JP3178431B2 - プラズマcvd装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマcvd装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JP3178431B2 JP3178431B2 JP26495398A JP26495398A JP3178431B2 JP 3178431 B2 JP3178431 B2 JP 3178431B2 JP 26495398 A JP26495398 A JP 26495398A JP 26495398 A JP26495398 A JP 26495398A JP 3178431 B2 JP3178431 B2 JP 3178431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cleaning
- chamber
- plasma cvd
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
置のクリーニング方法に関するものである。
成膜処理を行なった後にチャンバーの内壁にフッ素を付
着するため、このフッ素を除去する必要がある。
セルフクリーニングする技術では、クリーニング実施後
のチャンバー内に残留するフッ素系のガスにより、トラ
ンジスタの特性が変化する問題がある。
00865号公報には、NF3のクリーニング後に、水
素と窒素との混合ガスによりプラズマ処理を行う方法が
提案されている。また、特開昭63−267430号公
報には、NF3のクリーニング後に、水素プラズマ処理
を行う方法が提案されている。
7−100865号公報及び特開昭63−267430
号公報に開示された方法では、水素や窒素が反応性の高
いラジカルの状態に十分に分解しないため、チャンバー
に吸着しているフッ素との反応が起きにくく、フッ素の
除去率が悪くなるという問題があり、従って、プラズマ
処理時間が長くなるという問題がある。
は、NF3のクリーニング後に、還元性のガス(水素、
シラン、フォスフィンなど)を用いる処理を行うことが
提案されている。
公報に開示された方法では、たとえばシランを使用した
場合、水素のラジカルは発生するが、チャンバーの内壁
に窒化膜に比べて付着力の弱いアモルファスシリコンが
チャンバーの内壁に形成されるため、成膜プロセスを実
施中にチャンバーの内壁から膜剥がれが起きやすくなる
という問題がある。
に開示された方法では、頻繁にガスクリーニングを行わ
なければならないという問題がある。
は、ClF系のガスクリーニング後に水素とアルゴン又
はヘリウムなど希ガスとの混合ガスを用いて、プラズマ
レスの処理が提案されている。
安価なアルミニウムやステンレスをエッチングするた
め、装置自体が高価になってしまうという問題がある。
は、クリーニング後の後処理の代えて、クリーニング後
に予めチャンバー内をプラズマ窒化シリコン膜でコーテ
ィングする方法が提案されている。
公報に開示された方法では、コーティングする膜厚を厚
くする必要があるため、タクトタイムが長くなるという
問題がある。
への影響を短タクトタイムで低減するプラズマCVD装
置のクリーニング方法を提供することにある。
め、 本発明に係るプラズマCVD装置のクリーニング方
法は、プラズマCVD装置の成膜用チャンバー内をフッ
素系ガスを用いてプラズマクリーニングする方法であっ
て、前記成膜用チャンバーをフッ素系のガスを用いてプ
ラズマクリーニングした後、水素に希ガスを添加したガ
スを用いた放電により前記クリーニング後に成膜用のチ
ャンバー内に付着しているフッ素を除去し、更にSi−
H/N−H結合数の比が1.5から5の窒化膜を成長
し、チャンバー内に付着しているフッ素を取り込み、チ
ャンバーに付着したFを除去するものである。
する。
1に係るプラズマCVD装置のクリーニング方法を工程
順に示すフローチャートである。
係るプラズマCVD装置のクリーニング方法は、まず、
プラズマCVD装置の成膜用チャンバー内にガラス基板
を搬入する。
を導入して、シランガス等を用いてガラス基板に、アモ
ルファスシリコン膜,シリコン窒化膜の成膜を行う。
バー内からプロセスガスを1Pa以下まで排気し、排気
が完了した後に、ガラス基板を成膜用チャンバーから搬
出する。
3を500SCCM、成膜用チャンバー内に導入する。
このとき、成膜用チャンバー内の圧力制御は行わず、圧
力制御のためのオリフィス開度は100%とする。
たら、高周波電源(RF)を2000W印加する。
ると、代表的には NF3+e-→NF2+F*+e- Si+4F*→SiF4↑ という化学反応が起こり、成膜用チャンバーの内壁に付
着したシリコン膜がエッチングされる。
たシリコン膜の除去が完了すると、上記の反応が完了
するため、上記の反応のみが起こり、成膜用チャンバ
ーの内壁に付着したシリコン膜のエッチングが完了す
る。
ン膜に対するエッチングの完了は、圧力によりモニター
するため、成膜用チャンバー内壁へのシリコン膜の付着
量に左右されず、常に一定のエッチングが可能となる。
ン膜のエッチングが完了した時点で、RFを停止し、次
いでNF3の供給を停止し、成膜用チャンバー内を1P
a以下まで真空引きする。
量のFが付着しているため、次の除去プロセスを行う。
00SCCM,Arを100SCCMそれぞれ導入す
る。このとき、圧力は100Paに制御する。
ときに、高周波電源(RF)を1000W印加する。
るFを除去することが可能となる。
を停止し、かつH2及びArの供給を停止し、成膜用チ
ャンバー内を1Pa以下まで真空引きしてクリーニング
プロセスを完了する。
ガラス基板を成膜用チャンバーに搬入し、成膜を開始す
る。
プロセスを水素のみの放電で行った場合と、水素にAr
を添加した場合と、水素にHeを添加した場合とについ
て、クリーニングプロセス後のアモルファスシリコン膜
中のF濃度をSIMS分析した結果を図2に示す。
は、アモルファスシリコン膜とシリコン窒化膜の積層膜
を2μmの膜厚に成膜したものであり、エッチング後の
F除去プロセスの放電条件は、ガス流量以外は一定に設
定している。
合、膜中のF濃度が1.0*E19atms/cc以上
であるのに対して、希ガスを添加することにより、膜中
のF濃度が5*E18atms/cc以下に下がること
が分かった。
r)の下に放電を5分間行う場合を説明したが、高周波
電源(RF)の印加パワー、Arと水素との流量比率な
どの放電条件によっては、さらに短時間で膜中のF濃度
を5*E18atms/cc以下まで除去できることは
いうまでもない。
よるクリーニング方法を実施することにより、成膜用チ
ャンバー内壁に付着しているフッ素を除去することが可
能となる。
スを添加することにより、水素ラジカルの密度が高くな
るため、効率よくチャンバーに付着したFをHFとして
除去できるためである。
り、Fを有効に除去できるという効果もある。
2に係るプラズマCVD装置のクリーニング方法を工程
順に示すフローチャートである。
ズマCVD装置のクリーニング方法は、水素+希ガスの
放電を行う処理工程までは実施形態1と同じである。
装置のクリーニング方法では、水素+希ガスの放電処理
として、水素+Ar放電を5分間実施した後にシラン3
00SCCM、アンモニア300SCCM、窒素500
0SCCM、高周波電源(RF)1000W、圧力10
0Paという条件の下に窒化膜を1000Åの膜厚に成
膜する。
形態1と同様にSIMS分析による膜中のF濃度の測定
を行った結果を図5に示す。
理)+窒化膜の形成を行うと、膜中のF濃度が1*E1
8atms/cc以下になる。
T−ITで調査したところ、窒化膜のSi−H/N−H
結合数の比が1.8であることが分かった。
ら4までの異なる膜を前記窒化膜と同じ膜厚だけ成膜を
行った結果を図3に示す。
1.5以上でSIMS分析による膜中のF濃度が、1*
E18atms/cc以下となる。
Si−H/N−H結合数の比が1.5以上の窒化膜成膜
を組み合わせることにより、より効率よく膜中のF濃度
を低減することができる。
窒化膜処理のみ実施した場合、図5に示すように1*E
18atms/ccとなる窒化膜膜厚が厚くなるか、ま
たは、膜中のF濃度が十分には下がらないため量産には
適しない。
素ラジカルの密度を高めて、効率よくチャンバーに付着
したFをHFとして除去することができる。
より、Fを有効に除去することができる。
−H/N−H結合数の比が1.5以上の窒化膜成膜を組
み合わせることにより、より効率よく膜中のF濃度を低
減することができる。
のクリーニング方法を工程順に示すフローチャートであ
る。
クリーニング方法の効果を示す特性図である。
クリーニング方法の効果を示す特性図である。
のクリーニング方法を工程順に示すフローチャートであ
る。
クリーニング方法の効果を示す特性図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 プラズマCVD装置の成膜用チャンバー
内をフッ素系ガスを用いてプラズマクリーニングする方
法であって、 前記成膜用チャンバーをフッ素系のガスを用いてプラズ
マクリーニングした後、水素に希ガスを添加したガスを
用いた放電により前記クリーニング後に成膜用のチャン
バー内に付着しているフッ素を除去し、 更にSi−H/N−H結合数の比が1.5から5の窒化
膜を成長し、チャンバー内に付着しているフッ素を取り
込み、チャンバーに付着したFを除去することを特徴と
するプラズマCVD装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26495398A JP3178431B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | プラズマcvd装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26495398A JP3178431B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | プラズマcvd装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000100729A JP2000100729A (ja) | 2000-04-07 |
JP3178431B2 true JP3178431B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=17410503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26495398A Expired - Fee Related JP3178431B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | プラズマcvd装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3178431B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110000508A1 (en) | 2009-07-02 | 2011-01-06 | L'Air Liquide, Societe Anonyme pour I'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | Method of removing residual fluorine from deposition chamber |
JP7182577B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2022-12-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN112404022B (zh) * | 2020-11-20 | 2022-09-09 | 苏州镓港半导体有限公司 | 一种mocvd设备用石墨盘的清洗方法 |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26495398A patent/JP3178431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000100729A (ja) | 2000-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5620526A (en) | In-situ cleaning of plasma treatment chamber | |
JP2010205854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8337960B2 (en) | Seasoning method for film-forming apparatus | |
JPH07153704A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
JPH08321491A (ja) | ウエハ清浄化スパッタリングプロセス | |
JP2002151497A (ja) | Cvd膜の形成方法 | |
JP3112880B2 (ja) | Cvd装置のクリーニング方法 | |
JP3178431B2 (ja) | プラズマcvd装置のクリーニング方法 | |
JP3801366B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置のクリーニング方法 | |
JP3350264B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
JP2002060951A (ja) | 気体反応によるcvdチャンバ内の異物の除去 | |
JPH07201749A (ja) | 薄膜形成方法 | |
WO2022068331A1 (zh) | 膜层的形成方法 | |
JP2003309105A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2002167673A (ja) | Cvd成膜方法および付着物の除去方法 | |
JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
JPH0637074A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
JP2000012523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
JP2894304B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20040007248A1 (en) | Method for improving reliability of reaction apparatus | |
JPH09320963A (ja) | Cvdチャンバを清掃した後に調整するための方法 | |
JP3820212B2 (ja) | Cvdチャンバクリーニング後にcvdチャンバをコンディショニングする方法 | |
EP1154038A1 (en) | Method of conditioning a chamber for chemical vapor deposition | |
EP1154037A1 (en) | Methods for improving chemical vapor deposition processing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080413 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080413 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090413 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |