TWI748082B - 雷射加工方法 - Google Patents

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重松孝一
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Abstract

[課題]在將接著薄膜按每一個晶片斷開來製造裝設有薄膜的晶片的情況下，在不損傷晶片的情形下有效率地將薄膜斷開。 [解決手段]一種雷射加工方法，包含：保持被分割成晶片且於背面貼附有接著薄膜的被加工物的薄膜側之步驟；於被加工物的溝中以預定的晶片間隔檢測溝寬與溝寬的中心座標之步驟；依據檢測出的溝寬與溝寬的中心座標，計算雷射光束照射線之步驟；因應於在雷射光束照射線計算步驟中所計算出的雷射光束照射線的溝的寬度方向的偏移量來決定偏移等級之步驟；以及沿著雷射光束照射線來對溝底部的薄膜照射雷射光束，而將薄膜斷開的雷射加工步驟。

Description

雷射加工方法
發明領域 本發明是有關於一種雷射加工方法，該雷射加工方法是對沿著正面之交叉的複數條切割道被分割成一個個的晶片且於背面貼附有接著薄膜的被加工物，將雷射光束照射在接著薄膜，而將接著薄膜按一個個的晶片斷開。
發明背景 有一種製造裝設有接著薄膜的晶片的方法，其為在已分割成各晶片之狀態的半導體晶圓等的被加工物的背面貼附片結法(die bonding)用的接著薄膜，並對接著薄膜於晶片間的間隙露出的部分從被加工物的正面側通過間隙來照射雷射光束，而將接著薄膜按一個個的晶片斷開來製造裝設有接著薄膜的晶片(例如參照專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2012-174732號公報
發明概要 發明欲解決之課題 但是，在如上述專利文獻1所記載的晶片的製造方法中，在將接著薄膜貼附於已分割成晶片的被加工物之時，晶片的配置可能會產生稍微偏移的現象(晶粒位移(die shift))。在已產生晶粒位移的情況下，恐有於雷射光束照射時雷射光束照射到晶片而使器件破損之虞。
於是，已知有下述的加工方法：以往在接著薄膜斷開時，為了即使產生晶粒位移亦不使器件損壞，而以對應於晶片的位置的偏移量(位移量)的方式來設定雷射光束的照射線，以一邊使保持於保持台的被加工物與照射雷射光束的聚光器在加工進給方向(X軸方向)上相對移動，並且進一步將例如保持被加工物的保持台配合雷射光束的照射線來朝分度進給方向(Y軸方向)稍微移動，一邊繼續進行加工。
但是，即使已適當地設定雷射光束的照射線，在以相同的加工條件對晶片的偏移量較大的線與較小的線進行加工的情況下，仍然會使雷射光束的照射對藉由被加工物W的Y軸方向上的移動所形成的雷射光束照射線無法完全追隨，而有下述疑慮：雷射光束照射到晶片而導致損傷晶片、或相反地，由於過度地將被加工物的加工進給速度設為低速，而導致生產性降低。
據此，本發明之目的在於提供一種雷射加工方法，該雷射加工方法在將接著薄膜按一個個的晶片斷開來製造於背面裝設有接著薄膜的晶片的情況下，是在不損傷晶片的情形下有效率地將接著薄膜斷開。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種雷射加工方法，是對沿著正面之交叉的複數條切割道被分割成一個個的晶片且藉由於背面貼附接著薄膜而形成有對應於該切割道之溝的被加工物，將雷射光束照射在成為該溝的底部的該接著薄膜，該雷射加工方法具備： 保持步驟，以保持台來保持被加工物的該接著薄膜側； 溝寬檢測步驟，在該保持步驟中於所保持的被加工物的該溝中，以預定的晶片間隔檢測該溝寬與該溝寬的中心座標； 雷射光束照射線計算步驟，依據在該溝寬檢測步驟中所檢測出的該溝寬與該溝寬的中心座標，來計算該雷射光束的照射線； 等級決定步驟，因應於在該雷射光束照射線計算步驟中所計算出的該雷射光束照射線之該溝的寬度方向的偏移量，來決定偏移等級；以及 雷射加工步驟，沿著在該雷射光束照射線計算步驟中所計算出的該雷射光束照射線，將該雷射光束照射在該溝的底部的該接著薄膜，以將該接著薄膜斷開， 在該雷射加工步驟中，是以分別對應於在該等級決定步驟中所決定的該偏移等級的加工條件來實施雷射加工。
較理想的是，在前述雷射加工步驟中，是以分別對應於在前述等級決定步驟中所決定的前述偏移等級的加工進給速度來實施雷射加工。
較理想的是，設成下述構成：於被加工物的背面的前述接著薄膜的下表面貼附有膠帶，且在前述雷射加工步驟中，是越過被加工物的外周緣而沿著前述溝來對該膠帶照射前述雷射光束，以形成加工痕跡，且該加工痕跡的長度是對應於前述偏移等級。 發明效果
根據本發明之雷射加工方法，在雷射加工步驟中，是以分別因應於在等級決定步驟所決定的偏移等級的加工條件來實施雷射加工。從而，由於對應於所計算出的偏移量，而例如按每一條雷射光束照射線設定等級，並以對應於所設定的等級的加工條件來沿著此一條雷射光束照射線對接著薄膜施行雷射加工，所以可以在不損傷晶片的情形下有效率地將接著薄膜斷開。
藉由設為在雷射加工步驟中，以分別對應於在等級決定步驟中所決定的偏移等級的加工進給速度來實施雷射加工之構成，可以提升雷射光束對藉由被加工物的分度進給方向(Y軸方向)中的移動所形成的雷射光束照射線的追隨性，以在更為不損傷晶片的情形下有效率地將接著薄膜斷開。
藉由設成下述構成：於被加工物的背面的接著薄膜的下表面貼附有膠帶，在雷射加工步驟中，是越過被加工物的外周緣而沿著溝來對膠帶照射雷射光束，以形成加工痕跡，且加工痕跡的長度是對應於偏移等級，而變得可將對操作人員而言容易目視辨識的膠帶上的加工痕跡的長度作為基準，使操作人員容易在雷射加工後掌握各雷射光束照射線的偏移等級。 在雷射加工後，是讓操作人員以顯微鏡等確認晶片是否因雷射加工而有損傷。但是，操作人員對全部的雷射光束照射線逐條地進行確認，會導致作業效率的降低等。雖然偏移等級較小的雷射光束照射線會使晶片上受到雷射加工的可能性非常地低，但偏移等級較大的雷射光束照射線會有失誤而使晶片上受到雷射加工的可能性。從而，操作人員變得可以依據加工痕跡的長度而容易地掌握雷射加工後各雷射光束照射線的偏移等級，藉此形成為例如偏移等級較大的雷射光束照射線是按每一條線檢查其全長，而偏移等級較小的雷射光束照射線是每隔數條線僅對該線中的數個部位進行檢查等，而變得可以合宜改變檢查的程度。像這樣，藉由取捨選擇而實施對應於每條線的偏移等級的適當的檢查，變得可提升作業效率。
用以實施發明之形態 分割成晶片之圖1所示的被加工物W是例如包含矽基板的圓形的半導體晶圓，且於被加工物W的正面Wa，是在藉由正交的複數條切割道S所區劃出的格子狀的各區域中各自形成有器件D。以下，針對將被加工物W分割成具備器件D的晶片時的各工序來作說明。
例如，剛開始是藉由圖1所示的切割機構11，而從被加工物W的正面Wa沿著切割道S形成到達被加工物W的成品厚度的半切溝。切割機構11具備有主軸111，且在主軸111的前端固定有圓環狀的切割刀片110，該主軸111是軸方向為相對於被加工物W之移動方向(X軸方向)而在水平方向上正交的方向(Y軸方向)之主軸。
被加工物W是藉由圖未示的工作夾台而在正面Wa朝向上側的狀態下被吸引保持。吸引保持被加工物W的工作夾台是可繞著鉛直方向(Z軸方向)的軸心旋轉，並且變得可於X軸方向上往返移動。將保持被加工物W的工作夾台朝-X方向側進給送出，並檢測被加工物W之用來使切割刀片110切入的切割道S的Y軸方向的座標位置。隨著檢測切割道S，並將切割機構11朝Y軸方向分度進給，而進行用來切割的切割道S與切割刀片110的Y軸方向中的對位。
旋轉主軸111，且從-Y方向側觀看，讓切割刀片110朝順時針方向旋轉。又，將切割機構11朝向-Z方向來切入進給，而將切割機構11定位在切割刀片110的最下端未將被加工物W完全切斷的預定的高度位置上。此預定的高度位置是從被加工物W的正面Wa至所形成的半切溝的底面為止的距離成為被加工物W的成品厚度的位置。
藉由將被加工物W以預定的切割進給速度進一步朝-X方向側進給送出，使切割刀片110繼續沿著切割道S從被加工物W的正面Wa側切入，而形成到達成品厚度的半切溝M。當將被加工物W進給至切割刀片110將一條切割道S切割結束的X軸方向的預定的位置為止時，切割刀片110即從被加工物W遠離，被加工物W會朝+X方向移動而回到原點位置。藉由一邊以相鄰的切割道S的間隔來將切割刀片110逐一地往+Y方向分度進給，一邊依序進行同樣的切割，以沿著X軸方向的全部的切割道S來將半切溝M形成於被加工物W。此外，可以藉由使被加工物W旋轉90度後進行同樣的切割加工，而沿著全部的切割道S來形成半切溝M。
如圖2所示，形成有半切溝M的被加工物W會在正面Wa配設保護構件T1。保護構件T1是具備與被加工物W相同大小的直徑的圓盤狀的片材。例如可在圖未示的貼附台上藉由壓輥等將保護構件T1壓附於被加工物W的正面Wa來貼附。
貼附有保護構件T1的被加工物W會被搬送至圖3所示的磨削裝置7。磨削裝置7具備有保持台70，保持台70是以其外形為圓形，且由多孔質構件等所構成的保持面700吸引保持被加工物W。保持台70是形成為可繞著Z軸方向的軸心旋轉，並且可朝Y軸方向移動。如圖3所示，使保護構件T1側朝向下側來將被加工物W載置於保持面700上。然後，將由圖未示的吸引源所產生的吸引力傳達至保持面700，藉此保持台70會在保持面700上吸引保持被加工物W。
藉由磨削機構71對保持於保持台70的被加工物W的背面Wb進行磨削。磨削機構71具備例如旋轉軸710、安裝座713及磨削輪714，其中該旋轉軸710可繞著Z軸方向的軸心旋轉，該安裝座713是呈圓板狀且連接於旋轉軸710的下端，該磨削輪714是可裝卸地連接於安裝座713的下表面。磨削輪714具備輪基台714b、及環狀地配設於輪基台714b之底面的大致直方體形狀之複數個磨削磨石714a。磨削磨石714a是例如以樹脂黏結劑或金屬黏結劑等固接鑽石磨粒等而被成形。
首先，保持台70往+Y方向移動，使磨削輪714的旋轉中心相對於被加工物W的旋轉中心於+Y方向上偏移相當於預定的距離，且將保持台70相對於磨削機構71定位，以使磨削磨石714a的旋轉軌跡通過被加工物W的旋轉中心。接著，如圖3所示，隨著旋轉軸710旋轉，讓磨削輪714從+Z方向側觀看朝逆時針方向旋轉。又，藉由將磨削機構71往-Z方向進給，讓磨削磨石714a抵接於被加工物W的背面Wb，以進行磨削加工。磨削中，由於隨著保持台70從+Z方向側觀看朝逆時針方向旋轉而讓被加工物W也旋轉，因此磨削磨石714a可進行被加工物W的背面Wb的整個面的磨削加工。又，對磨削磨石714a與被加工物W的背面Wb的接觸部位供給磨削水，以進行由磨削水進行的接觸部位的冷卻及磨削屑的洗淨去除。
將磨削機構71以預定的磨削進給速度朝下方磨削進給預定量，並將背面Wb磨削到半切溝M的底露出於被加工物W的背面Wb側為止。如圖4所示，藉由半切溝M的底露出於被加工物W的背面Wb，以將已薄化至成品厚度的被加工物W分割成具備器件D的複數個晶片C。
如圖4所示，已分割成晶片C的被加工物W是將DAF(晶粒接合膜，Die Attach Film)等的晶粒接合用的接著薄膜T2貼附於背面Wb。圓形的接著薄膜T2具有例如比被加工物W的外徑更大的外徑。並且，被加工物W是藉由在背面Wb貼附接著薄膜T2而成為形成有對應於切割道S之溝M1的狀態。又，接著薄膜T2會成為被加工物W的溝M1(晶片C間的間隙)的底部。又，於接著薄膜T2的下表面(基材面)T2b貼附有膠帶T3。膠帶T3是具有比接著薄膜T2的外徑更大的外徑的圓盤狀的片材。又，藉由將膠帶T3的黏著面T3a的外周部貼附於具備圓形的開口的環狀框架F，被加工物W會成為透過膠帶T3被環狀框架F所支撐的狀態，且成為可進行透過環狀框架F之操作處理的狀態。接著薄膜T2對被加工物W的貼附等，可設為在圖未示的膠帶安裝座中使貼附滾輪轉動來將接著薄膜T2壓附於被加工物W而形成，亦可是以操作人員的手工作業來形成。此外，可從被加工物W的正面Wa剝離保護構件T1。
將由環狀框架F所支撐的被加工物W搬送至圖5所示的雷射加工裝置2。雷射加工裝置2具備有保持台30、雷射光束照射機構6及控制機構9，該保持台30會吸引保持被加工物W，該雷射光束照射機構6是對保持於保持台30的被加工物W的接著薄膜T2照射預定波長的雷射光束，該控制機構9是進行裝置控制。
在雷射加工裝置2之基台20的前方(-Y方向側)，具備有在加工進給方向即X軸方向上使保持台30往返移動之加工進給機構21。加工進給機構21是由具有X軸方向的軸心的滾珠螺桿210、與滾珠螺桿210平行地配設的一對導軌211、使滾珠螺桿210旋動的脈衝馬達212、及內部的螺帽與滾珠螺桿210螺合且底部滑接於導軌211的可動板213所構成。並且，當脈衝馬達212使滾珠螺桿210旋動時，可動板213隨之被導軌211導引而在X軸方向上移動，且使配設在可動板213上的保持台30隨著可動板213的移動而在X軸方向上移動。
雷射加工裝置2具備有測定保持台30之X軸方向上的位置的X軸方向位置測定機構23。X軸方向位置測定機構23具備有尺規230及讀取部231，該尺規230是沿著導軌211於X軸方向上延伸，該讀取部231是固定於可動板213且沿著尺規230並與可動板213一起移動而讀取尺規230的刻度。讀取部231是例如可讀取形成於尺規230的刻度的反射光的光學式的構成，且檢測尺規230的刻度並將脈衝訊號輸出至控制機構9。
控制機構9是藉由計數從X軸方向位置測定機構23所送出的脈衝訊號，以檢測保持台30的X軸方向中的位置。 在本實施形態中，加工進給機構21的馬達212是藉由從控制機構9所具備之圖未示的脈衝振盪器所供給的驅動脈衝來動作的脈衝馬達。據此，控制機構9亦可藉由計數供給至加工進給機構21的驅動脈衝數，而檢測保持台30於X軸方向中的位置。 例如，亦可將加工進給機構21的馬達212設為伺服馬達而非脈衝馬達，且設為於伺服馬達上連接有旋轉編碼器的構成。在此情況下，旋轉編碼器是連接到亦具有作為伺服放大器的功能的控制機構9，且於從控制機構9對伺服馬達供給動作訊號後，對控制機構9輸出編碼訊號(伺服馬達的旋轉數)。控制機構9是藉由從旋轉編碼器所送出的編碼訊號，來計算保持台30的X軸方向中的移動量，而檢測保持台30的X軸方向中的位置。
保持被加工物W的保持台30具備其外形為圓形且以多孔構件等構成而對被加工物W進行吸附的吸附部300、及支撐吸附部300的框體301。吸附部300是連通於圖未示的吸引源，並在吸附部300的露出面即保持面300a上吸引保持被加工物W。保持台30是被罩蓋31從周圍包圍，並藉由配設於保持台30的底面側的旋轉機構32，而可繞著鉛直方向(Z軸方向)的軸心旋轉。於保持台30的周圍，在周方向上均等地配設有4個固定環狀框架F的固定夾具33，該環狀框架F是支撐被加工物W的框架。
保持台30是藉由加工進給機構21而可於X軸方向上往返移動，並且藉由透過旋轉機構32而配設於保持台30的下方的Y軸方向移動機構22，而變得也可於Y軸方向上移動。Y軸方向移動機構22是由具有Y軸方向軸心的滾珠螺桿220、與滾珠螺桿220平行地配設的一對導軌221、使滾珠螺桿220旋動的脈衝馬達222、及內部的螺帽與滾珠螺桿220螺合且底部滑接於導軌221的可動板223所構成。並且，當脈衝馬達222使滾珠螺桿220旋動時，可動板223隨之被導軌221導引而在Y軸方向上移動，且使配設在可動板223上的保持台30隨著可動板223的移動而在Y軸方向上移動。
雷射加工裝置2具備有檢測保持台30的Y軸方向中的位置的Y軸方向位置測定機構24。Y軸方向位置測定機構24具備有尺規240及讀取部241，該尺規240是沿著導軌221於Y軸方向上延伸，該讀取部241是固定於可動板223且沿著尺規240並與可動板223一起移動而讀取尺規240的刻度。讀取部241是例如可讀取形成於尺規240的刻度的反射光的光學式的構成，且檢測尺規240的刻度並將脈衝訊號輸出至控制機構9。
控制機構9是藉由計數從Y軸方向位置測定機構24所送出的脈衝訊號，以檢測保持台30的Y軸方向中的位置。 在本實施形態中，Y軸方向移動機構22的馬達222是藉由從控制機構9所具備之圖未示的脈衝振盪器所供給的驅動脈衝來動作的脈衝馬達。據此，控制機構9亦可藉由計數供給至Y軸方向移動機構22的驅動脈衝數，而檢測保持台30於Y軸方向中的位置。 例如，亦可將Y軸方向移動機構22的馬達222設為伺服馬達而非脈衝馬達，且設為於伺服馬達上連接有旋轉編碼器的構成。在此情況下，該旋轉編碼器是連接到亦具有作為伺服放大器的功能的控制機構9，且於從控制機構9對伺服馬達供給動作訊號後，對控制機構9輸出編碼訊號(伺服馬達的旋轉數)。控制機構9是藉由從旋轉編碼器所送出的編碼訊號，來計算保持台30的Y軸方向中的移動量，而檢測保持台30的Y軸方向中的位置。
於基台20的後方(+Y方向側)豎立設置有支柱20A，於支柱20A的+X方向側的側面配設有雷射光束照射機構6。雷射光束照射機構6具備有例如相對於基台20水平地配置的直方體形的殼體60，於殼體60內配設有雷射光束振盪器61。雷射光束振盪器61是例如YAG雷射或YVO4雷射等，且可以振盪產生預定波長的雷射光束。又，雷射光束照射機構6具備有調整從雷射光束振盪器61所振盪產生的雷射光束的輸出的輸出調整部69。
於殼體60的前端部配設有於內部具備聚光透鏡62a的聚光器62。雷射光束照射機構6是使從雷射光束振盪器61朝向-Y軸方向振盪產生且已藉由輸出調整部69調整輸出的雷射光束，於殼體60及聚光器62之內部所具備的圖未示的鏡子上反射，而入射至聚光透鏡62a，藉此，可以將雷射光束正確地聚光在以保持台30保持的被加工物W的接著薄膜T2的預定的高度位置上來進行照射。再者，藉由聚光器62而聚光的雷射光束的聚光點位置，是藉由圖未示的聚光點位置調整機構而可在相對於保持台30的保持面300a垂直的方向(Z軸方向)上調整。從雷射光束振盪器61往聚光器62的雷射光束的傳送亦可透過光纖來進行。
於聚光器62的附近配設有拍攝機構25，該拍攝機構25具備有光照射部及相機，該光照射部是對被加工物W照射光，該相機是以捕捉來自被加工物W的反射光的光學系統及輸出對應於反射光的電氣訊號的拍攝元件(CCD)等所構成。拍攝機構25可以將已拍攝的拍攝圖像的訊號發送至控制機構9。
由CPU及記憶體等儲存元件等所構成的控制機構9，是藉由圖未示的配線而連接到加工進給機構21、X軸方向位置測定機構23、Y軸方向移動機構22、Y軸方向位置測定機構24、雷射光束照射機構6及拍攝機構25等。對控制機構9的輸入介面，可輸入來自X軸方向位置測定機構23的脈衝訊號、來自Y軸方向位置測定機構24的脈衝訊號及來自拍攝機構25等的拍攝訊號。並且，從控制機構9的輸出介面可將控制訊號輸出至加工進給機構21、Y軸方向移動機構22及雷射光束照射機構6等。
以下，針對實施本發明之雷射加工方法的情況下的雷射加工方法的各步驟繼續進行說明。
(1)保持步驟 如圖6所示，藉由環狀框架F所支撐的被加工物W是在接著薄膜T2側朝向下方的狀態下載置於保持台30的保持面300a上。將藉由連通至保持面300a之圖未示的吸引源所產生的吸引力傳達至保持面300a，藉此保持台30會吸引保持已在保持面300a上露出正面Wa的狀態下的被加工物W。又，藉由各固定夾具33來固定環狀框架F。
(2)溝寬檢測步驟 接著，如圖7所示，將保持於保持台30的被加工物W朝-X方向(往方向)進給，並且將被加工物W與拍攝機構25對位成：可以利用拍攝機構25拍攝大致沿著被加工物W之於X軸方向上延伸的一條溝M1的雷射光束照射預定線。接著，藉由在雷射光束照射預定線的延伸方向(X軸方向)上使被加工物W與拍攝構機25相對地移動，以藉由拍攝機構25以預定的晶片間隔繼續拍攝被加工物W的正面Wa。即，如圖8所示，沿著雷射光束照射預定線，並隔著第一間隔L1來繼續拍攝被加工物W的正面Wa。在本實施形態中，雖然第一間隔L1是對排列在X軸方向的各晶片C跳過了2個之每隔3個的間隔，但並非限定於此。然後，藉由拍攝機構25(在圖8中未圖示)形成例如在圖8中以兩點鏈線表示之針對計有4個的拍攝區域G1、G2、G3、G4的各自的拍攝圖像。拍攝區域G1~G4的區域是將雷射光束照射預定線及包含其周邊的晶片C的區域納入之區域。又，在圖8中，是省略晶片C的器件D來顯示。在圖8中，晶片C的Y軸方向中的位置偏移，是源自在將接著薄膜T2貼附於已先分割成複數個晶片C的被加工物W之時，引發了晶片C的晶粒位移之情形。
如圖5所示，控制機構9具備有溝寬檢測部90，該溝寬檢測部90是從藉由拍攝機構25形成的拍攝圖像中檢測被加工物W的溝M1的寬度、及溝M1的寬度的中心座標。拍攝機構25是對控制機構9的溝寬檢測部90送出關於已形成的4個拍攝圖像的資料。溝寬檢測部90會對所送來的拍攝圖像進行使用了銳化濾波器(sharpen filter)的濾波處理，該銳化濾波器是對已照進拍攝圖像的晶片C的外周進行強調。如圖9所示，濾波處理後的拍攝圖像G11、G21、G31、G41是顯示在例如預定的解析度的虛擬的輸出畫面B(X軸Y軸正交座標系統)上。再者，圖9所示的拍攝圖像G11是對應於圖8所示的拍攝區域G1之圖像，拍攝圖像G21是對應於拍攝區域G2之圖像，拍攝圖像G31是對應於拍攝區域G3之圖像，拍攝圖像G41是對應於拍攝區域G4之圖像。
溝寬檢測部90是從圖9所示的拍攝圖像G11中檢測在垂直於X軸方向的Y軸方向上相鄰的2個晶片C的各外周Cd1。該各外周Cd1是各自被辨識作為例如Y軸方向中的座標值。溝寬檢測部90是計算2個晶片C的外周Cd1間的Y軸方向的像素的總和，並將該總和檢測作為拍攝圖像G11中的溝M1的溝寬B1。 又，由於晶片C的外周Cd1相當於溝M1與晶片C的Y軸方向中的交界，所以溝寬檢測部90是檢測將2個晶片C的外周Cd1之間的Y軸方向中的中間位置，來作為溝M1的寬度B1的Y軸方向中的中心座標y1。再者，溝M1的寬度B1的中心座標y1是在例如拍攝圖像G11中的X軸方向的中央的位置進行檢測。
同樣地，溝寬檢測部90亦可從圖9所示的拍攝圖像G21~G41中檢測各個拍攝圖像中的溝M1的溝寬B2、B3、B4、以及溝M1的寬度B2~B4的中心座標y2、中心座標y3、中心座標y4。
(3)雷射光束照射線計算步驟 如圖5所示，控制機構9具備有雷射光束照射線計算部91，該雷射光束照射線計算部91是依據溝寬檢測部90所檢測出的溝寬B1~B4及溝寬B1~B4的各中心座標y1~y4，來計算雷射光束的照射線。溝寬檢測部90會將關於所檢測出的溝寬B1~B4及溝寬B1~B4的中心座標y1~y4的資料，轉發至雷射光束照射線計算部91。雷射光束照射線計算部91是比較圖9所示的拍攝圖像G11中的溝寬B1的中心座標y1與相鄰於拍攝圖像G11之拍攝圖像G21中的溝寬B2的中心座標y2，來計算拍攝圖像G11~拍攝圖像G21之間的溝M1的偏移量(位移量)N1。偏移量N1是以溝寬B1的中心座標y1與溝寬B2的中心座標y2的座標值之差(Y軸方向中的遠離距離)來表現。 同樣地，雷射光束照射線計算部91會比較拍攝圖像G21中的溝寬B2的中心座標y2與相鄰於拍攝圖像G21之拍攝圖像G31中的溝寬B3的中心座標y3，來計算拍攝圖像G21~拍攝圖像G31之間的溝M1的偏移量N2，且比較拍攝圖像G31中的溝寬B3的中心座標y3與相鄰於拍攝圖像G31的拍攝圖像G41中的溝寬B4的中心座標y4，來計算拍攝圖像G31~拍攝圖像G41之間的溝M1的偏移量N3。
例如，於雷射光束照射線計算部91中預先儲存有關於偏移量的容許值。雷射光束照射線計算部91會判定所計算出的偏移量N1~N3是否在容許值範圍內，只要偏移量N1~N3在容許值範圍內，即將連結各拍攝圖像G11~G41中的溝寬B1~B4的相鄰的中心座標y1~y4而成的線作為雷射光束照射線。
另一方面，只要在所計算出的偏移量中有容許值範圍外的偏移量，雷射光束照射線計算部91即進行錯誤判定，且不決定雷射光束照射線。在本實施形態中，是例如圖9所示的偏移量N2變得比容許值更大。萬一，儘管有如偏移量N2一般變得比容許值更大的偏移量，仍然將連結溝寬B1~B4的相鄰的中心座標y1~y4而成的線(圖8中的雷射光束照射預定線)以預定的晶片間隔繼續拍攝。即，如圖8所示，沿著雷射光束照射預定線，並隔著第一間隔L1來繼續拍攝被加工物W的正面Wa。當在本實施形態中，是於以第一間隔L1為對在X軸方向上排列的各晶片C跳過了2個之每隔3個的間隔中作為雷射光束照射線而決定時，如圖8所示，會導致雷射光束照射線重疊於拍攝區域G2與拍攝區域G3之間的晶片C(從圖8中的-X方向側起算的第6個晶片)，恐有因為在實施雷射加工步驟之時，對晶片C照射雷射光束而導致器件損傷之虞。
於是，已計算出超過容許值的偏移量N2的雷射光束照射線計算部91，是讓先前已實施的溝寬檢測步驟將條件部分改變，亦即，更加縮短拍攝的晶片間隔，並於雷射加工裝置2上再次實施溝寬檢測步驟(以下，設為再次的溝寬檢測步驟)。再者，雷射光束照射線計算部91是在實施再次的溝寬檢測步驟後，將雷射光束照射線作為最終用於計算的資料，並儲存拍攝圖像G11~G41、溝寬B1~B4的各值及溝寬B1~B4的各中心座標y1~y4。
(4)再次的溝寬檢測步驟 在本實施形態中，依據圖9所示的拍攝圖像G11及拍攝圖像G21算出的偏移量N1、以及依據拍攝圖像G31及拍攝圖像G41算出的偏移量N3並未超過容許值，因此，圖8所示的拍攝區域G1與拍攝區域G2之間的區域、以及拍攝區域G3與拍攝區域G4之間的區域亦可不作為再次的溝寬檢測步驟的拍攝區域。 另一方面，由於依據圖9所示的拍攝圖像G21及拍攝圖像G31而檢測的偏移量N2已超過容許值，所以圖8所示的拍攝區域G2與拍攝區域G3之間的區域會成為再次的溝寬檢測步驟中的拍攝區域。
如圖10所示，一邊沿著雷射光束照射預定線的延伸方向使被加工物W與拍攝機構25(在圖10中未圖示)相對移動一邊藉由拍攝機構25以預定的晶片間隔繼續拍攝被加工物W的正面Wa。亦即，沿著雷射光束照射預定線，並隔著比圖8所示的第一間隔L1更短的第二間隔L2來拍攝被加工物W的正面Wa。在本實施形態中，雖然第二間隔L2是每次1個在X軸方向上排列的各晶片C1的間隔，但並非限定於此，只要至少變得比第一間隔L1更短即可。然後，藉由拍攝機構25形成例如在圖10中以兩點鏈線表示之針對計有4個的拍攝區域G2、拍攝區域G2a、拍攝區域G2b及拍攝區域G3的各自的拍攝圖像。拍攝區域G2、拍攝區域G2a、拍攝區域G2b及拍攝區域G3是將雷射光束照射預定線及包含其周邊的晶片C的區域納入之區域。再者，亦可設成例如以第二間隔L2重新拍攝被檢測出超過容許值的偏移量N2的線整體。在此情況下，會形成為在圖10中在晶片C之個數量的10個部位的拍攝區域形成各個拍攝圖像。
拍攝機構25是對控制機構9的溝寬檢測部90送出關於已形成的4個拍攝圖像的資料。如圖11所示，溝寬檢測部90是將進行濾波處理後的拍攝圖像G21、拍攝圖像G22、拍攝圖像G23及拍攝圖像G31，顯示在預定的解析度的虛擬的輸出畫面B上，其中該濾波處理是強調所照入的晶片C的外周之處理。又，圖11所示的拍攝圖像G21是對應於圖10所示的拍攝區域G2之圖像，拍攝圖像G22是對應於拍攝區域G2a之圖像，拍攝圖像G23是對應於拍攝區域G2b之圖像，拍攝圖像G31是對應於拍攝區域G3之圖像。再者，圖11所示的各拍攝圖像及溝寬等在說明上，是相較於圖9所示的拍攝圖像及溝寬等放大來顯示。
溝寬檢測部90是與先前已實施的溝寬檢測步驟同樣地從圖11所示之拍攝圖像G21、拍攝圖像G22、拍攝圖像G23及拍攝圖像G31中，計算各個拍攝圖像中的溝M1的溝寬B2、溝寬B22、溝寬B23及溝寬B3，又，計算溝M1的溝寬B2、溝寬B22、溝寬B23及溝寬B3的各中心座標y2、中心座標y22、中心座標y23及中心座標y3。
(5)再次的溝寬檢測步驟後的雷射光束照射線計算步驟 接著，雷射光束照射線計算部91是比較拍攝圖像G21中的溝寬B2的中心座標y2與相鄰於拍攝圖像G21的拍攝圖像G22中的溝寬B22的中心座標y22，來計算拍攝圖像G21~拍攝圖像G22之間的溝M1的偏移量N21。偏移量N21是以溝寬B2的中心座標y2與溝寬B22的中心座標y22的座標值之差(Y軸方向中的遠離距離)來表現。同樣地，雷射光束照射線計算部91會計算圖11所示的偏移量N22及偏移量N23。
雷射光束照射線計算部91會判定所計算出的雷射光束照射預定線的偏移量N21~N23是否在容許值範圍內。在本實形態中，因為偏移量N21~N23是成為在容許值內，所以雷射光束照射線計算部91決定雷射光束照射線。亦即，如圖12所示，將連結相鄰的各拍攝圖像中的各溝寬的中心座標而成的線決定作為雷射光束照射線。於圖12所示之拍攝區域G1與拍攝區域G2之間的區域，是連結圖9所示的拍攝圖像G11中的中心座標y1與拍攝圖像G21中的中心座標y2而成的線成為雷射光束照射線，於圖12所示之拍攝區域G2~拍攝區域G3之間的區域，是連結圖11所示之各拍攝圖像G21~拍攝圖像G31的相鄰的各中心座標y2、中心座標y22、中心座標23及中心座標y3而成的線成為雷射光束照射線，於圖12所示之拍攝區域G3與拍攝區域G4之間的區域，是連結圖9所示之拍攝圖像G31中的中心座標y3與拍攝圖像G41中的中心座標y4而成的線成為雷射光束照射線。結果，如圖12所示，可決定與任一個晶片C均未重疊的雷射光束照射線K。 再者，在偏移量N21~N23之中存在有容許值外之偏移量的情況下，亦可形成為雷射光束照射線計算部91會例如發出下述錯誤：本被加工物W為不適於雷射加工的被加工物。或者，亦可形成為設定比第二間隔L2的間隔更短的第三間隔，並以第三間隔實施再再次的溝寬檢測步驟之構成。
(6)等級決定步驟 例如，如圖5所示，控制機構9具備有等級決定部92，該等級決定部92是對應於已計算出的雷射光束照射線K的溝M1的寬度方向(Y軸方向)的各偏移量，來決定各個偏移等級。等級決定部92具備有例如表示圖13所示之偏移等級與對應於其的加工條件的資料表92A。等級決定部92的各偏移等級的決定，是因應於圖12所示的雷射光束照射線K的溝M1的寬度方向(Y軸方向)的各偏移量，即，因應於雷射光束照射線K的Y軸方向中的位移(彎曲狀況)來決定，例如按每1條雷射光束照射線來認定等級。資料表92A所示的偏移等級雖然是形成為例如等級1(偏移等級極小)、等級2(偏移等級小)、等級3(偏移等級中等)、等級4(偏移等級大)的4個階段，但並非限定於此，亦可進一步區分成更多的階段。偏移等級4是成為能夠適當地維持雷射光束相對於雷射光束照射線的追隨性的極限之等級，其中該雷射光束照射線是藉由被加工物W的Y軸方向中的移動所形成。本實施形態中的圖12所示的雷射光束照射線K的偏移等級是成為例如偏移等級3。
圖13的資料表92A所示的加工條件(被加工物W的加工進給速度及雷射光束的輸出)，是採用實驗用的複數個被加工物，在預先使雷射加工裝置2運轉而進行將貼附於被加工物的接著薄膜T2斷開的實驗之時的可以獲得理想的加工結果的情況下的數值之一例，且為按各偏移等級的特有的數值。再者，雷射光束的各偏移等級中的各輸出(W)是可以對接著薄膜T2進行燒蝕的輸出。 偏移等級變得越大加工進給速度就設定得越小的理由，是為了能夠適當地擔保雷射光束相對於雷射光束照射線的追隨性，其中該雷射光束照射線是藉由被加工物W的分度進給方向(Y軸方向)中的移動而形成。又，偏移等級變得越大雷射光束的輸出就設定得越小的理由，是因為隨著加工進給速度的降低，接著薄膜T2上的雷射光束照射位置的移動也會變慢，所以設為配合該情況使接著薄膜從雷射光束吸收的能量變低，以形成接著薄膜T2均勻地按各雷射光束照射線吸收能量。 又，於圖13的資料表92A所示的加工痕跡的長度所設定的是按各偏移等級的特有的數值。在本實施形態中，雷射光束照射線的偏移等級為等級1的情況下，形成於膠帶T3的加工痕跡的長度是成為0mm，亦即，並未在膠帶T3形成加工痕跡。並且，於雷射光束照射線的偏移等級1個1個上升上去時，是使形成於膠帶T3的加工痕跡的長度每次增長10mm。又，各偏移等級的加工痕跡的長度並非限定於本數值。
(7)雷射加工步驟 接著，實施雷射加工步驟，該雷射加工步驟是沿著圖12所示的雷射光束照射線K，對溝M1的底部的接著薄膜T2照射雷射光束來將接著薄膜T2斷開。又，在雷射加工步驟中，是以圖13所示之資料表92A的加工條件來實施雷射加工，該資料表92A的加工條件是分別對應於在等級決定步驟中所決定的偏移等級之條件。
如圖14所示，將保持被加工物W的保持台30朝-X方向(往方向)進給，並且將保持台30在Y軸方向上分度進給而將雷射光束照射機構6的聚光器62定位成通過圖12所示之雷射光束照射線K的上方。又，藉由聚光透鏡62a而聚光的雷射光束的聚光點位置，是定位在露出於溝M1的底部的接著薄膜T2的黏著面(上表面)的高度位置上。
因為雷射光束照射線K的偏移等級為等級3，所以在例如採用了圖13所示的資料表92A之由控制機構9所進行的保持台30的X軸方向中的位置控制之下，雷射光束的X軸方向中的照射開始位置成為在從接著薄膜T2的-X方向側的外周緣朝-X方向遠離了相當於20mm的膠帶T3上。據此，藉由從雷射光束照射機構6將預定波長的雷射光束首先照射到膠帶T3，並且將保持台30進一步朝-X方向加工進給，以在膠帶T3上形成對應於圖15所示的偏移等級3的長度(20mm)的加工痕跡。
如圖14所示，藉由將保持台30往-X方向加工進給，雷射光束的照射位置即從膠帶T3上往接著薄膜T2上沿著雷射光束照射線K而移動。然後，從雷射光束振盪器61振盪產生預定波長的雷射光束，來將雷射光束聚光並照射在被保持台30所保持的被加工物W的接著薄膜T2上。該雷射光束因為是以預定的重複頻率進行脈衝振盪，並在雷射光束的聚光點上對接著薄膜T2進行燒蝕，所以可將接著薄膜T2斷開。因為雷射光束照射線K的偏移等級是偏移等級3，所以在採用了圖13所示的資料表92A之由控制機構9所進行的控制之下，保持台30的加工進給速度會成為50mm/秒，從雷射光束振盪器61所振盪產生的雷射光束的輸出是藉由輸出調整部69而被調整為0.5W。
雷射光束是從聚光器62沿著雷射光束照射線K而照射。亦即，在本實施形態中，藉由將保持台30以加工進給速度50mm/秒朝-X方向加工進給，並且在由控制機構9所進行的控制之下適當地在Y軸方向上移動，以形成為雷射光束沿著雷射光束照射線K追隨來對溝M1的底部的接著薄膜T2照射。
藉由於圖12所示的一條雷射光束照射線K照射雷射光束並讓被加工物W朝-X方向行進至結束的X軸方向的預定位置為止，可將對應於一條雷射光束照射線K的位置的溝M1底部的接著薄膜T2斷開。 因為雷射光束照射線K的偏移等級是等級3，所以在採用了圖13所示的資料表92A之由控制機構9所進行的保持台30的X軸方向中的位置控制之下，可進一步將保持台30往-X方向加工進給，藉此，雷射光束的照射位置從接著薄膜T2上往膠帶T3上移動。然後，越過被加工物W的外周緣而沿著溝M1，換而言之即沿著雷射光束照射線K來將雷射光束照射到膠帶T3，並從接著薄膜T2的+X方向側的外周緣朝向+X方向來將對應於偏移等級3的長度(20mm)的加工痕跡形成到膠帶T3上。再者，在圖15中，方便起見，是以直線表示由雷射光束所形成的接著薄膜T2的斷開線。又，在本實施形態中，如圖15所示，是在越過被加工物W的外周緣的-X方向側及+X方向側的膠帶T3上都形成有加工痕跡，但亦可設為例如僅在+X方向側的膠帶T3上形成加工痕跡之構成。
接著，停止雷射光束的照射並且暫時停止被加工物W的-X方向(往方向)上的加工進給。接著，將圖14所示的保持台30朝Y軸方向分度進給，並進行位於已在往方向上進行雷射光束照射之溝M1的相鄰的溝M1與拍攝機構25的對位。之後，與之前同樣地從溝寬檢測步驟開始實施雷射光束照射線計算步驟，並計算第2條雷射光束照射線。
此外，實施等級決定步驟，並認定所計算出的第2條雷射光束照射線的偏移等級。例如，第2條雷射光束照射線是成為偏移等級4。接著，實施雷射加工步驟，並以圖13所示的資料表92A中所示的偏移等級4的加工條件，即以加工進給速度20mm/秒、雷射光束輸出0.05W的加工條件，來沿著第2條的雷射光束照射線對接著薄膜T2繼續實施雷射加工。又，越過被加工物W的外周緣而沿著溝M1來將雷射光束照射到膠帶T3，以將對應於圖15所示之等級4的長度(30mm)的加工痕跡形成到膠帶T3上。藉由依序同樣地實施上述各步驟，以沿著分別對應於朝X軸方向延伸的全部的各溝M1之雷射光束照射線來對溝M1的底部的接著薄膜T2照射雷射光束，而將接著薄膜斷開。
此外，當使保持台30旋轉90度後，對溝M1的底部的接著薄膜T2進行同樣的雷射光束的照射時，會如圖15所示，沿著縱橫全部的溝M1來將溝M1的底部的接著薄膜T2斷開。
本發明之雷射加工方法是設成下述構成：具備有等級決定步驟，該等級決定步驟是因應於在雷射光束照射線計算步驟所計算出的雷射光束照射線的溝M1的寬度方向的偏移量來決定偏移等級，且藉由在雷射加工步驟中，以分別對應於在等級決定步驟中所決定的偏移等級的加工條件來實施雷射加工，藉此，因應於所計算出的偏移量，而例如按每一條雷射光束照射線設定偏移等級，並以對應於所設定的偏移等級的加工條件沿著此一條雷射光束照射線來對接著薄膜T2施行雷射加工。因此，可以在不損傷晶片C的情形下有效率地將接著薄膜斷開。
藉由設成下述構成：在雷射加工步驟中，以分別對應於在等級決定步驟中所決定的雷射光束照射線的偏移等級的加工進給速度來實施雷射加工，以提升雷射光束對藉由被加工物W的分度進給方向(Y軸方向)中的移動所形成的雷射光束照射線的追隨性，而可以在更為不損傷晶片C的情形下有效率地將接著薄膜T2斷開。具體而言，是例如藉由對偏移等級高的雷射光束照射線，將保持台30的加工進給速度設定得較低，而可以提升雷射光束相對於雷射光束照射線的追隨性，並減低導致雷射光束偏離雷射光束照射線而照射到晶片C的疑慮。
在雷射加工步驟中，是越過被加工物W的外周緣而沿著溝M1來對膠帶T3照射雷射光束，以形成對應於雷射光束照射線的偏移等級的長度的加工痕跡，藉此，變得可將對操作人員而言容易目視辨識的膠帶T3上的加工痕跡的長度作為基準，使操作人員容易在雷射加工步驟後掌握各雷射光束照射線的偏移等級。藉由可以容易掌握雷射光束照射線的偏移等級，使得由操作人員進行之相應於每條線的偏移等級的適當的檢查的選擇或其實行變得容易。
再者，本發明的雷射加工方法並非限定於上述實施形態之方法，又，關於添加圖式所圖示的雷射加工裝置2等的構成，亦不限定於此，只要是在可發揮本發明之效果的範圍內皆可進行適當變更。
本發明的雷射加工方法宜設成下述構成：如本實施形態地按溝M1的每一條線來重複實施溝寬檢測步驟、雷射光束照射線計算步驟、等級決定步驟、雷射加工步驟。這是因為在實施雷射加工步驟等之中，雖然有時被加工物W或雷射加工裝置2的各構成等會因加工熱而熱膨脹並使尺寸稍微改變，但藉由設為按溝M1的每一條線重複實施各步驟之構成，而變得可補正由熱膨脹所形成的尺寸的改變並繼續實施正確的加工。然而，本發明的雷射加工方法亦可設為下述構成：在實施雷射加工步驟之前，就溝M1的全部的線預先實施溝寬檢測步驟、雷射光束照射線計算步驟、等級決定步驟，且設成於之後一口氣地實施雷射加工步驟之構成。
11‧‧‧切割機構110‧‧‧切割刀片111‧‧‧主軸2‧‧‧雷射加工裝置20‧‧‧基台20A‧‧‧支柱21‧‧‧加工進給機構210、220‧‧‧滾珠螺桿211、221‧‧‧導軌212、222‧‧‧脈衝馬達213、223‧‧‧可動板22‧‧‧Y軸方向移動機構23‧‧‧X軸方向位置測定機構230、240‧‧‧尺規231、241‧‧‧讀取部24‧‧‧Y軸方向位置測定機構25‧‧‧拍攝機構30、70‧‧‧保持台300‧‧‧吸附部300a、700‧‧‧保持面301‧‧‧框體31‧‧‧罩蓋32‧‧‧旋轉機構33‧‧‧固定夾具6‧‧‧雷射光束照射機構60‧‧‧殼體61‧‧‧雷射光束振盪器62‧‧‧聚光器62a‧‧‧聚光透鏡69‧‧‧輸出調整部7‧‧‧磨削装置71‧‧‧磨削機構710‧‧‧旋轉軸713‧‧‧安裝座714‧‧‧磨削輪714a‧‧‧磨削磨石714b‧‧‧輪基台9‧‧‧控制機構90‧‧‧溝寬檢測部91‧‧‧雷射光束照射線計算部92‧‧‧等級決定部92A‧‧‧資料表B‧‧‧輸出畫面B1~B4、B22、B23‧‧‧溝寬C‧‧‧晶片Cd1‧‧‧外周D‧‧‧器件F‧‧‧環狀框架G1~G4、G2a、G2b‧‧‧拍攝區域G11、G21、G22、G23、G31、G41‧‧‧拍攝圖像K‧‧‧雷射光束照射線L1‧‧‧第一間隔L2‧‧‧第二間隔M‧‧‧半切溝M1‧‧‧溝N1~N3、N21~N23‧‧‧偏移量S‧‧‧切割道T1‧‧‧保護構件T2‧‧‧接著薄膜T2b‧‧‧接著薄膜的下表面T3‧‧‧膠帶T3a‧‧‧黏著面W‧‧‧被加工物Wa‧‧‧被加工物的正面Wb‧‧‧被加工物的背面y1~y4、y22、y23‧‧‧中心座標±X、±Y、±Z、Y、Z‧‧‧方向
圖1是顯示藉由切割機構而在被加工物上形成有到達成品厚度的半切溝的狀態的立體圖。 圖2是顯示將保護構件配設於被加工物的正面的狀態的立體圖。 圖3是顯示將被加工物磨削其背面來薄化至成品厚度並且分割成複數個晶片的狀態的立體圖。 圖4是顯示從被加工物的正面除去保護構件的狀態的立體圖，其中該被加工物是於背面貼附接著薄膜且透過膠帶被環狀框架所支撐。 圖5是顯示雷射加工裝置之一例的立體圖。 圖6是顯示以保持台保持被加工物的接著薄膜側的狀態的截面圖。 圖7是顯示在溝寬檢測步驟中藉由拍攝機構以預定的晶片間隔來拍攝被加工物的溝及其周邊區域的狀態的截面圖。 圖8是示意地顯示溝寬檢測步驟中的被加工物的正面的拍攝區域與雷射光束照射預定線的平面圖。 圖9是示意地顯示在溝寬檢測步驟中所形成的拍攝圖像的平面圖。 圖10是示意地顯示再次的溝寬檢測步驟中的被加工物的正面的拍攝區域與雷射光束照射預定線的平面圖。 圖11是示意地顯示於再次的溝寬檢測步驟中所形成的拍攝圖像的平面圖 圖12是示意地顯示被加工物的正面的拍攝區域與雷射光束照射線的平面圖。 圖13是顯示分別對應於各偏移等級的加工條件及加工痕跡的長度之一例的資料表。 圖14是顯示沿著雷射光束照射線將雷射光束照射在溝的底部的接著薄膜而將接著薄膜斷開的狀態的截面圖。 圖15是顯示縱橫地斷開接著薄膜後的被加工物及形成有加工痕跡的膠帶的平面圖。
92A‧‧‧資料表

Claims (2)

  1. 一種雷射加工方法，是對沿著正面之交叉的複數條切割道被分割成一個個的晶片且藉由於背面貼附接著薄膜而形成有對應於該切割道之溝的被加工物，將雷射光束照射在成為該溝的底部的該接著薄膜，該雷射加工方法具備：保持步驟，以保持台來保持被加工物的該接著薄膜側；溝寬檢測步驟，在該保持步驟中所保持的被加工物的該溝中，以預定的晶片間隔檢測該溝寬與該溝寬的中心座標；雷射光束照射線計算步驟，依據在該溝寬檢測步驟中所檢測出的該溝寬與該溝寬的中心座標，來計算該雷射光束的照射線；等級決定步驟，因應於在該雷射光束照射線計算步驟中所計算出的該雷射光束照射線之該溝的寬度方向的偏移量，來決定偏移等級；以及雷射加工步驟，沿著在該雷射光束照射線計算步驟中所計算出的該雷射光束照射線，將該雷射光束照射在該溝的底部的該接著薄膜，以將該接著薄膜斷開，在該雷射加工步驟中，是以分別對應於在該等級決定步驟中所決定的該偏移等級的加工條件來實施雷射加工，於被加工物的背面的前述接著薄膜的下表面貼附有膠帶， 且在前述雷射加工步驟中，是越過被加工物的外周緣而沿著前述溝來對該膠帶照射前述雷射光束，以形成加工痕跡，且該加工痕跡的長度是對應於前述偏移等級。
  2. 如請求項1之雷射加工方法，其中在前述雷射加工步驟中，是以分別對應於在前述等級決定步驟中所決定的前述偏移等級的加工進給速度來實施雷射加工。
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