TWI816851B - 處理條件修正方法及基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的為，在拍攝裝置較少的基板處理系統中，於不影響生產效率的情況下，適當地修正處理條件。為了達成上述目的，本發明提供一種基板處理系統中的處理條件的修正方法，該基板處理系統，實行對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理的處理裝置針對各該單位處理具備複數個，且更具備拍攝該基板的拍攝裝置；該方法，包含：監視用拍攝步驟，其針對各基板，在該一連串處理的開始前與結束後，以該拍攝裝置拍攝該基板；裝置特定步驟，其根據該監視用拍攝步驟的拍攝結果，與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，特定出推定其存在異常的該處理裝置；異常判定用拍攝步驟，其使用該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；異常有無判定步驟，其根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，判定該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及處理條件修正步驟，其針對在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理的處理條件。

Description

處理條件修正方法及基板處理系統
本發明係關於一種處理條件修正方法以及基板處理系統。
專利文獻1，揭示了一種用以形成均一線寬的基板處理系統。在該基板處理系統中，係在圖案曝光前利用拍攝部拍攝形成了光阻膜的基板，並根據拍攝結果，測定圖案曝光前的基板上的光阻膜的膜厚分布。另外，在圖案曝光且加熱處理後利用拍攝部拍攝同一基板，並根據拍攝結果，測定加熱處理後的基板上的光阻膜的膜厚分布。然後，根據圖案曝光前的光阻膜的膜厚分布與加熱處理後的光阻膜的膜厚分布，產生膜厚差資料，並根據膜厚差資料，推定光阻圖案的線寬。利用基於該推定結果的光阻膜修正條件，對光阻膜實行修正處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-28086號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明所揭示的技術，可在拍攝裝置較少的基板處理系統中，於不影響生產效率的情況下，適當地修正處理條件。 [解決問題的手段]
本發明一實施態樣，係一種基板處理系統中的處理條件的修正方法，該基板處理系統，實行對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理的處理裝置針對各該單位處理具備複數個，且更具備拍攝該基板的拍攝裝置；該方法，包含：監視用拍攝步驟，其針對各基板，在該一連串處理的開始前與結束後，以該拍攝裝置拍攝該基板；裝置特定步驟，其根據該監視用拍攝步驟的拍攝結果，與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，特定出推定其存在異常的該處理裝置；異常判定用拍攝步驟，其使用該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；異常有無判定步驟，其根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，判定該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及處理條件修正步驟，其針對在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理的處理條件。 [發明的功效]
若根據本發明，便可在拍攝裝置較少的基板處理系統中，於不影響生產效率的情況下，適當地修正處理條件。
在半導體裝置等的製造程序的微影步驟中，會實行一連串處理，以在作為基板的半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)上，形成既定的光阻圖案。上述一連串處理，例如，包含：在晶圓上塗布光阻液以形成光阻膜的光阻塗布處理、對光阻膜進行曝光的曝光處理、令經過曝光的光阻膜顯影的顯影處理，以及各種熱處理等。所謂各種熱處理，係指在曝光前對光阻膜進行加熱的處理(PAB處理)，或在曝光後促進光阻膜內的化學反應的加熱處理(PEB處理)等。
上述的光阻塗布處理，係一邊令晶圓旋轉一邊對該晶圓供給塗布液以形成塗布膜的旋轉塗布處理。該光阻塗布處理中的晶圓的處理旋轉速度等的處理條件會對光阻膜厚造成影響。因此，若像專利文獻1那樣根據拍攝部的拍攝結果測定光阻膜的膜厚，便可根據測定結果調整光阻塗布處理的上述處理條件以獲得吾人所期望的膜厚。另外，PEB處理中的熱處理溫度等的處理條件會對光阻圖案的線寬造成影響。因此，若像專利文獻1那樣根據拍攝部的拍攝結果測定光阻膜的膜厚並根據該膜厚推定光阻圖案的線寬，便可根據推定結果調整PEB處理中的上述處理條件以獲得吾人所期望的線寬。
另外，在微影步驟的一連串處理中，會形成下層膜或中間層膜作為光阻膜的基底，具體而言，有時會由下往上依序形成下層膜、中間層膜以及光阻膜等各層狀膜作為堆疊膜。由於光阻膜以外的層狀膜亦與光阻膜同樣必須形成吾人所期望的膜厚，故吾人考慮針對各層狀膜測定膜厚，並根據測定結果，調整用以形成各層狀膜的處理條件。然而，若針對每個層狀膜設置膜厚測定用的拍攝部，則形成由該等層狀膜所構成的堆疊膜的基板處理系統的造價會變得很昂貴。另外，當為了更正確地測定膜厚而在各層狀膜形成處理的實行前與實行後的二個時點拍攝晶圓時，若在上述實行前與實行後的二個時點使用不同的拍攝部，則造價會變得更高昂。另外，當針對各層狀膜進行拍攝時，若並未針對每個層狀膜設置拍攝部而係減少其數量並在相異層狀膜之間共用該等拍攝部，則會發生等待利用拍攝部的待機時間，生產效率會變差。
關於該問題點專利文獻1並無任何揭示或教示內容。
另外，下層膜、中間膜以及光阻膜的各層狀膜，係由前述的旋轉塗布處理所形成。旋轉塗布處理等的處理條件的上述問題，對於用旋轉塗布處理以外的方法形成上述各層狀膜的處理中的處理條件的調整，或是將層狀膜的一部分或全部除去的蝕刻處理中的處理條件的調整等而言，亦為共通的問題。
於是，本發明可提供一種即使在拍攝裝置較少的情況下，仍可適當地修正處理條件而不會對生產效率造成影響的處理條件修正方法以及基板處理系統。以下，說明本實施態樣之處理條件修正方法以及基板處理系統。另外，在本說明書以及圖式中，會對實質上具有相同功能構造的要件，附上相同的符號，並省略重複說明。
(第1實施態樣) 圖1，係表示第1實施態樣之基板處理系統1的概略內部構造的說明圖。圖2以及圖3，分別係表示基板處理系統1的概略內部構造的前視圖以及後視圖。另外，在本實施態樣中，係以基板處理系統1為對晶圓W實行塗布顯影處理的塗布顯影處理系統的態樣為例進行說明。
基板處理系統1，係實行「對晶圓W的層狀膜形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上，或其中任一方實行複數次」等一連串處理，以令該晶圓W處於既定狀態者。本實施例之基板處理系統1，係實行「下層膜、中間膜以及光阻膜等層狀膜的旋轉塗布形成步驟與光阻膜的顯影步驟」等塗布顯影處理作為上述一連串處理者。基板處理系統1，如圖1所示的，具有：收納了複數枚晶圓W的匣盒可搬入或搬出的匣盒站2，以及實行構成塗布顯影處理的單位處理的各種處理裝置就每種單位處理而言具備了複數個的處理站3。然後，基板處理系統1，具有將匣盒站2、處理站3、在相鄰的處理站3與曝光裝置4之間傳遞晶圓W的介面站5連接成一體的構造。
匣盒站2，例如分成匣盒搬入搬出部10與晶圓搬運部11。例如，匣盒搬入搬出部10，設置在基板處理系統1的Y方向的負方向(圖1的左方向)側的端部。於匣盒搬入搬出部10，設置了匣盒載置台12。在匣盒載置台12上，設置了複數個(例如4個)載置板13。載置板13，在水平方向的X方向(圖1的上下方向)上並排設置成一列。當相對於基板處理系統1的外部將匣盒C搬入或搬出時，可將匣盒C載置於該等載置板13。
於晶圓搬運部11，如圖1所示的，設置了在沿著X方向延伸的搬運路徑20上隨意移動的晶圓搬運裝置21。晶圓搬運裝置21，亦沿著上下方向以及繞垂直軸(θ方向)隨意移動，而可在各載置板13上的匣盒C與後述的處理站3的第3區塊G3的傳遞裝置之間搬運晶圓W。
於處理站3，設置了具備各種裝置的複數個區塊，例如第1～第4的4個區塊G1、G2、G3、G4。例如，於處理站3的正面側(圖1的X方向的負方向側)，設置了第1區塊G1；於處理站3的背面側(圖1的X方向的正方向側)，設置了第2區塊G2。另外，於處理站3的匣盒站2側(圖1的Y方向的負方向側)，設置了第3區塊G3；於處理站3的介面站5側(圖1的Y方向的正方向側)，設置了第4區塊G4。
於第1區塊G1，設置了液體處理裝置作為處理裝置，例如，如圖2所示的，由下往上依序配置了顯影處理裝置30、下層膜形成裝置31、中間層膜形成裝置32、光阻膜形成裝置33。顯影處理裝置30，實行在形成了光阻膜的晶圓W曝光後供給顯影液以令該晶圓W顯影的顯影處理。下層膜形成裝置31，實行將下層膜形成用的塗布液供給到晶圓W以在該晶圓W上形成下層膜的下層膜形成處理。下層膜，例如為SoC(Spin On Carbon，旋塗碳層)膜。中間層膜形成裝置32，實行將中間層膜形成用的塗布液供給到晶圓W以在該晶圓W上形成中間層膜的中間層膜形成處理。中間層膜，例如為含矽反射防止膜(SiARC膜)。光阻膜形成裝置33，實行將光阻液供給到晶圓W以在該晶圓W上形成光阻膜的光阻膜形成處理。顯影處理、下層膜形成處理、中間層膜形成處理以及光阻膜處理，均為構成前述一連串處理(亦即塗布顯影處理)的單位處理的一例。
例如，顯影處理裝置30、下層膜形成裝置31、中間層膜形成裝置32以及光阻膜形成裝置33，各自在水平方向上並排配置了3個。另外，該等顯影處理裝置30、下層膜形成裝置31、中間層膜形成裝置32以及光阻膜形成裝置33的數目或配置，可任意選擇之。
在該等顯影處理裝置30、下層膜形成裝置31、中間層膜形成裝置32以及光阻膜形成裝置33中，例如，會實行在晶圓W上塗布既定處理液的旋轉塗布步驟。在旋轉塗布步驟中，例如，從塗布噴嘴將處理液吐出到晶圓W上，同時令晶圓W旋轉，以令處理液在晶圓W的表面上擴散。另外，關於光阻膜形成裝置33的構造容後敘述之。
例如，於第2區塊G2，如圖3所示的，在上下方向與水平方向上並排設置了實行晶圓W的加熱或冷卻等熱處理的熱處理裝置40。關於熱處理裝置40的數目或配置，亦可任意選擇之。於熱處理裝置40，包含了下層膜加熱用者、中間層膜加熱用者以及PAB處理用者。在下層膜加熱用的熱處理裝置40中，實行將利用下層膜形成裝置31形成了下層膜的晶圓W加熱以令該下層膜硬化的下層膜用熱處理。在中間層膜加熱用的熱處理裝置40中，實行將利用中間層膜形成裝置32形成了中間層膜的晶圓W加熱以令該中間層膜硬化的中間層膜用熱處理。在PAB處理用的熱處理裝置40中，實行將利用光阻膜形成裝置33形成了光阻膜的晶圓W在曝光前加熱以令該光阻膜硬化的PAB處理。另外，於熱處理裝置40，包含實行將曝光後且顯影處理後的晶圓W上的光阻膜加熱的PB處理的PB處理用的熱處理裝置。下層膜形用熱處理、中間層膜用熱處理、PAB處理、PEB處理、PB處理，均為構成前述一連串處理(亦即塗布顯影處理)的單位處理的一例。另外，關於熱處理裝置40的構造容後敘述之。
於第3區塊G3，設置了複數個傳遞裝置50，並在其上設置了檢査裝置51、52。另外，關於檢査裝置51的構造容後敘述之。另外，於第4區塊G4，設置了複數個傳遞裝置60。
如圖1所示的，於第1區塊G1～第4區塊G4所包圍的區域，形成了晶圓搬運區域D。於晶圓搬運區域D，例如配置了晶圓搬運裝置70。
晶圓搬運裝置70，例如具有在Y方向、前後方向、θ方向以及上下方向上隨意移動的搬運臂70a。晶圓搬運裝置70，在晶圓搬運區域D內移動，而可將晶圓W搬運到周圍的第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3以及第4區塊G4內的既定裝置。晶圓搬運裝置70，例如，如圖3所示的，上下配置了複數台，例如，可將晶圓W搬運到各區塊G1～G4的相同程度的高度的既定裝置。
另外，於晶圓搬運區域D，設置了在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線地搬運晶圓W的穿梭搬運裝置71。
穿梭搬運裝置71，例如在圖3的Y方向上直線地隨意移動。穿梭搬運裝置71，在支持著晶圓W的狀態下在Y方向上移動，而可在相同程度的高度的第3區塊G3的傳遞裝置50與第4區塊G4的傳遞裝置60之間搬運晶圓W。
如圖1所示的，於第3區塊G3的X方向的正方向側，設置了晶圓搬運裝置72。晶圓搬運裝置72，例如具有在前後方向、θ方向以及上下方向上隨意移動的搬運臂72a。晶圓搬運裝置72，在支持著晶圓W的狀態下上下移動，而可將晶圓W搬運到第3區塊G3內的各傳遞裝置50。
於介面站5，設置了晶圓搬運裝置73與傳遞裝置74。晶圓搬運裝置73，例如具有在Y方向、θ方向以及上下方向上隨意移動的搬運臂73a。晶圓搬運裝置73，例如於搬運臂73a支持晶圓W，而可在第4區塊G4內的各傳遞裝置60、傳遞裝置74以及曝光裝置4之間搬運晶圓W。
接著，針對上述的光阻膜形成裝置33的構造進行說明。圖4以及圖5，各自係表示光阻膜形成裝置33的概略構造的縱剖面圖以及橫剖面圖。光阻膜形成裝置33，如圖4以及圖5所示的，具有可密閉內部的處理容器100。於處理容器100的晶圓搬運裝置70側的側面，形成了晶圓W的搬入搬出口(圖中未顯示)，並於該搬入搬出口設置了開閉擋門(圖中未顯示)。
在處理容器100內的中央部位，設置了保持晶圓W並令其旋轉的旋轉夾頭110。旋轉夾頭110，具有水平的頂面，於該頂面，例如設置了吸引晶圓W的吸引口(圖中未顯示)。藉由來自該吸引口的吸引，便可將晶圓W吸附、保持在旋轉夾頭110上。
在旋轉夾頭110的下方，例如設置了具備馬達等的夾頭驅動部111。旋轉夾頭110，可藉由夾頭驅動部111而按既定的速度旋轉。另外，於夾頭驅動部111，例如設置了汽缸等的升降驅動源，旋轉夾頭110會隨意升降。
於旋轉夾頭110的周圍，設置了擋住並回收從晶圓W飛濺或灑落的液體的杯具112。於杯具112的底面，連接了將回收液體排出的排出管113以及將杯具112內的氣體環境以真空吸引的方式排出的排氣管114。
如圖5所示的，於杯具112的X方向的負方向(圖5中的下方向)側，設置了沿著Y方向(圖5中的左右方向)延伸的軌道120。軌道120，例如從杯具112的Y方向的負方向(圖5中的左方向)側的外側設置到Y方向的正方向(圖5中的右方向)側的外側。於軌道120，安裝了臂部121。
於臂部121，如圖4以及圖5所示的，支持著將光阻液供給到晶圓W上的塗布噴嘴122。臂部121，利用圖5所示的噴嘴驅動部123，而在軌道120上隨意移動。藉此，塗布噴嘴122，便可從設置在杯具112的Y方向的正方向側的外側的待機部124移動到杯具112內的晶圓W的中心部位上方，更可在該晶圓W上沿著晶圓W的半徑方向移動。另外，臂部121，藉由噴嘴驅動部123隨意升降，而可調節塗布噴嘴122的高度。
於塗布噴嘴122，如圖4所示的，連接了對該塗布噴嘴122供給光阻液的供給管125。供給管125，與內部儲存光阻液的光阻液供給源126連通。另外，於供給管125，設置了包含控制光阻液流動的閥門或流量調節部等在內的供給裝置群127。
另外，顯影處理裝置30、下層膜形成裝置31，或中間層膜形成裝置32的構造，與上述的光阻膜形成裝置33的構造相同。然而，在顯影處理裝置30等裝置以及光阻膜形成裝置33中，從塗布噴嘴所供給的處理液有所不同。
接著，針對熱處理裝置40的構造進行說明。圖6以及圖7，分別係表示熱處理裝置40的概略構造的縱剖面圖以及橫剖面圖。例如，熱處理裝置40，如圖6以及圖7所示的，在框體130內，具備對晶圓W進行加熱處理的加熱部131，以及對晶圓W進行冷卻處理的冷卻部132。如圖7所示的，於框體130的冷卻部132附近的兩側面，形成了晶圓W搬入或搬出用的搬入搬出口133。
加熱部131，如圖6所示的，具備：位於上側而隨意上下移動的蓋體140，以及位於下側且可與該蓋體140合成一體以形成處理室S的熱板收納部141。
蓋體140，具有底面開口的大略筒形形狀，其覆蓋載置在後述的熱板142上的晶圓W的被處理面(亦即頂面)。於蓋體140的頂面中央部位，設置了排氣部140a。處理室S內的氣體環境，從排氣部140a排出。另外，於蓋體140，設置了測定該蓋體140的溫度的溫度測定部，亦即溫度感測器143。在圖式的例子中，溫度感測器143係設置在蓋體140的端部，惟亦可設置在蓋體140的中央部位等。
於熱板收納部141的中央，設置了載置晶圓W並將該載置之晶圓W加熱的熱板142。熱板142，形成具有厚度的大略圓盤形狀，將熱板142的頂面(亦即晶圓W的搭載面)加熱的加熱器150設置在其內部。加熱器150，例如，採用電加熱器。針對該熱板142的構造容後敘述之。
於熱板收納部141，設置了從厚度方向貫通熱板142的升降銷151。升降銷151，藉由汽缸等升降驅動部152隨意升降，而可從熱板142的頂面突出以在其與後述的冷卻板170之間傳遞晶圓W。
熱板收納部141，例如，如圖6所示的，具有：收納熱板142並保持熱板142的外周圍部位的環狀保持構件160，以及包圍該保持構件160的外周圍的大略筒狀的支持環161。
於鄰接加熱部131的冷卻部132，例如設置了載置並冷卻晶圓W的冷卻板170。冷卻板170，例如，如圖7如所示的，具有大略方形的平板形狀，加熱部131側的端面彎曲成圓弧狀。於冷卻板170的內部，例如，內建了帕耳帖元件等圖中未顯示的冷卻構件，而可將冷卻板170調整至既定的設定溫度。
冷卻板170，例如，如圖6所示的，被支持臂171所支持，該支持臂171，安裝於往加熱部131側的X方向延伸的軌道172。冷卻板170，可藉由安裝於支持臂171的驅動機構173而在軌道172上移動。藉此，冷卻板170，便可移動到加熱部131側的熱板142的上方。
於冷卻板170，例如，沿著圖7的X方向形成了2條狹縫174。狹縫174，從冷卻板170的加熱部131側的端面形成到冷卻板170的中央部位附近。藉由該狹縫174，避免往加熱部131側移動的冷卻板170與熱板142上的升降銷151互相干涉。如圖6所示的，於位在冷卻部132內的冷卻板170的下方，設置了升降銷175。升降銷175，可藉由升降驅動部176而升降。升降銷175，可從冷卻板170的下方上升並通過狹縫174，而從冷卻板170的上方突出，進而例如在其與從搬入搬出口133進入到框體130的內部的晶圓搬運裝置70之間傳遞晶圓W。
接著，針對熱板142的構造詳細敘述之。圖8，係表示熱板142的概略構造的俯視圖。熱板142，如圖8所示的，區劃出複數個，例如5個熱板區域R1～R5。熱板142，例如區劃成從俯視觀察位於中心部位的圓形的熱板區域R1，以及將該熱板區域R1的周圍分成圓弧狀的4等分的熱板區域R2～R5。
於熱板142的各熱板區域R1～R5，個別地內建了加熱器180，可對各熱板區域R1～R5個別地進行加熱。各熱板區域R1～R5的加熱器180的發熱量，例如由溫度控制裝置181進行調整。溫度控制裝置181，調整各加熱器180的發熱量，便可將各熱板區域R1～R5的處理溫度控制成既定的設定溫度。溫度控制裝置181的溫度設定，由控制部300實行之。
接著，針對檢査裝置51的構造進行說明。圖9以及圖10，分別係表示檢査裝置51的概略構造的縱剖面圖以及橫剖面圖。檢査裝置51，如圖9以及圖10所示的，具有罩殼190。在罩殼190內，設置了載置晶圓W的載置台200。該載置台200，藉由馬達等旋轉驅動部201而隨意旋轉、停止。於罩殼190的底面，設置了從罩殼190內的一端側(圖10中的X方向的負方向側)延伸到另一端側(圖10中的X方向的正方向側)的引導軌道202。載置台200與旋轉驅動部201，設置在引導軌道202上，可藉由驅動裝置203而沿著引導軌道202移動。
於罩殼190內的另一端側(圖10的X方向的正方向側)的側面，設置了拍攝裝置210。拍攝裝置210，例如可採用廣角型的CCD相機。
於罩殼190的上部中央附近，設置了半鏡211。半鏡211，在與拍攝裝置210互相對向的位置，設置成鏡面從面向垂直下方的狀態向拍攝裝置210的方向往上方傾斜45度的狀態。在半鏡211的上方，設置了照明裝置212。半鏡211與照明裝置212，固定於罩殼190內部的頂面。來自照明裝置212的照明，通過半鏡211向下方照射。因此，位於照明裝置212的下方的物體所反射的光，被半鏡211再度反射，而由拍攝裝置210所擷取。亦即，拍攝裝置210，可拍攝位於照明裝置212的照射區域的物體。
另外，檢査裝置52的構造，與上述的檢査裝置51的構造相同。
於以上的基板處理系統1，如圖1所示的，設置了控制部300。控制部300，例如，係由具備CPU或記憶體等的電腦所構成，具有程式儲存部(圖中未顯示)。於程式儲存部，儲存了包含修正構成前述一連串處理的單位處理的處理條件的程式在內的控制基板處理系統1中的晶圓W的處理的程式。另外，上述程式，係記錄於電腦可讀取記憶媒體H者，亦可為從該記憶媒體H安裝到控制部300者。
另外，控制部300，如圖11所示的，具有：記憶部310、第1取得部311、裝置特定部312、第2取得部313、第3取得部314、異常有無判定部315、處理條件修正部316、修正適當與否判定部317。
記憶部310，記憶各種資訊。在基板處理系統1中，係實行形成下層膜、中間層膜以及光阻膜的堆疊膜並對曝光後的光阻膜進行顯影的塗布顯影處理，作為前述的一連串處理。記憶部310，針對每個晶圓W記憶實行塗布顯影處理時所使用的處理裝置的資訊(以下稱為「履歷資訊」)。履歷資訊，換言之，係表示在實行塗布顯影處理時，通過了所存在的複數個下層膜形成裝置31之中的哪一個下層膜形成裝置31等的搬運路徑資訊。
第1取得部311，針對各晶圓W，從檢査裝置51或檢査裝置52的拍攝裝置210，取得塗布顯影處理開始前的該晶圓W的拍攝結果，以及塗布顯影處理結束後的該晶圓W的拍攝結果。
裝置特定部312，根據第1取得部311所取得的塗布顯影處理開始前與結束後的拍攝結果，以及針對每個晶圓W所記憶的履歷資訊/搬運路徑資訊，特定出推定其存在異常的處理裝置(推定異常裝置NA)。除了塗布顯影處理結束後的晶圓W的拍攝結果之外亦使用塗布顯影處理開始前的晶圓W的拍攝結果，係為了將從塗布顯影處理開始前晶圓W便發生異常的案例排除在外。
第2取得部313，控制推定異常裝置NA，對檢査用晶圓W，以既定的處理條件，實行該裝置的單位處理A。另外，所謂既定的處理條件，係指與實行塗布顯影處理時相同的處理條件。然後，第2取得部313，從檢査裝置51或檢査裝置52的拍攝裝置210，取得單位處理A實行前的檢査用晶圓W的拍攝結果，以及推定異常裝置NA的單位處理A實行後的檢査用晶圓W的拍攝結果。
第3取得部314，控制實行與推定異常裝置NA相同的單位處理A的同種類的另一處理裝置(同種類另一處理裝置A＊)，對檢査用晶圓W，以既定的處理條件，實行單位處理A。然後，第3取得部314，從檢査裝置51的拍攝裝置210取得單位處理A實行前的檢査用晶圓W的拍攝結果。另外，上述同種類另一處理裝置A＊的單位處理A實行後的檢査用晶圓W的拍攝結果，亦從檢査裝置52的拍攝裝置210取得之。
異常有無判定部315，根據第2取得部313所取得的拍攝結果，判定推定異常裝置NA中有無實際的異常。例如，異常有無判定部315，根據第2取得部313所取得的推定異常裝置NA的單位處理A實行前後的拍攝結果，以及第3取得部314所取得的同種類另一處理裝置A＊的單位處理A實行前後的拍攝結果，判定有無實際的異常。除了單位處理A實行後的檢査用晶圓W的拍攝結果之外亦使用單位處理A實行前的檢査用晶圓W的拍攝結果，係為了將在單位處理A實行前檢査用晶圓便發生異常的案例排除在外。
然後，處理條件修正部316，針對被判定為實際上存在異常的推定異常裝置NA(異常裝置A＃)，依照以下的方法修正單位處理A的處理條件。
已知基於拍攝裝置210的拍攝結果的拍攝影像的RGB資料與光阻膜的膜厚之間存在相關關係(參照專利文獻1)。另外，本發明人反覆專注檢討，發現基於拍攝裝置210的拍攝結果的拍攝影像的RGB資料與晶圓W上的光阻圖案的線寬之間存在相關關係。
圖12，係表示拍攝裝置210的拍攝影像的RGB資料與晶圓W上的光阻圖案的線寬之間存在相關關係的圖式。另外，在圖12(A)～(D)中，各影像I1～I4，係以灰階影像顯示，惟實際上係彩色影像。
圖12(A)以及圖12(C)的影像I1、I3係依照以下的方式取得之。亦即，將形成了光阻圖案的晶圓W分割成437個區域，在各區域中，利用SEM測定該區域上的光阻圖案的線寬，並針對每個區域算出線寬的平均值。另外，將所算出的線寬的平均值轉換成RGB資料。所謂RGB資料，係指包含R(紅)、G(綠)、B(藍)各自的畫素值/輝度值在內的資料。然後，針對每個區域，作成令該區域的座標與從線寬的平均值所轉換的RGB資料互相對應的表格。根據該表格，取得如圖12(A)以及圖12(C)所示的表示光阻圖案的線寬分布的RGB影像I1、I3。
圖12(B)與圖12(D)的影像I2、I4係依照以下的方式獲得。亦即，用檢査裝置51的拍攝裝置210拍攝形成了光阻圖案的晶圓W整體。然後，將晶圓W分割成437個區域，在各區域中，算出該區域所包含的畫素中的R、G、B各自的畫素值的平均值。然後，針對每個區域，作成令該區域的座標與上述畫素值的平均值(亦即RGB資料的平均值)互相對應的表格。然後，配合檢査裝置51中的光學系統等校正該表格。根據所校正的表格取得如圖12(B)以及(D)所示的RGB影像I2、I4。在本說明書中所謂的「拍攝影像」，係指例如從拍攝裝置210的拍攝結果依照上述的方式所取得的影像。
另外，對晶圓W的處理條件(亦包含所使用的各種處理裝置)，在圖12(A)與圖12(B)為相同，在圖12(C)與圖12(D)亦相同。然而，對晶圓W的處理條件，在圖12(A)與圖12(C)有所不同。在圖12(A)的影像I1與圖12(B)的影像I2之間顏色的分布為相似，另外，在圖12(C)的影像I3與圖12(D)的影像I4之間顏色的分布亦相似。根據於此，可知從使用拍攝裝置210的拍攝結果所得到的，表示晶圓W的表面狀態的拍攝影像中的顏色的資訊(亦即RGB資料)，與晶圓W上的光阻圖案的線寬，存在相關關係。
如上所述的，拍攝裝置210的拍攝影像的RGB資料與光阻膜的膜厚之間存在相關關係，另外，拍攝裝置210的拍攝影像的RGB資料與晶圓W上的光阻圖案的線寬之間存在相關關係。於是，處理條件修正部316，用拍攝影像中的RGB資料的變化量與處理條件的變化量的相關模型，根據第2取得部313所取得的拍攝結果，修正異常裝置A＃中的處理條件。
修正適當與否判定部317，控制異常裝置A＃，對檢査用晶圓W，以修正後的處理條件，實行單位處理A。然後，修正適當與否判定部317，取得基於修正後的處理條件的單位處理A實行後的檢査用晶圓W的拍攝結果，並根據該拍攝結果，判定處理條件修正部316的修正是否適當。
以下，說明本實施態樣之包含處理條件的修正處理在內的晶圓處理。圖13，係用來說明上述晶圓處理的一例的流程圖。
>1.量產步驟(監視用拍攝步驟)> 在本實施態樣之晶圓處理中，會對量產用晶圓W實行塗布顯影處理(步驟S1)。在該步驟中，針對各量產用晶圓W，在塗布顯影處理的開始前與結束後，以檢査裝置51、52的拍攝裝置210進行拍攝。
具體而言，首先，從匣盒載置台12上的匣盒C依序取出量產用晶圓W，並將其搬運到處理站3的第3區塊G3的檢査裝置51。然後，利用拍攝裝置210拍攝塗布顯影處理開始前的量產用晶圓W，並由第1取得部311取得該量產用晶圓W的拍攝影像。
之後，量產用晶圓W，被搬運到第1區塊G1的下層膜形成裝置31，在該晶圓W上形成下層膜。接著，量產用晶圓W，被搬運到下層膜加熱用的熱處理裝置40，進行加熱處理。
之後，量產用晶圓W，被搬運到中間層膜形成裝置32，在該晶圓W的下層膜上形成中間層膜。接著，量產用晶圓W，被搬運到中間層膜用的熱處理裝置40，進行加熱處理。
之後，量產用晶圓W，被搬運到光阻膜形成裝置33，形成光阻膜。接著，量產用晶圓W，被搬運到PAB處理用的熱處理裝置40，進行PAB處理。之後，量產用晶圓W，被搬運到曝光裝置4，以既定的圖案進行曝光處理。
接著，量產用晶圓W，被搬運到PEB處理用的熱處理裝置40，進行PEB處理。之後，量產用晶圓W，被搬運到顯影處理裝置30，進行顯影處理。在顯影處理結束後，量產用晶圓W，被搬運到曝後烤處理用的熱處理裝置40，進行曝後烤處理。藉此，塗布顯影處理便結束。然後，量產用晶圓W，被搬運到檢査裝置52，利用拍攝裝置210拍攝塗布顯影處理結束後的量產用晶圓W，並由第1取得部311取得該量產用晶圓W的拍攝影像。之後，量產用晶圓W，被搬運到匣盒載置台12上的匣盒C，對量產用晶圓W的一連串微影步驟便完成。上述的一連串微影步驟對全部的量產用晶圓W實行之。
>2.裝置特定步驟> 在量產步驟前，各處理裝置的處理條件會被調整成適當的處理條件。然而，在持續進行操作作業的期間中，有時會發生在某一處理裝置中處理條件變得不適當的情況。因此，會在上述的量產步驟後或與量產步驟併行，利用裝置特定部312，根據第1取得部311所取得的針對各量產用晶圓W的拍攝影像與一連串處理所使用的處理裝置的資訊，特定出推定異常裝置NA(步驟S2)。具體而言，首先，根據第1取得部311所取得的針對各量產用晶圓W的塗布顯影處理開始前的拍攝影像與塗布顯影處理結束後的拍攝影像，特定出推定異常晶圓W。所謂推定異常晶圓W，係指被推定為實行過異常單位處理的量產用晶圓W。
第1取得部311，例如，將滿足以下的(P)、(Q)二者的量產用晶圓W，特定為推定異常晶圓W。
(P)當塗布顯影處理開始前的拍攝影像與第1基準影像並無差異時。 (Q)當塗布顯影處理結束後的拍攝影像與第2基準影像存在差異時。
第1基準影像，例如，係塗布顯影處理開始前的量產用晶圓W的拍攝影像的平均影像；第2基準影像，例如，係塗布顯影處理結束後的量產用晶圓W的拍攝影像的平均影像。另外，上述(P)、(Q)中的「並無差異/存在差異」，例如，係指在拍攝影像與基準影像之間，影像的各座標的畫素值的差，在既定的範圍內/並未在既定的範圍內。
然後，根據被特定為異常推定晶圓W的量產用晶圓W的履歷資訊，亦即，根據被特定為異常推定晶圓W的量產用晶圓W的塗布顯影處理時所使用的處理裝置的資訊，特定出推定異常裝置NA。
>3.異常判定用拍攝步驟> 使用步驟S2的裝置特定步驟所特定出的推定異常裝置NA，對檢査用晶圓W，以既定的處理條件，實行該裝置的單位處理A，並在單位處理A實行前與實行後利用拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W(步驟S3)。檢査用晶圓W，例如為裸晶圓。另外，所謂裸晶圓，係指其表面平坦且在該表面中晶圓的基底(當晶圓為矽晶圓時為矽)露出者。
在本實施例的步驟S3中，除了推定異常裝置NA之外，更控制與單位處理A相關的另一單位處理B的另一種類的既定處理裝置(另一種類處理裝置B)，對檢査用晶圓W，亦以既定的處理條件，實行上述單位處理B。例如，當單位處理A為光阻膜形成處理時，單位處理B為PAB處理，另外，當單位處理A為PEB處理時，單位處理B為光阻膜形成處理、PAB處理以及顯影處理。另外，哪個單位處理A對應哪個單位處理B的資訊記憶於記憶部310。
在步驟S3中，具體而言，首先，從匣盒載置台12上的匣盒C取出檢査用晶圓W，並將其搬運到第3區塊G3的檢査裝置51。然後，利用檢査裝置51的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由第2取得部313取得單位處理A以及單位處理B均尚未實行的檢査用晶圓W的拍攝影像。接著，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為推定異常裝置NA的光阻膜形成裝置33的其中一個，並以既定的處理條件實行作為單位處理A的光阻膜形成處理。之後，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為另一種類處理裝置B的PAB處理用的熱處理裝置40的其中一個，並以既定的處理條件實行作為單位處理B的PAB處理。接著，檢査用晶圓W被搬運到第3區塊G3的檢査裝置52。然後，利用檢査裝置52的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由第2取得部313取得推定異常裝置NA的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像。
>4.比較用拍攝步驟> 接著，為了與步驟S3所取得的拍攝結果進行比較，使用前述的同種類另一處理裝置A＊，對檢査用晶圓W，以既定的處理條件，實行單位處理A，並在單位處理實行前與實行後利用拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W(步驟S4)。該比較用拍攝步驟，亦可在異常判定用拍攝步驟之前實行。
在本實施例的步驟S4中，與步驟S3同樣，控制另一種類處理裝置B，對檢査用晶圓W，以既定的處理條件，亦實行單位處理B。另外，步驟S3所使用的推定異常裝置NA與步驟S4所使用的同種類另一處理裝置A＊為同種類的相異處理裝置，相對於此，步驟S3所使用的另一種類處理裝置B與步驟S4所使用的另一種類處理裝置B為相同的處理裝置。
在步驟S4中，具體而言，首先，從匣盒載置台12上的匣盒C取出檢査用晶圓W，將其搬運到第3區塊G3的檢査裝置51。然後，利用檢査裝置51的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由第3取得部314取得單位處理A以及單位處理B均尚未實行的檢査用晶圓W的拍攝影像。接著，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為同種類另一處理裝置A＊的光阻膜形成裝置33的其中一個，以既定的處理條件實行作為單位處理A的光阻膜形成處理。之後，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為另一種類處理裝置B的PAB處理用的熱處理裝置40的其中一個，以既定的處理條件實行作為單位處理B的PAB處理。接著，檢査用晶圓W被搬運到第3區塊G3的檢査裝置52。然後，利用檢査裝置52的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由第3取得部314取得同種類另一處理裝置A＊的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像。
>5.異常有無判定步驟> 之後，根據異常判定用拍攝步驟所取得的拍攝結果，判定在推定異常裝置NA中有無實際的異常(步驟S5)。
在本實施例的步驟S5中，係根據異常判定用拍攝步驟所取得的拍攝影像與比較用拍攝步驟所取得的拍攝影像，判定在推定異常裝置NA中有無實際的異常。更具體而言，當滿足以下的(S)、(T)二者時，便判定於推定異常裝置NA實際上存在異常。
(S)當單位處理A以及單位處理B均尚未實行的未處理的檢査用晶圓W的拍攝影像，在異常判定用拍攝步驟所取得者與在比較用拍攝步驟所取得者，並無差異時。 (T)當推定異常裝置NA的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像，與同種類另一處理裝置A＊的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像，存在差異時。
另外，在上述的(S)以及(T)中所謂「並無差異/存在差異」，例如，係指在拍攝影像之間，拍攝影像的各座標的畫素值的差，在既定的範圍內/並未在既定的範圍內。
當在步驟S5中，判定實際上並無異常時，晶圓處理便回到步驟S1，當判定實際上存在異常時，便前進到步驟S6。
>6.處理條件修正步驟> 在步驟S6中，針對被判定為實際上存在異常的推定異常裝置NA，亦即異常裝置A＃，根據異常用拍攝步驟的拍攝結果，利用處理條件修正部316修正單位處理A的處理條件。
在步驟S6中，首先，針對異常用拍攝步驟所取得的單位處理A以及單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像，與比較用拍攝步驟所取得的同樣的拍攝影像，算出兩拍攝影像之間的RGB資料的差異量。然後，使用拍攝影像中的RGB資料的變化量與單位處理A的處理條件的變化量的相關模型，根據上述RGB資料的差異量，算出異常裝置A＃的單位處理A的處理條件的修正量。然後，對異常裝置A＃，根據上述所算出的修正量修正現在所設定的條件，作為單位處理A的塗布顯影處理時的處理條件。
>7.修正適當與否判定步驟> 然後，用異常裝置A＃，以修正後的處理條件，對新的檢査用晶圓W實行單位處理A，在單位處理A實行前與實行後利用拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，根據拍攝結果，判定處理條件的修正是否適當(步驟S7)。
在本實施例的步驟S7中，與異常判定用拍攝步驟同樣，除了異常裝置A之外，更控制另一種類處理裝置B，以既定的處理條件，對檢査用晶圓W，亦實行單位處理B。
在步驟S7中，具體而言，首先，從匣盒載置台12上的匣盒C取出檢査用晶圓W，並將其搬運到第3區塊G3的檢査裝置51。然後，利用檢査裝置51的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由修正適當與否判定部317取得單位處理A以及單位處理B均尚未實行的檢査用晶圓W的拍攝影像。接著，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為異常裝置A＃的光阻膜形成裝置33的其中一個，以修正後的處理條件實行作為單位處理A的光阻膜形成處理。之後，檢査用晶圓W，例如，被搬運到作為另一種類處理裝置B的PAB處理用的熱處理裝置40的其中一個，以既定的處理條件實行作為單位處理B的PAB處理。接著，檢査用晶圓W被搬運到第3區塊G3的檢査裝置52。接著，利用檢査裝置52的拍攝裝置210拍攝檢査用晶圓W，並由修正適當與否判定部317取得在修正後的處理條件下的異常裝置A＃的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像。然後，根據在該步驟S7中所取得的拍攝影像與在比較用拍攝步驟所取得的拍攝影像，判定處理條件修正部316對處理條件的修正是否適當。更具體而言，當滿足以下的(U)、(V)二者時，判定處理條件的修正為適當。
(U)當單位處理A以及單位處理B均尚未實行的未處理的檢査用晶圓W的拍攝影像，在比較判定用拍攝步驟所取得者與在修正適當與否判定步驟所取得者，並無差異時。 (T)當同種類另一處理裝置A＊的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像，與在修正後的處理條件下的異常裝置A＃的單位處理A以及另一種類處理裝置B的單位處理B實行後的檢査用晶圓W的拍攝影像，並無差異時。
另外，在上述的(U)以及(V)中所謂的「並無差異」，例如，係指在拍攝影像之間，拍攝影像的各座標的畫素值的差，在既定的範圍內。
當在步驟S7中，判定處理條件的修正為適當時，晶圓處理便回到步驟S1。另一方面，當判定並非適當時，便報知處理條件無法修正的意旨(步驟S8)，晶圓處理便結束，對量產用晶圓W的塗布顯影處理便中止。另外，報知的方法，例如可為聲音方法，或者亦可為畫面顯示方法等。
接著，說明2個拍攝影像中的RGB資料的變化量與單位處理A的處理條件的變化量的相關模型的作成方法的例子。
第1個相關模型，係「拍攝影像中的RGB資料的變化量」與作為光阻膜形成處理的處理條件的「晶圓W的處理旋轉速度」(亦即旋轉夾頭110的旋轉速度)的相關模型。
在作成該相關模型時，係因應使用者的輸入等，而從複數個光阻膜形成裝置33與複數個PAB處理用的熱處理裝置40之中，決定出作成該相關模型所使用的光阻膜形成裝置33與PAB處理用的熱處理裝置40的組合。
另外，從匣盒載置台12上的匣盒C取出相關模型作成用的晶圓W，將其搬運到檢査裝置51。另外，相關模型作成用的晶圓W，例如為裸晶圓。之後，利用拍攝裝置210拍攝該晶圓W，取得拍攝影像。
接著，晶圓W，被搬運到因應前述的使用者的輸入等所決定的光阻膜形成裝置33，並以相關模型作成用的初期設定條件形成光阻膜。
之後，晶圓W，被搬運到因應前述的使用者的輸入等所決定的PAB處理用的熱處理裝置40，並以預定的處理條件進行PAB處理。
接著，晶圓W，被搬運到檢査裝置52，被拍攝裝置210拍攝，取得拍攝影像。然後，晶圓W被搬運到匣盒載置台12上的匣盒C。
之後，重複複數次上述的步驟。其中，以形成光阻膜的步驟中的晶圓W的處理旋轉速度毎次相異的方式，重複複數次。藉此，取得複數筆晶圓W的處理旋轉速度的資訊，然後，取得在以各處理旋轉速度實行過處理後所拍攝的拍攝影像。然後，算出拍攝影像的RGB資料的差，與取得該拍攝影像時的晶圓W的旋轉速度的差。根據該算出結果，作成表示拍攝影像中的RGB資料的變化量與晶圓W的處理旋轉速度的變化量的相關關係的相關模型。另外，作成相關模型所使用的拍攝影像的RGB資料的差，例如，係晶圓W全面的拍攝影像的RGB資料的平均值的差，可根據前述的表格算出。
第2個相關模型，係於各區域R1～R5表示「拍攝影像中的RGB資料的變化量」與作為PEB處理的處理條件的「熱板142的處理溫度的變化量」的相關關係的相關模型。
在作成該相關模型時，係因應使用者的輸入等，決定作成該相關模型所使用的光阻膜形成裝置33、PAB處理用的熱處理裝置40、PEB處理用的熱處理裝置40以及顯影處理裝置30的組合。
另外，從匣盒載置台12上的匣盒C取出相關模型作成用的晶圓W，並將其搬運到檢査裝置51。之後，利用拍攝裝置210拍攝該晶圓W的表面，取得拍攝影像。
接著，晶圓W，被搬運到因應前述的使用者的輸入等所決定的光阻膜形成裝置33，並以相關模型作成用的初期設定條件形成光阻膜。
之後，晶圓W，被搬運到因應前述的使用者的輸入等所決定的PAB處理用的熱處理裝置40，並以預定的處理條件進行PAB處理。
接著，該晶圓W，被搬運到曝光裝置4，以既定的圖案進行曝光處理。
之後，該晶圓W，被搬運到因應前述的使用者的輸入等所決定的PEB處理用的熱處理裝置40，進行PEB處理。接著，該晶圓W，被搬運到因應使用者的輸入等所決定的顯影處理裝置30進行顯影處理。
接著，該晶圓W，被搬運到檢査裝置52，被拍攝裝置210拍攝，取得拍攝影像。然後，晶圓W被搬運到匣盒載置台12上的匣盒C。
之後，重複複數次上述的步驟。其中，以PEB處理的步驟中的熱板142的處理溫度毎次相異的方式，重複複數次。藉此，取得複數筆熱板142的各區域R1～R5的處理溫度的資訊，然後，取得在以各處理溫度實行過PEB處理後所拍攝的拍攝影像。然後，對各區域R1～R5，算出拍攝影像之間的RGB資料的差以及取得該拍攝影像時的熱板142的處理溫度的差。根據該算出結果，作成於各區域R1～R5顯示出從使用拍攝裝置210的拍攝結果所得到的拍攝影像中的RGB資料的變化量與熱板142的處理溫度的變化量的相關關係的相關模型。另外，作成相關模型所使用的區域R1的拍攝影像之間的RGB資料的差，例如，係對應區域R1的位置所包含的拍攝影像的RGB資料的平均值的差，可根據前述的表格算出。區域R2～R5的拍攝影像之間的RGB資料的差也是同樣。
若根據本實施態樣，係在作為一連串處理的塗布顯影處理的開始前與結束後拍攝量產晶圓W，並根據該拍攝結果，特定出推定異常裝置NA。另外，使用推定異常裝置NA，以既定的處理條件，對檢査用晶圓W實行該裝置A的單位處理A，在單位處理A實行前與實行後，拍攝檢査用晶圓W，並根據拍攝結果判定推定異常裝置NA有無實際的異常。然後，根據上述檢査用晶圓W的拍攝結果，針對被判定為實際上存在異常的推定異常裝置NA，修正單位處理A的處理條件。因此，可在拍攝裝置210的數目較少的基板處理系統1中，適當地修正處理條件。另外，由於使用拍攝裝置的次數較少，故不會發生為了使用拍攝裝置而待機的時間，因此不會影響生產效率。
另外，若根據本實施態樣，由於會判定處理條件修正步驟的修正適當與否，故不會在將處理條件錯誤設定之後實行量產步驟而無端浪費晶圓W。
另外，若依照本實施態樣，則係根據使用推定異常裝置NA實行單位處理A的前後的檢査用晶圓W的拍攝影像，與使用同種類另一處理裝置A＊實行單位處理的前後的檢査用晶圓W的拍攝影像，判定推定異常裝置NA有無實際的異常。因此，無須作成用來判定有無實際異常的基準影像，故可提高生產效率。
再者，若根據本實施態樣，由於係使用裸晶圓作為檢査用晶圓W，故可用較低的成本修正處理條件。
(第2實施態樣) 圖14，係表示第2實施態樣之基板處理系統1a的概略內部構造的的說明圖。圖15，係表示基板處理系統1a的概略內部構造的前視圖。
在第1實施態樣中，檢査用晶圓W係被收納於匣盒載置台12上的匣盒C。相對於此，在本實施態樣中，如圖14所示的，基板處理系統1a，具有收納檢査用晶圓W的晶圓收納部401。因此，無須將檢査用晶圓W收納在匣盒C內，故可增加匣盒所搭載的量產晶圓W的數目。另外，在本實施例中，晶圓收納部401，係設置在匣盒站2的晶圓搬運部11的側邊。
另外，基板處理系統1a，如圖15所示的，具有作為剝離裝置的光阻膜剝離裝置402。因此，當於作為檢査用晶圓W的裸晶圓形成了光阻膜時，藉由從拍攝後的檢査用晶圓W利用光阻膜剝離裝置402將光阻膜剝離，便可將裸晶圓再利用，而可降低成本。另外，亦可取代光阻膜剝離裝置402，或者，除了光阻膜剝離裝置402之外，更設置剝離中間層膜的中間層膜剝離裝置以及剝離下層膜的下層膜剝離裝置的其中至少1個。另外，亦可不設置光阻膜剝離裝置402，而在光阻膜形成裝置33實行從裸晶圓剝離光阻膜的步驟。
當從裸晶圓剝離光阻膜等的層狀膜作為檢査用晶圓W時，宜在上述剝離後以檢査裝置51或檢査裝置52的拍攝裝置210拍攝裸晶圓的表面。然後，根據拍攝結果，確認裸晶圓的表面狀態，若並未殘留層狀膜，便將裸晶圓送回匣盒C再利用。另一方面，若殘留層狀膜，例如，便將其再度搬運到光阻膜剝離裝置402等的剝離裝置，追加實行剝離處理，之後，重複直到層狀膜從裸晶圓的表面消失為止。像這樣，由於在將裸晶圓再利用的情況下，於該裸晶圓的表面亦並未殘留層狀膜，故可對處理條件實行適當的修正。
另外，當像第1實施態樣那樣將作為檢査用晶圓W的裸晶圓收納於匣盒時，亦可設置光阻膜剝離裝置402等的剝離裝置。此時，係從作為檢査用晶圓W的裸晶圓以上述剝離裝置將層狀膜剝離，並將剝離後的裸晶圓送回匣盒C以供再利用。另外，此時，亦宜在剝離後以檢査裝置51或檢査裝置52的拍攝裝置210拍攝裸晶圓的表面。
另外，在以上的說明中，係使用拍攝影像的RGB資料作為與光阻圖案的線寬或光阻膜的膜厚存在相關關係者，惟與光阻圖案的線寬或光阻膜的膜厚存在相關關係的顏色資訊不限於RGB資料。另外，所謂顏色資訊，係指特定波長的光的輝度資訊。上述顏色資訊可為R、G、B其中任1色的輝度資訊，亦可為R、G、B以外的顏色的輝度資訊。
另外，以上的實施例的基板處理系統，係構成塗布顯影系統，並實行塗布顯影處理作為一連串處理者。然而，本案的技術，亦可適用於在減壓氣體環境下對晶圓W實行TiN膜等的既定層狀膜的成膜處理，或在減壓氣體環境下對晶圓W上的層狀膜實行包含蝕刻處理在內的一連串處理的基板處理系統。此時，本案的處理條件修正方法，可用於在減壓氣體環境下的成膜處理的處理條件的修正，或在減壓氣體環境下的蝕刻處理的處理條件的修正。
本案所揭示之實施態樣其全部的特徵點應被認為僅為例示而已，而並非限制要件。上述的實施態樣，在不超出所附錄的請求範圍以及其發明要旨的情況下，亦可省略、置換、變更成各種態樣。
另外，以下的構造亦屬於本發明的技術範圍。 (1)一種基板處理系統中的處理條件的修正方法，該基板處理系統，實行對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理的處理裝置針對各該單位處理具備複數個，且更具備拍攝該基板的拍攝裝置；該處理條件修正方法，包含：監視用拍攝步驟，其針對各基板，在該一連串處理的開始前與結束後，以該拍攝裝置拍攝該基板；裝置特定步驟，其根據該監視用拍攝步驟的拍攝結果，與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，特定出推定其存在異常的該處理裝置；異常判定用拍攝步驟，其使用該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；異常有無判定步驟，其根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，判定該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及處理條件修正步驟，其針對在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理的處理條件。在該(1)中，係在一連串處理的開始前與結束後實行拍攝，並根據該拍攝結果，特定出推定其存在異常的處理裝置。另外，使用該特定的處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該特定的處理裝置的單位處理，並根據對檢査用基板所拍攝的拍攝結果，判定上述特定的處理裝置有無實際的異常。然後，根據上述檢査用基板的拍攝結果，針對被判定為實際上存在異常的處理裝置，修正單位處理的處理條件。藉此，便可在拍攝裝置的數目較少的基板處理系統中，適當地修正處理條件。另外，由於使用拍攝裝置的次數較少，故不會發生等待利用拍攝裝置的待機時間，而不會對生產效率造成影響。
(2)如該(1)所記載的處理條件修正方法，其中更包含：修正適當與否判定步驟，其使用在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，對檢査用基板，以修正後的該處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板，然後根據拍攝結果，判定該處理條件修正步驟的修正適當與否。
(3)如該(1)或(2)所記載的處理條件修正方法，其中更包含：比較用拍攝步驟，其使用與該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置實行相同的該單位處理的另一該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；該異常有無判定步驟，係根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，與該比較用拍攝步驟的拍攝結果，判定有無該實際的異常。
(4)如該(1)～(3)中任1項所記載的處理條件修正方法，其中，該檢査用基板為裸晶圓。
(5)如該(4)所記載的處理條件修正方法，其中，該裸晶圓被收納在該基板處理系統內。
(6)如該(4)或(5)所記載的處理條件修正方法，其中，形成於該裸晶圓的該層狀膜，在以該拍攝裝置拍攝後被剝離裝置所剝離。
(7)如該(6)所記載的處理條件修正方法，其中，利用該拍攝裝置拍攝該剝離後的該裸晶圓。
(8)一種對基板進行處理的基板處理系統，其實行將對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或將其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理的處理裝置針對各該單位處理具備複數個，且更包含：拍攝裝置，其拍攝該基板；第1取得部，其針對各基板，取得該一連串處理的開始前與結束後的該拍攝裝置的拍攝結果；裝置特定部，其根據該第1取得部所取得的拍攝結果與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，特定出推定其存在異常的該處理裝置；第2取得部，其使用該裝置特定部所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並取得該單位處理實行前與實行後的該拍攝裝置對該檢査用基板的拍攝結果；異常有無判定部，其根據該第2取得部所取得的拍攝結果，判定該裝置特定部所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及處理條件修正部，其針對在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據第2取得部所取得的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理的處理條件。
1、1a:基板處理系統 2:匣盒站 3:處理站 4:曝光裝置 5:介面站 10:匣盒搬入搬出部 11:晶圓搬運部 12:匣盒載置台 13:載置板 20:搬運路徑 21:晶圓搬運裝置 30:顯影處理裝置 31:下層膜形成裝置 32:中間層膜形成裝置 33:光阻膜形成裝置 40:熱處理裝置 50:傳遞裝置 51、52:檢査裝置 60:傳遞裝置 70:晶圓搬運裝置 70a:搬運臂 71:穿梭搬運裝置 72:晶圓搬運裝置 72a:搬運臂 73:晶圓搬運裝置 73a:搬運臂 74:傳遞裝置 100:處理容器 110:旋轉夾頭 111:夾頭驅動部 112:杯具 113:排出管 114:排氣管 120:軌道 121:臂部 122:塗布噴嘴 123:噴嘴驅動部 124:待機部 125:供給管 126:光阻液供給源 127:供給裝置群 130:框體 131:加熱部 132:冷卻部 133:搬入搬出口 140:蓋體 140a:排氣部 141:熱板收納部 142:熱板 143:溫度感測器 150:加熱器 151:升降銷 152:升降驅動部 160:保持構件 161:支持環 170:冷卻板 171:支持臂 172:軌道 173:驅動機構 174:狹縫 175:升降銷 176:升降驅動部 180:加熱器 181:溫度控制裝置 190:罩殼 200:載置台 201:旋轉驅動部 202:引導軌道 203:驅動裝置 210:拍攝裝置 211:半鏡 212:照明裝置 300:控制部 310:記憶部 311:第1取得部 312:裝置特定部 313:第2取得部 314:第3取得部 315:異常有無判定部 316:處理條件修正部 317:修正適當與否判定部 401:晶圓收納部 402:光阻膜剝離裝置 C:匣盒 D:晶圓搬運區域 G1～G4:第1～第4區塊 H:記憶媒體 I1～I4:影像 R1～R5:熱板區域 S1～S8:步驟 S:處理室 W:晶圓 X、Y、θ:方向
[圖1]係表示第1實施態樣之基板處理系統的概略構造的俯視圖。 [圖2]係表示第1實施態樣之基板處理系統的概略構造的前視圖。 [圖3]係表示第1實施態樣之基板處理系統的概略構造的後視圖。 [圖4]係表示光阻塗布裝置的概略構造的縱剖面圖。 [圖5]係表示光阻塗布裝置的概略構造的橫剖面圖。 [圖6]係表示熱處理裝置的概略構造的縱剖面圖。 [圖7]係表示熱處理裝置的概略構造的橫剖面圖。 [圖8]係表示熱處理裝置的熱板的概略構造的俯視圖。 [圖9]係表示檢査裝置的概略構造的縱剖面圖。 [圖10]係表示檢査裝置的概略構造的橫剖面圖。 [圖11]係將控制部的概略構造以示意方式表示的區塊圖。 [圖12](A)～(D)係表示晶圓上的光阻圖案的線寬與使用拍攝裝置的拍攝結果之間存在相關關係的圖式。 [圖13]係用來說明第1實施態樣之晶圓處理的一例的流程圖。 [圖14]係表示第2實施態樣之基板處理系統的概略構造的俯視圖。 [圖15]係表示第2實施態樣之基板處理系統的概略構造的前視圖。
I1~I4:影像

Claims (12)

  1. 一種處理條件修正方法，用來修正基板處理系統中的處理條件；該基板處理系統，實行對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理之處理裝置針對各該單位處理具備複數個，並具備拍攝該基板的拍攝裝置；該處理條件修正方法包含：監視用拍攝步驟，針對各基板，在該一連串處理的開始前與結束後，以該拍攝裝置拍攝該基板；裝置特定步驟，根據該監視用拍攝步驟的拍攝結果，與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，而特定出推定其存在異常的該處理裝置；異常判定用拍攝步驟，使用該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；比較用拍攝步驟，其使用與該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置實行相同的該單位處理的另一該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並在該單位處理的實行前與實行後，以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板；異常有無判定步驟，根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，與該比較用拍攝步驟的拍攝結果，判定該裝置特定步驟所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及 處理條件修正步驟，針對在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據該異常判定用拍攝步驟的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理之處理條件。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理條件修正方法，更包含：修正適當與否判定步驟，其使用在該異常有無判定步驟被判定為實際上存在異常的該處理裝置，對檢査用基板，以修正後的該處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板，然後根據拍攝結果，判定該處理條件修正步驟的修正適當與否。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理條件修正方法，其中，該檢査用基板為裸晶圓。
  4. 如申請專利範圍第3項之處理條件修正方法，其中，該裸晶圓被收納在該基板處理系統內。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之處理條件修正方法，其中，形成於該裸晶圓的該層狀膜，在以該拍攝裝置拍攝後被剝離裝置所剝離。
  6. 如申請專利範圍第5項之處理條件修正方法，其中，利用該拍攝裝置拍攝該剝離後的該裸晶圓。
  7. 一種基板處理系統，其對基板進行處理，以實行將對基板的層狀膜的形成步驟以及除去步驟分別實行1次以上或將其中任一方實行複數次的一連串處理，且實行構成該一連串處理的單位處理之處理裝置針對各該單位處理具備複數個；該基板處理系統更包含：拍攝裝置，拍攝該基板；第1取得部，針對各基板，取得該一連串處理的開始前與結束後的該拍攝裝置之拍攝結果；裝置特定部，根據該第1取得部所取得的拍攝結果與該一連串處理所使用的該處理裝置的資訊，特定出推定其存在異常的該處理裝置；第2取得部，使用該裝置特定部所特定出的該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並取得該單位處理實行前與實行後的該拍攝裝置對該檢査用基板的拍攝結果；第3取得部，使用與該裝置特定部所特定出的該處理裝置實行相同的該單位處理的另一該處理裝置，對檢査用基板，以既定的處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並取得該單位處理實行前與實行後的該拍攝裝置對該檢査用基板的拍攝結果；異常有無判定部，根據該第2取得部所取得的拍攝結果，與該第3取得部所取得的拍攝結果，判定該裝置特定部所特定出的該處理裝置有無實際的異常；以及處理條件修正部，針對被該異常有無判定部判定為實際上存在異常的該處理裝置，根據第2取得部所取得的拍攝結果，修正該處理裝置的該單位處理之處理條件。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，更包含：修正適當與否判定部，使用被該異常有無判定部判定為實際上存在異常的該處理裝置，對檢査用基板，以修正後的該處理條件，實行該處理裝置的該單位處理，並以該拍攝裝置拍攝該檢査用基板，然後根據拍攝結果，判定該處理條件修正部的修正適當與否。
  9. 如申請專利範圍第項7之基板處理系統，其中，該檢査用基板為裸晶圓。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中，在該基板處理系統之內部收納該裸晶圓。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之基板處理系統，其中，形成於該裸晶圓的該層狀膜，在以該拍攝裝置拍攝後被剝離裝置所剝離。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中，利用該拍攝裝置拍攝該剝離後的該裸晶圓。
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