KR20160133751A - 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치 - Google Patents

열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160133751A
KR20160133751A KR1020150066684A KR20150066684A KR20160133751A KR 20160133751 A KR20160133751 A KR 20160133751A KR 1020150066684 A KR1020150066684 A KR 1020150066684A KR 20150066684 A KR20150066684 A KR 20150066684A KR 20160133751 A KR20160133751 A KR 20160133751A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermal relaxation
relaxation layer
membrane
layer
pellicle
Prior art date
Application number
KR1020150066684A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102366806B1 (ko
Inventor
전환철
김문자
권성원
김병국
로만 찰릭
정용석
최재혁
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150066684A priority Critical patent/KR102366806B1/ko
Priority to US14/993,237 priority patent/US9952502B2/en
Priority to TW105111154A priority patent/TWI714571B/zh
Priority to CN201610290516.3A priority patent/CN106154766B/zh
Publication of KR20160133751A publication Critical patent/KR20160133751A/ko
Priority to US15/919,653 priority patent/US10274820B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102366806B1 publication Critical patent/KR102366806B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G03F1/142—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

펠리클 및 이를 포함하는 극자외선(Extremely Ultra-Violet light; EUV) 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 펠리클은 멤브레인; 및 상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층을 포함한다. 상기 제 1 열 완화층의 방사율은 상기 멤브레인의 방사율보다 높다.

Description

열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치{Pellicle preventing a thermal accumulation and Extremely Ultra-Violet lithography apparatus having the same}
본 발명은 리소그래피 공정에 사용되는 빛의 높은 에너지에 의한 열이 축적되는 것을 방지할 수 있는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선(Extremely Ultra-Violet; EUV) 리소그래피 장치에 관한 것이다.
극자외선(EUV) 리소그래피 장치는 극자외선을 조사하는 EUV 광학계 및 광학 패턴이 형성된 레티클을 포함한다. 외부 요인으로부터 상기 레티클의 광학 패턴을 보호하기 위하여, 상기 극자외선 리소그래피 장치는 펠리클을 포함할 수 있다. 상기 펠리클은 상기 레티클의 광학 패턴을 덮는 멤브레인 및 상기 멤브레인을 지지하는 프레임을 포함할 수 있다. 상기 EUV 광학계로부터 조사되는 높은 에너지의 빛은 상기 펠리클의 상기 멤브레인을 통과할 수 있다. 상기 극자외선 리소그래피 장치에서는 펠리클의 내구성을 향상하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전체적인 내구성이 향상될 수 있는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 리소그래피 공정에 사용되는 높은 에너지의 빛에 의한 멤브레인의 변형을 방지할 수 있는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 열 축적을 방지할 수 있는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 높은 방사율을 갖는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클은 멤브레인; 및 상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층을 포함한다. 상기 제 1 열 완화층의 방사율(emissivity)은 상기 멤브레인의 방사율보다 높다.
상기 제 1 열 완화층은 탄소를 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층은 비정질 탄소(amorphous carbon), 그래핀(graphene), 나노 그라파이트(nano graphite), 탄소 나노 시트(carbon nano-sheet), 탄소 나노 튜브(carbon nano-tube), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 보론 카바이드(BC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층의 수직 두께는 상기 멤브레인의 수직 두께보다 작을 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 열 완화층을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층의 방사율은 상기 멤브레인의 방사율보다 높을 수 있다.
상기 제 2 열 완화층은 탄소를 포함할 수 있다.
상기 제 2 열 완화층의 방사율은 상기 제 1 열 완화층의 방사율과 동일할 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인의 상기 제 2 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층은 상기 멤브레인과 상기 프레임 사이로 연장될 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클은 멤브레인; 상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층; 및 상기 제 1 열 완화층 상에 위치하는 제 1 캡핑막을 포함한다. 상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 멤브레인의 탄소 함유량 및 상기 제 1 캡핑막의 탄소 함유량보다 크다.
상기 제 1 캡핑막의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층의 수직 두께보다 작을 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 캡핑막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량보다 작을 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인의 상기 제 2 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막은 상기 프레임의 내측에 위치할 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인과 상기 제 2 캡핑막 사이에 위치하는 제 2 열 완화층을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 멤브레인의 탄소 함유량 및 상기 제 2 캡핑막의 탄소 함유량보다 클 수 있다.
상기 제 2 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량과 동일할 수 있다.
상기 제 1 캡핑막은 수소 저항성 물질을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클은 멤브레인; 및 상기 멤브레인의 표면 상에 위치하는 열 완화층을 포함한다. 상기 열 완화층의 열 복사(thermal radiation)의 세기(intensity)는 상기 멤브레인의 열 복사의 세기보다 크다.
상기 펠리클은 상기 열 완화층의 표면 상에 위치하는 캡핑막을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑막의 탄소 함유량은 상기 열 완화층의 탄소 함유량보다 작을 수 있다.
상기 펠리클은 상기 멤브레인의 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함할 수 있다. 상기 열 완화층은 상기 프레임의 내측에 위치할 수 있다.
상기 열 완화층은 상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층 및 상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 열 완화층을 포함할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층의 열 복사의 세기는 상기 제 1 열 완화층의 열 복사의 세기와 다를 수 있다.
상기 제 2 열 완화층의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층의 수직 두께와 다를 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치는 리소그래피 공정에 사용되는 높은 에너지의 빛에 의한 열이 멤브레인에 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클 및 이를 포함하는 열 축적에 의한 멤브레인의 변형이 방지될 수 있다. 따라서 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에서는 펠리클의 내구성 및 수명이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에서는 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클을 나타낸 도면이다.
도 2는 열 완화층에 의한 펠리클의 방사율 차이를 보여주는 그래프이다.
도 3 내지 18은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클들을 나타낸 도면들이다.
도 19a 내지 19c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 20a 내지 20c는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 21은 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함하는 반도체 모듈을 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함하는 모바일 시스템을 나타낸 도면이다.
도 23은 본 발명의 기술적 사상에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템을 나타낸 도면이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
　
(실시 예)
도 1a는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선(Extremely Ultra-Violet; EUV) 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1b는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클을 나타낸 도면이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)는 EUV 광학계(100), 조영 미러 시스템(200), 레티클(300), 레티클 스테이지(400), 펠리클(500), 블라인더(600), 투사 미러 시스템(700) 및 웨이퍼 스테이지(800)를 포함할 수 있다.
상기 EUV 광학계(100)는 상기 조영 미러 시스템(200)으로 극자외선을 조사할 수 있다. 상기 EUV 광학계(100)는 EUV 광원(110)을 포함할 수 있다. 상기 EUV 광원(110)은 극자외선을 발생할 수 있다. 예를 들어, 상기 EUV 광원(110)은 파장이 약 13.5nm인 빛을 발생할 수 있다.
상기 EUV 광학계(100)는 상기 EUV 광원(110)과 상기 조영 미러 시스템(200) 사이에 위치하는 빛 콜렉터(120)를 더 포함할 수 있다. 상기 빛 콜렉터(120)는 상기 EUV 광원(110)에 의해 발생된 극자외선이 상기 조영 미러 시스템(200) 방향으로 직진하도록 조절할 수 있다. 상기 빛 콜렉터(120)는 상기 EUV 광원(110)에 가까이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 EUV 광원(110)에 의한 극자외선은 상기 빛 콜렉터(120)를 통과하여 상기 조영 미러 시스템(200)으로 조사될 수 있다.
상기 조영 미러 시스템(200)은 상기 EUV 광학계(100)에 의해 조사된 극자외선을 상기 레티클(300)로 조사할 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)은 상기 극자외선의 세기(intensity) 분포를 전체적으로 균일하게 조절할 수 있다.
상기 조영 미러 시스템(200)은 다수의 조영 미러들(210 ~ 240)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 조영 미러 시스템(200)은 제 1 조영 미러(210), 제 2 조영 미러(220), 제 3 조영 미러(230) 및 제 4 조영 미러(240)를 포함할 수 있다. 상기 조영 미러들(210 ~ 240) 각각은 오목 미러 또는 볼록 미러일 수 있다.
상기 조영 미러 시스템(200)은 상기 조영 미러들(210 ~ 240)에 의해 반사된 극자외선이 조사 경로 밖으로 손실되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 EUV 광학계(100)에 의해 조사된 극자외선은 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 컨덴싱될 수 있다.
상기 레티클(300)은 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 조사된 극자외선을 반사할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)는 반사형 리소그래피 공정을 수행할 수 있다.
상기 레티클(300)은 광학 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 패턴은 상기 조영 미러 시스템(200)을 향한 상기 레티클(300)의 표면 상에 위치할 수 있다. 상기 레티클(300)에 의해 반사된 극자외선은 상기 광학 패턴의 공간 이미지 정보(aerial image information)를 포함할 수 있다.
상기 레티클(300)은 상기 레티클 스테이지(400) 상에 고정될 수 있다. 예를 들어, 상기 레티클(300)은 상기 레티클 스테이지(400)의 하부에 고정될 수 있다. 상기 레티클 스테이지(400)는 정전척(Electro-Static Chuck; ESC)을 포함할 수 있다.
상기 레티클 스테이지(400)는 수평 방향으로 이동할 수 있다. 상기 레티클(300)은 상기 레티클 스테이지(400)에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다.
상기 펠리클(500)은 외부 요인에 의해 상기 레티클(300)의 광학 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 펠리클(500)은 상기 조영 미러 시스템(200)을 향한 상기 레티클(300)의 표면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 레티클(300)의 광학 패턴은 상기 펠리클(500)에 의해 덮힐 수 있다.
상기 펠리클(500)은 멤브레인(membrane, 510), 프레임(520), 열 완화층(thermal buffer layer, 530), 제 1 캡핑막(541) 및 제 2 캡핑막(542)을 포함할 수 있다.
상기 멤브레인(510)은 상기 레티클(300)의 상기 광학 패턴 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 멤브레인(510)은 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 극자외선이 조사되는 상기 레티클(300)의 표면 상에 위치할 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 조사된 극자외선은 상기 멤브레인(510)을 통과하여 상기 레티클(300)로 조사될 수 있다.
상기 멤브레인(510)은 제 1 표면(510S1) 및 제 2 표면(510S2)을 포함할 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)은 상기 조영 미러 시스템(200)을 향할 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 조사된 극자외선은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)으로 입사할 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2)은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)과 대향할 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2)은 상기 레티클(300)과 마주볼 수 있다.
상기 멤브레인(510)은 극자외선에 대한 투과율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 멤브레인(510)은 실리콘(Si) 등과 같은 세라믹 또는 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 멤브레인(510)은 외부 충격에 의한 손상 및 이송/장착 공정에 의한 손상을 방지하기 위하여 일정 이상의 물리적 강도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 멤브레인(510)의 두께는 약 50nm 정도일 수 있다.
상기 프레임(520)은 상기 멤브레인(510)을 지지할 수 있다. 상기 프레임(520)은 상기 멤브레인(510)과 상기 레티클(300) 사이에 위치할 수 있다. 상기 멤브레인(510)은 상기 프레임(520)에 의해 상기 레티클(300)과 이격될 수 있다. 상기 프레임(520)은 상기 멤브레인(510)의 가장 자리 상에 위치할 수 있다.
상기 열 완화층(530)은 상기 멤브레인(510)의 열을 외부로 방출할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)는 리소그래피 공정이 진공 상태에서 수행될 수 있다. 진공 상태에서의 열 방출 경로는 복사(radiation)에 의해 이루어질 수 있다. 상기 열 완화층(530)의 방사율(emissivity)은 상기 멤브레인(510)의 방사율보다 높을 수 있다. 상기 열 완화층(530)의 열 복사(thermal radiation)의 세기(indensity)가 상기 멤브레인(510)의 열 복사의 세기보다 클 수 있다.
상기 열 완화층(530)은 탄소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 열 완화층(530)은 비정질 탄소(amorphous carbon), 그래핀(graphene), 나노 그라파이트(nano graphite), 탄소 나노 시트(carbon nano-sheet), 탄소 나노 튜브(carbon nano-tube), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 보론 카바이드(BC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 열 완화층(530)의 탄소 함유량은 상기 멤브레인(510)의 탄소 함유량보다 클 수 있다.
상기 열 완화층(530)은 제 1 열 완화층(531) 및 제 2 열 완화층(532)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층(531)은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 열 완화층(531)은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 열 완화층(531)의 측면은 상기 멤브레인(510)의 측면과 수직 정렬될 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)은 상기 제 1 열 완화층(531)에 의해 완전히 덮힐 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(532)은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)은 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)은 상기 멤브레인(510)과 상기 프레임(520) 사이로 연장될 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)의 측면은 상기 멤브레인(510)의 측면과 수직 정렬될 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2)은 상기 제 2 열 완화층(532)에 의해 완전히 덮힐 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(532)의 방사율은 상기 제 1 열 완화층(531)의 방사율과 동일할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)의 열 복사 세기는 상기 제 1 열 완화층(531)의 열 복사 세기와 동일할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)은 상기 제 1 열 완화층(531)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께 및 상기 제 2 열 완화층(532)의 수직 두께는 상기 멤브레인(510)의 수직 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께는 2nm 이하일 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)는 멤브레인(510)의 표면 상에 상기 멤브레인(510)보다 높은 방사율을 갖는 열 완화층(530)이 위치할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)는 상기 멤브레인(510)을 통과하는 극자외선의 높은 에너지에 의한 열이 상기 멤브레인(510)에 축적되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)에서는 열 축적에 의한 멤브레인(510)의 변형이 방지될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따른 극자외선 리소그래피 장치(1)에서는 펠리클(500)의 내구성 및 수명이 향상될 수 있다.
상기 제 1 캡핑막(541)은 리소그래피 공정 또는 세정 공정에 의한 상기 제 1 열 완화층(531)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 제 1 캡핑막(541)은 상기 제 1 열 완화층(531) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 열 완화층(531)은 상기 멤브레인(510)과 상기 제 1 캡핑막(541) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 1 캡핑막(541)의 측면은 상기 제 1 열 완화층(531)의 측면과 수직 정렬될 수 있다.
상기 제 1 캡핑막(541)은 수소 저항성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 캡핑막(541)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 카바이드(SiC), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru) 또는 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 1 캡핑막(541)의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층(531)의 탄소 함유량보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 캡핑막(541)의 방사율은 상기 제 1 열 완화층(531)의 방사율보다 낮을 수 있다. 상기 제 1 열 완화층(531)의 탄소 함유량은 상기 멤브레인(510)의 탄소 함유량 및 상기 제 1 캡핑막(541)의 탄소 함유량보다 클 수 있다. 상기 제 1 캡핑막(541)의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께보다 작을 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)은 리소그래피 공정 또는 세정 공정에 의한 상기 제 2 열 완화층(532)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막(542)은 상기 제 2 열 완화층(532) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)은 상기 멤브레인(510)과 상기 제 2 캡핑막(542) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막(542)은 상기 프레임(520)과 상기 제 2 열 완화층(532) 사이로 연장될 수 있다. 상기 제 2 캡핑막(542)의 측면은 상기 제 2 열 완화층(532)의 측면과 수직 정렬될 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)은 수소 저항성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 캡핑막(542)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 카바이드(SiC), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru) 또는 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막(542)은 상기 제 1 캡핑막(541)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)의 방사율은 상기 제 2 열 완화층(532)의 방사율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 캡핑막(542)의 탄소 함유량은 상기 제 2 열 완화층(532)의 탄소 함유량보다 작을 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(532)의 탄소 함유량은 상기 멤브레인(510)의 탄소 함유량 및 상기 제 2 캡핑막(542)의 탄소 함유량보다 클 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)의 탄소 함유량은 상기 제 1 캡핑막(541)의 탄소 함유량과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 캡핑막(542)의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층(531)의 탄소 함유량보다 작을 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)의 수직 두께는 상기 제 2 열 완화층(532)의 수직 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 캡핑막(542)의 수직 두께는 상기 제 1 캡핑막(541)의 수직 두께와 동일할 수 있다. 상기 제 2 캡핑막(542)의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께보다 작을 수 있다.
상기 블라인더(600)는 상기 펠리클(500) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 블라인더(600)는 상기 펠리클(500)의 하부에 위치할 수 있다. 상기 블라인더(600)는 개구부(aperture, 600a)를 포함할 수 있다. 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 조사된 극자외선은 상기 블라인더(600)의 상기 개구부(600a)을 통과하여 상기 레티클(300)로 조사될 수 있다.
상기 블라인더(600)의 상기 개구부(600a)는 다양한 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 조영 미러 시스템(200)에 의해 상기 레티클(300)로 조사되는 극자외선은 상기 블라인더(600)의 상기 개구부(600a)에 의해 다양한 모양으로 성형될 수 있다.
상기 투사 미러 시스템(700)은 상기 레티클(300)에 의해 반사된 극자외선을 상기 웨이퍼 스테이지(800) 상에 안착된 웨이퍼(W)로 조사할 수 있다. 상기 레티클(300)에 의해 반사된 극자외선은 상기 블라인더(600)의 상기 개구부(600a)를 통과하여 상기 투사 미러 시스템(700)으로 조사될 수 있다.
상기 투사 미러 시스템(700)은 상기 레티클(300)에 의해 반사된 극자외선을 보정할 수 있다. 예를 들어, 상기 투사 미러 시스템(700)은 상기 레티클(300)에 의해 반사된 극자외선의 수차(aberration)을 보정할 수 있다.
상기 투사 미러 시스템(700)은 다수의 투사 미러들(710 ~ 760)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투사 미러 시스템(700)은 제 1 투사 미러(710), 제 2 투사 미러(720), 제 3 투사 미러(730), 제 4 투사 미러(740), 제 5 투사 미러(750) 및 제 6 투사 미러(760)을 포함할 수 있다. 상기 투사 미러들(710 ~ 760)은 각각 오목 미러 또는 볼록 미러일 수 있다.
상기 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 스테이지(800) 상에 고정될 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(800)는 수평 방향으로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 스테이지(800)에 의해 수평 방향으로 이동될 수 있다.
상기 웨이퍼 스테이지(800)의 이동은 상기 레티클 스테이지(400)의 이동과 연계될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이퍼 스테이지(800)는 상기 레티클 스테이지(400)와 동일한 방향으로 이동될 수 있다. 상기 웨이퍼 스테이지(800)의 이동 거리는 상기 레티클 스테이지(400)의 이동 거리와 비례할 수 있다.
상기 투사 미러 시스템(700)에 의해 조사되는 극자외선의 초점은 상기 웨이퍼(W) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 투사 미러 시스템(700)에 의해 조사되는 극자외선의 초점은 상기 웨이퍼(W)의 표면 상에 형성된 포토 레지스터 패턴 내에 위치할 수 있다.
도 2는 열 완화층을 포함하는 제 1 펠리클(L1)의 방사율 및 열 완화층을 포함하지 않는 제 2 펠리클(L2)의 방사율을 온도에 따라 나타낸 그래프이다. 여기서, 상기 제 1 펠리클(L1) 및 상기 제 2 펠리클(L2)은 약 50nm 두께의 실리콘으로 형성된 멤브레인을 포함할 수 있다. 상기 제 1 펠리클(L1)은 멤브레인의 양측 표면 상에 각각 약 2nm 두께의 그래핀(graphene)으로 형성된 열 완화층을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 400K 내지 1200K의 온도 범위에서 제 1 펠리클(L1)의 방사율은 제 2 펠리클(L2)의 방사율과 비교하여 매우 높은 것을 알 수 있다. 즉, 상기 제 1 펠리클(L1)은 리소그래피 공정에 사용되는 높은 에너지의 극자외선에 의한 열이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 펠리클(L1)의 멤브레인은 열 축적에 의한 변형이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 펠리클(L1)의 내구성은 상기 제 2 펠리클(L2)의 내구성보다 뛰어날 수 있다. 또한, 상기 제 1 펠리클(L1)의 수명은 상기 제 2 펠리클(L2)의 수명보다 길 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치는 열 축적에 의한 멤브레인의 변형을 방지할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클은 내구성 및 수명이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에서는 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(500)은 멤브레인(510)의 양측 표면 상에 열 완화층(530)이 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 3에 도시된 바와 같이, 열 완화층(530)이 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1)에만 위치하거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 열 완화층(530)이 멤브레인(510)의 제 2 표면(510S2)에만 위치할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(500)은 제 2 열 완화층(532) 및 제 2 캡핑막(542)이 멤브레인(510)과 프레임(520) 사이로 연장되는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 열 완화층(532) 및 제 2 캡핑막(542)이 프레임(520)의 내측에 위치할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 6에 도시된 바와 같이, 멤브레인(510)의 제 2 표면(510S2)과 직접 접촉하는 제 2 캡핑막(542)이 프레임(520)의 내측에 위치하거나, 도 7에 도시된 바와 같이, 열 완화층(530)이 프레임(520)의 내측에 위치하는 제 2 캡핑막(542)과 멤브레인(510) 사이에만 위치할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(500)은 제 2 열 완화층(532)의 측면이 제 2 캡핑막(542)의 측면과 수직 정렬하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 열 완화층(532)이 멤브레인(510)과 프레임(520) 사이로 연장되고, 제 2 캡핑막(542)이 상기 프레임(520)의 내측에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(500)은 제 1 열 완화층(531) 상에 제 1 캡핑막(541)이 위치하고, 제 2 열 완화층(532) 상에 제 2 캡핑막(542)이 위치하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 9 및 10에 도시된 바와 같이, 제 1 열 완화층(531)의 표면 및 제 2 열 완화층(532)의 표면이 외부로 노출될 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 열 완화층(531) 및 상기 제 2 열 완화층(532)은 리소그래피 공정 또는 세정 공정에 의한 손상을 방지할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열 완화층(531) 및 상기 제 2 열 완화층(532)은 수소 저항성 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(500)은 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1) 및 제 2 표면(510S2)이 열 완화층(530), 제 1 캡핑층(541) 및 제 2 캡핑층(542)에 의해 덮히는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 11 내지 14에 도시된 바와 같이, 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1) 또는 제 2 표면(510S2)이 외부로 노출될 수 있다. 이 경우, 상기 멤브레인(510)은 리소그래피 공정 또는 세정 공정에 의한 손상을 방지할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 멤브레인(510)은 수소 저항성 물질을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 도 15 및 16에 도시된 바와 같이, 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1) 상에 위치하는 열 완화층(530)의 표면이 외부에 노출되고, 상기 멤브레인(510)의 제 2 표면(510S2)이 제 2 캡핑막(542)에 의해 덮힐 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클을 나타낸 도면이다.
도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 펠리클(500)은 멤브레인(510), 프레임(520), 열 완화층(530), 제 1 캡핑막(541) 및 제 2 캡핑막(542)을 포함할 수 있다.
상기 열 완화층(530)은 상기 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1)과 상기 제 1 캡핑막(541) 사이에 위치하는 제 1 열 완화층(531) 및 상기 멤브레인(510)의 제 2 표면(510S2)과 상기 제 2 캡핑막(542) 사이에 위치하는 제 2 열 완화층(533)을 포함할 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(533)의 방사율은 상기 제 1 열 완화층(531)의 방사율과 다를 수 있다. 상기 제 1 열 완화층(531)의 방사율과 상기 제 2 열 완화층(533)의 방사율 차이는 리소그래피 공정에 사용되는 빛의 입사 방향을 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열 완화층(531)의 방사율은 상기 제 2 열 완화층(533)의 방사율보다 높을 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(533)은 상기 제 1 열 완화층(531)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 열 완화층(533)의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열 완화층(533)의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층(531)의 수직 두께보다 클 수 있다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클을 나타낸 도면이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클(508)은 제 1 멤브레인(511) 및 제 2 멤브레인(512)을 포함하는 멤브레인(510), 상기 제 2 멤브레인(512)의 표면(510S2) 상에 위치하는 프레임(520), 제 1 외측 열 완화층(534), 내측 열 완화층(535) 및 제 2 외측 열 완화층(536)을 포함하는 열 완화층(530), 상기 제 1 외측 열 완화층(534) 상에 위치하는 제 1 캡핑막(541) 및 상기 제 2 외측 열 완화층(535) 상에 위치하는 제 2 캡핑막(542)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 외측 열 완화층(534)은 상기 제 1 멤브레인(511)의 표면(510S1) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 2 외측 열 완화층(536)은 상기 제 2 멤브레인(512)의 표면(510S2) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 2 외측 열 완화층(536)의 방사율은 상기 제 1 외측 열 완화층(534)의 방사율과 동일할 수 있다. 상기 제 2 외측 열 완화층(536)은 상기 제 1 외측 열 완화층(534)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 외측 열 완화층(536)의 수직 두께는 상기 제 1 외측 열 완화층(534)의 수직 두께와 동일할 수 있다.
상기 내측 열 완화층(535)은 상기 제 1 멤브레인(511)과 상기 제 2 멤브레인(512) 사이에 위치할 수 있다. 상기 내측 열 완화층(535)의 측면은 상기 제 1 멤브레인(511)의 측면 및 상기 제 2 멤브레인(512)의 측면과 수직 정렬될 수 있다. 상기 제 1 멤브레인(511)과 상기 제 2 멤브레인(512) 사이의 공간은 상기 내측 열 완화층(535)에 의해 완전히 채워질 수 있다.
상기 내측 열 완화층(535)의 수직 두께는 상기 제 1 외측 열 완화층(534)의 수직 두께 및 상기 제 2 외측 열 완화층(536)의 수직 두께와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 열 완화층(535)의 수직 두께는 상기 제 1 외측 열 완화층(534)의 수직 두께 및 상기 제 2 외측 열 완화층(536)의 수직 두께보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 열 완화층(535)은 상기 제 1 외측 열 완화층(534) 및 상기 제 2 외측 열 완화층(536)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 내측 열 완화층(535)의 방사율은 상기 제 1 외측 열 완화층(534)의 방사율 및 상기 제 2 외측 열 완화층(536)의 방사율과 다를 수 있다.
도 19a 내지 19c는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 1b 및 19a 내지 19c를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 설명한다. 먼저, 도 19a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 프레임 기판(520p) 상에 제 2 캡핑막(542) 및 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 프레임 기판(520p) 상에 상기 제 2 캡핑막(542) 및 상기 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정은 상기 프레임 기판(520p)을 준비하는 공정, 상기 프레임 기판(520p) 상에 상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정 및 상기 제 2 캡핑막(542) 상에 상기 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정, 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 공정, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 공정, 플라즈마 증착(plasma deposition) 공정, 습식/건식 전사(wet/dry transfer) 공정, 전기 방사(electro-spinning process) 공정, 여과(filtration) 공정, 증기 여과(vapor filtration) 공정 및 스크리닝(screening) 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정은 상기 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정과 동일할 수 있다.
도 19b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 상기 제 2 열 완화층(532) 상에 멤브레인(510), 제 1 열 완화층(531) 및 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(532) 상에 상기 멤브레인(510)을 형성하는 공정, 상기 멤브레인(510) 상에 상기 제 1 열 완화층(531)을 형성하는 공정 및 상기 제 1 열 완화층(531) 상에 상기 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층(531)을 형성하는 공정은 상기 제 2 열 완화층(532)을 형성하는 공정과 동일할 수 있다. 상기 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정은 상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정과 동일할 수 있다.
도 19c를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 상기 프레임 기판(520p) 상에 마스크 패턴(900)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 마스크 패턴(900)은 상기 멤브레인(510)의 가장 자리 영역과 수직 중첩할 수 있다. 상기 멤브레인(510)의 중심 영역과 수직 중첩하는 상기 프레임 기판(520p)은 상기 마스크 패턴(900)에 의해 노출될 수 있다. 예를 들어, 상기 마스크 패턴(900)은 포토 레지스트 패턴을 포함할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 상기 제 2 캡핑막(542) 상에 프레임(520)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 프레임(520)을 형성하는 공정은 상기 마스크 패턴(900)을 식각 마스크로 상기 프레임 기판(520p)을 식각하는 공정 및 상기 마스크 패턴(900)을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 상기 프레임 기판(520p)을 식각하는 공정은 건식 식각 또는 습식 식각을 포함할 수 있다.
도 20a 내지 20c는 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 5 및 20a 내지 20c를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법을 설명한다. 먼저, 도 20a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 프레임 기판(520p)의 표면 상에 멤브레인(510)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
도 20b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 상기 멤브레인(510) 상에 프레임(520)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 프레임(520)을 형성하는 공정은 상기 프레임 기판(520p)을 식각하는 공정을 포함할 수 있다.
도 5 및 도 20c를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 펠리클의 형성 방법은 상기 멤브레인(510)의 표면(510S1, 510S2) 상에 제 1 열 완화층(531), 제 2 열 완화층(532), 제 1 캡핑막(541) 및 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층(531), 상기 제 2 열 완화층(532), 상기 제 1 캡핑막(541) 및 상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정은 상기 멤브레인(510)의 제 1 표면(510S1) 상에 제 1 열 완화층(531) 및 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정 및 상기 멤브레인(510)의 제 2 표면(510S2) 상에 제 2 열 완화층(532) 및 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 1 열 완화층(531) 및 상기 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정은 상기 제 1 열 완화층(531) 상에 상기 제 1 캡핑막(541)을 형성하는 공정 및 상기 제 1 캡핑막(541)이 형성된 상기 제 1 열 완화층(531)을 상기 멤브레인(510)의 상기 제 1 표면(510S1)에 물리적으로 부착하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제 2 열 완화층(532) 및 상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정은 상기 제 2 열 완화층(532) 상에 상기 제 2 캡핑막(542)을 형성하는 공정 및 상기 제 2 캡핑막(542)이 형성된 상기 제 2 열 완화층(532)을 상기 프레임(520)에 의해 노출된 상기 멤브레인(510)의 상기 제 2 표면(510S2)에 물리적으로 부착하는 공정을 포함할 수 있다.
도 24는 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자를 포함하는 반도체 모듈을 나타낸 도면이다.
도 24를 참조하면, 상기 반도체 모듈(1000)은 모듈 기판(1100), 마이크로프로세서(1200), 메모리들(1300) 및 입출력 단자들(1400)을 포함할 수 있다. 상기 마이크로프로세서(1200), 상기 메모리들(1300) 및 상기 입출력 단자들(1400)은 상기 모듈 기판(1100) 상에 실장될 수 있다. 상기 반도체 모듈(1000)은 메모리 카드 또는 카드 패키지를 포함할 수 있다.
상기 마이크로프로세서(1200) 및 상기 메모리들(1200)은 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시 예들에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 모듈(1000)에서는 상기 마이크로프로세서(1200) 및 상기 메모리들(1300)의 신뢰성 및 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 25는 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자를 포함하는 모바일 시스템을 나타낸 도면이다.
도 25를 참조하면, 상기 모바일 시스템(2000)은 바디 유닛(Body unit, 2100), 디스플레이 유닛(Display unit, 2200) 및 외부 장치(external apparatus, 2300)를 포함할 수 있다. 상기 바디 유닛(2100)은 마이크로 프로세서 유닛(MicroProcessor unit, 2110), 전원 공급부(Power Supply, 2120), 기능부(Function Part, 2130) 및 디스플레이 컨트롤러 유닛(Display Controller unit, 2140)을 포함할 수 있다.
상기 바디 유닛(2100)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)을 포함하는 시스템 보드 또는 마더 보드(Mother Board)일 수 있다. 상기 마이크로 프로세서 유닛(2110), 상기 전원 공급부(2120), 상기 기능부(2130) 및 상기 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140)은 상기 바디 유닛(2200) 상에 실장 또는 장착될 수 있다.
상기 마이크로 프로세서 유닛(2110)은 상기 전원 공급부(2230)으로부터 전압을 공급받아 상기 기능부(2230) 및 상기 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140)을 제어할 수 있다. 상기 전원 공급부(2120)는 외부의 전원 등으로부터 일정 전압을 공급받아 이를 다양한 전압 레벨로 분기하여 상기 마이크로 프로세서 유닛(2110), 상기 기능부(2230) 및 상기 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140) 등으로 공급할 수 있다.
상기 전원 공급부(2120)는 전원 관리 IC (Power Management IC; PMIC)를 포함할 수 있다. 상기 전원 관리 IC는 상기 마이크로 프로세서 유닛(2110), 상기 기능부(2230) 및 상기 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140) 등에 전압을 효율적으로 공급할 수 있다.
상기 기능부(2130)는 상기 모바일 시스템(2000)의 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 기능부(2130)는 다이얼링 또는 상기 외부 장치(2300)와의 교신으로 상기 디스플레이 유닛(2200)으로의 영상 출력, 스피커로의 음성 출력 등과 같은 무선 통신 기능을 수행할 수 있는 여러 구성 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기능부(2130)는 카메라의 이미지 프로세서(Image Processor) 역할을 할 수 있다.
상기 기능부(2130)는 상기 모바일 시스템(2000)이 용량 확장을 위해 메모리 카드 등과 연결되는 경우, 메모리 카드 컨트롤러 역할을 할 수 있다. 상기 기능부(2130)는 상기 모바일 시스템(2000)이 기능 확장을 위해 USB (Universal Serial Bus) 등을 더 포함하는 경우, 인터페이스 컨트롤러(Interface Controller) 역할을 할 수 있다.
상기 디스플레이 유닛(2200)은 상기 바디 유닛(2100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 유닛(2200)은 상기 바디 유닛(2100)의 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 디스플레이 유닛(2200)은 상기 바디 유닛(2100)의 상기 디스플레이 컨트롤러 유닛(2140)에 의해 프로세싱된 이미지를 구현할 수 있다.
상기 바디 유닛(2100)의 상기 마이크로 프로세서 유닛(2110) 및 상기 기능부(2130)는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시 예들에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 모바일 시스템(2000)에서는 신뢰성 및 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 26은 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템을 나타낸 도면이다.
도 26을 참조하면, 상기 전자 시스템(3000)은 메모리(memory, 3100), 마이크로프로세서(microprocessor, 3200), 램(random access memory; RAM, 3300) 및 유저 인터페이스(user interface, 3400)를 포함할 수 있다. 상기 전자 시스템(3000)은 LED 조명 장치, 냉장고, 에어컨, 산업용 절단기, 용접기, 자동차, 선박, 항공기, 인공 위성 등의 시스템일 수 있다.
상기 메모리(3100)는 상기 마이크로프로세서(3200) 부팅용 코드들, 상기 마이크로프로세서(3200)에 의해 처리된 데이터, 또는 외부 입력 데이터를 저장할 수 있다. 상기 메모리(3100)은 컨트롤러를 포함할 수 있다.
상기 마이크로프로세서(3200)는 상기 전자 시스템(3000)을 프로그램 및 컨트롤할 수 있다. 상기 램(3300)은 상기 마이크로프로세서(3200)의 동작 메모리로 사용될 수 있다.
상기 유저 인터페이스(3400)는 버스(3500)를 사용하여 데이터 통신을 수행할 수 있다. 상기 유저 인터페이스(3400)는 상기 전자 시스템(3000)으로 데이터를 입력하거나 또는 상기 전자 시스템(3000)으로부터 출력하는데 사용될 수 있다.
상기 메모리(3100), 상기 마이크로프로세서(3200) 및 상기 램(3300)은 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시 예들에 따른 펠리클을 포함하는 극자외선 리소그래피 장치에 의해 형성된 반도체 소자를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 상기 전자 시스템(3000)에서는 신뢰성 및 전기적 특성이 향상될 수 있다.
100 : EUV 광학계 200 : 조영 미러 시스템
300 : 레티클 400 : 레티클 스테이지
500 : 펠리클 510 : 멤브레인
530 : 프레임 530 : 열 완화층
531 : 제 1 열 완화층 532 : 제 2 열 완화층
541 : 제 1 캡핑막 542 : 제 2 캡핑막
600 : 블라인더 700 : 투사 미러 시스템
800 : 웨이퍼 스테이지

Claims (20)

  1. 멤브레인; 및
    상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층을 포함하되,
    상기 제 1 열 완화층의 방사율(emissivity)은 상기 멤브레인의 방사율보다 높은 펠리클.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화층은 탄소를 포함하는 펠리클.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화층은 비정질 탄소(amorphous carbon), 그래핀(graphene), 나노 그라파이트(nano graphite), 탄소 나노 시트(carbon nano-sheet), 탄소 나노 튜브(carbon nano-tube), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 보론 카바이드(BC) 중 적어도 하나를 포함하는 펠리클.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열 완화층의 수직 두께는 상기 멤브레인의 수직 두께보다 작은 펠리클.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 열 완화층을 더 포함하되,
    상기 제 2 열 완화층의 방사율은 상기 멤브레인의 방사율보다 높은 펠리클.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 열 완화층은 탄소를 포함하는 펠리클.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 열 완화층의 방사율은 상기 제 1 열 완화층의 방사율과 동일한 펠리클.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 상기 제 2 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함하되,
    상기 제 2 열 완화층은 상기 멤브레인과 상기 프레임 사이로 연장되는 펠리클.
  9. 멤브레인;
    상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층; 및
    상기 제 1 열 완화층 상에 위치하는 제 1 캡핑막을 포함하되,
    상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 멤브레인의 탄소 함유량 및 상기 제 1 캡핑막의 탄소 함유량보다 큰 펠리클.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 캡핑막의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층의 수직 두께보다 작은 펠리클.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 캡핑막을 더 포함하되,
    상기 제 2 캡핑막의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량보다 작은 펠리클.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 상기 제 2 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함하되,
    상기 제 2 캡핑막은 상기 프레임의 내측에 위치하는 펠리클.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 멤브레인과 상기 제 2 캡핑막 사이에 위치하는 제 2 열 완화층을 더 포함하되,
    상기 제 2 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 멤브레인의 탄소 함유량 및 상기 제 2 캡핑막의 탄소 함유량보다 큰 펠리클.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 열 완화층의 탄소 함유량은 상기 제 1 열 완화층의 탄소 함유량과 동일한 펠리클.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 캡핑막은 수소 저항성 물질을 포함하는 펠리클.
  16. 멤브레인; 및
    상기 멤브레인의 표면 상에 위치하는 열 완화층을 포함하되,
    상기 열 완화층의 열 복사(thermal radiation)의 세기(intensity)는 상기 멤브레인의 열 복사의 세기보다 큰 펠리클.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 열 완화층의 표면 상에 위치하는 캡핑막을 더 포함하되,
    상기 캡핑막의 탄소 함유량은 상기 열 완화층의 탄소 함유량보다 작은 펠리클.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 표면 상에 위치하는 프레임을 더 포함하되,
    상기 열 완화층은 상기 프레임의 내측에 위치하는 펠리클.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 열 완화층은 상기 멤브레인의 제 1 표면 상에 위치하는 제 1 열 완화층 및 상기 멤브레인의 상기 제 1 표면과 대향하는 제 2 표면 상에 위치하는 제 2 열 완화층을 포함하되,
    상기 제 2 열 완화층의 열 복사의 세기는 상기 제 1 열 완화층의 열 복사의 세기와 다른 펠리클.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 열 완화층의 수직 두께는 상기 제 1 열 완화층의 수직 두께와 다른 펠리클.
KR1020150066684A 2015-05-13 2015-05-13 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치 KR102366806B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150066684A KR102366806B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치
US14/993,237 US9952502B2 (en) 2015-05-13 2016-01-12 Pellicle for preventing thermal accumulation and extreme ultra-violet lithography apparatus having the same
TW105111154A TWI714571B (zh) 2015-05-13 2016-04-11 用於防止熱積累的防塵薄膜
CN201610290516.3A CN106154766B (zh) 2015-05-13 2016-05-04 用于防止热积累的保护膜和具有其的极紫外线光刻装置
US15/919,653 US10274820B2 (en) 2015-05-13 2018-03-13 Pellicle for preventing thermal accumulation and extreme ultra-violet lithography apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150066684A KR102366806B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160133751A true KR20160133751A (ko) 2016-11-23
KR102366806B1 KR102366806B1 (ko) 2022-02-23

Family

ID=57276071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150066684A KR102366806B1 (ko) 2015-05-13 2015-05-13 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9952502B2 (ko)
KR (1) KR102366806B1 (ko)
CN (1) CN106154766B (ko)
TW (1) TWI714571B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180103505A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클과 이를 포함하는 레티클 및 리소그래피용 노광 장치
KR20180103775A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법
KR20190053706A (ko) * 2017-11-10 2019-05-20 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클
US10859901B2 (en) 2017-11-10 2020-12-08 S&S Tech Co., Ltd. Pellicle for EUV lithography and method of fabricating the same
KR20210030621A (ko) * 2019-09-10 2021-03-18 주식회사 에프에스티 탄화규소 층을 포함하는 극자외선용 펠리클의 제조방법
KR20210048152A (ko) * 2019-10-23 2021-05-03 주식회사 에프에스티 일체화된 프레임과 멤브레인을 포함하는 펠리클의 제조방법
KR102375433B1 (ko) * 2020-12-02 2022-03-18 한국전자기술연구원 3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10162258B2 (en) * 2016-12-15 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle fabrication methods and structures thereof
KR102310124B1 (ko) 2017-03-28 2021-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
EP3404487B1 (en) * 2017-05-15 2021-12-01 IMEC vzw Method for forming a carbon nanotube pellicle membrane
US10996556B2 (en) 2017-07-31 2021-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Pellicles for photomasks, reticles including the photomasks, and methods of manufacturing the pellicles
JP6787851B2 (ja) 2017-08-08 2020-11-18 エア・ウォーター株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
JP7019472B2 (ja) * 2018-03-22 2022-02-15 三井化学株式会社 カーボンナノチューブ自立膜の製造方法、およびペリクルの製造方法
JP7213249B2 (ja) * 2018-07-06 2023-01-26 株式会社カネカ ペリクル複合体及びその製造方法
US11016383B2 (en) 2018-08-31 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pellicle for an EUV lithography mask and a method of manufacturing thereof
EP3674797B1 (en) 2018-12-28 2021-05-05 IMEC vzw An euvl scanner
EP3842861A1 (en) 2019-12-23 2021-06-30 Imec VZW A method for forming an euvl pellicle

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080152873A1 (en) * 2006-12-26 2008-06-26 Advanced Micro Devices, Inc. EUV pellicle and method for fabricating semiconductor dies using same
KR20090039653A (ko) * 2007-10-18 2009-04-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클 및 펠리클의 제조 방법
KR20130132383A (ko) * 2010-06-25 2013-12-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
WO2014188710A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022258A2 (en) * 2003-08-25 2005-03-10 Toppan Photomasks, Inc. Photomask and method for maintaining optical properties of the same
US7666555B2 (en) 2006-12-29 2010-02-23 Intel Corporation Pellicle, methods of fabrication and methods of use for extreme ultraviolet lithography
US8018578B2 (en) 2007-04-19 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090075179A1 (en) * 2007-09-18 2009-03-19 Erdem Ultanir Extreme ultraviolet (euv) mask protection against inspection laser damage
JP4921417B2 (ja) 2007-12-21 2012-04-25 三井化学株式会社 ペリクル
JP5663507B2 (ja) * 2012-02-16 2015-02-04 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法
US20130250260A1 (en) 2012-03-23 2013-09-26 Globalfoundries Inc. Pellicles for use during euv photolithography processes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080152873A1 (en) * 2006-12-26 2008-06-26 Advanced Micro Devices, Inc. EUV pellicle and method for fabricating semiconductor dies using same
US7767985B2 (en) * 2006-12-26 2010-08-03 Globalfoundries Inc. EUV pellicle and method for fabricating semiconductor dies using same
KR20090039653A (ko) * 2007-10-18 2009-04-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클 및 펠리클의 제조 방법
KR20130132383A (ko) * 2010-06-25 2013-12-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
WO2014188710A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180103505A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클과 이를 포함하는 레티클 및 리소그래피용 노광 장치
KR20180103775A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법
US10768523B2 (en) 2017-03-10 2020-09-08 S&S Tech Co., Ltd. Pellicle for EUV lithography and method of fabricating the same
KR20190053706A (ko) * 2017-11-10 2019-05-20 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클
US10859901B2 (en) 2017-11-10 2020-12-08 S&S Tech Co., Ltd. Pellicle for EUV lithography and method of fabricating the same
KR20210030621A (ko) * 2019-09-10 2021-03-18 주식회사 에프에스티 탄화규소 층을 포함하는 극자외선용 펠리클의 제조방법
KR20210048152A (ko) * 2019-10-23 2021-05-03 주식회사 에프에스티 일체화된 프레임과 멤브레인을 포함하는 펠리클의 제조방법
KR102375433B1 (ko) * 2020-12-02 2022-03-18 한국전자기술연구원 3성분계의 코어층을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클

Also Published As

Publication number Publication date
CN106154766B (zh) 2019-12-17
US20160334698A1 (en) 2016-11-17
US20180203346A1 (en) 2018-07-19
TWI714571B (zh) 2021-01-01
US9952502B2 (en) 2018-04-24
US10274820B2 (en) 2019-04-30
CN106154766A (zh) 2016-11-23
KR102366806B1 (ko) 2022-02-23
TW201639700A (zh) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102366806B1 (ko) 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치
US11294274B2 (en) Pellicle assembly and method for advanced lithography
US9709884B2 (en) EUV mask and manufacturing method by using the same
CN107850831B (zh) 用于制造隔膜组件的方法
US10831094B2 (en) Pellicle for EUV mask and fabrication thereof
TWI756845B (zh) 護膜、半導體裝置及其製造方法
US9547232B2 (en) Pellicle with aerogel support frame
US20210389665A1 (en) Method for forming structure of pellicle-mask structure with vent structure
JP2015122480A (ja) 反射光学素子
KR102502727B1 (ko) 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치
KR20190034625A (ko) 멤브레인 조립체 및 입자 트랩
CN112305854A (zh) 微影装置、安装光罩保护膜的方法及晶圆的制造方法
KR102467650B1 (ko) 진공 시스템에서 전자층을 이용한 입자 이동 차단 장치 및 리소그래피 장치
CN112748635A (zh) 护膜、半导体装置及其制造方法
TW202407457A (zh) 用於極紫外線掃描儀之關聯倍縮光罩的表皮總成

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)