TWI543833B - 將半導體基板輻射開槽之方法 - Google Patents

將半導體基板輻射開槽之方法 Download PDF

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Description

將半導體基板輻射開槽之方法
本發明係關於一種使用一雷射劃線設備輻射劃線一實質上平面半導體基板之方法，藉此沿著在該基板之一目標表面上之半導體裝置之相對列之間延伸之一劃線形成一非穿透性凹槽，藉此可定義一笛卡爾座標系統XYZ，其中：- 該目標表面位於該XY平面中；- 該凹槽平行於該Y方向延伸，其之一寬度在該X方向上；在該方法中：- 該基板夾鉗在一可移動基板固持器上，以便將該目標表面呈現至一雷射劃線頭；- 在該基板固持器與該劃線頭之間實現相對運動，以便使來自該頭之雷射輻射沿著該劃線之一路線平移。
本發明亦關於一種雷射劃線設備，其中可進行此一方法。
為清楚及一致之目的，下列貫穿本文使用之術語及隨附申請專利範圍應作如下解釋：- 術語「本質上平面」應解釋為指代一片狀物、板狀物、葉狀物、晶圓、壓盤等(近似)形式之一基板。此一基板一般形式上係(實質上)平坦的且呈現藉由一相對薄中介「側壁」分離之兩個相對的主要 表面。
- 術語「半導體基板」應廣義地解釋為涵蓋其上製造一半導體裝置或其他積體裝置之任何基板。此等基板可(例如)包括矽或鍺晶圓(具有多種直徑)，及/或具有諸如InAs、InSb、InP、GaSb、GaP或GaAs之化合物質之晶圓。該術語亦涵蓋其上已沈積一或多層半導體材料之非半導體材料(諸如，藍寶石)(例如，如LED之製造中)。半導體裝置或其他相關積體裝置可(例如)係一積體電路、(被動)電子組件、光電子組件、生物晶片、MEMS裝置等。一般在一給定基板上大量製造此等裝置且通常將此等裝置在該等主要表面之至少一者上佈置成一矩陣配置。
- 術語「劃線」(有時亦稱作為一「劃道」)應解釋為指代沿著一基板之一主要表面延伸之一(真實或抽象的)線，沿著該線劃線基板。在一半導體基板之特定情況下，一劃線一般位於在基板上之積體裝置之相鄰/鄰近/相對列之間延伸之一「道」(切割道)上，沿著該道「切割」基板以便容許所討論裝置之(最終)分離。常常將此一程序稱作為「單粒化」。應注意可將目標表面上之劃線配置成規則及/或不規則(重複)組態。例如，一些晶圓可包括藉由形成一規則直角網路之劃線彼此分離之一規則矩陣之相同積體裝置。另一方面，其他晶圓可包括具有不同大小，及/或位於相對於彼此不規則間距處之裝置，暗示劃線之一對應不規則組態。此等劃線之配置不一定必須係直角的。
術語「凹槽」指代不穿透其中產生凹槽(即，產生不直接引起基板之切斷(在Z方向上)之凹槽)之基板之全部厚度之一劃線(溝、凹溝、通道)。因此，包含此開槽之基板單粒化必然係一多步驟程序(如與單個步驟之單粒化相對，其中在一單個操作中貫穿基板之全部深度切削/切斷基板)。在多步驟單粒化中，使用一或多個重複程序來完成切斷處理程序，諸如沿著先前所產生凹槽之額外輻射劃線、機械鋸切/切 削等。
術語「雷射劃線頭」指代一雷射劃線設備/工具中之可用以產生及引導劃線雷射輻射之一光學總成。此一頭一般包括至少一個雷射源及相關聯成像/聚焦光學器件。該頭亦可包括用於對該雷射輻射執行特定處理操作之一或多個輔助組件，諸如(例如)光束分離器、繞射光學元件或濾光器。雷射劃線設備在晶圓單粒化之技術中已為人所熟知：見(例如)美國專利US 5,922,224及US 7,947,920,，該等專利以引用方式併入本文中。
在下文中將更詳細論述此等點。
使用一雷射劃線設備開槽半導體基板在半導體製造產業中係為人所熟知且廣泛應用的一技術。特定言之，其應用在包括一相對易碎及/或較差黏著頂層(例如，如一所謂的「低介電常數(k)」介電質頂層(其相對於二氧化矽具有一相對較低k)之情況)之半導體基板上。很難使用機械構件劃線此等問題頂層(該等之厚度量級通常係約1微米至10微米)，該等問題頂層趨向於引起加寬所要劃線之(外部)區域中之頂層之不可接受破裂及/或分層。然而，可使用一輻射劃線工具更加滿意地燒蝕此等頂層。因此，在使用一機械工具在一稍後接合點處單粒化承載此一層之基板之前，習知地首先使用一雷射劃線設備將其開槽。一附加優點係，除整潔地劃線問題頂層之外，輻射開槽亦可移除切割道中之某些表面金屬結構，諸如所謂TEG(測試元件組)；此可幫助改良用於後續機械單粒化之刀片之使用壽命。一輻射凹槽之深度量級通常係約15μm(例如)。因為用於單粒化隨動(follow-up singulation)之(鋸切)刀片趨向於相對較厚(例如，約50μm寬)，所以凹槽本身必須對應地相對較寬(例如，約60μm量級(例如))。
然而，此將輻射開槽用作為機械單粒化之一開頭可引起某些問題。特定言之，由於(燒蝕)輻射開槽處理程序本質上係熱的，故其將 引起不僅在凹槽內亦在沿著凹槽之外部延行之一周邊區中產生熱量。鄰近於凹槽之此所謂的熱影響區(HAZ)係其中溫度通常太低不能引起燒蝕之一區域，但然而足夠高以引起其他非所要熱效應，諸如燃燒、熔化、變色或其他物理/化學特性之一改變(諸如，介電常數、阻抗、結晶相等)。
為避免此HAZ問題，可增大切割道之寬度，使得沿著凹槽定位之裝置移動遠離HAZ。然而，一更寬切割道承擔基板上之可用裝置區域(「真實面積」)之一損耗，導致每個裝置之成本之一增大。此係非常非所要的。
本發明之一目標係解決此等問題。更特定言之，本發明之一目標係提供一改良的亦更靈活的輻射開槽程序。特定言之，本發明之一目標係此一輻射開槽處理程序應係可控制的以便具有一更有限的HAZ。
以如【技術領域】中詳細說明之一方法實現此等及其他目標，該方法之特徵在於，當在該XY平面中觀看時，雷射劃線頭產生一二維陣列之雷射光束點。
因此，不可(在基板平面中)貫穿陣列之所有分量光束點畫一單個直線。
本發明實現許多重要優點，現將更詳細闡明：
(i)首先，使用一二維(2D)陣列之雷射光束開槽基板引起跨凹槽之寬度使用多雷射光束且沿著凹槽之長度使用多雷射光束進行開槽處理程序。在此等方向之兩者上具有多個子光束容許比在一單個、大直徑光束之情況中之輻射功率之一更平滑分佈。更重要地，亦提供調整個別光束之特性之可能性，使得整個陣列可經靈活地調適至一特殊基板/裝置/凹槽案例之要求/特點。
(ii)特定言之，此一陣列之所得強度輪廓將係其分量光束之強度輪廓之總和。此一總和的強度輪廓可經調適以沿著其邊緣具有隨著HAZ之寬度之一相關聯實質縮減(例如，見圖6)之一更明顯強度降低(即，一更減小/急轉的強度「側緣」或「尾緣」)。
(iii)此外，對陣列中之不同光束可能使用不同強度容許在凹槽中產生故意的溫度效應之可能性。例如，可故意調適一或多個光束之強度，以便使光束太弱不能引起(實質)燒蝕但足夠強以引起(實質)加熱(及熔化，例如)，因此容許執行非燒蝕熱處理。
(iv)本發明之另一優點係關於處理量增益。使用一陣列之雷射光束可以一單通路實現原本以多個、循序通路之一總和效應實現之一最終結果。由於消除一多路程序中正確重疊/對準後續通路之需要，故此不僅大大增大處理量，且亦改良最終結果之精確性。
本發明之此等態樣導致在多種方面上產生一優越品質結果之一更高靈活性之開槽處理程序，如將在下文中詳細闡明。
在本發明之一特殊實施例中，2D陣列中之光束點實質上平行於Y及X方向之兩者延伸(當在XY平面中觀看時)。此一實施例在切割道中產生點之一「正規正交(orthonormal)」配置(例如，如與一偏斜、交錯或不規則配置相對；例如，比較圖3與圖5)，且此繼而容許最佳利用上文效應(i)至(iv)。更特定言之，其容許在凹槽之長度方向上(沿著Y)及凹槽之寬度方向上(沿著X)最佳化以及本質上個別調整發明效應。
根據本發明之方法之一實施例之特徵在於，在陣列之至少一第一部分中，當平行於X方向觀看時，並非所有雷射光束具有相同強度。更特定言之，可設想此一情況：其中該陣列之末端處之雷射光束具有低於該陣列之一中心部分中之雷射光束之強度之一強度。此一實施例可產生許多重要效應，其中(例如)：
○若需要，此一實施例容許產生具有一槽狀底部而非一平坦底部 之橫截面之一凹槽(在XZ平面中)。此槽狀底部用作為約束一鋸刀片橫向(在X上)漂移之趨向之一自然操控/自動對齊結構，因此有效地減輕重複機械單粒化期間之潛在鋸搖晃。由於一搖晃鋸可引起其中鋸衝撞一凹槽邊緣之點處之基板之碎裂/破裂，故此係一潛在重要點。此一槽狀凹槽底部可具有多種不同形式，其不一定必須係對稱的；然而，在一特殊實施例中，當在該第一部分中觀看時，光束之一總和強度產生實質上關於陣列中心上之一Z軸對稱之一強度輪廓。此一實施例具有將一鋸刀片之路徑在凹槽之寬度中本質地置於中心之優點。此等強度輪廓之實例包含(例如)一「V」形狀及一倒轉鐘曲線(高斯曲線)。
○此一實施例容許沿著凹槽之邊緣發生較小強雷射輻射，因此容許HAZ之進一步縮減，且進一步減輕對裝置面對切割道之側之熱損害之風險。
見(尤其)上文之(i)及(ii)項。此段落中闡述之實施例此後(為參考之方便)將被稱作為以一「X準則」為特徵(由於強度在X方向上變化)。
根據本發明之方法之另一實施例之特徵在於，在陣列之至少一第二部分中，當平行於Y方向觀看時，並非所有雷射光束具有相同強度。更特定言之，可設想此一情況：其中該陣列之末端處之至少一雷射光束具有低於該第二部分中之雷射光束之平均強度之一強度。此一實施例可產生許多重要效應，其中(例如)：
○藉由使用陣列之後端處之一某種程度上較弱「尾緣」光束強度(考量在其中陣列在開槽期間沿著基板(相對)平移之「移動方向」上)，可在凹槽之底部上實現一「熱後調理」效應，其顯著減小底部表面之粗糙度。一更光滑凹槽底部繼而導致減小隨後機械單粒化期間之鋸刀片振動/衝擊。
○藉由使用陣列之前端處之一某種程度上較弱「前緣」光束強度 (再次考量在上文提及之移動方向上)，可在基板之表面上實現一「熱預調理」效應。例如，一相對較低前緣光束強度可在陣列中之更強大「主光束」之前執行易碎低k材料之相對溫和劃線；以此方式，(進一步)減輕鄰近於切割道之裝置中裂縫之產生/伸延。
在一給定情況下，是否選擇此等熱調理效應之一者或兩者(即，是否將較弱光束提供給尾緣或前緣之一者或兩者)係一選擇問題。在一對稱陣列之前緣及尾緣之兩者處具有較弱光束之一優點係，當陣列到達一劃線之端部且(通常)移到X方向上以便開始開槽一相鄰劃線時，由於一較弱(即，低強度)前緣現變成一較弱尾緣(且反之亦然)，故不一定需要翻轉陣列之旋轉定向(關於Z方向)。
見(尤其)上文之(i)及(iii)項。此段落中闡述之實施例此後(為參考之方便)將被稱作為以一「Y準則」為特徵(由於強度在Y方向上變化)。
應注意，根據選擇且當在有關方向(分別係X/Y)上觀看時，上文提及之X準則/Y準則(若/當應用時)可應用於整個陣列或僅陣列之所指示有關部分(分別係第一/第二部分)。例如，考量具有n「列」(各在X上延伸，且在Y上間隔)及m「行」(各在Y上延伸，且在X上間隔)(其中n 3且m 2)之一矩形n x m陣列之形式之雷射光束點。接著：
●可選擇將該X準則應用於所有n列，或僅n之一子集，且可能僅一單個列。若選擇將該X準則應用於多於一列，則接著無需將其相同地應用於各此列；例如，在列n 1中，中心光束之強度可比周邊(極端)光束之強度高20%然而，在另一列n 2中，中心光束之強度可比周邊光束之強度高30%。亦應注意「左」及「右」周邊光束不一定必須具有相同強度。
類似地，可選擇將該Y準則應用於所有m行，或僅m之一子集，且可能僅一單個行。再一次，若選擇將該Y準則應用於多於一行，則 接著無需將其相同地應用於各此行；例如，在行m 1中，一尾緣光束之強度可比平均光束之強度低20%；然而，在另一行m 2中，一尾緣光束之強度可比平均光束之強度低30%，且一前緣光束之強度可比平均光束之強度低40%。此外，應注意除非尾緣及/或前緣光束外之「主光束」並非全部必須具有相同強度。例如，在含有(例如)n=5光束之一行中，可選擇如下之一強度輪廓：n 1：強度=30% I(前緣光束)；n 2：強度=100% I；n 3：強度=80% I；n 4：強度=60% I；n 5：強度=40% I(尾緣光束)，其中「I」表示一給定(任意)強度值。熟練技術者應瞭解存在許多其他可能性，且其可在一給定開槽案例中選擇適合其要求之一強度輪廓。
關於本發明中之二維陣列之雷射光束點之幾何形狀(當平行於XY平面考量時)，亦應注意此陣列可具有許多不同形式。特定言之，應注意：- 陣列中之光束點可配置成可係相對於Y方向之正交或非正交之一柵樣式；- 陣列之一區域可配置在一柵上，且陣列之另一區域可配置在另一柵上，其此等柵可相對於彼此具有多種位態，例如，其等可係交錯的、剪切的、傾斜的等。
關於實際產生本發明中使用之二維光束陣列，熟練技術者應瞭解可以不同方式實現此一陣列。例如，可想像一案例，藉此陣列中之各個別光束係藉由其自身雷射產生，然而，由於用於雷射劃線設備中之雷射傾向於相當昂貴，故此一案例傾向於某種程度上受成本方面之 抑制。一替代方法使用一單個雷射，但將其輸出細分割(分離)成多個子光束。例如，可使用(例如)一套個別偏光光束分離器來實現此細分割。然而，在本發明之一特殊實施例中，一所謂的繞射光學元件(DOE)係用於此目的。此一DOE可係針對個別規格定製製造的，以便產生一特殊所要光學陣列組態(例如，一3x3正方陣列、或具有5光束之一前緣列及3光束之一尾緣列之一二等邊梯形陣列，其中有許多其他可能)。
在先前段落中闡述之實施例之一改良中，使用至少兩個繞射光學元件之一串列配置來產生該光束陣列，該至少兩個繞射光學元件之一者在X方向上產生光束細分割且其他者在Y方向上產生光束細分割。在此情況下使用表達「串列配置」指示光首先橫穿一DOE，接著橫穿其他DOE。此一配置係有利地，其係因為其關於X及Y方向上之發明光束陣列之參數之單獨調整提供更多靈活性。
關於上文提到之關於光束陣列參數供應增大的靈活性，可(若需要)在一交換機構中提供多種不同DOE，該交換機構可用於將不同DOE切換入及出雷射光之光學路徑。此一機構可(例如)基於一轉盤原理，或使用諸如用於在一投影機中儲存/裝載攝影投影片之一滑架。在兩個DOE之一串列配置之情況下，可在串列配置中提供兩個交換器。
關於其中本發明利用互相不同之光束強度(例如，見上文提及之X及Y準則)之實施例，應注意，當提供規格以製造一特殊DOE(其可由各種製造者按訂單生產)時，可將此強度差異納入考量；若想改變發明雷射光束陣列中之強度輪廓/分佈，則接著可使用不同DOE。然而，根據本發明之一實施例，亦存在一更加靈活的方式來相對調整該陣列中之多種分量光束之強度。為此，在陣列照射在基板上之前，使陣列橫穿具有包括個別像素可經調整之一「像素」矩陣(或可程式化 「影像塊」)之一程式化表面之一空間光調變裝置，以便可變地衰減陣列中之個別光束。可(例如)使用一液晶螢幕來實現此一可程式化表面。此類型之一實施例在不需要為此目的具有整個範圍之DOE之情況下容許「進行」陣列中不同相對強度之分量光束之很大靈活性。
應注意，根據本發明之陣列中之光束/點之互相間隔係選擇問題。參考上述態樣(ii)，光束間隔將影響尤其其中總計鄰近個別光束之強度輪廓之方式，藉此亦影響組合光束之所得/彚總強度輪廓之形狀/大小。特別關於Y方向，應記得，在陣列在輻射劃線期間相對於基板表面平移時，一切割道中之一靜態參考點將「看見」陣列中之連續光束經過該靜態參考點。因此，除上文提及之關於總和輪廓之點之外，亦存在額外考量：Y方向上之光束之互相間隔將基於藉由序數n之一光束之先前橫穿後續之序數n+1之一光束之「到達」(共)判定一切割道中之一給定點之狀態/溫度。在一特殊實施例中，(在先前藉由光束n熔化之後)此一點處之基板材料較佳已在光束n+1之到達時隨即重固化，即，光束n+1未遇到熔融基板材料。對於基板表面處之約10μm之一光束直徑(點大小)，及約0.4m/s之一陣列平移速度，可在後續光束點(在移動方向上)之間使用約50μm(中心至中心)之一Y分離實現良好結果。然而，此僅係一實體，且熟練技術者將能夠針對一給定情況之需要及細節(在X及Y方向上)調適採用的光束間隔。
應明確注意，並非所有發明光束陣列中之雷射光束需要具有相對於XY平面之相同焦深(即，XY平面下方之焦點之Z位置)。在所謂的「隱形切割」中，一劃線雷射光束聚焦在一基板之塊中而非其表面上。若需要，可將一某種程度上相關之方法用於本發明中。例如：
- 當在沿著一劃線之上文提及之移動方向上考量時，可選擇使光束之連續列聚焦至連續地更大深度(其中尾緣列聚焦至比前緣列更深之深度)。
- 可選擇使靠近一凹槽之邊緣定位之光束聚焦至比朝向凹槽之中心定位之光束更淺之一焦深。
在本發明之一特殊實施例中，(在一給定基板上)沿著不同劃線並行劃線多個凹槽，各凹槽係使用根據本發明之一2D光束陣列(即，一二維陣列之雷射光束點，如在XY平面中觀看)劃線。在此一設定中，各2D光束陣列藉由等於兩個鄰近切割道之間之距離，或此距離之一整數倍之一距離與其相鄰陣列(可調整地)分離。由於若干(兩個或兩個以上)切割道係經平行開槽的，故諸如此之一「多任務」配置可用於實現更高處理量。可以不同方式實現此一實施例，例如：- 所採用劃線頭可產生複數個個別2D光束陣列；- 可使用複數個劃線頭，各劃線頭產生單一2D光束陣列。
在一特定實例中：- 使用在X方向上藉由等於切割道之(局部)X分離(間距，P d )之一距離(可調整地)彼此分離之一對2D光束陣列；- 在已在+Y方向上劃線(在一給定基板上)一對凹槽之後，在基板與劃線頭之間完成X方向上之相對運動，以便引起量值△X=2 P d 之一偏移/位移。此後，在-Y方向上執行劃線。
等等。
在根據本發明之一例示性方法中，該方法不意欲以任何方式限制本發明之範疇，而是僅此處為給予具體的、實踐的實例之目的而呈現下列應用態樣：- 選擇具有200nm至3000nm範圍中之一波長之一輸入雷射光束及1mW至100W範圍中之一輸出功率。經選擇雷射很大程度上依靠於劃線中之基板之材料。可藉由多種雷射產生此範圍中之波長。例如，一固態Nd：YAG雷射產生1064nm之一波長，其中諧波為532nm及355nm。替代地，可使用(例如)具有1062nm之一波長之一摻雜光纖雷 射。355nm波長特別令人滿意，其係因為：
○355nm波長傾向於可由半導體材料更強吸收的。
○355nm波長一般可相對容易地聚焦至一相對較小點大小。
然而，此單純係選擇問題，且可替代地採用其他波長。
- 使用能夠輸送其中一脈衝持續時間在約1微秒至100飛秒之範圍中之一脈衝雷射光束之一雷射源。
- 使用一DOE，輸入雷射經分割以便形成(例如)在X方向上包括3或4個光束且在Y方向上包括2至4個光束之一矩形形式之一二維陣列光束(子光束)。
1‧‧‧半導體基板
2‧‧‧劃線
2’‧‧‧切割道
2a、2b‧‧‧劃線
3‧‧‧目標表面
4‧‧‧雷射源/組合組件
5‧‧‧可移動基板固持器(工作台、卡盤)
6‧‧‧光學軸
8‧‧‧光束細分割器/組合組件
10‧‧‧投影(成像)系統/組合組件
12‧‧‧雷射劃線頭
14‧‧‧雷射控制器
15‧‧‧載台總成
20‧‧‧主控制器
23‧‧‧積體裝置
A‧‧‧雷射劃線設備
A1、A2‧‧‧軸
AT‧‧‧線
B‧‧‧雷射陣列/二維雷射光束陣列
D‧‧‧方向
E1、E2‧‧‧縱向邊緣
G‧‧‧凹槽
G’‧‧‧槽狀底部
L‧‧‧長度
MB‧‧‧多光束
m1、m2、m3、m4‧‧‧行
n1、n2、n3‧‧‧列
n3’‧‧‧替代列
P1‧‧‧第一部分
P2‧‧‧第二部分
S13、S21、S32、S34‧‧‧光束
SB‧‧‧單光束
T‧‧‧區域
W‧‧‧寬度
-△X‧‧‧量
+Y、-Y‧‧‧方向
現將在例示性實施例及隨附示意性圖式之基礎上更詳細闡明本發明，其中：圖1呈現適用於執行根據本發明之一方法之一雷射劃線設備之一特殊實施例之部分之一正視圖(沿著一Y軸觀看)。
圖2呈現圖1之物體之部分，特定言之圖1之一底部部分之一平面圖(沿著一Z軸)。
圖3描繪圖1及圖2中所示之基板之一所關注區域之一放大平面圖(沿著一Z軸)。
圖4呈現圖3之部分之一橫截面圖。
圖5呈現根據本發明之作為圖3中描繪之情況之替代例之一雷射光束(點)陣列之多種可能幾何結構之一平面圖(沿著一Z軸)。
圖6圖解若干分量雷射光束之總和強度輪廓相較於一單個雷射光束之一強度輪廓之效果且說明可如何使用本發明實現一更窄熱影響區(HAZ)。
在圖式中，其中使用對應參考符號指示有關對應部分。
實例1
圖1呈現適用於進行根據本發明之一方法之可用於沿著基板1之一目標表面3上之至少一劃線2(未描繪；見圖2)輻射劃線一實質上平面半導體基板1之一雷射劃線設備A之一特殊實施例之部分之一正視圖。另一方面，圖2呈現圖1之底部部分之一外觀之一平面圖。注意，圖式中所示之笛卡爾座標系統XYZ。
明確言之，圖1及圖2共同展示下列：
●一雷射源4，其沿著一光學軸6輸出(脈衝)雷射輻射。雷射源4連接至一控制器14，控制器14可尤其用於控制參數(諸如該雷射輻射之脈衝持續時間及功率/影響)。
●一光束細分割器8，其將該雷射輻射轉換成一二維陣列B之雷射光束(例如，見圖3)。此細分割器8可(例如)包括一或多個DOE。
●一可移動基板固持器(工作台、卡盤)5，基板1安裝於其上以便將目標表面3呈現至雷射陣列B。(例如)經由周邊夾鉗習知地發生此安裝。
●一投影(即，成像)系統10，其用於將雷射陣列B投影至基板1上。此處由T表示陣列B照射在基板1上之區域。投影系統10可用於(如所要)將陣列B(其分量)聚焦至基板1上或聚焦至基板1中，且亦可(例如)執行像差/失真校正。組合組件4、8、10被包含在此處稱作為一雷射劃線頭12之物體中。
●一載台總成15，其可在XY平面中相對於光學軸6定位基板固持器5。
圖2展示俯視觀看擱在基板固持器5上之基板1。在目標表面3上圖解多種劃線2。此等劃線2在分佈在表面3上之一矩陣配置中之積體裝置23之間延行成一X/Y柵樣式；一般在一典型半導體基板1上將存在非常多之此等裝置23，但此處僅圖解一些，以便不混亂圖式。圖式 描繪在一特殊方向上(在此等情況下±Y)沿著多個、連續的劃線2劃線基板1之一「縱向掃描及橫向步進」方法。例如：
●藉由使雷射陣列B在-Y方向上掃描而沿著劃線2a劃線基板1；實際上，可藉由在+Y方向上使用載台總成15(見圖1)掃描基板固持器5實現此相對運動。
●在完成沿著劃線2a延行劃線之後，載台總成15將用於使基板固持器5在+X方向上步進一量△X；因此，將使雷射陣列B相對於目標表面3有效地步進一量-△X。
●現藉由使雷射陣列B在+Y方向上掃描而沿著劃線2b劃線基板1；實際上，可藉由在-Y方向上使用載台總成15掃描基板固持器5實現此相對運動。
●等等。
應注意，存在具體實施載台總成15之多種方式，且熟練技術者將能夠實施此方面之許多替代方式。圖2中示意性地描繪之一特殊實施例使用兩個分離線性馬達(未描繪)來沿著軸A1及A2獨立驅動基板固持器5，軸A1及A2關於X、Y軸之對向角為45°；接著X或Y上之運動包含沿著A1及A2軸並行驅動。通常而言，將使基板固持器5(例如)在一空氣軸承或磁懸軸承(未描繪)之幫助下在平行於XY平面之一參考表面(諸如一拋光石材表面)上光滑地浮動。可在諸如(例如)干涉儀或線性編碼器(未描繪)之定位儀器之幫助下監測及控制基板固持器5。此外，通常亦可採用聚焦控制/位階感測(未描繪)以確保基板1之目標表面3相對於投影系統10維持在一所要位階。熟練技術者非常熟悉所有此等習知定位及控制態樣，且此處不需要任何進一步闡明。
熟練技術者亦應瞭解，習知地，待經歷劃線之一基板1將首先被安裝在橫跨在一圓周框中之一箔片上，且因此該箔片係基板之複合結構，箔片及圓周框必須安裝在基板固持器5上。同樣地，熟練技術者 應瞭解，在單粒化一整個基板1之後，可(例如)藉由橫向拉伸該箔片沿著多種劃線分離基板。存在半導體基板劃線之欄位之本質態樣使得此處不需要進一步闡明；更多資訊可(例如)參考下列公開案：
○US 2008/0196229 A1及US 5,979,728。
○http：//en.wikipedia.org/wiki/Dicing_tape
○http：//www.lintec-usa.com/di_t.cfm#anc01
如此處所描繪，(主)控制器20連接至雷射控制器14。控制器20亦連接至載台總成15，使得可調整基板1及雷射陣列B之相對定位。
現轉向圖3，此展示基板1之一所關注區域之一放大平面圖。圖3所描述係在四個裝置23之間在Y方向上延伸之一劃線2。劃線2沿著一切割道2’之中心定位。此處展示二維雷射光束陣列B包括十二個分量光束點(藉由圓圈表示)，該等分量光束點在此特殊情況下配置成具有n列(在此例項中n=3)及m行(在此例項中m=4)之一矩形組態，各列n1、n2、n3平行於X方向(平行於切割道2’之寬度)延伸且各行m1、m2、m3、m4平行於Y方向延伸(平行於切割道2’之長度)。使用命名法Sij表示陣列B中之個別光束(點)，其中i指示列數且j指示行數；如此命名法之實例，明確標示光束S13、S21、S32及S34。陣列B具有一寬度W(平行於X)及一長度L(平行於Y)。在此特殊情況下，W處於40μm至70μm之範圍中(例如，45μm)，L處於100μm至1000μm之範圍中(例如，150μm)，各光束具有在5μm至15μm之範圍中(例如，12μm)之一直徑(點大小)且切割道2’(平行於X)之寬度係W+(5μm至10μm)。展示陣列B在一方向D上沿著劃線2之路線平移。因此，在此情況下，可將列n1視為陣列B之前緣(「前」末端)，且列n3係其尾緣(「後」末端)。類似地，行m1及m4定義陣列B之「左」及「右」末端/邊緣。
當發明光束陣列B在切割道2’中沿著方向D平移時，其分量光束Sij將材料燒蝕出基板1，因此產生一凹槽G(其不延伸穿過基板1之全 部厚度)。未在圖3中描繪此凹槽G(以便不混亂圖式)，但在圖4(其表示圖3之部分之一橫截面圖)中清楚可見此凹槽G；然而，圖3中示意性地呈現凹槽G之縱向邊緣E1(左)及E2(右)。在此特殊情況下，已應用上文提到之X準則及Y準則之兩者，其係因為各自X及Y方向上之光束強度之適當選擇： - 凹槽G具有一槽狀底部G’； - 凹槽G之底部G’具有一相對光滑表面。
在目前情況下，凹槽G之最大深度處於10μm至20μm(例如，20μm)之範圍中且其底部G’之RMS(均方根)粗糙度係約1μm至2μm。注意，圖4中標示m1、m2、m3、m4之點虛線對應於圖3之光束行m1、m2、m3、m4之X位置。
作為目前情況下可選擇之光束強度之一選擇之一實例，可參考下列表1，其中符號「I」表示一給定強度(例如，用於200ns之一脈衝長度之每脈衝20μJ)：
注意在目前情況下：
- 在任何給定列中，左及右末端處之光束具有低於中心光束之強度之強度。
- 在任何給定行中，尾緣光束具有低於(兩個)其他光束之強度之一強度。
亦應注意：- 可將列n1、n2、n3之各者(或一鄰近對之列，例如，或三列之整組)視為對應於上文提及之平行於X方向觀看時陣列B之「第一部分」；- 可將行m1、m2、m3、m4之各者(或一鄰近對或三個一組之行，例如，或四行之整組)視為對應於上文提及之平行於Y方向觀看時陣列B之「第二部分」。
特定言之，應注意無需將上文提及之X準則/Y準則應用於陣列B之所有有關部分，各僅需應用於至少一有關部分。例如，在上述表1中，可用一替代列n3’(表2)替代最後列n3，且仍保持在作為一整體用於陣列之上文提及之X及Y準則之範圍中：
在此一替代實施例中：- 現將X準則應用於列n1及n2，但不應用於列n3’；- 現將Y準則應用於行m2及m3，但不應用於行m1及m4。
應明確注意，在一替代實施例中，可替代地應用下列之一者或兩者：
- 在各列中，在X方向上考量之光束具有(實質上)相等強度；在此一情況下，X準則不保留。
- 在各行中，在Y方向上考量之光束具有(實質上)相等強度；在此一情況下，Y準則不保留。
亦應注意，儘管圖4中描繪之凹槽G具有一槽狀底部G’，此無需為此情況；代替性地，陣列B中之光束強度之適當選擇可(例如)產生 具有一實質上平坦的底部之一凹槽。
實施例2
圖5呈現作為圖3中描繪之情況之替代例之根據本發明之一雷射光束(點)陣列之多種可能幾何結構之一平面圖(沿著一Z軸)。如圖3中，圖5描繪一凹槽G(未展示)之一劃線2、切割道2’及縱向邊緣E1、E2。亦描繪四個不同雷射光束陣列B1、B2、B3、B4(自圖之頂部至底部)。在此等光束陣列B1、B2、B3、B4中，圖式描繪分別在X準則及Y準則之內容背景中上文提到之「第一部分」P1及「第二部分」P2之可能候選，藉此應明確注意亦可設想此等部分之其他候選。圖5中之此等潛在部分之圖解不意謂實際上必須應用X準則及Y準則。
實例3
圖6圖解若干分量雷射光束之總和強度輪廓相較於一單個雷射光束之一強度輪廓之效果且說明可如何使用本發明實現一更窄熱影響區(HAZ)。
該圖式係根據相對於一切割道之一中心縱向軸之X位置(以μm)之光束強度(以任意單位)之一曲線圖。標記為「AT」之虛線指示所謂的燒蝕臨限值，即產生基板材料之燒蝕之所需要光束強度之最小值；在此線之下方，基板材料將被加熱/熔化，但不被(系統地)燒蝕。
圖式額外地圖解兩個不同強度輪廓，其可如下列闡明：
(a)一細線表示藉由以縱向軸為中心之一單光束(SB)產生之(高斯)強度分佈。在此情況下，位於線AT下方之此高斯鐘之「側緣」或「尾緣」定義熱影響區(HAZ)，其在圖式之右側處使用陰影突顯。
(b)一粗線用以表示根據本發明之一多光束(MB)陣列之(高斯)強度分佈，在此特殊情況下，相同強度之四個光束對稱地橫跨該縱向軸。此等四個個別高斯鐘將總計產生一所得強度分佈(未展示)。因為各分量高斯鐘具有比(a)中之曲線更明顯之一下降，故陣列之邊緣將 更陡地跨線AT。因此，在此情況下，HAZ將更小：見圖式之左側處之陰影區域。
注意，將藉由其中各自強度曲線與線AT交叉之點定義(a)、(b)情況下產生之凹槽之寬度。在目前情況下，觀察到約40μm之一凹槽寬度(藉由水平軸下方之雙端箭頭表示)。
1‧‧‧半導體基板
2‧‧‧劃線
2’‧‧‧切割道
3‧‧‧目標表面
4‧‧‧雷射源/組合組件
5‧‧‧可移動基板固持器(工作台、卡盤)
6‧‧‧光學軸
8‧‧‧光束細分割器/組合組件
10‧‧‧投影(成像)系統/組合組件
12‧‧‧雷射劃線頭
14‧‧‧雷射控制器
15‧‧‧載台總成
20‧‧‧主控制器
23‧‧‧積體裝置
A‧‧‧雷射劃線設備
B‧‧‧雷射陣列/二維雷射光束陣列
D‧‧‧方向
E1、E2‧‧‧縱向邊緣
L‧‧‧長度
m1、m2、m3、m4‧‧‧行
n1、n2、n3‧‧‧列
S13、S21、S32、S34‧‧‧光束
T‧‧‧區域
W‧‧‧寬度

Claims (12)

  1. 一種使用一雷射劃線(scribing)設備輻射劃線一實質上平面半導體基板之方法，藉此沿著在該基板之一目標表面上之半導體裝置之相對列(opposing rows)之間延伸之一劃線形成一非穿透性凹槽(grove)，藉此可定義一笛卡爾(Cartesian)座標系統XYZ，其中：該目標表面位於該XY平面中；該凹槽平行於該Y方向延伸，其中一寬度在該X方向上；在該方法中：該基板夾鉗在一可移動基板固持器上，以便將該目標表面呈現至一雷射劃線頭；在該基板固持器與該劃線頭之間進行(effect)相對運動，以便使來自該頭之雷射輻射沿著該劃線(course)之一路線平移，其特徵在於，當在該XY平面中觀看時，該雷射劃線頭產生一二維陣列之雷射光束點以形成該凹槽。
  2. 如請求項1之方法，其中該二維陣列之雷射光束點包括實質上平行於該Y及該X方向之兩者延伸之複數個光束點。
  3. 如請求項1或2之方法，其中，在該陣列之至少一第一部分中，當平行於該X方向觀看時，該陣列之末端處之雷射光束具有低於該陣列之一中心部分中之雷射光束之強度之一強度。
  4. 如請求項1或2之方法，其中，在該陣列之至少一第二部分中，當平行於該Y方向觀看時，該陣列之一末端處之至少一雷射光束具有低於該第二部分中之該雷射光束之平均強度之一強度。
  5. 如請求項1或2之方法，其中藉由使用至少一繞射光學元件產生該陣列，以細分割一單體式雷射光束。
  6. 如請求項5之方法，其中使用至少兩個繞射光學元件之一串列配置產生該陣列，其中一者在該X方向上產生光束細分割且另一者在該Y方向上產生光束細分割。
  7. 如請求項1或2之方法，其中並非該陣列中之所有雷射光束具有相對於該XY平面之相同焦深。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該陣列中之光束之至少一子集之該強度係可調整的。
  9. 如請求項8之方法，其中，在該陣列照射在該基板上之前，使該陣列橫穿具有包括個別像素可調整之一像素矩陣之一可程式化表面之一空間光調變裝置，以便可變地衰減該陣列中之個別光束。
  10. 如請求項9之方法，其中該可程式化表面包括一液晶螢幕。
  11. 如請求項1或2之方法，其中對複數個該等二維陣列之雷射光束點進行並行使用，以同時沿著對應複數個劃線來劃線一給定基板。
  12. 一種用於使用雷射輻射來輻射劃線一實質上平面半導體基板之設備，藉此在該基板之一目標表面上沿著在半導體裝置之相對列之間延伸之一劃線形成一非穿透性凹槽，該設備包括：一雷射劃線頭，其用於產生該雷射輻射；一可移動基板固持器，該基板可夾鉗於其上以便將該目標表面呈現至該雷射劃線頭；產生構件，其用於在該基板固持器與該劃線頭之間產生相對運動，以便使來自該頭之雷射輻射沿著該劃線之一路線平移，其特徵在於該雷射劃線頭經實施(embody)以產生一二維陣列之雷射光束以形成該凹槽。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093518B1 (en) * 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9165832B1 (en) 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US10307867B2 (en) 2014-11-05 2019-06-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser fiber array for singulating semiconductor wafers
DE102016215473B4 (de) 2015-09-10 2023-10-26 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
US10340170B2 (en) 2016-02-12 2019-07-02 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and device for grooving wafers
DE102016224978B4 (de) 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
DE102017200631B4 (de) 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP2018120913A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6935126B2 (ja) * 2017-04-05 2021-09-15 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法
JP6912267B2 (ja) * 2017-05-09 2021-08-04 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
JP2022024547A (ja) 2020-07-28 2022-02-09 株式会社ソシオネクスト 半導体装置の製造方法、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2022102477A (ja) * 2020-12-25 2022-07-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2022102471A (ja) * 2020-12-25 2022-07-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
DE102022111603A1 (de) 2022-05-10 2023-11-16 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren und Fertigungssystem zur Herstellung und Prüfung einer Schlitz-Steg-Schwächungslinie in einem Fahrzeuginnenverkleidungsteil

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3248336B2 (ja) * 1994-03-23 2002-01-21 富士電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US5710065A (en) 1995-01-03 1998-01-20 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for breaking and separating dies from a wafer
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
KR100479962B1 (ko) 1996-02-09 2005-05-16 어드밴스드 레이저 세퍼래이션 인터내셔널 비.브이. 반도체소자분리방법
JP3605965B2 (ja) 1996-09-12 2004-12-22 株式会社デンソー グロープラグ
JP3969855B2 (ja) * 1998-07-02 2007-09-05 キヤノン株式会社 露光方法および露光装置
US6633338B1 (en) * 1999-04-27 2003-10-14 Gsi Lumonics, Inc. Programmable illuminator for vision system
JP4022038B2 (ja) * 2000-06-28 2007-12-12 三菱重工業株式会社 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置
JP2002261314A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜光電変換モジュールの製造方法
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
JP2005101464A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 National Institute Of Information & Communication Technology レーザー発振の制御装置
EP1675776B1 (en) 2003-10-22 2017-08-30 Cryovac, Inc. Reclosable rigid container assembly
JP5008831B2 (ja) * 2005-02-03 2012-08-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザ装置、レーザ装置の制御装置、レーザ装置の制御方法、レーザ装置の波長切換方法およびレーザ装置の制御データ
CN101198450A (zh) 2005-06-16 2008-06-11 Nxp股份有限公司 拉伸持箔器的箔片的工具、从晶片移除晶粒的机器及方法
EP1779961B1 (en) 2005-10-31 2011-06-15 Advanced Laser Separation International (ALSI) B.V. Method for forming one or more separated scores in a surface of a substrate
JP4875439B2 (ja) * 2006-09-06 2012-02-15 三菱重工業株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP5381052B2 (ja) * 2008-12-01 2014-01-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体集積回路チップの製造方法
WO2010080595A2 (en) 2008-12-19 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Illumination methods and systems for laser scribe detection and alignment in thin film solar cell fabrication
JP2010207879A (ja) 2009-03-11 2010-09-24 Panasonic Corp レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP5431989B2 (ja) 2010-01-29 2014-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5534853B2 (ja) * 2010-02-18 2014-07-02 芝浦メカトロニクス株式会社 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
WO2011116968A2 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Laser Zentrum Hannover E.V. System and method for laser-beam based processing
CA2805003C (en) * 2010-07-12 2017-05-30 S. Abbas Hosseini Method of material processing by laser filamentation
JP5468046B2 (ja) * 2011-07-20 2014-04-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ加工装置
JP5510486B2 (ja) * 2012-03-23 2014-06-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置
JP6022223B2 (ja) 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5940906B2 (ja) 2012-06-19 2016-06-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置

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