TWI751287B - 次氯酸鈉五水合物之晶體及其製造方法 - Google Patents

次氯酸鈉五水合物之晶體及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種次氯酸鈉五水合物之晶體及其製造方法,其改良了有效作為氧化劑或殺菌劑之次氯酸鈉五水合物在常溫附近的安定性而可長期保存。 本發明之次氯酸鈉五水合物之晶體在利用CuKα射線源之粉末X射線繞射測定下,於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內於請求項1之表1所示繞射角位置出現尖峰。

Description

次氯酸鈉五水合物之晶體及其製造方法
本發明涉及一種高安定性次氯酸鈉五水合物之晶體及其製造方法。
次氯酸鈉(NaOCl)已知具有優良的殺菌作用或漂白作用,於泳池、自來水管、下水道、及家庭用等之殺菌用途,還有在製紙工業、纖維工業等之漂白用途,係作為排水處理用藥品使用,又於有機合成領域亦廣泛作為氧化劑來使用。泛用級次氯酸鈉在工業上以有效氯濃度12質量%左右的水溶液市售,含有約12質量%左右之副產物氯化鈉(NaCl)。又,於淨水或殺菌劑用途上,市售有氯化鈉濃度4質量%以下或2質量%以下的低氯化鈉之次氯酸鈉水溶液。
日本之自來水係依水道法中的自來水水質管理,維護安全的飲水環境。水道法第4條中,訂定經自來水管供給之水的要件,並於「水質基準相關省令」(平成15年5月30日厚生勞動省令第101號)具體規範。 自來水所採用之自來水管用藥品評價方法,係以「水道用藥品評價用試驗方法準則」(平成12年3月31日衛水第21號水道整備課長通知)規範。 日本水道規格(JWWA)中,規定了淨水用藥劑的品質。作為淨水用藥劑,通常廣泛使用次氯酸鈉水溶液,其所含不純物──溴酸或氯酸──係經加強規制,次氯酸鈉水溶液的規格經修訂有1級、特級的規格。新制定的特級規格中,嚴格限制次氯酸鈉水溶液的溴酸10mg/kg以下、氯酸2000mg/kg以下。
像這樣不純物濃度極低並具有預定有效氯濃度的高純度次氯酸鈉水溶液之製造方法,已知有將次氯酸鈉以次氯酸鈉五水合物的形式析出成結晶,並將所得次氯酸鈉五水合物的結晶溶解於水中的方法(專利文獻2)。 已知作為不純物的氯酸鈉是在水溶液中由下式記載之不均化反應生成。已知該反應是次氯酸鈉的濃度越高越容易起反應,保存溫度越高越容易起反應,而且一旦有氯化鈉共存便容易起反應。即,在水溶液的情形時,由於氯酸鈉在保存中無可避免地會增加,故為了抑制其生成,依然作成其大致為12質量%左右的水溶液流通。 3NaOCl → NaClO3 + 2NaCl (式1)
若能以安定且高濃度之次氯酸鈉五水合物(理論有效氯濃度43.1質量%)的形態流通,便能將不含溴酸鈉或氯酸鈉的高純度次氯酸鈉供給自來水用。又,經由高濃度輸送能夠提升輸送效率,在作成有機合成用氧化劑使用時可預期反應槽的容積效率提升或排水量縮減。 然後,傳統的次氯酸鈉五水合物在室溫附近的安定性差,有保存中發生分解的問題。
非專利文獻1中,將50%質量氫氧化鈉在1℃~3℃下氯化,並將析出的氯化鈉在溫度10℃下過濾,將濾液強冷獲得帶綠色之黃色結晶,將該所獲得之帶綠色黃色結晶濾出後以水進行再結晶,獲得次氯酸鈉五水合物結晶的針狀結晶(熔點25.5℃)。再者其X射線結構解析結果亦已報導,即五水合物結晶係採正交晶系之簡單晶格,單位晶格的大小分別為a=8.08Å、b=16.06Å、c=5.33Å,空間群採Pmm2、Pmmm、P222任一者,晶格中填充4單元之次氯酸鈉五水合物。又,同文獻中揭示,Fehér及Tharpa'i於1944年報導單位晶格的大小為a=7.91、b=15.84、c=5.28Å。
非專利文獻2中,於24質量%氫氧化鈉水溶液中分次追加固態氫氧化鈉並灌入氯,製造有效氯為30%質量以上的次氯酸鈉水溶液,濾取析出的氯化鈉後,以乾冰冷卻該溶液之一部份,作出次氯酸鈉五水合物之結晶核,放回原來的溶液,藉此獲得淺黃色針狀結晶的次氯酸鈉五水合物。非專利文獻2中,將該有效氯濃度40.1質量%之次氯酸鈉五水合物保存在溫度10℃大氣密閉下,檢驗保存安定性。第1天有效氯濃度減少至38.6質量%,第7天有效氯濃度降低至36.2質量%,未獲得保存安定性。
專利文獻1中,一邊添加48質量%氫氧化鈉水溶液一邊進行氯化,將所析出之氯化鈉分離,製造具有20質量%以上(實施例1為25.2質量%)之有效氯的次氯酸鈉溶液,將其冷卻並保持在-10~5℃,將所析出之結晶離心分離,獲得次氯酸鈉五水合物結晶。專利文獻1揭示次氯酸鈉五水合物於21~24℃下的安定性,起始時有效氯濃度為41.3質量%,第7天減少至20.8質量%,保存安定性仍低。
專利文獻2揭示次氯酸鈉五水合物的製造方法。該方法之概要,係如下述之次氯酸鈉五水合物之製法:於氯化步驟將氯氣導入38~60重量%氫氧化鈉水溶液中,於反應溫度25~30℃下進行氯化,分離去除所析出之副產氯化鈉結晶,回收次氯酸鈉濃度30~38重量%的高濃度次氯酸鈉水溶液;於晶析步驟,在冷卻器與結晶器成一體的晶析槽中,將上述高濃度次氯酸鈉水溶液在次氯酸鈉五水合物之種晶的存在下冷卻至冷卻溫度10~22℃,使次氯酸鈉五水合物析出,接著進行固液分離,獲得次氯酸鈉五水合物。
專利文獻3揭示次氯酸鈉五水合物之製造方法。該方法之概要,特徵在於包含下述步驟:氯化步驟,將氯氣導入48質量%氫氧化鈉水溶液,進行氯化反應;分離步驟(1),將氯化步驟所析出之副產氯化鈉從反應液分離,獲得濾液1;晶析步驟(1),將濾液1冷卻,在種晶存在下於15℃使高純度次氯酸鈉五水合物之結晶1析出;分離步驟(2),從經過晶析步驟(1)之反應液中將結晶1分離並回收,同時獲得濾液2;晶析步驟(2),在次氯酸鈉五水合物之種晶存在下於5℃冷卻濾液2,使高純度次氯酸鈉五水合物之結晶2析出;分離步驟(3),從經過晶析步驟(2)之反應液中將結晶2分離並回收,同時獲得濾液3。即,特徵在於以2階段使次氯酸鈉五水合物析出。 專利文獻2及3任一者均僅灌入氯氣使次氯酸鈉五水合物析出,未曾提及其五水合物結晶的安定性。
專利文獻4揭示高純度次氯酸鈉五水合物及其製造方法。該方法具有:第1步驟,使45質量%以上之氫氧化鈉水溶液與氯氣於pH=10以上發生反應,獲得母液;第2步驟,從母液將氯化鈉固液分離;第3步驟,將氫氧化鈉與種晶添加在已設於預定之冷卻起始溫度之母液(有效氯濃度20質量%以上);第4步驟,至預定之冷卻結束溫度為止以1~20℃/小時的冷卻速度將母液冷卻,使次氯酸鈉五水合物結晶析出;第5步驟,從次氯酸鈉五水合物結晶將次氯酸鈉固液分離。 專利文獻4有檢驗溫度22℃下的安定性。起始時有效氯濃度為41.5質量%,第7天為39.4質量%,第14天減少至32.5質量%。而且專利文獻4雖記述製造出歷經三個月以上仍安定的次氯酸鈉五水合物,但其為在溫度15℃下的微冷藏下保存條件的結果,難謂在室溫附近具安定性。又,即便在溫度15℃下,歷經三個月時,有效氯濃度降低至29.7~36.5質量%。
如這些文獻所示,要製造在室溫附近安定的次氯酸鈉五水合物相當困難,由於要抑制以不均化反應為主的分解反應很困難,故在輸送、保存五水合物上需要冷卻設備成本及冷卻運轉成本,造成製品成本的上升。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特公昭第48-42797號公報 專利文獻2:日本特開第2000-290003號公報 專利文獻3:日本特開第2015-124108號公報 專利文獻4:日本特開第2014-169215號公報
非專利文獻 非專利文獻1:Acta Crystallographica, 1962, 15, 1188. 非特許文獻2:佐世保高專研究報告, 1970, 7, 133。
發明欲解決之課題 本發明之目的在於提供一種將次氯酸鈉五水合物之結晶結構作成較習知物更安定而保存安定性高的次氯酸鈉五水合物。
用以解決課題之手段 發明人等檢討了迄今報導之次氯酸鈉五水合物結晶的製造方法,為能製造具有更安定之結晶結構的次氯酸鈉五水合物之晶體而精心鑽研,結果發現可獲得保存安定性高之結構之晶體,終至完成本發明。
(1) 一種次氯酸鈉五水合物之晶體,係在使用CuKα 射線源的粉末X射線繞射測定下,於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,在表1所示繞射角位置出現尖峰。 [表1]
Figure 02_image001
(2) 一種次氯酸鈉五水合物之晶體,係於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,在表2所示繞射角位置出現尖峰。 [表2]
Figure 02_image003
(3)如前述(2)所記載之次氯酸鈉五水合物之晶體,其於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,進一步在表3所示繞射角位置出現尖峰。 [表3]
Figure 02_image005
(4) 如前述(1)~(3)中任一項所記載之次氯酸鈉五水合物之晶體,其結晶結構為正交晶系,並具有簡單晶格且單位晶格大小為a=16.3±0.1(Å)、b=5.4±0.1(Å)、c=16.2±0.1(Å)。 (5) 一種次氯酸鈉五水合物結晶粒子之製造方法,特徵在於包含: 第1步驟,將氯導入40~48質量%氫氧化鈉水溶液,在反應溫度20~32℃下進行氯化,其中係將經空氣稀釋的氯分成二階段導入; 第2步驟,將包含已析出之副產氯化鈉結晶的漿料固液分離,回收次氯酸鈉濃度28質量%以上的次氯酸鈉水溶液; 第3步驟,於冷卻器與結晶器成一體之晶析槽中,將包含前述第2步驟中所回收之次氯酸鈉五水合物的水溶液冷卻至冷卻溫度5~25℃,使次氯酸鈉五水合物析出; 第4步驟,將前述第3步驟中已析出之次氯酸鈉五水合物結晶固液分離,獲得次氯酸鈉五水合物結晶粒子。 發明效果
依據本發明,可製造即便在室溫附近亦安定的次氯酸鈉五水合物,故能省下保存時的冷卻設備,而冷卻運轉成本縮減及輸送時冷卻成本縮減即為可能。
以下,詳細說明有關本發明之安定的次氯酸鈉五水合物之製造方法之製造方法。
[安定的次氯酸鈉五水合物之製造方法] 本發明之次氯酸鈉五水合物之晶體之製造方法係如圖1所示,包含氯化步驟(第1步驟)、氯化鈉分離步驟(第2步驟)、晶析步驟(第3步驟)、及固液分離步驟(第4步驟)。
[氯化步驟(第1步驟)] 氯化步驟係藉由將氯氣導入氫氧化鈉水溶液進行下式之反應,而獲得次氯酸鈉水溶液。 2NaOH + Cl2 → NaOCl + NaCl + H2 O (式2) 本發明之反應步驟中,亦可以單槽進行連續氯化,但必須採用具有將作為原料之氫氧化鈉水溶液氯化的第一氯化步驟及將該步驟所得第一反應液進一步氯化之第二氯化步驟的2段式CSTR(continuous stirred tank reactor)。又,亦可利用3段以上的CSTR。
第1氯化步驟中,宜使用濃度40~48質量%的氫氧化鈉,而反應溫度方面,為能抑制次氯酸鈉的分解宜設為20~32℃。若為該範圍,則氯化反應能順利進行並可抑制隨不均化反應而生成氯酸鈉等,得以製造不純物少的亞氯酸鈉五水合物結晶。第1氯化步驟係進行氯化反應以使次氯酸鈉濃度29質量%以上且氫氧化鈉濃度 3~6質量%。完成的反應混合液送往第2氯化步驟。
前述氯氣可使用經氮或大氣等稀釋者,惟宜利用經空氣稀釋者。藉由以空氣稀釋氯氣並投入反應器中,可讓氣液界面因氯的反應所致的發熱緩和,而抑制氯酸鈉等副產物的生成。若是利用洗淨器(scrubber)等的情形,氯氣與空氣不事先混合而是分別灌入,亦能發揮該效果。而若是以注入器等灌入的情形,灌入前即刻的混合亦可與之對應。氯氣的稀釋倍率係以氯氣/大氣之體積比率0.5~1.0為佳。一旦比率小於0.5,便會導致生產性的惡化;一旦比率大於1.0,氯酸鈉等副產物的生成量便會增加。藉由以空氣稀釋,空氣中的二氧化碳會溶入氫氧化鈉中,變成使碳酸鈉共存。
氯化步驟的反應液溫宜為20~30℃之範圍,至次氯酸鈉濃度為23~27質量%、氯化鈉濃度為22~26質量%、氫氧化鈉濃度為1.1~1.5質量%為止,進行氯化。完成液為析出過飽和成分之氯化鈉的漿料。
藉由將第1步驟氯化步驟分成二階段或三階段,便可抑制氣液界面因過度加熱所致之次亞氯酸的分解,有易於對反應結束液進行組成控制的優點。
[氯化鈉分離步驟 (第2步驟)] 氯化鈉分離步驟中,從氯化結束液將氯化鈉固液分離後之物,係作為接下來晶析步驟的母液。具體而言,經氯化生成的次氯酸鈉水溶液係大量含有副產氯化鈉結晶。在此氯化鈉分離步驟沒有特別限定,可例如利用離心分離機或過濾機等進行固液分離。在將所得濾液送液至次步驟的晶析裝置時最好進行預冷。目的在於藉由預冷來降低次步驟之晶析槽的除熱量,宜令濾液溫度為晶析起始溫度+2℃以內、較佳為晶析起始溫度+0~+1℃以內。一旦使預冷溫度在晶析起始溫度以下,便會容易有結晶在熱交換器內析出、發生管線凍結的狀況。 從次步驟所進行之晶析效率的關係來看,氯化鈉分離後的次氯酸鈉溶液濃度宜為28質量%以上,較佳為30質量%以上34質量%以下為宜。在34質量%以上時,時有由於次氯酸鈉溶液呈過飽和而在冷卻器表面結垢,導致傳熱效率惡化的狀況,宜利用軟水進行稀釋。
[晶析步驟(第3步驟)] 本發明中,係將已實施前步驟(第2步驟)之次氯酸鈉水溶液(固液分離步驟的濾液)導入晶析裝置進行晶析。 該晶析起始溫度理想為5℃以上且25℃以下,較佳為10℃以上且24℃以下。批次處理使其析出時,較理想的是由15℃~22℃左右的溫度使其析出。 將前步驟所得次氯酸鈉的濾液冷卻至晶析起始溫度,將作為種晶的次氯酸鈉五水合物之結晶以籽晶添加比Cs=0.04~0.08(Cs=Ws/Wth:Ws籽晶量、Wth:理論析出量)的方式投入。此時,即便未放入種晶也無特別問題,不過基於抑制晶析於晶析槽壁面發生並提升晶析速度為目的,亦可如上述般使用少量的種晶。關於冷卻,為了防止因過冷卻致使在冷卻器表面結垢,可藉由控制冷媒溫度使得母液溫度與冷媒溫度的溫度差ΔT為3~4℃,並同時自晶析起始時的液溫歷時4~6小時冷卻至10~15℃,而獲得次氯酸鈉五水合物的漿料水溶液。
[分離步驟(第4步驟)] 本發明可使用離心分離機,將晶析步驟所得之含次氯酸鈉五水合物結晶的漿料水溶液固液分離,獲得在室溫附近安定的次氯酸鈉五水合物結晶。離心分離條件方面,離心效果越大,結晶的附著液量越少,故宜以離心效果1000G以上實施固液分離,較佳宜以1500G以上實施。 此外,與二氧化碳的過剩接觸會有致使次氯酸鈉五水合物結晶分解的危險,故宜於密閉系統或氮氣環境下進行分離步驟。不過,與可中和附著之苛性成分之用量以下的二氧化碳相接觸沒有問題。
於20℃下測定由此所得之次氯酸鈉五水合物結晶的安定性,結果初始有效氯濃度42.1質量%的次氯酸鈉五水合物,即便在1週後仍有41.6質量%的有效氯濃度,可確認有效的保存安定性。
對於如上述般製成之次氯酸鈉五水合物結晶,在液態氮冷卻下以X射線繞射測定結晶結構。再使用藉由裏特沃爾德法與密度泛函理論(DFT)計算的分子動力學(MD)模擬,解析將所得數據。解析方法的細節及結果如下。
(1)解析所用裝置(公司名 型號) Rigaku股份公司,UltimaIII(CuKα 射線(λ=1.5418Å)源,40kV, 40mA) (2)試料的處理程序 以液態氮將研鉢與鉢棒冷至-100℃左右,研磨試料30分鐘,將其粉末化。將試料填充於玻璃製試料托座,其為平板狀並具有深度2mm之凹洞。到此為止的作業均在乾燥氮氣環境的手套箱內進行。於已預先冷至-150℃之X射線裝置內的試料台載置試料托座,一邊控溫一邊進行粉末X射線繞射測定。
(3)所用解析軟體(公司名 軟體名) 粉末X射線繞射圖的指標化(indexing)係使用BIOVIA公司的Materials Studio X-Cell以及Bruker公司的TOPAS。初始結構構型的探索及空間群的決定係使用Bruker公司的TOPAS。粉末X射線繞射圖的裏特沃爾德解析係使用BIOVIA公司的Materials Studio Reflex。利用DFT計算之氫原子座標的最適化及MD模擬係使用BIOVIA公司的Materials Studio Castep。解析方法的細節及結果如下。 (4)解析法 經由從粉末X射線繞射圖的低角度側起讀取約20個尖峰之繞射角進行指標化,獲得斜方晶(=正交晶)的晶格。分別就消光條件容許的各種空間群候補,檢驗是否可建構能再現X射線繞射圖尖峰強度的結構構型。已知結果係空間群Pbca為最適者。 利用裏特沃爾德解析對所得之結構構型將晶格常數與氫以外的原子座標最適化。利用由DFT計算之結構最適化與焓的計算來推定水分子之氫原子座標。對所得結構構型進行利用DFT計算的MD模擬,確認構型為安定的。
(5)解析結果 所得結構構型採正交晶系的簡單晶格,單位晶格的大小分別為a=16.3±0.1(Å)、b=5.4±0.1(Å)、C=16.2±0.1(Å)。此外,a、b、c的取法可循環交換。所以,軸的順序調換後a=16.2±0.1(Å)、b=16.3±0.1(Å)、c=5.4±0.1(Å),還有a=5.4±0.1(Å)、b=16.2±0.1(Å)、c=16.3±0.1(Å)亦為與之等價的晶格。 已知由此所得之次氯酸鈉五水合物與非專利文獻1所報導之結晶結構不同。即,該次氯酸鈉五水合物結晶的單位晶格具有與迄今已知之次氯酸鈉五水合物結晶不同的晶格。即可知,該次氯酸鈉五水合物結晶結構具有保存安定性。
本發明之次氯酸鈉五水合物之晶體的製造中,藉由進行上述從第1步驟至第3步驟的製造過程,可獲得在室溫附近安定的次氯酸鈉五水合物之晶體。 本發明的完成,必須檢討從第1步驟至第3步驟之各步驟中各種因素。無論本技術領域中具備通常知識者多麼努力,要提供長年期盼之在室溫附近安定的次氯酸鈉五水合物仍未能達成。即,必須檢討第1步驟中氯的灌入、氯的稀釋、所用NaOH的濃度、氯化溫度、氯化時間,再加上NaOCl、NaCl、NaOH等的最後組成各種因素;第2步驟中的結束溫度、NaOCl、NaCl等的最後組成、軟水稀釋各種因素;還有第3步驟中的運轉方式、晶析起始溫度、冷卻時間、冷卻速度、結束溫度各種因素。
本發明之發明人等,精心探究上述因素並精査的結果,特別是藉由在第1步驟中將氯的灌入設成二階段、並利用灌入空氣來實施氯的稀釋,在第2步驟中實施將NaOCl溶液控制在第3步驟之晶析起始溫度,在第3步驟中進行批次式的運轉方式,並控制冷卻時間、冷卻速度、結束溫度,從而成功獲得本發明之次氯酸鈉五水合物的結晶。又,第3步驟於籽晶存在中即便連續運轉,仍可獲得作為目標之安定的次氯酸鈉五水合物之晶體。其等之中何因素貢獻多少在達成目標上,目前無法確知,本發明人等如此變化各種因素,成功獲得作為目標之在室溫附近安定的次氯酸鈉五水合物結晶。此即清楚理解,就算如本技術領域中具備通常知識者仍無法輕易推知。 本發明實揭示了長年期盼之在室溫附近安定的新穎次氯酸鈉五水合物之結晶相關的技術思想。
以下,基於實施例進一步具體說明本發明,惟本發明不受此等實施例任何限制。
實施例1(發明例) 於氯化步驟(第1步驟),使用配備了攪拌器、洗淨器及外部循環型冷卻器的2段CSTR反應槽(容量3.5m3 ×2槽)。於其中以860kg/Hr投入作為原料之48質量%氫氧化鈉水溶液,同時以使殘留氫氧化鈉濃度為2質量%的方式,於洗淨器一邊調整供給量一邊導入業經空氣稀釋成1/2濃度的氯氣,以令反應溫度為24~30℃的方式一邊冷卻一邊進行氯化。此時,反應槽內的滯留時間約為720分鐘。
於氯化鈉分離步驟(第2步驟),對於以1188kg/hr自氯化步驟之反應槽抽出的反應物漿料藉離心分離器進行固液分離。藉此獲得934kg/hr之由經析出之氯化鈉254kg/hr、濃度35質量%的次氯酸鈉、濃度5.4質量%的氯化鈉構成的次氯酸鈉水溶液(濾液1)。 於濾液1添加軟水,調整成次氯酸鈉濃度31.9質量%、氯化鈉濃度4.9質量%、氫氧化鈉濃度1.5質量%。
於晶析步驟(第3步驟),對配備有攪拌器、套筒、線圈冷卻器及外部循環泵的鈦製晶析槽(容量7m3 )一邊將溫度調整成24℃調整一邊投入8942kg之前述濾液1,以使濾液1溫度與冷媒溫度之溫度差ΔT為3~4℃的方式起始冷卻,直至14℃為止歷時7小時間進行冷卻。於晶析槽內從19℃起觀察到有結晶生成。
於分離步驟(第4步驟),將晶析槽溫度保持在14℃並一邊將已自晶析步驟(第3步驟)之晶析槽抽出的漿料藉離心分離器進行固液分離。藉此,獲得高純度次氯酸鈉五水合物次氯酸鈉五和物結晶2850kg。晶析步驟(第3步驟)所用之次氯酸鈉水溶液、與由分離步驟(第4步驟)所得之次氯酸鈉五水合物的物性示於表4。
[表4]
Figure 107105560-A0304-0001
針對如此進行而製成之次氯酸鈉五水合物之晶體,在液態氮冷卻下以X射線繞射測定結晶結構。測定數據示於圖2。
該測定結果內強度最大的2θ=32.2°之計數設為100時,展現換算強度値5以上之強度的尖峰係如下表5。
[表5]
Figure 02_image007
再者,在相同基準下,展現1以上且低於5的尖峰係如下表6。
[表6]
Figure 02_image009
其等結果雖因測定條件等產生的誤差而會有數值些微出入的可能性,惟係顯示了本發明次氯酸鈉五水合物之晶體之結晶結構的特徵尖峰。 再將所得數據使用藉由裏特沃爾德法與密度泛函理論(DFT)計算的分子動力學(MD)模擬來進行解析。解析方法的詳細內容與結果係如前述,由解析所得之結構構型係採正交晶系之簡單晶格,空間群為Pbca,單位晶格大小分別為a=16.3±0.1(Å)、b=5.4±0.1(Å)、C=16.2±0.1(Å)。
若依據非專利文獻1,傳統的結晶係組構為a=8.08Å、b=16.06Å、c=5.33Å的正交晶格,並於其中含有4個單元之次氯酸鈉五水合物。將該文獻1自晶格計算的尖峰2θ位置與上表6所列者比對。結果在文獻1之晶格不可能出現之2θ位置,本發明之結晶係觀察到有多個尖峰。此即表示,本發明之結晶與文獻1之結晶,在作為結構基礎的結晶格子本身便不相同。該等尖峰示於下表7。即,由於習知結晶未出現如表7位置的尖峰,故可謂為表現本發明所述次氯酸鈉五水合物之結晶結構的特徵尖峰。尤其下表7中標為○的4個尖峰,強度亦高,容易辨別。
[表7]
Figure 02_image011
如上述般,可知實施例1之次氯酸鈉五水合物之晶體的結晶結構,係不同於非專利文獻1所報導之無保存安定性的習知次氯酸鈉五水合物結晶。
保存安定性試驗 將實施例1所得次氯酸鈉五水合物之晶體放入聚乙烯製的袋中抽氣,封入氮氣。再於具有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)/鋁(Al)/聚乙烯(PE)三重結構的生產日本社股份公司製的RAMIZIP(註冊商標)中抽氣,封入氮並將其密封。以20℃與22℃保存於三菱電機工程技術股份公司製低溫培養箱(型號:CN-25C)內。實施例1之次氯酸鈉五水合物之晶體、與作為比較例之先前技術文獻記載之次氯酸鈉五水合物的比較結果示於表8。作為比較例使用。 比較例1為以非專利文獻2記載之方法所得之次氯酸鈉五水合物。比較例2為以專利文獻1記載之方法所得之次氯酸鈉五水合物。比較例3為以專利文獻2記載之方法所得之次氯酸鈉五水合物。比較例4為以專利文獻4記載之方法所得之次氯酸鈉五水合物。
[表8]
Figure 02_image013
有效氯濃度、次氯酸鈉濃度的測定 有效氯濃度係依下述方法利用碘法算出。首先,於燒杯秤量約0.1g次氯酸鈉五水合物結晶,將其以約20mL離子交換水溶解。於其中加入約2.0g碘化鉀及10mL之50%醋酸水溶液。以0.1N硫代硫酸鈉水溶液(容量分析用)滴定游離碘。此時,以AmL為滴定所需要的0.1N硫代硫酸鈉水溶液,代入下式(1)中,藉此求出有效氯濃度(質量%)。 又,次氯酸鈉的濃度,係從前述求出之有效氯濃度利用下式(2)求出。
[數學式1]
Figure 02_image015
本發明之實施例1於保存安定性試驗中獲得最優良的結果。可想見其安定性係由結晶結構不同所致。
圖1係將有關本發明之次氯酸鈉五水合物之晶體製造步驟流程之一態樣作成概略圖,示於圖1。 圖2係以粉末X射線繞射法測定實施例1之次氯酸鈉五水合物結晶後的測定數據。

Claims (5)

  1. 一種次氯酸鈉五水合物之晶體,係在使用CuKα 射線源的粉末X射線繞射測定下,於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,在表1所示繞射角位置出現尖峰: [表1]
    Figure 03_image001
  2. 如請求項1之次氯酸鈉五水合物之晶體,其係於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,在表2所示繞射角位置出現尖峰: [表2]
    Figure 03_image003
  3. 如請求項2之次氯酸鈉五水合物之晶體,其係於10°≦2θ(繞射角)≦65°之範圍內,進一步在表3所示繞射角位置出現尖峰: [表3]
    Figure 03_image005
  4. 如請求項1至3中任一項之次氯酸鈉五水合物之晶體,其結晶結構為正交晶系,並具有簡單晶格且單位晶格大小為a=16.3±0.1(Å)、b=5.4±0.1(Å)、c=16.2±0.1(Å)。
  5. 一種次氯酸鈉五水合物結晶粒子之製造方法,特徵在於包含: 第1步驟,將氯導入40~48質量%氫氧化鈉水溶液,在反應溫度20~32℃下進行氯化,其係將經空氣稀釋的氯分成二階段導入; 第2步驟,將包含已析出之副產氯化鈉結晶的漿料固液分離,回收次氯酸鈉濃度28質量%以上的次氯酸鈉水溶液; 第3步驟,於冷卻器與結晶器成一體之晶析槽中,將包含前述第2步驟中所回收之次氯酸鈉五水合物的水溶液冷卻至冷卻溫度5~25℃,使次氯酸鈉五水合物析出; 第4步驟,將前述第3步驟中已析出之次氯酸鈉五水合物結晶固液分離,獲得次氯酸鈉五水合物結晶粒子。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210032638A (ko) 2019-09-17 2021-03-25 주식회사 만도 스티어 바이 와이어식 조향장치
US20210254315A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19 Aryav Ecofriendly Resources Pvt. Ltd. System and method for generating water from air

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201524894A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 Showa Denko Kk 高純度次氯酸鈉五水合物及次氯酸鈉水溶液之製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4842797B1 (zh) 1969-03-14 1973-12-14
JPS4842796B1 (zh) * 1969-03-20 1973-12-14
JPS533676B2 (zh) 1971-09-28 1978-02-08
US4071605A (en) * 1977-01-31 1978-01-31 Olin Corporation Process for the production of dibasic magnesium hypochlorite
FR2529875B1 (fr) 1982-07-12 1985-06-28 Solvay Procede pour la production de cristaux d'hypochlorite de sodium hydrate
JPS6081003A (ja) * 1983-10-13 1985-05-09 Asahi Chem Ind Co Ltd 次亜塩素酸ソ−ダ水溶液の製造法
JPH11255503A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Nippon Light Metal Co Ltd 低食塩次亜塩素酸ソーダ水溶液の製造方法
JP4211130B2 (ja) * 1999-04-01 2009-01-21 日本軽金属株式会社 次亜塩素酸ソーダ5水和物の製造法
JP2007169129A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Asahi Glass Co Ltd 次亜塩素酸ナトリウム水溶液の製造方法および水酸化ナトリウム水溶液の製造方法
JP2012188327A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 次亜塩素酸塩の製造方法
US9434616B2 (en) * 2012-10-31 2016-09-06 Olin Corporation Sodium hypochlorite composition and method of storing and transporting sodium hypochlorite
JP6129603B2 (ja) 2013-02-06 2017-05-17 株式会社カネカ 次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶およびその製造方法
JP6227399B2 (ja) * 2013-12-26 2017-11-08 昭和電工株式会社 次亜塩素酸ナトリウム水溶液の製造方法
WO2016201397A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Olin Corporation Sodium hypochlorite compositions

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201524894A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 Showa Denko Kk 高純度次氯酸鈉五水合物及次氯酸鈉水溶液之製造方法

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