CN107564462B - 显示面板 - Google Patents

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CN107564462B
CN107564462B CN201710005452.2A CN201710005452A CN107564462B CN 107564462 B CN107564462 B CN 107564462B CN 201710005452 A CN201710005452 A CN 201710005452A CN 107564462 B CN107564462 B CN 107564462B
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Abstract

显示面板，包括一第一电流源以及一第一像素单元。第一像素单元包括一第一开关以及一第一发光二极管。第一开关与第一电流源电性连接且接收一第一扫描信号。当第一扫描信号被致能时，第一开关被导通且接收来自第一电流源的一第一电流。第一发光二极管耦接第一开关。当第一开关被导通时，第一电流流过第一发光二极管，用以点亮第一发光二极管。

Description

显示面板
技术领域
本公开涉及一种显示面板，特别涉及一种具有发光二极管的显示面板。
背景技术
由于显像管具有画质优良和价格低廉的特点，故一直作为电视和计算机的显示器。然而，随着科技的进步，陆续开发出新的平面显示器。平面显示器的主要优点在于，当平面显示器具有大尺寸的显示面板时，平面显示器的总体积并不会因此而有显著的改变。
发明内容
本公开提供一种显示面板，包括一第一电流源以及一第一像素单元。第一像素单元包括一第一开关以及一第一发光二极管。第一开关与第一电流源电性连接且接收一第一扫描信号。当第一扫描信号被致能时，第一开关被导通且接收来自第一电流源的一第一电流。第一发光二极管耦接第一开关。当第一开关被导通时，第一电流流过第一发光二极管，用以点亮第一发光二极管。
本公开提供另一种显示面板，包括一像素单元。像素单元包括一第一传送开关、一第一储能元件、一第一发光单元、一第二发光单元、一点亮开关以及一电平设定单元。第一传送开关接收一第一扫描信号以及一第一选择信号。第一储能元件耦接第一传送开关。第一发光单元包括一第一开关以及一第一发光二极管。第一开关耦接第一储能元件。第一发光二极管耦接第一开关。第二发光单元并联第一发光单元，并包括一第二开关以及一第二发光二极管。第二发光二极管耦接第二开关。点亮开关耦接第一发光单元及第二发光单元，并接收一点亮信号。电平设定单元耦接点亮开关，用以提供一预设电平给点亮开关。
本公开提供另一种显示面板，包括至少一像素单元。像素单元包括一第一晶体管、一第二晶体管、一储能元件、一第三晶体管、一发光二极管以及一感测元件。第一晶体管具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极。第一栅极接收一扫描信号。第一漏极接收一数据信号。第二晶体管具有一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极。第二栅极耦接第一源极。第二漏极接收一第一操作电压。储能元件耦接第一源极及第二源极。第三晶体管具有一第三栅极、一第三漏极以及一第三源极。第三栅极接收一点亮信号。第三源极耦接第二源极。发光二极管具有一阳极以及一阴极。阳极耦接第三漏极。阴极接收一第二操作电压。感测元件感测发光二极管的亮度，用以产生一反馈信号。反馈信号用以调整数据信号。
附图说明
图1为本公开的显示***的示意图。
图2A及2B为本公开的像素单元的可能实施例。
图3为本公开的显示***的另一示意图。
图4A及4B为本公开的像素单元的可能实施例。
图5A及5B为本公开的像素单元的其它可能实施例。
图6为本公开的像素单元的另一可能实施例。
图7为本公开的像素单元的另一可能实施例。
图8A及8B为本公开的像素单元的可能实施例。
图8C为本公开的放电信号的示意图。
图9为本公开的显示面板的一控制时序图。
图10为本公开的像素单元的另一可能实施例。
图11为本公开的显示面板的一可能架构示意图。
图12为本公开的像素单元的另一可能实施例。
图13A～13C为本公开的像素单元的一可能实施例。
图14为本公开的像素单元的另一可能实施例。
图15A及15B为本公开的像素单元的可能控制时序图。
【符号说明】
100、300：显示***；
110、310：栅极驱动器；
120、320、630、810、1410：源极驱动器；
130、330、1100：显示面板；
SCAN、SCAN3～SCANn、SCANa～SCANd：扫描信号；
SCAN1、CSCAN：第一扫描信号；
SCAN2、DSCAN：第二扫描信号；
DT1～DTm、DT：数据信号；
121、321、631、820、1417：控制器；
SCA1～SCAm、SCB1～SCBm：电流源；
VDD：第一操作电压；
VSS：第二操作电压；
PA11～PAmn、201～204、401～404、PB11～PBmn、500A、500B、610、620、700、800A、800B、1200、1300A、1300B、1300C、1400：像素单元；
510、520：补偿电路；
611、621、1411：感测元件；
710：静电放电防护电路；
830：放电电路；
841～843、921～925、1502～1504：期间；
911、912、1501：帧期间；
1101：基板；
1102、1109：绝缘层；
1103：栅极电极；
1104：栅极介电层；
1105：绝缘层；
1106：半导体层；
1107：漏极；
1108：源极；
1110：金属区块；
1121、1122：凹槽；
1405：储能元件；
1203、1303：第一储能元件；
1215、C_CS2：第二储能元件；
C_CS3：第三储能元件；
1205：发光装置；
1207、1311：点亮开关；
1209、1313：电平设定单元；
CS1：第一选择信号；
CS2：第二选择信号；
CS3：第三选择信号；
T21：N型晶体管；
C_CS、C_store：电容；
1211、1305A、1305B、1305C：第一发光单元；
1212、1307A、1307B、1307C：第二发光单元；
1309A、1309B、1309C：第三发光单元；
1217：设定信号；
EM：点亮信号；
Q1、T1～T3、NT1、NT2：N型晶体管；
PT1、PT2：P型晶体管；
1201、1301：第一传送开关；
1216、1319：第二传送开关；
1213、1315：第三传送开关；
I1：第一电流；
I2：第二电流；
I3：第三电流；
I4：第四电流；
I5：电流；
LV127、LV64、LV32、LV255：灰阶；
SW3～SW4：开关；
SW1、T11A、T11B、T11C：第一开关；
SW2、T12A、T12B、T12C：第二开关；
T13B、T13C、T22：第三开关；
T13A：第四开关；
T23：第五开关；
LED1：第一发光二极管；
LED2：第二发光二极管；
LED3：第三发光二极管；
LED4、1409：发光二极管；
SF1、SF2、SFB：反馈信号；
ND1、ND2：节点；
SDS：放电信号；
GND：接地电压；
1317:辅助储能元件
1321：或非门电路；
IN1：第一输入端；
IN2：第二输入端；
OUT：输出端
1401：第一晶体管；
1403：第二晶体管；
1407：第三晶体管；
1413：记忆元件；
1415：灰阶表；
BT：亮度；
1505：载波。
具体实施方式
为让本公开的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合附图，做详细的说明。本公开说明书提供不同的实施例来说明本公开不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置为说明之用，并非用以限制本公开。另外，实施例中图式标号的部分重复，为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
图1为本公开的显示***的示意图。如图所示，显示***100包括一栅极驱动器110、一源极驱动器120以及一显示面板130。在一可能实施例中，显示***100为个人数字助理(PDA)、移动电话(cellular phone)、数字相机、电视、全球定位***(GPS)、车用显示器、航空用显示器、数字相框(digital photo frame)、笔记型计算机或是桌上型计算机。
栅极驱动器110可产生扫描信号SCAN1～SCANn。源极驱动器120可产生数据信号DT1～DTm。在本实施例中，数据信号DT1～DTm为电流信号，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，数据信号DT1～DTm为电压信号。
如图所示，源极驱动器120至少具有一控制器121以及电流源SCA1～SCAm。控制器121用以控制电流源SCA1～SCAm。电流源SCA1～SCAm接收一第一操作电压VDD。在一可能实施例中，栅极驱动器110与源极驱动器120整合在一芯片并设置在显示面板130中。
显示面板130耦接栅极驱动器110与源极驱动器120，并具有多个像素单元PA11～PAmn。每一像素单元接收一扫描信号、一数据信号以及一第二操作电压VSS。当一特定的扫描信号被致能时，相对应的像素单元接收一相对应的数据信号，并根据该数据信号呈现亮度。以像素单元PA11为例，当扫描信号SCAN1被致能时，像素单元PA11接收数据信号DT1，并根据数据信号DT1呈现亮度。更进一步来说，在本实施例中，数据信号DT1为电流信号，因此可通过调整前述电流的大小，调整像素单元PA11呈现的亮度。
图2A为本公开的像素单元的一可能实施例。为方便说明，图2A显示四个像素单元201～204。像素单元201～204各自具有一开关以及一发光二极管。由于像素单元201～204的内部架构与动作原理相同，故以下以像素单元201为例。如图所示，像素单元201包括一第一开关SW1以及一第一发光二极管LED1。
第一开关SW1接收一第一扫描信号SCAN1。当第一扫描信号SCAN1被致能时，第一开关SW1被导通。在本实施例中，第一开关SW1为一N型晶体管Q1。N型晶体管Q1的栅极接收第一扫描信号SCAN1，其漏极接收数据信号DT1，其源极耦接第一发光二极管LED1。在其它实施例中，N型晶体管Q1也可由P型晶体管所取代。
第一发光二极管LED1的阳极耦接N型晶体管Q1的源极，其阴极接收第二操作电压VSS。在一可能实施例中，第一发光二极管LED1为一微发光二极管(microLED)。当第一开关SW1被导通时，一第一电流(即数据信号DT1)流过第一发光二极管LED1。因此，第一发光二极管LED1被点亮。
图2B为本公开的像素单元的另一可能实施例。图2B相似图2A，不同之处在于图2B的第一发光二极管LED1的阳极接收数据信号DT1，其阴极耦接N型晶体管Q1的漏极。由于图2B的像素单元的动作方式与图2A的像素单元的动作方式相似，故不再赘述。另外，图2B的N型晶体管Q1也可置换成P型晶体管。
图3为本公开的显示***的另一示意图。图3相似图1，不同之处在于，图3的源极驱动器320的电流源SCB1～SCBm接收第二操作电压VSS，并且像素单元PB11～PBmn接收第一操作电压VDD。由于图3的显示***300的动作原理与图1的显示***100的动作原理相似，故不再赘述。
图4A为本公开的像素单元的一可能实施例。图4A相似图2A，不同之处在于，N型晶体管Q1的漏极接收第一操作电压VDD，并且第一发光二极管LED1的阴极接收数据信号DT1。当N型晶体管Q1导通时，数据信号DT1流经第一发光二极管LED1，用以点亮第一发光二极管LED1。
图4B为本公开的像素单元的一可能实施例。图4B相似图4A，不同之处在于，第一发光二极管LED1的阳极接收第一操作电压VDD，其阴极耦接N型晶体管Q1的漏极。在本实施例中，N型晶体管Q1的源极接收数据信号DT1。由于图4B的像素单元的动作方式相似于图2A的像素单元的动作方式，故不再赘述。
图5A为本公开的像素单元的另一可能实施例。图5A相似图4A，不同之处在于，图5A的第一开关SW1为一P型晶体管Q2，并且像素单元500A还包括一补偿电路510。补偿电路510耦接第一开关SW1与第一发光二极管LED1，可用以补偿P型晶体管Q2的临界电压(thresholdvoltage)。
本公开并不限定补偿电路510如何补偿P型晶体管Q2的临界电压。任何可检测P型晶体管Q2的临界电压，并根据检测结果修正数据信号DT1的电路架构，均可作为补偿电路510。在一可能实施例中，在一补偿期间，补偿电路510检测并记录P型晶体管Q2的临界电压，在一数据写入期间，补偿电路510利用P型晶体管Q2的临界电压，调整数据信号DT1。在一点亮期间，第一发光二极管LED1根据调整后的数据信DT1呈现亮度。接着，在一清除期间，补偿电路510清除先前所记录的P型晶体管Q2的临界电压，并重新并记录P型晶体管Q2的临界电压。在其它实施例中，补偿电路510也可应用在图2A及图4A所示的至少一像素单元中。
图5B为本公开的像素单元的另一可能实施例。图5B相似图4B，不同之处在于图5B的像素单元500B多了一补偿电路520。由于补偿电路520的特性与图5A的补偿电路510的特性相同，故不再赘述。在其它实施例中，补偿电路520也可应用在图2B及图4B所示的至少一像素单元中。
图6为本公开的像素单元的另一可能实施例。为方便说明，图6显示两相邻的像素单元610与620。由于像素单元610与620的电路架构相似，故以下以像素单元610为例。如图所示，像素单元610接收扫描信号SCAN1与数据信号DT1，并包括一第一开关SW1、一第一发光二极管LED1以及一感测元件611。
第一开关SW1与第一发光二极管LED1的特性与图4A的第一开关SW1与第一发光二极管LED1相似，故不再赘述。当第一开关SW1导通时，一第一电流(即数据信号DT1)流过第一发光二极管LED1。因此，第一发光二极管LED1被点亮。
感测元件611感测第一发光二极管LED1的亮度，用以产生一反馈信号SF1。反馈信号SF1用以调整数据信号DT1。在一可能实施例中，一源极驱动器630的控制器631根据反馈信号SF1调整电流源SC1，用以调整提供给像素单元620的电流(即数据信号DT1)。因此，当扫描信号SCAN2被致能时，第二开关SW2被导通。此时，一第二电流(即调整过的数据信号DT1)流过第二发光二极管LED2，用以点亮第二发光二极管LED2。藉由调整过的数据信号DT1，第二发光二极管LED2的亮度可补偿第一发光二极管LED1的亮度漂移。
同样地，当第二发光二极管LED2发光时，感测元件621感测第二发光二极管LED2的亮度，用以产生一反馈信号SF2。控制器631根据反馈信号SF2调整电流源SC1，用以调整像素单元620相邻的像素单元的亮度。因此，当一特定发光二极管的亮度发生漂移时，藉由调整相邻的发光二极管的亮度，便可补偿亮度漂移的问题。在其它实施例中，感测元件611也可应用到图2A、图2B、图4A、图4B、图5A及图5B所示的至少一像素单元中。
图7为本公开的像素单元的另一可能实施例。图7的像素单元700相似图4A的像素单元401，不同之处在于图7的像素单元700多了一静电放电(ESD)防护电路710。静电放电防护电路710耦接第一开关SW1。当第一发光二极管LED1焊接于节点ND1与ND2时，一静电放电事件可能发生在节点ND1或ND2，因而毁坏第一开关SW1。因此，当节点ND1或节点ND2的电压大于一设定值时，静电放电防护电路710导通，用以避免一静电放电电流进入第一开关SW1。
本公开并不限定静电放电防护电路710的电路架构。任何可释放静电放电应力的电路，均可作为静电放电防护电路710。在其它实施例中，静电放电防护电路710也可应用到图2A、图2B、图4A、图4B、图5A、图5B及图6所示的至少一像素单元中。
图8A为本公开的像素单元的另一可能实施例。图8A的像素单元800A相似图4A的像素单元401，不同之处在于，图8A的像素单元800多了一放电电路830。放电电路830用以释放至少一数据线的电压，以避免数据线上的残留电荷影响第一发光二极管LED1亮度。为方便说明，图8A显示单一数据线DL1，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，放电电路830耦接多个数据线。在一些实施例中，多个像素单元共用同一放电电路。
当第一开关SW1导通时，一第一电流(即数据信号DT1)通过数据线DL1流入像素单元800A。因此，第一发光二极管LED1被点亮。当第一开关SW1不导通并且一放电信号SDS被致能时，放电电路830将数据线DL1耦接至一低电位(如操作电压VSS或接地电压GND)，用以释放数据线DL1上的电压。
本公开并不限定放电电路830的内部架构。任何能够释放数据线DL1上的电压的电路，均可作为放电电路830。在一可能实施例中，一放电信号SDS可由源极驱动器810的控制器820所产生。在其它实施例中，放电电路830也可应用到图2A、图2B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6及图7所示的至少一像素单元中。
图8B为本公开的像素单元的另一可能实施例。图8B相似图8A，不同之处在于图8B的放电电路830被整合于源极驱动器810之中。如图所示，当控制器820致能放电信号SDS时，放电电路830将数据线DL1耦接至第二操作电压VSS或接地电压GND，用以释放数据线DL-1的电压。
图8C为本公开的放电信号SDS的示意图。符号SCANa～SCANd表示四条依序排列的扫描线的扫描信号。为方便说明，以下假设一放电电路耦接到所有数据线。在本实施例中，由于放电电路耦接到所有数据线，因此，当放电电路动作时，没有扫描信号被致能。
举例而言，在期间841～843，没有扫描信号被致能，因此，放电信号SDS被致能，用以触发放电电路。当放电电路被触发时，放电电路将所有数据线耦接至一低操作电压(如VSS或GND)，用以释放所有数据线上的电压。
本公开并不限定放电信号SDS被致能的次数。在一可能实施例中，放电信号SDS被致能的次数并非一固定值。举例而言，在期间841中，放电信号SDS被致能的次数少于在期间843中，放电信号SDS被致能的次数。另外，放电信号SDS被致能的次数也可能维持在一固定值。举例而言，在期间843，放电信号SDS仅被致能一次。另外，在其它实施例中，当没有扫描信号被致能时，放电信号SDS可也不被致能，如期间842所示。
为了控制每一像素单元的发光二极管的亮度，在一可能实施例中，在同一帧期间，同一扫描信号被致能多次，用以调整发光二极管的亮度。图9为本公开的显示面板的一控制时序图。为方便说明，图9显示两帧期间911与921。在帧期间911，第一扫描信号SCAN1被致能的次数不同于在帧期间912第一扫描信号SCAN1被致能的次数。
另外，当第一扫描信号SCAN1被致能时，提供不同的电流给第一发光二极管LED1，便可控制第一发光二极管LED1的亮度。举例而言，在期间921～924中，第一扫描信号SCAN1被致能，并且第一发光二极管LED1分别接收到第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4。本公开并不限定第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4之间的关系。
在一可能实施例，第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4中的一个(如第三电流I3)可能相同于第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4中的另一个(如第四电流I4)。在另一可能实施例中，第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4中的一个(如第二电流I2)可能小于第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4中的另一个(如第一电流I1)或是大于第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4中的另一个(如第四电流I4)。在其它实施例中，第一电流I1、第二电流I2、第三电流I3以及第四电流I4的至少一个等于0。
在本实施例中，假设第一电流I1代表灰阶LV127，第二电流I2代表灰阶LV64，第三电流I3及第四电流I4代表灰阶LV32。在此例中，像素单元201在帧期间911所呈现的亮度约等于灰阶LV255(LV127+LV63+LV32+LV32)所对应的亮度。因此，藉由控制数据信号DT1，便可让像素单元呈现出不同的亮度。
图10为本公开的像素单元的另一可能实施例。图10相似图4A，不同之处在于，第一开关SW1间接地耦接至第一发光二极管LED1的阳极。如图所示，像素单元1000包括第一开关SW1、一电容1004、一P型晶体管1006、一N型晶体管1008以及第一发光二极管LED1。
在本实施例中，第一开关SW1为一N型晶体管1002。N型晶体管1002的栅极接收第一扫描信号SCAN1，其漏极接收第一操作电压VDD，其源极通过P型晶体管1006耦接至第一发光二极管LED1的阳极。电容1004耦接于N型晶体管1002的栅极与源极之间。P型晶体管1006的栅极接收一关闭信号Goff，其源极耦接N型晶体管1002的源极，其漏极耦接至第一发光二极管LED1的阳极。第一发光二极管LED1的阴极接收数据信号DT1。N型晶体管1008的栅极接收关闭信号Goff，其漏极耦接N型晶体管1002的源极，其源极耦接第一发光二极管LED1的阴极。
在本实施例中，当第一扫描信号SCAN1被致能时，N型晶体管1002导通，用以对电容1004充电。此时，当关闭信号Goff为低电平时，P型晶体管1006导通，用以点亮第一发光二极管LED1。当第一扫描信号SCAN1不被致能时，电容1004所储存的电荷仍可导通N型晶体管1002，使得第一发光二极管LED1持续发光。当关闭信号Goff为高电平时，P型晶体管1006不导通，故第一发光二极管LED1不发光。此时，由于N型晶体管1008导通，故可释放电容1004所储存的电荷。
在本实施例中，数据信号DT1为一固定电流。藉由控制第一发光二极管LED1的发光时间，可控制第一发光二极管LED1提供不同的亮度。再者，第一扫描信号SCAN1不需持续被致能，只要第一扫描信号SCAN1致能的时间足以让电容1004储存足够的电荷，N型晶体管1002仍可持续被导通。
图11为本公开的显示面板的一可能架构示意图。如图所示，显示面板1100包括一基板1101、一绝缘层1102、一栅极电极1103、一栅极介电层1104、一绝缘层1105、一半导体层1106、一漏极1107、一源极1108、一金属区块1110以及一绝缘层1109。在本实施例中，栅极电极1103、漏极1107以及源极1108构成一晶体管，其可作为例如图2A的像素单元201里的第一开关SW1。
另外，在本实施例中，绝缘层1109位于基板1101之上，并具有多个凹槽，用以放置发光二极管。为方便说明，图11显示凹槽1121与1122。凹槽1121与1122用以置放如图2A中的第一发光二极管LED1的两引脚。在一可能实施例中，凹槽1121用以置放第一发光二极管LED1的第一电极(如阳极或阴极)。在此例中，凹槽1122用以置放第一发光二极管LED1的第二电极(如阴极或阳极)。
本公开并不限定凹槽1121与1122的形成方法。在一可能实施例中，利用一黄光蚀刻出凹槽1121与1122。再利用黄光工艺与金属成膜技术，在凹槽1121与1122内部填入金属(如铜、锡或铟)。最后再将第一发光二极管LED1的两引脚分别焊接(bonding)在凹槽1121与1122的金属层上。藉由凹槽1121与1122的形成，可避免或修正焊接时的对位误差，增加焊接的稳定性。
图12为本公开的像素单元的另一可能实施例。如图所示，像素单元1200包括一第一传送开关1201、一第一储能元件1203、一发光装置1205、一点亮开关1207以及一电平设定单元1209。第一传送开关1201接收一第一扫描信号CSCAN以及一第一选择信号CS1。当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1201传送第一选择信号CS1给第一储能元件1203。在本实施例中，第一传送开关1201为一N型晶体管T21，其栅极接收第一扫描信号CSCAN，其漏极接收第一选择信号CS1，其源极耦接第一储能元件1203。在其它实施例中，第一传送开关1201为一P型晶体管。
第一储能元件1203耦接第一传送开关1201。当第一传送开关1201传送第一选择信号CS1给第一储能元件1203时，第一储能元件1203根据第一选择信号CS1而充电。本公开并不限定第一储能元件1203的种类。任何能够储存能量的装置均可作为第一储能元件1203。在本实施例中，第一储能元件1203为一电容C_CS。电容C_CS一端耦接第一传送开关1201，另一端接收第二操作电压VSS。
发光装置1205具有多个发光单元。该等发光单元中的一第一发光单元可被设定成一预设发光单元，而其它发光单元可被设定成备用发光单元。在一发光期间，预设发光单元会被点亮，而备用发光单元不被点亮。当第一发光单元故障时，改从备用发光单元中，指定一新的预设发光单元，以确保像素单元1200正常运作。为方便说明，图12显示第一发光单元1211以及第二发光单元1212。在其它实施例中，发光装置1205可能具有更多的发光单元。
如图所示，第一发光单元1211并联第二发光单元1212。在一可能实施例中，一设定信号1217用以将第一发光单元1211与第二发光单元1212中的一个设定成一预设发光单元，并将第一发光单元1211与第二发光单元1212中的另一个设定成一备用发光单元。当预设发光单元发光时，备用发光单元可不发光。当预设发光单元故障时，可改由备用发光单元发光。
点亮开关1207耦接第一发光单元1211及第二发光单元1212，并接收一点亮信号EM。当点亮信号EM被致能时，点亮开关1207导通。此时，发光装置1205里的一发光单元被点亮。在本实施例中，点亮开关1207为一N型晶体管T3，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，点亮开关1207为一P型晶体管。如图所示，N型晶体管T3的栅极接收点亮信号EM，其漏极耦接发光装置1205，其源极耦接电平设定单元1209。
电平设定单元1209耦接点亮开关1207，用以提供一预设电平给点亮开关1207。在本实施例中，电平设定单元1209包括一第二传送开关1216、一第三传送开关1213以及一第二储能元件1215。第二传送开关1216接收数据信号DT以及一第二扫描信号DSCAN。在一可能实施例中，第二扫描信号DSCAN等于第一扫描信号CSCAN。在此例中，可省略一扫描信号，如DSCAN。
在本实施例中，第二传送开关1216为一N型晶体管T2。N型晶体管T2的栅极接收第二扫描信号DSCAN，其漏极接收数据信号DT，其源极耦接第三传送开关1213以及第二储能元件1215。在其它实施例中，第二传送开关1216为一P型晶体管。
第三传送开关1213耦接第二传送开关1216与点亮开关1207。在本实施例中，第三传送开关1213为一N型晶体管T1。N型晶体管T1的栅极耦接N型晶体管T2的源极，其漏极耦接N型晶体管T3的源极，其源极接收第二操作电压VSS。在其它实施例中，第三传送开关1213由一P型晶体管构成。
第二储能元件1215耦接第二传送开关1216与第三传送开关1213。在本实施例中，第二储能元件1215为一电容C_store，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，任何可储存能量的元件均可作为第二储能元件1215。如图所示，电容C_store的一端耦接N型晶体管T1的栅极，其另一端耦接N型晶体管T1的源极。
当第二扫描信号DSCAN被致能时，第二传送开关1216被导通。因此，第二储能元件1215根据数据信号DT而充电并且第三传送开关1213被导通。此时，点亮开关1207接收到第二操作电压VSS(即预设电平)。本公开并不限定数据信号DT的类型。在一可能实施例中，数据信号DT可能是电流信号或是电压信号。
当点亮信号EM被致能时，点亮开关1207被导通。此时，第三传送开关1213根据第二储能元件1215所储存的数据信号DT而被导通，并且发光装置1205里的一预设发光单元根据第一储能元件1203所储存的电压而被导通。因此，预设发光单元呈现相对应的亮度。
图13A为本公开的像素单元的一可能实施例。像素单元1300A包括一第一传送开关1301、一第一储能元件1303、一第一发光单元1305A、一第二发光单元1307A、一第三发光单元1309A、一点亮开关1311以及一电平设定单元1313。由于第一传送开关1301、第一储能元件1303、点亮开关1311以及电平设定单元1313的特性与图12的第一传送开关1201、第一储能元件1203、点亮开关1207以及电平设定单元1209的特性相似，故不再赘述。
在本实施例中，第一发光单元1305A包括一第一开关T11A以及一第一发光二极管LED1。第一开关T11A为一N型晶体管，其栅极耦接第一传送开关1301，其漏极耦接第一发光二极管LED1的阴极，其源极耦接点亮开关1311。第一发光二极管LED1的阳极接收第一操作电压VDD。在其它实施例中，第一开关T11A为一P型晶体管。
第二发光单元1307A包括一第二储能元件C_CS2、一第二开关T12A、一第三开关T22以及一第二发光二极管LED2。在一可能实施例中，第三开关T22为一N型晶体管，其栅极接收第一扫描信号CSCAN，其漏极接收第二选择信号CS2，其源极耦接第二储能元件C_CS2以及第二开关T12A。当第一扫描信号CSCAN被致能时，第三开关T22传送第二选择信号CS2。在其它实施例中，第三开关T22可能为一P型晶体管。
第二储能元件C_CS2的一端耦接第二开关T12A，其另一端接收第二操作电压VSS。当第三开关T22被导通时，第二储能元件C_CS2根据第二选择信号CS2而充电。在本实施例中，第二储能元件C_CS2为一电容，但并非用以限制本公开。任何具有储存能量的装置，均可作为第二储能元件C_CS2。
第二开关T12A耦接第三开关T22、第二储能元件C_CS2以及第二发光二极管LED2。在一可能实施例中，第二开关T12A为一N型晶体管，其栅极耦接第三开关T22与第二储能元件C_CS2，其漏极耦接第二发光二极管LED2的阴极，其源极耦接点亮开关1311。在其它实施例中，第二开关T12A为一P型晶体管。第二发光二极管LED2的阳极接收第一操作电压VDD，其阴极耦接第二开关T12A。
第三发光单元1309A包括一第三储能元件C_CS3、一第四开关T13A、一第五开关T23以及一第三发光二极管LED3。由于第三发光单元1309A的电路架构与第二发光单元1307A的电路架构相同，故不再赘述。另外，在本实施例中，电平设定单元1313所接收的第二扫描信号DSCAN等于第一扫描信号CSCAN。
在一可能实施例中，当第一选择信号CS1为一第一电平(如高电平)，并且第二选择信号CS2及第三选择信号CS3为一第二电平(如低电平)时，表示第一发光单元1305A被指定成一预设发光单元并且第二发光单元1307A及第三发光单元1309A被指定成备用发光单元。此时，当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1301传送第一选择信号CS1给第一储能元件1303，用以对第一储能元件1303充电，并且电平设定单元1313提供一预设电平(如第二操作电压VSS)给点亮开关1311。此时，电平设定单元1313里的辅助储能元件1317根据数据信号DT而充电。由于第二选择信号CS2及第三选择信号CS3为第二电平，因此，第二开关T12A与第四开关T13A不导通。
当点亮信号EM被致能时，点亮开关1311被导通。此时，电平设定单元1313里的第三传送开关1315根据辅助储能元件1317所储存的数据信号DT而导通，并且第一开关T11A根据第一储能元件1303所储存的电压而导通。因此，第一发光二极管LED1被点亮。
在其它实施例中，当第二选择信号CS2为第一电平(如高电平)并且第一选择信号CS1与第三选择信号CS3为第二电平(如低电平)时，表示第二发光单元1307被设定成预设发光单元。因此，当第一扫描信号CSCAN被致能时，第二选择信号CS2对第二储能元件C_CS2充电。当点亮开关1311被导通时，第二开关T12A根据第二储能元件C_CS2所储存的电压而导通，并且电平设定单元1313里的第三传送开关1315根据辅助储能元件1317的电压而导通。因此，第二发光二极管LED2被点亮。
图13B为本公开的像素单元的一可能实施例。像素单元1300B包括一第一传送开关1301、一第一储能元件1303、一第一发光单元1305B、一第二发光单元1307B、一第三发光单元1309B、一点亮开关1311、一电平设定单元1313以及一或非门电路1321。由于图13B的第一传送开关1301、第一储能元件1303、点亮开关1311以及电平设定单元1313的特性与图13A的第一传送开关1301、第一储能元件1303、点亮开关1311以及电平设定单元1313的特性相似，故不再赘述。
第一发光单元1305B包括一第一开关T11B以及一第一发光二极管LED1。第一开关T11B为一N型晶体管，其栅极耦接第一储能元件1303，其漏极耦接第一发光二极管LED1的阴极，其源极耦接点亮开关1311。第一发光二极管LED1的阳极接收第一操作电压VDD。
第二发光单元1307B包括一第二开关T12B以及一第二发光二极管LED2。第二开关T12B为一N型晶体管，其栅极耦接或非门电路1321的输出端OUT，其漏极耦接第二发光二极管LED2的阴极，其源极耦接点亮开关1311。第二发光二极管LED2的阳极接收第一操作电压VDD。
第三发光单元1309B包括一第三开关T13B以及一第三发光二极管LED3。第三开关T13B为一N型晶体管，其栅极耦接或非门电路1321的第二输入端IN2以及一开关1323，其漏极耦接第三发光二极管LED3的阴极，其源极耦接点亮开关1311。第三发光二极管LED3的阳极接收第一操作电压VDD。
开关1323用以提供第一操作电压VDD或第二操作电压VSS给第三开关T13B。在一可能实施例中，开关1323有一第一路径以及一第二路径。第一路径用以传送第一操作电压VDD给第三开关T13B。第二路径用以传送第二操作电压VSS给第三开关T13B。在一可能实施例中，可利用激光烧断第一路径或第二路径，用以控制第三开关T13B的栅极电压。在另一可能实施例中，开关1323根据一控制信号(未显示)，决定传送第一操作电压VDD或第二操作电压VSS给第三开关T13B。
或非门电路1321具有一第一输入端IN1、一第二输入端IN2以及一输出端OUT。第一输入端IN1耦接第一开关T11B与第一储能元件1303。第二输入端IN2耦接第三开关T13B。输出端OUT耦接第二开关T12B。在本实施例中，或非门电路1321包括P型晶体管PT1、PT2以及N型晶体管NT1、NT2。P型晶体管PT1的栅极耦接第一输入端IN1，其源极接收第一操作电压VDD。P型晶体管PT2的栅极耦接第二输入端IN2，其源极耦接P型晶体管PT1的漏极。N型晶体管NT1的栅极耦接第一输入端IN1，其漏极耦接P型晶体管PT2的漏极，其源极接收第二操作电压VSS。N型晶体管NT2的栅极耦接第二输入端IN2，其漏极耦接P型晶体管PT2的漏极，其源极接收第二操作电压VSS。
在本实施例中，藉由控制第一输入端IN1与第二输入端IN2的电平，将第一发光单元1305B、第二发光单元1307B或是第三发光单元1309B作为一预设发光单元。举例而言，当第一输入端IN1为一第一电平(如高电平)并且第二输入端IN2为一第二电平(如低电平)时，第一发光单元1305B被设定一预设发光单元。此时，第二发光单元1307B及第三发光单元1309B作为备用发光单元。在此例中，当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1301传送第一选择信号CS1给第一储能元件1303，用以对第一储能元件1303充电，并且第二传送开关1319传送数据信号DT给辅助储能元件1317，用以对辅助储能元件1317充电。当点亮信号EM被致能时，点亮开关1311被导通。此时，第一开关T11B根据第一储能元件1303所储存的电压而被导通。另外，电平设定单元1313里的第三传送开关1315根据辅助储能元件1317的电压而导通。因此，第一发光二极管LED1被点亮。
在另一可能实施例中，当第一输入端IN1与第二输入端IN2为第二电平(如低电平)时，P型晶体管PT1与P型晶体管PT2导通，因此，第二发光单元1307B被设定一预设发光单元。由于第一输入端IN1与第二输入端IN2为第二电平，因此，第一发光单元1305B及第三发光单元1309B作为备用发光单元。在此例中，当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1301传送第一选择信号CS1给第一储能元件1303，用以对第一储能元件1303充电，并且第二传送开关1319传送数据信号DT给辅助储能元件1317，用以对辅助储能元件1317充电。当点亮信号EM被致能时，点亮开关1311被导通。此时，第二开关T12B根据第一储能元件1303所储存的电压而被导通。另外，电平设定单元1313里的第三传送开关1315根据辅助储能元件1317的电压而导通。因此，第二发光二极管LED2被点亮。
在其它实施例中，当第一输入端IN1为第二电平(如低电平)并且第二输入端IN2为第一电平(如高电平)时，由于第三开关T13B导通，因此，第三发光单元1309B被设定一预设发光单元。此时，由于第一开关T11B与第二开关T12B不导通，因此，第一发光单元1305B及第二发光单元1307B作为备用发光单元。在此例中，当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1301传送第一选择信号CS1给第一储能元件1303，用以对第一储能元件1303充电，并且第二传送开关1319传送数据信号DT对辅助储能元件1317充电。当点亮信号EM被致能时，点亮开关1311被导通。此时，第三开关T13B根据第一储能元件1303所储存的电压而被导通。另外，电平设定单元1313里的第三传送开关1315根据辅助储能元件1317的电压而导通。因此，第三发光二极管LED3被点亮。
图13C为本公开的像素单元的另一可能实施例。像素单元1300C包括一第一传送开关1301、一第一储能元件1303、一第一发光单元1305C、一第二发光单元1307C、一第三发光单元1309C、一点亮开关1311、一电平设定单元1313以及一或非门电路1321。由于图13C的第一传送开关1301、第一储能元件1303、点亮开关1311、第一发光单元1305C、第二发光单元1307C、第三发光单元1309C的特性与图13B的第一传送开关1301、第一储能元件1303、点亮开关1311、第一发光单元1305B、一第二发光单元1307B、一第三发光单元1309B的特性相似，故不再赘述。
在本实施例中，第二扫描信号DSCAN不同于第一扫描信号CSCAN。在一可能实施例中，当第一扫信号CSCAN被致能时，第二扫描信号DSCAN不被致能，当第二扫信号DSCAN被致能时，第一扫描信号CSCAN不被致能。另外，在图13C中，指定第一发光单元1305C、一第二发光单元1307C、或第三发光单元1309C为一预设发光单元的方法与图13B的指定方法相同，故不再赘述。
当第一扫描信号CSCAN被致能时，第一传送开关1301传送参考信号REF给第一储能元件1303。因此，第一储能元件1303根据参考信号REF而充电。当第二扫描信号DSCAN被致能时，第二传送开关1319传送参考信号REF给辅助储能元件1317。因此，辅助储能元件1317根据参考信号REF而充电。当点亮信号EM被致能时，点亮开关1311被导通。此时，预设发光单元被点亮。
图14为本公开的像素单元的另一可能实施例。如图所示，像素单元1400包括，一第一晶体管1401、一第二晶体管1403、一储能元件1405、一第三晶体管1407、一发光二极管1409以及一感测元件1411。
第一晶体管1401的栅极接收一扫描信号SCAN，其漏极接收一数据信号DT。在本实施例中，第一晶体管1401为N型，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，第一晶体管1401也可被置换成P型。本公开并不限定数据信号DT的类型。数据信号DT可能为电压信号或是电流信号。
第二晶体管1403的栅极耦接第一晶体管1401的源极与储能元件1405，其漏极接收第一操作电压VDD。在一可能实施例中，第二晶体管1403的种类与第一晶体管1401相同。如图所示，第一晶体管1401与第二晶体管1403都是N型，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，第二晶体管1403的种类不同于第一晶体管1401。举例而言，第一晶体管1401与第二晶体管1403中的一个为N型，并且第一晶体管1401与第二晶体管1403中的另一个为P型。
储能元件1405的一端耦接第一晶体管1401的源极，其另一端耦接第二晶体管1403的源极。在本实施例中，储能元件1405为一电容，但并非用以限制本公开。任何能够储存能量的元件均可作为储能元件1405。
第三晶体管1407的栅极接收一点亮信号EM，其源极耦接第二晶体管1403的源极。在本实施例中，第三晶体管1407的种类与第一晶体管1401的种类不同。如图所示，第一晶体管1401是N型，第三晶体管1407为P型，但并非用以限制本公开。在其它实施例中，第三晶体管1407的种类相同于第一晶体管1401或第二晶体管1403。
发光二极管1409的阳极耦接第三晶体管1407的漏极，其阴极接收第二操作电压VSS。感测元件1411感测发光二极管1409的亮度，用以产生一反馈信号SFB。本公开并不限定感测元件1411的种类。任何能够检测光线亮度的元件，均可作为感测元件1411。在一可能实施例中，感测元件1411为一发光二极管。
在本实施例中，一源极驱动器1410接收并记录反馈信号SFB。如图所示，源极驱动器1410具有一记忆元件1413，用以记录每个感测元件的感测结果。另外，源极驱动器1410具有一灰阶表1415。灰阶表1415记录不同的数据信号所对应的亮度值。
在一可能实施例中，控制器1417先根据灰阶表1415的记录结果，产生适当的数据信号DT，用以控制发光二极管1409发出一预设亮度。控制器1417再根据反馈信号SFB得知发光二极管1409的亮度是否等于该预设亮度。当发光二极管1409的亮度不等于该预设亮度时，控制器1417控制扫描信号SCAN、数据信号DT与点亮信号EM的至少一个，用以调整发光二极管1409的亮度。在另一可能实施例中，控制器1417并非直接调整发光二极管1409的亮度。在此例中，控制器1417可能调整像素单元1400相邻的像素单元(未显示)的亮度，用以补偿发光二极管1409的亮度发生漂移。
图15A为本公开的像素单元的一可能控制时序图。请配合图14，在一帧期间1501，扫描信号SCAN被致能一次。当扫描信号SCAN被致能时，第一晶体管1401被导通。储能元件1405根据数据信号DT而充电。由于点亮信号EM被致能，因此，第三晶体管1407被导通，发光二极管1409被点亮。当扫描信号SCAN不被致能时，第二晶体管1403根据储能元件1405所储存的电压而导通。因此，在期间1502，发光二极管1409被点亮，其中符号BT表示发光二极管1409的亮度。
在期间1503，如果控制器1417得知发光二极管1409的亮度不等于一预设亮度时，控制器1417不致能点亮信号EM。因此，发光二极管1409停止发光。在期间1504，控制器1417再度致能点亮信号EM。因此，发光二极管1409再度发光。在本实施例中，控制器1417根据发光二极管1409的实际亮度与预设亮度之间的差异，调整期间1503的持续时间。当发光二极管1409的总发光时间愈长时，发光二极管1409所呈现的亮度愈亮。在另一可能实施例中，控制器1417调整发光二极管1409的亮度。在此例中，在期间1504中，发光二极管1409的亮度可能高于或低于在期间1502中的亮度。
图15B为本公开的像素单元的一可能控制时序图。图15B相似图15A，不同之处在于，当发光二极管1409不发光时，控制器1417通过像素单元1400传送额外载波1505，用以控制显示面板附近的周边装置。
举例而言，使用者可能利用遥控器或是手机传送控制命令给显示面板，控制器1417根据控制命令产生额外载波1505。当显示面板附近的电子装置接收到额外载波1505时，便进行一特定动作，如台灯被点亮或是冷气被启动。在另一可能实施例中，控制器1417所产生的额外载波整合在发光二极管1409所发出的光线中。当发光二极管1409发出一光线时，该光线具有一载波，用以驱动一外部装置。该外部装置根据该光线上的载波而动作，用点亮台灯或启动冷气。
除非另作定义，在此所有词汇(包含技术与科学词汇)均属本公开所属技术领域的技术人员的一般理解。此外，除非明白表示，词汇于一般字典中的定义应解释为与其相关技术领域的文章中意义一致，而不应解释为理想状态或过分正式的语态。
虽然本公开已以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本公开，本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰。举例来说，本公开实施例所公开的***、装置或是方法可以硬件、软件或硬件以及软件的组合的实体实施例加以实现。因此本公开的保护范围当视所附权利要求书界定范围为准。

Claims (7)

1.一种显示面板，包括：
第一电流源；
第二电流源；
第一像素单元，包括：
第一开关，与该第一电流源电性连接且接收第一扫描信号，其中当该第一扫描信号被致能时，该第一开关被导通且接收来自该第一电流源的第一电流；以及
第一发光二极管，耦接该第一开关，其中当该第一开关被导通时，该第一电流流过该第一发光二极管，用以点亮该第一发光二极管；以及
第一感测元件，感测该第一发光二极管的亮度，用以产生第一反馈信号；
第二像素单元，包括：
第二开关，与该第二电流源电性连接且接收第一扫描信号，其中当该第一扫描信号被致能时，该第二开关被导通且接收来自该第二电流源的第二电流；以及
第二发光二极管，耦接该第二开关，其中当该第二开关被导通时，该第二电流流过该第二发光二极管，用以点亮该第二发光二极管；
第三像素单元，包括：
第三开关，接收第二扫描信号，其中当该第二扫描信号被致能时，该第三开关被导通；
第三发光二极管，耦接该第三开关，其中当该第三开关被导通时，第三电流流过该第三发光二极管，用以点亮该第三发光二极管；以及
第二感测元件，感测该第三发光二极管的亮度，用以产生第二反馈信号；以及
控制器，耦接该第一感测元件及该第二感测元件，其中该控制器根据该第一反馈信号或该第二反馈信号调整该第一电流源。
2.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
补偿电路，具有第一端及第二端，其中该第一端耦接该第一开关，该第二端耦接该第一发光二极管，该补偿电路用以补偿该第一开关的临界电压。
3.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
静电放电防护电路，耦接该第一开关。
4.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
放电电路，耦接数据线，用以释放该数据线上的电压。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中当该第一及第三开关不被导通时，该放电电路释放该数据线上的电压。
6.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一像素单元还包括：
电容，耦接该第一开关；
P型晶体管，串联于该第一开关与该第一发光二极管之间；以及
N型晶体管，串联于该第一开关，其中该P型晶体管的栅极耦接该N型晶体管的栅极。
7.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
基板；以及
绝缘层，位于该基板上，其中该绝缘层包括第一凹槽及第二凹槽，其中该第一发光二极管具有第一电极及第二电极，该第一凹槽用以置放该第一电极，该第二凹槽用以置放该第二电极。
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