TWI736862B - 發光二極體顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種發光二極體顯示面板。發光二極體顯示面板包括複數條資料線、複數條閘極線、複數個畫素及第二電晶體。該複數個畫素設置於發光二極體顯示面板之有效顯示區域內。該複數個畫素中之第一畫素包括發光二極體及第一電晶體。發光二極體耦接至接地電壓。第一電晶體耦接於該複數條資料線中之第一資料線與發光二極體之間。第一電晶體之閘極耦接該複數條閘極線中之第一閘極線並受控於第一閘極線所提供之驅動訊號。第二電晶體設置於有效顯示區域之外。第二電晶體耦接第一資料線且第二電晶體之閘極受控於切換訊號。

Description

發光二極體顯示面板
本發明係與顯示器有關，尤其是關於一種發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)顯示面板。
請參照圖1及圖2，圖1係繪示習知的發光二極體顯示面板的畫素設計示意圖；圖2則係繪示圖1中之第二電晶體的控制訊號的時序圖。
如圖1所示，目前常見的發光二極體顯示面板的畫素1係採用「2T1C」架構，亦即每一畫素包括第一電晶體T1、第二電晶體T2及儲存電容CS。其中，第一電晶體T1設置於工作電壓VDD與發光二極體LED之間，且第一電晶體T1受控於閘極電壓VG；第二電晶體T2設置於第一電晶體T1的閘極與資料訊號VDAT之間，且第二電晶體T2受控於驅動訊號S(N)；儲存電容CS之一端耦接至第二電晶體T2與第一電晶體T1的閘極之間且儲存電容CS之另一端耦接至第一電晶體T1與發光二極體LED之間。
一般而言，習知的「2T1C」架構較適用於採用電壓保持模式(Holding-type)成像的畫素。然而，由於發光二極體LED的驅動電流(約為mA等級)遠大於有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode, OLED)的驅動電流(約為uA等級)，導致採用電壓保持模式的發光二極體顯示面板的總電流過高而增加功耗。
此外，由於每一畫素中設置於工作電壓VDD與發光二極體LED之間的第一電晶體T1所需的寬度較大，隨著高解析度顯示面板之發展趨勢，當畫素密度(PPI)提高時，將會導致畫素的電路佈局難度受限於各元件及走線而大幅增加，亟待克服。
因此，本發明提出一種發光二極體顯示面板，以解決先前技術所遭遇的上述問題。
根據本發明之一具體實施例為一種發光二極體顯示面板。於此實施例中，發光二極體顯示面板包括複數條資料線、複數條閘極線、複數個畫素及第二電晶體。該複數個畫素設置於發光二極體顯示面板之有效顯示區域內。該複數個畫素中之第一畫素包括發光二極體及第一電晶體。發光二極體耦接至接地電壓。第一電晶體耦接於該複數條資料線中之第一資料線與發光二極體之間。第一電晶體之閘極耦接該複數條閘極線中之第一閘極線並受控於第一閘極線所提供之驅動訊號。第二電晶體設置於有效顯示區域之外。第二電晶體耦接第一資料線且第二電晶體之閘極受控於切換訊號。
於一實施例中，第一資料線與第一閘極線之間具有耦合電容，用以儲存電荷。
於一實施例中，該複數個畫素中之第二畫素包括另一發光二極體及另一第一電晶體。該另一發光二極體耦接至接地電壓。該另一第一電晶體耦接於第一資料線與該另一發光二極體之間，第一電晶體之閘極耦接該複數條閘極線中之第二閘極線並受控於第二閘極線所提供之另一驅動訊號。第一畫素與第二畫素透過第一資料線共用第二電晶體。
於一實施例中，第一畫素還包括儲存電容，其一端耦接第一資料線且其另一端耦接至發光二極體與接地電壓之間，用以儲存電荷。
於一實施例中，第二電晶體還耦接驅動電路並接收驅動電路所提供之資料訊號，當第二電晶體受控於切換訊號而導通時，第二電晶體輸出資料訊號至第一資料線。
於一實施例中，發光二極體顯示面板還包括第三電晶體，設置於有效顯示區域之外，第三電晶體耦接於第一資料線與驅動電路之間且第三電晶體之閘極受控於參考訊號。
於一實施例中，當第三電晶體受控於參考訊號而導通時，第三電晶體檢測第一資料線之電流並輸出回饋訊號至驅動電路，以作為補償之參考。
於一實施例中，當第一電晶體受控於驅動訊號而導通時，通過第一電晶體的電流驅動發光二極體發光。
於一實施例中，發光二極體顯示面板還包括另一第二電晶體，設置於有效顯示區域之外，該另一第二電晶體耦接該複數條資料線中之第二資料線且該另一第二電晶體之閘極受控於另一切換訊號。
於一實施例中，複數個畫素中之第三畫素及第四畫素均耦接第二資料線並透過第二資料線共用該另一第二電晶體。
相較於先前技術，本發明之發光二極體顯示面板的畫素設計係採用「1T1C」架構或「1T」架構，而非傳統的「2T1C」架構，亦即每一畫素包括第一電晶體及儲存電容或僅包括第一電晶體，且於有效顯示區域之外共用第二電晶體，因此其電路佈局較為容易，即使在畫素密度提高的情況下，其電路佈局難度不易受限於各元件及走線而大幅增加，故可適用於高解析度之面板設計。
此外，由於本發明之發光二極體顯示面板係採用脈衝驅動模式(Impulse driving mode)對所有畫素分區驅動，其所需電流較傳統的電壓保持模式(Holding-type)來得低，故可有效減少發光二極體顯示面板的總功耗，並可在驅動電路與第二電晶體之間設置多工器來減少所需驅動電路之數量。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
在下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了部份區域。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或者“連接(或稱為耦接)”又或者“電性連接”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接(或稱為耦接)或電性連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接(或稱為耦接)”可以指物理及/或電連接。
根據本發明之一具體實施例為一種發光二極體顯示面板。請參照圖3，圖3係繪示此實施例中之發光二極體顯示面板的示意圖。
如圖3所示，發光二極體顯示面板3包括複數條資料線DL(i-1)~DL(i)、複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)、複數個畫素PX1~PX4及複數個第二電晶體T2，其中i與N均為正整數。需說明的是，此實施例中雖以兩條資料線、兩條閘極線、四個畫素及兩個第二電晶體為例進行說明，但本發明並不以此為限。
發光二極體顯示面板3包括有效顯示區域AA。該複數個畫素PX1~PX4係設置於發光二極體顯示面板3之有效顯示區域AA內且該複數個第二電晶體T2係設置於發光二極體顯示面板3之有效顯示區域AA之外。
該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第一資料線DL(i-1)耦接該複數個畫素PX1~PX4中之第一畫素PX1及第二畫素PX2以及該複數個第二電晶體T2中之一第二電晶體T2；該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第二資料線DL(i)耦接該複數個畫素PX1~PX4中之第三畫素PX3及第四畫素PX4以及該複數個第二電晶體T2中之另一第二電晶體T2；該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第一閘極線GL(N-1)耦接該複數個畫素PX1~PX4中之第一畫素PX1及第三畫素PX3；該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第二閘極線GL(N)耦接該複數個畫素PX1~PX4中之第二畫素PX2及第四畫素PX4。
也就是說，該複數個畫素PX1~PX4中之第一畫素PX1分別耦接該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第一資料線DL(i-1)及該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第一閘極線GL(N-1)；該複數個畫素PX1~PX4中之第二畫素PX2分別耦接該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第一資料線DL(i-1)及該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第二閘極線GL(N)；該複數個畫素PX1~PX4中之第三畫素PX3分別耦接該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第二資料線DL(i)及該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第一閘極線GL(N-1)；該複數個畫素PX1~PX4中之第四畫素PX4分別耦接該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第二資料線DL(i)及該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第二閘極線GL(N)。該複數個畫素PX1~PX4中之第一畫素PX1及第二畫素PX2共用第一資料線DL(i-1)耦接的第二電晶體T2；該複數個畫素PX1~PX4中之第三畫素PX3及第四畫素PX4共用第二資料線DL(i)耦接的第二電晶體T2。
於此實施例中，該複數個畫素PX1~PX4均採用「1T1C」架構的畫素設計，亦即每一畫素PX1~PX4均包括一個電晶體及一個電容。
若以第一畫素PX1為例，第一畫素PX1包括發光二極體LED、第一電晶體T1及儲存電容CS。發光二極體LED耦接至接地電壓VSS。第一電晶體T1耦接於該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第一資料線DL(i-1)與發光二極體LED之間。第一電晶體T1之閘極耦接該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第一閘極線GL(N-1)並受控於第一閘極線GL(N-1)所提供之驅動訊號S(N-1)。儲存電容CS之一端耦接第一資料線DL(i-1)且儲存電容CS之另一端耦接至發光二極體LED與接地電壓VSS之間，用以儲存電荷。
同理，若以第二畫素PX2為例，第二畫素PX2亦包括發光二極體LED、第一電晶體T1及儲存電容CS。發光二極體LED耦接至接地電壓VSS。第一電晶體T1耦接於該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第一資料線DL(i-1)與發光二極體LED之間。第一電晶體T1之閘極耦接該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第二閘極線GL(N)並受控於第二閘極線GL(N)所提供之驅動訊號S(N)。儲存電容CS之一端耦接第一資料線DL(i-1)且儲存電容CS之另一端耦接至發光二極體LED與接地電壓VSS之間，用以儲存電荷。
同理，若以第三畫素PX3為例，第三畫素PX3亦包括發光二極體LED、第一電晶體T1及儲存電容CS。發光二極體LED耦接至接地電壓VSS。第一電晶體T1耦接於該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第二資料線DL(i)與發光二極體LED之間。第一電晶體T1之閘極耦接該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第一閘極線GL(N-1)並受控於第一閘極線GL(N-1)所提供之驅動訊號S(N-1)。儲存電容CS之一端耦接第二資料線DL(i)且儲存電容CS之另一端耦接至發光二極體LED與接地電壓VSS之間，用以儲存電荷。
同理，若以第四畫素PX4為例，第四畫素PX4亦包括發光二極體LED、第一電晶體T1及儲存電容CS。發光二極體LED耦接至接地電壓VSS。第一電晶體T1耦接於該複數條資料線DL(i-1)~DL(i)中之第二資料線DL(i)與發光二極體LED之間。第一電晶體T1之閘極耦接該複數條閘極線GL(N-1)~GL(N)中之第二閘極線GL(N)並受控於第二閘極線GL(N)所提供之驅動訊號S(N)。儲存電容CS之一端耦接第二資料線DL(i)且儲存電容CS之另一端耦接至發光二極體LED與接地電壓VSS之間，用以儲存電荷。
耦接第一資料線DL(i-1)的第二電晶體T2亦耦接資料訊號VDAT且此第二電晶體T2的閘極受控於切換訊號SW(i-1)；耦接第二資料線DL(i)的第二電晶體T2亦耦接資料訊號VDAT且此第二電晶體T2的閘極受控於切換訊號SW(i)。
於實際應用中，該複數個第二電晶體T2可透過多工器耦接驅動電路並接收驅動電路所提供之資料訊號VDAT，且多工器可以是一對二、一對三或其它設計，藉以減少驅動電路的數量，但不以此為限。
請同時參照圖3及圖4。若以第一畫素PX1為例，當切換訊號SW(i-1)由低位準VGL變為高位準VGH時，另一切換訊號SW(i)仍維持低位準VGL，受控於切換訊號SW(i-1)的第二電晶體T2會導通，藉以透過第一資料線DL(i-1)分別對第一畫素PX1及第二畫素PX2中之儲存電容CS充電。於切換訊號SW(i-1)由高位準VGH變回低位準VGL之後，當另一切換訊號SW(i)由低位準VGL變為高位準VGH時，受控於切換訊號SW(i)的第二電晶體T2會導通，藉以透過第二資料線DL(i)分別對第三畫素PX3及第四畫素PX4中之儲存電容CS充電。
接著，當原本一直維持於低位準VGL的驅動訊號S(N-1)變為高位準VGH時，第一畫素PX1中之受控於驅動訊號S(N-1)的第一電晶體T1會導通，使得儲存於第一畫素PX1及第二畫素PX2中之儲存電容CS的電荷流向第一畫素PX1中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第一畫素PX1中之發光二極體LED發光。因此，對第一畫素PX1而言，驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH的這段期間可稱為「發光期間LEP」。
同理，對第三畫素PX3而言，當驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH時，第三畫素PX3中之受控於驅動訊號S(N-1)的第一電晶體T1亦會導通，使得儲存於第三畫素PX3及第四畫素PX4中之儲存電容CS的電荷流向第三畫素PX3中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第三畫素PX3中之發光二極體LED發光。因此，對第三畫素PX3而言，驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
類似地，對第二畫素PX2而言，當驅動訊號S(N)處於高位準VGH時，第二畫素PX2中之受控於驅動訊號S(N)的第一電晶體T1亦會導通， 使得儲存於第一畫素PX1及第二畫素PX2中之儲存電容CS的電荷流向第二畫素PX2中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第二畫素PX2中之發光二極體LED發光。因此，對第二畫素PX2而言，驅動訊號S(N)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
同理，對第四畫素PX4而言，當驅動訊號S(N)處於高位準VGH時，第四畫素PX4中之受控於驅動訊號S(N)的第一電晶體T1亦會導通，使得儲存於第三畫素PX3及第四畫素PX4中之儲存電容CS的電荷流向第四畫素PX4中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第四畫素PX4中之發光二極體LED發光。因此，對第四畫素PX4而言，驅動訊號S(N)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
於另一具體實施例中，請參照圖5，發光二極體顯示面板5中之該複數個畫素PX1~PX4均採用「1T」架構的畫素設計，亦即發光二極體顯示面板5中之每一畫素PX1~PX4均包括第一電晶體T1，但並未包括前一實施例中之儲存電容CS。
請同時參照圖5及圖6。若以第一畫素PX1為例，當切換訊號SW(i-1)由低位準VGL變為高位準VGH時，另一切換訊號SW(i)仍維持低位準VGL，受控於切換訊號SW(i-1)的第二電晶體T2會導通，此時，透過第一資料線DL(i-1)所傳送的電荷可儲存於耦合電容CC，例如第一資料線DL(i-1)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第一資料線DL(i-1)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC，但不以此為限。實際上，耦合電容CC亦可以是其它與第一資料線DL(i-1)耦合的電容，但不以此為限。
於切換訊號SW(i-1)由高位準VGH變回低位準VGL之後，當另一切換訊號SW(i)由低位準VGL變為高位準VGH時，受控於切換訊號SW(i)的第二電晶體T2會導通，此時，透過第二資料線DL(i)所傳送的電荷可儲存於耦合電容CC，例如第二資料線DL(i)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第二資料線DL(i)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC，但不以此為限。實際上，耦合電容CC亦可以是其它與第二資料線DL(i)耦合的電容，但不以此為限。
接著，當原本一直維持於低位準VGL的驅動訊號S(N-1)變為高位準VGH時，第一畫素PX1中之受控於驅動訊號S(N-1)的第一電晶體T1會導通，使得儲存於第一資料線DL(i-1)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第一資料線DL(i-1)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC的電荷流向第一畫素PX1中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第一畫素PX1中之發光二極體LED發光。因此，對第一畫素PX1而言，驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH的這段期間可稱為「發光期間LEP」。
同理，對第三畫素PX3而言，當驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH時，第三畫素PX3中之受控於驅動訊號S(N-1)的第一電晶體T1亦會導通，使得儲存於第二資料線DL(i)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第二資料線DL(i)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC的電荷流向第三畫素PX3中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第三畫素PX3中之發光二極體LED發光。因此，對第三畫素PX3而言，驅動訊號S(N-1)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
類似地，對第二畫素PX2而言，當驅動訊號S(N)處於高位準VGH時，第二畫素PX2中之受控於驅動訊號S(N)的第一電晶體T1亦會導通，使得儲存於第一資料線DL(i-1)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第一資料線DL(i-1)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC的電荷流向第二畫素PX2中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第二畫素PX2中之發光二極體LED發光。因此，對第二畫素PX2而言，驅動訊號S(N)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
同理，對第四畫素PX4而言，當驅動訊號S(N)處於高位準VGH時，第四畫素PX4中之受控於驅動訊號S(N)的第一電晶體T1亦會導通，使得儲存於第二資料線DL(i)與第一閘極線GL(N-1)之間的耦合電容CC以及第二資料線DL(i)與第二閘極線GL(N)之間的耦合電容CC的電荷流向第四畫素PX4中之第一電晶體T1而形成通過第一電晶體T1的電流I，以驅動第四畫素PX4中之發光二極體LED發光。因此，對第四畫素PX4而言，驅動訊號S(N)處於高位準VGH的這段期間亦可稱為「發光期間LEP」。
於另一具體實施例中，請參照圖7，發光二極體顯示面板7中之該複數個畫素PX1~PX4與圖3的發光二極體顯示面板3中之該複數個畫素PX1~PX4一樣均採用「1T1C」架構的畫素設計，亦即發光二極體顯示面板7中之每一畫素PX1~PX4均包括第一電晶體T1及儲存電容CS。
需說明的是，圖7的發光二極體顯示面板7與圖3的發光二極體顯示面板3不同之處在於：圖7的發光二極體顯示面板7還在有效顯示區域AA週邊設計補償迴路，例如圖7的發光二極體顯示面板7還包括設置於有效顯示區域AA之外的複數個第三電晶體T3。
如圖7所示，發光二極體顯示面板7所包括的該複數個第三電晶體T3中之一第三電晶體T3係耦接於第一資料線DL(i-1)與驅動電路IC之間且此第三電晶體T3之閘極受控於參考訊號VREF；該複數個第三電晶體T3中之另一第三電晶體T3係耦接於第二資料線DL(i)與驅動電路IC之間且此第三電晶體T3之閘極亦受控於參考訊號VREF。
亦請同時參照圖7及圖8。在切換訊號SW(i-1)處於高位準VGH而對第一資料線DL(i-1)充電的期間，當參考訊號VREF由低位準VGL變為高位準VGH時，耦接第一資料線DL(i-1)的第三電晶體T3受控於參考訊號VREF而導通，藉以檢測第一資料線DL(i-1)之電流並輸出回饋訊號至驅動電路IC，以作為驅動電路IC進行補償之參考。
同理，在切換訊號SW(i)處於高位準VGH而對第二資料線DL(i)充電的期間，當參考訊號VREF由低位準VGL變為高位準VGH時，耦接第二資料線DL(i)的第三電晶體T3受控於參考訊號VREF而導通，藉以檢測第二資料線DL(i)之電流並輸出回饋訊號至驅動電路IC，以作為驅動電路IC進行補償之參考。
相較於先前技術，本發明之發光二極體顯示面板的畫素設計係採用「1T1C」架構或「1T」架構，而非傳統的「2T1C」架構，亦即每一畫素包括第一電晶體及儲存電容或僅包括第一電晶體，且於有效顯示區域之外共用第二電晶體，因此其電路佈局較為容易，即使在畫素密度提高的情況下，其電路佈局難度不易受限於各元件及走線而大幅增加，故可適用於高解析度之面板設計。
此外，由於本發明之發光二極體顯示面板係採用脈衝驅動模式(Impulse driving mode)對所有畫素分區驅動，其所需電流較傳統的電壓保持模式(Holding-type)來得低，故可有效減少發光二極體顯示面板的總功耗，並可在驅動電路與第二電晶體之間設置多工器來減少所需驅動電路之數量。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
1:畫素 VDD:工作電壓 VD:汲極電壓 VS:源極電壓 VG:閘極電壓 3、5、7:發光二極體顯示面板 AA:有效顯示區域 PX1~PX4:畫素 DL(i-1)~DL(i):資料線 GL(N-1)~GL(N):閘極線 S(N-1)~S(N+1):驅動訊號 SW(i-1)~SW(i):切換訊號 T1:第一電晶體 LED:發光二極體 CC:耦合電容 VSS:接地電壓 T2:第二電晶體 VDAT:資料訊號 CS:儲存電容 I:電流 VGH:高位準 VGL:低位準 LEP:發光期間 VREF:參考電壓 T3:第三電晶體 IC:驅動電路
圖1係繪示目前常見的發光二極體顯示面板的畫素設計示意圖。
圖2係繪示圖1中之第二電晶體的控制訊號的時序圖。
圖3係繪示根據本發明之一具體實施例的發光二極體顯示面板的示意圖。
圖4係繪示圖3中之切換訊號、資料訊號及驅動訊號的時序圖。
圖5係繪示根據本發明之另一具體實施例的發光二極體顯示面板的示意圖。
圖6係繪示圖5中之切換訊號、資料訊號及驅動訊號的時序圖。
圖7係繪示根據本發明之又一具體實施例的發光二極體顯示面板的示意圖。
圖8係繪示圖7中之切換訊號、資料訊號、驅動訊號及參考電壓的時序圖。
5:發光二極體顯示面板
AA:有效顯示區域
PX1~PX4:畫素
DL(i-1)~DL(i):資料線
GL(N-1)~GL(N):閘極線
S(N-1)~S(N):驅動訊號
SW(i-1)~SW(i):切換訊號
T1:第一電晶體
LED:發光二極體
CC:耦合電容
VSS:接地電壓
T2:第二電晶體
VDAT:資料訊號

Claims (11)

  1. 一種發光二極體顯示面板，包括：複數條資料線；複數條閘極線；複數個畫素，該複數個畫素具有1T(單一電晶體)之畫素架構且設置於該發光二極體顯示面板之一有效顯示區域內，該複數個畫素中之一第一畫素包括：一發光二極體，耦接一接地電壓；以及一第一電晶體，耦接於該複數條資料線中之一第一資料線與該發光二極體之間，該第一電晶體之閘極耦接該複數條閘極線中之一第一閘極線並受控於該第一閘極線所提供之一驅動訊號；以及一第二電晶體，設置於該有效顯示區域之外，該第二電晶體耦接該第一資料線且該第二電晶體之閘極受控於一切換訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中該第一資料線與該第一閘極線之間具有一耦合電容，用以儲存電荷。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中該複數個畫素中之一第二畫素包括：另一發光二極體，耦接該接地電壓；以及另一第一電晶體，耦接於該第一資料線與該另一發光二極體之間，該第一電晶體之閘極耦接該複數條閘極線中之一第二閘極線並受控於該第二閘極線所提供之另一驅動訊號；其中，該第一畫素與該第二畫素透過該第一資料線共用該第二電晶體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中該第一畫素還包括： 一儲存電容，其一端耦接該第一資料線且其另一端耦接至該發光二極體與該接地電壓之間，用以儲存電荷。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中該第二電晶體還耦接一驅動電路並接收該驅動電路所提供之一資料訊號，當該第二電晶體受控於該切換訊號而導通時，該第二電晶體輸出該資料訊號至該第一資料線。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，還包括：一第三電晶體，設置於該有效顯示區域之外，該第三電晶體耦接於該第一資料線與一驅動電路之間且該第三電晶體之閘極受控於一參考訊號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體顯示面板，其中當該第三電晶體受控於該參考訊號而導通時，該第三電晶體檢測該第一資料線之一電流並輸出一回饋訊號至該驅動電路，以作為補償之參考。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中當該第一電晶體受控於該驅動訊號而導通時，通過該第一電晶體之一電流驅動該發光二極體發光。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，還包括：另一第二電晶體，設置於該有效顯示區域之外，該另一第二電晶體耦接該複數條資料線中之一第二資料線且該另一第二電晶體之閘極受控於另一切換訊號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體顯示面板，其中該複數個畫素中之一第三畫素及一第四畫素均耦接該第二資料線並透過該第二資料線共用該另一第二電晶體。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體顯示面板，其中該複數個畫素具有1T1C(單一電晶體與單一電容)之畫素架構，該第一畫素還包括一電容，該電容係耦接於該第一資料線與該接地電壓之間。
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