TWI771493B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI771493B
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池邊亮二
野田康朗
古閑法久
濱本啓佑
保坂理人
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的係抑制裝置之大型化且確認基板周緣部之狀態。 為達此目的，依本發明之實施形態之基板處理裝置具有：搬出入站、傳送站、處理站及拍攝單元。搬出入站具有由匣盒取出並搬送基板之第一搬送裝置。傳送站配置成與搬出入站相鄰，且具有載置藉由第一搬送裝置搬送之基板的基板載置部。處理站配置成與傳送站相鄰，且具有由基板載置部取出並搬送基板之第二搬送裝置及處理藉由第二搬送裝置搬送之基板的多數之處理單元。拍攝單元配置在傳送站中，且用來拍攝基板的頂面與底面其中之一面的周緣部及基板的端面。

Description

基板處理裝置
本發明揭示之實施形態係關於基板處理裝置。
以往，藉由供給藥液至矽晶圓及化合物半導體晶圓等之基板的周緣部，進行由基板之周緣部去除膜的處理(以下，稱為「周緣部去除處理」)的基板處理裝置是習知的。
在這種基板處理裝置中，為確認是否適當地去除基板周緣部之膜，在進行周緣部去除處理之腔室內部設置用於拍攝基板之周緣部的攝影機。
例如，專利文獻1記載相對腔室固定地設置用於拍攝基板周緣部之拍攝部。此外，專利文獻1中亦記載對可安裝至腔室及由腔室拆卸之測量夾具設置上述攝影機。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016－100565號公報
[發明所欲解決的問題]
但是，在腔室內設置拍攝部時，恐有裝置大型化之虞。
實施形態之一態樣的目的為提供可抑制裝置之大型化且確認基板周緣部之狀態的基板處理裝置。 [解決問題的手段]
實施形態之一態樣的基板處理裝置具有：搬出入站、傳送站、處理站及拍攝單元。搬出入站具有由匣盒取出並搬送基板之第一搬送裝置。傳送站配置成與搬出入站相鄰，且具有載置藉由第一搬送裝置搬送之基板的基板載置部。處理站配置成與傳送站相鄰，且具有由基板載置部取出並搬送基板之第二搬送裝置及處理藉由第二搬送裝置搬送之基板的多數之處理單元。拍攝單元配置在傳送站中，且用以拍攝基板頂面及底面中之一面的周緣部及基板的端面。 [發明的功效]
依據實施形態之一態樣，可抑制裝置之大型化且確認基板周緣部之狀態。
＜基板處理裝置之結構＞ 首先，參照圖1及圖2說明本實施形態之基板處理系統的結構。圖1係本實施形態之基板處理系統的示意平面圖。此外，圖2係本實施形態之基板處理系統的示意側面圖。另外，以下，為使位置關係明確，規定互相直交之X軸、Y軸及Z軸，且設Z軸正方向為垂直向上方向。
如圖1所示地，本實施形態之基板處理系統1具有搬出入站2、傳送站3及處理站4。該等站係按搬出入站2、傳送站3及處理站4之順序排列配置。
該基板處理系統1將由搬出入站2搬入之基板，且在本實施形態中將半導體晶圓(以下稱為晶圓W)經由傳送站3搬送至處理站4，並在處理站4中進行處理。接著，基板處理系統1使處理後之晶圓W由處理站4經由傳送站3返回搬出入站2，並由搬出入站2移出至外部。
搬出入站2具有匣盒載置部11及搬送部12。匣盒載置部11中載置呈水平狀態地收容多數片晶圓W之多數之匣盒C。
搬送部12配置在匣盒載置部11與傳送站3之間，且在內部具有第一搬送裝置13。第一搬送裝置13具有保持1片晶圓W之多數(在此為5個)之晶圓保持部。第一搬送裝置13可朝水平方向及垂直方向移動且以垂直軸為中心旋轉，並可使用多數之晶圓保持部在匣盒C與傳送站3之間同時地搬送多數片晶圓W。
接著，說明傳送站3。如圖1及圖2所示地，多數之基板載置部(SBU)14及多數之拍攝單元(CAM)15配置在傳送站3之內部。具體而言，後述之處理站4具有上段之第一處理站4U及下段之第二處理站4L，且基板載置部14及拍攝單元15分別逐一地配置在對應第一處理站4U之位置及對應第二處理站4L之位置。基板載置部14及拍攝單元15之結構稍後說明。
接著，說明處理站4。如圖2所示地，處理站4具有第一處理站4U及第二處理站4L。第一處理站4U及第二處理站4L被分隔壁及閘板等空間地隔開，且朝高度方向排列配置。
第一處理站4U及第二處理站4L具有相同之結構，且如圖1所示地具有：搬送部16、第二搬送裝置17、多數之周緣部處理單元(CH1)18及多數之底面處理單元(CH2)19。
第二搬送裝置17配置在搬送部16之內部，且在基板載置部14、拍攝單元15、周緣部處理單元18及底面處理單元19之間進行晶圓W之搬送。
第二搬送裝置17具有保持1片晶圓W之1個晶圓保持部。第二搬送裝置17可朝水平方向及垂直方向移動且以垂直軸為中心旋轉，並使用晶圓保持部搬送1片晶圓W。
多數之周緣部處理單元18及底面處理單元19係與搬送部16相鄰地配置。舉例而言，多數之周緣部處理單元18在搬送部16之Y軸正方向側沿X軸方向排列配置，且多數之底面處理單元19在搬送部16之Y軸負方向側沿X軸方向排列配置。
周緣部處理單元18對晶圓W之周緣部進行預定之處理。在本實施形態中，周緣部處理單元18進行由晶圓W之斜角部蝕刻去除膜的斜角去除處理(周緣部處理之一例)。斜角部係形成在晶圓W之端面及其周邊的傾斜部。上述傾斜部分別形成在晶圓W之頂面周緣部及底面周緣部。
以下參照圖3說明周緣部處理單元18之結構例。圖3係周緣部處理單元18之示意圖。
如圖3所示地，周緣部處理單元18具有腔室81、基板保持機構82、供給部83及回收杯84。
腔室81收容基板保持機構82、供給部83及回收杯84。腔室81之頂部設置在腔室81內形成降流之FFU(Fan Filter Unit(風扇過濾器單元))811。
基板保持機構82具有：保持部821，其保持晶圓W呈水平狀態；支柱構件822，其朝垂直方向延伸並支持保持部821；及驅動部823，其使支柱構件822以垂直軸為中心旋轉。
保持部821連接於真空泵等之吸氣裝置(未圖示)，且利用藉由該吸氣裝置之吸氣產生的負壓吸附晶圓W之底面，藉此保持晶圓W呈水平狀態。可使用例如多孔質吸盤及靜電吸盤等作為保持部821。
保持部821具有直徑比晶圓W小之吸附區域。藉此，可將由後述供給部83之下側噴嘴832吐出的藥液供給至晶圓W之底面周緣部。
供給部83具有上側噴嘴831及下側噴嘴832。上側噴嘴831配置在被基板保持機構82保持之晶圓W的上方，且下側噴嘴832配置於同一晶圓W的下方。
藥液供給源73透過閥71及流量調整器72連接於上側噴嘴831及下側噴嘴832。上側噴嘴831將由藥液供給源73供給之氫氟酸(HF)及硝酸(HNO3 )等之藥液吐出至被基板保持機構82保持之晶圓W的頂面周緣部。此外，下側噴嘴832將由藥液供給源73供給之藥液吐出至被基板保持機構82保持之晶圓W的底面周緣部。
此外，供給部83具有：使上側噴嘴831移動之第一移動機構833；及使下側噴嘴832移動之第二移動機構834。藉由使用該等第一移動機構833及第二移動機構834使上側噴嘴831及下側噴嘴832，可變更藥液對晶圓W之供給位置。
回收杯84配置成包圍基板保持機構82。在回收杯84之底部形成：用於將由供給部83供給之藥液排出至腔室81外部的排液口841；及用於排出腔室81內之環境氣體的排氣口842。
周緣部處理單元18如上所述地構成，且藉由保持部821吸附保持晶圓W之底面後，使用驅動部823使晶圓W旋轉。接著，周緣部處理單元18由上側噴嘴831向旋轉之晶圓W的頂面周緣部吐出藥液，同時由下側噴嘴832向旋轉之晶圓W的底面周緣部吐出藥液。藉此，去除附著於晶圓W之斜角部的膜。此時，亦與膜一起去除附著於晶圓W之斜角部的顆粒等污物。
此外，周緣部處理單元18進行上述周緣部去除處理後，可由上側噴嘴831及下側噴嘴832吐出純水等之沖洗液，藉此進行沖洗殘存於晶圓W斜角部之藥液的沖洗處理。另外，周緣部處理單元18亦可在沖洗處理後，進行藉由使晶圓W旋轉而使晶圓W乾燥之乾燥處理。
此外，在此周緣部處理單元18雖然進行由晶圓W之斜角部蝕刻去除膜之斜角去除處理作為周緣部處理的一例，但周緣部處理不一定是去除膜之處理。例如，周緣部處理單元18可進行清洗晶圓W之斜角部的周緣部清洗處理作為周緣部處理。
底面處理單元19對晶圓W之底面進行預定處理。在本實施形態中，底面處理單元19進行由晶圓W底面之全面蝕刻去除膜的底面去除處理(底面處理之一例)。
在此，參照圖4說明底面處理單元19之結構例。圖4係底面處理單元19之示意圖。
如圖4所示地，底面處理單元19具有：腔室91、基板保持機構92、供給部93及回收杯94。
腔室91收容基板保持機構92、供給部93及回收杯94。腔室91之頂部設置在腔室91內形成降流之FFU 911。
基板保持機構92具有：保持部921，其保持晶圓W呈水平狀態；支柱構件922，其朝垂直方向延伸並支持保持部921；及驅動部923，其使支柱構件922以垂直軸為中心旋轉。把持晶圓W之周緣部的多數之把持部921a設置在保持部921之頂面，且晶圓W藉由該把持部921a水平地保持在與保持部921之頂面稍微分開的狀態。
供給部93貫穿保持部921及支柱構件922之中空部。朝垂直方向延伸之流路形成在供給部93之內部。藥液供給源76透過閥74及流量調整器75連接於流路。供給部93將由藥液供給源76供給之藥液供給至晶圓W之底面。
回收杯94配置成包圍基板保持機構92。在回收杯94之底部形成：用於將由供給部93供給之藥液排出至腔室91外部的排液口941；及用於排出腔室91內之環境氣體的排氣口942。
底面處理單元19如上所述地構成，且藉由保持部921之多數之把持部921a保持晶圓W之周緣部後，使用驅動部923使晶圓W旋轉。接著，底面處理單元19由供給部93向旋轉之晶圓W的底面中心部吐出藥液。供給至晶圓W之底面中心部的藥液隨著晶圓W之旋轉而擴大至晶圓W之底面的全面。藉此，由晶圓W之底面的全面去除膜。此時，亦與膜一起去除附著於晶圓W之底面的顆粒等污物。
此外，底面處理單元19進行上述底面去除處理後，可由供給部93吐出純水等之沖洗液，藉此進行沖洗殘存於晶圓W底面之藥液的沖洗處理。另外，底面處理單元19亦可在沖洗處理後，進行藉由使晶圓W旋轉而使晶圓W乾燥之乾燥處理。
此外，在此底面處理單元19雖然以進行由晶圓W之底面的全面去除膜之底面去除處理作為底面處理的一例，但底面處理不一定是去除膜之處理。例如，底面處理單元19可進行清洗晶圓W底面之全面的底面清洗處理作為底面處理。
如圖1所示地，基板處理系統1具有控制裝置5。控制裝置5係例如電腦，且具有控制部51及記憶部52。控制在基板處理系統1中實行之各種處理的程式儲存在記憶部52中。控制部51係例如CPU(Central Processing Unit(中央處理單元))，且藉由讀出並執行記憶於記憶部52中之程式來控制基板處理系統1之動作。
此外，上述程式可記錄於可由電腦讀取之記憶媒體中，亦可由該記憶媒體安裝在控制裝置5之記憶部52中。可由電腦讀取之記憶媒體包括例如：硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。另外，控制部51可不使用程式而只由硬體構成。
此外，在周緣部去除處理中，規定膜之去除寬度(以晶圓W之外周緣為一端沿晶圓W之徑向的寬度，以下稱為「切削寬度」)。但是，例如上側噴嘴831及下側噴嘴832之位置不適當時，恐有實際切削寬度偏離規定之切削寬度之虞。另外，晶圓W之中心偏離基板保持機構82之旋轉中心時，恐有在晶圓W之周方向上產生不均一切削寬度之虞。因此，有時藉由攝影機拍攝周緣部去除處理後之晶圓W，接著依據獲得之影像進行確認是否適當地實施周緣部去除處理之作業。
以往，拍攝周緣部去除處理後之晶圓的攝影機設置在各周緣部處理單元之腔室內。但是，在各周緣部處理單元之腔室內設置攝影機時，恐有基板處理系統大型化之虞。此外，亦有藥液等附著在攝影機上，因此難以進行適當拍攝之虞。
此外，以往亦有人提出進行周緣部去除處理後，將搭載攝影機之測量夾具安裝在周緣部處理單元並拍攝周緣部去除處理後之晶圓。但是，安裝及拆卸測量夾具很花時間。另外，恐有因周緣部處理單元間之個體差異使測量精度下降之虞。
因此，在本實施形態之基板處理系統1中，在周緣部處理單元18之外部中且在周緣部處理單元18中共通地設置拍攝周緣部去除處理後之晶圓W斜角部的1個拍攝單元15。具體而言，在基板處理系統1中，對應配置在第一處理站4U中之多數之周緣部處理單元18的1個拍攝單元15及對應配置於第二處理站4L之多數之周緣部處理單元18的1個拍攝單元15設置在傳送站3中(請參照圖2)。
＜拍攝單元之結構＞ 以下，參照圖5至圖13具體地說明本實施形態之拍攝單元15的結構。
圖5係由側方看基板載置部14及拍攝單元15之示意圖。如圖5所示地，拍攝單元15與基板載置部14相鄰地設置在基板載置部14之下方。
如此，藉由朝高度方向重疊配置基板載置部14及拍攝單元15，可抑制基板處理系統1之覆蓋區的增大。此外，藉由將拍攝單元15配置在基板載置部14之下方，即使假設碎屑等由拍攝單元15落下時，亦可抑制落下之碎屑等附著在載置於基板載置部14中之晶圓W上。
此外，拍攝單元15不一定要配置在基板載置部14之下方，亦可配置在基板載置部14之上方。
圖6係由上方看拍攝單元15之示意圖，且圖7係由側方看拍攝單元15之示意圖。
如圖6所示地，拍攝單元15具有：底板100、旋轉保持子單元200(旋轉保持部之一例)、缺口檢測子單元300(檢測部之一例)、第一拍攝子單元400及第二拍攝子單元500。
本實施形態之基板處理系統1係組配成第一搬送裝置13及第二搬送裝置17中只有第二搬送裝置17可對拍攝單元15進行存取。具體而言，拍攝單元15具有向搬送部16開口之開口部110，且第二搬送裝置17透過該開口部110對拍攝單元15進行搬出入。此外，後述第一拍攝子單元400之攝影機410、照明模組420及鏡構件430以及第二拍攝子單元500之攝影機510及照明模組520配置在比保持台201更遠離開口部110之位置，以便不妨礙藉由第二搬送裝置17搬入出晶圓W。
底板100係例如板狀之構件，且各子單元200至500設置在底板100上。
旋轉保持子單元200具有保持台201及致動器202。保持台201係例如藉由吸附等保持晶圓W呈水平狀態之吸附吸盤。保持台201具有直徑比晶圓W小之吸附區域。致動器202係例如電動馬達，且驅動保持台201旋轉。
缺口檢測子單元300具有例如橫溝310，且橫溝310之底面設置發光元件320，而頂面設置受光元件330。
在晶圓W載置於旋轉保持子單元200之狀態下，來自發光元件320之照射光被晶圓W之周緣部遮蔽，且受光元件330未接受照射光。但是，藉由旋轉保持子單元200之旋轉，形成在晶圓W上之周緣部的缺口來到與發光元件320對向之位置時，照射光通過缺口而使受光元件330受光。藉此，缺口檢測子單元300可檢測形成在晶圓W上之缺口的位置。
圖8及圖9係由斜上方看第一拍攝子單元400及第二拍攝子單元500之示意圖。此外，圖10係由側方看第一拍攝子單元400之示意圖，且圖11係由側方看照明模組420及鏡構件430之示意圖。另外，圖12係顯示在鏡構件430反射來自照明模組420之光之情形的示意圖，且圖13係顯示在鏡構件430反射來自晶圓W之光之情形的示意圖。
如圖6至圖10所示地，第一拍攝子單元400具有：攝影機410(一面側拍攝部之一例)、照明模組420及鏡構件430。
攝影機410具有透鏡411及拍攝元件412。攝影機410之光軸向照明模組420水平地延伸。
如圖8至圖11所示地，照明模組420配置在被保持台201保持之晶圓W的上方。照明模組420具有光源421、光散射構件422及保持構件423。
如圖11所示地，光源421具有例如框體421a及配置於框體421a內之多數之LED點光源421b。多數之LED點光源421b配置成沿著晶圓W之徑向排列成一列。
如圖9至圖11所示地，光散射構件422以與光源421重疊之方式連接於光源421。貫穿口422a形成在光散射構件422中，且貫穿口422a在光源421及光散射構件422重疊之方向上延伸。在光散射構件422之內壁上實施了鏡面加工。藉此，來自光源421之光射入光散射構件422之貫穿口422a內時，入射光藉由貫穿口422a內之鏡面部份422b散射而產生散射光。
保持構件423以與光散射構件422重疊之方式連接於光散射構件422。貫穿口423a及與貫穿口423a交叉之交叉孔423b形成在保持構件423中。貫穿口423a朝光散射構件422及保持構件423重疊之方向延伸。交叉孔423b連通於貫穿口423a。
保持構件423將半鏡424、圓柱透鏡425、光擴散構件426及焦點調節透鏡427保持在內部。如圖10所示地，半鏡424在例如相對水平方向傾斜45度之角度的狀態下，配置在貫穿口423a及交叉孔423b之交叉部分中。半鏡424呈矩形。
圓柱透鏡425配置在光散射構件422與半鏡424之間。圓柱透鏡425係向半鏡424突出之凸形圓柱透鏡。圓柱透鏡425之軸朝多數之LED點光源421b排列之方向延伸。來自光散射構件422之散射光射入圓柱透鏡425時，散射光沿圓柱透鏡425之圓柱面的周方向擴大。
光擴散構件426配置在圓柱透鏡425與半鏡424之間。光擴散構件426係例如呈矩形之片狀構件，且使通過圓柱透鏡425之光擴散。藉此，在光擴散構件426中產生擴散光。例如，光擴散構件426可具有使入射之光朝光擴散構件426面之全方向擴散的等向性擴散機能，亦可具有使入射之光向圓柱透鏡425之軸方向(與圓柱透鏡425圓柱面之周方向直交的方向)擴散的異向性擴散機能。
焦點調節透鏡427配置在交叉孔423b內。焦點調節透鏡427具有使與透鏡411之合成焦點距離變化的機能。
如圖10至圖13所示地，鏡構件430配置在照明模組420之下方，使來自晶圓W之端面Wc的反射光反射。
鏡構件430具有本體431及反射面432。本體431由例如鋁塊構成。
反射面432與被保持台201保持之晶圓W的端面Wc及底面Wb的周緣區域We對向。反射面432相對保持台201之旋轉軸傾斜。
反射面432係向遠離被保持台201保持之晶圓W的端面Wc側凹陷的彎曲面。因此，晶圓W之端面Wc映入反射面432時，其鏡像比實像放大。反射面432之曲率半徑係例如10mm以上、30mm以下。此外，反射面432之孔徑角(外接於反射面432之2個平面形成的角)係例如100度以上、150度以下。
在照明模組420中，由光源421射出之光藉由光散射構件422散射並藉由圓柱透鏡425擴大，且進一步藉由光擴散構件426擴大後，全體地通過半鏡424向下方照射。通過半鏡424之散射光藉由位於半鏡424下方之鏡構件430的反射面432反射。如圖12所示地，散射光藉由反射面432反射之反射光主要照射在晶圓W之端面Wc及頂面Wa側之周緣區域Wd。
如圖13所示地，藉由晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd反射的反射光未朝向鏡構件430之反射面432而是藉由半鏡424再反射，且未通過焦點調節透鏡427而是通過攝影機410之透鏡411，接著射入攝影機410之拍攝元件412。
另一方面，由晶圓W之端面Wc反射之反射光藉由鏡構件430之反射面432及半鏡424依序反射，並依序通過焦點調節透鏡427及攝影機410之透鏡411，接著射入攝影機410之拍攝元件412。
如此，來自晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd的反射光與來自晶圓W之端面Wc及鏡構件430之反射光兩者進入攝影機410之拍攝元件412。因此，依據第一拍攝子單元400，可同時拍攝晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd(包含頂面周緣部之區域)與晶圓W之端面Wc兩者。
圖14係顯示藉由第一拍攝子單元400拍攝之一拍攝影像例的示意圖。如圖14所示地，藉由第一拍攝子單元400拍攝之拍攝影像中映入由上方看晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd的像及由側方看晶圓W之端面Wc的像。
晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd及端面Wc以形成在晶圓W上之缺口Wn的位置為基準在360度以上的範圍內拍攝。因此，如圖14所示地，在拍攝影像中，同一缺口Wn映入2個地方(拍攝影像之兩端)。
此外，如上所述地，焦點調節透鏡427設置在藉由鏡構件430之反射面432反射的反射光到達透鏡411之中間。因此，即使由晶圓W之端面Wc到達攝影機410之拍攝元件412的光之光路長與由晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd到達攝影機410之拍攝元件412的光之光路長間有光路差，晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd的拍攝位置及晶圓W之端面Wc的拍攝位置亦可與拍攝元件412一致。因此，可同時鮮明地映照晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd及晶圓W之端面Wc。此外，焦點調節透鏡427未配置在由晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd到達攝影機410之拍攝元件412的光之光路上。
接著，進一步參照圖15說明第二拍攝子單元500之結構。圖15係由側方看第二拍攝子單元500之示意圖。如圖15所示地，第二拍攝子單元500具有攝影機510(另一面側拍攝部之一例)及照明模組520。
攝影機510具有透鏡511及拍攝元件512。攝影機510之光軸向照明模組520水平地延伸。
照明模組520位於照明模組420的下方，且配置在被保持台201保持之晶圓W的下方。照明模組520具有半鏡521及光源522。光源522係配置成例如相對水平方向傾斜45度之角度的狀態。半鏡521呈例如矩形。
光源522係由位於半鏡521下方之光源522射出的光全體地通過半鏡521並向上方照射。通過半鏡521之光通過攝影機510之透鏡511並射入攝影機510之拍攝元件512。即，攝影機510可透過半鏡521拍攝存在於光源522之照射區域中的晶圓W之底面Wb。
此外，第一拍攝子單元400之攝影機410例如由晶圓W之外周緣沿晶圓W的徑向在12mm寬度範圍內拍攝，相對於此，第二拍攝子單元500之攝影機510由晶圓W之外周緣沿晶圓W的徑向在50mm寬度範圍內拍攝。藉此，使用藉由攝影機510拍攝之拍攝影像，不僅可確認藉由周緣部處理單元18處理之區域，亦可確認藉由底面處理單元19處理之區域的狀態。
＜控制裝置之結構＞ 接著，參照圖16說明控制裝置5之結構。圖16係顯示控制裝置5之一結構例的方塊圖。
如圖16所示地，控制裝置5之控制部51包含微電腦及各種電路等，且微電腦具有例如CPU(Central Processing Unit(中央處理單元))、ROM(Read Only Memory(唯讀記憶體))、RAM(Random Access Memory(隨機存取記憶體))、輸出入埠等。控制部51具有多數之處理部，且該等處理部藉由CPU使用RAM作為業區域執行記憶於ROM中之程式來產生機能。具體而言，控制部51具有：製程實行部5101、影像取得部5102、分析部5103、回饋部5104、顯示控制部5105及傳送部5106。此外，製程實行部5101、影像取得部5102、分析部5103、回饋部5104、顯示控制部5105及傳送部5106之一部份或全部可分別由ASIC(Application Specific Integrated Circuit(特殊應用積體電路))及FPGA(Field Programmable Gate Array(現場可規劃閘陣列))等之硬體構成。
控制裝置5之記憶部52係藉由例如RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶元件或硬碟、光碟之記憶裝置來實現。該記憶部52記憶製程資料5201、影像資料5202及分析資料5203。
＜製程實行部＞ 製程實行部5101依據製程資料5201控制第一搬送裝置13、第二搬送裝置17、多數之周緣部處理單元18及多數之底面處理單元19，藉此使其對晶圓W實行一連串之基板處理。
在此，參照圖17說明在本實施形態之基板處理系統1中實行的一連串基板處理流程。圖17係顯示本實施形態之基板處理系統1中的晶圓W流程圖。
如圖17所示地，在本實施形態之基板處理系統1中，首先，第一搬送裝置13由匣盒C取出多數之晶圓W，接著將取出之多數之晶圓W載置於基板載置部14中(步驟S01)。接著，第二搬送裝置17由基板載置部14取出1片晶圓W，並將取出之晶圓W搬送至周緣部處理單元18(步驟S02)。
接著，周緣部處理單元18對搬入之晶圓W進行周緣部去除處理。具體而言，在周緣部處理單元18中，首先，基板保持機構82之保持部821保持晶圓W，接著驅動部823使保持部821旋轉，藉此使被保持部821保持之晶圓W旋轉。接著，第一移動機構833及第二移動機構834將上側噴嘴831及下側噴嘴832分別配置在晶圓W之上方及下方的預定位置。
然後，由藥液供給源73供給之藥液分別由上側噴嘴831及下側噴嘴832供給至旋轉之晶圓W的頂面周緣部及底面周緣部。藉此，由晶圓W之斜角部去除膜。然後，周緣部處理單元18進行沖洗處理及乾燥處理，接著使晶圓W停止旋轉。
然後，第二搬送裝置17由周緣部處理單元18取出晶圓W，並將取出之晶圓W搬送至拍攝單元15(步驟S03)。
接著，拍攝單元15拍攝晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd及端面Wc以及底面Wb的周緣區域We。
在此，參照圖18說明在拍攝單元15中實行之一連串處理。圖18係顯示在拍攝單元15中實行之一連串處理流程的流程圖。
如圖18所示地，在拍攝單元15中，首先進行缺口對齊處理(步驟S101)。缺口對齊處理係使晶圓W之缺口Wn的位置與預先決定之位置一致的處理。
具體而言，首先，旋轉保持子單元200使用保持台201吸附保持晶圓W，並使用致動器202使保持台201旋轉，藉此使被保持台201吸附保持之晶圓W旋轉。接著，缺口檢測子單元300藉由受光元件330接收來自發光元件320之照射光，藉此檢測形成在晶圓W中之缺口Wn。接著，旋轉保持子單元200使用致動器202使晶圓W旋轉預定角度，藉此使檢出之缺口Wn的位置與預定的位置一致。如此，可調整晶圓W之旋轉位置。
如此，吸附保持晶圓W並使其旋轉之旋轉保持子單元200及檢測形成在晶圓W中之缺口Wn的缺口檢測子單元300係調整晶圓W相對拍攝單元15之拍攝範圍的旋轉位置的一調整機構例。拍攝單元15使用旋轉保持子單元200吸附保持晶圓W並使其旋轉且使用缺口檢測子單元300檢測缺口Wn，接著依據缺口Wn之檢測結果調整晶圓W之旋轉位置。此外，形成在晶圓W中之缺口部不限於缺口Wn，可為例如定向平面(Orientation Flat)。
此外，雖然在此顯示拍攝單元15具有旋轉保持子單元200及缺口檢測子單元300時之例子作為一調整機構例，但調整機構之結構不限於上述例子。例如，晶圓W之旋轉位置已知時，拍攝單元15可具有旋轉保持子單元200及檢測保持台201之旋轉位置的編碼器作為調整機構。此時，拍攝單元15使用旋轉保持子單元200吸附保持晶圓W後，使保持台201旋轉預定角度，藉此可調整晶圓W之旋轉位置，使拍攝處理由晶圓W之周方向的特定位置開始。
接著，在拍攝單元15中進行拍攝處理(步驟S102)。拍攝處理係拍攝晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd及端面Wc以及底面Wb的周緣區域We的處理。
在此，參照圖19說明拍攝處理之流程。圖19係顯示拍攝處理流程之時間圖。此外，在此規定拍攝處理開始時之晶圓W的旋轉位置為0度。
如圖19所示地，拍攝處理開始時，首先，開啟照明模組420及照明模組520之光源421、522(請參照圖19之t1)。接著，攝影機410及攝影機510呈開狀態並開始拍攝(請參照圖19之t2)。
接著，旋轉保持子單元200之致動器202使保持台201旋轉，藉此使被保持台201保持之晶圓W開始旋轉(請參照圖19之t3)。此時之晶圓W的旋轉速度比缺口對齊處理時之晶圓W的旋轉速度低。
接著，在晶圓W之缺口Wn映入攝影機510時開始取得藉由攝影機510拍攝之影像的影像資料(請參照圖19之t4)。在本例子中，在晶圓W之旋轉位置為75度時，開始取得影像資料。取得之影像資料記憶在控制裝置5之記憶部52中。
接著，晶圓W之缺口Wn映入攝影機410時，具體而言，在晶圓W之旋轉位置為90度時，開始取得藉由攝影機410拍攝之影像的影像資料(請參照圖19之t5)。取得之影像資料記憶在控制裝置5之記憶部52中。
此外，在本實施形態之拍攝單元15中，因存在鏡構件430而限制半鏡521之設置位置，因此難以藉由攝影機410及攝影機510使晶圓W之同一旋轉位置的周緣區域Wd、We同時地拍攝。因此，為了在攝影機410及攝影機510中使拍攝範圍一致，使取得影像資料之時間錯開(請參照圖19之t4、t5)。但是，在能夠以攝影機410及攝影機510中拍攝相同之旋轉位置的情形時，不一定要使在攝影機410及攝影機510中取得影像資料之時間錯開。
接著，晶圓W旋轉一次使晶圓W之旋轉位置再成為75度時，停止取得攝影機510之影像(請參照圖19之t6)。同樣地，晶圓W之旋轉位置再成為90度時，停止取得攝影機410之影像(請參照圖19之t7)。藉此，可獲得遍及晶圓W全周之周緣區域Wd、We及端面Wc的影像資料。
接著，晶圓W之旋轉位置成為0度時使晶圓W停止旋轉(請參照圖19之t8)。藉此，可使晶圓W之旋轉位置返回拍攝處理開始時之旋轉位置，即藉由缺口對齊處理調整晶圓W之旋轉位置的狀態。然後，令攝影機410、510呈關狀態(請參照圖19之t9)關閉照明模組420及照明模組520之光源421、521(請參照圖19之t10)，結束拍攝處理。
如此，在缺口對齊處理中調整晶圓W之旋轉位置後，拍攝單元15使用旋轉保持子單元200使晶圓W旋轉且遍及晶圓W之全周地拍攝晶圓W之頂面周緣部、端面及底面周緣部。藉此，可獲得晶圓W之頂面周緣部、端面及底面周緣部的遍及晶圓W全周的影像資料。
在拍攝單元15中結束拍攝處理時，如圖17所示地，第二搬送裝置17由拍攝單元15取出晶圓W，並將取出之晶圓W搬送至底面處理單元19(步驟S04)。
接著，底面處理單元19對搬入之晶圓W進行底面去除處理。具體而言，在底面處理單元19中，首先，基板保持機構92之保持部921保持晶圓W，且驅動部923使保持部921旋轉，藉此使被保持部921保持之晶圓W旋轉。
然後，由藥液供給源76供給之藥液由供給部93供給至旋轉之晶圓W的底面Wb中央部。供給至晶圓W之底面Wb中央部的藥液隨著晶圓W之旋轉擴大至底面Wb之全面。藉此，由晶圓W之底面Wb全面去除膜。然後，底面處理單元19進行沖洗處理及乾燥處理，接著使晶圓W停止旋轉。
底面處理單元19結束底面去除處理時，第二搬送裝置17由底面處理單元19取出晶圓W，並將取出之晶圓W搬送至拍攝單元15(步驟S05)。在拍攝單元15中，再進行上述對齊處理及拍攝處理。藉由拍攝處理獲得之影像資料記憶在控制裝置5之記憶部52中。
接著，第二搬送裝置17由拍攝單元15取出晶圓W，並將取出之晶圓W載置於基板載置部14中(步驟S05)。然後，第一搬送裝置13由基板載置部14取出晶圓W，並將取出之晶圓W收容於匣盒C中(步驟S07)。藉此，結束一連串之基板處理。
＜影像取得部＞ 回到圖16，繼續說明控制部51。影像取得部5102由拍攝單元15取得影像資料，使其與晶圓W之識別號碼及拍攝日期時間等產生關聯並記憶於記憶部52中作為影像資料5202。
＜分析部＞ 分析部5103對記憶於記憶部52中之影像資料5202進行影像分析。
例如，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機410拍攝之影像的資料判定晶圓W之頂面周緣部及端面Wc中的膜去除程度。該判定係例如依據藥液供給之區域Wd1與未供給之區域Wd2(請參照圖14)的顏色差異(像素值之差)來進行。
同樣地，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機510拍攝之影像的資料判定晶圓W之底面Wb之周緣區域We中的膜去除程度。
此外，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機410拍攝之影像的資料計算切削寬度。具體而言，分析部5103分別計算晶圓W全周之各位置的切削寬度。接著，分析部5103計算算出之多數之切削寬度最大值Hmax及最小值Hmin(請參照圖14)的平均值作為切削寬度。
此外，切削寬度之計算方法不限於上述例子。例子，分析部5103可計算晶圓W全周之各位置的切削寬度，接著計算算出之多數之切削寬度的平均值作為切削寬度。
另外，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機410拍攝之影像的資料計算晶圓W之偏心量。晶圓W之偏心量係晶圓W之中心與基板保持機構82之旋轉中心的偏移量。例如，晶圓W之中心位置相對基板保持機構82之旋轉中心偏移時，晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd產生不均一切削寬度。如圖14所示地，該不均一切削寬度相對晶圓W之周方向呈現正弦波狀。因此，分析部5103可依據該正弦波之振幅計算晶圓W之偏心量。
此外，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機410拍攝之影像的資料檢測晶圓W之頂面Wa之周緣區域Wd及端面Wc的缺陷。晶圓W具有缺陷時，缺陷部份呈現與周圍不同之顏色。因此，分析部5103可例如檢測與相鄰像素之像素值差為臨界值以上的像素區域作為缺陷部分。
同樣地，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機510拍攝之影像的資料檢測晶圓W之底面Wb之周緣區域We的缺陷。
此外，分析部5103亦可由檢出之缺陷部分的形狀特定缺陷之種類。缺陷之種類包括刮傷及缺口等。
另外，分析部5103依據影像資料5202中藉由攝影機510拍攝之影像的資料計算晶圓W之翹曲量。例如，分析部5103可由晶圓W之端面Wc的形狀計算晶圓W之翹曲量。
分析部5103將該等分析結果記憶於記憶部52中作為分析資料5203。
＜回饋部＞ 回饋部5104依據記憶於記憶部52中之分析資料5203變更製程資料5201，藉此修正在周緣部處理中由上側噴嘴831及下側噴嘴832吐出藥液至晶圓W之頂面周緣部及底面周緣部的時間。
例如，回饋部5104依據晶圓W之頂面周緣部及端面Wc中的膜去除程度變更製程資料5201，藉此增加周緣部去除處理時藥液由上側噴嘴831及下側噴嘴832吐出之時間。藉此，可使藥液對以後處理之晶圓W的吐出時間最佳化。
此外，回饋部5104依據晶圓W之底面Wb中的膜去除程度變更製程資料5201，藉此延長底面去除處理時藥液由供給部93吐出之時間。藉此，可使藥液對以後處理之晶圓W的吐出時間最佳化。
另外，回饋部5104依據分析資料5203中之切削寬度的資訊變更製程資料5201，藉此調整周緣部去除處理時上側噴嘴831及下側噴嘴832之位置。例如，分析資料5203包含之切削寬度(最大值Hmax與最小值Hmin之平均值)比預定之切削寬度大時，修正上側噴嘴831及下側噴嘴832之位置，使由上側噴嘴831及下側噴嘴832吐出之藥液供給至晶圓W之外周側。換言之，藉由變更第一移動機構833及第二移動機構834之上側噴嘴831及下側噴嘴832的移動量，修正周緣部處理中之上側噴嘴831及下側噴嘴832的處理位置。藉此，可使藥液對以後處理之晶圓W的吐出位置最佳化。
此外，回饋部5104依據分析資料5203中之切削寬度的資訊變更製程資料5201，藉此修正晶圓W相對周緣部處理單元18之基板保持機構82的水平位置。
例如，回饋部5104修正晶圓W吸附保持在基板保持機構82上的位置，使0度旋轉位置之切削寬度與180度旋轉位置之切削寬度的差減少且使90度旋轉位置之切削寬度與270度旋轉位置之切削寬度的差減少。藉此，可修正藉由第二搬送裝置17將晶圓W載置在基板保持機構82中的動作且可抑制以後處理之晶圓W的偏心。
此外，雖然在此藉由修正第二搬送裝置17之動作來抑制晶圓W之偏心，但修正對象不限於第二搬送裝置17之動作。例如，周緣部處理單元18具有調整晶圓W之水平位置的調整機構時，藉由修正該調整機構之動作，可修正吸附保持在基板保持機構82上之晶圓W的位置。
＜顯示控制部＞ 顯示控制部5105依據例如使用者對操作部6之操作，由記憶部52取出影像資料5202並顯示於顯示部7中。藉此，使用者可確認晶圓W之頂面Wa及底面Wb的周緣區域Wd、We以及端面Wc的狀態。此外，顯示控制部5105依據例如使用者對操作部6之操作，由記憶部52取出分析資料5203並顯示於顯示部7中。藉此，使用者可確認分析部5103之分析結果。
此外，操作部6係例如鍵盤及觸控面板等，顯示部7係例如液晶顯示器。操作部6及顯示部7可安裝在基板處理系統1中，亦可設置在遠離基板處理系統1的地方。
＜傳送部＞ 傳送部5106透過例如LAN(Local Area Network(區域網路))等之網路發送記憶於記憶部52之影像資料5202及分析資料5203至外部裝置8。此外，傳送部5106可在每次影像資料5202或分析資料5203記憶於記憶部52中時，發送新記憶之影像資料5202或分析資料5203至外部裝置8。另外，傳送部5106亦可例如發送藉由使用者對操作部6之操作選擇的影像資料5202或分析資料5203至外部裝置8。
如上所述地，本實施形態之基板處理系統1(基板處理裝置之一例)具有：搬出入站2、傳送站3、處理站4及拍攝單元15。搬出入站2具有由匣盒C取出並搬送晶圓W(基板之一例)之第一搬送裝置13。傳送站3配置成與搬出入站2相鄰，且具有載置藉由第一搬送裝置13搬送之晶圓W的基板載置部14。處理站4配置成與傳送站3相鄰，且具有由基板載置部14取出並搬送晶圓W之第二搬送裝置17及處理藉由第二搬送裝置17搬送之晶圓W的多數之周緣部處理單元18及底面處理單元19(處理單元之一例)。拍攝單元15配置在傳送站3中，且拍攝晶圓W之頂面Wa及底面Wb中之一面的周緣部及晶圓W之端面Wc。
此外，本實施形態之基板處理系統1(基板處理裝置之一例)具有：匣盒載置部11、周緣部處理單元18(處理單元之一例)、搬送部12、傳送站3及搬送部16(搬送區域之一例)及拍攝單元。匣盒載置部11載置收容多數之晶圓W(基板之一例)之匣盒C。周緣部處理單元18清洗或蝕刻由匣盒C取出之晶圓W的周緣部。搬送部12、傳送站3及搬送部16設置在匣盒載置部11與周緣部處理單元18之間且搬送晶圓W。拍攝單元15設置在傳送站3中，並拍攝藉由周緣部處理單元18處理之晶圓W的頂面Wa及底面Wb中之一面的周緣部以及晶圓W之端面Wc。
因此，依據本實施形態之一態樣，可抑制裝置之大型化且確認晶圓W之周緣部的狀態。
＜變形例＞ 雖然在上述實施形態中，在周緣部處理單元18之周緣部去除處理後及底面處理單元19之底面去除處理後，分別進行拍攝單元15之拍攝處理，但進行拍攝處理之時間不限於上述例子。
以下，參照圖20至圖22說明進行拍攝處理之時間的變形例。圖20係顯示第一變形例之基板處理系統1中的晶圓W流程圖，圖21係顯示第二變形例之基板處理系統1中的晶圓W流程圖，且圖22係顯示第三變形例之基板處理系統1中的晶圓W流程圖。
此外，在以下之說明中，與已說明之部分同樣的部分賦予與已說明之部分相同的符號，並省略重複之說明。
例如，如圖20所示地，基板處理系統1可未進行周緣部去除處理後之拍攝處理，而是在結束底面處理單元19之底面去除處理後，進行拍攝處理。藉此，可藉由一次拍攝處理確認周緣部去除處理及底面去除處理後之晶圓W的狀態。
此外，如圖21所示地，基板處理系統1可不僅在底面處理單元19之底面去除處理後，亦在周緣部處理單元18之周緣部去除處理前進行拍攝單元15之拍攝處理。
此時，分析部5103依據周緣部去除處理前後之影像資料5202的差，可更精確地檢測晶圓W之缺陷。例如，分析部5103依據底面去除處理後之影像資料5202檢出缺陷時，比較檢出之缺陷部份與周緣部去除處理前之影像資料5202中之上述檢出缺陷之部分的相同部分。接著，兩者無變化時，分析部5103檢出該部分作為有缺陷之部分。
此外，如圖22所示地，基板處理系統1可不進行周緣部處理單元18之周緣部去除處理及底面處理單元19之底面去除處理，只進行拍攝處理。即，基板處理系統1可將在另一裝置中處理周緣部及底面等之晶圓W搬入拍攝單元15，並在對該晶圓W進行拍攝處理後，使其返回匣盒C。
在上述實施形態中，使用第一拍攝子單元400拍攝晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd及端面Wc，且使用第二拍攝子單元500拍攝晶圓W之底面Wb的周緣區域We。但是，不限於此，可藉由使第一拍攝子單元400及第二拍攝子單元500之配置上下反轉，使用第一拍攝子單元400拍攝晶圓W之底面Wb的周緣區域We及端面Wc，且使用第二拍攝子單元500拍攝晶圓W之頂面Wa的周緣區域Wd。
此外，在上述實施形態中，雖然將拍攝單元15配置在傳送站3中，但亦可將拍攝單元15配置在傳送站3以外之搬送區域，例如搬送部12及搬送部16等。
所屬技術領域中具有通常知識者可輕易地導出另外之效果及變形例等。因此，本發明之更廣泛的態樣不限於如上所示及所述之特定細節及代表實施形態。因此，在不脫離由添附申請專利範圍及其均等物定義之總發明概念的精神或範圍的情形下，可進行各種變更。
1‧‧‧基板處理系統 2‧‧‧搬出入站 3‧‧‧傳送站 4‧‧‧處理站 4L‧‧‧第二處理站 4U‧‧‧第一處理站 5‧‧‧控制裝置 6‧‧‧操作部 7‧‧‧顯示部 8‧‧‧外部裝置 11‧‧‧匣盒載置部 12‧‧‧搬送部 13‧‧‧第一搬送裝置 14‧‧‧基板載置部(SBU) 15‧‧‧拍攝單元(CAM) 16‧‧‧搬送部 17‧‧‧第二搬送裝置 18‧‧‧周緣部處理單元(CH1) 19‧‧‧底面處理單元(CH2) 51‧‧‧控制部 52‧‧‧記憶部 71、74‧‧‧閥 72、75‧‧‧流量調整器 73、76‧‧‧藥液供給源 81、91‧‧‧腔室 82、92‧‧‧基板保持機構 83、93‧‧‧供給部 84、94‧‧‧回收杯 100‧‧‧底板 110‧‧‧開口部 200‧‧‧旋轉保持子單元 201‧‧‧保持台 202‧‧‧致動器 300‧‧‧缺口檢測子單元 310‧‧‧橫溝 320‧‧‧發光元件 330‧‧‧受光元件 400‧‧‧第一拍攝子單元 410、510‧‧‧攝影機 411、511‧‧‧透鏡 412、512‧‧‧拍攝元件 420、520‧‧‧照明模組 421、522‧‧‧光源 421a‧‧‧框體 421b‧‧‧LED點光源 422‧‧‧光散射構件 422a、423a‧‧‧貫穿口 422b‧‧‧鏡面部份 423‧‧‧保持構件 423b‧‧‧交叉孔 424、521‧‧‧半鏡 425‧‧‧圓柱透鏡 426‧‧‧光擴散構件 427‧‧‧焦點調節透鏡 430‧‧‧鏡構件 431‧‧‧本體 432‧‧‧反射面 500‧‧‧第二拍攝子單元 811、911‧‧‧FFU(風扇過濾器單元) 821、921‧‧‧保持部 822、922‧‧‧支柱構件 823、923‧‧‧驅動部 831‧‧‧上側噴嘴 832‧‧‧下側噴嘴 833‧‧‧第一移動機構 834‧‧‧第二移動機構 841、941‧‧‧排液口 842、942‧‧‧排氣口 921a‧‧‧把持部 5101‧‧‧製程實行部 5102‧‧‧影像取得部 5103‧‧‧分析部 5104‧‧‧回饋部 5105‧‧‧顯示控制部 5106‧‧‧傳送部 5201‧‧‧製程資料 5202‧‧‧影像資料 5203‧‧‧分析資料 C‧‧‧匣盒 Hmax‧‧‧切削寬度最大值 Hmin‧‧‧切削寬度最小值 S01~S07、S101、S102‧‧‧步驟 W‧‧‧晶圓 Wa‧‧‧頂面 Wb‧‧‧底面 Wc‧‧‧端面 Wd、We‧‧‧周緣區域 Wd1‧‧‧藥液供給之區域 Wd2‧‧‧藥液未供給之區域 Wn‧‧‧缺口
圖1係本實施形態之基板處理系統的示意平面圖。 圖2係本實施形態之基板處理系統的示意側面圖。 圖3係周緣部處理單元之示意圖。 圖4係底面處理單元之示意圖。 圖5係由側方看基板載置部及拍攝單元之示意圖。 圖6係由上方看拍攝單元之示意圖。 圖7係由側方看拍攝單元之示意圖。 圖8係由斜上方看第一拍攝子單元及第二拍攝子單元之示意圖。 圖9係由斜上方看第一拍攝子單元及第二拍攝子單元之示意圖。 圖10係由側方看第一拍攝子單元之示意圖。 圖11係由側方看照明模組及鏡構件之示意圖。 圖12係顯示在鏡構件反射來自照明模組之光之情形的示意圖。 圖13係顯示在鏡構件反射來自晶圓之光之情形的示意圖。 圖14係顯示藉由第一拍攝子單元拍攝之一拍攝影像例的示意圖。 圖15係由側方看第二拍攝子單元之示意圖。 圖16係顯示控制裝置之一結構例的方塊圖。 圖17係顯示本實施形態之基板處理系統中的晶圓流程圖。 圖18係顯示在拍攝單元中實行之一連串處理之流程的流程圖。 圖19係顯示拍攝處理之流程的時間圖。 圖20係顯示第一變形例之基板處理系統中的晶圓流程圖。 圖21係顯示第二變形例之基板處理系統中的晶圓流程圖。 圖22係顯示第三變形例之基板處理系統中的晶圓流程圖。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬出入站
3‧‧‧傳送站
4‧‧‧處理站
4L‧‧‧第二處理站
4U‧‧‧第一處理站
11‧‧‧匣盒載置部
12‧‧‧搬送部
14‧‧‧基板載置部(SBU)
15‧‧‧拍攝單元(CAM)
19‧‧‧底面處理單元(CH2)
C‧‧‧匣盒
W‧‧‧晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為包含：搬出入站，具有由匣盒取出並搬送基板之第一搬送裝置；傳送站，配置成與該搬出入站相鄰，且具有：基板載置部，用來載置藉由該第一搬送裝置搬送之該基板；處理站，配置成與該傳送站相鄰，且具有：第二搬送裝置，由該基板載置部取出並搬送該基板；及多數之處理單元，用來處理藉由該第二搬送裝置所搬送之該基板；拍攝單元，與該基板載置部於高度方向上重疊配置在該傳送站中，用來拍攝該基板的頂面與底面的其中之一面的周緣部及該基板的端面；及分析部，分析藉由該拍攝單元所拍攝的影像；該多數之處理單元中之至少一者，係由包含該基板的周緣部及端面的斜角部蝕刻去除膜之周緣部處理單元；該拍攝單元具有：開口部，向收容有該第二搬送裝置的搬送部開口，以讓該第二搬送裝置進行該基板對該拍攝單元的搬入搬出；旋轉保持子單元，可旋轉地保持該基板；及拍攝子單元，配置於該第二搬送裝置及該旋轉保持子單元間之該基板的傳送位置的周圍，於該傳送位置中，拍攝該旋轉保持子單元所保持的該基板的頂面與底面的其中之一面的周緣部及該基板的端面；該分析部，依據該影像，執行該基板的頂面與底面的其中之一面的周緣部及該 基板的端面中之該膜的去除程度的判定及去除寬度的計算中之至少一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該拍攝單元配置在該基板載置部之下方。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該多數之處理單元中之至少一者，係處理該基板的底面的底面處理單元；該拍攝單元包括：拍攝該基板的頂面的周緣部及該基板的端面之第一拍攝子單元、及拍攝該基板的底面的周緣部之第二拍攝子單元，以作為該拍攝子單元；該第一拍攝子單元及該第二拍攝子單元，係配置於該傳送位置的周圍。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，更包含：控制部，控制該第二搬送裝置、該周緣部處理單元及該拍攝單元；該控制部執行下述處理：控制該周緣部處理單元，由該斜角部蝕刻去除膜；控制該第二搬送裝置，由該周緣部處理單元取出該基板，並將取出的該基板搬送至該拍攝單元；控制該第一拍攝子單元，拍攝該基板的頂面及該基板的端面；控制該第二搬送裝置，由該拍攝單元取出該基板，並將取出的該基板搬送至該底面處理單元；控制該底面處理單元，處理該基板的底面；控制該第二搬送裝置，由該底面處理單元取出該基板，並將取出的該基板搬送 至該拍攝單元；控制該第二拍攝子單元，拍攝該基板的底面的周緣部；及控制該第二搬送裝置，由該拍攝單元取出該基板，並將取出的該基板載置於基板載置部。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，更包含：回饋部，依據該分析部所進行的分析結果，變更該周緣部處理單元中藥液對該基板的吐出時間。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該拍攝單元具有：鏡構件，使來自該基板之端面的反射光反射；及一側拍攝部，藉由分別接受來自該基板之該一面之周緣部的反射光及來自該鏡構件的反射光，以同時拍攝該基板之該一面的周緣部與端面。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該拍攝單元具有另一面側拍攝部，該另一面側拍攝部用來拍攝該基板頂面與底面其中之另一面的周緣部。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具有調整機構，該調整機構調整相對於該拍攝單元之拍攝範圍的該基板之旋轉位置。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，該調整機構具有：旋轉保持部，其吸附保持該基板並使其旋轉；及 檢測部，其檢測形成在該基板中之缺口部，該拍攝單元一方面使用該旋轉保持部吸附保持該基板並使其旋轉，一方面使用該檢測部檢測該缺口部，並依據檢測結果調整該基板之旋轉位置。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該拍攝單元在調整該基板之旋轉位置之後，一方面使用該旋轉保持部使該基板旋轉，一方面遍及該基板之全周地拍攝該基板的該其中之一面的周緣部及端面。
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