TWI714571B - 用於防止熱積累的防塵薄膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於包含極紫外光（EUV）微影的微影製程的防塵薄膜，其可減輕防塵薄膜的隔膜中的熱積累。防塵薄膜包含隔膜以及在隔膜的至少一個表面上的至少一個熱緩衝層。熱緩衝層的發射率可大於隔膜的發射率。熱緩衝層的碳含量可大於隔膜的碳含量。多個熱緩衝層可處於隔膜的單獨表面上，且熱緩衝層可具有不同性質。罩蓋層可處於至少一個熱緩衝層上，且罩蓋層可包含抗氫材料。熱緩衝層可在隔膜的表面的一些部分或全部上延伸。熱緩衝層可介於至少兩個隔膜之間。

Description

用於防止熱積累的防塵薄膜

本發明概念的實施例大體上是有關於用於微影製程中的微影裝置，且尤其是有關於能夠防止由用於微影製程中的高能量光產生的內部熱積累的防塵薄膜，微影製程包含極紫外光（extreme ultra-violet；EUV）微影製程。

可經由包含微影的製程至少部分地製造包含半導體晶片元件的元件。舉例而言，可經由微影製程在半導體晶片晶圓上形成材料的圖案，作為製造半導體晶片元件的部分。微影製程可包含將光的圖案施加至晶圓上的光阻材料層（「光阻層」）上。所施加光所入射至的光阻材料可因光而被修改。光是按圖案施加至光阻層，且光阻層的一部分可根據圖案來修改。因此，一旦將微影製程應用於包含光阻層的晶圓，晶圓便可包含光阻材料層，光阻材料層包含光阻層中的經修改光阻材料的圖案。經修改光阻材料的圖案可對應於在微影製程中施加至光阻層的光的圖案。微影製程之後，可在並不移除未經修改光阻材料的製程中移除經修改光阻材料。在一些狀況下，可在並不移除經修改光阻材料的製程中移除未經修改光阻材料。由於移除了光阻材料中的至少一些光阻材料，因此晶圓可包含根據用於微影製程中的光的圖案而按圖案延伸的光阻材料層。

在一些狀況下，微影製程包含極紫外光（EUV）微影製程。經組態以對元件實施EUV微影製程的裝置（在本文中亦被稱作極紫外光（EUV）微影裝置）可包含將EUV光施加至晶圓的EUV光學系統以及供形成光學圖案的比例罩幕。因此，施加至晶圓表面的EUV光可包含對應於光學圖案的空中影像資訊，且對應於光學圖案的空中影像因此可形成於晶圓上。

在一些狀況下，為了保護比例罩幕的光學圖案使其免受外部因素影響，EUV微影裝置可包含防塵薄膜。防塵薄膜可包含覆蓋比例罩幕的光學圖案的隔膜以及支撐隔膜的框架。由EUV光學系統施加的具有高能量的光可穿過防塵薄膜的隔膜。

在一些狀況下，防塵薄膜可招致損害。此損害可導致包含防塵薄膜的EUV微影裝置的降級，藉此不利地影響由裝置實施的EUV微影製程。

一些實例實施例提供一種整體耐久性得以改良的防塵薄膜，以及包含防塵薄膜的極紫外光（EUV）微影裝置。

一些實例實施例提供一種能夠防止由於用於微影製程中的具有高能量的光造成的隔膜變形的防塵薄膜，以及包含防塵薄膜的EUV微影裝置。

一些實例實施例提供一種能夠防止熱積累的防塵薄膜，以及包含防塵薄膜的EUV微影裝置。

一些實例實施例提供一種具有高發射率的防塵薄膜，以及包含防塵薄膜的EUV微影裝置。

技術目標不限於以上揭露內容。對於一般熟習此項技術者而言，其他目標可基於以下描述而變得顯而易見。

根據一些實例實施例，一種防塵薄膜包含隔膜，以及隔膜的第一表面上的第一熱緩衝層，其中第一熱緩衝層與第一發射率相關聯，且第一發射率大於隔膜的發射率。

在一些實例實施例中，第一熱緩衝層可包含碳。

在一些實例實施例中，第一熱緩衝層可包含非晶形碳、石墨烯、奈米石墨、碳奈米薄片、碳奈米管、碳化矽（silicon carbide；SiC）或碳化硼（boron carbide；BC）中的至少一者。

在一些實例實施例中，第一熱緩衝層的垂直厚度可低於隔膜的垂直厚度。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含與隔膜的第一表面對置的第二表面上的第二熱緩衝層，其中第二熱緩衝層與第二發射率相關聯，且第二發射率大於隔膜的發射率。

在一些實例實施例中，第二熱緩衝層可包含碳。

在一些實例實施例中，第二熱緩衝層的第二發射率可等於第一熱緩衝層的第一發射率。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可包含隔膜的第二表面上的框架，其中第二熱緩衝層在隔膜與框架之間延伸。

根據一些實例實施例，一種防塵薄膜包含隔膜、安置於隔膜的第一表面上的第一熱緩衝層，以及安置於第一熱緩衝層上的第一罩蓋層，其中第一熱緩衝層包含第一碳含量，且第一碳含量大於隔膜的碳含量以及第一罩蓋層的碳含量中的每一者。

在一些實例實施例中，第一罩蓋層的垂直厚度可低於第一熱緩衝層的垂直厚度。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含與隔膜的第一表面對置的第二表面上的第二罩蓋層，其中第二罩蓋層的碳含量可低於第一熱緩衝層的第一碳含量。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含隔膜的第二表面上的框架，其中框架包含內側及外側，內側至少部分地限定隔膜的第二表面的內部部分的界限，外側面向外部環境，且第二罩蓋層可處於第二表面的內部部分上。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含隔膜與第二罩蓋層之間的第二熱緩衝層，其中第二熱緩衝層包含第二碳含量，且第二碳含量大於隔膜及第二罩蓋層中的每一者的碳含量。

在一些實例實施例中，第二熱緩衝層的第二碳含量可等於第一熱緩衝層的第一碳含量。

在一些實例實施例中，第一罩蓋層可包含抗氫材料。

根據一些實例實施例，一種防塵薄膜包含隔膜以及隔膜的表面上的熱緩衝層，其中熱緩衝層經組態以發射熱輻射，且由熱緩衝層發射的熱輻射的強度與超過由隔膜發射的熱輻射的強度相關聯。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含安置於熱緩衝層的表面上的罩蓋層，其中罩蓋層包含低於熱緩衝層中所包含的碳量的碳量。

在一些實例實施例中，防塵薄膜可更包含安置於隔膜的表面上的框架，框架包含內側及外側，內側至少部分地限定隔膜的表面的內部部分的界限，外側面向外部環境，其中熱緩衝層安置於第二表面的內部部分上。

在一些實例實施例中，熱緩衝層可包含隔膜的第一表面上的第一熱緩衝層以及安置於與隔膜的第一表面對置的第二表面上的第二熱緩衝層，且第一熱緩衝層及第二熱緩衝層經組態以發射不同強度的熱輻射。

在一些實例實施例中，第二熱緩衝層的垂直厚度可不同於第一熱緩衝層的垂直厚度。

在一些實例實施例中，一種防塵薄膜包含隔膜以及隔膜的表面上的熱緩衝區，其中熱緩衝層包含第一碳含量，且第一碳含量大於隔膜的碳含量。

在一些實例實施例中，熱緩衝層的垂直厚度不同於隔膜的垂直厚度。

在一些實例實施例中，防塵薄膜包含罩蓋層，其中熱緩衝層介於隔膜與罩蓋層之間，且第一碳含量大於罩蓋層的碳含量。

在一些實例實施例中，第一熱緩衝層與第一發射率相關聯，且第一發射率大於隔膜的發射率。

在一些實例實施例中，隔膜包含第一隔膜及第二隔膜，第二隔膜位於第一隔膜上，第一熱緩衝層介於第一隔膜與第二隔膜之間；且第一發射率大於第一隔膜的發射率以及第二隔膜的發射率中的每一者。

將參看隨附圖式來詳細地描述一或多個實例實施例。然而，實例實施例可以各種不同形式體現，且不應被解釋為僅限於所說明的實施例。確切而言，提供所說明的實施例作為實例，使得本揭露內容將為透徹的且完整的，且將向熟習此項技術者充分傳達本揭露內容的概念。因此，可能並未關於一些實例實施例描述已知處理程序、部件以及技術。除非另外提及，否則相似參考字元貫穿隨附圖式及書面描述表示相似部件，且因此將不再重複描述。

儘管本文中可能使用術語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種部件、組件、區、層及/或區段，但此等部件、組件、區、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語僅用以區分一個部件、組件、區、層或區段與另一區、層或區段。因此，在不脫離本揭露內容的範疇的情況下，下文所論述的第一部件、組件、區、層或區段可被稱為第二部件、組件、區、層或區段。

本文中為了易於描述而使用諸如「之下」、「下方」、「下部」、「下」、「上方」、「上部」以及其類似者的空間相對術語來描述如圖中所說明的一個部件或特徵與另一（另一些）部件或特徵的關係。應理解，空間相對術語意欲涵蓋元件在使用或操作中除圖中所描繪的定向以外的不同定向。舉例而言，若將諸圖中的元件翻轉，則描述為在其他部件或特徵「下方」、「之下」或「下」的部件將定向於其他部件或特徵「上方」。因此，實例術語「下方」及「下」可涵蓋上方及下方的定向兩者。元件可以其他方式定向（旋轉90度或處於其他定向），且本文所使用的空間相對描述詞相應地進行解譯。另外，當部件被稱作介於兩個部件「之間」時，部件可為兩個部件之間的僅有部件，或可存在一或多個其他介入部件。

如本文所使用，除非上下文另外清晰地指示，否則單數形式「一」以及「所述」意欲亦包含複數形式。應進一步理解，術語「包括（comprises、comprising）」、「包含（includes及/或including）」當在本說明書中使用時指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、部件及/或組件的存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、部件、組件及/或其群組的存在或添加。如本文所使用，術語「及/或」包含相關聯的所列項目中的一或多者中的任一者及所有組合。當在部件清單之前時，諸如「……中的至少一者」的表述修飾部件的整個清單，而並不修飾清單的個別部件。此外，術語「例示性」意欲指實例或說明。

當部件被稱作「在另一部件上」、「連接至另一部件」、「耦接至另一部件」或「鄰近於另一部件」時，部件可直接在另一部件上、連接至另一部件、耦接至另一部件或鄰近於另一部件，或可存在一或多個其他介入部件。相比之下，當部件被稱作「直接在另一部件上」、「直接連接至另一部件」、「直接耦接至另一部件」或「緊鄰於另一部件」時，不存在介入部件。

除非另外定義，否則本文所使用的所有術語（包含技術術語及科學術語）具有與一般熟習實例實施例所屬技術領域者通常所理解的含義相同的含義。諸如常用辭典中所定義的術語的術語應被解譯為具有與其在相關技術及/或本揭露內容的上下文中的含義一致的含義，且不應在理想化或過度正式意義上進行解譯，除非本文明確地如此定義。

可能參考操作的動作及符號表示（例如，呈流程圖表、流程圖、資料流程圖、結構圖、方塊圖等形式）來描述實例實施例，所述操作可結合下文更詳細論述的單元及/或元件來實施。儘管已按特定方式加以論述，但可按不同於流程圖表、流程圖等中所指定的流程的方式執行特定區塊中所指定的功能或操作。舉例而言，說明為在兩個連續區塊中連續執行的功能或操作可實際上同時執行，或在一些狀況下按相反次序執行。

可使用硬體、軟體及/或其組合來實施根據一或多個實例實施例的單元及/或元件。舉例而言，可使用諸如（但不限於）以下各者的處理電路系統來實施硬體元件：處理器、中央處理單元（central processing unit；CPU）、控制器、算術邏輯單元（arithmetic logic unit；ALU）、數位信號處理器、微電腦、場可程式化閘陣列（field programmable gate array；FPGA）、系統單晶片（system-on-chip；SoC）、可程式化邏輯單元、微處理器，或能夠以所定義方式對指令作出回應且執行指令的任何其他元件。

軟體可包含電腦程式、程式碼、指令或其某一組合，以用於獨立地或共同地指導或組態硬體元件以按需要操作。電腦程式及/或程式碼可包含能夠藉由一或多個硬體元件（諸如，上文所提及的硬體元件中的一或多者）實施的程式或電腦可讀指令、軟體組件、軟體模組、資料檔案、資料結構及/或其類似者。程式碼的實例包含藉由編譯器產生的機器碼及使用解譯器執行的較高階程式碼兩者。

舉例而言，當硬體元件為電腦處理元件（例如，處理器、中央處理單元（CPU）、控制器、算術邏輯單元（ALU）、數位信號處理器、微電腦、微處理器等）時，電腦處理元件可經組態以藉由根據程式碼執行算術運算、邏輯運算以及輸入/輸出操作來執行程式碼。一旦將程式碼載入至電腦處理元件中，電腦處理元件便可經程式化以執行程式碼，藉此將電腦處理元件變換為專用電腦處理元件。在更特定實例中，當將程式碼載入至處理器中時，處理器變為經程式化以執行程式碼及對應於程式碼的操作，藉此將處理器變換為專用處理器。

軟體及/或資料可永久地或暫時地體現於能夠將指令或資料提供至硬體元件或由硬體元件解譯指令或資料的任何類型的機器、組件、實體或虛擬設備或電腦儲存媒體或部件中。軟體亦可分佈於網路耦接式電腦系統上，使得以分佈式方式儲存軟體並執行軟體。詳言之，例如，可藉由一或多個電腦可讀記錄媒體（包含本文所論述的有形或非暫時性電腦可讀儲存媒體）來儲存軟體及資料。

根據一或多個實例實施例，可能將電腦處理元件描述為包含執行各種操作及/或功能的各種功能單元以增加描述的清晰性。然而，電腦處理元件並不意欲限於此等功能單元。舉例而言，在一或多個實例實施例中，可藉由功能單元中的其他功能單元執行功能單元的各種操作及/或功能。另外，電腦處理元件可執行各種功能單元的操作及/或功能而不需將電腦處理單元的操作及/或功能劃分為此等各種功能單元。

根據一或多個實例實施例的單元及/或元件亦可包含一或多個儲存元件。一或多個儲存元件可為有形的或非暫時性電腦可讀儲存媒體，諸如隨機存取記憶體（random access memory；RAM）、唯讀記憶體（read only memory；ROM）、永久性大容量儲存元件（諸如，磁碟機）、固態（例如，NAND快閃記憶體）元件，及/或能夠儲存及記錄資料的任何其他相似資料儲存機構。一或多個儲存元件可經組態以儲存電腦程式、程式碼、指令或其某一組合以用於一或多個作業系統及/或用於實施本文所描述的實例實施例。亦可使用驅動機構將電腦程式、程式碼、指令或其某一組合自單獨電腦可讀儲存媒體載入至一或多個儲存元件及/或一或多個電腦處理元件中。此單獨電腦可讀儲存媒體可包含通用串列匯流排（universal serial bus；USB）快閃驅動器、記憶棒、藍光/DVD/CD-ROM驅動器、記憶卡及/或其他相似電腦可讀儲存媒體。可經由網路介面（而非經由本端電腦可讀儲存媒體）自遠端資料儲存元件將電腦程式、程式碼、指令或其某一組合載入至一或多個儲存元件及/或一或多個電腦處理元件中。另外，可自經組態以經由網路傳送及/或分配電腦程式、程式碼、指令或其某一組合的遠端計算系統將電腦程式、程式碼、指令或其某一組合載入至一或多個儲存元件及/或一或多個處理器中。遠端計算系統可經由有線介面、空中介面及/或任何其他相似媒體傳送及/或分配電腦程式、程式碼、指令或其某一組合。

可為了實例實施例的目的而特別設計及建構一或多個硬體元件、一或多個儲存元件及/或電腦程式、程式碼、指令或其某一組合，或上述各者可以是為了實例實施例的目的而進行更改及/或修改的已知元件。

諸如電腦處理元件的硬體元件可執行作業系統（operating system；OS）及在OS上執行的一或多個軟體應用程式。電腦處理元件亦可回應於軟體的執行而存取、儲存、操控、處理以及創建資料。為了簡單起見，可能將一或多個實例實施例作為一個電腦處理元件舉例說明；然而，熟習此項技術者將瞭解，硬體元件可包含多個處理部件及多種類型的處理部件。舉例而言，硬體元件可包含多個處理器或處理器及控制器。另外，其他處理組態是有可能的，諸如並行處理器。

儘管參考特定實例及圖式加以描述，但可由一般熟習此項技術者根據描述以不同方式對實例實施例進行修改、添加以及取代。舉例而言，可以不同於所描述方法的次序的次序執行所描述技術，及/或可連接或組合諸如所描述系統、架構、元件、電路以及其類似者的組件以使得不同於上文所描述的方法，或可藉由其他組件或等效物適當地達成結果。

圖1A為說明包含根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的極紫外光（EUV）微影裝置的示意圖。圖1B為說明根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的視圖。如圖1A中所繪示的微影裝置1可實施微影製程以在半導體晶圓「W」的光阻層中形成一或多個圖案。一或多個圖案可包含對應於光學圖案的空中影像。光學圖案可提供於比例罩幕300中，如下文進一步論述。

參看圖1A及圖1B，根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1可包含EUV光學系統100、照明鏡系統200、比例罩幕300、比例罩幕台400、防塵薄膜500、遮擋件600、投射鏡系統700，以及晶圓載物台800。

EUV光學系統100可將EUV光施加至照明鏡系統200。EUV光學系統100可包含EUV光源110。EUV光源110可產生EUV光。舉例而言，EUV光源110可產生具有約13.5奈米波長的光。

EUV光學系統100可更包含***於EUV光源110與照明鏡系統200之間的集光器120。集光器120可經組態以朝向照明鏡系統200施加由EUV光源110產生的EUV光。集光器120可經組態以經由EUV光的至少一部分的反射或折射中的一或多者施加EUV。舉例而言，可經由集光器120將由EUV光源110產生的EUV光施加至照明鏡系統200。集光器120可位於靠近EUV光源110處。

照明鏡系統200可將由EUV光學系統100產生的EUV光施加至比例罩幕300。在一些實例實施例中，照明鏡系統200可大體上且均勻地調整EUV光的強度分佈。

照明鏡系統200可包含多個照明鏡210至240。舉例而言，照明鏡系統200可包含第一照明鏡210、第二照明鏡220、第三照明鏡230，以及第四照明鏡240。照明鏡210至240中的每一者可以是凹面鏡或凸面鏡。

照明鏡系統200可防止由照明鏡210至240反射的EUV光損失於入射路徑的外部。舉例而言，可藉由照明鏡系統200凝聚由EUV光學系統100產生的EUV光。

比例罩幕300可反射由照明鏡系統200施加至比例罩幕300的EUV光。舉例而言，根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1可經組態以執行反射式微影製程。

比例罩幕300可包含光學圖案。舉例而言，光學圖案可安置於比例罩幕300的表面上。比例罩幕300的供安置光學圖案的表面可面向照明鏡系統200。由比例罩幕300反射的EUV光可包含光學圖案的空中影像資訊，以使得光學圖案的空中影像形成於晶圓W的光阻層上。

比例罩幕300可固定於比例罩幕台400上。舉例而言，比例罩幕300可固定於比例罩幕台400下。比例罩幕台400可包含靜電夾盤（electrostatic chuck；ESC）。

比例罩幕台400可經組態以在側向方向上移動。可藉由比例罩幕台400在側向方向上移動比例罩幕300。

防塵薄膜500可經組態以防止比例罩幕300的光學圖案因外部因素而受損害。防塵薄膜500可安置於比例罩幕300的表面上。比例罩幕300的供安置防塵薄膜500的表面可面向照明鏡系統200。舉例而言，防塵薄膜500可覆蓋比例罩幕300的光學圖案。

防塵薄膜500可包含隔膜510、框架520、熱緩衝層530、第一罩蓋層541，以及第二罩蓋層542。如所繪示，熱緩衝層530可包含多個熱緩衝層，包含第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532。

隔膜510可安置於比例罩幕300的光學圖案上。舉例而言，隔膜510可安置於比例罩幕300的表面上，藉由照明鏡系統200將EUV光施加至比例罩幕300的所述表面。可經由隔膜510將自照明鏡系統200施加的EUV光施加至比例罩幕300。

隔膜510可包含第一表面510S1及第二表面510S2。隔膜510的第一表面510S1可經安置為面向照明鏡系統200。可將自照明鏡系統200施加的EUV光施加至隔膜510的第一表面510S1，以使得自照明鏡系統200施加的EUV光入射於第一表面510S1上。隔膜510的第二表面510S2可與隔膜510的第一表面510S1對置。隔膜510的第二表面510S2可面向比例罩幕300。

隔膜510可包含相對於EUV光而言具有高透射率的材料。舉例而言，隔膜510可包含諸如矽（Si）等的陶瓷或諸如鋯（Zr）、鉬（Mo）等的金屬。隔膜510可具有等於或大於所要（或，替代地，預定）物理強度的物理強度，以防止由外部影響所導致的損害及在傳送/安裝處理程序中的損害。舉例而言，隔膜510可包含約50奈米（nm）的厚度。

框架520可支撐隔膜510。框架520可安置於隔膜510與比例罩幕300之間。隔膜510可藉由框架520與比例罩幕300隔開。框架520可安置於隔膜510的邊緣上。

熱緩衝層530可將在隔膜510處產生的熱量釋放至相對於防塵薄膜500而言的外部環境。如本文中所提及，外部環境可包含在防塵薄膜500外部的環境、在比例罩幕300外部的環境、在微影裝置1的一些部分或全部外部的環境、其某一組合等。在根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1中，可在真空狀態下執行微影製程，以使得防塵薄膜位於真空中。在防塵薄膜500位於真空中的情況下，熱緩衝層530可至少部分地受限於經由發射輻射而排放在隔膜510處產生的熱量。熱緩衝層530的發射率可大於隔膜510的發射率。熱緩衝層530在本文中可被稱作與發射率相關聯。由熱緩衝層530發射的熱輻射的強度可大於由隔膜510發射的熱輻射的強度。

熱緩衝層530可包含碳。舉例而言，熱緩衝層530可包含以下各者中的至少一者：非晶形碳、石墨烯、奈米石墨、碳奈米薄片、碳奈米管、碳化矽（SiC），以及碳化硼（BC)。熱緩衝層530中所包含的碳量可大於隔膜510中所包含的碳量。熱緩衝層530的碳含量可大於隔膜510的碳含量。熱緩衝層530可被稱作包含碳含量。

熱緩衝層530可包含第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532。

第一熱緩衝層531可安置於隔膜510的第一表面510S1上。第一熱緩衝層531可與隔膜510的第一表面510S1直接接觸。第一熱緩衝層531的側面可與隔膜510的側面垂直地配置。可藉由第一熱緩衝層531完全覆蓋隔膜510的第一表面510S1。

第二熱緩衝層532可安置於隔膜510的第二表面510S2上。第二熱緩衝層532可與隔膜510的第二表面510S2直接接觸。第二熱緩衝層532可在隔膜510與框架520之間延伸。第二熱緩衝層532的側面可與隔膜510的側面垂直地配置。可藉由第二熱緩衝層532完全覆蓋隔膜510的第二表面510S2。

第二熱緩衝層532的發射率（在本文中亦被稱作第二發射率）可與第一熱緩衝層531的發射率（在本文中亦被稱作第一發射率）相同。如本文中所提及，與另一層性質相同的包含發射率的層性質可被稱作「等於」另一層性質。層的性質可包含（不限於）：層的發射率、層的碳含量、層中所包含的碳量，以及由層發射的輻射強度。舉例而言，第二熱緩衝層的第二發射率可「等於」第一熱緩衝層的第一發射率。由第二熱緩衝層532發射的熱輻射的強度可與由第一熱緩衝層531發射的熱輻射的強度相同。第二熱緩衝層532可包含與第一熱緩衝層531中所包含的材料共同的材料。

第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532的垂直厚度可小於隔膜510的垂直厚度。舉例而言，第一熱緩衝層531的垂直厚度可為2奈米或小於2奈米。第二熱緩衝層532的垂直厚度可與第一熱緩衝層531的垂直厚度相同。垂直厚度可指相對於表面510S1及510S2中的一或多者正交地延伸的厚度。

在根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1中，熱緩衝層530可安置於隔膜510的表面上。熱緩衝層530的發射率可大於隔膜510的發射率。因此，根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1可防止由穿過隔膜510的EUV光的高能量在隔膜510處產生的熱量在隔膜510中積累。熱量可能由穿過隔膜510的EUV光在隔膜510處產生。亦即，在根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1中，可基於防止隔膜510中的熱量積累來防止由熱積累導致的隔膜510的變形。因此，在根據本發明概念的一些實例實施例的EUV微影裝置1中，可改良防塵薄膜500的耐久性及壽命。此外，在一些實例實施例中，防止隔膜的變形可防止由微影裝置1實施的微影製程的降級。因此，可維持形成於晶圓W上的圖案的一致準確性及精確度。因此，可維持經由由微影裝置1實施的微影製程至少部分地製造的元件的一致品質。

第一罩蓋層541可防止第一熱緩衝層531受到微影製程或清潔製程的損害。第一罩蓋層541可安置於第一熱緩衝層531上。第一熱緩衝層531可***於隔膜510與第一罩蓋層541之間。第一罩蓋層541的側面可與第一熱緩衝層531的側面垂直地配置。

第一罩蓋層541可包含抗氫材料。舉例而言，第一罩蓋層541可包含氧化矽（silicon oxide；SiO）、氮化矽（silicon nitride；SiN）、碳化矽（SiC）、鉬（Mo）、釕（Ru）以及鋯（Zr）中的至少一者。第一罩蓋層541可基於包含抗氫材料的第一罩蓋層541而防止第一熱緩衝層531受到微影製程或清潔製程的損害。

第一罩蓋層541的發射率可小於第一熱緩衝層531的第一發射率。舉例而言，第一罩蓋層541中所包含的碳量可小於第一熱緩衝層531中所包含的碳量。如本文中所提及，第一熱緩衝層531中所包含的碳量可被稱作第一碳量。第一熱緩衝層531的碳含量可大於隔膜510及第一罩蓋層541中的一或多者的碳含量。如本文中所提及，第一熱緩衝層531的碳含量可被稱作第一碳含量。第一罩蓋層541的垂直厚度可小於第一熱緩衝層531的垂直厚度。

第二罩蓋層542可防止第二熱緩衝層532受到微影製程或清潔製程的損害。第二罩蓋層542可安置於第二熱緩衝層532上。第二熱緩衝層532可***於隔膜510與第二罩蓋層542之間。第二罩蓋層542可在框架520與第二熱緩衝層532之間延伸。第二罩蓋層542的側面可與第二熱緩衝層532的側面垂直地配置。

第二罩蓋層542可包含抗氫材料。舉例而言，第二罩蓋層542可包含氧化矽（SiO）、氮化矽（SiN）、碳化矽（SiC）、鉬（Mo）、釕（Ru）以及鋯（Zr）中的至少一者。第二罩蓋層542可包含與第一罩蓋層541相同的材料。第二罩蓋層542可基於第二罩蓋層542包含抗氫材料而防止第二熱緩衝層532受到微影製程或清潔製程的損害。

第二罩蓋層542的發射率可小於第二熱緩衝層532的發射率。舉例而言，第二罩蓋層542中所包含的碳量可小於第二熱緩衝層532中所包含的碳量。如本文中所提及，第二熱緩衝層532中所包含的碳量可被稱作第二碳量。第二熱緩衝層532的碳含量可大於隔膜510及第二罩蓋層542中的一或多者的碳含量。如本文中所提及，第二熱緩衝層532的碳含量可被稱作第二碳含量。

第二罩蓋層542中所包含的碳量可與第一罩蓋層541中所包含的碳量相同。舉例而言，第二罩蓋層542的碳含量可小於第一熱緩衝層531的碳含量。

第二罩蓋層542的垂直厚度可小於第二熱緩衝層532的垂直厚度。舉例而言，第二罩蓋層542的垂直厚度可與第一罩蓋層541的垂直厚度相同。第二罩蓋層542的垂直厚度可小於第一熱緩衝層531的垂直厚度。

遮擋件600可安置於防塵薄膜500上。舉例而言，遮擋件600可安置於防塵薄膜500下。遮擋件600可包含孔隙600a。由照明鏡系統200施加的EUV光可穿過遮擋件600的孔隙600a且經施加至比例罩幕300。

遮擋件600的孔隙600a可具有各種形狀。舉例而言，可藉由遮擋件600的孔隙600a將由照明鏡系統200施加至比例罩幕300的EUV光形成為各種形狀。

投射鏡系統700可將由比例罩幕300反射的EUV光施加至安放於晶圓載物台800上的晶圓W上。由比例罩幕300反射的EUV光可穿過遮擋件600的孔隙600a且經施加至投射鏡系統700。

投射鏡系統700可校正由比例罩幕300反射的EUV光。舉例而言，投射鏡系統700可校正由比例罩幕300反射的EUV光的像差。

投射鏡系統700可包含多個投射鏡710至760。舉例而言，投射鏡系統700可包含第一投射鏡710、第二投射鏡720、第三投射鏡730、第四投射鏡740、第五投射鏡750，以及第六投射鏡760。投射鏡710至760可各自為凹面鏡或凸面鏡。

晶圓W可固定於晶圓載物台800上。晶圓載物台800可在側向方向上移動。可藉由晶圓載物台800在側向方向上移動晶圓W。

晶圓載物台800的移動可與比例罩幕台400的移動有關。舉例而言，晶圓載物台800可在與比例罩幕台400的移動共同的方向上移動。晶圓載物台800的移動距離可與比例罩幕台400的移動距離成比例。

由投射鏡系統700施加的EUV光可聚焦於晶圓W上。舉例而言，由投射鏡系統700施加的EUV光可聚焦於形成於晶圓W的表面上的光阻圖案上。晶圓W可包含半導體晶片晶圓。關於晶圓W實施的微影製程可包含於使用晶圓W製造半導體晶片元件的製程中。施加至晶圓W的光可包含來自比例罩幕300中所包含的光學圖案的空中影像資訊。將光施加至晶圓W的表面可在晶圓W上形成光阻圖案，其中光阻圖案是基於比例罩幕300中所包含的光學圖案。光阻圖案可包含正藉由所施加光修改的晶圓W表面的部分。晶圓W上的光阻圖案的形成可包含於製造半導體晶片元件的製程中。舉例而言，可經由另一製程移除晶圓W的供形成光阻圖案的部分。晶圓W上的光阻的剩餘部分可包含根據光學圖案進行圖案化的晶圓W材料的一部分。

圖2為繪示基於溫度的具有熱緩衝層的第一防塵薄膜L1的發射率以及不具有熱緩衝層的第二防塵薄膜L2的發射率的曲線圖。此處，第一防塵薄膜L1及第二防塵薄膜L2可包含隔膜，所述隔膜包含具有約50奈米厚度的矽。第一防塵薄膜L1可包含一或多個熱緩衝層。每一熱緩衝層可包含具有約2奈米厚度的石墨烯。熱緩衝層可安置於隔膜的兩個表面上。

參看圖2，在400K至1200K的溫度下，第一防塵薄膜L1的發射率大於第二防塵薄膜L2的發射率。第一防塵薄膜L1的較大發射率指示：第一防塵薄膜L1可基於第一防塵薄膜中所包含的熱緩衝層而防止由用於微影製程中的具有高能量的EUV光產生的熱積累。因此，第一防塵薄膜L1的熱緩衝層可防止第一防塵薄膜L1的隔膜的變形，其中此變形可能由熱積累導致。因此，第一防塵薄膜L1的耐久性可高於第二防塵薄膜L2的耐久性。另外，第一防塵薄膜L1的壽命可大於第二防塵薄膜L2的壽命。

因此，根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜及包含其的EUV微影裝置可防止防塵薄膜的隔膜的變形，其中此變形是由熱積累導致。因此，可改良根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的耐久性及壽命。另外，可改良根據本發明概念的一些實例實施例的包含防塵薄膜的EUV微影裝置的製程可靠性。

在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，熱緩衝層530安置於隔膜510的兩個表面上。然而，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，熱緩衝層530可包含受限於安置於隔膜510的第一表面510S1上的熱緩衝層530（如圖3中所繪示），或熱緩衝層530可包含受限於安置於隔膜510的第二表面510S2上的熱緩衝層530（如圖4中所繪示）。

在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542在隔膜510與框架520之間延伸。然而，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542可如圖5中所繪示安置於框架520的內側上，以使得框架520直接與隔膜510的第二表面510S2接觸，且第二熱緩衝層532的一或多個側面以及第二罩蓋層542的界限由框架520限定。如圖5中所繪示，框架520至少部分地限定隔膜的第二表面510S2的內部部分550的界限。框架520包含面向外部環境的外側520S1。框架520亦包含面向隔膜510的第二表面510S2的內部部分550的內側520S2。外部環境為在防塵薄膜外部的環境。如圖5中所繪示，第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542可安置於隔膜510的第二表面510S2的內部部分550上。

另外，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第二罩蓋層542可直接與隔膜510的第二表面510S2接觸且熱緩衝層530可安置於隔膜510的表面510S1、510S2中的一者上。舉例而言，如圖6中所繪示，熱緩衝層530可安置於第一罩蓋層541與隔膜510之間。如圖6中所繪示，第二罩蓋層542可安置於隔膜510的第二表面510S2的內部部分550上。在另一實例中，如圖7中所繪示，熱緩衝層530可受限於安置於第二罩蓋層542（安置於框架520的內側上）與隔膜510之間。如圖7中所繪示，熱緩衝層530及第二罩蓋層542可安置於隔膜510的第二表面510S2的內部部分550上。

在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第二熱緩衝層532的側面與第二罩蓋層542的側面垂直地配置。然而，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第二熱緩衝層532可在隔膜510與框架520之間延伸，且第二罩蓋層542可如圖8中所繪示安置於框架520的內側上。如圖8中所繪示，第二熱緩衝層532可安置於隔膜510的第二表面510S2的整體上，且第二罩蓋層542可安置於隔膜510的第二表面510S2的內部部分550上。

在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第一罩蓋層541安置於第一熱緩衝層531上，且第二罩蓋層542安置於第二熱緩衝層532上。然而，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532的表面可如圖9及圖10中所繪示暴露於外部環境。在一些實例實施例中，第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532可包含防止由微影製程或清潔製程導致的損害的材料。舉例而言，第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532可包含抗氫材料。

在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，可藉由熱緩衝層530、第一罩蓋層541以及第二罩蓋層542來覆蓋隔膜510的第一表面510S1及第二表面510S2。然而，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，隔膜510的第一表面510S1或第二表面510S2可如圖11至圖14中所繪示暴露於外部環境。在一些實例實施例中，隔膜510可包含防止由微影製程或清潔製程導致的損害的材料。舉例而言，隔膜510可包含抗氫材料。

另外，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500中，安置於隔膜510的第一表面510S1上的熱緩衝層530的表面可暴露於外部環境，且可如圖15及圖16中所繪示藉由第二罩蓋層542覆蓋隔膜510的第二表面510S2。

圖17為說明根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的視圖。

參看圖17，根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500可包含隔膜510、框架520、熱緩衝層530、第一罩蓋層541，以及第二罩蓋層542。

熱緩衝層530可包含第一熱緩衝層531及第二熱緩衝層532。第一熱緩衝層可***於隔膜510的第一表面510S1與第一罩蓋層541之間。第二熱緩衝層可***於隔膜510的第二表面510S2與第二罩蓋層542之間。

第二熱緩衝層532的發射率可不同於第一熱緩衝層531的發射率。第一熱緩衝層531的發射率與第二熱緩衝層532的發射率之間的差異可基於入射於所述層中的每一者上的光的方向，其中光包含用於微影製程中的光。舉例而言，基於入射於第一熱緩衝層531上的光的方向，第一熱緩衝層531的發射率可高於第二熱緩衝層532的發射率。

第二熱緩衝層532可包含與第一熱緩衝層531中所包含的一或多個材料不同的材料。第二熱緩衝層532的垂直厚度可不同於第一熱緩衝層531的垂直厚度。舉例而言，第二熱緩衝層532的垂直厚度可大於第一熱緩衝層531的垂直厚度。

圖18為說明根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的視圖。

參看圖18，根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜500可包含：具有第一隔膜511及第二隔膜512的隔膜510；安置於第二隔膜512的表面510S2上的框架520；具有第一外部熱緩衝層534、內部熱緩衝層535以及第二外部熱緩衝層536的熱緩衝層530；安置於第一外部熱緩衝層534上的第一罩蓋層541；以及安置於第二外部熱緩衝層536上的第二罩蓋層542。

第一外部熱緩衝層534可安置於第一隔膜511的表面510S1上。第二外部熱緩衝層536可安置於第二隔膜512的表面510S2上。第二外部熱緩衝層536的發射率可與第一外部熱緩衝層534的發射率相同。第二外部熱緩衝層536可包含與第一外部熱緩衝層534中所包含的材料共同的材料。第二外部熱緩衝層536的垂直厚度可與第一外部熱緩衝層534的垂直厚度相同。

內部熱緩衝層535可***於第一隔膜511與第二隔膜512之間。內部熱緩衝層535的側面可與第一隔膜511及第二隔膜512的側面垂直地配置。可用內部熱緩衝層535完全填充第一隔膜511與第二隔膜512之間的空間。

內部熱緩衝層535的垂直厚度可不同於第一外部熱緩衝層534及第二外部熱緩衝層536中的一或多者的垂直厚度。舉例而言，內部熱緩衝層535的垂直厚度可小於第一外部熱緩衝層534及第二外部熱緩衝層536中的一或多者的垂直厚度。舉例而言，內部熱緩衝層535可包含與第一外部熱緩衝層534及第二外部熱緩衝層536不同的材料。內部熱緩衝層535的發射率可不同於第一外部熱緩衝層534及第二外部熱緩衝層536中的一或多者的發射率。

圖19A至圖19C為依序說明形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法的視圖。

參看圖1B及圖19A至圖19C，將描述形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法。首先，參看圖19A，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在框架基板520p上形成第二罩蓋層542及第二熱緩衝層532的製程。

在框架基板520p上形成第二罩蓋層542及第二熱緩衝層532的製程可包含製備框架基板520p的製程、在框架基板520p上形成第二罩蓋層542的製程，以及在第二罩蓋層542上形成第二熱緩衝層532的製程。

形成第二熱緩衝層532的製程可包含以下各製程中的一或多者：化學氣相沈積（chemical vapor deposition；CVD）製程、物理氣相沈積（physical vapor deposition；PVD）製程、原子層沈積（atomic layer deposition；ALD）製程、電漿沈積製程、濕式/乾式轉印製程、電紡絲製程、過濾製程、氣相過濾製程、或篩選製程。

形成第二罩蓋層542的製程可與形成第二熱緩衝層532的製程相同。

參看圖19B，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在第二熱緩衝層532上形成隔膜510、第一熱緩衝層531以及第一罩蓋層541的製程。

形成隔膜510、第一熱緩衝層531以及第一罩蓋層541的製程可包含在第二熱緩衝層532上形成隔膜510的製程、在隔膜510上形成第一熱緩衝層531的製程，以及在第一熱緩衝層531上形成第一罩蓋層541的製程。

形成第一熱緩衝層531的製程可與形成第二熱緩衝層532的製程相同。形成第一罩蓋層541的製程可與形成第二罩蓋層542的製程相同。

參看圖19C，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的製程可包含在框架基板520p上形成罩幕圖案900的製程。

罩幕圖案900可與隔膜510的邊緣區域垂直地重疊。可藉由罩幕圖案900暴露與隔膜510的中心區域垂直重疊的框架基板520p。舉例而言，罩幕圖案900可包含光阻圖案。形成罩幕圖案900的製程可與形成第二熱緩衝層532的製程相同。

參看圖1B，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在第二罩蓋層542上形成框架520的製程。

形成框架520的製程可包含使用罩幕圖案900作為蝕刻罩幕蝕刻框架基板520p的製程以及移除罩幕圖案900的製程。蝕刻框架基板520p的製程可包含乾式或濕式蝕刻製程。

圖20A至圖20C為依序說明形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法的視圖。

參看圖5及圖20A至圖20C，將描述形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法。首先，參看圖20A，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在框架基板520p的表面上形成隔膜510的製程。

參看圖20B，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在隔膜510上形成框架520的製程。

形成框架520的製程可包含蝕刻框架基板520p的製程。

參看圖5及圖20C，形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法可包含在隔膜510的表面510S1及510S2上形成第一熱緩衝層531、第二熱緩衝層532、第一罩蓋層541以及第二罩蓋層542的製程。如圖5及圖20C中所繪示，第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542可形成於隔膜510的第二表面510S2的內部部分550上。

形成第一熱緩衝層531、第二熱緩衝層532、第一罩蓋層541，以及第二罩蓋層542的製程可包含在隔膜510的第一表面510S1上形成第一熱緩衝層531及第一罩蓋層541的製程，以及在隔膜510的第二表面510S2上形成第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542的製程。

形成第一熱緩衝層531及第一罩蓋層541的製程可包含在第一熱緩衝層531上形成第一罩蓋層541的製程，以及將形成有第一罩蓋層541的第一熱緩衝層531實體地附接至隔膜510的第一表面510S1上的製程。

形成第二熱緩衝層532及第二罩蓋層542的製程可包含在第二熱緩衝層532上形成第二罩蓋層542的製程，以及將形成有第二罩蓋層542的第二熱緩衝層532實體地附接至藉由框架520暴露的隔膜510的第二表面510S2上的製程。

圖21為說明包含根據本發明概念的一些實例實施例的半導體元件的半導體模組的視圖。

參看圖21，半導體模組1000可包含模組基板1100、微處理器1200、記憶體1300，以及輸入/輸出終端機1400。微處理器1200、記憶體1300以及輸入/輸出終端機1400可安裝於模組基板1100上。半導體模組1000可包含記憶卡或卡封裝。

微處理器1200及記憶體1300可包含由包含根據本發明概念的各種實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件。因此，在根據本發明概念的一些實例實施例的半導體模組1000中，可改良微處理器1200及記憶體1300的可靠性及電特性。

圖22為說明包含根據本發明概念的一些實例實施例的半導體元件的行動系統的視圖。

參看圖22，行動系統2000可包含主體單元2100、顯示單元2200，以及外部裝置2300。主體單元2100可包含微處理器單元2110、電源供應器2120、功能單元2130，以及顯示控制器單元2140。

主體單元2100可為包含印刷電路板（printed circuit board；PCB）的系統板或主機板。微處理器單元2110、電源供應器2120、功能單元2130以及顯示控制器單元2140可裝設或安裝於主體單元2100上。

微處理器單元2110可自電源供應器2120接收電壓以控制功能單元2130及顯示控制器單元2140。電源供應器2120可自外部電源或其類似者接收恆定電壓，且將恆定電壓劃分為各種電壓位準以供應至微處理器單元2110、功能單元2130、顯示控制器單元2140等。

電源供應器2120可包含電源管理IC（power management IC；PMIC）。PMIC可將電壓有效地供應至微處理器單元2110、功能單元2130、顯示控制器單元2140等。

功能單元2130可執行行動系統2000的各種功能。舉例而言，功能單元2130可包含能夠使用撥號或與外部裝置2300通信來執行無線通信功能（諸如，將影像輸出至顯示單元2200、將語音輸出至揚聲器等）的各種組件。舉例而言，功能單元2130可充當攝影機影像處理器。

當將行動系統2000連接至記憶卡或其類似者從而擴張其容量時，功能單元2130可充當記憶卡控制器。當行動系統2000更包含用以擴張其功能的通用串列匯流排（USB）時，功能單元2130可充當介面控制器。

顯示單元2200可電連接至主體單元2100。舉例而言，顯示單元2200可電連接至主體單元2100的顯示控制器單元2140。顯示單元2200可顯示由主體單元2100的顯示控制器單元2140處理的影像。

主體單元2100的微處理器單元2110及功能單元2130可包含由包含根據本發明的各種實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件。因此，可改良根據本發明概念的一些實例實施例的行動系統2000的可靠性及電特性。

圖23為說明包含根據本發明概念的一些實例實施例的半導體元件的電子系統的視圖。

參看圖23，電子系統3000可包含記憶體3100、微處理器3200、隨機存取記憶體（RAM）3300，以及使用者介面3400。電子系統3000可為諸如LED發光元件、冰箱、空氣調節機、工業切割機器、焊接機器、運載工具、容器、飛機、衛星等的系統。

記憶體3100可儲存微處理器3200的開機程式碼、由微處理器3200處理的資料或外部輸入資料。記憶體3100可包含控制器。

微處理器3200可程式化及控制電子系統3000。RAM 3300可用於微處理器3200的操作記憶體。

使用者介面3400可使用匯流排3500執行資料通信。使用者介面3400可用於進行至電子系統3000的資料輸入或自電子系統3000的資料輸出。

記憶體3100、微處理器3200以及RAM 3300可包含由包含根據本發明概念的各種實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件。因此，可改良根據本發明概念的一些實例實施例的電子系統3000的可靠性及電特性。

根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜及包含防塵薄膜的EUV微影裝置可防止由用於微影製程中的具有高能量的光產生的熱量在隔膜中積累。用於微影製程中的光可包含極紫外光。因此，根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜及包含防塵薄膜的EUV微影裝置可防止由熱積累導致的隔膜的變形。因此，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜及包含防塵薄膜的EUV微影裝置中，可改良防塵薄膜的耐久性及壽命。另外，在根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜及包含防塵薄膜的EUV微影裝置中，可改良製程的可靠性。

前述內容說明實施例且不應被解釋為其限制。儘管已描述若干實施例，但熟習此項技術者將易於瞭解，在實質上不脫離新穎教示及優點的情況下，在實施例中許多修改是有可能的。因此，所有此等修改意欲包含於如在申請專利範圍中界定的本發明概念的範疇內。在申請專利範圍中，使用手段功能用語（means-plus-function clause）意欲涵蓋在本文中描述為執行所敍述功能的結構，且不僅涵蓋結構等效物，而且亦涵蓋等效結構。因此，應理解，前述內容說明各種實施例，但不應被解釋為限於所揭露的特定實施例，且對所揭露實施例以及其他實施例的修改意欲包含於隨附申請專利範圍的範疇內。

1‧‧‧微影裝置/極紫外光（EUV）微影裝置 100‧‧‧EUV光學系統 110‧‧‧EUV光源 120‧‧‧集光器 200‧‧‧照明鏡系統 210‧‧‧照明鏡/第一照明鏡 220‧‧‧照明鏡/第二照明鏡 230‧‧‧照明鏡/第三照明鏡 240‧‧‧照明鏡/第四照明鏡 300‧‧‧比例罩幕 400‧‧‧比例罩幕台 500‧‧‧防塵薄膜 510‧‧‧隔膜 510S1‧‧‧第一表面 510S2‧‧‧第二表面 511‧‧‧第一隔膜 512‧‧‧第二隔膜 520‧‧‧框架 520p‧‧‧框架基板 520S1‧‧‧外側 520S2‧‧‧內側 530‧‧‧熱緩衝層 531‧‧‧第一熱緩衝層 532‧‧‧第二熱緩衝層 534‧‧‧第一外部熱緩衝層 535‧‧‧內部熱緩衝層 536‧‧‧第二外部熱緩衝層 541‧‧‧第一罩蓋層 542‧‧‧第二罩蓋層 550‧‧‧內部部分 600‧‧‧遮擋件 600a‧‧‧孔隙 700‧‧‧投射鏡系統 710‧‧‧投射鏡/第一投射鏡 720‧‧‧投射鏡/第二投射鏡 730‧‧‧投射鏡/第三投射鏡 740‧‧‧投射鏡/第四投射鏡 750‧‧‧投射鏡/第五投射鏡 760‧‧‧投射鏡/第六投射鏡 800‧‧‧晶圓載物台 900‧‧‧罩幕圖案 1000‧‧‧半導體模組 1100‧‧‧模組基板 1200‧‧‧微處理器 1300‧‧‧記憶體 1400‧‧‧輸入/輸出終端機 2000‧‧‧行動系統 2100‧‧‧主體單元 2110‧‧‧微處理器單元 2120‧‧‧電源供應器 2130‧‧‧功能單元 2140‧‧‧顯示控制器單元 2200‧‧‧顯示單元 2300‧‧‧外部裝置 3000‧‧‧電子系統 3100‧‧‧記憶體 3200‧‧‧微處理器 3300‧‧‧隨機存取記憶體 3400‧‧‧使用者介面 3500‧‧‧匯流排 L1‧‧‧第一防塵薄膜 L2‧‧‧第二防塵薄膜 W‧‧‧晶圓

本發明概念的前述及其他特徵以及優點將自如隨附圖式中所說明的本發明概念的實例實施例的更特定描述而顯而易見，在隨附圖式中，相似參考字元貫穿不同視圖指相同部分。圖式未必按比例繪製，而實際上重點在於說明本發明概念的原理。在圖式中： 圖1A為說明根據本發明概念的一些實例實施例的包含防塵薄膜的極紫外光（EUV）微影裝置的示意圖。 圖1B為說明根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的視圖。 圖2為繪示由熱緩衝層導致的防塵薄膜的發射率差異的曲線圖。 圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17以及圖18為說明根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的視圖。 圖19A、圖19B以及圖19C為依序說明形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法的視圖。 圖20A、圖20B以及圖20C為依序說明形成根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的方法的視圖。 圖21為說明包含由具有根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件的半導體模組的視圖。 圖22為說明包含由具有根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件的行動系統的視圖。 圖23為說明包含由具有根據本發明概念的一些實例實施例的防塵薄膜的EUV微影裝置形成的半導體元件的電子系統的視圖。

300‧‧‧比例罩幕

500‧‧‧防塵薄膜

510‧‧‧隔膜

510S1‧‧‧第一表面

510S2‧‧‧第二表面

520‧‧‧框架

530‧‧‧熱緩衝層

531‧‧‧第一熱緩衝層

532‧‧‧第二熱緩衝層

541‧‧‧第一罩蓋層

542‧‧‧第二罩蓋層

Claims (19)

1. 一種防塵薄膜，包括：隔膜，被配置於比例罩幕的光學圖案上；第一罩蓋層，包含抗氫材料；以及第一熱緩衝層，其在所述隔膜的第一表面上，所述第一熱緩衝層與第一發射率相關聯，所述第一發射率大於所述隔膜的發射率，其中所述第一熱緩衝層位於所述隔膜的所述第一表面與所述第一罩蓋層之間，其中所述防塵薄膜被配置為在極紫外光微影製程中位於所述比例罩幕上，使極紫外光穿過所述第一熱緩衝層和所述隔膜以從所述比例罩幕的所述光學圖案反射，基於穿過所述隔膜的所述極紫外光而在所述隔膜處產生熱，基於所述第一發射率大於所述隔膜的發射率，所述第一熱緩衝層在所述隔膜處產生的熱排出到外部環境。
2. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第一熱緩衝層包含碳。
3. 如申請專利範圍第2項所述的防塵薄膜，其中所述第一熱緩衝層包含以下各者中的至少一者：非晶形碳、石墨烯、奈米石墨、碳奈米薄片、碳奈米管、碳化矽、以及碳化硼。
4. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中所述第一熱緩衝層的垂直厚度小於所述隔膜的垂直厚度。
5. 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，更包括：第二熱緩衝層，其在所述隔膜的第二表面上，所述第二表面為 相對於所述隔膜的所述第一表面而言的所述隔膜的對置表面，所述第二熱緩衝層與第二發射率相關聯，所述第二發射率大於所述隔膜的所述發射率。
6. 如申請專利範圍第5項所述的防塵薄膜，其中所述第二熱緩衝層包含碳。
7. 如申請專利範圍第5項所述的防塵薄膜，其中所述第二發射率等於所述第一發射率。
8. 如申請專利範圍第5項所述的防塵薄膜，更包括：框架，其在所述隔膜的所述第二表面上，其中所述第二熱緩衝層在所述隔膜與所述框架之間延伸。
9. 一種防塵薄膜，包括：隔膜，被配置於比例罩幕的光學圖案上；第一罩蓋層，包含抗氫材料；以及第一熱緩衝層，其在所述隔膜的第一表面與所述第一罩蓋層之間，所述第一熱緩衝層包含第一碳含量，所述第一碳含量大於所述隔膜的碳含量以及所述第一罩蓋層的碳含量中的每一者，其中所述防塵薄膜被配置為在極紫外光微影製程中位於所述比例罩幕上，使極紫外光穿過所述第一熱緩衝層和所述隔膜以從所述比例罩幕的所述光學圖案反射，基於穿過所述隔膜的所述極紫外光而在所述隔膜處產生熱，基於所述第一碳含量大於所述隔膜的碳含量，所述第一熱緩衝層在所述隔膜處產生的熱排出到外部環境。
10. 如申請專利範圍第9項所述的防塵薄膜，其中所述第一罩蓋層的垂直厚度小於所述第一熱緩衝層的垂直厚度。
11. 如申請專利範圍第9項所述的防塵薄膜，更包括：第二罩蓋層，其在所述隔膜的第二表面上，所述第二表面為相對於所述隔膜的所述第一表面而言的所述隔膜的對置表面，所述第一碳含量大於所述第二罩蓋層的碳含量。
12. 如申請專利範圍第11項所述的防塵薄膜，更包括：框架，其在所述隔膜的所述第二表面上，所述框架包含內側及外側，所述內側至少部分地限定所述隔膜的所述第二表面的內部部分的界限，所述外側面向外部環境，所述第二罩蓋層在所述第二表面的所述內部部分上。
13. 如申請專利範圍第11項所述的防塵薄膜，更包括：第二熱緩衝層，其在所述隔膜與所述第二罩蓋層之間，所述第二熱緩衝層包含第二碳含量，所述第二碳含量大於所述隔膜及所述第二罩蓋層中的每一者的所述碳含量。
14. 如申請專利範圍第13項所述的防塵薄膜，其中所述第二碳含量等於所述第一碳含量。
15. 一種防塵薄膜，包括：隔膜，被配置於比例罩幕的光學圖案上；罩蓋層，包含抗氫材料；以及熱緩衝層，其在所述隔膜的表面上，所述熱緩衝層經組態以發射熱輻射，由所述熱緩衝層發射的所述熱輻射的強度與超過由所述隔膜發射的熱輻射的強度相關聯，其中所述熱緩衝層位於所述隔膜與所述罩蓋層之間，其中所述防塵薄膜被配置為在極紫外光微影製程中位於所述比例罩幕上，使極紫外光穿過所述熱緩衝層和所述隔膜以從所述比例 罩幕的所述光學圖案反射，基於穿過所述隔膜的所述極紫外光而在所述隔膜處產生熱，基於所述熱緩衝層發射的所述熱輻射的強度超過由所述隔膜發射的熱輻射的強度，所述熱緩衝層在所述隔膜處產生的熱排出到外部環境。
16. 如申請專利範圍第15項所述的防塵薄膜，其中所述罩蓋層位於所述熱緩衝層的表面上，且所述罩蓋層包含低於所述熱緩衝層中所包含的碳量的碳量。
17. 如申請專利範圍第15項所述的防塵薄膜，更包括所述隔膜的所述表面上的框架，所述框架包含內側及外側，所述內側至少部分地限定所述隔膜的所述表面的內部部分的界限，所述外側面向外部環境，其中所述熱緩衝層在所述表面的所述內部部分上。
18. 如申請專利範圍第15項所述的防塵薄膜，其中所述熱緩衝層包含：第一熱緩衝層，其在所述隔膜的第一表面上；以及第二熱緩衝層，其在所述隔膜的第二表面上，所述第二表面為相對於所述隔膜的所述第一表面而言的所述隔膜的對置表面，所述第一熱緩衝層及所述第二熱緩衝層經組態以發射不同強度的熱輻射。
19. 如申請專利範圍第18項所述的防塵薄膜，其中所述第二熱緩衝層的垂直厚度不同於所述第一熱緩衝層的垂直厚度。

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