JP6064519B2 - レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 - Google Patents
レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6064519B2 JP6064519B2 JP2012237738A JP2012237738A JP6064519B2 JP 6064519 B2 JP6064519 B2 JP 6064519B2 JP 2012237738 A JP2012237738 A JP 2012237738A JP 2012237738 A JP2012237738 A JP 2012237738A JP 6064519 B2 JP6064519 B2 JP 6064519B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- offset
- substrate
- crack
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
図1は、本発明の実施の形態に適用可能な、被加工物の分割に用いるレーザー加工装置100の構成を概略的に示す模式図である。レーザー加工装置100は、装置内における種々の動作(観察動作、アライメント動作、加工動作など)の制御を行うコントローラ1と、被加工物10をその上に載置するステージ4と、レーザー光源SLから出射されたレーザー光LBを被加工物10に照射する照射光学系5とを主として備える。
次に、レーザー加工装置100において実現可能な加工手法の1つである亀裂伸展加工について説明する。図2は、亀裂伸展加工におけるレーザー光LBの照射態様を説明するための図である。より詳細には、図2は、亀裂伸展加工の際のレーザー光LBの繰り返し周波数R(kHz)と、レーザー光LBの照射にあたって被加工物10を載置するステージの移動速度V(mm/sec)と、レーザー光LBのビームスポット中心間隔Δ(μm)との関係を示している。なお、以降の説明では、上述したレーザー加工装置100を使用することを前提に、レーザー光LBの出射源は固定され、被加工物10が載置されたステージ4を移動させることによって、被加工物10に対するレーザー光LBの相対的な走査が実現されるものとするが、被加工物10は静止させた状態で、レーザー光LBの出射源を移動させる態様であっても、亀裂伸展加工は同様に実現可能である。
Δ>Db ・・・・・(式1)
をみたす場合には、レーザー光の走査に際して個々のレーザーパルスは重ならないことになる。
ビーム径Db:約1μm〜10μm程度;
ステージ移動速度V:50mm/sec以上3000mm/sec以下;
パルスの繰り返し周波数R:10kHz以上200kHz以下;
パルスエネルギーE:0.1μJ〜50μJ。
次に、被加工物10の一例としてのパターン付き基板Wについて説明する。図3は、パターン付き基板Wの模式平面図および部分拡大図である。
以下、上述のようなパターン付き基板WをストリートSTに沿って分割すべく、ストリートSTの中心に定めた加工予定線PLに沿って亀裂伸展加工を行う場合を考える。
(第1の態様)
上述のように、パターン付き基板Wに対し亀裂伸展加工を行って個片化しようとする場合、オリフラOFと直交するY方向の加工に際しては、レーザー光LBの照射位置のオフセットが必要となる場合がある。その場合において問題となるのは、図4および図5においては亀裂CR1が−X方向に傾斜して伸展し、亀裂CR2が+X方向に傾斜して伸展しているが、これはあくまで例示に過ぎず、両者の伸展方向は個々のパターン付き基板Wによって入れ替わり得るという点、および、個々のパターン付き基板Wにおいて亀裂の傾斜がどちら向きに生じるのかは、実際にレーザー光LBを照射して亀裂伸展加工を行ってみないとわからないという点である。少なくとも傾斜の向きがわからないと、実際に照射位置をオフセットをすることは行い得ない。
ΔX<0 → 終端T1が加工痕Mより−X方向に到達 → +X方向へオフセット;
ΔX=0 → 終端T1が加工痕Mの直上に到達 → オフセット不要。
レーザー加工装置100におけるオフセット条件の設定処理の仕方は、上述した第1の態様に限られるものではない。図10は、第2の態様に係るオフセット条件の設定処理の流れを示す図である。図10に示す第2の態様に係る設定処理は、図6に示した第1の態様における設定処理のステップSTP3およびステップSTP4に代えて、ステップSTP13およびステップSTP4を行う点と、これに伴い、ステップSTP7における差分値の算出に用いる座標値が第1の設定処理とは異なる点のほかは、第1の設定処理と同様である。
ΔX<0 → 終端T2が加工痕Mより+X方向に到達 → −X方向へオフセット;
ΔX=0 → 終端T2が加工痕Mの直下に到達 → オフセット不要。
4 ステージ
4m 移動機構
5 照射光学系
6 上部観察光学系
6a、16a カメラ
6b、16b モニタ
7 上部照明系
8 下部照明系
10 被加工物
10a 保持シート
11 吸引手段
100 レーザー加工装置
16 下部観察光学系
51、71、81 ハーフミラー
52、82 集光レンズ
CR1、CR2 亀裂
IM1、IM2 撮像画像
IP、IP1 レーザー光の照射位置
L1 上部照明光
L2 下部照明光
LB レーザー光
M 加工痕
OF オリフラ
PL 加工予定線
S1 上部照明光源
S2 下部照明光源
SL レーザー光源
ST ストリート
T、T1、T2 (亀裂の)終端位置
UP 単位パターン
W パターン付き基板
W1 単結晶基板
Wa、Wb (パターン付き基板の)主面
Claims (6)
- レーザー光を出射する出射源と、
単結晶基板上に複数の単位デバイスパターンを2次元的に繰り返し配置してなるパターン付き基板を固定可能なステージと、
を備え、
前記出射源と前記ステージとを相対的に移動させることにより前記レーザー光を所定の加工予定線に沿って走査しつつ前記パターン付き基板に照射可能なレーザー加工装置であって、
前記レーザー光のそれぞれの単位パルス光によって前記パターン付き基板に形成される加工痕が前記加工予定線に沿って離散的に位置するように前記レーザー光を照射し、それぞれの前記加工痕から前記パターン付き基板に亀裂を伸展させる、亀裂伸展加工が実行可能であるとともに、
前記ステージに載置された前記パターン付き基板を撮像可能な撮像手段と、
前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の照射位置を前記加工予定線からオフセットさせるためのオフセット条件を設定するオフセット条件設定手段と、
をさらに備え、
前記オフセット条件設定手段は、
前記パターン付き基板の一部箇所を前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工の実行箇所として設定し、前記実行箇所に対し前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工である仮加工を行わせたうえで、
前記撮像手段に、前記パターン付き基板の表面に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第1の撮像画像を取得させるとともに、前記仮加工を行った際の前記レーザー光の焦点位置に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第2の撮像画像を取得させ、
前記第1の撮像画像から特定される、前記仮加工によって形成された加工痕から伸展した亀裂の終端の位置座標と、前記第2の撮像画像から特定される、前記仮加工の加工痕の位置座標との差分値に基づいて、前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の前記照射位置をオフセットさせるべき方向を特定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 請求項1に記載のレーザー加工装置であって、
前記オフセット条件設定手段は、前記第1の撮像画像と前記第2の撮像画像とのそれぞれにおいて前記仮加工の際の加工方向に沿って画素値を積算することで得られる積算プロファイルに基づいて、前記仮加工の際に生じた前記亀裂の終端の位置座標と、前記仮加工の際の前記加工痕の位置座標とを特定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 請求項1または請求項2に記載のレーザー加工装置であって、
前記オフセット条件設定手段は、前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の照射位置を前記加工予定線からオフセットさせる際のオフセット量を、あらかじめ取得された前記亀裂伸展加工の対象とされる前記パターン付き基板の個体情報に基づいて決定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 単結晶基板上に複数の単位デバイスパターンを2次元的に繰り返し配置してなるパターン付き基板に対しレーザー光を照射することによって前記パターン付き基板を個片化する加工を行う際の加工条件を設定する方法であって、
前記パターン付き基板を個片化する加工が、前記レーザー光のそれぞれの単位パルス光によって前記パターン付き基板に形成される加工痕が所定の加工予定線に沿って離散的に位置するように前記レーザー光を照射し、それぞれの前記加工痕から前記パターン付き基板に亀裂を伸展させる亀裂伸展加工であり、
前記亀裂伸展加工に先立って、前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の照射位置を前記加工予定線からオフセットさせるためのオフセット条件を設定するオフセット条件設定工程、
を備え、
前記オフセット条件設定工程は、
前記パターン付き基板の一部箇所を前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工の実行箇所として設定し、前記実行箇所に対し前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工である仮加工を行う仮加工工程と、
所定の撮像手段に、前記パターン付き基板の表面に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第1の撮像画像を取得させるとともに、前記仮加工を行った際の前記レーザー光の焦点位置に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第2の撮像画像を取得させる撮像工程と、
前記第1の撮像画像から特定される、前記仮加工によって形成された加工痕から伸展した亀裂の終端の位置座標と、前記第2の撮像画像から特定される、前記仮加工の加工痕の位置座標との差分値に基づいて、前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の前記照射位置をオフセットさせるべき方向を特定するオフセット方向特定工程と、
を備えることを特徴とするパターン付き基板の加工条件設定方法。 - 請求項4に記載のパターン付き基板の加工条件設定方法であって、
前記オフセット方向特定工程においては、前記第1の撮像画像と前記第2の撮像画像とのそれぞれにおいて前記仮加工の際の加工方向に沿って画素値を積算することで得られる積算プロファイルに基づいて、前記仮加工の際に生じた前記亀裂の終端の位置座標と、前記仮加工の際の前記加工痕の位置座標とを特定する、
ことを特徴とするパターン付き基板の加工条件設定方法。 - 請求項4または請求項5に記載のパターン付き基板の加工条件設定方法であって、
前記オフセット条件設定工程が、
前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の照射位置を前記加工予定線からオフセットさせる際のオフセット量を、あらかじめ取得された前記亀裂伸展加工の対象とされる前記パターン付き基板の個体情報に基づいて決定オフセット量決定工程、
をさらに備えることを特徴とするパターン付き基板の加工条件設定方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012237738A JP6064519B2 (ja) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
TW102120283A TWI550754B (zh) | 2012-10-29 | 2013-06-07 | A laser processing apparatus and a substrate having a pattern are provided |
KR1020130069851A KR101854679B1 (ko) | 2012-10-29 | 2013-06-18 | 레이저 가공 장치 및, 패턴이 있는 기판의 가공 조건 설정 방법 |
CN201310337996.0A CN103785957B (zh) | 2012-10-29 | 2013-08-02 | 激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012237738A JP6064519B2 (ja) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014087806A JP2014087806A (ja) | 2014-05-15 |
JP6064519B2 true JP6064519B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=50662240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012237738A Active JP6064519B2 (ja) | 2012-10-29 | 2012-10-29 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6064519B2 (ja) |
KR (1) | KR101854679B1 (ja) |
CN (1) | CN103785957B (ja) |
TW (1) | TWI550754B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020090913A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US11833611B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device |
US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6127526B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-05-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
KR101854676B1 (ko) * | 2012-10-29 | 2018-06-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 및, 패턴이 있는 기판의 가공 조건 설정 방법 |
JP6036173B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置 |
JP6241174B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-12-06 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
JP6388823B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-09-12 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN104827191A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 蓝宝石的激光切割方法 |
CN107995996B (zh) * | 2015-08-18 | 2021-10-15 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工装置及激光加工方法 |
JP6594699B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置 |
JP6542630B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-07-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
DE102016103055A1 (de) * | 2015-12-22 | 2017-06-22 | Konrad Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks |
JP6801312B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2020-12-16 | 村田機械株式会社 | レーザ加工機、及びレーザ加工方法 |
JP6912267B2 (ja) * | 2017-05-09 | 2021-08-04 | 株式会社ディスコ | レーザ加工方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4318415B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2009-08-26 | 三洋電機株式会社 | レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置 |
US7423236B2 (en) * | 2001-11-17 | 2008-09-09 | Insstek Inc | Method and system for real-time monitoring and controlling height of deposit by using image photographing and image processing technology in laser cladding and laser-aided direct metal manufacturing process |
EP3252806B1 (en) * | 2002-03-12 | 2019-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
JP2009032832A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検出装置および基板処理装置 |
WO2010098186A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
TWI446984B (zh) * | 2010-06-28 | 2014-08-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 被加工物的加工方法、被加工物的分割方法及雷射加工裝置 |
JP5770436B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 |
JP5389266B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-01-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 基板加工方法 |
TWI469842B (zh) * | 2010-09-30 | 2015-01-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 雷射加工裝置、被加工物之加工方法及被加工物之分割方法 |
JP5670765B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5670764B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5472278B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2014-04-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置 |
JP6003496B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2016-10-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の加工方法 |
JP6127526B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-05-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
JP6036173B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置 |
JP2014216556A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の加工方法およびパターン付き基板の加工装置 |
-
2012
- 2012-10-29 JP JP2012237738A patent/JP6064519B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-07 TW TW102120283A patent/TWI550754B/zh active
- 2013-06-18 KR KR1020130069851A patent/KR101854679B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-02 CN CN201310337996.0A patent/CN103785957B/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020090913A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US11833611B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device |
US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101854679B1 (ko) | 2018-05-04 |
TW201417203A (zh) | 2014-05-01 |
TWI550754B (zh) | 2016-09-21 |
JP2014087806A (ja) | 2014-05-15 |
KR20140068753A (ko) | 2014-06-09 |
CN103785957A (zh) | 2014-05-14 |
CN103785957B (zh) | 2016-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6064519B2 (ja) | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 | |
JP5913472B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP6241174B2 (ja) | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 | |
JP6594699B2 (ja) | 加工対象物切断方法及び加工対象物切断装置 | |
WO2017030039A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP6036173B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
KR101979397B1 (ko) | 패턴이 있는 기판의 분할 방법 | |
JP2011092970A (ja) | レーザー加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置 | |
JP6003496B2 (ja) | パターン付き基板の加工方法 | |
KR101854676B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및, 패턴이 있는 기판의 가공 조건 설정 방법 | |
JP5360278B2 (ja) | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 | |
JP2013118413A (ja) | Ledチップ | |
JP2014216556A (ja) | パターン付き基板の加工方法およびパターン付き基板の加工装置 | |
JP2013118277A (ja) | Ledパターン付き基板の加工方法 | |
JP2012121071A (ja) | レーザー加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6064519 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |