TWI822782B - 配線電路基板、其製造方法及配線電路片材 - Google Patents

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Abstract

本發明之配線電路基板具備：支持金屬層，其熱導率為5 W/m·K以上；絕緣層，其配置於支持金屬層之至少厚度方向一側；配線層，其配置於絕緣層之表面；保護金屬膜，其於支持金屬層與絕緣層之間，配置於支持金屬層之整個表面；及保護薄膜，其配置於支持金屬層中自保護金屬膜露出之露出面。

Description

配線電路基板、其製造方法及配線電路片材
本發明係關於一種配線電路基板、其製造方法及配線電路片材。
先前，已知有一種散熱構造，其係於具備平坦形狀之基底部及自基底部之下表面朝下方延伸之梳齒狀鰭片的金屬製散熱片之基底部之上表面配置樹脂製基板，且於該基板之上表面設置有發熱元件(例如，參照下述專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開昭55-140255號公報
然而，對於散熱片要求較高之耐腐蝕性(防銹性)。因此，嘗試於散熱片之下表面及側面藉由濕式製程形成防銹層之方案。
但是，於散熱片之基底部之上表面之周端緣、與基板之下表面之周端緣之間容易形成微小之間隙。而且，於藉由濕式製程形成防銹層時，包含防銹成分之液體無法充分地進入至上述間隙，因此，於面向間隙之基底部之上表面之周端緣，不會形成防銹層，而是保持露出之狀態。 因此，存在散熱片之上述周端緣腐蝕(生銹)之不良情況。
本發明提供一種具有耐腐蝕性優異之支持金屬層之配線電路基板、其製造方法及用以製造配線電路基板之配線電路片材。
本發明(1)包含一種配線電路基板，其具備：支持金屬層，其熱導率為5W/m．K以上；絕緣層，其配置於上述支持金屬層之至少厚度方向一側；配線層，其配置於上述絕緣層之表面；保護金屬膜，其於上述支持金屬層與上述絕緣層之間，配置於上述支持金屬層之整個表面；及保護薄膜，其配置於上述支持金屬層中自上述保護金屬膜露出之露出面。
於該配線電路基板中，保護金屬膜係於支持金屬層與絕緣層之間，配置於支持金屬層之表面。因此，於藉由濕式製程形成保護薄膜時，能夠防止因上述「發明所欲解決之問題」中所記載之液體無法進入至間隙所引起的支持金屬層之表面之周端緣之露出，其結果，能夠抑制上述腐蝕。進而，保護薄膜亦配置於支持金屬層中自保護金屬膜露出之露出面。
因此，支持金屬層之耐腐蝕性優異。
本發明(2)包含如(1)所記載之配線電路基板，其具備相互隔開間隔地並列配置之複數個配線體，且上述複數個配線體之各者具備上述支持金屬層、上述絕緣層、上述配線層、上述保護金屬膜及上述保護薄膜。
該配線電路基板之配線體中之支持金屬層之耐腐蝕性優異。
進而，於該配線電路基板中，由於配線體相互隔開間隔地 並列配置，故而能夠使配線層中所產生之熱經由複數個配線體間之空氣對流，而謀求有效率之散熱。
本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之配線電路基板，其中上述保護薄膜為鍍覆膜。
於該配線電路基板中，若保護薄膜為鍍覆膜，則硬質之鍍覆膜能夠確實地保護支持金屬層之露出面。因此，能夠藉由鍍覆膜，提高支持金屬層之耐腐蝕性。
本發明(4)包含一種配線電路基板之製造方法，其係製造如(2)或(3)所記載之配線電路基板之方法，且具備如下步驟：準備熱導率為5W/m．K以上之支持金屬片材；於上述支持金屬片材之厚度方向一面，由同一金屬薄膜形成上述保護金屬膜、及與上述保護金屬膜隔開間隔且具有第1開口部之對準標記金屬膜；將上述絕緣層配置於上述保護金屬膜之厚度方向一面；將上述配線層配置於上述絕緣層之上述厚度方向一面；以於厚度方向投影時包含上述第1開口部，且使上述第1開口部之內端緣朝向厚度方向另一側露出之方式，於上述支持金屬片材形成第2開口部；以上述內端緣作為定位基準，將蝕刻阻劑以於厚度方向投影時具有與上述支持金屬層大致相同之圖案之方式配置於上述支持金屬片材之厚度方向一面及另一面；對自上述蝕刻阻劑露出之上述支持金屬片材，自其厚度方向一側及另一側進行蝕刻，而形成上述支持金屬層；以及於上述支持金屬層之上述露出面藉由濕式製程形成上述保護薄膜。
於該配線電路基板之製造方法中，由於以對準標記金屬膜之第1開口部之內端緣作為定位基準，將蝕刻阻劑以於厚度方向投影時具有與支持金屬層大致相同之圖案之方式配置於支持金屬片材之厚度方向一 面及另一面，故而蝕刻阻劑之位置精度較高。因此，能夠對自蝕刻阻劑露出之支持金屬片材，自其厚度方向一側及另一側進行蝕刻，而於短時間內，以較高之精度形成支持金屬層。
而且，由於能夠由同一金屬薄膜同時形成保護金屬膜與對準標記金屬膜，故而可削減製造步驟數。
本發明(5)包含一種配線電路片材，其係用以製造如(2)或(3)所記載之配線電路基板者，且具備：支持金屬片材，其熱導率為5W/m．K以上，且具有第2開口部；上述絕緣層，其配置於上述支持金屬片材之至少厚度方向一側；上述配線層；上述保護金屬膜，其於上述絕緣層與上述支持金屬片材之間與上述第2開口部隔開間隔地配置；及上述對準標記金屬膜，其配置於上述支持金屬片材之厚度方向一面，具有當於厚度方向投影時包含於上述第2開口部之第1開口部，並且上述第1開口部之內端緣經由上述第2開口部而朝向厚度方向另一側露出。
由於該配線電路片材具備具有第1開口部之對準標記金屬膜，故而可將第1開口部之內端緣設為能夠自厚度方向一側及另一側之兩側進行確認之定位基準。
於本發明之配線電路基板中，支持金屬層之耐腐蝕性優異。
本發明之配線電路基板之製造方法能夠以較高之精度形成支持金屬層。
本發明之配線電路片材可將第1開口部之內端緣設為能夠自厚度方向一側及另一側之兩側進行確認之定位基準。
1:配線電路基板
2:支持金屬層
3:保護金屬膜
4:保護薄膜
5:基底絕緣層
6:配線層
7:覆蓋絕緣層
8:基部
9:突出部
10:第1支持面
11:第2支持面
12:支持側面
13:凸緣部
19:間隙
20:配線電路基板集合體片材
21:對準標記
22:鍍覆準備體
23:連結體
24:配線體
25:開口部
31:對準標記金屬膜
33:對準標記開口部
34:端子部
35:第2保護金屬膜
36:第2基底絕緣層
37:第2配線層
38:第2覆蓋絕緣層
40:內端緣
41:第2開口部
42:支持金屬片材
43:金屬薄膜
44:蝕刻阻劑
45:第1蝕刻阻劑
46:第1光罩
47:第1透光部
48:第1遮光部
49:第1乾膜阻劑
50:絕緣開口部
51:蝕刻阻劑開口部
52:第1蝕刻阻劑開口部
53:第2蝕刻阻劑開口部
55:第2蝕刻阻劑
56:第2光罩
57:第2透光部
58:第2遮光部
59:第2乾膜阻劑
60:配線電路片材
圖1表示本發明之配線電路基板之第1實施形態之剖視圖。
圖2A~圖2C係圖1所示之配線電路基板之製造方法之步驟圖，圖2A表示準備支持金屬層之步驟，圖2B表示配置保護金屬膜之步驟，圖2C表示配置基底絕緣層之步驟。
圖3D~圖3F係繼圖2C後之圖1所示之配線電路基板之製造方法之步驟圖，圖3D表示配置配線層之步驟，圖3E表示配置覆蓋絕緣層之步驟，圖3F表示配置鍍覆膜之步驟。
圖4表示不具備保護金屬膜之比較例1之配線電路基板之第1方向兩端部之剖視圖。
圖5表示圖2所示之配線電路基板之變化例之剖視圖。
圖6表示本發明之配線電路基板之第2實施形態之俯視圖。
圖7表示圖6所示之配線電路基板之沿著X-X線之放大剖視圖。
圖8A~圖8F係圖7所示之配線電路基板之製造步驟圖，圖8A表示準備支持金屬片材之步驟，圖8B表示配置金屬薄膜之步驟，圖8C表示配置基底絕緣層之步驟，圖8D表示配置配線層之步驟，圖8E表示形成保護金屬膜及對準標記金屬膜之步驟，圖8F表示配置覆蓋絕緣部之步驟。
圖9G~圖9J係繼圖8F後之圖7所示之配線電路基板之製造步驟圖，圖9G表示配置蝕刻阻劑之步驟，圖9H表示形成第2開口部之步驟，圖9I表示去除蝕刻阻劑之步驟，圖9J表示準備第1及第2乾膜阻劑，並於其等配置第1及第2光罩，經由其等對第1及第2乾膜阻劑進行曝光之步驟。
圖10K~圖10N係繼圖9J後之圖7所示之配線電路基板之製造步驟圖， 圖10K表示形成第1及第2蝕刻阻劑之步驟，圖10L表示對支持金屬片材進行蝕刻之步驟，圖10M表示去除第1及第2蝕刻阻劑之步驟，圖10N表示形成鍍覆膜之步驟。
圖11表示不具備保護金屬膜之比較例2之配線電路基板之配線體之剖視圖。
<第1實施形態>
參照圖1對本發明之配線電路基板之第1實施形態進行說明。
該配線電路基板1具有於厚度方向上對向之厚度方向一面及另一面，且具有沿與厚度方向正交之面方向延伸之形狀。該配線電路基板1具備支持金屬層2、保護金屬膜3、作為保護薄膜之一例之鍍覆膜4、作為絕緣層之一例之基底絕緣層5、配線層6、及覆蓋絕緣層7。較佳為配線電路基板1僅具備支持金屬層2、保護金屬膜3、鍍覆膜4、基底絕緣層5、配線層6及覆蓋絕緣層7。
支持金屬層2係支持配線電路基板1並且將來自配線層6之熱向外部擴散之散熱片。支持金屬層2具有剖面大致梳形狀。支持金屬層2一體地具備基部8及突出部9。基部8具有沿面方向延伸之大致平板形狀。突出部9係自基部8之厚度方向另一面朝向厚度方向另一側延伸。突出部9係於第1方向(為面方向中所包含之方向，且相當於下述配線層6之並列方向)上相互隔開間隔地並列配置有複數個。支持金屬層2一體地具有作為厚度方向一面之第1支持面10、作為厚度方向另一面之第2支持面11、及作為側面之支持側面12。
第1支持面10係沿著面方向之平坦面。第1支持面10係基部8 之厚度方向一面。
第2支持面11係隔開間隔地配置於第1支持面10之厚度方向另一側。
第2支持面11係與突出部9對應之凹凸面。
支持側面12係連結第1支持面10之周端緣與第2支持面11之周端緣之連結面。又，支持側面12係支持金屬層2之外周側面。支持側面12係沿著厚度方向之平坦面。
第1支持面10、第2支持面11及支持側面12形成支持金屬層2之表面。
支持金屬層2之熱導率為5W/m．K以上。若支持金屬層2之熱導率未達5W/m．K，則支持金屬層2無法將配線層6中所產生之熱朝向厚度方向另一側有效率地釋出。
又，支持金屬層2之熱導率較佳為10W/m．K以上，進而較佳為15W/m．K以上、20W/m．K以上、25W/m．K以上、30W/m．K以上、35W/m．K以上、40W/m．K以上、50W/m．K以上、60W/m．K以上、75W/m．K以上、100W/m．K以上、200W/m．K以上、300W/m．K以上、350W/m．K以上。又，支持金屬層2之熱導率例如為10000W/m．K以下。若支持金屬層2之熱導率為上述下限以上，則支持金屬層2能夠將配線層6中所產生之熱朝向厚度方向另一側有效率地釋出。金屬支持層6之熱導率係根據JIS H 7903：2008(有效熱導率測定法)而求出。
作為支持金屬層2之材料，例如可列舉熱傳導性優異之金屬。又，作為支持金屬層2之材料，由於支持金屬層2藉由將於下文詳細說明之保護金屬膜3及鍍覆膜4保護(防銹加工)，故而即便為耐腐蝕性較低之 金屬亦被容許。具體而言，作為支持金屬層2之材料，例如可列舉：銅、銀、鐵、鋁、鉻、及其等之合金等金屬。就獲得良好之熱傳導性之觀點而言，可較佳地列舉：銅、銅合金等包含銅之金屬。再者，基部8及突出部9之材料相同。
支持金屬層2之尺寸可根據用途及目的而適當設定。基部8之厚度例如為30μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為10mm以下。突出部9之自基部8之厚度方向另一面之突出長度(厚度方向長度)例如為100μm以上，又，例如為100mm以下。
保護金屬膜3係於支持金屬層2與下文進行說明之基底絕緣層5之間，配置於支持金屬層2之整個表面。具體而言，保護金屬膜3配置於支持金屬層2之第1支持面10整個面。亦即，保護金屬膜3被覆第1支持面10整體。
保護金屬膜3例如為濺鍍薄膜、鍍覆薄膜等，較佳為濺鍍薄膜。保護金屬膜3之形成方法將於下文進行敍述。
作為保護金屬膜3之材料，可列舉耐腐蝕性優異之金屬。具體而言，保護金屬膜3之材料例如可列舉：鉻、鎳、其等之合金等金屬。
又，金屬亦可包含上述金屬氧化物，例如亦可列舉氧化鉻等。可較佳地列舉鉻。
保護金屬膜3之厚度例如遍及面方向地為大致相同之長度。保護金屬膜3之厚度例如為1nm以上，較佳為10nm以上，更佳為20nm以上，進而較佳為100nm以上，又，例如為10000nm以下，較佳為1000nm以下，更佳為500nm以下。
鍍覆膜4係使作為支持金屬層2中之自保護金屬膜3露出之露 出面之一例的第2支持面11及支持側面12之耐腐蝕性提高之耐腐蝕性賦予層(防銹層)。鍍覆膜4配置於支持金屬層2之第2支持面11、及支持側面12。具體而言，鍍覆膜4連續地接觸於第2支持面11及支持側面12，而被覆該等面。鍍覆膜4係追隨第2支持面11之凹凸面而形成。
因此，支持金屬層2之整個表面由保護金屬膜3及鍍覆膜4保護(被覆)。亦即，支持金屬層2之第1支持面10由保護金屬膜3保護，且支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12由鍍覆膜4保護。
鍍覆膜4係藉由下述鍍覆而形成之層。
鍍覆膜4可為單層或複層中之任一者。較佳為鍍覆膜4具有依序形成於第2支持面11及支持側面12之第1鍍覆膜及第2鍍覆膜。
作為鍍覆膜4之材料，例如可列舉：鎳、金、其等之合金等耐腐蝕性金屬(防銹金屬)。又，於鍍覆膜4具有第1鍍覆膜及第2鍍覆膜之情形時，較佳為第1鍍覆膜之材料為鎳，第2鍍覆膜之材料為金。
鍍覆膜4之厚度並無特別限定，例如為1nm以上，較佳為10nm以上，更佳為100nm以上，又，例如為1000μm以下，較佳為100μm以下。
基底絕緣層5係謀求配線層6與保護金屬膜3之絕緣、進而謀求配線層6與支持金屬層2之絕緣的絕緣層。
基底絕緣層5配置於保護金屬膜3之厚度方向一面。具體而言，基底絕緣層5接觸於保護金屬膜3之厚度方向一面整個面。又，基底絕緣層5係隔開間隔(供形成保護金屬膜3之間隔)地相鄰配置於支持金屬層2之厚度方向一側。基底絕緣層5具有沿著面方向延伸之片形狀。
作為基底絕緣層5之材料，例如可列舉：熱硬化性樹脂、熱 塑性樹脂等絕緣性樹脂等。又，基底絕緣層5之材料包含具有透明性之透明性樹脂。作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。作為熱塑性樹脂，例如可列舉丙烯酸系樹脂等。可較佳地列舉熱硬化性樹脂，可更佳地列舉熱硬化性聚醯亞胺樹脂。
配線層6例如傳送電信號。
配線層6配置於作為基底絕緣層5之表面之一例之厚度方向一面。配線層6係沿第1方向相互隔開間隔地並列配置。又，配線層6係沿第2方向(為面方向中所包含之方向，且為與第1方向及厚度方向正交之方向；圖1中之紙面深度方向)延伸，且於配線層6之第2方向兩端緣連接有未圖示之端子。
作為配線層6之材料，例如可列舉：銅、銀、金、鐵、鋁、鉻、及其等之合金等。就獲得良好之電氣特性之觀點而言，可較佳地列舉銅。
配線層6之厚度例如為1μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為50μm以下，較佳為3μm以下。配線層6之寬度及間隔例如為1μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。
覆蓋絕緣層7係保護配線層6之表面之絕緣層。覆蓋絕緣層7係以被覆配線層6之方式配置於基底絕緣層5之厚度方向一面。詳細而言，覆蓋絕緣層7接觸於配線層6之厚度方向一面及側面、以及配線層6周圍之基底絕緣層5之厚度方向一面。覆蓋絕緣層7之材料係與基底絕緣層5之材料相同。覆蓋絕緣層7之厚度例如為1μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。
其次，參照圖2A~圖3F對製造配線電路基板1之方法進行說 明。
配線電路基板1之製造方法包括如下步驟：準備支持金屬層2(參照圖2A)；配置保護金屬膜3(參照圖2B)；配置基底絕緣層5(參照圖2C)；配置配線層6(參照圖3D)；配置覆蓋絕緣層7(參照圖3E)；及配置鍍覆膜4(參照圖3F)。於該製造方法中，按上述順序實施上述步驟。
如圖2A所示，於準備支持金屬層2之步驟中，例如，準備厚壁之板構件，繼而，以形成突出部9之方式進行外形加工，而形成具備基部8及突出部9之支持金屬層2。
如圖2B所示，繼而，於配置保護金屬膜3之步驟中，例如使用乾式製程、濕式製程等金屬薄膜形成方法。作為乾式製程，例如可列舉：濺鍍、離子鍍覆、真空蒸鍍等。作為濕式製程，例如可列舉鍍覆等。其等可單獨使用或併用。可較佳地列舉乾式製程，可更佳地列舉濺鍍。
藉由上述金屬薄膜形成方法，將保護金屬膜3形成於支持金屬層2之第1支持面10整個面。再者，即便藉由上述金屬薄膜形成方法，支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12亦不形成保護金屬膜3，而是保持露出之狀態。
如圖2C所示，繼而，於配置基底絕緣層5之步驟中，例如，首先，將上述絕緣性樹脂塗佈於保護金屬膜3之厚度方向一面並進行乾燥，而形成皮膜，其後，視需要進行加熱。又，若絕緣性樹脂為熱硬化性樹脂，則藉由上述塗佈及乾燥，形成B-階段之皮膜，繼而，藉由加熱進行C-階段化。
如圖3D所示，繼而，於配置配線層6之步驟中，例如使用加成法、減成法等配線形成方法。
如圖3E所示，繼而，於配置覆蓋絕緣層7之步驟中，例如，首先，將上述絕緣性樹脂塗佈於保護金屬膜3之厚度方向一面並進行乾燥，而形成皮膜，其後，視需要進行加熱。
藉此，製作具備支持金屬層2、保護金屬膜3、基底絕緣層5、配線層6及覆蓋絕緣層7之鍍覆準備體22。
如圖3F所示，其後，於配置鍍覆膜4之步驟中，對支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12進行鍍覆，而於第2支持面11及支持側面12形成鍍覆膜4。
作為鍍覆，例如可列舉：電鍍、無電解鍍覆。可較佳地列舉無電解鍍覆。
具體而言，將鍍覆準備體22浸漬於鍍覆浴(鍍覆液)。
鍍覆液含有上述耐腐蝕性金屬及/或其離子。上述各成分之調配比、鍍覆條件等可適當設定。
於鍍覆中，藉由自支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12，使耐腐蝕性金屬(鍍覆)生長，而形成鍍覆膜4。
藉此，獲得配線電路基板1。
然後，如圖4之比較例1所示，於配線電路基板1不具備保護金屬膜3(參照圖1)，而基底絕緣層5之厚度方向另一面鄰接於支持金屬層2之第1支持面10之情形時，於基底絕緣層5之厚度方向另一面之周端緣、與第1支持面10之周端緣之間容易形成微小之間隙19。於是，於如參照圖3F般之對支持金屬層2之支持側面12之鍍覆中，鍍覆液無法充分地進入至間隙19，因此，於第1支持面10中之面向間隙19之周端緣，未形成鍍覆膜4(鍍覆)，而是保持露出之狀態。如此，該第1支持面10之周端緣成為腐蝕 之起點，進而，支持金屬層2全體腐蝕。
但是，如圖1所示，於第1實施形態之配線電路基板1中，保護金屬膜3配置於支持金屬層2之第1支持面10整個面。因此，於如圖3F所示，藉由鍍覆形成鍍覆膜4時，即便鍍覆液不進入至上述間隙19，亦能夠防止支持金屬層2之第1支持面10之周端緣之露出，其結果，能夠抑制上述腐蝕。
進而，鍍覆膜4亦配置於支持金屬層2之第2支持面11、及支持側面12。
因此，支持金屬層2之耐腐蝕性優異。
此種配線電路基板1之用途並無特別限定，可用於各種領域。配線電路基板1例如可用於電子設備用配線電路基板(電子零件用配線電路基板)、電氣設備用配線電路基板(電氣零件用配線電路基板)等各種用途。作為電子設備用配線電路基板及電氣設備用配線電路基板，可列舉：例如用於位置資訊感測器、障礙物檢測感測器、溫度感測器等感測器之感測器用配線電路基板；例如用於汽車、電車、航空器、作業車輛等運輸車輛之運輸車輛用配線電路基板；例如用於平板顯示器、撓性顯示器、投影型影像設備等影像設備之影像設備用配線電路基板；例如用於網路設備、大型通信設備等通信中繼設備之通信中繼設備用配線電路基板；例如用於電腦、平板、智慧型手機、家用遊戲機等資訊處理終端之資訊處理終端用配線電路基板；例如用於無人機、機器人等可動型設備之可動型設備用配線電路基板；例如用於可穿戴型醫療用裝置、醫療診斷用裝置等醫療設備之醫療設備用配線電路基板；例如用於冰箱、洗衣機、吸塵器、空調設備等電氣設備之電氣設備用配線電路基板；例如用於數位相機、 DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)錄影裝置等錄影電子設備之錄影電子設備用配線電路基板等。
變化例
於以下之各變化例中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例係除特別記載以外，能夠發揮與第1實施形態相同之作用效果。進而，可適當組合第1實施形態及變化例。
於圖1所示之配線電路基板1中，列舉鍍覆膜4作為本發明之保護薄膜之一例，但例如亦可為由有機系材料構成之樹脂保護薄膜。作為有機系材料，例如可列舉：環氧系聚合物、丙烯酸系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物等聚合物(樹脂)。
又，於第1實施形態中，支持金屬層2具有突出部9，例如，雖未圖示，但亦可不具備突出部9，而是僅由基部8形成。於該情形時，支持金屬層2係剖面大致矩形形狀，第2支持面係平行於第1支持面10之平坦面。
又，於第1實施形態中，藉由鍍覆形成作為保護薄膜之一例之鍍覆膜4，但例如可藉由除鍍覆以外之濕式製程形成保護薄膜(具體而言，樹脂保護薄膜)。
較佳為保護薄膜為鍍覆膜4。若保護薄膜為鍍覆膜，則能夠使硬質之鍍覆膜4確實地密接於支持金屬層2之露出面。因此，能夠藉由鍍覆膜4，提高支持金屬層2之耐腐蝕性。
又，關於保護薄膜，只要能保護支持金屬層2之露出面(第2支持面11及支持側面12)，則就作用之觀點而言，並不限定於耐腐蝕性賦 予層(防銹層)，例如亦可為塗佈劑(防銹塗佈劑)、耐磨耗層、耐化學品層、耐候性層、標記賦予層、防靜電層。
又，於第1實施形態中，如圖1所示，絕緣層(基底絕緣層5)僅配置於支持金屬層2之厚度方向一側，但只要配置於支持金屬層2之至少厚度方向一側即可，亦可如圖5所示，例如於支持金屬層2之厚度方向一側及另一側之兩側配置有絕緣層(基底絕緣層5及下文進行說明之第2基底絕緣層36)。
如圖5所示，於該變化例中，於支持金屬層2之厚度方向兩側配置有絕緣層之配線電路基板1係除了上述各層以外，進而具備第2保護金屬膜35、第2基底絕緣層36、第2配線層37及第2覆蓋絕緣層38。
第2保護金屬膜35配置於支持金屬層2之第2支持面11中之與配線層6於厚度方向上對向之突出部9中之第2支持面11整個面。再者，於與配線層6於厚度方向上對向之突出部9中之第2支持面11整個面，未形成鍍覆膜4，而是形成有第2保護金屬膜35。第2保護金屬膜35之材料、尺寸等係與保護金屬膜3之材料、尺寸等相同。
支持金屬層2之整個表面係藉由第2保護金屬膜35、保護金屬膜3及鍍覆膜4保護(被覆)。
第2基底絕緣層36配置於第2保護金屬膜35之厚度方向另一面。藉此，第2基底絕緣層36介隔第2保護金屬膜35而配置於支持金屬層2之厚度方向另一側。第2保護金屬膜35係於突出部9與第2基底絕緣層36之間配置於上述突出部9之第2支持面11整個面。第2基底絕緣層36之第1方向長度(寬度)係與突出部9之第1方向長度(寬度)相同。第2基底絕緣層36之材料、厚度等係與基底絕緣層5之材料、厚度等相同。
第2配線層37配置於作為第2基底絕緣層36之表面之一例之厚度方向另一面。第2配線層37之第1方向長度(寬度)係自關於配線層6所例示之範圍中適當選擇。第2配線層37之材料、厚度等係與配線層6之材料、厚度等相同。
第2覆蓋絕緣層38係以被覆第2配線層37之方式配置於第2基底絕緣層36之厚度方向另一面。第2覆蓋絕緣層38之材料、厚度等係與覆蓋絕緣層7之材料、厚度等相同。
為了製造圖5所示之配線電路基板1，例如，準備支持金屬層2，繼而，配置保護金屬膜3及第2保護金屬膜35，繼而，配置基底絕緣層5及第2基底絕緣層36，繼而，配置配線層6及第2配線層37，繼而，配置覆蓋絕緣層7及第2覆蓋絕緣層38，其後，配置鍍覆膜4。
為了配置第2保護金屬膜35，例如，首先，於對支持側面12、及不形成第2保護金屬膜35之第2支持面11施加遮罩後，於自遮罩露出之第2支持面11形成第2保護金屬膜35。其後，去除遮罩。再者，第2保護金屬膜35可與保護金屬膜3同時形成。
而且，於該配線電路基板1中，第2保護金屬膜35配置於支持金屬層2之上述突出部9中之第2支持面11整個面。因此，於藉由鍍覆形成鍍覆膜4時，即便鍍覆液不進入至上述間隙，亦能夠防止突出部9之第2支持面11之周端緣露出，其結果，能夠抑制上述腐蝕。
進而，鍍覆膜4亦配置於支持金屬層2之支持側面12、及自第2保護金屬膜35露出之第2支持面11。
因此，支持金屬層2之耐腐蝕性優異。
<第2實施形態>
參照圖6~圖10N，對本發明之配線電路基板及其製造方法之第2實施形態進行說明。
再者，於以下之第2實施形態中，對與上述第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第2實施形態係除了特別記載以外，能夠發揮與第1實施形態相同之作用效果。進而，可適當組合第1實施形態與第2實施形態。
如圖6所示，配線電路基板1係於配線電路基板集合體片材20中配備有複數個。
配線電路基板集合體片材20具有厚度方向一面及另一面，且具有沿著與厚度方向正交之面方向(包含第1方向及第2方向之方向)延伸之大致矩形片形狀。
配線電路基板集合體片材20係具備複數個配線電路基板1、及複數個對準標記21之集合體片材。又，如圖7所示，配線電路基板集合體片材20具備上述支持金屬層2、保護金屬膜3、鍍覆膜4、基底絕緣層5、配線層6及覆蓋絕緣層7。
配線電路基板1係於配線電路基板集合體片材20中相互隔開間隔地排列配置有複數個。配線電路基板1係於配線電路基板集合體片材20中，藉由未圖示之接頭而連結於配線電路基板1周圍之配線電路基板集合體片材20。配線電路基板1具有沿著第2方向較長地延伸之形狀。配線電路基板1一體地具備沿著第2方向隔開間隔地配置之2個連結體23、及配線體24。
連結體23形成配線電路基板1之第2方向兩端部。連結體23具有於第1方向上稍長之俯視大致矩形平板形狀。連結體23具備端子部 34。於各連結體23中，端子部34係沿第1方向隔開間隔地並列配置。各端子部34具有俯視大致矩形(焊墊)形狀。
配線體24形成配線電路基板1之第2方向中間部。配線體24係於俯視時配置於2個連結體23之間。配線體24具有沿第2方向延伸之形狀。配線體24係沿第2方向將2個連結體23橋接。又，配線體24係於第1方向上相互隔開間隔地並列配置有複數個。複數個配線體24之第2方向兩端部之各者係藉由2個連結體23之各者沿第2方向連結。
又，於相鄰之配線體24間，形成有開口部25。開口部25例如沿第1方向隔著配線體24而並列地形成有複數個。複數個開口部25之各者具有沿第2方向延伸之形狀，且於厚度方向上貫通配線電路基板1。配線體24與開口部25係於第2方向上交替地排列。
複數個配線體24之各者之第1方向長度(寬度)例如為500μm以下，較佳為300μm以下，更佳為100μm以下，又，例如為10μm以上。複數個開口部25之各者之第1方向長度(寬度)例如為10μm以上，較佳為50μm以上，更佳為100μm以上，又，例如為1000μm以下。配線體24之第1方向長度相對於開口部25之第1方向長度之比例如為40以下，較佳為10以下，又，例如為0.1以上，較佳為0.5以上。
對準標記21配置於4個角部之各者。複數個對準標記21之各者具有俯視大致圓形形狀。
配線體及對準標記之層構成
參照圖7對配線體24及對準標記21之各者之詳細情況進行說明。另一方面，對連結體23簡單地進行說明。
複數個配線體24之各者係相互獨立地具備支持金屬層2、保 護金屬膜3、鍍覆膜4、基底絕緣層5、配線層6及覆蓋絕緣層7。
於配線體24中，支持金屬層2係支持配線體24並且將來自配線層6之熱向外部擴散之散熱片。支持金屬層2具有剖面觀察大致矩形形狀。支持金屬層2一體地具有第1支持面10、第2支持面11及支持側面12。第2支持面11係平行於第1支持面10之平坦面。配線體24中之第1支持面10、第2支持面11及支持側面12形成配線體24中之支持金屬層2之表面。
配線體24中之支持金屬層2之厚度由於係藉由對下述支持金屬片材42自厚度方向兩側進行蝕刻而形成，故而被容許相對較厚。支持金屬層2之厚度例如為50μm以上，較佳為100μm以上，較佳為250μm以上，較佳為500μm以上，較佳為1000μm以上，又，例如為10mm以下。又，支持金屬層2之厚度相對於寬度之比(縱橫比)例如為2以上，較佳為2.5以上，更佳為3以上，進而較佳為3.5以上，又，例如為1000以下。
支持金屬層2之第1方向長度(寬度)係自關於上述配線體24之第1方向長度所例示之範圍中適當選擇，具體而言，與配線體24之第1方向長度相同。
於配線體24中，保護金屬膜3係於支持金屬層2與基底絕緣層5之間，配置於支持金屬層2之整個表面。具體而言，保護金屬膜3係於配線體24中，配置於支持金屬層2之第1支持面10整個面。亦即，保護金屬膜3被覆支持金屬層2之第1支持面10整體。
於配線體24中，鍍覆膜4係使支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12之耐腐蝕性提高之耐腐蝕性賦予層(防銹層)。鍍覆膜4配置於作為自支持金屬層2露出之露出面之一例的第2支持面11及支持側面12。鍍覆膜4係於配線體24中，具有朝向厚度方向一側打開之剖面大致
Figure 108117074-A0305-02-0020-2
字形 狀。
因此，配線體24中之支持金屬層2之整個表面由保護金屬膜3及鍍覆膜4保護(被覆)。亦即，配線體24中之支持金屬層2之第1支持面10由保護金屬膜3保護，配線體24中之支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12由鍍覆膜4保護。
於配線體24中，基底絕緣層5係謀求配線層6與保護金屬膜3之絕緣、進而謀求配線層6與支持金屬層2之絕緣的絕緣層。基底絕緣層5配置於保護金屬膜3之厚度方向一面。
於配線體24中，配線層6配置於作為基底絕緣層5之表面之一例的厚度方向一面。配線層6例如於1個配線體24設置有1個。配線層6之第2方向兩端緣係與端子部34(參照圖6)連續。
於配線體24中，覆蓋絕緣層7係保護配線層6之厚度方向一面及側面之絕緣層。覆蓋絕緣層7接觸於配線層6之厚度方向一面及側面、以及配線層6周圍之基底絕緣層5之厚度方向一面。
再者，連結體23具備對應於上述各層(除配線層6以外)及各膜之構件。再者，連結體23具備由與配線層6相同之層形成之端子部34。
對準標記21係由自支持金屬層2露出之對準標記金屬膜31形成。
即，於配置有對準標記金屬膜31之支持金屬層2，形成有第2開口部41。
第2開口部41係對於支持金屬層2之沿厚度方向之貫通孔，以於仰視時包含對準標記開口部33(於下文敍述)之方式，具有大於對準標記開口部33之尺寸。具體而言，第2開口部41之面方向上之最大長度(若為 俯視大致圓形形狀，則為內徑)例如為0.02mm以上，較佳為0.2mm以上，更佳為2mm以上，又，例如為50mm以下，較佳為25mm以下。
對準標記金屬膜31於中央部具有對準標記開口部33。
另一方面，關於對準標記金屬膜31之外形(外端緣)形狀，只要具有上述對準標記開口部33，則並無特別限定。又，對準標記金屬膜31由於對準標記開口部33於仰視時包含於第2開口部41，故而具備於仰視時自第2開口部41露出之凸緣部13。再者，對準標記金屬膜31係與配線體24中之保護金屬膜3一併由同一金屬薄膜43(於下文敍述，參照圖8A)形成為上述形狀。
對準標記金屬膜31一體地具備配置於支持金屬層2之第1支持面10之部分、及未支持於第1支持面10而是自第2開口部41露出之凸緣部13。
而且，於對準標記金屬膜31之凸緣部13中，面向對準標記開口部33之內端緣(內周端面)40構成對準標記21。作為內端緣40之形狀，並無特別限定，例如可列舉俯視(或仰視)大致圓形形狀。
對準標記金屬膜31(凸緣部13)之內端緣40係經由第2開口部41朝向厚度方向另一側露出(面)。
對準標記開口部33之面方向上之最大長度(若為俯視大致圓形形狀，則為內徑)例如為0.01mm以上，較佳為0.1mm以上，更佳為1mm以上，又，例如為25mm以下，較佳為10mm以下。
又，對準標記開口部33之最大長度小於第2開口部41之面方向上之最大長度，對準標記開口部33之最大長度相對於第2開口部41之最大長度之比例如未達1，較佳為0.9以下，更佳為0.8以下，進而較佳為0.7以下， 又，例如為0.1以上，較佳為0.2以上。
再者，於面向第2開口部41之內周面，亦配置有鍍覆膜4。
另一方面，於對準標記金屬膜31之厚度方向一面，形成有具有絕緣開口部50之基底絕緣層5，該絕緣開口部50具有與對準標記開口部33相同之俯視形狀。
其次，參照圖8A~圖10N對製造該配線電路基板集合體片材20及配線電路基板1之方法進行說明。再者，於配線電路基板1之製造方法中，可藉由單片式(批次式)(參照圖6之實線)及卷對卷式(參照圖6之假想線)中之任一者實施。
該配線電路基板1之製造方法具備如下步驟：準備支持金屬片材42(參照圖8A)；配置金屬薄膜43(參照圖8B)；配置基底絕緣層5(參照圖8C)；配置配線層6(參照圖8D)；形成保護金屬膜3及對準標記金屬膜31(參照圖8E)；及配置覆蓋絕緣層7(參照圖8F)。
又，配線電路基板1之製造方法具備如下步驟：於支持金屬片材42形成第2開口部41(參照圖9G~圖9I)；以及配置作為蝕刻阻劑之一例之第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55(參照圖9J~圖10K)。
進而，配線電路基板1之製造方法具備如下步驟：對支持金屬片材42自厚度方向一側及另一側進行蝕刻(參照圖10L~圖10M)；形成鍍覆膜4(參照圖10N)；及將配線電路基板1自配線電路基板集合體片材20取出。
於該配線電路基板1之製造方法中，按上述順序實施上述步驟。
如圖8A所示，於準備支持金屬片材42之步驟中，準備沿面 方向延伸之大致片(板)形狀之支持金屬片材42。
支持金屬片材42係用以形成配線體24之支持金屬層2、及對準標記21之第2開口部41之支持金屬準備體片材。尤其是，支持金屬片材42係用以藉由蝕刻形成第2開口部41之蝕刻片材。
支持金屬片材42具有第1支持面10及第2支持面11。支持金屬片材42之熱導率及材料係與上述支持金屬層2之熱導率及材料相同。
如圖8B所示，於配置金屬薄膜43之步驟中，於支持金屬片材42之第1支持面10整個面，藉由上述金屬薄膜形成方法(較佳為濺鍍)形成金屬薄膜43。金屬薄膜43係用以形成保護金屬膜3及對準標記金屬膜31之準備薄膜。
如圖8C所示，於配置基底絕緣層5之步驟中，以上述圖案於金屬薄膜43之厚度方向一面形成基底絕緣層5。例如，於保護金屬膜3之厚度方向一面塗佈感光性樹脂，藉由進行曝光及顯影之光微影加工，而形成與配線體24對應之基底絕緣層5。再者，於基底絕緣層5形成絕緣開口部50。
如圖8D所示，於配置配線層6之步驟中，將配線層6形成於基底絕緣層5之厚度方向一面。
如圖8E所示，於形成保護金屬膜3及對準標記金屬膜31之步驟中，將自基底絕緣層5露出之金屬薄膜43去除。例如，同時去除配線體24之基底絕緣層5周圍之金屬薄膜43、及自絕緣開口部50露出之金屬薄膜43。於金屬薄膜43之上述去除中，使用以基底絕緣層5作為遮罩(阻劑)之蝕刻、剝離等。藉此，由同一金屬薄膜43同時形成對應於配線體24之保護金屬膜3、及具有對準標記開口部33之對準標記金屬膜31。
如圖8F所示，於配置覆蓋絕緣層7之步驟中，於基底絕緣層5之厚度方向一面，以被覆配線層6之方式形成覆蓋絕緣層7。
如圖9G~圖9I所示，於在支持金屬層2形成第2開口部41之步驟中，例如使用蝕刻。
為了藉由蝕刻而形成第2開口部41，首先，如圖9G所示，於支持金屬片材42之第1支持面10，以被覆保護金屬膜3之側面、基底絕緣層5之側面、覆蓋絕緣層7之側面及厚度方向一面之方式，沿面方向整體連續地配置蝕刻阻劑44。
同時，於支持金屬片材42之第2支持面11配置蝕刻阻劑44，以形成具有與接下來要形成之第2開口部41於仰視時相同之圖案的蝕刻阻劑開口部51。
繼而，如圖9H所示，對自蝕刻阻劑44露出之支持金屬片材42進行蝕刻。具體而言，將自蝕刻阻劑開口部51露出之支持金屬片材42自厚度方向另一側藉由蝕刻而去除。
藉此，於支持金屬片材42形成第2開口部41。
於是，對準標記開口部33之內端緣40朝向厚度方向另一側露出。因此，內端緣40成為可經由第2開口部41而自厚度方向另一側視認之對準標記21。另一方面，內端緣40係由於基底絕緣層5具有透明性，故而自厚度方向一側亦可視認。
其後，如圖9I所示，去除蝕刻阻劑44。
藉此，獲得具備支持金屬片材42、基底絕緣層5、配線層6、覆蓋絕緣層7、保護金屬膜3及對準標記金屬膜31之配線電路片材60。配線電路片材60尚未具備配線體24、鍍覆膜4及開口部25。配線電路片材 60係用以製造配線電路基板集合體片材20之準備片材。
如圖9J~圖10K所示，於配置第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55之步驟中，以對準標記金屬膜31之內端緣40作為定位基準，將第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55之各者以於厚度方向投影時具有與接下來要形成之支持金屬層2大致相同之圖案之方式配置於支持金屬片材42之厚度方向一側及另一側之各者。
具體而言，如圖9J所示，首先，將第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59之各者配置於支持金屬片材42之厚度方向一面整個面及另一面整個面之各者。作為第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59，例如可列舉負型之光阻劑(負光阻劑)。第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59之各者係沿著面方向連續地形成。又，第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59均具有可自厚度方向兩側視認內端緣40之程度之透光性(透明性)。
將第1乾膜阻劑49以填充絕緣開口部50及對準標記開口部33，將第2開口部41之厚度方向一端緣封閉之方式配置於第1支持面10。又，將第1乾膜阻劑49以被覆保護金屬膜3之側面、基底絕緣層5之側面、覆蓋絕緣層7之厚度方向一面及側面之方式配置於支持金屬片材42之第1支持面10。
將第2乾膜阻劑59以將第2開口部41之厚度方向另一端緣封閉之方式配置於第2支持面11。
繼而，將具有第1透光部47及第1遮光部48之第1光罩46配置於第1乾膜阻劑49之厚度方向一側。第1透光部47係於對第1乾膜阻劑49進行曝光時使光透過之部分，且具有與接下來要在第1蝕刻阻劑45形成之第1蝕刻阻劑開口部52(進而，圖10L所示之開口部25)對應之圖案。第1遮光 部48係於對第1乾膜阻劑49進行曝光時遮蔽光之部分，且具有與開口部25對應之圖案。
同時，將具有第2透光部57及第2遮光部58之第2光罩56配置於第2乾膜阻劑59之厚度方向另一側。第2透光部57係於對第2乾膜阻劑59進行曝光時使光透過之部分，且具有與第1透光部47相同之圖案。第2遮光部58係於對第2乾膜阻劑59進行曝光時遮蔽光之部分，且具有與第1遮光部48相同之圖案。
此時，以內端緣40作為第1透光部47及第1遮光部48、與第2透光部57及第2遮光部58之面方向上之定位基準，配置第1光罩46及第2光罩56。
具體而言，以內端緣40作為定位基準，將第1透光部47與第2透光部57以於厚度方向投影時相互重疊(吻合)之方式，於面方向上進行定位。同時，以內端緣40作為定位基準，將第1遮光部48與第2遮光部58以於厚度方向投影時相互重疊(吻合)之方式，於面方向上進行定位。
此時，內端緣40可通過基底絕緣層5及第1乾膜阻劑49，自厚度方向一側藉由相機(圖示)進行觀察。
又，內端緣40可通過第2乾膜阻劑59及第2開口部41，自厚度方向另一側藉由相機進行觀察。
繼而，如圖9J之箭頭所示，對第1乾膜阻劑49經由第1光罩46進行曝光。又，對第2乾膜阻劑59經由第2光罩56進行曝光。
於是，於第1乾膜阻劑49中，形成有藉由透過第1透光部47之光而感光之感光部分、及對應於第1遮光部48之未感光部分。又，於第2乾膜阻劑59中，形成有藉由透過第2透光部57之光而感光之感光部分、 及對應於第2遮光部58之未感光部分。
其後，視需要，對第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59進行曝光，然後進行加熱。
如圖10K所示，其後，對第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59進行顯影。藉此，於第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59中，未感光部分被去除，而感光部分殘存。
藉此，由第1乾膜阻劑49形成具有第1蝕刻阻劑開口部52之第1蝕刻阻劑45。又，由第2乾膜阻劑59形成具有第2蝕刻阻劑開口部53之第2蝕刻阻劑55。第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55具有與支持金屬層2大致相同之圖案。
繼而，如圖10L所示，於對自第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55露出之支持金屬片材42進行蝕刻之步驟中，對與第1蝕刻阻劑開口部52對應之支持金屬片材42自厚度方向一側進行蝕刻，同時對與第2蝕刻阻劑開口部53對應之支持金屬片材42自厚度方向另一側進行蝕刻。
此時，可容許因蝕刻過度地進行之過蝕刻所導致之構成配線體24之支持金屬層2之支持側面12進一步朝第1方向內側後退。
藉此，由支持金屬片材42形成配線體24之支持金屬層2。
如圖10M所示，其後，去除第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55。藉此，製作形成鍍覆膜4之前之鍍覆準備體22。
如圖10N所示，其後，於形成鍍覆膜4之步驟中，對支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12進行鍍覆。
藉此，獲得具備配線電路基板1及對準標記21之對準標記21。
其後，將接頭(未圖示)切斷，而將配線電路基板1自該周圍分離，而自配線電路基板集合體片材20取出。藉此，製造配線電路基板1。
然後，如圖11之比較例2所示，於配線體24不具備保護金屬膜3(參照圖7)，而是基底絕緣層5之厚度方向另一面鄰接於支持金屬層2之第1支持面10之情形時，由於在形成基底絕緣層5時之光微影加工(曝光及顯影)中之顯影時，基底絕緣層5之厚度方向另一面之周端緣被過度地去除(過顯影)，故而於基底絕緣層5之厚度方向另一面之周端緣、與第1支持面10之周端緣之間容易形成微小之間隙19。於是，於如參照圖10N般之對支持金屬層2之支持側面12之鍍覆中，鍍覆液無法充分地進入至間隙19，因此，於第1支持面10中之面向間隙19之周端緣，未形成鍍覆膜4，而是保持露出之狀態。如此，該第1支持面10之周端緣成為腐蝕之起點，進而，複數個配線體24之各者中之支持金屬層2腐蝕。
但是，如圖7所示，於第2實施形態之配線電路基板1中，保護金屬膜3配置於複數個配線體24之各者中之支持金屬層2之第1支持面10整個面。因此，能夠抑制因間隙19(參照圖11)之形成所引起之支持金屬層2之第1支持面10之周端緣腐蝕。進而，鍍覆膜4配置於支持金屬層2之第2支持面11及支持側面12。
因此，配線體24中之支持金屬層2之耐腐蝕性優異。
進而，於該配線電路基板1中，由於配線體24相互隔開間隔地並列配置，故而能夠使配線層6中所產生之熱經由複數個配線體24間之空氣而對流，從而謀求有效率之散熱。
又，如圖9J~圖10K所示，於該配線電路基板1之製造方法 中，以內端緣40作為定位基準，將具有第1蝕刻阻劑開口部52之第1蝕刻阻劑45、及具有第2蝕刻阻劑開口部53之第2蝕刻阻劑55以於厚度方向投影時具有與支持金屬層2大致相同之圖案之方式配置於支持金屬片材42之第1支持面10及第2支持面11。因此，第1蝕刻阻劑開口部52及第2蝕刻阻劑開口部53之位置精度較高。因此，可對自第1蝕刻阻劑開口部52及第2蝕刻阻劑開口部53露出之支持金屬片材42自其厚度方向一側及另一側進行蝕刻，而於短時間內以較高之精度形成支持金屬層2。
而且，如圖8B及圖8E所示，由於由同一金屬薄膜43同時形成保護金屬膜3及對準標記開口部33，故而能夠削減製造步驟數。
進而，如圖9I所示，由於該配線電路片材60具備具有對準標記開口部33之對準標記金屬膜31，故而能夠將對準標記金屬膜31之內端緣40設為可自厚度方向一側及另一側之兩側進行確認之定位基準。具體而言，如圖9J~圖10K所示，可將內端緣40設為定位基準，配置第1光罩46及第2光罩56，並藉由曝光及顯影，而形成第1蝕刻阻劑開口部52及第2蝕刻阻劑開口部53。
該配線電路基板1之用途亦並無特別限定，可用於各種領域。配線電路基板1例如可用於電子設備用配線電路基板(電子零件用配線電路基板)、電氣設備用配線電路基板(電氣零件用配線電路基板)等各種用途。
變化例
於以下之各變化例中，對與上述第2實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例係除特別記載以外，能夠發揮與第2實施形態相同之作用效果。進而，可適當組合第1、第 2實施形態及變化例。
於第2實施形態中，配線電路基板集合體片材20具備複數個(具體而言4個)對準標記21，但其個數並無特別限定。
又，配線電路基板集合體片材20具備對準標記21，但只要製造中途之配線電路片材60具備對準標記21(內端緣40)即可，雖未圖示，但亦可於將複數個配線電路基板1設置於配線電路基板集合體片材20之後，去除對準標記21。即，於該情形時，配線電路基板集合體片材20不具備對準標記21。
於第2實施形態中，如圖9G~圖9I所示，藉由蝕刻(濕式製程)，形成第2開口部41，例如，雖未圖示，但亦可藉由雷射加工(乾式製程)、噴水(水刀)、加壓沖裁形成第2開口部41。可較佳地列舉蝕刻。若為蝕刻，則可形成第2開口部41，但使對準標記金屬膜31確實地殘存。
於第2實施形態中，作為第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59，使用負型之光阻劑(負光阻劑)，但例如亦可使用正型之光阻劑(正光阻劑)。
於第2實施形態中，由第1蝕刻阻劑45及第2蝕刻阻劑55藉由光微影加工而形成第1乾膜阻劑49及第2乾膜阻劑59，但例如亦可將預先形成有第1蝕刻阻劑開口部52之第1乾膜阻劑49、及預先形成有第2蝕刻阻劑開口部53之第2乾膜阻劑59以內端緣40作為位置基準而配置於支持金屬片材42之厚度方向兩側。
配線層6係於1個配線體24設置有1個，例如，雖未圖示，但亦可於1個配線體24設置有複數個。
又，於第2實施形態中，藉由鍍覆而形成有作為保護薄膜之 一例之鍍覆膜4，但例如可藉由除鍍覆以外之濕式製程形成保護薄膜(具體而言，樹脂保護薄膜)。
雖未圖示，但例如配線電路基板集合體片材20(參照圖7及圖10N)及/或配線電路片材60(參照圖9I)亦可進而具備配置於支持金屬層2之厚度方向另一側之第2保護金屬膜35、第2基底絕緣層36、第2配線層37及第2覆蓋絕緣層38(以上參照圖5)。於該情形時，配線體24中之支持金屬層2之整個表面由第2保護金屬膜35、保護金屬膜3及鍍覆膜4保護(被覆)。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定地進行解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
配線電路基板可用於電子設備用配線電路基板、電氣設備用配線電路基板等中。
1‧‧‧配線電路基板
2‧‧‧支持金屬層
3‧‧‧保護金屬膜
4‧‧‧保護薄膜
5‧‧‧基底絕緣層
6‧‧‧配線層
7‧‧‧覆蓋絕緣層
8‧‧‧基部
9‧‧‧突出部
10‧‧‧第1支持面
11‧‧‧第2支持面
12‧‧‧支持側面

Claims (5)

  1. 一種配線電路基板，其特徵在於具備：支持金屬層，其熱導率為5W/m．K以上；絕緣層，其配置於上述支持金屬層之至少厚度方向一側；配線層，其配置於上述絕緣層之表面；保護金屬膜，其於上述支持金屬層與上述絕緣層之間，配置於上述支持金屬層之包含周端緣之整個表面；及保護薄膜，其配置於上述支持金屬層中自上述保護金屬膜露出之露出面。
  2. 如請求項1之配線電路基板，其具備相互隔開間隔地並列配置之複數個配線體，且上述複數個配線體之各者具備：上述支持金屬層；上述絕緣層；上述配線層；上述保護金屬膜；及上述保護薄膜。
  3. 如請求項1或2之配線電路基板，其中上述保護薄膜為鍍覆膜。
  4. 一種配線電路基板之製造方法，其特徵在於：其係製造如請求項2或 3之配線電路基板之方法，且具備如下步驟：準備熱導率為5W/m．K以上之支持金屬片材；於上述支持金屬片材之厚度方向一面，由同一金屬薄膜形成上述保護金屬膜、及與上述保護金屬膜隔開間隔且具有第1開口部之對準標記金屬膜；將上述絕緣層配置於上述保護金屬膜之厚度方向一面；將上述配線層配置於上述絕緣層之上述厚度方向一面；以於厚度方向投影時包含上述第1開口部且上述第1開口部之內端緣朝向厚度方向另一側露出之方式，於上述支持金屬片材形成第2開口部；以上述內端緣作為定位基準，將蝕刻阻劑以於厚度方向投影時具有與上述支持金屬層大致相同之圖案之方式配置於上述支持金屬片材之厚度方向一面及另一面；對自上述蝕刻阻劑露出之上述支持金屬片材，自其厚度方向一側及另一側進行蝕刻，而形成上述支持金屬層；以及於上述支持金屬層之上述露出面藉由濕式製程形成上述保護薄膜。
  5. 一種配線電路片材，其特徵在於：其係用以製造如請求項2或3之配線電路基板者，且具備：支持金屬片材，其熱導率為5W/m．K以上，且具有第2開口部；上述絕緣層，其配置於上述支持金屬片材之至少厚度方向一側；上述配線層；上述保護金屬膜，其於上述絕緣層與上述支持金屬片材之間與上述第2開口部隔開間隔地配置；及 對準標記金屬膜，其配置於上述支持金屬片材之厚度方向一面，具有於厚度方向投影時包含於上述第2開口部之第1開口部，且上述第1開口部之內端緣經由上述第2開口部朝向厚度方向另一側露出。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7211930B2 (ja) * 2019-12-17 2023-01-24 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法
TWI838562B (zh) * 2020-07-17 2024-04-11 梁晉睿 複合材料製造方法及其應用
JP7515339B2 (ja) 2020-08-07 2024-07-12 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法、および配線回路基板
JP2022147128A (ja) 2021-03-23 2022-10-06 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法
JP2022168734A (ja) * 2021-04-26 2022-11-08 日東電工株式会社 集合体シート、および、集合体シートの製造方法
JP2022168735A (ja) * 2021-04-26 2022-11-08 日東電工株式会社 集合体シート、および、集合体シートの製造方法
TWI786710B (zh) * 2021-07-07 2022-12-11 艾姆勒科技股份有限公司 散熱器結構
US20230080659A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-16 Amulaire Thermal Technology, Inc. Radiator structure
JP7448828B2 (ja) * 2021-09-30 2024-03-13 日亜化学工業株式会社 配線基板、発光装置及びそれらの製造方法
JP2023066606A (ja) 2021-10-29 2023-05-16 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法
KR20240062530A (ko) * 2022-11-02 2024-05-09 엘지이노텍 주식회사 열전모듈

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06125155A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JPH08125295A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Mitsui Toatsu Chem Inc 金属ベース回路基板
JP2007035868A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp 配線回路基板の製造方法
JP2014191845A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd サスペンション用基板
TW201803427A (zh) * 2016-02-22 2018-01-16 大和股份有限公司 配線基板或配線基板材料之製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55140255A (en) 1979-04-18 1980-11-01 Nec Corp Heat sink structure
JP3827559B2 (ja) * 2001-11-15 2006-09-27 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
JP3950060B2 (ja) * 2003-01-09 2007-07-25 イビデン株式会社 配線板およびその製造方法
US20060180344A1 (en) * 2003-01-20 2006-08-17 Shoji Ito Multilayer printed wiring board and process for producing the same
WO2004073370A1 (ja) * 2003-02-13 2004-08-26 Fujikura Ltd. 多層基板およびその製造方法
KR100688858B1 (ko) * 2004-12-30 2007-03-02 삼성전기주식회사 스파이럴 3차원 인덕터를 내장한 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5587116B2 (ja) * 2009-09-30 2014-09-10 京セラ株式会社 配線基板及び実装構造体
US8513535B2 (en) * 2009-10-30 2013-08-20 Kyocera Corporation Circuit board and structure using the same
JP2011151367A (ja) * 2009-12-25 2011-08-04 Sony Corp 回路基板積層モジュール及び電子機器
US9113569B2 (en) * 2011-03-25 2015-08-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing same
KR101255953B1 (ko) * 2011-09-27 2013-04-23 삼성전기주식회사 적층형 공진 코일의 제조 방법
US9287034B2 (en) * 2012-02-27 2016-03-15 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board, inductor component, and method for manufacturing inductor component
JP2014007339A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、その製造方法及びプリント配線板
JP2014032978A (ja) * 2012-07-31 2014-02-20 Ibiden Co Ltd インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法及び配線板
JP6170790B2 (ja) * 2013-09-13 2017-07-26 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US20150116950A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Coil component, manufacturing method thereof, coil component-embedded substrate, and voltage adjustment module having the same
CN111511128B (zh) * 2013-11-01 2023-07-14 株式会社可乐丽 电路基板
KR101642643B1 (ko) * 2015-01-27 2016-07-29 삼성전기주식회사 코일 부품 및 이의 제조 방법
KR101717970B1 (ko) * 2015-04-28 2017-03-21 민동훈 다층 구조의 보이스 코일판 및 이를 포함하는 평판형 스피커
JP6750756B2 (ja) * 2018-03-28 2020-09-02 株式会社村田製作所 樹脂多層基板、アクチュエータ、および樹脂多層基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06125155A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JPH08125295A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Mitsui Toatsu Chem Inc 金属ベース回路基板
JP2007035868A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp 配線回路基板の製造方法
JP2014191845A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd サスペンション用基板
TW201803427A (zh) * 2016-02-22 2018-01-16 大和股份有限公司 配線基板或配線基板材料之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11284503B2 (en) 2022-03-22
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TW202005494A (zh) 2020-01-16
WO2019230335A1 (ja) 2019-12-05
JP2019212659A (ja) 2019-12-12
KR20210016526A (ko) 2021-02-16
CN112205087A (zh) 2021-01-08
JP7066528B2 (ja) 2022-05-13

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