TWI777384B - 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 - Google Patents

半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式 Download PDF

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Abstract

本發明能夠改善形成於基板上之膜之膜質。
本發明之半導體裝置之製造方法係進行以下步驟：(a)向處理容器內供給含氟氣體之步驟；(b)於維持著氟附著於處理容器內之狀態下，自處理容器內排出含氟氣體之步驟；及(c)對收容於附著有氟之狀態之處理容器內之基板供給成膜氣體，於基板上形成膜之步驟。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處 理裝置及程式
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式。
作為半導體裝置之製造步驟中之一步驟，有時進行於基板上形成氮化矽膜等膜之處理(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-231794號公報
本發明之目的在於提供一種能夠改善形成於基板上之膜之膜質的技術。
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其進行以下步驟：(a)向處理容器內供給含氟氣體之步驟；(b)於維持著氟附著於上述處理容器內之狀態下，自上述處理容器內排出上述含氟氣體之步驟；及 (c)對收容於附著有氟之狀態之上述處理容器內之基板供給成膜氣體，於基板上形成膜之步驟
根據本發明，可提供一種能夠改善形成於基板上之膜之膜質的技術。
＜本發明之一態樣＞ 以下，主要參照圖1～圖4對本發明之一態樣進行說明。
(1)基板處理裝置之構成 如圖1所示，處理爐202具有作為加熱機構(溫度調整部)之加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，藉由被保持板支持而垂直安裝。加熱器207亦作為利用熱使氣體活化(激發)之活化機構(激發部)而發揮功能。
於加熱器207之內側，與加熱器207呈同心圓狀地配設有反應管203。反應管203例如包含石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)等耐熱性材料，形成為上端封閉下端開口之圓筒形狀。於反應管203之下方，與反應管203呈同心圓狀地配設有歧管209。歧管209例如包含不鏽鋼(SUS)等金屬材料，形成為上端及下端開口之圓筒形狀。歧管209之上端部與反應管203之下端部接合，以支持反應管203之方式構成。於歧管209與反應管203之間設置有作為密封構件之O形環220a。反應管203與加熱器207同樣地被垂直安裝。主要由反應管203與歧管209構成處理容器(反應容器)。於處理容器之筒中空部形成處理室201。處理室201構成為能夠收容作為基板之晶圓200。於該處理室201內，即處理容器中對晶圓200進行處理。
於處理室201內，以貫通歧管209側壁之方式分別設置有作為第1～第3供給部之噴嘴249a～249c。亦將噴嘴249a～249c分別稱為第1～第3噴嘴。噴嘴249a～249c例如包含石英或SiC等耐熱性材料。於噴嘴249a～249c分別連接有氣體供給管232a～232c。噴嘴249a～249c為各不相同之噴嘴，噴嘴249a、249c各自與噴嘴249b相鄰而設置。
於氣體供給管232a～232c，自氣體流之上游側起依序分別設置有作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)241a～241c及作為開關閥之閥243a～243c。於氣體供給管232a～232c之較閥243a～243c更靠下游側，分別連接有氣體供給管232d～232f。於氣體供給管232d～232f中，自氣體流之上游側依序分別設置有MFC241d～241f及閥243d～243f。氣體供給管232a～232f例如包含SUS等金屬材料。
如圖2所示，噴嘴249a～249c於反應管203內壁與晶圓200之間的俯視下為圓環狀之空間內，沿著自反應管203內壁之下部至上部，分別以朝向晶圓200之排列方向上方豎立之方式設置。即，噴嘴249a～249c於供晶圓200排列之晶圓排列區域之側方的水平地包圍晶圓排列區域的區域內，以沿著晶圓排列區域之方式分別設置。俯視下，噴嘴249b以包夾被搬入至處理室201內之晶圓200之中心，於一直線上與下述排氣口231a對向之方式配置。噴嘴249a、249c以沿著反應管203之內壁(晶圓200之外周部)自兩側夾著通過噴嘴249b及排氣口231a中心之直線L的方式配置。直線L亦為通過噴嘴249b及晶圓200中心之直線。即，亦可以說噴嘴249c與噴嘴249a包夾直線L而設置於相反側。噴嘴249a、249c以直線L為對稱軸呈線對稱配置。於噴嘴249a～249c之側面分別設置有供給氣體之氣體供給孔250a～250c。氣體供給孔250a～250c以俯視下分別與排氣口231a對向(面對面)之方式開口，能朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔250a～250c自反應管203之下部至上部設置有數個。
自氣體供給管232a經由MFC241a、閥243a、噴嘴249a，向處理室201內供給如下氣體作為成膜氣體之一即原料氣體，上述氣體例如為包含作為構成晶圓200上形成之膜之主元素的矽(Si)及鹵素元素之氣體，即鹵矽烷系氣體。鹵矽烷系氣體為含Si氣體，作為Si源氣體發揮作用。鹵素元素中包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。作為鹵矽烷系氣體，例如可使用含Si及Cl之氣體，即氯矽烷系氣體。
自氣體供給管232b經由MFC241b、閥243b、噴嘴249b，向處理室201內供給例如含有氮(N)及氫(H)之氮化氫系氣體作為成膜氣體之一即反應氣體。氮化氫系氣體為含N氣體，作為N源氣體(氮化氣體、氮化劑)發揮作用。亦將氮化氫系氣體稱為含N及H之氣體。
自氣體供給管232c經由MFC241c、閥243c、噴嘴249c向處理室201內供給氟系氣體，即含氟(F)氣體。含F氣體作為F源氣體、清潔氣體、表面處理氣體等發揮作用。
自氣體供給管232d～232f分別經由MFC241d～241f、閥243d～243f、氣體供給管232a～232c、噴嘴249a～249c向處理室201內供給惰性氣體。惰性氣體作為沖洗氣體、載氣、稀釋氣體等而發揮作用。
主要由氣體供給管232a、232b、MFC241a、241b、閥243a、243b構成成膜氣體供給系統(原料氣體供給系統、反應氣體供給系統)。主要由氣體供給管232c、MFC241c、閥243c構成含F氣體供給系統。主要由氣體供給管232d～232f、MFC241d～241f、閥243d～243f構成惰性氣體供給系統。
上述各種供給系統中之任一系統或所有供給系統亦可構成為由閥243a～243f或MFC241a～241f等集聚而成之集聚型供給系統248。集聚型供給系統248與氣體供給管232a～232f分別連接，構成為藉由下述控制器121控制向氣體供給管232a～232f內供給各種氣體之供給動作，即閥243a～243f之開閉動作或MFC241a～241f之流量調整動作等。集聚型供給系統248構成為一體型或分割型集聚單元，且構成為能以集聚單元為單位對氣體供給管232a～232f等進行裝卸，能以集聚單元為單位進行集聚型供給系統248之維護、更換、增設等。
於反應管203之側壁下方設置有將處理室201內之氣體排出之排氣口231a。如圖2所示，排氣口231a設置於俯視下包夾晶圓200而與噴嘴249a～249c(氣體供給孔250a～250c)對向(面對面)之位置。排氣口231a亦可沿著自反應管203側壁之下部至上部，即沿著晶圓排列區域設置。於排氣口231a連接有排氣管231。於排氣管231經由作為檢測處理室201內之壓力之壓力檢測器(壓力檢測部)之壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)之自動壓力控制(APC，Auto Pressure Controller)閥244連接有作為真空排氣裝置之真空泵246。APC閥244構成為可藉由在使真空泵246作動之狀態下將閥開閉，而進行處理室201內之真空排氣及停止真空排氣，進而可藉由在使真空泵246作動之狀態下，基於壓力感測器245檢測出之壓力資訊調節閥開度，來調整處理室201內之壓力。主要由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245構成排氣系統。亦可認為真空泵246包含在排氣系統內。
於歧管209之下方，設置有作為爐口蓋體的密封蓋219，該爐口蓋體可將歧管209之下端開口氣密性地封閉。密封蓋219例如包含SUS等金屬材料，且形成為圓盤狀。於密封蓋219之上表面設置有O形環220b作為與歧管209下端抵接之密封構件。於密封蓋219之下方設置有使下述晶舟217旋轉之旋轉機構267。旋轉機構267之旋轉軸255貫通密封蓋219連接於晶舟217。旋轉機構267構成為藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219構成為藉由設置於反應管203外部之作為升降機構之晶舟升降機115沿垂直方向升降。晶舟升降機115構成為藉由使密封蓋219升降而將晶圓200向處理室201內外搬入及搬出(搬送)之搬送裝置(搬送機構)。
於歧管209之下方設置有作為爐口蓋體之擋板219s，該爐口蓋體可在使密封蓋219下降而將晶舟217自處理室201內搬出之狀態下將歧管209之下端開口氣密地封閉。擋板219s例如包含SUS等金屬材料，形成為圓盤狀。於擋板219s之上表面設置有O形環220c作為與歧管209下端抵接之密封構件。擋板219s之開閉動作(升降動作或旋動動作等)由擋板開閉機構115s來控制。
作為基板支持件之晶舟217構成為使數片、例如25～200片晶圓200以水平姿勢且在中心相互對齊之狀態下沿垂直方向排列並分段地予以支持，即，使其等隔開間隔排列。晶舟217例如包含石英或SiC等耐熱性材料。於晶舟217之下部分段地支持例如包含石英或SiC等耐熱性材料之隔熱板218。
於反應管203內設置有作為溫度檢測器之溫度感測器263。基於溫度感測器263所檢測出之溫度資訊，調整對加熱器207之通電情況，藉此使處理室201內之溫度成為所需之溫度分佈。溫度感測器263沿著反應管203之內壁設置。
如圖3所示，作為控制部(控制手段)之控制器121構成為具備中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)121a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、輸入/輸出(I/O，Input/Output)埠121d之電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d構成為能經由內部匯流排121e而與CPU121a進行資料交換。於控制器121連接有例如構成為觸控面板等之輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c例如包含快閃記憶體、硬式磁碟機(HDD，Hard Disk Drive)或固態硬碟(SSD，Solid State Drive)等。於記憶裝置121c內可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作之控制程式、記載下述基板處理之程序及條件等之製程配方等。製程配方係以能夠使控制器121執行下述基板處理中之各程序，進而獲得既定結果之方式組合而成者，作為程式發揮功能。以下，亦將製程配方或控制程式等統括地簡稱為程式。又，亦將製程配方簡稱為配方。本說明書中使用程式此術語時，可能僅單獨包含配方，可能僅單獨包含控制程式，或者可能包含其等兩者。RAM121b構成為記憶區域(工作區)，其暫時保存由CPU121a讀出之程式或資料等。
I/O埠121d連接於上述MFC241a～241f、閥243a～243f、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、溫度感測器263、加熱器207、旋轉機構267、晶舟升降機115、擋板開閉機構115s等。
CPU121a構成為自記憶裝置121c讀出控制程式並執行，並且根據來自輸入輸出裝置122之操作指令的輸入等自記憶裝置121c讀出配方。CPU121a構成為按照所讀出之配方之內容，控制利用MFC241a～241f進行之各種氣體之流量調整動作、閥243a～243f之開閉動作、APC閥244之開閉動作及基於壓力感測器245之APC閥244之壓力調整動作、真空泵246之啟動及停止、基於溫度感測器263之加熱器207之溫度調整動作、利用旋轉機構267進行之晶舟217之旋轉及旋轉速度調節動作、利用晶舟升降機115進行之晶舟217之升降動作、利用擋板開閉機構115s進行之擋板219s之開閉動作等。
控制器121可藉由將儲存於外部記憶裝置123之上述程式安裝於電腦而構成。外部記憶裝置123例如包含HDD等磁碟、雷射唱片(CD，Compact Disc)等光碟、磁光碟機(MO，Megneto Optical)等磁光碟、通用序列匯流排(USB，Universal Serial Bus)記憶體、SSD等半導體記憶體等。記憶裝置121c或外部記憶裝置123構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將其等統括地簡稱為記錄媒體。本說明書中使用記錄媒體此術語時，可能僅單獨包括記憶裝置121c，可能僅單獨包括外部記憶裝置123，或者可能包括其等兩者。再者，對電腦之程式提供亦可不使用外部記憶裝置123而使用網際網路或專用線路等通訊手段來進行。
(2)基板處理步驟 主要利用圖4，針對半導體裝置之製造步驟中之一步驟，即，使用上述基板處理裝置於作為基板之晶圓200上形成膜之處理序列例進行說明。於以下說明中，構成基板處理裝置之各部之動作由控制器121來控制。
於圖4所示之處理序列中，進行以下步驟： (a)向處理容器內供給含F氣體之步驟(步驟A)； (b)維持著F附著於處理容器內之狀態，自處理容器內排放(排出)含F氣體之步驟(步驟B)；及 (c)對收容於附著有F之狀態之處理容器內之晶圓200供給成膜氣體(原料氣體、反應氣體)，於晶圓200上形成膜之步驟(步驟C)。
再者，圖4示出步驟C中進行既定次數(n次，n為1以上之整數)循環之例，該循環係不同時地進行對晶圓200供給原料氣體之步驟C-1、及對晶圓200供給反應氣體之步驟C-2。
又，圖4示出步驟B中向處理容器內供給惰性氣體作為沖洗氣體，利用惰性氣體對處理容器內進行沖洗(以下，亦稱為PRG)，藉此自處理容器內排出含F氣體等之例。
再者，於圖4中之步驟B中，亦可不向處理容器內供給沖洗氣體，藉由對處理容器內進行排氣(真空排氣、減壓排氣)而自處理容器內排出含F氣體等。
為方便起見，於本說明書中有時亦以如下方式表示上述處理序列。於以下其他態樣或變形例等之說明中，亦使用相同之表述。
含F氣體→PRG→(原料氣體→反應氣體)×n
本說明書中使用「晶圓」此術語時，可能指晶圓本身，或者指晶圓與形成於其表面之既定之層或膜之積層體。本說明書中使用「晶圓之表面」此術語時，可能指晶圓本身之表面，或者指形成於晶圓上之既定之層等之表面。本說明書中記為「晶圓上形成既定之層」時，可能指晶圓本身之表面上直接形成既定之層，或者指在形成於晶圓上之層等之上形成既定之層。本說明書中使用「基板」此術語時亦與使用「晶圓」此術語之情形同義。
[步驟A] (壓力調整及溫度調整) 以未收容晶圓200之處理容器內，即使處理室201內成為所需之壓力(真空度)之方式，利用真空泵246進行真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201內之壓力藉由壓力感測器245測定，基於該測得之壓力資訊對APC閥244進行反饋控制(壓力調整)。又，以使處理室201內成為所需之處理溫度之方式利用加熱器207進行加熱。此時，以使處理室201內成為所需之溫度分佈之方式，基於溫度感測器263檢測出之溫度資訊對加熱器207中之通電情況進行反饋控制(溫度調整)。處理室201內之排氣及加熱均至少持續進行至步驟A及步驟B結束為止。又，處理室201內未收容晶圓200之狀態，即處理室201內不存在晶圓200之狀態至少持續至步驟A及步驟B結束為止。再者，晶舟217，即未裝填晶圓200之空的晶舟217可收容於處理室201內，亦可不收容於處理室201內。於將空的晶舟217收容於處理室201內之情形時，該狀態至少持續至步驟A及步驟B結束為止。
(含F氣體供給) 壓力調整及溫度調整結束後，向未收容晶圓200之處理容器內，即處理室201內供給含F氣體。
具體而言，打開閥243c，使含F氣體流向氣體供給管232c內。含F氣體藉由MFC241c進行流量調整，經由噴嘴249c被供給至處理室201內，並自排氣口231a排出。此時，對處理室201內供給含F氣體。此時，打開閥243d～243f，經由噴嘴249a～249c之各者向處理室201內供給惰性氣體。亦可不實施惰性氣體之供給。
作為本步驟中之處理條件，可例示： 處理溫度：100～500℃，較佳為250～350℃ 處理壓力：1333～40000 Pa，較佳為1333～16665 Pa 含F氣體供給流量：0.5～10 slm 惰性氣體供給流量：0～20 slm 氣體供給時間：1～60分鐘，較佳為10～20分鐘。
再者，本說明書中「100～500℃」之類的數值範圍之表述係指下限值及上限值包含在該範圍內。由此，例如「100～500℃」係指「100℃以上且500℃以下」。其他數值範圍亦同樣如此。
藉由在上述處理條件下向處理室201內供給含F氣體，含F氣體會接觸處理室201內之構件，例如反應管203之內壁、歧管209之內壁、噴嘴249a～249c之表面等。藉此，利用含F氣體對處理室201內之構件之表面進行處理(表面處理、加工)。
該表面處理包括：利用熱化學反應(蝕刻反應)對處理室201內之構件進行清潔，即去除處理室201內之構件之表面上的附著物；藉由金屬構件之表面之氟化而產生作為保護層之含F層(金屬氟化層)；或者使石英構件之表面平滑化(平坦化)等。又，該表面處理包括如下處理：使含F氣體中所含之F物理吸附或化學吸附於處理處理室201內之構件之表面，即，使F附著於處理室201內之構件之表面。
作為含F氣體，例如可使用：氟(F2 )氣、三氟化氯(ClF3 )氣體、氟化氯(ClF)氣體、三氟化氮(NF3 )氣體、亞硝氟(FNO)氣體、氟化氫(HF)氣體、六氟化鎢(WF6 )氣體、F2 氣體＋氧化氮(NO)氣體、ClF3 氣體＋NO氣體、ClF氣體＋NO氣體、NF3 氣體＋NO氣體、或者其等之混合氣體，例如F2 氣體＋FNO氣體、F2 氣體＋HF氣體等。
作為惰性氣體，例如可使用氮(N2 )氣、或氬(Ar)氣、氦(He)氣、氖(Ne)氣、氙(Xe)氣等稀有氣體。此點於下述各步驟中亦同樣如此。
[步驟B] (殘留氣體去除) 步驟A結束後，關閉閥243c，停止向處理室201內供給含F氣體。然後，對處理室201內進行真空排氣，將殘留於處理室201內之含F氣體或反應副產物等自處理室201內排除。此時，打開閥243d～243f，經由噴嘴249a～249c向處理室201內供給惰性氣體。自噴嘴249a～249c供給之惰性氣體作為沖洗氣體發揮作用，藉此對處理室201內進行沖洗(purge)。再者，如上所述，亦可不向處理室201內供給沖洗氣體，藉由對處理室201內進行排氣(真空排氣、減壓排氣)而自處理室201內排出含F氣體等。
作為本步驟中之處理條件，可例示： 處理溫度：100～500℃，較佳為250～350℃ 處理壓力：1～1000 Pa，較佳為100～500 Pa 惰性氣體供給流量：0～10 slm 氣體供給時間/真空排氣時間：1～300秒，較佳為1～200秒。
藉由在上述處理條件下進行處理室201內之沖洗及真空排氣中之至少任一者，能夠於維持著F附著於處理容器內，即處理室201內之構件之表面之狀態，將殘留於處理室201內之含F氣體或反應副產物等自處理室201內排除。即，能夠於維持著F物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態，將殘留於處理室201內之含F氣體或反應副產物等自處理室201內排除。
此時，藉由調整沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者，能夠對維持附著於處理容器內，即處理室201內之構件之表面之狀態的F之量進行調整。即，能夠對維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量進行調整。
再者，於進行沖洗之情形時，例如越降低處理溫度，又，越縮短氣體供給時間，又，越減少惰性氣體供給流量，則越能增加維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量。
又，於進行沖洗之情形時，例如越升高處理溫度，又，越延長氣體供給時間，又，越增大惰性氣體供給流量，則越能減少維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量。
又，於進行真空排氣之情形時，例如越降低處理溫度，又，越縮短真空排氣時間、越增大處理壓力，則越能增加維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量。
又，於進行真空排氣之情形時，例如越升高處理溫度，又，越延長真空排氣時間，越減少處理壓力，則越能減少維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量。
於本步驟中，維持物理吸附或化學吸附於處理容器內，即處理室201內之構件之表面之狀態的F成為用於使F混入(摻雜)至步驟C中形成之膜中之F源氣體。
[步驟C] (晶圓裝填及晶舟裝載) 步驟B結束後，將數片晶圓200裝填於晶舟217中(晶圓裝填)。晶圓裝填後，利用擋板開閉機構115s使擋板219s移動，而使歧管209之下端開口開啟(擋板開放)。其後，如圖1所示，利用支持數片晶圓200之晶舟217藉由晶舟升降機115被提昇，並被搬入至附著有F之狀態之處理容器內，即處理室201內(晶舟裝載)。於此狀態下，密封蓋219成為經由O形環220b而將歧管209之下端密封之狀態。再者，於步驟A及步驟B中未將空的晶舟217收容於處理室201內之情形時，可與步驟A或步驟B並行地進行晶圓裝填。
(壓力調整及溫度調整) 其後，以使處理室201內，即晶圓200所在之空間成為所需壓力(真空度)之方式利用真空泵246進行真空排氣(減壓排氣)。此時，處理室201內之壓力藉由壓力感測器245測定，基於該測得之壓力資訊對APC閥244進行反饋控制(壓力調整)。又，以使處理室201內之晶圓200成為所需處理溫度之方式利用加熱器207進行加熱。此時，以處理室201內成為所需之溫度分佈之方式，基於溫度感測器263檢測出之溫度資訊對加熱器207中之通電情況進行反饋控制(溫度調整)。又，開始利用旋轉機構267使晶圓200旋轉。處理室201內之排氣、晶圓200之加熱及旋轉均至少持續進行至對晶圓200之處理結束為止。
壓力調整及溫度調整結束後，依序執行步驟C-1、C-2。
[步驟C-1] 於該步驟中，對附著有F之狀態之處理容器內，即處理室201內之晶圓200供給原料氣體。
具體而言，打開閥243a，使原料氣體流向氣體供給管232a內。原料氣體藉由MFC241a進行流量調整，經由噴嘴249a被供給至處理室201內，並自排氣口231a排出。此時，對晶圓200供給原料氣體(原料氣體供給)。此時，亦可打開閥243d～243f，經由噴嘴249a～249c之各者向處理室201內供給惰性氣體。
作為本步驟中之處理條件，可例示： 處理溫度：250～800℃，較佳為400～700℃ 處理壓力：1～2666 Pa，較佳為67～1333 Pa 原料氣體供給流量：0.01～2 slm，較佳為0.1～1 slm 惰性氣體供給流量(每氣體供給管)：0～10 slm 氣體供給時間：1～120秒，較佳為1～60秒。
藉由在上述處理條件下對晶圓200供給例如氯矽烷系氣體作為原料氣體，而於晶圓200上形成包含F及Cl之含Si層。包含F及Cl之含Si層藉由以下方式形成：原料於晶圓200之表面之物理吸附或化學吸附、一部分原料分解而得之物質(Six Cly )之化學吸附、原料熱分解產生之Si之堆積、自處理室201內之構件之表面脫附的F之物理吸附或化學吸附等。包含F及Cl之含Si層可為包含原料或Six Cly 或F之吸附層(物理吸附層或化學吸附層)，亦可為包含Cl或F之Si之堆積層。本說明書中，亦將包含F及Cl之含Si層簡稱為含Si層。再者，對晶圓200供給原料氣體時，F藉由自處理室201內之構件之表面脫附而被引入(摻雜)至含Si層中。
於晶圓200之表面上形成含Si層之後，關閉閥243a，停止向處理室201內供給原料氣體。然後，對處理室201內進行真空排氣，將殘留於處理室201內之氣體等自處理室201內排除。此時，打開閥243d～243f，經由噴嘴249a～249c向處理室201內供給惰性氣體。自噴嘴249a～249c供給之惰性氣體作為沖洗氣體發揮作用，藉此對處理室201內進行沖洗(purge)。
作為原料氣體(成膜氣體)，可使用單氯矽烷(SiH3 Cl，簡稱：MCS)氣體、二氯矽烷(SiH2 Cl2 ，簡稱：DCS)氣體、三氯矽烷(SiHCl3 ，簡稱：TCS)氣體、四氯矽烷氣體即四氯化矽(SiCl4 ，簡稱：STC)氣體、六氯乙矽烷(Si2 Cl6 ，簡稱：HCDS)氣體、八氯丙矽烷(Si3 Cl8 ，簡稱：OCTS)氣體等氯矽烷系氣體；四溴化矽(SiBr4 )氣體等溴矽烷系氣體；或四碘化矽(SiI4 )氣體等碘矽烷系氣體。
[步驟C-2] 於該步驟中，對附著有F之狀態之處理容器內，即處理室201內之晶圓200供給反應氣體。準確而言，對形成於晶圓200之表面上之含Si層供給反應氣體。
具體而言，打開閥243b，使反應氣體流向氣體供給管232b內。反應氣體藉由MFC241b進行流量調整，經由噴嘴249b被供給至處理室201內，並自排氣口231a排出。此時，對晶圓200供給反應氣體(反應氣體供給)。此時，亦可打開閥243d～243f，經由噴嘴249a～249c之各者向處理室201內供給惰性氣體。
作為本步驟中之處理條件，可例示： 處理溫度：250～800℃，較佳為400～700℃ 處理壓力：1～4000 Pa，較佳為1～1333 Pa 反應氣體供給流量：0.01～20 slm 惰性氣體供給流量(每氣體供給管)：0～10 slm 氣體供給時間：1～120秒，較佳為1～60秒。
藉由在上述處理條件下對晶圓200供給例如氮化氫系氣體作為反應氣體，而使形成於晶圓200之表面上之含Si層之至少一部分氮化(改質)。藉由使含Si層氮化，而於晶圓200之表面上形成包含F、Si及N之層，即包含F之氮化矽層(SiN層)。本說明書中，亦將包含F之SiN層簡稱為SiN層。形成SiN層時，含Si層中所含之Cl等雜質於利用反應氣體進行之含Si層之氮化反應之過程中，構成至少包含Cl之氣態物質，自處理室201內被排出。藉此，SiN層成為Cl等雜質少於步驟C-1中形成之含Si層之層。再者，SiN層中所含之F可能除了包括步驟C-1中被引入至所形成之含Si層中之F以外，還包括在步驟C-2中藉由自處理室201內之構件之表面脫附而被引入至SiN層中之F。
於晶圓200之表面上形成SiN層之後，關閉閥243b，停止向處理室201內供給反應氣體。然後，藉由與步驟C-1中之沖洗相同之處理程序，將殘留於處理室201內之氣體等自處理室201內排除(沖洗)。
作為反應氣體(成膜氣體)，例如可使用氨(NH3 )氣、二氮烯(N2 H2 )氣體、肼(N2 H4 )氣體、N3 H8 氣體等氮化氫系氣體。
[實施既定次數] 藉由將不同時即不同步地進行上述步驟C-1、C-2之循環執行既定次數(n次，n為1以上之整數)，能夠於晶圓200之表面上形成包含F之氮化矽膜(SiN膜)。本說明書中，亦將包含F之SiN膜簡稱為SiN膜。上述循環反覆執行數次為佳。即，較佳為反覆執行數次上述循環，直至使每一循環形成之SiN層之厚度較所需之膜厚薄，且藉由將SiN層積層而形成之膜之膜厚成為所需之膜厚為止。
再者，步驟C中之上述處理條件係附著於處理容器內之F，即物理吸附或化學吸附於處理容器內之F發生脫附之條件。即，藉由在上述處理條件下進行步驟C，能夠在使附著於處理容器內之F發生脫附之同時進行步驟C-1、C-2。然後，藉由在使附著於處理容器內之F發生脫附之同時進行步驟C-1、C-2，能夠將自處理容器內脫附之F引入至步驟C-1中所形成之含Si層中，又，能夠將自處理容器內脫附之F引入至步驟C-2中所形成之SiN層中。結果，能夠將F引入至步驟C中形成之SiN膜中。即，藉由在物理吸附或化學吸附於處理容器內之F發生脫附之處理條件下進行步驟C，能夠將F摻雜至形成於晶圓200表面上之SiN膜中。
而且，形成於晶圓200表面上之SiN膜中之F濃度可藉由調整步驟B中之沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者來控制。
即，藉由調整步驟B中之沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者，能夠對維持附著於處理容器內之狀態之F的量，即維持物理吸附或化學吸附於處理容器內之狀態之F的量進行調整，藉此，能夠對步驟C中形成於晶圓200表面上之SiN膜中之F濃度進行控制。
再者，於步驟B中進行沖洗之情形時，例如越降低處理溫度，又，越縮短氣體供給時間，又，越減少惰性氣體供給流量，則越能增加維持物理吸附或化學吸附於處理容器內之狀態之F之量，越能增加引入至步驟C中形成之SiN膜之F之量，越能控制該SiN膜中之F濃度使其趨於升高。
又，於步驟B中進行沖洗之情形時，例如越升高處理溫度，又，越延長氣體供給時間，又，越增大惰性氣體供給流量，則越能減少維持物理吸附或化學吸附於處理容器內之狀態之F之量，越能減少引入至步驟C中形成之SiN膜之F之量，越能控制該SiN膜中之F濃度使其趨於降低。
又，於步驟B中進行真空排氣之情形時，例如越降低處理溫度，又，越縮短真空排氣時間，又，越增大處理壓力，則越能增加維持物理吸附或化學吸附於處理容器內之狀態之F之量，越能增加引入至步驟C中形成之SiN膜之F之量，越能控制該SiN膜中之F濃度使其趨於升高。
又，於步驟B中進行真空排氣之情形時，例如越升高處理溫度，又，越延長真空排氣時間，又，越減少處理壓力，則越能減少維持物理吸附或化學吸附於處理容器內之狀態之F之量，越能減少引入至步驟C中形成之SiN膜之F之量，越能控制該SiN膜中之F濃度使其趨於降低。
如上所述，藉由調整步驟B中之沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者，能夠控制步驟C中形成於晶圓200表面上之SiN膜中之F濃度使其成為例如3.0×1018 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下之既定濃度。進而，能夠控制該SiN膜中之F濃度使其成為例如1.0×1020 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下之既定濃度。進而，能夠控制該SiN膜中之F濃度使其成為例如2.0×1020 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下之既定濃度。進而，能夠控制該SiN膜中之F濃度使其成為例如2.0×1020 atoms/cm3 以上且5.0×1021 atoms/cm3 以下之既定濃度。
(後沖洗及大氣壓恢復) 完成於晶圓200表面上形成包含F之SiN膜之後，自噴嘴249a～249c之各者向處理室201內供給惰性氣體作為沖洗氣體，並自排氣口231a進行排氣。藉此，對處理室201內進行沖洗，將殘留於處理室201內之氣體與反應副產物自處理室201內去除(後沖洗)。其後，將處理室201內之氣體氛圍替換成惰性氣體(惰性氣體替換)，使處理室201內之壓力恢復至常壓(大氣壓恢復)。
(晶舟卸載及晶圓卸出) 其後，利用晶舟升降機115使密封蓋219下降，使歧管209之下端開口。然後，將經處理之晶圓200以被晶舟217支持之狀態自歧管209之下端搬出至反應管203之外部(晶舟卸載)。於晶舟卸載後，移動擋板219s，以中介O形環220c之方式用擋板219s將歧管209之下端開口密封(擋板封閉)。經處理之晶圓200被搬出至反應管203之外部後，自晶舟217中被取出(晶圓卸出)。
而且，藉由將依序進行上述步驟A、步驟B、步驟C之循環執行既定次數(m次，m為1以上之整數)，能夠將於數片晶圓200表面上形成摻雜有F之SiN膜之批次處理進行既定次數。該循環反覆執行數次(將m設為2以上之整數)為佳。即，較佳為如以下所示之處理序列，每進行1次步驟C，均事先依序進行步驟A及步驟B，以此為1個循環，反覆執行數次該循環。
[含F氣體→PRG→(原料氣體→反應氣體)×n]×m
藉此，能夠使SiN膜中之F濃度於批次處理間均勻化。即，能夠提高SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
假設於進行步驟A及步驟B之後，連續進行3次步驟C，則第3次步驟C中形成之SiN膜中之F濃度較第1次步驟C中形成之SiN膜中之F濃度低，難以使SiN膜中之F濃度於批次處理間均勻化。對此，藉由反覆執行數次依序進行步驟A、步驟B、步驟C之循環，能夠使SiN膜中之F濃度於批次處理間均勻化，能夠提高SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
於反覆執行數次依序進行上述步驟A、步驟B、步驟C之循環之情形時，較佳為使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間於每個循環中固定。藉此，能夠使SiN膜中之F濃度於批次處理間更均勻化。即，能夠進一步提高SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
假設使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間於每個循環中不同，則步驟C開始之前這一期間F自處理容器內脫附之量，即維持附著於處理容器內之狀態之F之量可能會在批次處理間發生變動。於此情形時，步驟C中形成之SiN膜中之F濃度於批次處理間會發生變動。對此，藉由使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間於每個循環中固定，能夠抑制步驟C開始之前這一期間F自處理容器內脫附之量，即維持附著於處理容器內之狀態之F之量在批次處理間的變動，能夠使SiN膜中之F濃度於批次處理間均勻化，能夠提高SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
又，於反覆執行數次依序進行上述步驟A、步驟B、步驟C之情形時，較佳為使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間為從進行步驟C之後至開始步驟A之時間以下。藉此，能夠抑制SiN膜中之F濃度下降。
假設使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間較從進行步驟C之後至開始步驟A之時間長，則可能導致F於步驟C開始之前這一期間自處理容器內脫附，維持附著於處理容器內之狀態之F之量下降。於此情形時，步驟C中形成之SiN膜中之F濃度下降。對此，藉由使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間為從進行步驟C之後至開始步驟A之時間以下，能夠減少步驟C開始之前這一期間F自處理容器內脫附之量，抑制維持附著於處理容器內之狀態之F之量下降，能夠抑制SiN膜中之F濃度下降。
又，於反覆執行數次依序進行上述步驟A、步驟B、步驟C之情形時，較佳為使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間較從進行步驟C之後至開始步驟A之時間短。藉此，能夠進一步抑制SiN膜中之F濃度下降。
假設使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間較從進行步驟C之後至開始步驟A之時間長，則可能導致步驟C開始之前這一期間F自處理容器內脫附，維持附著於處理容器內之狀態之F之量下降。於此情形時，步驟C中形成之SiN膜中之F濃度下降。對此，藉由使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間較從進行步驟C之後至開始步驟A之時間短，能夠減少步驟C開始之前這一期間F自處理容器內脫附之量，抑制維持附著於處理容器內之狀態之F之量下降，能夠抑制SiN膜中之F濃度下降。
(3)本態樣之效果 根據本態樣，獲得以下所示之1個或數個效果。
(a)藉由進行步驟A～C，能夠在形成於晶圓200上之SiN膜中摻雜既定濃度之F，能夠改善形成於晶圓200上之SiN膜之膜質。例如藉由在SiN膜中摻雜既定濃度之F，能夠降低膜之介電係數。又，能夠修復膜中之缺陷，亦能藉由F終止膜中之懸鍵。缺陷或懸鍵呈現較多地產生於膜與底層之界面之趨勢，但根據本方法，尤其能夠增加膜與底層之界面中之F濃度，能有效地進行該等修復等。
再者，根據本方法，不僅能增加膜與底層之界面中之F濃度，而且亦能增加膜之最表面中之F濃度。即，能夠使膜與底層之界面(下端面)中之F濃度、及膜之最表面(上端面)中之F濃度高於膜之除此以外之部分，即膜之除下端面及上端面以外之部分中之F濃度。藉此，尤其能有效進行膜與底層之界面中之缺陷或懸鍵、或者膜之最表面中之缺陷或懸鍵之修復等。
(b)藉由進行步驟A及步驟B，於步驟C中無須進行對晶圓200直接供給含F氣體之步驟，能夠於對步驟C中形成之含Si層、SiN層及SiN膜不造成蝕刻損傷之情況下摻雜F。又，藉由進行步驟A及步驟B，能夠適當地控制SiN膜中之F濃度。
(c)藉由調整步驟B中之沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者，能夠對維持附著於處理容器內，即處理室201內之構件之表面之狀態的F之量進行調整。即，能夠對維持物理吸附或化學吸附於處理室201內之構件之表面之狀態的F之量進行調整。藉此，能夠控制步驟C中形成之SiN膜中之F濃度。即，藉由調整步驟B中之沖洗條件及真空排氣條件中之至少任一者，能夠控制步驟C中形成於晶圓200表面上之SiN膜中之F濃度。
(d)藉由反覆執行數次依序進行步驟A～C之循環，即，藉由每進行1次步驟C，均事先依序進行步驟A及步驟B，以此為1個循環，反覆執行數次該循環，能夠提高步驟C中形成之SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
(e)於反覆執行數次依序進行步驟A～C之循環之情形時，藉由使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間於每個循環中固定，能夠進一步提高步驟C中形成之SiN膜中之F濃度於批次處理間之均勻性、再現性。
(f)於反覆執行數次依序進行步驟A～C之循環之情形時，藉由使從進行步驟A之後至開始步驟C之時間較從進行步驟C之後至開始步驟A之時間少，能夠抑制步驟C中形成之SiN膜中之F濃度下降。
＜本發明之其他態樣＞ 以上，已具體描述了本發明之態樣。然而，本發明不限定於上述態樣，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
例如於步驟C中，作為原料氣體，除了可使用上述鹵矽烷系氣體以外，亦可使用三(二甲基胺基)矽烷(SiH[N(CH3 )2 ]3 ，簡稱：3DMAS)氣體等胺基矽烷系氣體、甲矽烷(SiH4 )氣體等氫化矽氣體、或四氯化鈦(TiCl4 )氣體等鹵化金屬氣體等。又，例如作為反應氣體，除了可使用含N及H之氣體以外，亦可使用氧(O2 )氣等含O氣體、三乙胺((C2 H5 )3 N，簡稱：TEA)氣體等含N及C之氣體、丙烯(C3 H6 )氣體等含C氣體、三氯化硼(BCl3 )氣體等含硼(B)氣體等。亦可將數種原料氣體(例如原料氣體1、原料氣體2、原料氣體3)或數種反應氣體(例如反應氣體1、反應氣體2、反應氣體3)組合使用。
而且，亦可藉由上述處理序列或以下所示之處理序列，於晶圓200表面上形成摻雜有F之氧化矽膜(SiO膜)、氮氧化矽膜(SiON膜)、碳氮化矽膜(SiCN膜)、氮碳氧化矽膜(SiOCN膜)、碳氧化矽膜(SiOC膜)、氮硼化矽膜(SiBN膜)、氮碳硼化矽膜(SiBCN膜)、氮化硼膜(BN膜)、碳氮化硼膜(BCN膜)等摻雜有F之半導體系薄膜，除此以外，亦可形成摻雜有F之氮化鈦膜(TiN膜)、氧化鈦膜(TiO膜)、氮氧化鈦膜(TiON膜)等摻雜有F之金屬系薄膜。
[含F氣體→PRG→(原料氣體→反應氣體1→反應氣體2)×n]×m [含F氣體→PRG→(原料氣體→反應氣體1→反應氣體2→反應氣體3)×n]×m [含F氣體→PRG→(原料氣體1→原料氣體2→反應氣體)×n]×m [含F氣體→PRG→(原料氣體1→原料氣體2→原料氣體3→反應氣體)×n]×m [含F氣體→PRG→(原料氣體1→原料氣體2→反應氣體1→反應氣體2)×n]×m
各處理中使用之配方較佳為根據處理內容個別地準備，並經由電氣通訊線路或外部記憶裝置123儲存於記憶裝置121c內。而且，較佳為開始各處理時，CPU121a根據處理內容自儲存於記憶裝置121c內之數個配方中選擇恰當之配方。藉此，可利用1台基板處理裝置再現性良好地形成各種膜種、組成比、膜質、膜厚之膜。又，能夠減少操作員之負擔，避免操作失誤，並能迅速開始各處理。
上述配方不限於新製成之情形，例如亦可藉由變更已安裝於基板處理裝置之既存配方來準備。於變更配方之情形時，可經由電氣通訊線路或記錄有該配方之記錄媒體將變更後之配方安裝於基板處理裝置。又，亦可操作既存之基板處理裝置具備之輸入輸出裝置122，直接變更已安裝於基板處理裝置之既存配方。
於上述態樣中，對使用一次處理數片基板之批量式基板處理裝置形成膜之例進行了說明。本發明不限定於上述態樣，例如亦適宜應用於使用一次處理1片或數片基板之單片式基板處理裝置形成膜之情形。又，於上述態樣中，對使用具有熱壁型處理爐之基板處理裝置形成膜之例進行了說明。本發明不限定於上述態樣，亦適宜應用於使用具有冷壁型處理爐之基板處理裝置形成膜之情形。
於使用該等基板處理裝置之情形時，亦可藉由與上述態樣相同之處理程序、處理條件進行各處理，從而獲得與上述態樣相同之效果。
上述態樣可適當組合使用。此時之處理程序、處理條件例如可與上述態樣之處理程序、處理條件相同。 [實施例]
使用上述態樣中之基板處理裝置，藉由上述態樣中之處理序列、處理條件，於晶圓上形成摻雜有F之SiN膜。此時，改變步驟B中之處理條件，製作數個摻雜有F之SiN膜之評估樣本。各個評估樣本中之摻雜有F之SiN膜之膜厚設為20 nm。然後，藉由二次離子質譜儀(SIMS，secondary ion mass spectrometry)測定各個評估樣本中之摻雜有F之SiN膜中之F濃度。
結果，某評估樣本中之摻雜有F之SiN膜之F濃度為3.0×1018 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下。另一評估樣本中之摻雜有F之SiN膜之F濃度為1.0×1020 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下。又一評估樣本中之摻雜有F之SiN膜之F濃度為2.0×1020 atoms/cm3 以上且1.0×1022 atoms/cm3 以下。又一評估樣本中之摻雜有F之SiN膜之F濃度為2.0×1020 atoms/cm3 以上且5.0×1021 atoms/cm3 以下。
進而，確認到於任一評估樣本中之摻雜有F之SiN膜中，均為SiN膜與底層之界面(下端面)中之F濃度、及SiN膜之最表面(上端面)中之F濃度較SiN膜之除此以外之部分高，即較SiN膜之除下端面及上端面以外之部分中之F濃度高。藉此，確認到尤其能有效進行SiN膜與底層之界面中之缺陷或懸鍵、及膜之最表面中之缺陷或懸鍵之修復等。
115:晶舟升降機 115s:擋板開閉機構 121:控制器 121a:CPU 121b:RAM 121c:記憶裝置 121d:I/O埠 121e:內部匯流排 122:輸入輸出裝置 123:外部記憶裝置 200:晶圓(基板) 201:處理室 202:處理爐 203:反應管 207:加熱器 209:歧管 217:晶舟 218:隔熱板 219:密封蓋 219s:擋板 220a,220b,220c:O形環 231:排氣管 231a:排氣口 232a,232b,232c,232d,232e,232f:氣體供給管 241a,241b,241c,241d,241e,241f:MFC 243a,243b,243c,243d,243e,243f:閥 244:APC閥 245:壓力感測器 246:真空泵 248:集聚型供給系統 249a,249b,249c:噴嘴 250a,250b,250c:氣體供給孔 255:旋轉軸 263:溫度感測器 267:旋轉機構
圖1係本發明之一態樣中適宜使用之基板處理裝置之立式處理爐的概略構成圖，係由縱截面圖表示處理爐202部分之圖。 圖2係本發明之一態樣中適宜使用之基板處理裝置之立式處理爐的概略構成圖，係由圖1之A-A線剖視圖表示處理爐202部分之圖。 圖3係本發明之一態樣中適宜使用之基板處理裝置之控制器121的概略構成圖，係由方塊圖表示控制器121之控制系統之圖。 圖4係表示本發明之一態樣中之處理序列之圖。

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其包括以下步驟：(a)向處理容器內供給含氟氣體之步驟；(b)於維持著氟附著於上述處理容器內之狀態下，自上述處理容器內排出上述含氟氣體之步驟；及(c)對收容於附著有氟之狀態之上述處理容器內之基板供給成膜氣體，於基板上形成膜之步驟；且於上述處理容器內不存在上述基板之狀態下進行(a)。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中，在附著於上述處理容器內之氟發生脫附之條件下，供給上述成膜氣體。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中，使附著於上述處理容器內之氟脫附而被吸收至上述膜中。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(b)中，藉由調整自上述處理容器內排出上述含氟氣體時之排氣條件，而控制(c)中形成於上述基板上之上述膜中之氟濃度。
  5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(b)中，向上述處理容器內供給沖洗氣體而對上述處理容器內進行沖洗，藉由調整此時之沖洗條件，而控制(c)中形成於上述基板上之上述膜中之氟濃度。
  6. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中，於(b)中，控制附著於上述處理容器內之氟之量。
  7. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(b)中，藉由維持氟物理吸附或化學吸附於上述處理容器內之狀態，而維持氟附著 於上述處理容器內之狀態。
  8. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，反覆執行數次依序進行(a)、(b)、(c)之循環。
  9. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，每進行1次(c)時，均事先依序進行(a)及(b)，以此為1個循環，反覆執行數次該循環。
  10. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中，使從進行(a)之後至開始(c)之時間於每個循環中固定。
  11. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中，使從進行(a)之後至開始(c)之時間，為進行(c)之後至開始(a)之時間以下。
  12. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中，使從進行(a)之後至開始(c)之時間，較進行(c)之後至開始(a)之時間短。
  13. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(a)中，進行上述處理容器內之清潔。
  14. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中，形成氟濃度為3.0×1018atoms/cm3以上且1.0×1022atoms/cm3以下之上述膜。
  15. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中，形成氟濃度為1.0×1020atoms/cm3以上且1.0×1022atoms/cm3以下之上述膜。
  16. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中， 形成氟濃度為2.0×1020atoms/cm3以上且1.0×1022atoms/cm3以下之上述膜。
  17. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，於(c)中，形成氟濃度為2.0×1020atoms/cm3以上且5.0×1021atoms/cm3以下之上述膜。
  18. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：(a)向處理容器內供給含氟氣體之步驟；(b)於維持著氟附著於上述處理容器內之狀態下，自上述處理容器內排出上述含氟氣體之步驟；及(c)對收容於附著有氟之狀態之上述處理容器內之基板供給成膜氣體，於基板上形成膜之步驟；且於上述處理容器內不存在上述基板之狀態下進行(a)。
  19. 一種基板處理裝置，其具有：處理容器，其供處理基板；含氟氣體供給系統，其向上述處理容器內供給含氟氣體；含氟氣體供給系統，其對上述處理容器內之基板供給含氟氣體；成膜氣體供給系統，其對上述處理容器內之基板供給成膜氣體；排氣系統，其對上述處理容器內進行排氣；及控制部，其構成為能夠控制上述含氟氣體供給系統、上述成膜氣體供給系統及排氣系統，使該等進行以下處理，即，(a)向上述處理容器內供給上述含氟氣體之處理；(b)於維持著氟附著於上述處理容器內之狀態下，自上述處理容器內排出上述含氟氣體之處理；及(c)對收容於附著有 氟之狀態之上述處理容器內之基板供給上述成膜氣體，於上述基板上形成膜之處理；且於上述處理容器內不存在上述基板之狀態下進行(a)。
  20. 一種藉由電腦使基板處理裝置執行程序的程式，其係執行：(a)向基板處理裝置之處理容器內供給含氟氣體之程序；(b)於維持著氟附著於上述處理容器內之狀態下，自上述處理容器內排出上述含氟氣體之程序；及(c)對收容於附著有氟之狀態之上述處理容器內之基板供給成膜氣體，於基板上形成膜之程序；且於上述處理容器內不存在上述基板之狀態下進行(a)。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040045670A1 (en) * 2000-06-14 2004-03-11 Applied Materials, Inc. Cooling system for magnetron sputtering apparatus
US20040050690A1 (en) * 2000-12-05 2004-03-18 Green Gordon Robert Magnetron sputtering apparatus
CN106356289A (zh) * 2015-07-17 2017-01-25 株式会社日立国际电气 气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3178431B2 (ja) 1998-09-18 2001-06-18 日本電気株式会社 プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2008283148A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US7799658B2 (en) 2007-10-10 2010-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP5688203B2 (ja) * 2007-11-01 2015-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP4531833B2 (ja) 2007-12-05 2010-08-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法
JP5285519B2 (ja) 2009-07-01 2013-09-11 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP6108518B2 (ja) * 2011-10-20 2017-04-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラム
JP2013143429A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Sharp Corp シリコン含有膜の製造方法および光電変換装置の製造方法
US9502233B2 (en) * 2012-03-22 2016-11-22 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing device and recording medium
JP6476369B2 (ja) * 2013-03-25 2019-03-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6342670B2 (ja) * 2014-02-17 2018-06-13 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6602699B2 (ja) * 2016-03-14 2019-11-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6368732B2 (ja) 2016-03-29 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6770825B2 (ja) 2016-04-27 2020-10-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6679642B2 (ja) * 2018-03-27 2020-04-15 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040045670A1 (en) * 2000-06-14 2004-03-11 Applied Materials, Inc. Cooling system for magnetron sputtering apparatus
US20040050690A1 (en) * 2000-12-05 2004-03-18 Green Gordon Robert Magnetron sputtering apparatus
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