JP6787851B2 - ペリクルおよびペリクルの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のさらに他の局面に従うペリクルの製造方法は、Siを含む支持体を準備する工程と、支持体の一方の主面にペリクル膜を形成する工程とを備え、ペリクル膜を形成する工程は、支持体の一方の主面のSiを炭化することにより、支持体の一方の主面に、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜を形成する工程と、第1のSiC膜の一方の主面に、第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜を成膜する工程とを含み、ウエットエッチングにより第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程をさらに備え、ペリクル膜を形成する工程は、第2のSiC膜の一方の主面に、第1および第2のSiC膜の輻射率よりも高い輻射率を有する輻射膜を形成する工程をさらに含む。
上記ペリクルの製造方法において好ましくは、第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程は、輻射膜を形成する工程の後に行われる。
本発明のさらに他の局面に従うペリクルの製造方法は、Siを含む支持体を準備する工程と、支持体の一方の主面にペリクル膜を形成する工程とを備え、ペリクル膜を形成する工程は、支持体の一方の主面のSiを炭化することにより、支持体の一方の主面に、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜を形成する工程と、第1のSiC膜の一方の主面に、第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜を成膜する工程とを含み、ウエットエッチングにより第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程と、支持体の他方の主面の中央部にSiを底面とする凹部を形成する工程とをさらに備え、第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、凹部の底面に第1のSiC膜を露出させる。
上記ペリクルの製造方法において好ましくは、支持体の他方の主面の中央部に凹部を形成する工程において、支持体の他方の主面に形成された酸化膜または窒化膜よりなるマスク層をマスクとして、支持体の他方の主面の中央部をウエットエッチングにより除去する。
2 中間体
3 支持体
4 ペリクル膜
11 Si(ケイ素)基板
11a Si基板の表面
11b Si基板の裏面
11c Si基板の側面
12,121,122 SiC(炭化ケイ素)膜
12a,121a,122a SiC膜の表面
12b,121b SiC膜の裏面
12c SiC膜の側面
13 凹部
14 マスク層
15 フォトレジスト
16 Si酸化膜
16a Si酸化膜の表面
17 Si膜
17a Si膜の表面
18 輻射膜
CS 反応容器
HP 固定台
MA 薬液
MK マスク
PF ペリクルフレーム
PL SiC膜の表面に対して平行な平面
PN パターン
RG1 Si基板の裏面の中央部
RG2 Si基板の凹部の底面
RG3 Si基板の裏面の外周部
Claims (20)
- 環状の平面形状を有し、Siを含む支持体と、
前記支持体の一方の主面に形成されたペリクル膜とを備え、
前記ペリクル膜は、10nm以上100nm以下の厚さを有するSiC膜を含み、
前記SiC膜は、
前記支持体の前記一方の主面に形成され、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜と、
前記第1のSiC膜の一方の主面に形成され、前記第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜とを含む、ペリクル。 - 前記支持体の他方の主面には、SiC膜は形成されていない、請求項1に記載のペリクル。
- 前記SiC膜の前記支持体が形成されている側とは反対側の主面には、Si酸化膜は形成されていない、請求項1または2に記載のペリクル。
- 前記ペリクル膜は、前記第2のSiC膜の一方の主面に形成された輻射膜であって、前記第1および第2のSiC膜の輻射率よりも高い輻射率を有する輻射膜をさらに含む、請求項1〜3のいずれかに記載のペリクル。
- 前記輻射膜はRuを含む、請求項4に記載のペリクル。
- 前記第1のSiC膜の厚さは0より大きく10nm以下であり、
前記第1の平均炭素濃度は前記第2の平均炭素濃度よりも低い、請求項1〜5のいずれかに記載のペリクル。 - 13.5nmの波長を有する光に対する前記ペリクル膜の透過率は70%以上である、請求項1〜6のいずれかに記載のペリクル。
- 前記支持体はSi基板よりなる、請求項1〜7のいずれかに記載のペリクル。
- 前記支持体は、Si基板と、前記Si基板の一方の主面に形成されたSi酸化膜とを含む、請求項1〜7のいずれかに記載のペリクル。
- Siを含む支持体を準備する工程と、
前記支持体の一方の主面に10nm以上100nm以下の厚さを有するペリクル膜を形成する工程とを備え、
前記ペリクル膜を形成する工程は、
前記支持体の前記一方の主面のSiを炭化することにより、前記支持体の前記一方の主面に、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜を形成する工程と、
前記第1のSiC膜の一方の主面に、前記第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜を成膜する工程とを含み、
前記支持体が環状の平面形状を有するように前記支持体をウエットエッチングすることにより、前記第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程をさらに備えた、ペリクルの製造方法。 - Siを含む支持体を準備する工程と、
前記支持体の一方の主面にペリクル膜を形成する工程とを備え、
前記ペリクル膜を形成する工程は、
前記支持体の前記一方の主面のSiを炭化することにより、前記支持体の前記一方の主面に、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜を形成する工程と、
前記第1のSiC膜の一方の主面に、前記第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜を成膜する工程とを含み、
ウエットエッチングにより前記第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程をさらに備え、
前記ペリクル膜を形成する工程は、前記第2のSiC膜の一方の主面に、前記第1および第2のSiC膜の輻射率よりも高い輻射率を有する輻射膜を形成する工程をさらに含む、ペリクルの製造方法。 - 前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程は、前記輻射膜を形成する工程の後に行われる、請求項11に記載のペリクルの製造方法。
- Siを含む支持体を準備する工程と、
前記支持体の一方の主面にペリクル膜を形成する工程とを備え、
前記ペリクル膜を形成する工程は、
前記支持体の前記一方の主面のSiを炭化することにより、前記支持体の前記一方の主面に、第1の平均炭素濃度を有する第1のSiC膜を形成する工程と、
前記第1のSiC膜の一方の主面に、前記第1の平均炭素濃度とは異なる第2の平均炭素濃度を有する第2のSiC膜を成膜する工程とを含み、
ウエットエッチングにより前記第1のSiC膜の他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程と、
前記支持体の他方の主面の中央部にSiを底面とする凹部を形成する工程とをさらに備え、
前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、前記凹部の底面に前記第1のSiC膜を露出させる、ペリクルの製造方法。 - 前記支持体の前記他方の主面の中央部に前記凹部を形成する工程において、前記支持体の前記他方の主面に形成された酸化膜または窒化膜よりなるマスク層をマスクとして、前記支持体の前記他方の主面の中央部をウエットエッチングにより除去する、請求項13に記載のペリクルの製造方法。
- 前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、前記ウエットエッチングに用いる薬液に対して少なくとも前記支持体および前記第1のSiC膜を相対的に動かす、請求項10〜14のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
- 前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、少なくとも前記支持体および前記第1のSiC膜を、前記第1のSiC膜の前記他方の主面に対して平行な平面内の方向に動かす、請求項15に記載のペリクルの製造方法。
- 前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、少なくとも前記支持体および前記第1のSiC膜を回転させた状態で、前記ウエットエッチングに用いる薬液を前記支持体の前記他方の主面に注入する、請求項16に記載のペリクルの製造方法。
- 前記第1のSiC膜の前記他方の主面の少なくとも一部を露出させる工程において、前記ウエットエッチングに用いる薬液としてフッ酸および硝酸を含む混酸を用いる、請求項10〜17のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
- 前記支持体を準備する工程において、前記支持体としてSi基板を準備する、請求項10〜18のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
- 前記支持体を準備する工程において、Si基板と、前記Si基板の一方の主面に形成されたSi酸化膜と、前記Si酸化膜の一方の主面に形成されたSi膜とを含む前記支持体を準備し、
前記第1のSiC膜を形成する工程において、前記Si膜の少なくとも一部を炭化する、請求項10〜18のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
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