み時間が短くなる。

また、半導体メモリカード 1 1 1では、記録素子として複数枚のフラッシュメモリを使用する場合がある。図 5は、不揮発性メモリ 1 1 7に 2枚のフラッシュメモリ FM0， FM1を使用した半導体メモリカード 1 1 1の構成例を示した図である。図 5に示す 2枚のフラッシュメモリは、 0— 0〜1— (N— 1) までの各消去ブロックが 256セクタで構成されており、 2枚のフラッシュメモリに存在する各セクタには、 256セクタ単位で 2枚のフラッシュメモリが交互に入れ替わるように昇順の物理セクタ番号 P S Nが付与されている。この複数枚のフラッシュメモリから成る不揮発性メモリ 1 1 7 を有する半導体メモリカード 1 1 1の場合、複数枚のフラッシュメモリに対して並列に読み書き処理を行うことで、高速アクセスを実現することができる。例えば図 5の例においては、物理セクタ番号 P SN0から P SN 5 1 1 までの 5 1 2セクタにデータを書き込む際に、消去ブロック EB 0— 0、 EB 1—0の 2つの消去ブロックに対し並列にデータを書き込むことで、高速にデータを書き込むことができる。

図 6は、この半導体メモリカード 1 1 1に対して書き込み時のタイミングを示すものであり、図 6 (a) は 1消去ブロックの書き込み時、図 6 (b) は 2消去ブロック並列書き込み時のタイミングの一例を示す。図 6において T 1は、 1消去ブロックの書き込み処理にかかる時間を表す。また、 T 1 ' +T 2 ' は 2消去ブロックの並列書き込み処理にかかる時間を表す。すなわち、 1消去プロックずつ 2回に分けてデータを書き込んだ場合の書き込み処理時間は T 1 X 2となり、 2消去ブロックの並列書き込みを行った場合の書き込み処理時間は T l ' +T2 ' となる。 T 1 ' はフラッシュメモリに対する書き込みを伴わない処理にかかる時間であり、ごく僅かな時間となる。また、 T2 ' は 2枚のフラッシュメモリを並列に書き込む処理にかかる時間であり、 1枚のフラッシュメモリに書き込む T 1の処理に比べ多少時間はかかるものの、 T 1の 2倍の時間まではかからない。そのため、図 6の例では半導体メモリカード 1 1 1に対し 2消去ブロック単位で書き込だ場合に書き込み時間が最短となる。

すなわち、半導体メモリカード 1 1 1への書き込み時間は、消去ブロックの大きさだけに依存するのではなく、半導体メモリカード 1 1 1に使用するフラッシュメモリの枚数、フラッシュメモリの管理方法などにも依存する。更には半導体メモリカード 1 1 1の世代や製造者の違いにより、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能は異なる。

そのため、本実施例では、半導体メモリカード 1 1 1毎に異なるアクセス性能に関する情報を半導体メモリカード 1 1 1内に保持し、アクセス装置 1 0 0が取得できるようにする。これにより、アクセス装置 1 0 0が各半導体メモリカード 1 1 1に最適なアクセス方法を認識し、半導体メモリカード 1 1 1に高速にアクセスできるようにしている。 ' '

続いて、本実施例におけるカード情報格納部 1 3 2について詳細に説明す -る。カード情報格納部 1 3 2は、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能に関する情報を格納する記憶部である。図 7は、カード情報格納部 1 3 2に格納される情報の一例を示した図であり、第 1〜第 5の情報の少なくともいずれかが格納される。以下、情報の種別毎に各項目について説明する。カード情報に含まれる第 1の情報は、半導体メモリカード 1 1 1内部の物理特性に関する情報である。この情報には、例えば半導体メモリカード 1 1 1に使用するフラッシメモリの種別、メモリの使用枚数、メモリへの並列書き込みの有無などの半導体メモリの管理方法、フラッシュメモリの消去ブロックサイズ、半導体メモリカード 1 1 1内の管理ブロックサイズ、温度条件、消費電力量、電流値、電圧値、カード種別情報などが含まれる。カード種別情報は半導体メモリカード 1 1 1が準拠する規格のパージヨンゃサポー卜するコマンドセットなどカードの種類を判別するための情報である。これらの情報は、並列書き込みによる処理効率化に影響を及ぼすフラッシュメモリの枚数や、半導体メモリカード 1 1 1に対する最適な処理単位サイズに影響を及ぼす消去ブロックサイズなど、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能を決定する上で基礎となる情報を含む。管理ブロックサイズは図 2に示すように 1枚のフラッシュメモリから成る場合は消去プロックサイズと同一であり、図 5に示すように 2枚のフラッシュメモリから成る場合には同時に消去によって最も速度が早くなるサイズ、即ち消去ブロックサイズの 2倍となる。更に多数のフラッシュメモリを並列で使用する場合には並列数 X消去プロックサイズとなる。尚第 1の情報としてはこれらの少なくとも 1つの情報を含むものであればよい。

カード情報に含まれる第 2の情報は、アクセス装置 1 0 0から半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際のアクセス条件に関する情報である。この情報には、処理種別、処理単位サイズ、処理単位境界、処理単位時間、ァクセス方法、シーケンシャルアクセス（図では単に S Aという） ' tl の最低連続領域サイズ、入力クロック周波数、ピット幅などが含まれる。処理種別とは , 半導 #：メモリカード 1 1 1に対する処理の種別を示し、リード処理、ライト処理、ィレース処理などが存在する。更にライト処理には既にデータが書き込まれている位置にデータを上書きする場合に必要となるィレース処理を含む書き込み処理と、データが存在しない位置にデータを書き込むだけの処理の 2種類が存在する。処理単位サイズは、半導体メモリカード 1 1 1に対する 1回の処理のサイズである。処理単位境界は、処理開始位置を示す情報である。処理単位境界は処理単位サイズ内の処理によって最も速度が早くなる境界を示し、処理単位サイズの境界と一致している場合や、その中間地点からの処理も許容する場合等が含まれる。処理単位境界は、例えば処理単位サイズが 1 2 8 K Bの場合、その処理単位サイズと一致する場合には 1 2 8 K B、その中間からの処理も可能な場合には 6 4 K Bのように表現される。先に説明したように、半導体メモリカード 1 1 1に対する最適な処理単位サィズゃ処理単位境界は、半導体メモリカード 1 1 1内部で並列処理されるフラッシュメモリの枚数や管理方法、消去ブロックサイズなどに依存する。すなわち、半導体メモリカード 1 1 1内部でフラッシュメモリが並列処理されない場合は、フラッシュメモリの消去プロックサイズと処理単位サイズが同一である。このとき処理単位境界がこれらと同じ場合、効率的に半導体メモリカード 1 1 1にアクセスすることが可能である。一方、複数枚のフラッシュメモリが並列処理されている場合は、並列処理の管理ブロックサイズと処理単位サイズ、処理単位境界が同じ場合に、効率的にアクセスすることが可能となる。また、半導体メモリカード 1 1 1に最適な処理単位境界が処理単位サイズの倍数長となる場合、処理単位境界を省略し、処理単位サイズを用いて境界を決定することも可能である。

処理単位時間は、アクセス性能を表現する際に性能値の測定基準となる単位時間を示す情報である。アクセス方法は、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際のァドレス指定条件を示じ、'連続領域にアクセスを行うシーケンシャルアクセス（S A) 、不連続領域にアクセスを -行うランダムアクセス ( R A ) などが存在する。フラッシュメモリが並列処理されている半導体メモリカード 1 1 1において、並列処理が可能な管理ブロックサイズ単位で処理を行わず、消去ブロック単位などの更に小さな単位に分割して処理を行った場合でも、連続した領域に対してシーケンシャルに処理が行われれば、フラッシュメモリの管理方法によっては、ある程度高速な処理が行える。そのため、シーケンシャルアクセス時の最低連続領域サイズは、シーケンシャルアクセス時に高速アクセスするために必要な最低連続領域の大きさを示す。入力クロック周波数は、アクセス装置 1 0 0と半導体メモリカード 1 1 1間のコマンドやデータの送受信における基本クロックの周波数を示す情報である。ピット幅は、アクセス装置 1 0 0と半導体メモリカード 1 1 1間のデータ転送に使用する信号線のビット数を示す情報であり、例えば 1ビット、 4ビットなどである。尚第 2の情報としてはこれらの少なくとも 1つの情報を含むものであればよい。

力一ド情報に含まれる第 3の情報は、半導体メモリカード 1 1 1のァクセス速度に関する情報である。この情報には、半導体メモリカード 1 1 1の速度性能レベル、単位時間に処理可能なデータサイズ、単位サイズの処理を行う際にかかる時間、転送レート、カード内部の処理時間などが含まれる。速度性能レベルは、例えばフラッシュメモリカードの速度制御を例えば高速、中速、低速などフラグを用いて表現したものである。又単位サイズの処理を行う際にかかる時間は、例えばリード処理、ライト処理、ィレース処理などの各処理時間毎に平均値や最悪値を含むことができる。単位時間に処理可能なデータサイズ、単位サイズ当たりの処理時間は、後述するアクセス性能表としてデータを保持するようにしてもよい。更に転送レートについても後述するように、リード処理、ライト処理、ィレース処理の夫々の平均値や最悪値を含むことができる。又カード内部処理時間は後述するように、アクセス性能基礎情報表として記憶させておくことができる。これらめ檜報はいずれも半導体メモリカード 1 1 1のアクセス速度を表現する情報であり、表現方 _法のみが異なる。更に、これらアクセス速度に関する情報は先に説明した第 1の情報、第 2の情報と密接に関係している。例えば、入力クロック周波数が低い場合、半導体メモリカードに入出力するデータの転送速度が低くなり

、結果として半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能が低くなる。また、半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする処理単位サイズが小さければ、消去ブロック単位でのアクセスが行えなかったり、並列処理の効果が得られないなどの理由により、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス速度が低くなる。このように第 3の情報であるアクセス速度に関する情報は、第 1の情報、第 2の情報に関連付けられた情報が格納されている。尚第 3の情報としてはこれらの少なくとも 1つの情報を含むものであればよい。

カード情報に含まれる第 4の情報は、半導体メモリカード 1 1 1の異常系処理に関する情報である。この情報には、リード、ライトなどの各処理におけるエラー発生確率、アクセス装置 1 0 ひがコマンドを半導体メモリカード 1 1 1に発行してからエラ一通知を受けるまでの時間の最悪値が含まれる。これらの情報は、アクセス装置 1 0 0が異常系処理のために^要とするバッファサイズの見積りなどを行う際に使用される。尚第 4の情報としてはこれらの少なくとも 1つの情報を含むものであればよい。

カード情報に含まれる第 5の情報は、半導体メモリカード 1 1 1のァクセス性能に関するその他の情報である。この情報には、速度性能レベル判定基準、速度性能レベル、消費電力量レベルが含まれる。第 5の情報としてはこれらの少なくとも 1つの情報を含むものであればよい。これらの情報の詳細は以下で説明する。

- 図 7では、カード情報格納部 1 3 2に含まれる可能性のある情報として、以上 5種類の情報を挙げたものである。カード情報格納部 1 3 2はこれらの全ての情報を格納してもよい。あるいはカード情報格納部 1 3 2はアクセス装置 1 0 0と半導体メモリカード 1 1 1間で最適なアクセスも行うために必要な情報を選択して格納してもよい。このうち特に本願の特徴的なカード情報は第 2のアクセス条件に関連する情報、及び第 3のアクセス速度に関連する情報である。

実施例 1の主眼とする所は、図 7に示すような半導体メモリカード 1 1 1 のアクセス性能に関する情報を半導体メモリカード 1 1 1内部に保持し、その情報の一部、あるいは全てをアクセス装置 1 0 0が取得できるようにし、アクセス装置 1 0 0から半導体メモリカード 1 1 1に対して最適なアクセスを行えるようにする点である。以下では、半導体メモリカード 1 1 1に対して最適なアクセスを行うために、アクセス装置 1 , 0 0が半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能を知る第 1〜第 8の方法を説明する。

第 1の方法は、アクセス装置 1 0 0からの要求に応じ、半導体メモリカード 1 1 1に最適にアクセスするためのアクセス条件、アクセス速度の情報を半導体メモリカード 1 1 1が返す方法であるこの方法について図 8〜図 1 1 を用いて説明する。図 8は本方法におけるアクセス装置 ί 0 0側の取得手順を示した図、図 9，図 1 0は半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順を示した図であり、図 1 1は結果として半導体メモリカード 1 1 1がアクセス装置 1 0 0に返すアクセス条件、アクセス速度情報の一例を示した図である。まず始めに図 8を用いてアクセス装置 1 0 0側の処理手順を説明する。図 8において、先ずアクセス装置 1 0 0は半導体メモリカード 1 1 1に対し、半導体メモリカード 1 1 1のカード種別情報を取得するために力ド種別取得コマンドを発行する（S 8 0 1 ) 。次に、発行したコマンドにより半導体メモリカード 1 1 1からカード種別情報が取得できたか判定する（S 8 0 2 ) 。取得に失敗した場合、エラ一が発生したと判断し処理を終了する（S 8 0 3 ) 。取得に成功した場合、取得した情報を基に、半導体メモリカード 1 1 1に最適にアクセスするためのアクセス条件と、その際のアクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1から取得するコマンド（最適アクセス情報取得コマンド）に対応した半導体メモリ力一ド 1 1 1であるか判^する（S 8 0 4 ) 。対応していない半導体メモリカード 1 1 1であれば、アクセス条件、 -アクセス速度値の取得を中止して処理を終了する（S 8 0 5 ) 。対応している半導体メモリカード 1 1 1であれば、最適アクセス情報取得コマンドを半導体メモリカード 1 1 1に発行する（S 8 0 6 ) 。次に、発行したコマンドにより半導体メモリカード 1 1 1からアクセス条件、アクセス速度値が取得できたか判定する（S 8 0 7 ) 。取得に失敗した場合、エラ一が発生したと判断し処理を終了する（S 8 0 8 ) 。取得に成功した場合、処理を正常終了する。

次に図 9 , 図 1 0を用いて半導体メモリカード.1 1 1側の処理手順を説明する。図 9は、図 8の説明におけるカード種別取得コマンドがアクセス装置 1 0 0から発行された場合における半導体メモリカード 1 1 1側の処理を示した図である。図 9の半導体メモリカード 1 1 1側の処理において、先ず半導体メモリカード 1 1 1はアクセス装置 1 0 0からコマンドを受信する（S 9 0 1 ) 。次に、受信したコマンドを参照し、自身が認識できない不正コマンドか否かを判定する（S 9 0 2 ) 。不正コマンドの場合、アクセス装置 1 0 0にエラ一を通知して処理を終了する（S 9 0 3 ) 。認識可能なコマンドの場合、そのコマンドがカード種別取得コマンドであるか判定する（S 9 0 4 ) 。カード種別取得コマンド以外の場合、各コマンドに対応した他の処理を実施する（S 9 0 5 ) 。カード種別取得コマンドの場合、カード情報格納部 1 3 2からカード種別情報を読み出す（S 9 0 6 ) 。最後に読み出した力ード種別情報をアクセス装置 1 0 0に送信し処理を終了する（S 9 0 7 ) 。

図 1 0は、図 8の説明における最適アクセス情報取得コマンドがアクセス装置 1 0 0から発行された場合における半導体メモリカード 1 1 1側の処理を示した図である。図 1 0の処理において、半導体メモリカード 1 1 1はァクセス装置 1 0 0からコマンドを受信する（S 1 0 0 1 ) 。次に、受信したコマンドを参照し、自身が認識できない不正コマンドか否かを判定する（S

1 0 0 2 ) 。不正コマンドの場合、アクセス装置 1 0 0にェ一を通知して処理を終了する（S 1 0 0 3 ) 。認識可能なコマンドの場合、そのコマンド

-が最適アクセス情報取得コマンドであるかを判定する（S 1 0 0 4 ) 。最適アクセス取得コマンドでなければ他の処理を実施し（S 1 0 0 5 ) 、このコマンドであった場合に S 1 0 0 6において、半導体メモリカード 1 1 1に最適にアクセスするためのアクセス条件と、その際のアクセス速度値をカード情報格納部 1 3 2から読み出す。そして S 1 0 0 7において、読み出したァクセス条件、アクセス速度値をアクセス装置 1 0 0に送信する。

このように図 8〜図 1 0に記載した処理手順により、アクセス装置 1 0 0 は半導体メモリカード 1 1 1から、半導体メモリカード 1 1 1に最適にァクセスするためのアクセス条件と、その際のアクセス速度値を取得することが可能となる。図 1 1 ( a ) は、このアクセス条件を示した図、図 1 1 ( b ) はアクセス速度値の一例を示した図である。アクセス条件は図 1 1 ( a ) に示すように、処理単位サイズや処理単位境界、アクセス方法、入力クロック周波数、ビット幅など、半導体メモリカード 1 1 1に最適にアクセスするためにアクセス装置 1 0 0が従うべき条件を示した情報である。ここでは例えば処理単位サイズは 1 28 K Bの倍数長、処理単位境界は 1 28KBの倍数長、アクセス方法は 2 56 KB以上の連続領域にシーケンシャルアクセスするものとし、入力クロック周波数は 25MHz以上、ビット幅は 4ビットとしている。またアクセス速度値は図 1 1 (b) に示すように、リード、ライト、ィレースの各処理における転送レ一卜の平均値、最悪値など、先のァクセス条件に従ったアクセスをアクセス装置 1 00が行った場合の処理性能を示した情報である。これらの情報を半導体メモリ力一ド 1 1 1から取得することで、アクセス装置 1 00はその半導体メモリカード 1 1 1に最適にァクセスするにはどのようにアクセスしたら良いか、またその場合にどの程度のアクセス性能が得られるかを認識することができる。これにより半導体メモリカード 1 1 1の特性に応じた最適なアクセスを実現することができる。続いて第 2の方法として、アクセス装置 1 00がアクセス条件を半導体メモリカード 1 1 1に入力し、アクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1が返す方法について、図 1 2、図 1 3、図 14を用いて説明する。図 1 2は、本方法におけるアクセス装置 1 00側の処理を示す図である。図 1 2に示すアクセス装置 1 00側の処理手順において、図 8に示す第 1の方法の場合と同様に、カード種別取得コマンドを発行し（S 1 20 1) 、これが成功しなければエラ一終了する（S 1 202, S 1 203) 。これが成功すれば、 S 1 204においてアクセス速度値取得コマンド対応カードかどうかをを判別する。このコマンドに対応していなければアクセス速度値の取得を中止し（ S 1 20 5 ) 、このコマンドに対応していれば、ステップ S 1 206においてアクセス速度値取得コマンドを発行する。アクセス速度値の取得に成功したかどうかを判断し（ステップ S 1 207 ) 、成功しなければエラ一終了し (S 1208 ) 、取得すれば正常終了する。本方法ではアクセス装置 100 がアクセス条件を半導体メモリカード 1 1 1に入力するため、アクセス速度値取得コマンドはアクセス条件を引数にもつコマンドとなる。

次に、半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順について図 1 3を用いて説明する。図 13は、図 12の説明におけるアクセス速度値取得コマンドがァクセス装置 100から発行された場合における半導体メモリカード 1 1 1側の処理を示した図である。図 1 3の処理を開始すると、 S 1 30 1においてコマンドを受信し、不正コマンドかどうかを判別し、不正コマンドであればエラー終了する（S 1 302， S 1 303 ) 。不正コマンドでなければァクセス速度値取得コマンドかどうかを判定し（S 1 304) 、このコマンドでなければ他の処理を実施する（S 1 305) 。アクセス速度値取得コマンドであれば半導体メモリカード 1 1 1はアクセス条件、アクセス速度値をカード情報格納部 1 32から読み出す（S 1 306 ) 。次に、読み出したァクセス条件とそれに対応するアクセス速度値を参照し、アクセス装置 1 00がコマン.ドの引数で指定したアクセス条件に合致するアクセス速度値が存在するか判定する（S 1 307 ) 。存在しない場合、アクセス装置 i 00にエラーを通知して処理を終了する（S 1 308, S 1 309) 。存在する場合、該当するアクセス速度値をアクセス装置 1 00に送信し、処理を終了する（S 1 3 10 ) 。

このように図 12、図 1 3に記載した処理手順により、アクセス装置 1 0 0は半導体メモリカード 1 1 1にアクセス条件を入力し、その条件に応じたアクセス速度値を取得することが可能となる。

図 14 (a) はアクセス装置 1 00が半導体メモリカード 1 1 1に入力するアクセス条件を示す図、図 14 (b) は半導体メモリカード 1 1 1がァクセス装置 1 00に返すアクセス速度値の一例を示した図である。アクセス装置 1 00が半導体メモリカード 1 1 1に入力するアクセス条件は、例えば図 14 (a) に示すように、処理単位サイズを 1 28 KB、処理単位境界を 1 28 KB, アクセス方法を 2 56 KB連続領域としてシーケンシャルァクセスするものとし、入力クロック周波数 2 5MHz、ビット幅を 4ビットなど、半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際の条件を示した情報である。また図 14 (b) に示すアクセス速度値は図 1 1 (b) と同様の情報であり、アクセス装置 1 0 0が入力したアクセス条件に応じたアクス速度値を示す。このように半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際の条件を入力し、その条件に応じたアクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1から取得することで、想定するアクセス方法により、所望のアクセス性能が得られるかをアクセス装置 1 0 0が判定することが可能となる。 - 次に第 3の方法は、アクセス装置 1 0 0がアクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1に入力し、アクセス条件を半導体メモリカード 1 1 1が返す方法である。この方法について図 1 5、図 1 6を用いて説明する。

• 図 1 5は本方法におけるアクセス装置 1 0 0側の処理手順を示した図である。アクセス装置側の処理は前述した第 2の方法のアクセス装置の動作とほぼ同様であり、ステップ S 1 2 0 6のアクセス速度値取得コマンドの発行に代えて、本方法ではステップ S 1 5 0 6においてアクセス条取得コマンドを発行している。

図 1' 6は本方法における半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順を示した図である。図 1 6の処理手順において、先に説明した第 2の方法と異なる点は、ステップ S 1 3 0 4のアクセス速度値取得コマンドに代えて、ステップ S 1 6 0 4のアクセス条件取得コマンドかどうかを確認し、その後このコマンドであればアクセス速度値を力一ド情報格納部 1 3 2から読み出す（ステップ S 1 6 0 6 ) 。そしてステップ S 1 6 0 7において読み出したアクセス条件からアクセス装置が指定したアクセス速度値に合うアクセス条件が存在するかどうかを判定する。 S 1 6 0 8においてこのようなアクセス条件が存在しなければエラー終了し（S 1 6 0 9 ) 、存在すれば、アクセス条件をァクセス装置に送信して（S 1 6 1 0 ) 、処理を終える。

図 1 5、図 1 6に記載した処理手順により、アクセス装置 1 0 0は半導体メモリカード 1 1 1にアクセス速度値を入力し、その速度値に応じたァクセス条件を取得することが可能となる。本方法における、このアクセス条件、アクセス速度値は、例えば図 1 1 ( b ) に示される情報である。本方法では、このように半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際に要求する性能値を入力し、その性能値を満たすためにアクセス装置 1 0 0が従うべきァクセス条件を半導体メモリカード 1 1 1から取得する。こうすれば、アクセス装置 1 0 0は所望のアクセス性能を満たすためにどのように半導体メモリカード 1 1 1にアクセスすれば良いか認識することができ、所望のアクセス性能でのアクセスを実現することが可能となる。

続いて第 4の方法は、アクセス装置 1 0 0がアクセス条件、アクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1に入力し、入力されたアクセス条件でァクセスした場合に入力されたアクセス速度値を満たすことができるか否かを半導体メモリカード 1 1 -1が返す方法である。この方法について図 1 7、図 1 8 を用いて説明する。

図 1 7は本方法におけるアクセス装置 1 0 0側の処理手順を示した図である。図 1 7において、先に説明した第 1の方法と同様に、カード種別取得コ -マンド'を発行し、この取得に成功すれば最適アクセス可否判定コマンドに対応するカードかどうかを判定する（S 1 7 0 4 ) 。このカードでなければ最適アクセス可否判定を中止し（S 1 7 0 5 ) 、対応カードであればステップ S 1 7 0 6において最適アクセス可否判定コマンドを発行する。本方法ではアクセス装置 1 0 0がアクセス条件とアクセス速度値を半導体メモリカード 1 1 1に入力するため、最適アクセス可否判定コマンドはアクセス条件とァクセス速度値を引数にもつコマンドとなる。判定結果の取得が成功したかどうかを判断し（S 1 7 0 7 ) 、失敗すればエラー終了し（S 1 7 0 8 ) 、成功すれば終了する。このコマンドの結果として半導体メモリカード 1 1 1から得られる情報は、指定したアクセス条件でアクセスした場合に、指定したアクセス速度値が満たされるかどうかの判定結果となる。

次に、図 1 8に示す半導体メモリ力一ド 1 1 1側の処理手順について説明する。第 1の方法と同様に、本方法でもアクセス装置 1 0 0はカード種別取得コマンドを発行するが、半導体メモリカード 1 1 1側の処理は、図 9に示す処理と同じである。図 1 8は、図 1 7の説明における最適アクセス可否判定コマンドがアクセス装置 1 0 0から発行された場合における半導体メモリカード 1 1 1側の処理を示した図である。図 1 8の処理を開始すると、 S 1 8 0 1においてコマンドを受信し、不正コマンドかどうかを判別し、不正コマンドであればエラー終了する（S 1 8 0 2 , S 1 8 0 3 ) 。不正コマンドでなければ最適アクセス可否判定コマンドかどうかを判定し（S 1 8 0 4 ) 、このコマンドでなければ他の処理を実施する（S 1 8 0 5 ) 。最適ァクセス可否判定コマンドであれば、半導体メモリカード 1 1 1はアクセス条件、アクセス速度値をカード情報格納部 1 3 2から読み出す（S 1 8 0 6 ) 。次に、読み出したアクセス条件とそれに対応するアクセス速度値を参照し、ァクセス装置 1 0 0がコマンドの引数で指定したアクセス条件でアクセスした際に、アクセス装置 1 0 0が指定したアクセス速度値が満たき ήるか判定する（S 1 8 0 7 , S 1 8 0 8 ) 。アクセス速度値が満たされる場合、ァクセス装置 1 0 0にアクセス速度値が満たされる旨を通知して処理を終了する（ S 1 8 0 9 ) 。アクセス速度値が満たされない場合、アクセス装置 1 0 0にアクセス速度値が満たされない旨を通知して処理を終了する（S 1 8 1 0 ) このように図 1 7、図 1 8に記載した処理手順によれば、アクセス装置 1 0 0は半導体メモリ力一ド 1 1 1にアクセス条件とアクセス速度値を入力し、その条件で半導体メモリカード 1 1 1にアクセスした場合にアクセス速度値が満たされるか確認することができる。本方法.におけるアクセス条件、ァクセス速度値は、例えば図 1 4に示される情報と同様である。本方法により、アクセス装置 1 0 0は想定するアクセス方法で所望のアクセス性能が満たされるかどうかをアクセスに先立ち認識することができる。

続いて第 5の方法として、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス速度に関連する情報のうち速度性能のレベルを表現するフラグを用いる場合について説明する。このフラグを第 1の方法から第 4の方法に記載されているァクセス速度値の代わりにしてもよく、又図 7に示すようにアクセス速度値内に含めるようにしてもよい。本方法における、アクセス装置 1 0 0、半導体メモリカード 1 1 1間の処理は、第 1の方法から第 4の方法に記載された処理のいずれかの処理を使用する。

5 図 1 9 ( a ) は本方法における速度性能レベル判定基準の一例、図 1 9 ( b ) は判定結果の一例を示した図である。図 1 9 ( a ) で示した速度性能レベル判定基準は、カード情報格納部 1 3 2内の第 5の情報として格納されている。図 1 9 ( a ) に示した速度性能レベル判定基準では、判定に用いる値としてリード、ライ卜、ィレースの各処理における転送レートの平均値を使 10 用しており、本判定基準に基づき、アクセス速度値は値に応じて "高速" 、

"中速" 、 "低速" のいずれかの速度性能レベルが割り当てられる。同様に転送レートの最悪値に関しても速度性能レベル判定基準が存在る。図 1 9 ( b ) の例では、各アクセス速度値に "高速" の速度性能レベルが割り当て .られでいる。

i s 本方法では、このように半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能を数値だけではなく、客観的なレベルに分類し、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1からレベルを取得できるようにしている。そのためアクセス装置 1 0 0は半導体メモリ力一ド 1 1 1のアクセス性能を容易に認識することが可能となる。

20 続いて第 6の方法として、半導体メモリカード 1 1 1の物理特性に関連する情報のうち、消費電力量のレベルを表現するフラグを用いる場合について説明する。このフラグをアクセス装置 1 0 0が半導体メモリ力一ド 1 1 1に入力し、それに対応するアクセス条件及びアクセス速度値を入手する方法について説明する。本方法では、カード情報格納部 1 3 2には消費電力量レべ 25 ルに対応付けられて複数のアクセス条件やアクセス速度についての情報が存在しているものとする。

本方法における、アクセス装置 1 0 0、半導体メモリカード 1 1 1間の処理は、第 1の方法から第 4の方法に記載された処理のいずれかの処理を使用する。ここでは一例として、第 1の方法に適用した場合について説明する。本方法におけるアクセス装置 1 0 0側の処理は、図 8に示した処理手順と同じである。しかしながら S 8 0 6においてアクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1に対して発行する最適アクセス情報取得コマンドの引数として、消費電力量のレベルを表現する消費電力量レベルを付加する点が異なる

。消費電力量レベルは、半導体メモリカード 1 1 1が消費する電力量の大小を複数のレベルに分割し表現したものであり、例えば "消費電力大" 、 "消費電力中" 、 "消費電力小" の 3段階で表現するなどの方法を取る。

次に、図 2 0に示す半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順について説明する.。この方法においても S 2 0 0 1〜 2 0 0 5までの処理は図 1 0に示す半導体メモリカード 1 1 1側の S 1 0 0 1〜S 1 0 0 5の処通と同様である。最適アクセス情報取得コマンドであれば、 S 2 0 0 6において、アクセス装置 1' 0 0から発行された最適アクセス情報取得コマンドの引数に指定された消費電力量レベルが有効な値であるか判定する。有効でなければエラー処理を行う（S 2 0 0 7 ) 。有効であれば S 2 0 0 8において、指定された消費電力量レベルにおいて最適にアクセスするためのアクセス条件、アクセス速度値をカード情報格納部 1 3 2から読み出す。そして読み出した情報をァクセス装置 1 0 0に送信して処理を終える（S 2 0 0 9 ) 。すなわち、本方法では、カード情報格納部 1 3 2に格納された情報が消費電力量レベルに対応付けられて複数存在していることを想定しており、アクセス装置 1 0 0から指定された消費電力量レベルに応じた情報を選択してアクセス装置 1 0 0 に送信する。

本方法では、このように半導体メモリカード 1 1 1からアクセス速度に関する情報を取得する際に、アクセス装置 1 0 0が想定する消費電力量のレべルを表現する値を半導体メモリカード 1 1 1に指定し、指定した消費電力量で半導体メモリカード 1 1 1が動作した際のアクセス速度に関する情報をァクセス装置 1 0 0が取得する。これにより、例えばアクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1を低消費電力で駆動させたい場合に、必要となるァクセス条件や、その際のアクセス速度値を認識することが可能となる。

尚、ここでは第 1の方法と同様に、電力量のフラグを半導体メモリカード 1 1 1に入力し、これに対応するアクセス条件とアクセス速度を得るようにしているが、第 2の方法に示すようにアクセス条件に加えて、消費電力量のレベルをメモリ力一ドに示し、これに応じたアクセス速度を得るようにしてもよい。又第 3の方法に示されるように、アクセス速度に加えて電力量レべルを示すフラグを半導体メモリカード 1 1 1に入力し、これに対応するァクセス条件を得るようにしてもよい。更に第 4の方法に示されるように、ァクセス.条件、アクセス速度に加えて消費電力量を示すフラグを入力し、この条件を満たすかどうかの結果を半導体メモリカード 1 1 1より侮るようにしてもよい。

続いて第 7の方法は、アクセス装置 1 0 0の要求に応じて、アクセス速度値をアクセス装置 1 0 0が算出するために最低限必要な情報を半導体メモリカード 1 1 1が返す方法である。この方法について、図 2 1から図 2 5を用いて説明する。この場合には図 7に示したカード情報格納部 1 3 2の図 7に示すカード内部処理時間には以下に示すアクセス性能基礎情報表（A P B I L ) の内容を保持するようにしてもよい。

図 2 1はそれぞれ、本方法におけるアクセス装置 1 0 0側の処理手順を示した図、図 2 2は半導体メモリカード 1 1 1側の.処理手順を示した図である。図 2 1に示すアクセス装置 1 0 0側の処理手順において、まずカード種別取得コマンドを発行し（S 2 1 0 1 ) 、取得に成功したかどうかを判断する ( S 2 1 0 2 ) 。成功しなければエラー終了を行い ( S 2 1 0 3 ) 、成功すれば S 2 1 0 4においてアクセス性能基礎情報表取得コマンドに対応する力ードかどうかを判別する。この対応カードでなければ S 2 1 0 5においてァクセス性能基礎情報表の取得を中止する。対応カードであれば S 2 1 0 6においてアクセス性能基礎情報表取得コマンドを発行する。そしてこの情報表の取得が成功したかどうかを判断し（S 2 1 0 7) 、取得に失敗すればエラ —終了を行う（S 2 1 08) 。この情報表の取得に成功すれば S 2 1 09において、この情報表からアクセス速度値を算出する。 S 20 1 0のステップにおいて、算出したアクセス速度値を基に自アクセス装置 1 00が必要とするアクセス速度を満たすために必要なアクセス条件を算出する.。これら 2つのステップについては、本方法における半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順を説明した後に図を用いて説明する。

'次に、図 22に示す半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順について説明する。第 1の方法と同様に、本方法でもアクセス装置 1 00はカード種別取得コマンドを発行するが、半導体メモリカード 1 1 1側の処理は、図 9に示す処理と同じである。図 22は、図 2 1の説明におけるアクス性能基礎情報表取得コマンドがアクセス装置 1 00から発行された場合における半導体メモリカード 1 1 1側の処理を示した図である。図 22の処理において、コマンドを受信し（S 220 1 ) 、不正コマンドであればエラー終了する（S 2202, S 2203) 。不正コマンドでなければ S 2204においてァクセス性能基礎情報表取得コマンドかどうかをチェックする。このコマンドでなければ他の処理を実施し（S 220 5) 、アクセス性能基礎情報表取得コマンドをカード情報格納部 1 32から読み出す（S 2206, S 2207) 次に、図 23、図 24、図 2 5を用いてアクセス性能基礎情報表、及び、この表を用いてアクセス速度値を算出する方法について説明する。図 23は、半導体メモリカード 1 1 1がアクセス装置 1 00に返すアクセス性能基礎情報表（AP B I L) の一例を示した図である。図 24、図 2 5は、ァクセス装置 1 00と半導体メモリカード 1 1 1間におけるコマンド ' レスポンスのタイミングの一例を示した図である。半導体メモリカード 1 1 1のァクセス性能を表す数値として、転送レートなどが挙げられる。しかしながら、ァクセス装置 1 00、半導体メモリカード 1 1 1間の転送レートを決定する要因は半導体メモリカード 1 1 1だけに存在するのではなく、アクセス装置 1 00側にも存在するため、実際の転送レートを導出するためにはアクセス装置 1 00側の条件を加味する必要がある。本方法では、半導体メモリカード 1 1 1側のアクセス性能の決定要因に関する情報をアクセス装置 1 00が取得できるようにし、アクセス装置 1 00側の要因を加味してアクセス装置 1 00がアクセス速度を算出することを可能とする。

図 23は、アクセス性能を決定する半導体メモリカード 1 1 1側の要因に関する情報であるアクセス性能基礎情報表（AP B I L) の一例を示す図である。本図に示すようにリード、ライト及びィレ一ス処理毎にテーブル 1一

A, 1 - B, 1一 Cを有する。図 23 (b) はライト処理における 51 2パイトのデ一夕転送当たりのビジー時間を示している。この情表では、処理時間が変わる要因として処理単位サイズ、シーケンシャルアクセス（SA) -又はヲンダムアクセス（RA) によって変わる表が示されている。

次に、図 23に示したアクセス性能基礎情報表を基にアクセス速度値を算出する方法について説明する。図 24、図 2 5は、アクセス装置 1 00と半導体メモリカード 1 1 1間におけるコマンド · レスポンスのタイミングの一例を示した図である。図 24 (a) はリード処理、図 24 (b) はライト処理、図 2 5はィレース処理に対応している。図 24 (a) のリード処理におけるアクセス速度値は、コマンド発行処理時間 RT 1、カード内部処理時間 RT 2、データ転送時間 RT 3の合計を基に算出.される。ここで、 RT 1、 RT 3はアクセス装置 1 00が半導体メモリカード 1 1 1に入力するクロック周波数に依存し決定される時間であり、アクセス装置 1 00側で時間を算出することができる。一方 RT 2はカード内部処理にかかる時間であり、半導体メモリカード 1 1 1に依存して決定される。そのため、半導体メモリ力ード 1 1 1から取得するアクセス性能基礎情報表には、この RT 2を決定するために必要な情報を格納する。同様に図 24 (b) のライト処理におけるアクセス速度値、コマンド発行処理時間 WT 1、カード内部処理時間 WT 2、データ転送時間 WT 3の合計を基に算出される。従ってリード処理と同様に、アクセス性能基礎情報表にはカード内部処理時間 WT 2を決定するために必要な情報を格納する。同様に図 2 5のィレース処理におけるアクセス速度値は、コマンド発行処理時間 ET 1、カード内部処理時間 ET 2の合計を基に算出される。従ってリード処理と同様に、アクセス性能基礎情報表にはカード内部処理時間 E T 2を決定するために必要な情報を格納する。

' ここでライ卜処理を一例としてアクセス速度値の算出例を説明する。ァクセス速度値として単位サイズのデータ処理にかかる時間（全ライト時間： W T— A) を算出する。 WT— Aは、次式（1) で求めることができる。

WT_A=WT 1 +∑WT 2 +∑WT 3 - (1) '

ここでコマンド発行処理時間 WT 1は、コマンド入力からレスポンス取得 -完了までに必要なデータ転送量を 1 60ビットとし、入力クロック周波数を s MHzとした場合、次式（2) で求めることができる。

WT 1 = 1 60 / (s X POW (1 0, 6) ) ··· (2)

ここで POW (X， Y) は、 Xの Υ乗を意味する。

次に、 ∑WT 2はカード内部処理にかかる時間の総和であり、図 24 (b ) に記載されたビジー時間を t (秒）、処理単位サイズを n (バイト）とした場合、次式（3) で求めることができる。

∑WT 2 = t X n/ 51 2 - ( 3 )

次に、 ∑WT 3はデータ転送時間の総和であり、ビット幅として 4ビットを使用し、転送データの正当性を確認するために付加する CRCを 5 12パィ卜のデ一夕に加算した場合の合計転送クロック数を 1 049クロックとした場合、次式（4) で求めることができる。

∑WT 3 = ( 1 049 X n/5 1 2) / ( s X P OW ( 1 0, 6) ) ··· (4) 従って、算出の一例として、入力クロック周波数を 2 5MHz、処理単位サイズを 1 28KB、シーケンシャルアクセスを想定した場合、 tは 9. 2 sとなり、 WT— Aは 1 3. 1msと算出される。

本方法では、このようにアクセス速度を決定する半導体メモリカード 1 1 1側の要因に関する情報をアクセス装置 1 00から取得し、それに対応したアクセス性能を出力する。従ってアクセス装置 1 00は、アクセス装置 1 0 0側の要因を加味してアクセス速度を算出することが可能となる。

次に第 8の方法は、様々なアクセス条件におけるアクセス速度値の一覧をカード情報格納部 1 32に保持しておき、アクセス装置 1 00からの要求に応じて半導体メモリカード 1 1 1が返す方法である。この方法について、図

26から図 28を用いて説明する。

図 26、図 27、図 28は、半導体メモリカード 1 1 1に保持しているァクセス性能表の一例を示した図である。図 26 (a) は単位時間あたりに処 -理可能なデータサイズを各入力クロック毎に示したものであり、図 26 (b ) はその一部分についてアクセス単位毎にシーケンシャルアクセスとランダムアクセスについて標準値と最悪値とを詳細に示したものである。又図 27 (a) は単位サイズのデータ処理に必要な時間をリード処理、ライト処理、ィレース処理につき異なった入力クロック毎に示したものである。図 27 ( b) はその一部分の入力クロックが 25 MH zのライト処理について、更に単位サイズのデータ処理に必要な時間について処理単位サイズ毎に、及びシ一ゲンシャルアクセスとランダムアクセスについて標準値と最悪値とを詳細に示したものである。図 28 (a) は単位サイズでアクセスした際の処理速度としてアクセス性能を表現したものであり、入力クロックの夫々についてリード処理、ライ卜処理、ィレース処理についてのテーブルを示している。又図 28 (b) はその一部分について、入力クロックが 25MHz、ライト処理の場合に処理単位サイズ毎にシーケンシャルアクセスとランダムァクセスについて標準値と最悪値とを詳細に示している。これらはアクセス性能の表現方法が異なるだけであり、いずれも半導体メモリカード；！ 1 1のァクセス速度を表現した情報である。

図 2 9はそれぞれ、本方法におけるアクセス装置 1 0 0側の処理手順を示した図、図 3 0は半導体メモリカード 1 1 1側の処理手順を示した図である。アクセス装置 1 0 0は図 2 9に示すように、まずカード種別取得コマンドを発行し（S 2 9 0 1 ) 、このカード種別の取得に成功したかどうかを判別する（S 2 9 0 2 ) 。この取得にエラーがあればエラー終了し（S 2 9 0 3 ) 、取得に成功すれば S 2 9 0 4においてアクセス性能表取得コマンド対応カードかどうかを判別する。この対応カードでなければアクセス性能表の取得を中止し（S 2 9 0 5 ) 、対応カードであればアクセス性能表取得コマンドを.発行する ( S 2 9 0 6 ) 。そして S 2 9 0 7においてアクセス性能表の取得に成功したかどうかを判別し、エラーであればエラー終 Tする（S 2 9 0 8 ) 。アクセス性能表の取得に成功すれば、 S 2 9 0 9においてアクセス性能表を基にしてアクセス条件を決定して処理を終える。

半導体メモリカード 1 1 1は図 3 0に示すようにコマンドを受信し、不正コマンドであればエラ一処理を行い（S 3 0 0 1〜 3 0 0 3 ) 、アクセス性能表取得コマンドであるかどうかを判別する（S 3 0 0 4 ) 。このコマンドでなければアクセス性能表の取得を中止し（S 3 0 0 5 ) 、このコマンドであればカード情報格納部 1 3 2からアクセス性能表を読み出す（S 3 0 0 6 ) 。そして S 3 0 0 7においてアクセス性能表をアクセス装置に送信して処理を終える。

すなわち、本方法が第 7の方法と異なる点は、アクセス装置 1 0 0は半導体メモリカード 1 1 1からアクセス速度に関する情報を取得するので、ァクセス装置 1 0 0側でアクセス速度を算出する必要がない点である。本方法では、このようにアクセス装置 1 0 0がこれらのアクセス性能表を取得し、半導体メモリカード 1 1 1に対するアクセス条件の一覧と、'各アクセス条件でアクセスした際のアクセス速度値を認識することができる。これにより、ァクセス装置 1 0 0は自身が想定するアクセス条件でアクセスレた場合のァクセス速度値がいくらであるか、あるいは自身が必要とするアクセス速度値を満たすためにどのようなアクセス条件でアクセスすれば良いか認識することが可能となる。

以上、説明したように本実施例における半導体メモリカード 1 1 1は、ァクセス装置 1 0 0から半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする際のァクセス性能を、半導体メモリカード 1 1 1内のカード情報格納部 1 3 2に保持する。半導体メモリカード 1 1 1はこの情報の一部、あるいは全てを、ァクセス装置 1 0 0からの要求に応じアクセス装置 1 0 0に送信する。これにより、アクセス装置 1 0 0は半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能を知ることができる。従って、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1に対して最適なアクセス方法でアクセスすることが可能となり、導体メモリ力ード 1 1 1の最高性能を引き出すことが可能となる。

- 尚、カード情報格納部 1 3 2に格納された情報はそれぞれ更新可能としても良い。例えば、図 1 9 ( a ) に示すような速度性能レベル判定基準を、半導体メモリカード 1 1 1の外部から入力し、更新することで、判定基準を後から変更できる構成としても良い。更に別の例として、半導体メモリカード

1 1 1内部の状態が変化することにより、アクセス性能に関する情報が変化する場合は、半導体メモリカード 1 1 1内で内部状態を監視しておき、内部状態の変化に応じてアクセス性能に関する情報を変更する構成としても良い。また、本実施例では、半導体メモリカード 1 1 .1の種別判定をアクセス装置 1 0 0側における全ての処理の先頭で行う例を記載したが、半導体メモリカード 1 1 1に最初にアクセスした際に 1回だけ種別判定を行う構成としても良い。また、図 7で示したアクセス性能に関する情報の全てを使用する必要はなく、一部のみを使用しても良いし、図 7で示した情報の一部と他の情報とを組み合わせて使用しても良い。また、速度性能レベル、消費電力量レベルとして、それぞれ 3種類のレベルに分けられる例について記載したが、 3種類以外の複数種類に分割しても良い。また、アクセス性能表として図 2

6、図 2 7、図 2 8の 3種類の例を示したが、半導体メモリカード 1 1 1のアクセス性能を示す情報であれば、その他の表現形式を用いても良く、更にこれら複数の表現形式を組み合わせて使用しても良い。また、カード情報が格納される第 1のメモリ 1 1 8を更新可能な不揮発性メモリとして説明したが、更新する必要がない場合は R O Mなどの更新不可能な不揮発性メモリを使用しても良い。また、第 1のメモリ 1 1 8ではなく、不揮発性メモリ 1 1 7内にカード情報を格納する構成としても良い。 (実施例 2 )

本発明の実施例 2では、カード情報格納部を備えた半導体メモリ力一ドから、半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を取得し、' アクセス装置におけるファイルシステムの制御に使用するようにしたアクセス装置につ -いて説明する。

本実施例における半導体メモリカード、及びアクセス装置の構成は、図 1 に示す構成と同じである。本実施例では特に、アクセス装置 1 0 0内の R O M l 0 4におけるファイルシステム制御部 1 0 6、アクセス条件決定部 1 0

7、カード情報取得部 1 0 8、カード使用条件格納部 1 1 0について詳細に説明する。

本実施例における詳細な説明を行う前に、半導体メモリカード 1 1 1に格納されたデータを管理するために使用されるファイルシステムとして、 F A Tファイルシステムを一例として説明する。図 3 1に F A Tファイルシステムの構成を示す。図 3 1のファイルシステム管理領域 1 1 7 — Aは、半導体メモリカード 1 1 1内の不揮発性メモリ 1 1 7におけるファイルシステムで管理する領域を意味し、図 1でュ一ザデータ 1 3 1と記載された領域の全領域、あるいは一部の領域に相当する。尚図 3 1で L Aは論理アドレスを示す。 F A Tファイルシステムでは、ファイルシステム管理領域 1 1 7—Aの先頭にファイルシステム管理領域 1 1 7— Aの全体を管理するための管理情報領域 30 0 1が存在し、引き続いてファイル内のデータなどを格納するデー夕領域 3002が存在する。管理情報領域 300 1は、マスタ一ブ一トレコ一ド ·パーティションテ一プル（以下、 MBR ' PTという） 3003、パ —テイシヨンブー卜セクタ（以下、 PB Sという） 3004、ファイル ' ァロケーションテ一ブル（以下、 FATという） 3005, 3006、ルートディレクトリエントリ（以下、 RDEという） 3007から構成される。

MBR · PT 3003は、ファイルシステム管理領域を複数のパーティシ

3ンと呼ばれる領域に分割して管理するための情報を格納する部分である。 PB S 3004は、 1つのパーティション内の管理情報を格納する部分である。 . FAT 300 5、 3006は、ファイルに含まれるデータの物理的な格納位置を示す部分である。 RDE 3007は、ルートディレトリ直下に存在するファイル、ディレクトリの情報を格納する部分である。また、 FAT300' 5、 3006は、ファイルに含まれるデータの物理的な格納位置を示す重要な領域であることから、通常、ファイルシステム管理領域内に 2つの同じ情報を持つ FAT 3005、 3006が存在し、二重化されている。データ領域 3002は複数のクラス夕に分割され管理されており、各クラス夕にはファイルに含まれるデ一夕が格納されている。多くのデータを格納するファイルなどは、複数のクラスタに跨ってデータを格納しており、各クラスタ間の繋がりは、 FAT 3005、 3006に格納されたリンク情報により管理されている。

次に図 32を用いて FATファイルシステムにおけるデータ格納例を説明する。データ領域 3002は、クラス夕と呼ばれる固定長プロック単位で管理されており、各クラス夕には 2から始まる昇順のクラスタ番号が付与されている。 FAT 3005、 3006は各クラスタの使用状況と、各クラスタ間の繋がりを示すリンク情報を管理しており、各クラスタ番号に対応した F ATエントリから構成される。 FATエントリは、 FATファイルシステムの種別により、 1クラスタあたり 1 2ビット、 1 6ビット、 32ビットの 3 種類のうち、いずれかの大きさとなる。図 32の例では 1 6ビットで 1ェントリが表現される場合を示している。 FATエントリには、次に繋がるクラス夕のクラスタ番号、当該クラスタが空き領域であることを示す 0 X 000 0、当該クラスタがリンク終端であることを示す 0 X F F F Fの.いずれかの値が格納される。図 32の拡大した図のポインタ 2〜 7で示す部分がクラスタ番号 2〜 7に対する FATエントリを示している。この例では、クラスタ番号 2、 5、 7に対応する FATエントリに 0 X 0000が格納されており、· これら 3つのクラスタが空き領域であることを示している。また、クラス夕番号 3に対応する FATエントリに 0 X 0004、クラスタ番号 4に対応する. FATエントリに 0 x 0006、クラスタ番号 6に対応する FATェントリに 0 X F F F Fが格納されており、クラスタ番号 3、 4、' 6の 3つのクラスタにデータが分割して格納されていることを示している。

次に図 33、図 34、図 35を用いて FATファイルシステムにおけるフアイルデ一夕の書き込み例を説明する。図 33は書き込み処理を示すフロ一チャート、図 34は書き込み処理前のディレクトリエントリ 330 1、 F A T 300 5、 30 06、データ領域 3002の一例を示した図である。図 3 5は書き込み処理後のディレクトリエントリ 330 1、 FAT 3005 , 3 006、データ領域 3002の一例を示した図である。 FATファイルシステムでは、ルートディレクトリエントリ 3007やデータ領域 3002の一部に、ファイル名やファイルサイズ、ファイル属性などの情報を格納したディレクトリエントリ 330 1が格納されている。図 34 (a) はディレクトリエントリ 330 1の一例を示している。このディレクトリエントリ 330 1で示されるファイルは、ファイル名が F I L E 1. TXTであり、クラス夕番号（C し No. ) 10からファイルのデータが格納されている。また、ファイルサイズは 60000パイトである。図 34 (b) は対応クラスタ番号 9〜 14の FATのデータの例が示されている。又図 34 (c) は 1クラスタの大きさを 1 6384バイ卜と仮定しており、クラスタ 1 0〜 1 3の 4クラスタにまたがってファイル F I LE 1. T XTのデータが格納されている。

図 33は FATファイルシステムにおけるファイルデータ書き込みの処理手順を示した図である。図 33を用いて、ファイルデータ書き込み処理を説明する。ファイルデータ書き込み処理では先ず始めに対象ファイルのディレク卜リエントリ 330 1を読み込む (S 330 1 ) 。次に、読み込んだディレクトリエントリ 330 1に格納されたファイル開始クラスタ番号を取得し、' ファイルデータの先頭位置を確認する（S 3302 ) 。次に、 FAT 30 05、 3006を読み込み、 S 3302で取得したファイルデータの先頭位置から順に FAT 3005、 3006上でリンクを迪り、書き込み位置のクラス夕番号を取得する（S 3303 ) 。次に、デ一夕書き込に際し、ファィルに新たに空き領域を割り当てる必要があるか判定する（S 3304) 。 -空き領域の割り当てが不要な場合 S 3306の処理に進む。空き領域の割り当てが必要な場合、 FAT 3005、 3006上で空き領域を検索し、 1クラスタの空き領域をファイルの終端に割り当てる（S 330 5) 。次に、現在参照しているクラス夕内に書き込めるだけのデータをデータ領域 3002 に書き込む（S 330 6) 。次に、全データの書き込みが完了したか判定する（S 3307 ) 。まだデータが残っている場合、 S 3304の処理に戻る。全データの書き込みが完了した場合、ディレクトリエントリ 330 1内に格納されたファイルサイズやタイムスタンプなど.を更新し、半導体メモリ力ード 1 1 1に書き込む（S 3308 ) 。最後に FAT 300 5、 3006を半導体メモリカード 1 1 1に書き込み、処理を完了する（S 3309 ) 。このファイルデータ書き込み処理により、図 34に示された 60000パイトのデータを持つファイル F I L E 1 · TXTに 1 0000バイトのデー夕を更に書き込んだ場合、図 35に示されるようにクラスタ番号 C 1. No 14に新たなデータが書き込まれて 70000バイ卜のデータを持つフアイルに変化する。

このように F A Tファイルシステムでは、ファイルデータの格納領域としてクラスタ単位で領域割り当てが行われ、データが格納される。また、 1つのファイルに割り当てられる複数のクラスタは必ずしも連続しているとは限らず、不連続な領域が割り当てられる可能性がある。最悪の場合クラスタ単位に分割された不連続領域にファイルデータを書き込むことになる。この場合、半導体メモリ力一ド 1 1 1に対する 1回のアクセスサイズは 1クラスタ以下の大きさとなり、半導体メモリカード 1 1 1に対して最も高速にァクセスするために必要なアクセス単位がクラスタサイズよりも大きい場合、半導体メモリカード 1 1 1の最高性能でアクセスすることができなくなる。本実施例では、半導体メモリカード 1 1 1からアクセス性能に関する情報を取得し、ファイルシステムの処理に使用することで、半導体メモリカード

1 1 1に最適なアクセス方法でファイルアクセスする方法を提供する。

- 続いて本実施例におけるファイルシステムアクセス単位の決定処理について説明する。ファイルシステムアクセス単位（以下、 F Sアクセス単位という）とは、ファイルシステムが領域管理を行う管理単位として通常使用するクラスタとは別に、本実施例で新たに設けた管理単位である。クラス夕の大きさはファイルシステムを使用する機器間の互換性のため、上限値が設けられており、容易に大きさを変更することはできない。しかしながら半導体メモリカード 1 1 1に最適にアクセスするために必要なアクセス単位はクラス夕の上限サイズ以内の大きさであるとは限らない。そのため本実施例では、クラスタの他に、半導体メモリカード 1 1 1から取得するアクセス性能に関する情報に基づいて設定される F Sアクセス単位という新たな領域管理単位を設け、ファイルシステムの処理に使用する。こうして既存のファイルシステムとの互換性を保ちつつ、半導体メモリ力一ド 1 1 1の特性に応じたァクセスが実現できるようにする。 '

図 3 6を用いて、本実施例における F Sアクセス単位の決定処理について説明する。図 3 6は、ファイルシステム制御部 1 0 6がアクセス条件決定部 1 0 7から F Sアクセス単位を取得する処理手順の一例を示した図である。図 3 6において、先ずファイルシステム制御部 1 0 6からアクセス条件決定部 1 0 7へ F Sアクセス単位の取得を要求する（S 3 6 0 1 ) 。次に、ァクセス条件決定部 1 0 7からカード情報取得部 1 0 8へカード情報取得を要求する（S 3 6 0 2 ) 。次に、実施例 1で説明したいずれかの方法を用いて、カード情報取得部 1 0 8が半導体メモリカード 1 1 1からカード情報を取得する（S 3 6 0 3 ) 。カード情報の取得に失敗した場合、カード情報取得部 1 0 8からアクセス条件決定部 1 0 7を経由してファイルシステム制御部 1 0 6にエラーを通知し、処理を終了する（S 3 6 0 4， S 3 6 0 5 ) 。取得に成功した場合、カード情報取得部 1 0 8からアクセス条件決定部 1 0 7へカード情報を送信する（S 3 6 0 6 ) 。次に、アクセス条件定部 1 0 7はカード使用条件格納部 1 1 0から、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリ力一 -ド 1 Γ 1にアクセスする際のアクセス条件や、所望するアクセス速度値などの情報であるカード使用条件を取得する（S 3 6 0 7 ) 。次に、カード情報、カード使用条件を比較し、カード使用条件に適した処理単位サイズが存在するか判定する（S 3 6 0 8 ) 。半導体メモリカード 1 1 1がカード使用条件で示されたアクセス速度値を満たすことができない場合など、適切な処理単位サイズが存在しなかった場合、ファイルシステム制御部 1 0 6にエラーを通知して処理を終了する（S 3 6 0 9 , S 3 6 1 0 ) 。適切な処理単位サィズが存在した場合、その処理単位サイズを F S.アクセス単位に決定し、ァクセス条件決定部 1 0 7からファイルシステム制御部 1 0 6へ送信し、処理を終了する（S 3 6 1 1 ) 。

このように本実施例では、カード情報と、カード使用条件を比較し、半導体メモリカード 1 1 1にアクセスする最適なアクセス単位として F Sァクセス単位を決定する。例えば図 2 0 ( b ) に示すように、入力クロック 2 5 M H z、ライト処理においてシーケンシャルアクセスの際に、 1 6 K B単位でのアクセスでは 6MBZs、 1 2 8 KB単位でのアクセスでは 1 OMBZs のアクセス性能が標準値となる半導体メモリカード 1 1 1を想定する。ここでアクセス装置 1 0 0が 8 MBZ sのアクセス性能を必要とする場合、 F S アクセス単位を 1 2 8 KBと決定する。そしてこの F Sアクセス単位毎に半導体メモリカード 1 1 1にアクセスすることで、所望のアクセス-性能を得ることが可能となる。

また、カード使用条件の一例としては、図 1 4に示すようなアクセス条件と、アクセス速度値が挙げられる。すなわち、図 1 4 (a) のアクセス条件は、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1に対して想定しているアクセス方法に関する条件を示した情報であり、図 14 (b) に示すァクセス速度値はこの条件で半導体メモリカード 1 1 1にアクセスした際に求めるアクセス性能の値である。これらアクセス性能に関する情報^アクセス装置

1 0 0が保持することで、半導体メモリカード 1 1 1が自己の要求するァク

-セス性能を満たすことが可能か判定することが可能となる。

また、図 3 6で示した処理手順は、実施例 1で示した第 1の方法のように、アクセス装置 1 0 0がアクセス条件、アクセス速度値に関する情報を入力しない場合における処理手順である。実施例 1で示した第 2の方法のように、アクセス装置 1 0 0がアクセス条件を入力する必要がある場合、図 3 6の処理においてステップ S 3 6 0 1と S 3 6 0 2の間に、アクセス条件決定部 1 0 7がカード使用の条件格納部 1 1 0からカード使用条件を取得してカード情報取得部 1 0 8に通知するステップが付加される。

以下では、図 36に示す処理手順により決定した F Sアクセス単位をファィルシステムの処理に使用するいくつかの方法について説明する。

第 1の方法として、 F Sアクセス単位を意識してファイルシステムをフォ一マットする方法について説明する。図 3 7は F Sアクセス単位を意識してファイルシステムがフォーマツトされた場合の構成例を^す。 F Sアクセス単位はここでは 1 2 8 KBとし、クラスタサイズの倍数長となるよう設定する。ここでは 1クラスタを 16 KBとする。図 37において管理情報領域 3 00 1は MB R · ΡΤ 3003、 PB S 3004、 FAT 300 5 , 300 6、 RDE 300 7である。本実施例では、管理情報領域 300 1の大きさを調整し、 F Sアクセス単位の M倍数長（Mは整数）になるように設定する。ここでは管理情報領域 300 1は図示のように 2つの F Sアクセス単位 F SAU— 0、 FSAU— 1にまたがり、 5 1 2セクタ（S) を用いている。これにより、データ領域 3002の先頭が F Sアクセス単位境界と一致し、以降のデータ領域 3002の領域管理を F Sアクセス単位で無駄なく実現することが可能となる。更に、 F Sアクセス単位はクラスタサイズの倍数長となるように設定しているので、データ領域 3002内の領域管理を F Sァクセス単位倍数長で行いつつ、クラスタ単位の領域管理と整合させることが可能となる。 '

続いて第 2の方法として、 F Sアクセス単位を意識したファイルデータ書 -き込み'方法について説明する。図 38は、本方法におけるファイルデータ書き込み処理手順を示した図である。ファイルデータ書き込み処 aでは、先ず残り書き込みデータ長が F Sアクセス単位長以上存在するか判定する（S 3 80 1) 。 F Sアクセス単位長未満の場合、 S 3808の処理に進む。 FS アクセス単位長以上の場合、半導体メモリカード 1 1 1への書き込みに先立ち、 FSアクセス単位長のデータを作成する（S 3802 ) 。次に、 F Sァクセス単位長毎に FAT 3005、 3006上で空き領域を検索し、 F Sァクセス単位内に含まれる領域が全て空きクラスタである領域を取得する（S 3803 ) 。空き領域が存在しなかった場合、エラーを通知し処理を終了する（S 3 804, S 3805 ) 。空き領域が存在した場合、取得した空き領域に F Sアクセス単位長のデータを一括して書き込む（S 3806 ) 。次に、 .全データの書き込みが完了したかどうかを判定する（S 380 7 ) 。書き込みが完了していない場合、 S 380 1の処理に戻る。書き込みが完了した場合、処理を終了する。また S 380 1で残りデータ長が F Sアクセス単位未満と判定した場合、 F Sアクセス単位未満の残りデータを作成する（S 3 808 ) 。次に、 S 3803のステップと同様に F Sアクセス単位内に含まれる領域が全て空きクラスタである領域を取得する（S 3809 ) 。空き領域が存在しなかった場合、エラーを通知し処理を終了する（S 38 1 0， S 38 1 1 ) 。空き領域が存在した場合、取得した空き領域に残りデータを一括して書き込み、処理を終了する（S 38 1 2) 。

ここでファイルデータ書き込み処理において、 F Sアクセス単位の空き領域が存在しない場合、書き込み処理をエラーとしたが、 F Sアクセス単位以下の空き領域を取得しデータを書き込むようにしても良い。

図 39はデータ領域の使用状態の一例を示す図である。この例では FSァクセス単位 F S AU— 0にファイル F I LE 1のデータが書き込まれており、 F Sアクセス単位 F S AU_ 1にディレクトリ D I R 1の儈報が書き込まれている。このようなデータ配置となっている場合、本方法ではファイルデ -一夕書き込み領域として F Sアクセス単位 F SAU— 2の領域（クラスタ番号 C l . No. 1 8から 25までの領域）を選択する。すなわち、ファイルデータや、ディレクトリの情報が F Sアクセス単位内に 1クラス夕でも存在する F Sアクセス単位 F S AU— 0や、 F Sアクセス単位 F S AU— 1の領域はファイルデータ書き込み領域として使用しない。従って、ある程度大きなファイルサイズを有するファイルのデータに対しては、必ず F Sアクセス単位の連続領域が確保されるため、半導体メモリカード 1 1 1に対して最適なアクセス単位で高速にアクセスすることが可能となる。

続いて第 3の方法として、 F Sアクセス単位を意識したディレクトリ領域の割り当て方法について説明する。図 40，図 41は、本方法におけるディレクトリ領域の割り当て処理の手順を示した図である。ディレクトリ領域割り当て処理では、先ず現在参照位置をデータ領域先頭に設定する（S 400 1) 。次に、現在参照している FSアクセス単位内にディレクトリ領域が存在するか判定する（S 4002) 。存在しない場合、 S 4005の処理に進む。存在する場合、現在参照している F Sアクセス単位内に空きクラスタが存在するか判定する（S 4003) 。空きクラス夕が存在しない場合、 S 4 00 5の処理に進む。空きクラス夕が存在する場合、その空きクラスタをディレクトリ領域に割り当て、処理を終了する（S 4004) 。 S 4002、 S 400 3の判定で領域が存在しなかった場合、データ領域 3002の全てに対して確認が完了したか判定する（S 4005) 。完了していない場合、現在参照位置を次の F Sアクセス単位に設定し（S 4006) 、 S 4002 の処理に戻る。

• そして全領域の確認が完了した場合、図 41において、全データ領域 30 02から F Sアクセス単位内に含まれる領域が全て空きクラスタである領域を取得する（S 400 7) 。空き領域が存在する場合、取得した領域に含まれる 1つの空きクラスタをディレクトリ領域に割り当て、処 ¾έ終了する（ S 4008, S 4009) 。空き領域が存在しない場合、全データ領域から空きクラスタを取得する（S 40 1 0) 。空きクラスタが存在しない場合、エラーを通知して処理を終了する（S 40 1 1, S 40 1 2) 。空き領域が存在する場合、取得した空きクラスタをディレクトリ領域に割り当て、処理を終了する（S 40 1 3) 。

図 42はデータ領域の使用状態の一例を示す図である。図 42に示すように F Sアクセス単位 F S AU— 0にデータが含まれ、 F Sアクセス単位 F S AU— 1のクラスタ番号 10， 1 1にディレクトリ領域を含むデータ配置となっているものとする。この場合、本方法では F Sアクセス単位 F S AU— 1に含まれる空きクラスタ、即ちクラスタ番号 1 2〜 1 7にディレクトリを割り当てる。このようにディレクトリ領域を割り当てることで、ディレクトリ領域が同一の F Sアクセス単位内に優先的に格納され、結果的に F Sァクセス単位長の空き領域を生じ易くなる。これにより、第 2の方法によるファィルデー夕の連続領域確保が効果的に行えるようになる。'

続いて第 4の方法として、 F Sアクセス単位を意識したデフラグを行う方法について説明する。デフラグとは、記録媒体内に分散配置されたファイルデータを、連続領域に配置されるように再配置し、ファイルデータへのァクセスを高速に行えるようにする処理である。本方法では、このデフラグ処理において、 F Sアクセス単位を意識したデフラグを行う。図 43はデフラグ処理前のデータ配置の一例を示した図である。この例では、 3つの FSァクセス単位 FSAU— 0, F SAU— 1， F S A U— 2のいずれにもファイルデータ、あるいはディレクトリが格納されている。そのため第 2の方法における F Sアクセス単位の空き領域取得では、空き領域を取得することができない。ここで F Sアクセス単位を考慮したデフラグ処理により、 F Sァクセス単位 F S AU— 2に含まれるディレクトリ領域を F Sアクセス単位 F S A U— 1の空きクラスタ領域に移動し、ディレクトリ領域を F Sアクセス単位 F SAU— 1に集める。この処理を（1) で示す。更に F STクセス単位 F SAU— 2のファイル（F I LE 2) のデ一夕を F Sアクセス単位 F S A U -- 0の空きクラスタ領域に移動し、ファイルデータを F Sアクセス単位 F S AU— 0に集める。この処理を（2) で示す。その結果、図 44に示すようなデータ配置に変更され、 F Sアクセス単位 F S AU_ 2が全て空き領域となり、第 2の方法における F Sアクセス単位の空き領域取得で、ファイルデ —夕用の空き領域として割り当てることが可能となる。

すなわち本方法では、デフラグ処理において、ディレクトリ領域を同一の F Sアクセス単位に集め、更に F Sアクセス単位サイズ未満のファイルデー夕を同一の F Sアクセス単位に集めることで、可能な限り F Sアクセス単位倍数長の空き領域を生成する。これにより、第 2の方法によるファイルデー夕の連続領域確保が効果的に行えるようになる。また、記録媒体内でフアイルデ一夕格納などに使用されている全領域を 1つの連続領域に併合し空き領域全体を 1つの連続領域とする必要はなく、あくまで F Sアクセス単位倍数長の空き領域を生成するようにデフラグ処理を行うことで、デフラグ処理にかかる時間を短縮することができる。続いて第 5の方法として、 F Sアクセス単位の残り空き領域長を取得する方法について説明する。図 4 5は、本方法における残り空き領域長取得処理手順を示した図である。残り空き領域長取得処理において、先ず空き F Sァクセス単位数に 0を設定する（S 4 5 0 1 ) 。次に、現在参照位置をデータ領域先頭に設定する（S 4 5 0 2 ) 。次に現在参照している F Sアクセス単位内が全て空きクラスタであるか判定する（S 4 5 0 3 ) 。全て空きクラス夕であった場合、空き F Sアクセス単位数に 1加算する（S 4 5 0 4 ) 。次に全領域の確認が完了したか判定する（S 4 5 0 5 ) 。完了レていない場合、'現在参照位置を次の F Sアクセス単位に設定し、 S 4 5 0 3の処理に戻る ( S 4 5 0 6 ) 。完了している場合、空き F Sアクセス単位数に格納されている数値をパイト数に換算し、アプリケーションプログラム 1 0 5に通知して、処理を終了する（S 4 5 0 7 ) 。

ここでは残り空き領域長取得処理において、残り空き領域長をパイト数に換算して通知する例を示したが、残り空き領域長が正しく認識できればセクタ数ゃクラスタ数に換算して通知しても良い。

図 4 6はデータ領域 3 0 0 2のデータの配置状態を示す図であり、使用中のクラスタをハッチングで示している。このようにデータ配置が成されている場合には、本方法の残り空き領域長取得処理では、図示のように 3つの空き連続領域（S E E ) が存在する。このため F Sアクセス単位内の全ての領域が空きクラスタである 3つの F Sアクセス単位 F S A U— 1， F S A U— 3， F S A U— 5を空き領域と判定する。

本方法では、このように F Sアクセス単位長の空き領域の個数を算出し、アプリケ一ションプログラム 1 0 5に通知することで、アプリケーションプログラム 1 0 5が F Sアクセス単位の残り空き領域長を認識することが可能となる。これにより、アクセス装置 1 0 0が必要とするアクセス性能を満たしたアクセスを F Sアクセス単位毎に行う際に、そのアクセス性能で残りどれだけのデータを書き込めるか認識することが可能となる。以上、説明したように実施例 2におけるアクセス装置 1 0 0は、半導体メモリカード 1 1 1からアクセス性能に関する情報を取得し、最適なアクセス単位を決定し、ファイルシステムの処理にそのアクセス単位を使用する。これにより、アクセス装置 1 0 0が半導体メモリカード 1 1 1に対して最適なアクセス方法でアクセスすることが可能となり、半導体メモリカード 1 1 1 の最高性能を引き出すことが可能となる。

尚、実施例 2では、ファイルシステム制御部 1 0 6以下を全てアクセス装置 1 0 0の R O M 1 0 4上のプログラムで実現している例について記載したが、それら機能の全て、あるいは一部をハードウェア化し、アクセス装置 1 0 0に付加した構成としても良い。例えば、図 4 7に示すように、 R O M 1

0 4.内にはアプリケ一ションプログラム 1 0 5のみを格納し、ファイルシステム制御部 1 0 6、アクセス条件決定部 1 0 7、カード情報得部 1 0 8、アクセス制御部 1 0 9、条件格納部 1 1 0をハードウェア化し、半導体メモ

-リカド制御 L S I 4 7 0 1としてアクセス装置 1 0 0に付加する構成としても良い。図 4 7で示した構成は一例であり、半導体メモリカード制御 L S

1 4 7 0 1に F Sアクセス単位を設定することで、以降の半導体メモリカード 1 1 1に対するデータ転送を自動的に F Sアクセス単位にまとめてデータ送信する機能など、本実施例で説明した機能の一部のみをハードウェア化しても良い。また、本実施例ではファイルシステムの一例として F A Tフアイルシステムを用いて説明したが、一定の管理単位サイズ毎に領域管理を行うファイルシステムであれば、 U D Fなど他のファイルシステムを用いても良い。産業上の利用の可能性

本発明に関わる半導体メモリカード、アクセス装置及びアクセス方法は、アクセス装置側、半導体メモリ力一ド側のいずれか、あ ¾いは両者の処理を最適化することにより、半導体メモリカードに対する高速アクセスを実現することができる。このような半導体メモリカード、及びアクセス装置または方法は、半導体メモリカードを記録媒体として使用するデジタル A V機器や携帯電話端末、デジタルカメラ、 P C等に利用できる。また、転送レートの高い高品質 A Vデータを記録する記録媒体、及び機器に使用する場合、特に好適に機能する。

Claims

請求の範囲

1 . アクセス装置に接続されて使用される半導体メモリカードであって、制御信号及びデータをアクセス装置に対して送信し、アクセス装置からの信号を受信するホストインターフェース部と、

複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位である消去ブロックとしてグループ化され、ァドレス管理情報領域とユーザデ一夕領域とを含む不揮発性メモリと、

前記不揮発性メモリに対するデータの消去、書き込み、読み出しを制御するメモリコントローラと、

前記不揮発性メモリのアクセス性能に関する情報を格納するカード情報格納部.を含む力一ド情報格納用のメモリと、

前記ィンターフェース部を介して得られた制御信号に基づて各部を制御すると共に、前記力一ド情報格納部のアクセス性能に関する情報を読み出し -、前記アクセス装置に伝送する制御部と、を具備することを特徴とする半導体メモリ力一ド。

2 . 前記カード情報格納部は、

前記半導体メモリカード内部の物理特性に関する第 1の情報に加えて、前記半導体メモリカードにアクセスする際のアクセス条件に関する第 2の情報と、

前記半導体メモリカードのアクセス速度に関する第 3の情報と、前記半導体メモリカードの異常処理に関する第 4の情報と、のうち、少なくとも 1つの情報を格納することを特徴とする請求項 1記載の半導体メモリカード。

3 . 前記カード情報格納部の第 3の情報は、

前記アクセス速度に関する情報として、前記半導体メモリカードの速度性能を示すフラグを含むことを特徴とする請求項 2記載の半導体メモリ力一ド

4 . 前記カード情報格納部は、少なくとも

前記半導体メモリカード内部の物理特性に関する第 1の情報と-、前記半導体メモリカードにアクセスする際のアクセス条件に関する第 2の情報と、

前記半導体メモリカードのアクセス速度に関する第 3の情報と、を格納することを特徴とする請求項 1記載の半導体メモリカード。

5 . 前記制御部は、

' 前記アクセス装置からの要求に応じ、前記半導体メモリカードにアクセスするためのアクセス条件に関する情報、及び前記アクセス条件で半導体メモ -リカ一'ドにアクセスした際におけるアクセス速度に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリ力一ド。

6 . 前記制御部は、

前記アクセス装置が指定したアクセス条件に関する情報に応じ、前記ァクセス条件で前記半導体メモリ力一ドにアクセスした際におけるアクセス速度に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

7 . 前記制御部は、

前記アクセス装置が指定したアクセス速度に関する情報に応じ、前記ァクセス速度を満たすために必要となる前記半導体メモリカードへのアクセス条件に関する情報を前記力一ド情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

8 . 前記制御部は、

前記アクセス装置が指定したアクセス条件に関する情報と、アクセス速度に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して前記アクセス条件で前記半導体メモリカードにアクセスした際に、前記アクセス速度が満たされるか否か判定し、判定結果を前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

9 . 前記カード情報格納部の第 3の情報は、

前記アクセス速度に関する情報として、前記半導体メモリカードの速度性能を示すフラグを含むことを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード

1 0 . 前記カード情報格納部は、

前記第 3の情報として、前記半導体メモリカードの消費電力量の複数のレベルについて前記半導体メモリのアクセス速度に関する情報を有するものであり、

前記制御部は、

前記アクセス装置からの要求及び消費電力量レベルの指定に応じ、前記半導体メモリ力一ドにアクセスするためのアクセス条件に関する情報、及び前記アクセス条件で半導体メモリカードにアクセスした際におけるアクセス速度に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

1 1 . 前記カード情報格納部ば、

前記制御部は、

前記アクセス装置が指定したアクセス条件に関する情報及び消費電力量レベルの指定に応じ、前記アクセス条件及び指定電力量レベルで前記半導体メモリ力一ドにアクセスした際におけるアクセス速度に関する情報を前記力一ド情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

1 2 . 前記カード情報格納部は、

- 前記制御部は、

前記アクセス装置が指定したアクセス速度及び消費電力量レベルの指定に関する情報に応じ、前記アクセス速度を満たすために必要となる前記半導体メモリカードへのアクセス条件に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して、前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 4記載の半導体メモリカード。

1 3 . 前記カード情報格納部は、

前記制御部は、

前記アクセス装置が指定した 7クセス条件に関する情報及び消費電力量レベルの指定と、アクセス速度に関する情報を前記カード情報格納部より読み出して、前記アクセス条件及び指定した電力量レベルで前記半導体メモリ力ードにアクセスした際に、前記アクセス速度が満たされるか否か判定し、判定結果を前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項.4記載の半導体メモリカード。

1 4 . 前記カード情報格納部は、

前記半導体メモリカードのカード内部の各種の処理時間と処理単位サイズをアクセス方法に応じて保持するアクセス性能基礎情報表を有するものであ前記制御部は、前記アクセス装置からの要求に応じて前記アクセス性能基礎情報表を前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 1記載の半導体メモリ力一ド。

- 1 5 '. 前記カード情報格納部は、

前記半導体メモリカードの処理単位サイズ、アクセス方法、及び処理内容を含むアクセス条件を変化させた場合におけるアクセス速度を保持するものであり、

前記制御部は、前記アクセス装置からの要求に応じて当該アクセス速度に関する情報を前記アクセス装置に送信することを特徴とする請求項 1記載の半導体メモリカード。 ·

1 6 . 複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位であるブロックとしてグループ化されており、格納されたデータがファイルシステムにより管理されている半導体メモリカードにアクセスするアクセス装置であって、装着された前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を前記半導体メモリカードから取得するカード情報取得部と、

前記アクセス装置が前記半導体メモリカードにアクセスする際に使用可能なアクセス条件に関する情報と、半導体メモリカードに求めるアクセス速度に関する情報を格納するカード使用条件格納部と、

前記カード情報取得部が取得した前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報と、前記カード使用条件格納部に格納された情報から、ァクセス条件を決定するアクセス条件決定部と、

前記アクセス条件決定部が決定したアクセス条件を取得し、 ·前記アクセス条件に適合したファイルアクセスを行うファイルシステム制御部と、前記ファイルシステム制御部からのアクセス要求に応じて前記半導体メモリカードにアクセスするアクセス制御部と、を具備することを特徴とするァクセス装置。

' 1 7 . 前記アクセス条件決定部は、

前記アクセス条件に応じて、前記半導体メモリカードから取得したァクセ -ス性能に関する情報に基づいて、半導体メモリカードの領域をファイルシステムアクセス単位 (以下、 F Sアクセス単位という) に分割することを特徴とする請求項 1 6記載のアクセス装置。

1 8 . 前記ファイルシステム制御部は、

前記半導体メモリカードに対してファイルデータを記録するとき、前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記 F Sアクセス単位の倍数長の連続空き領域を決定し、

前記決定した連続空き領域にファイルデータを記録することを特徴とする請求項 1 7記載のアクセス装置。 1 9 . 前記ファイルシステム制御部は、

前記半導体メモリカードに対して新しいフアイル管理情報を記録する際に、前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記 F Sアクセス単位の領域内に既に別のファイル管理情報が記録されており、かつ新しいファイル管理情報を書き込む空き領域が存在するかどうかを判断し、存在する場合に、前記空き領域をファイル管理情.報の書き込み位置として決定し、前記決定した空き領域にファイル管理情報を記録することを特徴とする請求項 1 7記載のアクセス装置。

2 0 . 前記ファイルシステム制御部は、

前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記複数の F Sアクセス単位の領域が部分的に使用されている場合、部分的に使用されている F Sアクセス単位の使用領域のデータを他の F Sァクセス単位の未使用領域に移動させることを特徴とする請求項 1 7'記載のァクセス装置。

- 2 1 : 前記ファイルシステム制御部は、

前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記 F Sアクセス単位の領域が全て空き領域である領域の個数を算出することを特徴とする請求項 1 7記載のアクセス装置。

2 2 . 複数の連続するセクタがデータ消去の最小単位であるブロックとしてグループ化されており'、格納されたデ一夕がファイルシステムにより管理されている半導体メモリカードにアクセスするアクセス方法であって、前記半導体メモリカードにアクセスする際に使用可能なアクセス条件に関する情報と、半導体メモリ力一ドに求めるアクセス速度に関する情報を格納するカード使用条件格納ステップと、

装着された前記半導体メモリカードのアクセス性能に関する情報を前記半導体メモリカードから取得する力一ド情報取得ステップと、

前記カード情報取得ステップが取得した前記半導体メモリカードのァクセス性能に関する情報と、前記カード使用条件格納ステップで格納した情報から、アクセス条件を決定するアクセス条件決定ステップと、

前記アクセス条件決定ステップで決定したアクセス条件を！^得し、前記ァクセス条件に適合するように前記半導体メモリカードのファイルにアクセスするファイルシステム制御ステップと、を具備することを特徴とするァクセス方法。

2 3 . 前記アクセス条件決定ステップは、

' 前記アクセス条件に応じて、前記半導体メモリカードにアクセスする際に用いられるサイズであるファイルシステムアクセス単位（以下、 F Sァクセス単位という）を決定することを特徴とする請求項 2 2記載のアクセス方法

- 2 4'. 前記ファイルシステム制御ステップは、

前記決定した連続空き領域にファイルデータを記録することを特徴とする請求項 2 3記載のアクセス方法。

2 5 . 前記ファイルシステム制御ステップは、

前記半導体メモリカードに対して新しいファイル管理情報を記録する際に、前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記 F Sアクセス単位の領域内に既に別のファイル管理情報が記録されており、かつ新しいファイル管理情報を書き込む空き領域が存在するかどうかを判断し、

存在する場合に、前記空き領域をファイル管理情報の書き込み位置として決定し、

前記決定した空き領域にファイル管理情報を記録することを特徴とする請求項 2 3記載のアクセス方法。 2 6 . 前記ファイルシステム制御ステップは、

前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基に、前記複数の F Sアクセス単位の領域が部分的に使用されている場合、部分的に使用されている F Sアクセス単位の使用領域のデータを他の F Sァクセス単位の未使用領域に移動させることを特徴とする請求項 2 3記載のァクセス方法。

2 7 . 前記ファイルシステム制御ステップは、

前記半導体メモリカード上に構築されたファイルシステムの管理情報を基 -に、前記アクセス単位の領域が全て空き領域である領域の大きさを算出し、前記半導体メモリカードの空き領域長としてアプリケーシヨンプログラムに算出した値を通知することを特徴とする請求項 2 3記載のアクセス方法。