CN101504820A - 电光学装置及其驱动方法、电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及在减少各单位电路中的电容元件的容量的同时可获得充分的发光量的电光学装置、其驱动方法及电子设备。电光学装置(10)具有多个单位电路(U)；在各单位期间(1T)内的每个驱动期间(Pd)依次选择1条扫描线(104)的扫描线驱动电路(20)；和在各单位期间内的每个写入期间(Pw)向各条数据线(104)输出与在驱动期间(Pd)被选择的扫描线(102)对应的单位电路的数据电位(VD)的数据线驱动电路(30)；单位电路分别具有：电光学元件(12)；具有与电容线(106)连接的第一电极(E1)和与数据线连接的第二电极(E2)的电容元件；和在扫描线被选择时通过导通将第2电极与电光学元件导通的晶体管。

Description

电光学装置及其驱动方法、电子设备

技术领域

本发明涉及利用了电光学元件的电光学装置及其驱动方法、电子设备。

背景技术

近年来，提出了各种使用有机EL(Electroluminescent)元件或被称为发光聚合物元件等的有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，以下称为“OLED”)元件等电光学元件的图像显示装置。

图31是表示专利文献1所公开的图像显示装置中的单位电路P的结构的图。在专利文献1所公开的图像显示装置中，多个单位电路P对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置，在图31中，举例表示了其中的1个单位电路P的结构。如图31所示，N沟道型晶体管Ts的漏极与数据线连接，并且其源极与OLED元件的阳极及电容元件Co的一方电极连接。晶体管Ts的栅极与扫描线连接。并且，如图29所示，OLED元件与电容元件Co并联连接，OLED元件的阴极及电容元件Co的另一方电极共同与固定电位连接。

在上述的结构中，第1、当向扫描线供给的扫描信号迁移到激活状态时，晶体管Ts成为导通状态。由此，被供给到数据线的数据电位通过晶体管Ts被供给到OLED元件，并被写入到电容元件Co。第2、当扫描信号迁移到非激活状态时，晶体管Ts成为截止状态，但在蓄积于电容元件Co中的电荷所残留的期间，持续OLED元件的发光状态。

[专利文献1]特开2000-122608号公报

但是，在上述专利文献1的结构中，为了使OLED元件的发光量(发光亮度的时间积分值)成为充分的值，需要充分确保OLED元件的发光时间。因此，需要将电容元件Co的容量设定为非常大的值。

发明内容

本发明就是鉴于这样的问题而提出的，其目的在于，在减少各个单位电路中的电容元件的容量的同时，可获得充分的发光量。

为了解决上述问题，本发明的电光学装置具有：多个单位电路，其对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置；扫描线驱动电路，其在各单位期间内的每个驱动期间依次选择1条扫描线；和数据线驱动电路，其在各单位期间内的期间的驱动期间开始之前的每个写入期间，向各数据线输出与单位电路的灰度数据对应的数据电位，上述单位电路是与在该单位期间内的驱动期间中被选择的扫描线对应的单位电路，多个单位电路分别具有：电光学元件，其成为与数据电位对应的灰度；电容元件，其具有与电容线连接的第1电极、和与数据线连接的第2电极；和开关元件，其被配置在第2电极与电光学元件之间，在扫描线驱动电路进行扫描线的选择时，通过导通将第2电极与上述电光学元件连通。上述结构中，在写入期间与从数据线驱动电路输出的数据电位对应的电荷被充电到各个单位电路的电容元件中，在驱动期间，从与该单位电路对应的数据线所连接的多个电容元件，向与扫描线驱动电路所选择的扫描线对应的单位电路各个中的电光学元件，供给在写入期间被充电的电荷。

根据该方式，由于在各单位期间内的驱动期间，从与该单位电路对应的数据线所连接的多个电容元件，向与扫描线驱动电路所选择的扫描线对应的单位电路，一齐供给在该单位期间内的写入期间被充电的电荷，所以可充分确保该单位电路中的电光学元件的发光时间。因此，可以确保电光学元件的发光量具有充分的值，并且相比图31所示的结构(以下称为“以往例”)，可减少各单位电路中的电容元件的必要容量。

在本发明的电光学装置中，多个单位电路各个中的电光学元件具有与开关元件连接的第3电极、与被供给固定电位的固定电位线连接的第4电极、和设在第3电极及第4电极之间的电光学层，电容线是固定电位线。根据该方式，由于不需要与固定电位线独立地设置电容线，所以可简化电光学装置的构成。

在本发明的电光学装置中，与各单位电路中的上述电容元件独立地另外设有一方电极与数据线连接的辅助用电容元件。根据该方式，即使相对为了确保与所选择的扫描线对应的单位电路中的电光学元件的发光量具有充分的值而必要的容量，与该单位电路对应的数据线所连接的各个电容元件的合计容量少时，也可以利用辅助用电容元件的容量来补充不足的部分。

作为本发明的电光学装置的优选方式，设有将各条数据线分别与数据线驱动电路连接的开关。而且，作为本发明的电光学装置的优选方式，辅助用电容元件包括各自的容量不同的多个电容元件，在多个电容元件的一方电极与数据线之间，设有使多个电容元件中的任意电容元件与数据线导通的第2开关元件。该方式中，通过在写入期间使多个电容元件的任意电容元件选择性地与数据线导通，可调节电光学元件的发光时间。因此，能够以多等级调节电光学元件的发光量。

在本发明的电光学装置中，各条数据线由第1部分和第2部分构成，该第1部分与对应的多个单位电路连接，且在各条数据线中长度相等，该第2部分与数据线驱动电路连接，且在各条数据线中长度不同，并且在第1部分与第2部分之间设有用于切换两者的导通和非导通的第3开关元件，第3开关元件按每个单位期间在写入期间成为导通状态，在驱动期间成为截止状态。该方式中，在各单位期间的驱动期间中各条数据线的第2部分被切断。由于各条数据线的第1部分的长度相等，所以可抑制各条数据线中的电容值产生差异。因此，可抑制在每条数据线中电光学元件的发光量不同的情况。

另外，本发明的电光学装置具有：多条扫描线；多条数据线；对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置的多个单位电路；和沿着多条数据线分别设置的多个电容元件；多个单位电路分别具有电光学元件和开关元件，该开关元件在被供给到多条扫描线中的1条扫描线的扫描信号的控制下，控制多个电容元件与电光学元件之间的导通。

而且，在本发明的电光学装置中，多个单位电路具有由与多条数据线中的1条数据线连接的2个以上单位电路构成的单位电路组，多个电容元件分别对应属于单位电路组的各个单位电路而被分割设置。

并且，作为本发明的电光学装置，也可以采用以下的方式，即具有：多个单位电路，其对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置；扫描线驱动电路，其在各单位期间内的每个驱动期间，依次选择1条上述扫描线；数据线驱动电路，其在各单位期间内的期间的驱动期间开始之前的每个写入期间，向各数据线输出与单位电路的灰度数据对应的数据电位，所述单位电路是与在该单位期间内的驱动期间被选择的扫描线对应的单位电路；和第1开关元件(例如图10所示的开关Sw)，其对应多条数据线的各条而配置，在每个写入期间通过导通使该数据线与数据线驱动电路连通，在每个驱动期间通过成为非导通而使该数据线与数据线驱动电路为非导通；多个单位电路分别具有：电光学元件，其成为与数据电位对应的灰度；和第2开关元件(例如图10所示的晶体管Tr)，其被配置在数据线与电光学元件之间，在扫描线驱动电路进行扫描线的选择时通过导通将两者连通；在写入期间，与从数据线驱动电路输出的数据电位对应的电荷被充电到付随于各条数据线(例如相当于图10所示的各第一部分Z1)的电容中，在驱动期间，各条数据线与数据线驱动电路电分离，从付随于与该单位电路对应的数据线的电容，向与扫描线驱动电路所选择的扫描线对应的单位电路各自中的电光学元件，供给在写入期间被充电的电荷。

根据上述的结构，由于能够将在写入期间被充电到付随于1条数据线的电容中的电荷，用于驱动期间中的1个电光学元件的发光，所以，不需要在每个单位电路中设置电容元件。因此，相比在每个单位电路中设置电容元件的结构，具有可实现高精细化的优点。

本发明的电光学装置可利用在各种电子设备中。该电子设备的典型例是把发光装置作为显示装置利用的设备。作为这种设备，有个人计算机和移动电话机等。并且，本发明的电光学装置的用途不限于图像的显示。例如，在利用光线的照射而在感光体鼓等像担承体上形成潜像的结构的图像形成装置(印刷装置)中，作为对像担承体进行曝光的装置(所谓的曝光头)，也可以采用本发明的电光学装置。

本发明的电光学装置的驱动方法用于驱动电光学装置，该电光学装置具有对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置的多个单位电路，多个单位电路分别具有：电光学元件，其成为与数据电位对应的灰度；电容元件，其具有与电容线连接的第1电极、和与数据线连接的第2电极；和开关元件，其被配置在第2电极与电光学元件之间，在扫描线被选择时通过导通将第2电极与电光学元件导通，所述驱动方法在各单位期间内的每个驱动期间依次选择1条扫描线，在各单位期间内的期间的驱动期间开始之前的每个写入期间，向各条数据线输出与单位电路的灰度数据对应的数据电位，该单位电路是与在该单位期间内的驱动期间被选择的扫描线对应的单位电路。采用上述的驱动方法也可以获得与本发明的电光学装置相同的效果。

另外，作为本发明的电光学装置的驱动方法，也可以是用于驱动具备对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置的多个单位电路，多个单位电路分别具有成为与数据电位对应的灰度的电光学元件的电光学装置的驱动方法，该方法在各单位期间内的期间的驱动期间开始之前的每个写入期间，将与在该单位期间内的驱动期间被选择的扫描线对应的单位电路的灰度数据所对应的数据电位输出给各条数据线，将与数据电位对应的电荷充电到付随于各条数据线的电容中，在各单位期间内的每个驱动期间，依次选择1条扫描线，从付随于与属于所选择的扫描线的单位电路对应的数据线的电容，将在该单位期间内的写入期间被充电的电荷，向该单位电路中的上述电光学元件供给。

附图说明

图1是表示本发明第1实施方式的电光学装置的结构的框图。

图2是表示关于各个单位电路的详细电气结构的电路图。

图3是表示用于驱动电光学元件的动作的图。

图4是用于说明驱动期间中的单位电路的动作的图。

图5是表示本发明第2实施方式的电光学装置的结构的电路图。

图6是表示本发明第3实施方式的电光学装置的结构的电路图。

图7是表示本发明第4实施方式的电光学装置的结构的电路图。

图8是表示该实施方式的电光学装置的动作的时序(timing)的图。

图9是表示对比例的结构的电路图。

图10是表示本发明第5实施方式的电光学装置的结构的电路图。

图11是第1实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图12是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图13是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图14是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图15是从图10至图13中的A-A线观察的剖面图。

图16是第1实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图17是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图18是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图19是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图20是从图15至图18中的B-B线观察的剖面图。

图21是第2实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图22是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图23是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图24是该实施方式的单位电路的制造阶段中的俯视图。

图25是从图21至图24中的C-C线观察的剖面图。

图26是表示本发明的变形例2的电光学装置的结构的电路图。

图27是表示本发明的变形例6的电光学装置的结构的电路图。

图28是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图29是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图30是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图31是表示以往的单位电路的结构的电路图。

图中：10-电光学装置；12-电光学元件；20-扫描线驱动电路；30-数据线驱动电路；102-扫描线；104-数据线；106-电容线；108-固定电位线；C-电容元件；Cs-辅助用电容元件；Cx-电容元件；E1-第1电极；E2-第2电极；Pw-写入期间；Pd-驱动期间；Sw-开关；1T-单位期间；Tr-晶体管；U-单位电路；Z1-第1部分；Z2-第2部分。

具体实施方式

<A：第1实施方式>

图1是表示本发明的第1实施方式的电光学装置10的结构的框图。该电光学装置10是作为用于显示图像的装置而在各种电子设备中采用的装置，其具有：多个单位电路U被面状配置的像素阵列部100、扫描线驱动电路20、和数据线驱动电路30。另外，在图1中，扫描线驱动电路20和数据线驱动电路30分别被图示为独立的电路，但也可以采用由单一的电路构成这些电路的一部分或全部的结构。

如图1所示，在像素阵列部100中，设有沿X方向延伸的m条扫描线102、和沿与X方向正交的Y方向延伸的n条数据线104(m和n是自然数)。各单位电路U被配置在与扫描线102和数据线104的交叉对应的位置。因此，这些单位电路U被配置成纵m行×横n列的矩阵状。

图1所示的扫描线驱动电路20是用于以行单位选择多个单位电路U的电路。扫描线驱动电路20顺序生成成为激活的扫描信号G[1]至G[m]，并向m条扫描线102的各个输出。被供给第i行(i是满足1≤i≤m的整数)的扫描线102的扫描信号G[i]向激活状态的迁移，表示选择了属于第i行的n个单位电路U。

图1所示的数据线驱动电路30生成与由扫描线驱动电路20选择的扫描线102对应的1行量的n个单位电路U的各个灰度数据所对应的数据电位VD[1]至VD[n]，并向各条数据线104输出。以下，把被输出到第j列(j是满足1≤j≤n的整数)数据线104的数据电位VD表示为VD[j]。

图2是表示关于各个单位电路U的详细电路结构的电路图。如图2所示，各个单位电路U具有电光学元件12、电容元件C、和晶体管Tr。电光学元件12是在阳极与阴极之间夹设了有机EL材料的发光层的OLED元件，如图2所示，其被配置在晶体管Tr与供给固定电位的固定电位线(接地线)之间。这里，阳极是按每个单位电路U设置、按每个单位电路被控制的独立电极，阴极成为单位电路U公共设置的公共电极。而且，阴极与供给固定电位的固定电位线连接。另外，也可以构成为阳极是公共电极，阴极是独立电极的结构。

图2所示的电容元件C用于保持从数据线104供给的数据电位VD[j]。如图2所示，电容元件C具有与电容线106连接的第1电极E1、和与数据线104连接的第2电极E2。被供给固定电位的电容线106与各个单位电路U公共连接。另外，虽然向固定电位线供给接地电位，但也可以构成为例如向固定电位线供给负电位，使得数据电位VD[j]中表示最高亮度的数据电位VD[N]为正电位，数据电位VD[j]中表示最低亮度的数据电位VD[1]是负电位的结构。即，也可以在数据电位VD[N]与数据电位VD[1]之间有接地电位。这样，可减小数据电位VD[j]相对接地电位的振幅，降低电力消耗。

图2所示的N沟道型晶体管Tr是通过在扫描线102的选择时导通而使电容元件C的第2电极E2与电光学元件12导通的开关元件。如图2所示，晶体管Tr的源极与电光学元件12的阳极连接，并且，其漏极与数据线104及电容元件C的第2电极E2连接。晶体管Tr的栅极与扫描线102连接，当扫描信号G[i]迁移到激活状态时，晶体管Tr成为导通状态，使第电极E2和电光学元件12导通。另一方面，当扫描信号G[i]迁移到非导通状态时，晶体管Tr成为截止状态，使第2电极E2与电光学元件12成为非导通状态。

下面，对电光学装置10的动作进行说明。如图3所示，1个垂直扫描期间(1V)内的各个单位期间1T具有：从该单位期间1T的开始时刻到经过规定期间的写入期间Pw、和写入期间Pw经过后的驱动期间Pd。在本实施方式中，驱动期间Pd被设定为从写入期间Pw的结束时刻到该单位期间1T的结束时刻的期间。

图1所示的扫描线驱动电路20在各个单位期间1T内的每个驱动期间Pd，顺序选择1条扫描线102。例如，在1个垂直扫描期间(1V)内的第i个单位期间1T中，通过把扫描信号G[i]设定为激活电平，来选择第i行的扫描线102。

图1所示的数据线驱动电路30在各个单位期间1T内的每个写入期间Pw，向各条数据线104输出与电光学元件12的灰度数据对应的数据电位VD，该电光学元件12是与在该单位期间1T内的驱动期间Pd中由扫描线驱动电路20选择的扫描线102对应的各个单位电路U中的电光学元件。例如，在1个垂直扫描期间(1V)内的第i个单位期间1T内的写入期间Pw中，向各条数据线104输出与第i行的n个单位电路U的各个灰度数据对应的数据电位VD[1]至VD[n]。下面，关注第i行的各个单位电路U，分写入期间Pw和驱动期间Pd，对用于驱动电光学元件12的动作进行说明。

(a)写入期间Pw

在写入期间Pw中，与属于第i行的单位电路U的灰度数据对应的数据电位VD所对应的电荷，被充电(蓄积)到各个单位电路U中的电容元件C中。例如，与第i行第j列的单位电路U的灰度数据对应的数据电位VD[j]所对应的电荷，被并行充电到与第j列的数据线104连接的m个电容元件C中。

(b)驱动期间Pd

在驱动期间Pd中，在数据线驱动电路30的各个输出端被设定为高阻抗状态的基础上，如图3所示那样扫描信号G[i]迁移到高电平。因此，如图4所示，属于第i行的单位电路U的各自的晶体管Tr成为导通状态。由此，从与该单位电路U对应的数据线104所连接的多个电容元件C，向属于第i行的各个单位电路U供给在写入期间Pw被充电的电荷。例如，从与第j列的数据线104连接的m个电容元件C，一齐向第i行第j列的单位电路U中的电光学元件12供给在写入期间Pw被充电的电荷。由此，属于第i行的各个单位电路U中的电光学元件12，以与数据电位VD对应的灰度进行发光。

根据本方式的构成，在各单位期间1T内的驱动期间Pd中，从与该单位电路U对应的数据线104所连接的各个电容元件C，一齐向与扫描线驱动电路20所选择的扫描线102对应的各个单位电路U，供给在该单位期间1T内的写入期间Pw被充电的电荷。即，由于能够把并行充电到m个电容元件C中的电荷用于1个电光学元件12的发光，所以可充分确保电光学元件12的发光时间。因此，根据本实施方式的结构，可以使各电光学元件12的发光量具有充分的值，并且，相比以往例，可减小各单位电路U中的电容元件C所必要的容量。

<B：第2实施方式>

图5是表示本发明的第2实施方式的电光学装置10的结构的电路图。在本实施方式中，与上述的第1实施方式的结构不同点在于，固定电位线还作为电容线106发挥功能。具体如图5所示，与各个单位电路U共通连接的固定电位线108和各个单位电路U中的电光学元件12的阴极共通连接，并且与各个单位电路U中的电容元件C的第1电极E1共通连接。根据本方式的构成，由于不需要独立于固定电位线108另外设置电容线106，所以可简化电光学装置10的结构。

<C：第3实施方式>

图6是表示本发明的第3实施方式的电光学装置10的结构的电路图。在本实施方式中，与上述的各个实施方式的结构的不同点是，与各个单位电路U中的电容元件C独立地设置了一方电极与数据线104连接的辅助用电容元件Cs。由于其他结构与上述的各个实施方式相同，所以省略对相同部分的重复说明。

如图6所示，辅助用电容元件Cs的一方电极E3与数据线104连接，并且，另一方电极E4与供给固定电位的电位线连接。本实施方式中，在各个单位期间1T内的写入期间Pw中，辅助用电容元件Cs也被充电。而且，在各个单位期间1T内的驱动期间Pd中，来自辅助用电容元件Cs的电荷被提供给与该辅助用电容元件Cs对应的单位电路U。另外，电位线例如可以是图2所示的电容线106，也可以是图5所示的固定电位线108。

根据本实施方式的结构，即使在与1个电光学元件12对应的数据线104所连接的m个电容元件C的容量合计值不能充分地使该电光学元件12的发光量达到充分值的情况下，通过利用与该数据线104连接的辅助用电容元件Cs的容量，也能对不充分的部分进行补偿。

<D：第4实施方式>

图7是表示本发明的第4实施方式的电光学装置10的结构的电路图。如图7所示，在本实施方式中，各条数据线104分别由与m个单位电路U连接且在各条数据线104上长度相等的第1部分Z1、和与数据线驱动电路30连接的第2部分Z2构成。在本实施方式中，数据线驱动电路30被配置在像素阵列部100中的X方向中央，各条数据线104曲折而与数据线驱动电路30连接。由于在像素阵列部100的X方向上各条数据线104分布的范围比数据线驱动电路30中各条数据线104的输出端分布的范围宽，所以各条数据线104的长度不同。由于各条数据线104中的第1部分Z1在各条数据线104中长度相等，所以各条数据线104中的第2部分Z2在各条数据线104中长度不同。

而且，如图7所示，各条数据线104中，在第1部分Z1和第2部分Z2之间设有用于切换两者的导通和非导通的开关Sw。各个开关Sw由未图示的控制电路一齐控制成导通状态或截止状态。其他的结构与上述各个实施方式的结构相同。

如图8所示，开关Sw在各个单位期间1T内的每个写入期间Pw成为导通状态，而在各个单位期间1T内的每个驱动期间Pd成为截止状态。更具体而言，在写入期间Pw中，各个开关Sw一齐成为导通状态，使各条数据线104与数据线驱动电路30导通，向各条数据线104供给与从数据线驱动电路30输出的数据电位VD对应的电荷。另一方面，在驱动期间Pd中，各个开关Sw一齐成为截止状态，各条数据线104与数据线驱动电路30成为非导通状态，因此，停止从数据线驱动电路30向各条数据线104供给与数据电位VD对应的电荷。

图9是表示在各条数据线104中不设置开关Sw，第1部分Z1与第2部分Z2直接连接的结构(以下称为“对比例”)的电路图。一般在各条数据线104中包含未图示的寄生电容。如上所述，由于各条数据线104中的第2部分Z2的长度在各条数据线104中不同，所以在对比例的结构中，各条数据线104中的寄生电容值产生差异，因此，存在着电光学元件12的发光量对应每条数据线104而不同的问题。对此，在本实施方式中，各条数据线104中长度不同的第2部分Z2在驱动期间Pd被从各条数据线104断开。由于第1部分Z1的长度在各条数据线104中相等，所以，例如当属于在驱动期间Pd中被选择的行的各个单位电路U的灰度数据相等时，被供给到属于该行的各个单位电路U的电光学元件12的电荷被均匀化。即，具有可抑制电光学元件12的发光量按每条数据线104而不同的情况的优点。

<E：第5实施方式>

图10是表示本发明的第5实施方式的电光学装置10的结构的电路图。在本实施方式中，与上述各个实施方式的不同点是在各个单位电路U中未设置电容元件C。

如图10所示，各单位电路U具有电光学元件12和晶体管Tr。晶体管Tr被配置在数据线104与电光学元件12之间，通过在扫描线102的选择时通过导通而将两者导通。另外，如图10所示，n条数据线分别具有与m个单位电路U连接的第1部分Z1、与数据线驱动电路30连接的第2部分Z2、和设置在第1部分Z1与第2部分Z2之间的开关Sw。各开关Sw通过在每个写入期间Pw导通而将第1部分Z1与第2部分Z2导通，通过在每个驱动期间Pd成为非导通而使第1部分Z1与第2部分非导通。各开关Sw与上述的第4实施方式同样，由未图示的控制电路控制成一齐导通状态或截止状态。

本实施方式的电光学装置10的动作与上述的第4实施方式相同。如图8所示，在各个单位期间1T内的写入期间Pw中，各开关Sw一齐成为导通状态，使各条数据线104与数据线驱动电路30导通，从数据线驱动电路30输出的数据电位VD[1]～VD[n]被供给到各条数据线104。例如，在1个垂直扫描期间(1V)内的第i个单位期间1T内的写入期间Pw中，与在该第i个单位期间1T内的驱动期间Pd中被选择的第i行的n个单位电路U的各个灰度数据对应的数据电位VD[1]～VD[n]，被提供给各条数据线104，与数据电位VD[1]～VD[n]对应的电荷被充电到付随于各条数据线104的电容(寄生电容)中。

这里，由于各条数据线104中的第1部分Z1的长度远大于第2部分Z2的长度，所以，第1部分Z1与其他要素(扫描线102、电源线、相邻的数据线104等)之间产生的寄生电容的值，远大于第2部分Z2与其他要素之间所产生的寄生电容的值。因此，在各单位期间1T内的写入期间Pw中，与从数据线驱动电路30输出的数据电位VD[1]～VD[n]对应的电荷的大部分，被充电到付随于各条数据线104中的第1部分Z1的电容中。

如图8所示，在驱动期间Pd中，各开关Sw一齐成为导通状态，使各条数据线104中的第1部分Z1与数据线驱动电路30电分离，并且，从数据线驱动电路30向各条数据线104的数据电位VD[1]～VD[n]的供给也停止。另外，由扫描线驱动电路20选择1条扫描线102。对与所选择的扫描线102对应的单位电路U的各个中的电光学元件12，从付随于与该单位电路U对应的数据线104中的第1部分Z1的电容，供给在写入期间Pw中被充电的电荷。

根据本实施方式的结构，由于可以将被充电到付随于1条数据线104的电容中的电荷用于1个电光学元件12的发光，所以，与上述各实施方式不同，在各单位电路U内不需设置电容元件。由此，与在各单位电路U中设置电容元件的结构相比，具有可实现高精细化的优点。

另外，在本实施方式中，与上述的第4实施方式同样，也可将各条数据线104中的第1部分Z1设为相等长度。根据此结构，由于可使付随于各条数据线104中的第1部分Z1的电容的值均等化，所以当属于在驱动期间Pd中被选择的行的各个单位电路U的灰度数据相等时，可将向属于该行的各个单位电路U的电光学元件12供给的电荷均等化。即，具有可抑制电光学元件12的发光量按每条数据线104而不同的优点。

<F：电光学装置中的单位电路U的具体结构>

下面，参照附图，对以上说明的电光学装置10中的单位电路U的具体结构进行说明。另外，在以下说明的各个附图中，为了便于说明，相比实际的装置，对各个要素的尺寸和比例进行了适宜改变。

<F-1：第1实施方式的各单位电路U的构造>

图11至图14是表示形成第1实施方式的电光学装置10中的单位电路U时的各个阶段的状态的俯视图。在图11至图14的俯视图中，处于各个阶段的6个单位电路U被沿着X方向和Y方向配置。图15是从图11到图14中的A-A线观察的剖面图。其中，虽然图11至图14是俯视图，但为了容易了解各个要素，对于与图15相同的要素，适宜地画出了与图15同样的阴影线。

如图11和图15所示，在基板40的面上，由硅等半导体材料形成半导体层41。如图11所示，半导体层41具有沿Y方向延伸的第1部分41a及第2部分41b、和沿X方向延伸而将两者连接的连接部41c。第1部分41a作为漏极区域发挥功能，并且还作为各个单位电路U中的电容元件C的第2电极E2发挥功能。第2部分41b作为源极区域发挥功能。连接部41c作为沟道区域发挥功能。如图15所示，形成了半导体层41的基板40的表面，被第1绝缘层Fa1覆盖其全体区域。

如图12和图15所示，在第1绝缘层Fa1的面上，形成晶体管Tr的栅电极43(扫描线102)和电容线106。栅电极43和电容线106，通过对在第1绝缘层Fa1整个区域上连续形成的导电膜(例如铝薄膜)进行构图，由同一工序一次形成。如图12所示，栅电极43在X方向上延伸，隔着第1绝缘层Fa1(在图12中未图示)与半导体层41中的连接部41c(栅极区域)重合。

电容线106作为各单位电路U中的电容元件C的第1电极E1发挥功能。如图12所示，电容线106在X方向上延伸，隔着第1绝缘层Fa1(在图12中未图示)与半导体层41中的第1部分41a重合。如图15所示，电容线106(第1电极E1)与半导体层41中的第1部分41a(第2电极E2)夹着第1绝缘层Fa1对置，由此形成电容C1。

另外，如栅电极43与电容线106的关系那样，以下，将通过公共膜体(无论是单层还是多层)的选择性除去，在同一工序中形成多个要素的情况，简单地表述为“基于同层形成”。基于同层形成的各个要素当然由同一材料构成，并且各个的膜厚近似一致。根据基于同层来形成多个要素的结构，相比分别基于不同层形成的结构，具有可简化制造工序、降低制造成本的优点。

如图15所示，形成了栅电极43和电容线106的第1绝缘层Fa1的表面，其全体区域由第2绝缘层Fa2覆盖。如图13和图15所示，在第2绝缘层Fa2的面上形成有数据线104。数据线104通过对在第2绝缘层Fa2的整个区域连续形成的导电膜(例如铝薄膜)进行构图而形成。如图13所示，数据线104在Y方向上延伸，隔着第2绝缘层Fa2(在图13中未图示)与电容线106重合。

如图15所示，通过数据线104与电容线106夹着第2绝缘层Fa2对置而形成电容C2。如图15所示，由通过半导体层41中的第1部分41a(第2电极E2)与电容线106(第1电极E1)夹着第1绝缘层Fa1对置而形成的电容C1、和通过电容线106与数据线104夹着第2绝缘层Fa2对置而形成的电容C2，形成了各个单位电路U中的电容元件C。根据本实施方式的结构，由于在各单位电路U内由在叠层方向形成的多个电容形成电容元件C，所以可充分确保各个单位电路U中的电容元件C的电容值。该结构在像素的高精细化发展、各个单位电路U内的平面部分的面积减小的情况下尤其有效。

数据线104还作为各个单位电路U中的晶体管Tr的漏电极发挥功能。如图13和图15所示，数据线104通过接触孔CH与半导体层41中的第1部分41a(漏极区域)导通。

另外，如图13所示，晶体管Tr的源电极45与数据线104基于同层形成，并通过接触孔CH2与半导体层41中的第2部分41b(源极区域)导通。

如图15所示，形成了数据线104的第2绝缘层Fa2的表面，其整个区域由第3绝缘层Fa3覆盖。如图14和图15所示，在第3绝缘层Fa3的面上形成有电光学元件12的阳极13。如图14所示，晶体管Tr的源电极45和阳极13通过接触孔CH3而导通。作为阳极13的材料，可采用铝或银等金属以及以这些金属为主成分的合金等各种光反射性导电材料。

如图14和图15所示，在形成了阳极13的第3绝缘层Fa3的面上，形成有用于分隔各个单位电路U的隔壁14。各个电光学元件12的发光层15，至少形成在被隔壁14的内周面包围、将阳极13作为底面的凹部中。发光元件15也可以形成在隔壁14上。另外，也可以采用把用于促进发光层15的发光或提高其发光效率的各种功能层(空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层、空穴阻挡层、电子阻挡层)叠层在发光层15上的结构。

如图15所示，以覆盖各单位电路U中的发光层15及隔壁14的方式形成阴极16。阴极16遍及各单位电路U中的电光学元件12地连续形成。阴极16由ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透光性导电材料形成。另外，阴极16也可以包含Mg和Ag的合金那样功函数小的材料，且形成为可透光程度的厚度。在本实施方式中，从发光层15向电光学元件12的阴极16侧发出的光、和从发光层15向阴极16的反对侧射出并被阳极13反射而朝向阴极16的光，通过阴极16向外部射出(顶发光)。

第1实施方式的电光学装置10也可以采用底发光型的构造。图16至图19是表示在以底发光型构成了电光学装置10的情况下，形成各个单位电路U时的各阶段的样子的俯视图。图20是从图16至图19中的B-B线观察的剖面图。

如图16和图20所示，在基板50的面上，由硅等半导体材料形成有半导体层51。如图16所示，半导体层51具有沿Y方向延伸的第1部分51a和沿X方向延伸的第2部分51b。第1部分51a作为晶体管Tr的漏极区域发挥功能，并且还作为电容元件C的第2电极E2发挥功能。第2部分51b作为沟道区域及源极区域发挥功能。如图20所示，形成了半导体层51的基板50的表面，被第1绝缘层Fb1覆盖其整体区域。

如图17和图20所示，在第1绝缘层Fb1的面上，形成有晶体管Tr的栅电极53(扫描线102)和电容线106。栅电极53和电容线106基于同层构成。如图17所示，栅电极53具有沿X方向延伸的第1部分53a、和沿Y方向延伸的第2部分53b。第1部分53a作为扫描线102发挥功能。第2部分53b隔着第1绝缘层Fb1(在图17中未图示)，与半导体层51中的第2部分51b(沟道区域)重合。

如图17所示，电容线106具有沿X方向延伸的第1部分106a、和沿Y方向延伸的第2部分106b。如图17所示，电容线106中的第2部分106b，隔着第1绝缘层Fb1(在图17中未图示)与半导体层51中的第1部分51a重合。如图20所示，电容线106中的第2部分106b(第1电极E1)与半导体层51中的第1部分51a(第2电极E2)夹着第1绝缘层Fb1对置，由此形成电容C11。

如图20所示，形成了栅电极53和电容线106的第1绝缘层Fb1的表面，其整体区域由第2绝缘层Fb2覆盖。如图18和图20所示，在第2绝缘层Fb2的面上，形成有数据线104。如图18所示，数据线104沿Y方向延伸，隔着第2绝缘层Fb2(在图18中未图示)与电容线106中的第2部分106b重合。如图20所示，通过数据线104与电容线106中的第2部分106b夹着第2绝缘层Fb2对置而形成电容C22。如图20所示，由通过半导体层51中的第1部分51a(第1电极E1)与电容线106中的第2部分106b(第2电极E2)夹着第1绝缘层Fb1对置而形成的电容C11、和通过电容线106中的第2部分106b与数据线104夹着第2绝缘层Fb2对置而形成的电容C22，形成各个单位电路U中的电容元件C。

如图18和图20所示，数据线104通过接触孔CH与半导体层51中的第1部分51a(漏极区域)导通。另外，如图18所示，晶体管Tr的源极55与数据线104基于同层形成，并通过接触孔CH2与半导体层51中的第2部分51b(源极区域)导通。

如图20所示，形成了数据线104的第2绝缘层Fb2的表面，其整个区域由第3绝缘层Fb3覆盖。如图19和图20所示，在第3绝缘层Fb3的面上，形成有电光学元件12的阳极13。如图19所示，晶体管Tr的源电极55与阳极13通过接触孔CH3导通。阳极13由透光性导电材料构成。

如图19和图20所示，在形成了阳极13的第3绝缘层Fb3的面上，形成有隔壁14。各电光学元件12的发光层15至少形成在由隔壁14的内周面包围、将阳极13作为底面的凹部中。

如图20所示，以覆盖各单位电路U中的发光层15及隔壁14的方式形成阴极16。阴极16由光反射性的导电材料构成。这里，阴极16也可以构成为包含铝或银等具有光反射性的材料、和锰或钙等功函数小的材料。在本实施方式中，从发光层15向电光学元件12的阳极13侧发出的光、和从发光层15向阴极16侧射出并被阴极16反射而朝向阳极13的光，通过阳极13向外部射出(底发光)。

<F-2：第2实施方式的各个单位电路U的结构>

图21至图24是表示形成第2实施方式的电光学装置10中的单位电路U时的各个阶段的状态的俯视图。在图21至图24的俯视图中，处于各阶段的4个单位电路U被沿着X方向和Y方向配置。图25是从图21到图24中的C-C线观察的剖面图。另外，图21至图24是俯视图，但为了容易了解各个要素，对于与图25相同的要素，适宜地画出了与图25同样的阴影线。

如图21和图25所示，在基板60的面上，形成由硅等半导体材料形成的半导体层61和71。半导体层61沿X方向延伸，作为晶体管Tr的沟道区域发挥功能。半导体层71作为电容元件C的第1电极E1发挥功能。如图25所示，形成了半导体层61和半导体层71的基板60的表面，被第1绝缘层Fc1覆盖其全体区域。

如图22和图25所示，在第1绝缘层Fc1的面上，形成有晶体管Tr的栅电极63(扫描线102)和由导电材料构成的布线80。栅电极63和布线80基于同层构成。如图22所示，栅电极63具有沿X方向延伸的第1部分63a、和沿Y方向延伸的第2部分63b。栅电极63中的第1部分63a作为扫描线102发挥功能。如图22所示，栅电极63中的第2部分63b隔着第1绝缘层Fc1(在图22中未图示)，与半导体层61(沟道区域)重合。

如图22所示，布线80具有：矩形的第1部分80a、和从第1部分80a的缘部分别向Y方向的正方向及负方向延伸的第2部分80b。布线80中的第1部分80a还作为电容元件C的第2电极E2发挥功能。如图22所示，布线80中的第1部分80a与半导体层71(第1电极E1)重合。如图25所示，半导体层71(第1电极E1)与布线80中的第1部分80a(第2电极E2)夹着第1绝缘层Fc1对置，由此形成电容C111。

如图23和图25所示，形成了栅极63和布线80的第1绝缘层Fc1的表面，其全体区域由第2绝缘层Fc2覆盖。如图23和图25所示，在第2绝缘层Fc2的面上，形成有漏电极65、源电极67和固定电位线108。漏电极65、源电极67和固定电位线108基于同层形成。

如图23所示，漏电极65具有沿Y方向延伸的第1部分65a、和沿X方向延伸的第2部分65b。如图23所示，漏电极65中的第1部分65a通过接触孔CH与布线80中的第2部分80b连接(导通)，由此形成数据线104。另外，如图23所示，漏电极65中的第2部分65b通过接触孔CH2与半导体层61(漏极区域)导通。

如图23所示，源电极67沿X方向延伸，通过接触孔CH3与半导体层61(源极区域)导通。

如图23和图25所示，由低电阻金属形成的固定电位线108沿X方向延伸，并与布线80中的第1部分80a重合。如图25所示，通过固定电位线108和布线80中的第1部分80a夹着第2绝缘层Fc2对置而形成电容C222。如图25所示，由通过半导体层71(第1电极E1)与布线80中的第1部分80a(第2电极E2)夹着第1绝缘层Fc1对置而形成的电容C111、和通过固定电位线108与布线80中的第1部分80a夹着第2绝缘层Fc2对置而形成的电容C222，形成各个单位电路U中的电容元件C。另外，如图23所示，固定电位线108通过接触孔CH4与半导体层71(第1电极E1)连接。

如图24和图25所示，形成了漏电极65、源电极67和固定电位线108的第2绝缘层Fc2的表面，其整个区域由第3绝缘层Fc3覆盖。如图24和图25所示，在第3绝缘层Fc3的面上，形成有电光学元件12的阳极13和中间导电层90。阳极13和中间导电层90基于同层形成。如图24所示，晶体管Tr的源电极67与阳极13通过接触孔CH5导通。在本实施方式中，阳极13由光反射性导电材料构成。另外，如图24和图25所示，固定电位线108与中间导电层90通过接触孔CH6导通。

如图24和图25所示，在形成了阳极13和中间导电层90的第3绝缘层Fc3的面上，形成有隔壁14。各个电光学元件12的发光层15形成在由隔壁14的内周面包围、将阳极13作为底面的凹部中。

如图25所示，以覆盖各个单位电路U中的阳极13(在图25中未图示)、隔壁14和中间导电层90的方式形成阴极16。阴极16遍及各个单位电路U中的电光学元件12地连续形成。如图24和图25所示，阴极16通过接触孔CH7与中间导电层90导通。

因此，固定电位线108不仅作为电容元件C的一方电极发挥功能，而且还作为用于减少阴极16的电阻的辅助电极发挥功能。

在本方式中，阴极16由ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(IndiumZinc Oxide)等透光性导电材料形成。即，在本方式中，从发光层15向电光学元件12中的阴极16侧放射的光、和从发光层15向阴极16的相反侧放射并被阳极13反射而朝向阴极16的光，通过阴极16向外部射出(顶发光)。另外，不限于此，也可以采用底发光型的构造。

在本实施方式中，虽然阴极16由ITO等高电阻材料形成，但通过使由比阴极16的电阻低的金属材料形成的固定电位线108与阴极16通过接触孔CH6和CH7导通，可降低阴极16的电阻。由此，可抑制阴极16上的电压下降。即，固定电位线108不仅作为电容线106发挥功能，而且还作为辅助布线发挥功能。

<G：变形例>

本发明不限于上述的各实施方式，例如可进行以下的变形。而且，也可以将以下所示的变形例中的2个以上变形例组合。

(1)变形例1

在上述的各实施方式中，如图3所示那样，举例说明了驱动期间Pd的结束时刻和单位期间1T的结束时刻是同时的情况，但不限于此，例如也可以是在单位期间1T的结束时刻之前结束驱动期间Pd的方式。另外，在图3中，举例说明了各单位期间1T的开始时刻与各单位期间T中的写入期间Pw的开始时刻是同时的情况，但不限于此，例如也可以是在从单位期间1T的开始时刻经过了规定的时间后，开始写入期间Pw的方式。此外，在图3中，举例说明了各单位期间1T内的写入期间Pw的结束时刻与驱动期间Pd的开始时刻是同时的情况，但不限于此，例如也可以是在写入期间Pw的结束之前开始驱动期间Pd的方式。

(2)变形例2

在上述的第3实施方式中，说明了与各单位电路U中的电容元件C独立地设置了一方电极与数据线104连接的辅助用电容元件Cs的方式，但也可以采用例如辅助用电容元件Cs包括各容量不同的多个电容元件，在多个电容元件中的一方电极与数据线104之间，设置使多个电容元件中的任意电容元件与数据线104导通的开关元件的方式。

图26是表示变形例2的电光学装置10的结构的电路图。如图26所示，辅助用电容元件Cs由各自的容量不同的第1电容元件Cs1和第2电容元件Cs2构成(例如Cs1的容量>Cs2的容量)。如图26所示，第1电容元件Cs1中的一方电极E30和第2电容元件Cs2中的一方电极E300与数据线104之间，设置有使第1电容元件Cs1及第2电容元件Cs2中任意一个电容元件与数据线104导通的开关元件，即开关Sw2。另外，如图26所示，第1电容元件Cs1中的另一方电极E40及第2电容元件Cs2中的另一方电极E400，与供给固定电位的固定电位线共通连接。固定电位线例如可以采用图2所示的电容线106，也可以采用图5所示的固定电位线108。

开关Sw2由未图示的控制电路控制。在各单位期间1T内的写入期间Pw中，由开关Sw2选择第1电容元件Cs1及第2电容元件Cs2中的任意一个，使其与数据线104导通，并且对该被选择的电容元件进行充电。然后，在各单位期间1T内的驱动期间Pd中，来自该电容元件的电荷被供给到对应的单位电路U。图26所示的结构中，在写入期间Pw通过将多个电容元件的任意一个选择性地与数据线104导通，可调节电光学元件12的发光时间。因此，能够以多个等级调节电光学元件12的发光量。

在图26所示的结构中，说明了辅助用电容元件Cs由第1电容元件Cs1和第2电容元件Cs2构成方式，但不限于此，辅助用电容元件Cs只要包括各自的容量不同的多个电容元件即可。例如，也可以采用辅助用电容元件Cs由各自的容量不同的3个电容元件构成的方式。各自的容量不同的电容元件的数量越多，越具有可微细调整电容值的优点。

(3)变形例3

在上述的各实施方式中，各单位电路U中的晶体管Tr是N沟道型晶体管，但不限于此，也可以采用P沟道型构成。总之，晶体管Tr只要是在扫描线102被选择时导通，使电容元件C的第2电极E2与电光学元件12导通的开关元件即可。

(4)变形例4

上述的第4实施方式中，在各条数据线104中分别在第1部分Z1和第2部分Z2之间设置了用于切换两者的导通和非导通的开关Sw。例如，该开关Sw可由薄膜晶体管构成，也可以采用N沟道型晶体管，还可以采用P沟道型晶体管。

(5)变形例5

在上述的各个实施方式中，作为电光学元件12的一例，举例说明了OLED元件，但也可以是无机发光二极管或LED(Light EmittingDiode)。总之，只要能够以与电能对应的发光亮度发光，则可以是任意的元件。

(6)变形例6

在上述的第5实施方式中，举例说明了与数据电位VD对应的电荷向付随于数据线104的电容(寄生电容)充电的方式，但也可以如图27所示那样，采用在各条数据线104(第1部分Z1)上设置用于充电与数据电位VD对应的电荷的电容元件Cx。这样的方式也和上述的第5实施方式同样，由于在各个单位电路U内不需要设置电容元件，所以具有可实现高精细化的优点。另外，设在各条数据线104上的电容元件Cx的数量可以是1个，也可以是2个以上。此外，对于各条数据线104中的电容元件Cx的位置，可任意设定。

<H：应用例>

下面，对利用了本发明的电光学装置10的电子设备进行说明。图28是表示将以上说明的任意一种方式的电光学装置10作为显示装置而采用的便携式个人计算机的结构的立体图。个人计算机2000具有作为显示装置的发光装置10和主体部2010。主体部2010上设有电源开关2001和键盘2002。该电光学装置10由于使用了OLED元件作为电光学元件12，所以可显示视角宽、且明亮清晰的画面。

图29表示应用了实施方式的电光学装置10的移动电话机的结构。移动电话机3000具有多个操作键3001和滚动按钮3002、以及作为显示装置的电光学装置10。通过操作滚动按钮3002，来滚动显示电光学装置10所显示的画面。

图30表示应用了实施方式的电光学装置10的便携信息终端(PDA：Personal Digital Assistants)的结构。信息便携终端4000具有多个操作键4001和电源开关4002、以及作为显示装置的电光学装置10。在打开电源开关4002后，地址表或日程表等各种信息被显示于电光学装置10。

另外，作为可应用本发明的电光学装置的电子设备，除了从图28到图30所示的设备以外，还可举出数字固态照相机、电视机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、电子书、计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、以及具备了触摸屏的设备等。此外，本发明的电光学装置的用途不限于图像的显示。例如，在光写入型的打印机和电子复印机等图像形成装置中，虽然可使用对应将要形成在纸等记录材料上的图像而对感光体进行曝光的写入头，但作为这种写入头，也可以利用本发明的电光学装置。本发明中所说的电子电路的概念不仅包括在各实施方式中说明的构成显示装置的像素的像素电路，还包括图像形成装置中的成为曝光得单位的电路。

Claims (13)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：

多个单位电路，其对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置；

扫描线驱动电路，其在各单位期间内的每个驱动期间中，依次选择1条所述扫描线；和

数据线驱动电路，其在所述各单位期间内的期间的所述驱动期间开始之前的每个写入期间，向所述各数据线输出与所述单位电路的灰度数据对应的数据电位，所述单位电路是与在该单位期间内的所述驱动期间被选择的所述扫描线对应的单位电路；

所述多个单位电路分别具有：

电光学元件，其成为与所述数据电位对应的灰度；

电容元件，其具有与电容线连接的第1电极、和与所述数据线连接的第2电极；和

开关元件，其被配置在所述第2电极与所述电光学元件之间，在所述扫描线驱动电路进行所述扫描线的选择时，通过导通将所述第2电极与所述电光学元件导通。

2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，

在所述写入期间，与从所述数据线驱动电路输出的所述数据电位对应的电荷被充电到所述各单位电路中的所述电容元件中，

在所述驱动期间，从与该单位电路对应的所述数据线所连接的多个所述电容元件，向与所述扫描线驱动电路所选择的所述扫描线对应的各个所述单位电路中的所述电光学元件，供给在所述写入期间被充电的电荷。

3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，

所述多个单位电路各自中的所述电光学元件具有：与所述开关元件连接的第3电极、与被供给固定电位的固定电位线连接的第4电极、和设在所述第3电极与所述第4电极之间的电光学层，

所述电容线是所述固定电位线。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电光学装置，其特征在于，

设有分别将各条所述数据线与所述数据线驱动电路连接的开关元件。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电光学装置，其特征在于，

与所述各单位电路中的所述电容元件独立地另外设有一方电极与所述数据线连接的辅助用电容元件。

6.根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，

所述辅助用电容元件包括各自的容量不同的多个电容元件，

在所述多个电容元件的一方电极与所述数据线之间，设有使所述多个电容元件中的任意所述电容元件与所述数据线导通的第2开关元件。

7.根据权利要求1至5中任意一项所述的电光学装置，其特征在于，

所述各条数据线由第1部分和第2部分构成，该第1部分与对应的多个所述单位电路连接，且在所述各条数据线中长度相等，该第2部分与所述数据线驱动电路连接，且在所述各条数据线中长度不同，而且在所述第1部分与所述第2部分之间设有用于切换两者的导通和非导通的第3开关元件，

所述第3开关元件在所述各单位期间内的每个所述写入期间成为导通状态，而在所述各单位期间内的每个所述驱动期间成为截止状态。

8.一种电光学装置，其特征在于，具有：

多条扫描线；

多条数据线；

对应所述多条扫描线与所述多条数据线的交叉而配置的多个单位电路；和

沿着所述多条数据线的各个而设置的多个电容元件，

所述多个单位电路分别具有电光学元件和开关元件，

该开关元件在被供给到所述多条扫描线中的1条扫描线的扫描信号的控制下，控制所述多个电容元件与所述电光学元件之间的导通。

9.根据权利要求8所述的电光学装置，其特征在于，

所述多个单位电路具有由与所述多条数据线中的1条数据线连接的2个以上单位电路构成的单位电路组，

所述多个电容元件分别对应属于所述单位电路组的各个单位电路而分割设置。

10.一种电光学装置，其特征在于，具有：

多个单位电路，其对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置；

扫描线驱动电路，其在各单位期间内的每个驱动期间，依次选择1条所述扫描线；

数据线驱动电路，其在所述各单位期间内的期间的所述驱动期间开始之前的每个写入期间，向所述各数据线输出与所述单位电路的灰度数据对应的数据电位，所述单位电路是与在该单位期间内的所述驱动期间被选择的所述扫描线对应的单位电路；和

第1开关元件，其对应所述多条数据线的各条而配置，在每个所述写入期间通过导通使该数据线与所述数据线驱动电路导通，而在每个所述驱动期间通过成为非导通而使该数据线与所述数据线驱动电路为非导通，

所述多个单位电路分别具有：

电光学元件，其成为与所述数据电位对应的灰度；和

第2开关元件，其被配置在所述数据线与所述电光学元件之间，在所述扫描线驱动电路进行所述扫描线的选择时，通过导通使两者导通，

在所述写入期间，与从所述数据线驱动电路输出的所述数据电位对应的电荷被充电到付随于所述各条数据线的电容中，

在所述驱动期间，所述各条数据线与所述数据线驱动电路电分离，从付随于与该单位电路对应的所述数据线的电容，向与所述扫描线驱动电路所选择的所述扫描线对应的所述单位电路各自中的所述电光学元件，供给在所述写入期间被充电的电荷。

11.一种电子设备，具备权利要求1至10中任意一项所述的电光学装置。

12.一种电光学装置的驱动方法，该电光学装置具有对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置的多个单位电路，

所述多个单位电路分别具有：

电光学元件，其成为与所述数据电位对应的灰度；

电容元件，其具有与电容线连接的第1电极、和与所述数据线连接的第2电极；和

开关元件，其被配置在所述第2电极与所述电光学元件之间，在所述扫描线被选择时通过导通使所述第2电极与所述电光学元件导通；

所述电光学装置的驱动方法的特征在于，

在各单位期间内的每个驱动期间依次选择1条所述扫描线，

在所述各单位期间内的期间的所述驱动期间开始之前的每个写入期间，向所述各条数据线输出与所述单位电路的灰度数据对应的数据电位，所述单位电路是与在该单位期间内的所述驱动期间被选择的所述扫描线对应的单位电路。

13.一种电光学装置的驱动方法，该电光学装置具有：

对应多条扫描线与多条数据线的交叉而配置的多个单位电路，

所述多个单位电路分别具有成为与所述数据电位对应的灰度的电光学元件，

所述电光学装置的驱动方法的特征在于，

在各单位期间内的期间的驱动期间开始之前的每个写入期间，将与在该单位期间内的所述驱动期间被选择的所述扫描线对应的所述单位电路的灰度数据所对应的数据电位输出到所述各条数据线，将与所述数据电位对应的电荷充电到付随于所述各条数据线的电容中，

在所述各单位期间内的每个所述驱动期间中，依次选择1个所述扫描线，从付随于与属于所选择的所述扫描线的所述单位电路对应的所述数据线的电容，将在该单位期间内的所述写入期间被充电的电荷，向该单位电路中的所述电光学元件供给。

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