JPH10209024A - 塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置 - Google Patents
塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置Info
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- JPH10209024A JPH10209024A JP1776197A JP1776197A JPH10209024A JP H10209024 A JPH10209024 A JP H10209024A JP 1776197 A JP1776197 A JP 1776197A JP 1776197 A JP1776197 A JP 1776197A JP H10209024 A JPH10209024 A JP H10209024A
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- Coating Apparatus (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】インラインでパーティクルの測定が可能な塗布
装置、および、レジスト液中のパーティクルを正確に測
定することができるパーティクル測定装置を備えた塗布
装置、およびそのようなパーティクル測定装置を提供す
ること。 【解決手段】被塗布体に対してレジスト液を塗布する塗
布部40と、レジスト液を塗布部40に供給するレジスト液
供給源R1〜R4と、レジスト液供給源から塗布部40にレジ
スト液を輸送するための複数の輸送配管61〜64と、各輸
送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられた複数のサン
プリング配管71〜74と、各輸送配管の分岐部分にそれぞ
れ設けられ、レジスト液の供給先を塗布部とサンプリン
グ配管との間で切り替える複数のバルブV1〜V4と、複数
のサンプリング配管が接続される測定配管75と、測定配
管に設けられ、各サンプリング配管から供給されたレジ
スト液のパーティクルを測定するパーティクル測定装置
80と、測定配管75を介してパーティクル測定装置90に洗
浄液を供給する洗浄液供給手段R0,60とを具備する塗布
装置。
装置、および、レジスト液中のパーティクルを正確に測
定することができるパーティクル測定装置を備えた塗布
装置、およびそのようなパーティクル測定装置を提供す
ること。 【解決手段】被塗布体に対してレジスト液を塗布する塗
布部40と、レジスト液を塗布部40に供給するレジスト液
供給源R1〜R4と、レジスト液供給源から塗布部40にレジ
スト液を輸送するための複数の輸送配管61〜64と、各輸
送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられた複数のサン
プリング配管71〜74と、各輸送配管の分岐部分にそれぞ
れ設けられ、レジスト液の供給先を塗布部とサンプリン
グ配管との間で切り替える複数のバルブV1〜V4と、複数
のサンプリング配管が接続される測定配管75と、測定配
管に設けられ、各サンプリング配管から供給されたレジ
スト液のパーティクルを測定するパーティクル測定装置
80と、測定配管75を介してパーティクル測定装置90に洗
浄液を供給する洗浄液供給手段R0,60とを具備する塗布
装置。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体に対してレジスト液の塗布
を行う塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装
置に関する。
ハやLCD基板等の被処理体に対してレジスト液の塗布
を行う塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、
回路パターンに対応してフォトレジストを露光し、これ
を現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー
技術により回路パターンが形成される。
理体としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布し、
回路パターンに対応してフォトレジストを露光し、これ
を現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー
技術により回路パターンが形成される。
【0003】これらの工程のうちフォトレジスト塗布工
程においては、半導体ウエハをスピンチャック上に保持
させて回転させながら、その上方に設けられたノズルか
らその表面中心部にレジスト液を供給し、遠心力によっ
てレジスト液を拡散させる。これにより、半導体ウエハ
の表面全体に均一にレジスト膜が塗布される。
程においては、半導体ウエハをスピンチャック上に保持
させて回転させながら、その上方に設けられたノズルか
らその表面中心部にレジスト液を供給し、遠心力によっ
てレジスト液を拡散させる。これにより、半導体ウエハ
の表面全体に均一にレジスト膜が塗布される。
【0004】そして、レジスト膜が塗布された半導体ウ
エハに加熱処理を施した後、露光処理および現像処理を
施し、さらにはエッチング処理を施して回路を形成する
のであるが、レジスト膜中にパーティクルが混入してい
ると、所望の回路パターンが得られずに歩留まりが低下
するおそれがある。
エハに加熱処理を施した後、露光処理および現像処理を
施し、さらにはエッチング処理を施して回路を形成する
のであるが、レジスト膜中にパーティクルが混入してい
ると、所望の回路パターンが得られずに歩留まりが低下
するおそれがある。
【0005】そのため、従来は、レジスト液供給源とノ
ズルとの間にフィルターを介装してパーティクルを除去
しているが、長期間使用によりフィルターが経時劣化し
た場合等にはパーティクルが有効に除去されず、これを
放置するとやはりレジスト膜中にパーティクルが混入す
ることになる。
ズルとの間にフィルターを介装してパーティクルを除去
しているが、長期間使用によりフィルターが経時劣化し
た場合等にはパーティクルが有効に除去されず、これを
放置するとやはりレジスト膜中にパーティクルが混入す
ることになる。
【0006】したがって、このようなことを未然に防止
することが必要であり、そのためにレジスト液を半導体
ウエハに吐出する前にレジスト液中のパーティクルの量
を把握することが求められている。このような要求に対
して、市販のパーティクルカウンターによってレジスト
液中のパーティクルを把握することが考えられている。
することが必要であり、そのためにレジスト液を半導体
ウエハに吐出する前にレジスト液中のパーティクルの量
を把握することが求められている。このような要求に対
して、市販のパーティクルカウンターによってレジスト
液中のパーティクルを把握することが考えられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
パーティクルカウンターは純水やフッ酸などの粘度の低
い薬液を対象としたものであり、レジスト液のように数
cP〜数百cPもの粘度を有するものを対象としたもの
ではないため、レジスト液用に長期に亘って使用し続け
ると、パーティクルカウンターの光学セル内壁等への固
着が生じてしまう。したがって、洗浄等の問題により、
純水やフッ酸を対象とする場合のようなインラインタイ
プとしては用いることができないため、塗布装置外にサ
ンプリングして測定せざるを得ず、実ラインにおけるパ
ーティクルが測定できないばかりか、測定に手間がかか
ってしまう。
パーティクルカウンターは純水やフッ酸などの粘度の低
い薬液を対象としたものであり、レジスト液のように数
cP〜数百cPもの粘度を有するものを対象としたもの
ではないため、レジスト液用に長期に亘って使用し続け
ると、パーティクルカウンターの光学セル内壁等への固
着が生じてしまう。したがって、洗浄等の問題により、
純水やフッ酸を対象とする場合のようなインラインタイ
プとしては用いることができないため、塗布装置外にサ
ンプリングして測定せざるを得ず、実ラインにおけるパ
ーティクルが測定できないばかりか、測定に手間がかか
ってしまう。
【0008】また、パーティクルカウンターはレーザー
等の光を対象物に照射してパーティクルを測定するもの
であるが、レジストに光を照射するとレジスト自身が発
光し、パーティクルの正確な計測が困難である。
等の光を対象物に照射してパーティクルを測定するもの
であるが、レジストに光を照射するとレジスト自身が発
光し、パーティクルの正確な計測が困難である。
【0009】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、インラインでパーティクルの測定が可能な
塗布装置を提供することを目的とする。また、レジスト
液中のパーティクルを正確に測定することができるパー
ティクル測定装置を備えた塗布装置およびそのようなパ
ーティクル測定装置を提供することを目的とする。
のであって、インラインでパーティクルの測定が可能な
塗布装置を提供することを目的とする。また、レジスト
液中のパーティクルを正確に測定することができるパー
ティクル測定装置を備えた塗布装置およびそのようなパ
ーティクル測定装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、第1発明は、被塗布体に対してレジスト液を塗布す
る塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給するレジス
ト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記塗布部に
レジスト液を輸送するための輸送配管と、前記輸送配管
の途中に分岐して設けられたサンプリング配管と、前記
輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の供給先を
塗布部とサンプリング配管との間で切り替えるバルブ
と、サンプリング配管から供給されたレジスト液のパー
ティクルを測定するパーティクル測定装置と、前記パー
ティクル測定装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、を具備することを特徴とする塗布装置を提供する。
に、第1発明は、被塗布体に対してレジスト液を塗布す
る塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給するレジス
ト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記塗布部に
レジスト液を輸送するための輸送配管と、前記輸送配管
の途中に分岐して設けられたサンプリング配管と、前記
輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の供給先を
塗布部とサンプリング配管との間で切り替えるバルブ
と、サンプリング配管から供給されたレジスト液のパー
ティクルを測定するパーティクル測定装置と、前記パー
ティクル測定装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、を具備することを特徴とする塗布装置を提供する。
【0011】第2発明は、被塗布体に対してレジスト液
を塗布する塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給す
るレジスト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記
塗布部にレジスト液を輸送するための複数の輸送配管
と、前記各輸送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられ
た複数のサンプリング配管と、前記各輸送配管の分岐部
分にそれぞれ設けられ、レジスト液の供給先を塗布部と
サンプリング配管との間で切り替える複数のバルブと、
前記複数のサンプリング配管が接続される測定配管と、
測定配管に設けられ、各サンプリング配管から供給され
たレジスト液のパーティクルを測定するパーティクル測
定装置と、前記測定配管を介して前記パーティクル測定
装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を具備する
ことを特徴とする塗布装置を提供する。
を塗布する塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給す
るレジスト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記
塗布部にレジスト液を輸送するための複数の輸送配管
と、前記各輸送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられ
た複数のサンプリング配管と、前記各輸送配管の分岐部
分にそれぞれ設けられ、レジスト液の供給先を塗布部と
サンプリング配管との間で切り替える複数のバルブと、
前記複数のサンプリング配管が接続される測定配管と、
測定配管に設けられ、各サンプリング配管から供給され
たレジスト液のパーティクルを測定するパーティクル測
定装置と、前記測定配管を介して前記パーティクル測定
装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を具備する
ことを特徴とする塗布装置を提供する。
【0012】第3発明は、上記第1発明または第2発明
において、前記パーティクル測定装置は、パーティクル
を検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測す
る計測部とを備え、計測部は、検出部がレジストの発光
を検出した部分をカットしてパーティクルを計測するこ
とを特徴とする塗布装置を提供する。
において、前記パーティクル測定装置は、パーティクル
を検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測す
る計測部とを備え、計測部は、検出部がレジストの発光
を検出した部分をカットしてパーティクルを計測するこ
とを特徴とする塗布装置を提供する。
【0013】第4発明は、被塗布体に対してレジスト液
を塗布する塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給す
るレジスト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記
塗布部にレジスト液を輸送するための輸送配管と、前記
輸送配管の途中に分岐して設けられたサンプリング配管
と、前記輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の
供給先を塗布部とサンプリング配管との間で切り替える
バルブと、サンプリング配管から供給されたレジスト液
のパーティクルを測定するパーティクル測定装置と、を
具備し、前記パーティクル測定装置は、パーティクルを
検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測する
計測部とを備え、前記計測部は、検出部がレジストの発
光を検出した部分をカットしてパーティクルを計測する
ことを特徴とする塗布装置を提供する。
を塗布する塗布部と、レジスト液を前記塗布部に供給す
るレジスト液供給源と、前記レジスト液供給源から前記
塗布部にレジスト液を輸送するための輸送配管と、前記
輸送配管の途中に分岐して設けられたサンプリング配管
と、前記輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の
供給先を塗布部とサンプリング配管との間で切り替える
バルブと、サンプリング配管から供給されたレジスト液
のパーティクルを測定するパーティクル測定装置と、を
具備し、前記パーティクル測定装置は、パーティクルを
検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測する
計測部とを備え、前記計測部は、検出部がレジストの発
光を検出した部分をカットしてパーティクルを計測する
ことを特徴とする塗布装置を提供する。
【0014】第5発明は、上記第3発明または第4発明
において、前記検出部は、レジストの発光による影響を
緩和するようにその感度が低下されていることを特徴と
する塗布装置を提供する。第6発明は、上記第1発明な
いし第5発明のいずれかにおいて、前記輸送配管の前記
分岐部分の上流側にフィルターを具備することを特徴と
する塗布装置を提供する。
において、前記検出部は、レジストの発光による影響を
緩和するようにその感度が低下されていることを特徴と
する塗布装置を提供する。第6発明は、上記第1発明な
いし第5発明のいずれかにおいて、前記輸送配管の前記
分岐部分の上流側にフィルターを具備することを特徴と
する塗布装置を提供する。
【0015】第7発明は、レジスト液中のパーティクル
を測定するパーティクル測定装置であって、パーティク
ルを検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測
する計測部とを備え、前記計測部は、検出部がレジスト
の発光を検出した部分をカットしてパーティクルを計測
することを特徴とするパーティクル測定装置を提供す
る。第8発明は、上記第7発明において、前記検出部
は、レジストの発光による影響を緩和するようにその感
度が低下されていることを特徴とするパーティクル測定
装置を提供する。
を測定するパーティクル測定装置であって、パーティク
ルを検出する検出部と、検出されたパーティクルを計測
する計測部とを備え、前記計測部は、検出部がレジスト
の発光を検出した部分をカットしてパーティクルを計測
することを特徴とするパーティクル測定装置を提供す
る。第8発明は、上記第7発明において、前記検出部
は、レジストの発光による影響を緩和するようにその感
度が低下されていることを特徴とするパーティクル測定
装置を提供する。
【0016】第1発明によれば、輸送配管から分岐して
設けられたサンプリング配管と、サンプリング配管から
供給されたレジスト液のパーティクルを測定するパーテ
ィクル測定装置とを設け、さらにパーティクル測定装置
に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を設けたので、洗浄
液によりパーティクル測定装置を洗浄して光学セル内壁
等へのレジスト液の固着を防止することができ、インラ
インで有効にパーティクルを測定することができる。
設けられたサンプリング配管と、サンプリング配管から
供給されたレジスト液のパーティクルを測定するパーテ
ィクル測定装置とを設け、さらにパーティクル測定装置
に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を設けたので、洗浄
液によりパーティクル測定装置を洗浄して光学セル内壁
等へのレジスト液の固着を防止することができ、インラ
インで有効にパーティクルを測定することができる。
【0017】第2発明によれば、複数輸送配管の途中に
それぞれ分岐して設けられた複数のサンプリング配管
と、各輸送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられた複
数のサンプリング配管と、複数のサンプリング配管が接
続される測定配管と、測定配管に設けられ各サンプリン
グ配管から供給されたレジスト液のパーティクルを測定
するパーティクル測定装置とを設け、測定配管を介して
パーティクル測定装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段を設けたので、複数の輸送配管のレジスト液のパーテ
ィクルを1つのパーティクル測定装置で測定することが
でき、また、洗浄液により測定配管およびパーティクル
測定装置を洗浄して光学セル内壁等へのレジスト液の固
着を防止することができ、インラインで有効にパーティ
クルを測定することができる。
それぞれ分岐して設けられた複数のサンプリング配管
と、各輸送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられた複
数のサンプリング配管と、複数のサンプリング配管が接
続される測定配管と、測定配管に設けられ各サンプリン
グ配管から供給されたレジスト液のパーティクルを測定
するパーティクル測定装置とを設け、測定配管を介して
パーティクル測定装置に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段を設けたので、複数の輸送配管のレジスト液のパーテ
ィクルを1つのパーティクル測定装置で測定することが
でき、また、洗浄液により測定配管およびパーティクル
測定装置を洗浄して光学セル内壁等へのレジスト液の固
着を防止することができ、インラインで有効にパーティ
クルを測定することができる。
【0018】第3発明、第4発明および第7発明によれ
ば、パーティクル測定装置の計測部が、検出部がレジス
トの発光を検出した部分をカットしてパーティクルを計
測するので、レジストの発光の影響を受けずに高精度で
パーティクルを測定することができる。
ば、パーティクル測定装置の計測部が、検出部がレジス
トの発光を検出した部分をカットしてパーティクルを計
測するので、レジストの発光の影響を受けずに高精度で
パーティクルを測定することができる。
【0019】第5発明および第8発明によれば、レジス
トの発光による影響を緩和するようにその感度が低下さ
れているので、レジストの影響を受けずに測定が可能な
粒度範囲を広げることができ、より高精度でパーティク
ルを測定することができる。第6発明によれば、輸送配
管の分岐部分の上流側にフィルターを具備することによ
り、フィルターが劣化したことによるパーティクルの増
加を迅速に把握することができる。
トの発光による影響を緩和するようにその感度が低下さ
れているので、レジストの影響を受けずに測定が可能な
粒度範囲を広げることができ、より高精度でパーティク
ルを測定することができる。第6発明によれば、輸送配
管の分岐部分の上流側にフィルターを具備することによ
り、フィルターが劣化したことによるパーティクルの増
加を迅速に把握することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明の対象となる塗布装置が組み込まれた、半導体ウエハ
の塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明の対象となる塗布装置が組み込まれた、半導体ウエハ
の塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【0021】この塗布・現像処理システムは、複数の半
導体ウエハWを収容するカセットCを載置するカセット
ステーション1と、半導体ウエハにレジスト塗布および
現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニット
を備えた処理部2と、カセットステーション1上のカセ
ットCと処理部2との間で半導体ウエハの搬送を行うた
めの搬送機構3とを備えている。そして、カセットステ
ーション1においてシステムへのカセットCの搬入およ
びシステムからのカセットCの搬出が行われる。また、
搬送機構3はカセットの配列方向に沿って設けられた搬
送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬
送アーム11によりカセットCと処理部2との間で半導
体ウエハWの搬送が行われる。
導体ウエハWを収容するカセットCを載置するカセット
ステーション1と、半導体ウエハにレジスト塗布および
現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニット
を備えた処理部2と、カセットステーション1上のカセ
ットCと処理部2との間で半導体ウエハの搬送を行うた
めの搬送機構3とを備えている。そして、カセットステ
ーション1においてシステムへのカセットCの搬入およ
びシステムからのカセットCの搬出が行われる。また、
搬送機構3はカセットの配列方向に沿って設けられた搬
送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬
送アーム11によりカセットCと処理部2との間で半導
体ウエハWの搬送が行われる。
【0022】処理部2は、前段部分2aと後段部分2b
とに分かれており、それぞれ中央に通路15、16を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部17が設けら
れている。
とに分かれており、それぞれ中央に通路15、16を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部17が設けら
れている。
【0023】前段部2aは、通路15に沿って移動可能
なメインアーム18を備えており、通路15の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット21、水洗ユニット22、アド
ヒージョン処理ユニット23、および冷却ユニット24
が、他方側には本発明の対象となる2つのレジスト塗布
ユニット25が配置されている。一方、後段部2bは、
通路16に沿って移動可能なメインアーム19を備えて
おり、通路19の一方側には複数の加熱処理ユニット2
6および冷却ユニット27からなる熱系ユニット群28
が、他方側には2つの現像処理ユニット29が配置され
ている。熱系ユニット群28は、ユニットが4段積層さ
れてなる組が通路19に沿って3つ並んでおり、上2段
が加熱処理ユニット26であり、下段が冷却ユニット2
7である。加熱処理ユニット26は、レジストの安定化
のためのプリベーク、露光後のポストエクスポージャー
ベーク、および現像後のポストベーク処理を行うもので
ある。なお、後段部2bの後端には露光装置(図示せ
ず)との間で半導体ウエハWの受け渡しを行うためのイ
ンターフェース部30が設けられている。
なメインアーム18を備えており、通路15の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット21、水洗ユニット22、アド
ヒージョン処理ユニット23、および冷却ユニット24
が、他方側には本発明の対象となる2つのレジスト塗布
ユニット25が配置されている。一方、後段部2bは、
通路16に沿って移動可能なメインアーム19を備えて
おり、通路19の一方側には複数の加熱処理ユニット2
6および冷却ユニット27からなる熱系ユニット群28
が、他方側には2つの現像処理ユニット29が配置され
ている。熱系ユニット群28は、ユニットが4段積層さ
れてなる組が通路19に沿って3つ並んでおり、上2段
が加熱処理ユニット26であり、下段が冷却ユニット2
7である。加熱処理ユニット26は、レジストの安定化
のためのプリベーク、露光後のポストエクスポージャー
ベーク、および現像後のポストベーク処理を行うもので
ある。なお、後段部2bの後端には露光装置(図示せ
ず)との間で半導体ウエハWの受け渡しを行うためのイ
ンターフェース部30が設けられている。
【0024】上記メインアーム18は、搬送機構3のア
ーム11との間で半導体ウエハWの受け渡しを行うとと
もに、前段部2aの各処理ユニットに対するウエハWの
搬入・搬出、さらには中継部17との間でウエハwの受
け渡しを行う機能を有している。また、メインアーム1
9は中継部17との間で半導体ウエハWの受け渡しを行
うとともに、後段部2bの各処理ユニットに対するウエ
ハWの搬入・搬出、さらにはインターフェース部30と
の間のウエハWの受け渡しを行う機能を有している。
ーム11との間で半導体ウエハWの受け渡しを行うとと
もに、前段部2aの各処理ユニットに対するウエハWの
搬入・搬出、さらには中継部17との間でウエハwの受
け渡しを行う機能を有している。また、メインアーム1
9は中継部17との間で半導体ウエハWの受け渡しを行
うとともに、後段部2bの各処理ユニットに対するウエ
ハWの搬入・搬出、さらにはインターフェース部30と
の間のウエハWの受け渡しを行う機能を有している。
【0025】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。そして、これら処理ユニットを含む
処理部2全体がケーシング(図示せず)内に配置されて
いる。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。そして、これら処理ユニットを含む
処理部2全体がケーシング(図示せず)内に配置されて
いる。
【0026】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の半導体ウエハWが、処
理部2に搬送され、まず、洗浄ユニット21および水洗
ユニット22により洗浄処理され、レジストの定着性を
高めるためにアドヒージョン処理ユニット23にて疎水
化処理され、冷却ユニット24で冷却後、レジスト塗布
ユニット25でレジストが塗布される。その後、半導体
ウエハWは、加熱処理ユニット26の一つでプリベーク
処理され、冷却ユニット27で冷却された後、インター
フェース部30を介して露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、再びインターフェ
ース部30を介して搬入され、加熱処理ユニット26の
一つでポストエクスポージャーベーク処理が施される。
その後、冷却ユニット27で冷却された半導体ウエハW
は、現像処理ユニット29で現像処理され、所定の回路
パターンが形成される。現像処理された半導体ウエハW
は、メインアーム19,18および搬送機構3によって
カセットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
テムにおいては、カセットC内の半導体ウエハWが、処
理部2に搬送され、まず、洗浄ユニット21および水洗
ユニット22により洗浄処理され、レジストの定着性を
高めるためにアドヒージョン処理ユニット23にて疎水
化処理され、冷却ユニット24で冷却後、レジスト塗布
ユニット25でレジストが塗布される。その後、半導体
ウエハWは、加熱処理ユニット26の一つでプリベーク
処理され、冷却ユニット27で冷却された後、インター
フェース部30を介して露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、再びインターフェ
ース部30を介して搬入され、加熱処理ユニット26の
一つでポストエクスポージャーベーク処理が施される。
その後、冷却ユニット27で冷却された半導体ウエハW
は、現像処理ユニット29で現像処理され、所定の回路
パターンが形成される。現像処理された半導体ウエハW
は、メインアーム19,18および搬送機構3によって
カセットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
【0027】次に、本発明の対象である塗布装置の一実
施形態としてのレジスト塗布ユニット25について説明
する。図2および図3に示すように、このレジスト塗布
ユニット25は、ケーシング25a内に塗布部40を具
備している。塗布部40は、半導体ウエハWを収容する
収容容器(カップ)41を有しており、その中に、半導
体ウエハWを真空吸着によって水平に支持するスピンチ
ャック42を有している。このスピンチャック42は、
容器41の下方に設けられたパルスモーターなどの駆動
機構43によって回転可能となっており、その回転速度
も任意に制御可能となっている。容器41内は、その底
部中心部から、図示しない排気手段によって排気され
る。また、塗布処理にともなって飛散したレジスト液や
溶剤は、スピンチャック42の外方から、容器41の底
部に設けられた排液口44から排液管45を通って、容
器41の下方に設けられているドレインタンク46へ排
出される。ドレインタンク46にはドレインライン47
が接続されており、これによりドレインが装置外に排出
される。
施形態としてのレジスト塗布ユニット25について説明
する。図2および図3に示すように、このレジスト塗布
ユニット25は、ケーシング25a内に塗布部40を具
備している。塗布部40は、半導体ウエハWを収容する
収容容器(カップ)41を有しており、その中に、半導
体ウエハWを真空吸着によって水平に支持するスピンチ
ャック42を有している。このスピンチャック42は、
容器41の下方に設けられたパルスモーターなどの駆動
機構43によって回転可能となっており、その回転速度
も任意に制御可能となっている。容器41内は、その底
部中心部から、図示しない排気手段によって排気され
る。また、塗布処理にともなって飛散したレジスト液や
溶剤は、スピンチャック42の外方から、容器41の底
部に設けられた排液口44から排液管45を通って、容
器41の下方に設けられているドレインタンク46へ排
出される。ドレインタンク46にはドレインライン47
が接続されており、これによりドレインが装置外に排出
される。
【0028】図3に示すように、ケーシング25aの容
器41の外側部分には、4つのノズルホルダー51,5
2,53,54を保持可能な保持部25bが設けられて
いる。ノズルホルダー51,52,53,54には、そ
れぞれ、レジスト液吐出ノズルN1,N2,N3,N4
が保持されており、これと組をなすように、それぞれ溶
剤ノズルS1,S2,S3,S4が保持されている。保
持部25bには各ノズルのノズル口を乾燥固化させない
ように、各ノズルのノズル口を溶剤雰囲気に置くための
挿入部(図示せず)が設けられている。レジスト液吐出
ノズルN1,N2,N3,N4には後述するように、独
立したレジスト液配管が接続されており、したがって4
種類の異なったレジスト液を塗布することができる。な
お、各ノズルホルダーにレジスト液吐出ノズルだけを保
持させて、溶剤ノズルを共用タイプとして後述するスキ
ャンアーム57に取り付けるようにしてもよい。
器41の外側部分には、4つのノズルホルダー51,5
2,53,54を保持可能な保持部25bが設けられて
いる。ノズルホルダー51,52,53,54には、そ
れぞれ、レジスト液吐出ノズルN1,N2,N3,N4
が保持されており、これと組をなすように、それぞれ溶
剤ノズルS1,S2,S3,S4が保持されている。保
持部25bには各ノズルのノズル口を乾燥固化させない
ように、各ノズルのノズル口を溶剤雰囲気に置くための
挿入部(図示せず)が設けられている。レジスト液吐出
ノズルN1,N2,N3,N4には後述するように、独
立したレジスト液配管が接続されており、したがって4
種類の異なったレジスト液を塗布することができる。な
お、各ノズルホルダーにレジスト液吐出ノズルだけを保
持させて、溶剤ノズルを共用タイプとして後述するスキ
ャンアーム57に取り付けるようにしてもよい。
【0029】これらノズルホルダー51〜54は、それ
ぞれ取り付け部51a,52a,53a,54aにより
スキャンアーム57の先端部に取り付け可能となってお
り、これらのうち選択された一つがスキャンアーム57
に取り付けられた状態で保持部25bから取り出され
る。スキャンアーム57はスキャン機構58により三次
元移動、すなわちX、Y、Z方向への移動が可能であ
り、保持部25bから取り出されたノズルホルダー(図
2,3ではノズルホルダー51)は、半導体ウエハWの
上方の所定位置まで移動される。
ぞれ取り付け部51a,52a,53a,54aにより
スキャンアーム57の先端部に取り付け可能となってお
り、これらのうち選択された一つがスキャンアーム57
に取り付けられた状態で保持部25bから取り出され
る。スキャンアーム57はスキャン機構58により三次
元移動、すなわちX、Y、Z方向への移動が可能であ
り、保持部25bから取り出されたノズルホルダー(図
2,3ではノズルホルダー51)は、半導体ウエハWの
上方の所定位置まで移動される。
【0030】なお、各ノズルホルダーには、レジスト液
ノズルから吐出されるレジスト液の温度が一定になるよ
うに温度調節するために温度調節流体を循環するチュー
ブ55a,55b、および、溶剤ノズルから吐出される
溶剤の温度が一定になるように温度調節するために温度
調節流体を循環するチューブ56a,56bが設けられ
ている。チューブ55aはレジスト液ノズルに連続する
配管の周囲に設けられて往路を構成し、チューブ55b
は復路を構成している。また、チューブ56aは溶剤ノ
ズルに連続する配管の周囲に設けられて往路を構成し、
チューブ56bは復路を構成している。
ノズルから吐出されるレジスト液の温度が一定になるよ
うに温度調節するために温度調節流体を循環するチュー
ブ55a,55b、および、溶剤ノズルから吐出される
溶剤の温度が一定になるように温度調節するために温度
調節流体を循環するチューブ56a,56bが設けられ
ている。チューブ55aはレジスト液ノズルに連続する
配管の周囲に設けられて往路を構成し、チューブ55b
は復路を構成している。また、チューブ56aは溶剤ノ
ズルに連続する配管の周囲に設けられて往路を構成し、
チューブ56bは復路を構成している。
【0031】次に、塗布部40の各レジスト液吐出ノズ
ルにレジスト液を供給するレジスト供給ラインについて
説明する。図4は、本実施形態のレジスト塗布ユニット
におけるレジスト液供給系、パーティクル測定用配管、
および洗浄液供給系を示す図である。この図に示すよう
に、レジスト液吐出ノズルN1,N2,N3,N4に
は、それぞれレジスト液輸送配管61,62,63,6
4が接続されており、これらの他端には、それぞれレジ
スト液を貯留したレジスト液容器R1,R2,R3,R
4が接続されている。
ルにレジスト液を供給するレジスト供給ラインについて
説明する。図4は、本実施形態のレジスト塗布ユニット
におけるレジスト液供給系、パーティクル測定用配管、
および洗浄液供給系を示す図である。この図に示すよう
に、レジスト液吐出ノズルN1,N2,N3,N4に
は、それぞれレジスト液輸送配管61,62,63,6
4が接続されており、これらの他端には、それぞれレジ
スト液を貯留したレジスト液容器R1,R2,R3,R
4が接続されている。
【0032】これらレジスト液輸送配管61,62,6
3,64は、この順に並列配置されており、これらには
上流側からそれぞれ残量検知機構L1,L2,L3,L
4、ポンプP1,P2,P3,P4、フィルターF1,
F2,F3,F4、およびエアオペレーションバルブV
1,V2、V3,V4が設けられている。これらエアオ
ペレーションバルブV1,V2,V3,V4には、それ
ぞれサンプリング配管71,72,73,74がレジス
ト液輸送配管61,62,63,64から分岐するよう
に設けられている。これらエアオペレーションバルブV
1,V2,V3,V4は、通常は輸送配管側のポートD
1,D2,D3,D4が開となって、ノズルN1,N
2,N3,N4側へレジスト液が輸送されるが、後述す
るようにレジスト液のパーティクルを測定する場合に
は、それぞれポートM1,M2,M3,M4が開放さ
れ、サンプリング配管71,72,73,74へレジス
ト液が供給される。フィルターF1,F2,F3,F4
の下流側に、それぞれバルブV1,V2,V3,V4が
設けられていることにより、フィルターの劣化によるパ
ーティクルの増加を迅速に把握することができる。
3,64は、この順に並列配置されており、これらには
上流側からそれぞれ残量検知機構L1,L2,L3,L
4、ポンプP1,P2,P3,P4、フィルターF1,
F2,F3,F4、およびエアオペレーションバルブV
1,V2、V3,V4が設けられている。これらエアオ
ペレーションバルブV1,V2,V3,V4には、それ
ぞれサンプリング配管71,72,73,74がレジス
ト液輸送配管61,62,63,64から分岐するよう
に設けられている。これらエアオペレーションバルブV
1,V2,V3,V4は、通常は輸送配管側のポートD
1,D2,D3,D4が開となって、ノズルN1,N
2,N3,N4側へレジスト液が輸送されるが、後述す
るようにレジスト液のパーティクルを測定する場合に
は、それぞれポートM1,M2,M3,M4が開放さ
れ、サンプリング配管71,72,73,74へレジス
ト液が供給される。フィルターF1,F2,F3,F4
の下流側に、それぞれバルブV1,V2,V3,V4が
設けられていることにより、フィルターの劣化によるパ
ーティクルの増加を迅速に把握することができる。
【0033】サンプリング配管71,72,73,74
は、共通の測定配管75に接続されており、測定配管7
5の下流端、すなわち輸送配管64側にはパーティクル
測定装置80が接続されている。この、このパーティク
ル測定装置80は、光源とセンサーとを有する検出部8
1と、計測部82とを備えている。そして、このパーテ
ィクル測定装置80により、輸送配管61,62,6
3,64から、それぞれサンプリング配管71,72,
73,74を介して測定配管75に供給され、さらに検
出部81に供給されたレジスト液についてパーティクル
を測定する。測定後のレジスト液は、前記ドレインライ
ン47へと排出される。
は、共通の測定配管75に接続されており、測定配管7
5の下流端、すなわち輸送配管64側にはパーティクル
測定装置80が接続されている。この、このパーティク
ル測定装置80は、光源とセンサーとを有する検出部8
1と、計測部82とを備えている。そして、このパーテ
ィクル測定装置80により、輸送配管61,62,6
3,64から、それぞれサンプリング配管71,72,
73,74を介して測定配管75に供給され、さらに検
出部81に供給されたレジスト液についてパーティクル
を測定する。測定後のレジスト液は、前記ドレインライ
ン47へと排出される。
【0034】一方、パーティクル測定装置80の反対側
には、レジスト液輸送配管61,62,63,64と並
列に、洗浄液ライン60が配置されている。洗浄液ライ
ン60には洗浄液容器R0が接続されており、この容器
R0からN2加圧により洗浄液ライン60に洗浄液を供
給する。もちろんポンプにより洗浄液を供給することも
できる。この洗浄液ライン60には、上流側から残量検
知機構L0、フィルターF0、エアオペレーションバル
ブV0が介在されている。このエアオペレーションバル
ブV0には、洗浄液ライン60から分岐するように前記
測定配管75が接続されており、通常は洗浄ライン60
側のポートD0が開となっているが、測定配管75に洗
浄液を供給する場合には、ポートM0が開放される。洗
浄液は、測定配管75のサンプリング配管71,72,
73,74との合流点を通ってパーティクル測定装置8
0の検出部81に至り、その中の光学セル等を洗浄す
る。洗浄後の廃液は、ドレインライン47に排出され
る。
には、レジスト液輸送配管61,62,63,64と並
列に、洗浄液ライン60が配置されている。洗浄液ライ
ン60には洗浄液容器R0が接続されており、この容器
R0からN2加圧により洗浄液ライン60に洗浄液を供
給する。もちろんポンプにより洗浄液を供給することも
できる。この洗浄液ライン60には、上流側から残量検
知機構L0、フィルターF0、エアオペレーションバル
ブV0が介在されている。このエアオペレーションバル
ブV0には、洗浄液ライン60から分岐するように前記
測定配管75が接続されており、通常は洗浄ライン60
側のポートD0が開となっているが、測定配管75に洗
浄液を供給する場合には、ポートM0が開放される。洗
浄液は、測定配管75のサンプリング配管71,72,
73,74との合流点を通ってパーティクル測定装置8
0の検出部81に至り、その中の光学セル等を洗浄す
る。洗浄後の廃液は、ドレインライン47に排出され
る。
【0035】このような配管系において、例えばノズル
N1から通常のレジスト液吐出を行う場合には、まず、
レジスト液容器R1から輸送配管61中を残量検知機構
L1を通り、ポンプP1に吸引された状態とされる。こ
の状態で吐出信号を受けると、エアオペレーションバル
ブのポートD1が開き、ポンプP1が吐出動作を開始す
る。レジスト液は、輸送配管61を流れポンプP1から
フィルターF1を通りエアオペレーションバルブV1の
ポートD1側へ押し出され、ノズルN1から吐出される
こととなる。吐出終了後、ポートD1が閉じられ、ポン
プP1は再び吸引動作を行って、次の吐出に備える。他
のノズルN2〜N4についても、全く同様の動作でレジ
スト液吐出が実行される。
N1から通常のレジスト液吐出を行う場合には、まず、
レジスト液容器R1から輸送配管61中を残量検知機構
L1を通り、ポンプP1に吸引された状態とされる。こ
の状態で吐出信号を受けると、エアオペレーションバル
ブのポートD1が開き、ポンプP1が吐出動作を開始す
る。レジスト液は、輸送配管61を流れポンプP1から
フィルターF1を通りエアオペレーションバルブV1の
ポートD1側へ押し出され、ノズルN1から吐出される
こととなる。吐出終了後、ポートD1が閉じられ、ポン
プP1は再び吸引動作を行って、次の吐出に備える。他
のノズルN2〜N4についても、全く同様の動作でレジ
スト液吐出が実行される。
【0036】次に、このような配管系におけるパーティ
クルの測定について、図5を参照しながら説明する。輸
送配管61を流れるパーティクルを測定する際には、ま
ず、レジスト液がポンプP1に吸引された状態で測定開
始の信号を受ける。これにより、エアオペレーションバ
ルブV1のポートM1が開き、ポンプP1の吐出動作が
開始される(ST1)。レジスト液は、ポンプP1より
フィルターF1を通り、エアオペレーションバルブV1
のポートM1側に押し出され、サンプリング配管71か
ら測定配管75を通ってパーティクル測定装置80の検
出部81へ導かれ、レジスト液R1中のパーティクルが
測定される(ST2)。測定後、ポートM1は閉じら
れ、ポンプP1は再び吸引動作を行う(ST3)。な
お、この際のパーティクルの測定は、測定配管75の配
管中をレジスト液で置換する必要があるので数回行うの
が望ましい。
クルの測定について、図5を参照しながら説明する。輸
送配管61を流れるパーティクルを測定する際には、ま
ず、レジスト液がポンプP1に吸引された状態で測定開
始の信号を受ける。これにより、エアオペレーションバ
ルブV1のポートM1が開き、ポンプP1の吐出動作が
開始される(ST1)。レジスト液は、ポンプP1より
フィルターF1を通り、エアオペレーションバルブV1
のポートM1側に押し出され、サンプリング配管71か
ら測定配管75を通ってパーティクル測定装置80の検
出部81へ導かれ、レジスト液R1中のパーティクルが
測定される(ST2)。測定後、ポートM1は閉じら
れ、ポンプP1は再び吸引動作を行う(ST3)。な
お、この際のパーティクルの測定は、測定配管75の配
管中をレジスト液で置換する必要があるので数回行うの
が望ましい。
【0037】測定が終了すると、測定配管75内のレジ
ストを排除し、パーティクル測定装置80の検出部81
(特に光学セル)を洗浄するための動作に入る。まず、
洗浄液ライン60のエアオペレーションバルブV0を開
く(ST4)。洗浄液は、N2加圧により、フィルター
F0を通り、エアオペレーションバルブV0のポートM
0から測定配管75を通って検出部81に至る。これに
より、測定配管75および検出部81が洗浄される(S
T5)。洗浄終了後、エアオペレーションバルブV0の
ポートM0が閉じられる(ST6)。
ストを排除し、パーティクル測定装置80の検出部81
(特に光学セル)を洗浄するための動作に入る。まず、
洗浄液ライン60のエアオペレーションバルブV0を開
く(ST4)。洗浄液は、N2加圧により、フィルター
F0を通り、エアオペレーションバルブV0のポートM
0から測定配管75を通って検出部81に至る。これに
より、測定配管75および検出部81が洗浄される(S
T5)。洗浄終了後、エアオペレーションバルブV0の
ポートM0が閉じられる(ST6)。
【0038】次に、輸送配管62を流れるレジスト液の
パーティクルを測定する場合には、配管61の場合と同
様に、測定開始信号により、エアオペレーションバルブ
V2のポートM2を開き(ST7)、サンプリング配管
72から測定配管75を通ってパーティクル測定装置8
0の検出部81へ導かれ、レジスト液R2中のパーティ
クルが測定される(ST8)。
パーティクルを測定する場合には、配管61の場合と同
様に、測定開始信号により、エアオペレーションバルブ
V2のポートM2を開き(ST7)、サンプリング配管
72から測定配管75を通ってパーティクル測定装置8
0の検出部81へ導かれ、レジスト液R2中のパーティ
クルが測定される(ST8)。
【0039】測定終了後、エアオペレーションバルブV
2のポートM2を閉じ(ST9)、次に、洗浄液ライン
60に設けられたエアオペレーションバルブV0のポー
トM0を開き(ST10)、同様に測定配管75および
パーティクル測定装置80の検出部81(特に光学セ
ル)を洗浄する(ST11)。洗浄後バルブV0のポー
トM0を閉じる(ST12)。
2のポートM2を閉じ(ST9)、次に、洗浄液ライン
60に設けられたエアオペレーションバルブV0のポー
トM0を開き(ST10)、同様に測定配管75および
パーティクル測定装置80の検出部81(特に光学セ
ル)を洗浄する(ST11)。洗浄後バルブV0のポー
トM0を閉じる(ST12)。
【0040】輸送配管63を流れるレジスト液のパーテ
ィクル測定も全く同様にしてなされ(ST13〜15参
照)、その後の洗浄も全く同様にしてなされる。そし
て、このような動作を各輸送配管で繰り返し行う。もち
ろん測定の順序は上記のものには限定されない。このよ
うな一連の手順は、予め、本体記憶部にシーケンスとし
て記憶させておくことにより、自動的に所定の間隔で、
測定および記録することが可能である。また、このよう
な測定記録に基づいて、異常数値に対してアラームを出
力させることもできる。
ィクル測定も全く同様にしてなされ(ST13〜15参
照)、その後の洗浄も全く同様にしてなされる。そし
て、このような動作を各輸送配管で繰り返し行う。もち
ろん測定の順序は上記のものには限定されない。このよ
うな一連の手順は、予め、本体記憶部にシーケンスとし
て記憶させておくことにより、自動的に所定の間隔で、
測定および記録することが可能である。また、このよう
な測定記録に基づいて、異常数値に対してアラームを出
力させることもできる。
【0041】このように洗浄ライン60を設けて測定配
管75および検出部81を随時洗浄することができ、レ
ジストが検出部81内の光学セルに固着し汚染されるお
それがないので、インラインに設けられたパーティクル
測定装置により有効にパーティクルを測定することがで
きる。また複数の輸送配管を通流するレジスト液のパー
ティクルを一つの装置で測定可能であるため、極めて効
率の良いパーティクル測定が実現される。
管75および検出部81を随時洗浄することができ、レ
ジストが検出部81内の光学セルに固着し汚染されるお
それがないので、インラインに設けられたパーティクル
測定装置により有効にパーティクルを測定することがで
きる。また複数の輸送配管を通流するレジスト液のパー
ティクルを一つの装置で測定可能であるため、極めて効
率の良いパーティクル測定が実現される。
【0042】また、各輸送配管に設けられた送液用のポ
ンプP1〜P4を流量設定可能とすることにより、各系
統で異なる粘度のレジストを用いる場合でも、パーティ
クル測定装置80の検出部81において測定に適した流
量になるように流量設定することができる。もちろん、
通常吐出時はそれぞれの系統において、それぞれの塗布
シーケンスで求められる吐出流量に自動的に戻るように
することができる。
ンプP1〜P4を流量設定可能とすることにより、各系
統で異なる粘度のレジストを用いる場合でも、パーティ
クル測定装置80の検出部81において測定に適した流
量になるように流量設定することができる。もちろん、
通常吐出時はそれぞれの系統において、それぞれの塗布
シーケンスで求められる吐出流量に自動的に戻るように
することができる。
【0043】洗浄液ライン60は、パーティクル測定装
置90から最も離れた位置にあるため、洗浄液ライン6
0から測定配管75に供給された洗浄液は、サンプリン
グ配管71〜74との合流点すべてを洗浄することがで
きる。なお、洗浄液ラインを複数用意し、レジスト液の
種類に応じて使い分けるようにしてもよい。
置90から最も離れた位置にあるため、洗浄液ライン6
0から測定配管75に供給された洗浄液は、サンプリン
グ配管71〜74との合流点すべてを洗浄することがで
きる。なお、洗浄液ラインを複数用意し、レジスト液の
種類に応じて使い分けるようにしてもよい。
【0044】次に、パーティクル測定装置80について
説明する。このパーティクル測定装置80は、上述した
ように、検出部81と計測部82とを有している。検出
部81は、図6に示すように、レーザー光源83と、セ
ンサー84と、レジスト液が供給される光学セル85と
を備えており、光学セル85を挟んで光源83とセンサ
ー84とが対向するように設けられている。そして、光
学セル85に供給されたレジスト液にレーザー光線が照
射され、その中のパーティクルPがセンサー84により
検出される。このような検出信号が計測部82に出力さ
れ、そこで計数処理が行われ、測定値として出力され
る。
説明する。このパーティクル測定装置80は、上述した
ように、検出部81と計測部82とを有している。検出
部81は、図6に示すように、レーザー光源83と、セ
ンサー84と、レジスト液が供給される光学セル85と
を備えており、光学セル85を挟んで光源83とセンサ
ー84とが対向するように設けられている。そして、光
学セル85に供給されたレジスト液にレーザー光線が照
射され、その中のパーティクルPがセンサー84により
検出される。このような検出信号が計測部82に出力さ
れ、そこで計数処理が行われ、測定値として出力され
る。
【0045】ところで、レジスト液に光りを照射した場
合には、レジストの樹脂成分自体が発光する現象が生じ
るため、上述のようにパーティクルを測定している際
に、レジストの発光による部分もパーティクルとしてカ
ウントしてしまい、正確な測定ができなくなる。つま
り、図7に示すように、粒径サイズがL点以下の斜線部
がレジストの発光の影響であり、L点以上の粒径d,
e,fでは発光の影響を受けないが、L点よりも小さい
粒径a,b,cでは多めにカウントしてしまい正確に測
定することができない。そこで、計測部82によりレジ
ストの発光の影響のある粒径部分をカットする。すなわ
ち、この場合は例えば0.25μm未満をカットし、そ
れ以上の粒径のみカウントする。これにより、レジスト
の発光にともなう誤カウントを防止することができる。
もちろん、このしきい値はレジストの種類によって変化
するので、レジストの種類に応じて計測部の設定を行う
必要がある。
合には、レジストの樹脂成分自体が発光する現象が生じ
るため、上述のようにパーティクルを測定している際
に、レジストの発光による部分もパーティクルとしてカ
ウントしてしまい、正確な測定ができなくなる。つま
り、図7に示すように、粒径サイズがL点以下の斜線部
がレジストの発光の影響であり、L点以上の粒径d,
e,fでは発光の影響を受けないが、L点よりも小さい
粒径a,b,cでは多めにカウントしてしまい正確に測
定することができない。そこで、計測部82によりレジ
ストの発光の影響のある粒径部分をカットする。すなわ
ち、この場合は例えば0.25μm未満をカットし、そ
れ以上の粒径のみカウントする。これにより、レジスト
の発光にともなう誤カウントを防止することができる。
もちろん、このしきい値はレジストの種類によって変化
するので、レジストの種類に応じて計測部の設定を行う
必要がある。
【0046】ところで、パーティクルは通常、対数正規
分布と呼ばれる粒径分布をとりやすく、小さいサイズの
ものほど多く存在する。したがって、より小さな粒径ま
で測定可能な方が高精度でパーティクルを測定すること
ができ早期に異常値を検知することができる。つまり、
上述のようにレジストの発光の影響を受ける粒径部分を
カットした場合には、小さい粒径部分が測定されないこ
ととなるため、誤カウントは防止されるものの、精度的
には若干低い。
分布と呼ばれる粒径分布をとりやすく、小さいサイズの
ものほど多く存在する。したがって、より小さな粒径ま
で測定可能な方が高精度でパーティクルを測定すること
ができ早期に異常値を検知することができる。つまり、
上述のようにレジストの発光の影響を受ける粒径部分を
カットした場合には、小さい粒径部分が測定されないこ
ととなるため、誤カウントは防止されるものの、精度的
には若干低い。
【0047】これに対して、検出部81のセンサー84
の感度を低下させることにより、より小さい粒径まで測
定することができるようになる。つまり、図8に示すよ
うに、センサー84の感度を低下させることにより、レ
ジストの発光による影響を低下させることができ、レジ
ストの発光の影響を受ける粒径は、L点より小さいL′
点以下となり、より小さい粒径までレジストの影響を受
けることなく測定することができるようになる。この場
合に、パーティクル信号であるa,b,c,d,e,f
も低下してa′,b′,c′,d′,e′,f′となる
が、これは純水などの発光の少ない薬液を用いて校正し
ておくことにより、a′,b′,c′,d′,e′,
f′の値から正確な値を得ることができる。
の感度を低下させることにより、より小さい粒径まで測
定することができるようになる。つまり、図8に示すよ
うに、センサー84の感度を低下させることにより、レ
ジストの発光による影響を低下させることができ、レジ
ストの発光の影響を受ける粒径は、L点より小さいL′
点以下となり、より小さい粒径までレジストの影響を受
けることなく測定することができるようになる。この場
合に、パーティクル信号であるa,b,c,d,e,f
も低下してa′,b′,c′,d′,e′,f′となる
が、これは純水などの発光の少ない薬液を用いて校正し
ておくことにより、a′,b′,c′,d′,e′,
f′の値から正確な値を得ることができる。
【0048】このようにしてパーティクルを測定して異
常を検出するのであるが、この際のに検出される異常に
は大別して、図9の(a),(b)の2つのタイプがあ
る。(a)のように突発的にパーティクル数が増加する
者は、レジスト液の原液の汚染や、装置の重大な故障が
考えられ、装置の停止も含めた緊急かつ適切な対処が望
まれる。また、(b)のように徐々に増加していく場合
は、配管中のフィルターやポンプの劣化(寿命)が考え
られ、それらの交換時期を把握する目安となる。いずれ
のタイプの異常についても、それぞれにしきい値を設
け、それを超えた場合にオペレータまたはホストコンピ
ューターにアラームを与えるようにすることができる。
常を検出するのであるが、この際のに検出される異常に
は大別して、図9の(a),(b)の2つのタイプがあ
る。(a)のように突発的にパーティクル数が増加する
者は、レジスト液の原液の汚染や、装置の重大な故障が
考えられ、装置の停止も含めた緊急かつ適切な対処が望
まれる。また、(b)のように徐々に増加していく場合
は、配管中のフィルターやポンプの劣化(寿命)が考え
られ、それらの交換時期を把握する目安となる。いずれ
のタイプの異常についても、それぞれにしきい値を設
け、それを超えた場合にオペレータまたはホストコンピ
ューターにアラームを与えるようにすることができる。
【0049】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、レジスト
液ノズルが複数ある場合の配管系について説明したが、
レジスト液ノズルが1本の場合でも適用可能である。ま
た、配管の配置も図示したものに限定されるものではな
い。さらに、被塗布体として半導体ウエハを用いたが、
これに限らず、例えばLCD用ガラス基板であってもよ
い。
ることなく、種々変形が可能である。例えば、レジスト
液ノズルが複数ある場合の配管系について説明したが、
レジスト液ノズルが1本の場合でも適用可能である。ま
た、配管の配置も図示したものに限定されるものではな
い。さらに、被塗布体として半導体ウエハを用いたが、
これに限らず、例えばLCD用ガラス基板であってもよ
い。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、第1発明によれ
ば、洗浄液によりパーティクル測定装置を洗浄して光学
セル内壁等へのレジスト液の固着を防止することがで
き、インラインで有効にパーティクルを測定することが
できる。
ば、洗浄液によりパーティクル測定装置を洗浄して光学
セル内壁等へのレジスト液の固着を防止することがで
き、インラインで有効にパーティクルを測定することが
できる。
【0051】第2発明によれば、複数の輸送配管のレジ
スト液のパーティクルを1つのパーティクル測定装置で
測定することができ、また、洗浄液により測定配管およ
びパーティクル測定装置を洗浄して光学セル内壁等への
レジスト液の固着を防止することができ、インラインで
有効にパーティクルを測定することができる。
スト液のパーティクルを1つのパーティクル測定装置で
測定することができ、また、洗浄液により測定配管およ
びパーティクル測定装置を洗浄して光学セル内壁等への
レジスト液の固着を防止することができ、インラインで
有効にパーティクルを測定することができる。
【0052】第3発明、第4発明および第7発明によれ
ば、レジストの発光を検出した部分をカットすることに
より、レジストの発光の影響を受けずに高精度でパーテ
ィクルを測定することができる。
ば、レジストの発光を検出した部分をカットすることに
より、レジストの発光の影響を受けずに高精度でパーテ
ィクルを測定することができる。
【0053】第5発明および第8発明によれば、レジス
トの影響を受けずに測定が可能な粒度範囲を広げること
ができ、より高精度でパーティクルを測定することがで
きる。さらに第6発明によれば、フィルターが劣化した
ことによるパーティクルの増加を迅速に把握することが
できる。
トの影響を受けずに測定が可能な粒度範囲を広げること
ができ、より高精度でパーティクルを測定することがで
きる。さらに第6発明によれば、フィルターが劣化した
ことによるパーティクルの増加を迅速に把握することが
できる。
【図1】本発明の対象となるレジスト塗布装置が組み込
まれたレジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
まれたレジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図2】本発明の一実施形態に係るレジスト液塗布ユニ
ットの塗布部を示す概略図。
ットの塗布部を示す概略図。
【図3】図2の塗布部を示す平面図。
【図4】本発明の一実施形態のレジスト塗布ユニットに
おけるレジスト液供給系、パーティクル測定用配管、お
よび洗浄液供給系を示す図。
おけるレジスト液供給系、パーティクル測定用配管、お
よび洗浄液供給系を示す図。
【図5】パーティクル測定および洗浄の工程を説明する
ためのフローチャート。
ためのフローチャート。
【図6】パーティクル測定装置の検出部を示す模式図。
【図7】パーティクル測定装置によりレジスト液を測定
する場合のレジスト液の発光の影響を示す図。
する場合のレジスト液の発光の影響を示す図。
【図8】パーティクル測定装置におけるセンサーの検出
感度を低下させた場合のレジスト液の発光の影響を示す
図。
感度を低下させた場合のレジスト液の発光の影響を示す
図。
【図9】パーティクル測定装置により検出した異常の態
様を示す図。
様を示す図。
25……レジスト塗布ユニット 25a……ケーシング 40……塗布部 41……収容容器 42……スピンチャック 51,52,53,54……ノズルホルダー 60……洗浄ライン 61,62,63,64……レジスト液輸送配管 71,72,73,74……サンプリング配管 75……測定配管 80……パーティクル測定装置 81……検出部 82……計測部 83……レーザー光源 84……センサー 85……光学セル N1,N2,N3,N4……レジスト液ノズル R1,R2,R3,R4……レジスト液容器 P1,P2,P3,P4……ポンプ F1,F2,F3,F4……フィルター V1,V2,V3,V4……エアオペレーションバルブ P……パーティクル W……半導体ウエハ
Claims (8)
- 【請求項1】 被塗布体に対してレジスト液を塗布する
塗布部と、 レジスト液を前記塗布部に供給するレジスト液供給源
と、 前記レジスト液供給源から前記塗布部にレジスト液を輸
送するための輸送配管と、 前記輸送配管の途中に分岐して設けられたサンプリング
配管と、 前記輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の供給
先を塗布部とサンプリング配管との間で切り替えるバル
ブと、 サンプリング配管から供給されたレジスト液のパーティ
クルを測定するパーティクル測定装置と、 前記パーティクル測定装置に洗浄液を供給する洗浄液供
給手段と、を具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項2】 被塗布体に対してレジスト液を塗布する
塗布部と、 レジスト液を前記塗布部に供給するレジスト液供給源
と、 前記レジスト液供給源から前記塗布部にレジスト液を輸
送するための複数の輸送配管と、 前記各輸送配管の途中にそれぞれ分岐して設けられた複
数のサンプリング配管と、 前記各輸送配管の分岐部分にそれぞれ設けられ、レジス
ト液の供給先を塗布部とサンプリング配管との間で切り
替える複数のバルブと、 前記複数のサンプリング配管が接続される測定配管と、 測定配管に設けられ、各サンプリング配管から供給され
たレジスト液のパーティクルを測定するパーティクル測
定装置と、 前記測定配管を介して前記パーティクル測定装置に洗浄
液を供給する洗浄液供給手段と、を具備することを特徴
とする塗布装置。 - 【請求項3】 前記パーティクル測定装置は、パーティ
クルを検出する検出部と、検出されたパーティクルを計
測する計測部とを備え、計測部は、検出部がレジストの
発光を検出した部分をカットしてパーティクルを計測す
ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の塗
布装置。 - 【請求項4】 被塗布体に対してレジスト液を塗布する
塗布部と、 レジスト液を前記塗布部に供給するレジスト液供給源
と、 前記レジスト液供給源から前記塗布部にレジスト液を輸
送するための輸送配管と、 前記輸送配管の途中に分岐して設けられたサンプリング
配管と、 前記輸送配管の分岐部分に設けられ、レジスト液の供給
先を塗布部とサンプリング配管との間で切り替えるバル
ブと、 サンプリング配管から供給されたレジスト液のパーティ
クルを測定するパーティクル測定装置と、 を具備し、 前記パーティクル測定装置は、パーティクルを検出する
検出部と、検出されたパーティクルを計測する計測部と
を備え、前記計測部は、検出部がレジストの発光を検出
した部分をカットしてパーティクルを計測することを特
徴とする塗布装置。 - 【請求項5】 前記検出部は、レジストの発光による影
響を緩和するようにその感度が低下されていることを特
徴とする請求項3または請求項4に記載の塗布装置。 - 【請求項6】 前記輸送配管の前記分岐部分の上流側に
フィルターを具備することを特徴とする請求項1ないし
請求項5のいずれか1項に記載の塗布装置。 - 【請求項7】 レジスト液中のパーティクルを測定する
パーティクル測定装置であって、パーティクルを検出す
る検出部と、検出されたパーティクルを計測する計測部
とを備え、前記計測部は、検出部がレジストの発光を検
出した部分をカットしてパーティクルを計測することを
特徴とするパーティクル測定装置。 - 【請求項8】 前記検出部は、レジストの発光による影
響を緩和するようにその感度が低下されていることを特
徴とする請求項7に記載のパーティクル測定装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01776197A JP3280878B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置 |
US08/915,737 US5938847A (en) | 1996-09-03 | 1997-08-21 | Method and apparatus for coating a film on an object being processed |
TW086112237A TW388067B (en) | 1996-09-03 | 1997-08-26 | Method and apparatus for coating a film on an object being processed |
SG1999000947A SG75156A1 (en) | 1996-09-03 | 1997-08-27 | Method and apparatus for coating a film on an object being processed |
SG1997003055A SG53052A1 (en) | 1996-09-03 | 1997-08-27 | Method and apparatus for coating a film on an object being processed |
KR1019970045568A KR100489594B1 (ko) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | 기판상에막을코팅하기위한방법과코팅장치 |
US09/299,573 US6268013B1 (en) | 1996-09-03 | 1999-04-27 | Coating a resist film, with pretesting for particle contamination |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01776197A JP3280878B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10209024A true JPH10209024A (ja) | 1998-08-07 |
JP3280878B2 JP3280878B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=11952708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01776197A Expired - Fee Related JP3280878B2 (ja) | 1996-09-03 | 1997-01-16 | 塗布装置およびそれに用いるパーティクル測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3280878B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012778A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 薬液の認定方法および半導体装置の製造方法 |
US7779777B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and method |
JP2016064368A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 日本電気株式会社 | 液体吐出装置、液体吐出方法及び液体吐出装置のプログラム |
KR20160142778A (ko) * | 2015-06-03 | 2016-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2018121075A (ja) * | 2018-04-06 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN108474731A (zh) * | 2016-01-21 | 2018-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 异物检测装置和异物检测方法 |
JPWO2019131226A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR20220124620A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 급액 장치, 도포 장치, 에이징 장치, 및 급액 방법 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP01776197A patent/JP3280878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012778A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 薬液の認定方法および半導体装置の製造方法 |
US7779777B2 (en) | 2006-05-16 | 2010-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and method |
JP2016064368A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 日本電気株式会社 | 液体吐出装置、液体吐出方法及び液体吐出装置のプログラム |
KR20160142778A (ko) * | 2015-06-03 | 2016-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2016225574A (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN108474731A (zh) * | 2016-01-21 | 2018-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 异物检测装置和异物检测方法 |
JPWO2017126360A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出装置及び異物検出方法 |
JP2019220712A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成システム |
JP2021022737A (ja) * | 2016-01-21 | 2021-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検査装置、基板処理装置及び基板処理システム |
JPWO2019131226A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2018121075A (ja) * | 2018-04-06 | 2018-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20220124620A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 급액 장치, 도포 장치, 에이징 장치, 및 급액 방법 |
JP2022134302A (ja) * | 2021-03-03 | 2022-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 給液装置、塗布装置、エージング装置、および給液方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3280878B2 (ja) | 2002-05-13 |
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