TWI782667B - 電路板及其製造方法、鏡頭模組 - Google Patents

Abstract

一種電路板及其製作方法、鏡頭模組，該方法包括提供電路基板，電路基板包括基層、金屬層和第一線路層，第一線路層包括第一線路開口和第一線路，基層包括鏤空區及與非鏤空區；移除由第一線路開口露出的金屬層以形成第二線路層，第二線路層包括第二線路開口和第二線路；移除鏤空區對應的第二線路以形成鏤空腔；移除鏤空區對應的基層以形成基層開口，鏤空腔與基層開口連通，從而獲得電路板，其中，對應鏤空區的第一線路可產生形變。本申請提供的電路板的製作方法藉由鏤空區的第一線路的變形，可實現芯片的位置調整。

Description

電路板及其製造方法、鏡頭模組

本申請涉及一種印刷電路板技術，尤其涉及一種電路板及其製作方法、鏡頭模組。

為了滿足鏡頭模組高圖元以及高解析的要求，需要對鏡頭模組進行光學防抖設計。其中，由於感光芯片的防抖回饋速度較快，調整頻率較高，因此感光芯片的防抖設計對鏡頭模組的畫質有顯著的提升。

然而，目前鏡頭模組的防抖功能未能滿足實際的需要。

有鑑於此，為克服上述缺陷的至少之一，有必要提出一種用於鏡頭模組防抖的電路板的製作方法。

另，還有必要提供了一種採用上述製作方法製作的電路板及應用該電路板的鏡頭模組。

本申請提供一種電路板的製作方法，該製作方法包括步驟：提供一電路基板，所述電路基板包括基層、設於所述基層一表面的金屬層、設於所述金屬層表面的第一線路層，所述第一線路層包括第一線路開口和第一線路，所述金屬層由所述第一線路開口露出，所述基層包括鏤空區以及與所述鏤空區連接的非鏤空區；移除由所述第一線路開口露出的所述金屬層，以形成第二線路層，所述第二線路層包括與所述第一線路開口連通的第二線路開口和第二線路；移除所述鏤空區對應的所述第二線路以形成鏤空腔，所述鏤空腔與所述第一線路開口連通；以及，移除所述鏤空區對應的所述基層以形成基層開口，所述鏤空腔與所述基層開口連通，所述第一線路層靠近所述基層的表面由所述基層開口露出，從而獲得所述電路板，其中，對應所述鏤空區的所述第一線路可產生形變。

在一些可能的實施方式中，所述鏤空腔的製作方法包括：於對應所述非鏤空區的所述第一線路層和所述基層背離所述第一線路層的表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包覆所述非鏤空區對應的所述第一線路層、所述基層和所述第二線路層，得到一中間體線路板；以及，將所述中間體線路板浸泡於蝕刻液中，所述蝕刻液用於蝕刻掉對應所述鏤空區的所述第二線路以形成所述鏤空腔，其中，所述第一線路和所述第二線路於所述蝕刻液中的蝕刻速率比為1：1-1：10。

在一些可能的實施方式中，所述金屬層的材質包括鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種。

在一些可能的實施方式中，所述金屬層的厚度為1-50μm。

在一些可能的實施方式中，移除所述鏤空區對應的所述基層之後，所述製作方法還包括：於所述鏤空區對應的所述第一線路的表面形成第二絕緣層。

在一些可能的實施方式中，沿所述電路基板延伸的方向，所述基層開口的尺寸小於所述鏤空腔的尺寸。

在一些可能的實施方式中，所述第一線路層包括多條第一線路，對應所述鏤空區的多條所述第一線路互不相連。

本申請還提供了一種電路板，所述電路板包括基層、設於所述基層一側的第一線路層、設於所述第一線路層與所述基層之間的第二線路層，所述第一線路層包括第一線路開口和第一線路，所述第二線路層包括第二線路開口和第二線路，所述第一線路開口和所述第二線路開口連通，所述基層包括鏤空區以及與所述鏤空區連接的非鏤空區，對應所述鏤空區貫穿所述第二線路層設置有鏤空腔，且所述鏤空腔與所述第一線路開口連通；對應所述鏤空區貫穿所述基層設置有基層開口，所述基層開口與所述鏤空腔連通，所述第一線路層靠近所述基層的表面由所述基層開口露出，對應所述鏤空區的所述第一線路可產生形變。

在一些可能的實施方式中，所述第二線路層的材質包括鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種，所述第二線路層的厚度為1-50μm。

在一些可能的實施方式中，所述非鏤空區對應的所述第一線路層和所述基層背離所述第一線路層的表面設有第一絕緣層，所述鏤空區對應的所述第一線路的表面設有第二絕緣層。

在一些可能的實施方式中，沿所述電路基板延伸的方向，所述基層開口的尺寸小於所述鏤空腔的尺寸。

在一些可能的實施方式中，所述第一線路層包括多條第一線路，對應所述鏤空區的多條所述第一線路互不相連。

本申請還提供了一種鏡頭模組，所述鏡頭模組包括如上所述的電路板、支架、鏡頭以及芯片。所述支架設於所述電路板上；所述鏡頭設於所述支架上；所述芯片設於所述電路板對應所述鏤空區的所述第一線路上且容置於所述支架內，所述芯片所在的平面垂直於所述鏡頭的光軸，所述第一線路產生形變以產生用於在與所述光軸垂直的多個方向上移動所述芯片。

相較於習知技術，本申請提供的電路板的製作方法藉由設置鏤空區和非鏤空區，鏤空區一方面可以實現放置於其上的芯片與不同非鏤空區的連接以及信號傳輸，另外，可以藉由鏤空區對應的第一線路的變形，實現對芯片的動態牽引，進而對芯片的平移以及旋轉微調，從而實現光學防抖作用。電路板的製作方法簡單，相容小空間高密度佈線，同時可以相容減成法和加成法工藝，易於量產，成本低廉。而且，鏤空區與芯片之間的匹配度不高，便於鏡頭模組的組裝。另外，可以根據芯片在垂直光軸的平面內進行調整的幅度選擇第一線路的材質，並藉由上述電路板的製作方法控制第一線路的線寬和線距。

100:電路板

1:覆銅板

11:基層

111:第一表面

112:第二表面

113:基層開口

12:金屬層

13:第一銅層

14:第二銅層

15:通孔

16:鍍層

17:第一線路層

171:第一線路

172:第一線路開口

18:第三線路層

181:第三線路開口

10:電路基板

20:第二線路層

21:第二線路開口

22:第二線路

23:鏤空腔

30:第一絕緣層

40:中間體線路板

50:第二絕緣層

A:鏤空區

B:非鏤空區

200:鏡頭模組

201:支架

202:鏡頭

203:芯片

a:光軸

圖1為本申請實施例提供的覆銅板的結構示意圖。

圖2為在圖1所示的覆銅板上形成通孔和鍍銅的示意圖。

圖3為圖形化圖2所示的第一銅層和第二銅層形成第一線路層和第三線路層的示意圖。

圖4與圖形化圖3所示的金屬層形成圖形第二線路層的示意圖。

圖5為在圖4所示的非鏤空區對應的第一線路層和第三線路層表面形成第一絕緣層的示意圖。

圖6為在圖5所示的第二線路層上形成鏤空腔的示意圖。

圖7為移除圖6所示的鏤空區對應的基層的示意圖。

圖8為本申請一實施方式提供的電路板的結構示意圖。

圖9為本申請一實施方式提供的電路板的俯視圖。

圖10為本申請一實施方式提供的鏡頭模組的結構示意圖。

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本申請。

本申請實施例提供一種電路板100的製作方法，該方法具體包括以下步驟：

步驟S1，請參閱圖1，提供一覆銅板1，所述覆銅板1包括基層11、金屬層12、第一銅層13以及第二銅層14，所述基層11包括相對的第一表面111和第二表面112，所述金屬層12設於所述第一表面111，所述第一銅層13設於所述金屬層12的表面，所述第二銅層14設於所述第二表面112。所述基層11包括鏤空區A和連接所述鏤空區A的非鏤空區B。

本實施方式中，所述覆銅板1是雙面覆銅板，可以理解的是，所述覆銅板1還可以是單面覆銅板，即僅包括基層11、金屬層12和第一銅層13。

本實施方式中，所述基層11的材質可以選自環氧樹脂(epoxy resin)、半固化片(Prepreg，PP)、BT樹脂、聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等樹脂中的一種。具體地，所述基層11的材質為PI。

本實施方式中，所述金屬層12的材質包括但不限於鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種。

本實施方式中，所述金屬層12的厚度為1-50μm。

步驟S2，請參閱圖2，於所述覆銅板1對應所述非鏤空區B處開設通孔15，並在通孔15內形成鍍層16，以使所述第一銅層13與所述第二銅層14電性連接。

本實施方式中，所述通孔15藉由鐳射打孔的方式成型。可以理解的是，所述通孔15還可以藉由機械打孔的方式成型。

本實施方式中，所述鍍層16為銅層。

步驟S3，請參閱圖3，圖形化所述第一銅層13和第二銅層14以形成第一線路層17和第三線路層18，所述第一線路層17包括第一線路171和第一線路開口172，所述金屬層12由所述第一線路開口172露出，得到一電路基板10。

本實施方式中，所述第一銅層13和第二銅層14藉由壓膜、曝光、顯影及蝕刻的方式成型。在蝕刻第一銅層13時，採用銅層蝕刻液，所述銅層蝕刻液的組分是針對金屬銅的，藉由控制所述銅層蝕刻液的組分以及蝕刻時間，從而控制蝕刻深度，僅蝕刻第一銅層13，而不會蝕刻掉所述金屬層12。

本實施方式中，所述第三線路層18包括對應所述鏤空區A的第三線路開口181，所述基層11的第二表面112由所述第三線路開口181露出。

步驟S4，請參閱圖4，移除由所述第一線路開口172露出的所述金屬層12，以形成第二線路層20，所述第二線路層20包括與所述第一線路開口172連通的第二線路開口21和第二線路22。

本實施方式中，對所述金屬層12採用壓膜、曝光、顯影及蝕刻的方式形成所述第二線路層20。形成的第二線路22的側壁於第二線路開口21露出，方便後續針對鏤空區A的第二線路22形成鏤空腔23，結合參閱圖6。

步驟S5，請參閱圖5與圖6，移除所述鏤空區A對應的所述第二線路22以形成鏤空腔23，所述鏤空腔23與所述第二線路開口21和所述第一線 路開口172連通。

所述鏤空腔23的形成可以使第一線路層17與基層11分離，有利於後續移除所述鏤空區A對應的部分所述基層11，以使第一線路層17形成鏤空結構。因此，所述第二線路層20的厚度無需太厚，能夠起到分離第一線路層17和基層11的目的即可。所述第二線路層20的厚度為1-50μm。

所述鏤空腔23的製作方法具體包括以下步驟：

步驟S51，請參閱圖5，於對應所述非鏤空區B的所述第一線路層17的表面和所述第二表面112形成第一絕緣層30，所述第一絕緣層30包覆所述非鏤空區B對應的所述第一線路層17、所述基層11、所述第二線路層20和所述第三線路層18，得到一中間體線路板40。

本實施方式中，所述第一絕緣層30的材質可以選擇具有填充和保護功能的熱固化材料或光固化材料，如覆蓋膜(CVL)、油墨、純膠、ABF樹脂和半固化片(PP)等。具體地，所述第一絕緣層30的材質為覆蓋膜。所述第一絕緣層30主要用於保護非鏤空區B對應的線路和基層不受後續金屬層蝕刻液的影響。

步驟S52，請參閱圖6，將所述中間體線路板40浸泡於金屬層蝕刻液中，所述金屬層蝕刻液用於蝕刻掉對應所述鏤空區A的所述第二線路22以形成所述鏤空腔23，所述鏤空腔23與所述第一線路開口172連通。其中，所述金屬層蝕刻液是專用於所述金屬層12的蝕刻，對銅的蝕刻速率較慢，因此，將中間體線路板40浸泡與所述金屬層蝕刻液後，金屬層蝕刻液僅會將裸露的第二線路22蝕刻掉，不會影響第一線路171。

本實施方式中，所述第一線路171和所述第二線路22於所述金屬層蝕刻液中的蝕刻速率比為1：1-1：10，即，銅與鎳、銀、鈦和鎳鉻合金這類金屬在金屬層蝕刻液中的刻蝕速率比為1：1-1：10。為了降低第一線路層17在金屬層蝕刻液中被腐蝕，所述第一線路171和所述第二線路22於所述金屬層蝕刻液中的蝕刻速率差異越大越好，優選所述蝕刻速率比為1：5-1：10，進一步優選1：7-1：10，進一步優選1：8-1：10。

步驟S6，請參閱圖7，移除所述鏤空區A對應的所述基層11以形 成基層開口113，所述鏤空腔23與所述基層開口113連通，所述第一線路層17靠近所述基層11的表面由所述基層開口113露出。所述基層開口113還與所述第三線路開口181連通。

本實施方式中，所述基層開口113藉由鐳射打孔或機械打孔的方式形成。藉由所述鏤空腔23將第一線路層17和基層11分離開，便於藉由鐳射打孔或機械打孔的方式移除鏤空區A對應的部分所述基層11。

本實施方式中，沿所述電路基板10延伸的方向，所述基層開口113的尺寸小於所述鏤空腔23的尺寸，這樣在基層11上進行鐳射打孔或機械打孔時不會損傷第二線路層20，而且能夠方便將鏤空區A對應的部分基層11切割掉。另外，在鏤空區A的邊緣，基層11與第一線路層17存在一定的鏤空空間，表面第一線路層17的第一線路171在變形過程中，鏤空區A邊緣的第一線路171受到基層11堅硬邊緣的影響發生斷裂，進而提高鏤空區A對應的第一線路171的撓折性。

步驟S7，請參閱圖8，於所述鏤空區A對應的所述第一線路171的表面形成第二絕緣層50，從而獲得所述電路板100。

本實施方式中，所述第二絕緣層50的材質可以選自具有填充和保護功能的熱固化材料或光固化材料，如覆蓋膜(CVL)、油墨、純膠、ABF樹脂和半固化片(PP)等。具體地，所述第二絕緣層50的材料為覆蓋膜。所述第二絕緣層50還可以是護銅劑(Organic Solderability Preservatives，OSP)或化學鎳金層等表面處理層。

本申請的電路板100的製作方法用於製作鏡頭模組使用的電路板，其中鏡頭模組的芯片放置於電路板100對應鏤空區的第一線路171上，藉由電路板100的鏤空區A對應的第一線路171產生形變，實現對放置在鏤空區A的第一線路171上的芯片的動態牽引，進而對芯片平移以及旋轉微調，從而實現光學防抖作用。電路板100的厚度以及尺寸可以根據實際需求任一設置，且鏤空區A只要能放入芯片203便可，無需精確的尺寸限制，鏤空區A與芯片203的匹配度高。另外，可以根據芯片203在垂直光軸a的平面內進行調整的幅度選擇第一線路171的材質，並藉由上述電路板100的製作方法控制第一線路171的線 寬和線距。電路板100的線路製作相容小空間高密度佈線，同時可以相容減成法和加成法工藝。

請參閱圖9，本實施方式中，所述鏤空區A位於兩所述非鏤空區B之間，所述鏤空區A主要起到連接兩所述非鏤空區B及信號傳輸的作用。在第一線路層17的製作過程中，可以形成多條第一線路171，其中，對應所述鏤空區A的多條所述第一線路171互不相連。多條第一線路171可以產生形變，藉由自身形變控制放置於鏤空區A的芯片沿平面內不同方向移動。

請參閱圖8，本申請還提供一種電路板100，該電路板100應用於鏡頭模組中，用於微調放置於其上芯片的位置。所述電路板100包括基層11、設於所述基層11一側的第一線路層17、設於所述第一線路層17與所述基層11之間的第二線路層20，所述第一線路層17包括第一線路開口172和第一線路171，所述第二線路層20包括第二線路開口21和第二線路22，所述第一線路開口172和所述第二線路開口21連通，所述基層11包括鏤空區A以及與所述鏤空區A連接的非鏤空區B。對應所述鏤空區A貫穿所述第二線路層20設置有鏤空腔23，且所述鏤空腔23與所述第一線路開口172連通。對應所述鏤空區A貫穿所述基層11設置有基層開口113，所述基層開口113與所述鏤空腔23連通，所述第一線路層17靠近所述基層11的表面由所述基層開口113露出。對應所述鏤空區A的所述第一線路171可產生形變。

本實施方式中，所述第二線路層20的材質包括鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種，所述第二線路層20的厚度為1-50μm。

本實施方式中，所述非鏤空區B對應的所述第一線路層17的表面設有第一絕緣層30，所述鏤空區A對應的所述第一線路171的表面設有第二絕緣層50。

本實施方式中，所述第一絕緣層30的材質可以選擇具有填充和保護功能的熱固化材料或光固化材料，如覆蓋膜(CVL)、油墨、純膠、ABF樹脂和半固化片(PP)等。具體地，所述第一絕緣層30的材質為覆蓋膜。

本實施方式中，所述第二絕緣層50的材質可以選自具有填充和保護功能的熱固化材料或光固化材料，如覆蓋膜(CVL)、油墨、純膠、ABF樹 脂和半固化片(PP)等。具體地，所述第二絕緣層50的材料為覆蓋膜。所述第二絕緣層50還可以是護銅劑(Organic Solderability Preservatives，OSP)或化學鎳金層等形成的表面處理層。

本實施方式中，沿所述電路基板10延伸的方向，所述基層開口113的尺寸小於所述鏤空腔23的尺寸。

本實施方式中，所述第一線路層17包括多條第一線路171，對應所述鏤空區A的多條所述第一線路171互不相連。

本實施方式中，所述基層11背離所述第一線路層17的表面設有至少一第三線路層18，所述第三線路層18藉由在通孔15內形成鍍層16實現電性連接。所述第三線路層18包括對應所述鏤空區A設置的第三線路開口181，所述鏤空腔23與所述第三線路開口181連通。即所述電路基板10可以是單面板，也可以是雙面板。

可以理解的，所述非鏤空區B對應設置多層線路層，形成多層板，所述鏤空區A為單層板，鏤空區A設計成單層結構，便於精確第將第一線路層17產生的形變傳遞至芯片，以帶動芯片移動，從而精準控制芯片的位移。

本實施方式中，所述基層11的材質可以選自環氧樹脂(epoxy resin)、半固化片(Prepreg，PP)、BT樹脂、聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等樹脂中的一種。具體地，所述基層11的材質為PI。

本實施方式中，所述鏤空區A大致位於所述電路板100的中部。

請參閱圖10，本申請還提供了一種鏡頭模組200，所述鏡頭模組200包括如上所述的電路板100、支架201、鏡頭202以及芯片203。所述支架201設於所述電路板100上；所述鏡頭202設於所述支架201上；所述芯片203設於所述電路板100對應所述鏤空區A的所述第一線路171上且容置於所述支架201內，所述芯片203所在的平面垂直於所述鏡頭202的光軸a，所述第一線路171產生形變以產生用於在與所述光軸a垂直的多個方向上移動所述芯片203。第一線路171與芯片203電性連接，能夠實現芯片203的信號傳輸；同時，藉由 電路板100的鏤空區A對應的第一線路171的變形，實現對芯片203的動態牽引，進而對芯片203的平移以及旋轉微調，從而實現光學防抖作用。電路板100的厚度以及尺寸可以根據實際需求任一設置，且鏤空區A只要能放入芯片203便可，無需精確的尺寸限制，鏤空區A與芯片203的匹配度高。另外，可以根據芯片203在垂直光軸a的平面內進行調整的幅度選擇第一線路171的材質，並藉由上述電路板100的製作方法控制第一線路171的線寬和線距。電路板100的線路製作相容小空間高密度佈線，同時可以相容減成法和加成法工藝。

相較於習知技術，本申請提供的電路板100的製作方法在電路板100設置鏤空區A和非鏤空區B，藉由鏤空區A一方面可以實現放置於其上的芯片203與不同非鏤空區B的連接以及信號傳輸，另外，可以藉由鏤空區A對應的第一線路171的變形，實現對芯片203的動態牽引，進而對芯片203的平移以及旋轉微調，從而實現光學防抖作用。電路板100的製作方法簡單，相容小空間高密度佈線，同時可以相容減成法和加成法工藝，易於量產，成本低廉。而且，鏤空區A與芯片203之間的匹配度不高，便於鏡頭模組200的組裝。另外，可以根據芯片203在垂直光軸a的平面內進行調整的幅度選擇第一線路171的材質，並藉由上述電路板100的製作方法控制第一線路171的線寬和線距。

100:電路板

11:基層

111:第一表面

112:第二表面

113:基層開口

15:通孔

16:鍍層

17:第一線路層

171:第一線路

172:第一線路開口

18:第三線路層

181:第三線路開口

20:第二線路層

21:第二線路開口

22:第二線路

23:鏤空腔

30:第一絕緣層

50:第二絕緣層

A:鏤空區

B:非鏤空區

Claims (13)

1. 一種電路板的製作方法，其中，包括步驟：提供一電路基板，所述電路基板包括基層、設於所述基層一表面的金屬層、設於所述金屬層表面的第一線路層，所述第一線路層包括第一線路開口和第一線路，所述金屬層由所述第一線路開口露出，所述基層包括鏤空區以及與所述鏤空區連接的非鏤空區；移除由所述第一線路開口露出的所述金屬層，以形成第二線路層，所述第二線路層包括與所述第一線路開口連通的第二線路開口和第二線路；移除所述鏤空區對應的所述第二線路以形成鏤空腔，所述鏤空腔與所述第一線路開口連通；以及移除所述鏤空區對應的所述基層以形成基層開口，所述鏤空腔與所述基層開口連通，所述第一線路層靠近所述基層的表面由所述基層開口露出，從而獲得所述電路板，其中，對應所述鏤空區的所述第一線路可產生形變。
2. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述鏤空腔的製作方法包括：於對應所述非鏤空區的所述第一線路層和所述基層背離所述第一線路層的表面形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包覆所述非鏤空區對應的所述第一線路層、所述基層和所述第二線路層，得到一中間體線路板；以及將所述中間體線路板浸泡於蝕刻液中，所述蝕刻液用於蝕刻掉對應所述鏤空區的所述第二線路以形成所述鏤空腔，其中，所述第一線路和所述第二線路於所述蝕刻液中的蝕刻速率比為1：1-1：10。
3. 如請求項2所述的電路板的製作方法，其中，所述金屬層的材質包括鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種。
4. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述金屬層的厚度為1-50μm。
5. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，移除所述鏤空區對應的所述基層之後，所述製作方法還包括：於所述鏤空區對應的所述第一線路的表面形成第二絕緣層。
6. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，沿所述電路基板延伸的方向，所述基層開口的尺寸小於所述鏤空腔的尺寸。
7. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述第一線路層包括多條第一線路，對應所述鏤空區的多條所述第一線路互不相連。
8. 一種電路板，其中，包括基層、設於所述基層一側的第一線路層、設於所述第一線路層與所述基層之間的第二線路層，所述第一線路層包括第一線路開口和第一線路，所述第二線路層包括第二線路開口和第二線路，所述第一線路開口和所述第二線路開口連通，所述基層包括鏤空區以及與所述鏤空區連接的非鏤空區，對應所述鏤空區貫穿所述第二線路層設置有鏤空腔，且所述鏤空腔與所述第一線路開口連通；對應所述鏤空區貫穿所述基層設置有基層開口，所述基層開口與所述鏤空腔連通，所述第一線路層靠近所述基層的表面由所述基層開口露出，對應所述鏤空區的所述第一線路可產生形變。
9. 如請求項8所述的電路板，其中，所述第二線路層的材質包括鎳、銀、鈦和鎳鉻合金中的至少一種，所述第二線路層的厚度為1-50μm。
10. 如請求項8所述的電路板，其中，所述非鏤空區對應的所述第一線路層和所述基層背離所述第一線路層的表面設有第一絕緣層，所述鏤空區對應的所述第一線路的表面設有第二絕緣層。
11. 如請求項8所述的電路板，其中，沿所述電路板延伸的方向，所述基層開口的尺寸小於所述鏤空腔的尺寸。
12. 如請求項8所述的電路板，其中，所述第一線路層包括多條第一線路，對應所述鏤空區的多條所述第一線路互不相連。
13. 一種鏡頭模組，其中，包括：電路板，所述電路板為如請求項8-12任一項所述的電路板；支架，設於所述電路板上；鏡頭，設於所述支架上；以及芯片，設於所述電路板對應所述鏤空區的所述第一線路上且容置於所述支架內，所述芯片所在的平面垂直於所述鏡頭的光軸，所述第一線路產生形變以產生用於在與所述光軸垂直的多個方向上移動所述芯片。

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