KR102502727B1 - 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치를 개시한다. 레티클은 마스크 기판과 상기 마스크 기판 상의 마스크 패턴들을 구비하는 마스크 유닛과, 상기 마스크 기판의 가장자리에 결합되는 에지 커버 유닛을 포함한다. 상기 에지 커버 유닛은 상기 마스크 유닛으로부터 이격하여 배치되고, 상기 마스크 기판의 측벽에서부터 상기 마스크 패턴들의 상부까지 연장하는 플로팅 커버 부를 포함한다.

Description

레티클 및 그를 포함하는 노광 장치{reticle and exposure apparatus including the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조 설비에 관한 것으로, 상세하게는 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치에 관한 것이다.
정보 기술이 발달함에 따라 고집적 반도체 소자들의 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다. 반도체 소자들의 집적도는 리소그래피 공정의 광원의 파장에 의해 거의 결정될 수 있다. 광원은 I-line, G-line, KrF, 및 ArF와 같은 엑시머 레이저 광원과, EUV 광원을 포함할 수 있다. 그 중에 EUV 광원은 엑시머 레이저 광원의 파장보다 훨씬 작은 파장을 가질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 파티클 오염을 최소화시킬 수 있는 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 레티클을 개시한다. 레티클은, 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상의 마스크 패턴들을 포함하는 마스크 유닛; 및 상기 마스크 기판의 가장자리에 결합되는 에지 커버 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 에지 커버 유닛은 상기 마스크 패턴들로부터 이격하여 배치되고, 상기 마스크 기판의 측벽에서부터 상기 마스크 패턴들의 상부까지 연장하는 플로팅 커버 부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 노광 장치는, 빔을 생성하는 광원 부; 상기 빔에 노출되는 기판을 수납하는 스테이지; 및 상기 스테이지와 상기 광원 부 사이에 배치되고, 상기 기판에 형성될 이미지에 따라 상기 빔을 투영하는 레티클을 포함한다. 여기서, 상기 레티클은: 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상의 마스크 패턴들을 포함하는 마스크 유닛; 및 상기 마스크 기판의 가장자리에 결합되는 에지 커버 유닛을 포함한다. 상기 에지 커버 유닛은 상기 마스크 유닛으로부터 이격하여 배치되고, 상기 마스크 기판의 측벽에서부터 상기 마스크 패턴들의 상부까지 연장하는 플로팅 커버 부를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 노광 장치는, 펌프 광을 생성하는 펌프 광 소스; 상기 펌프 광으로부터 EUV 플라즈마를 생성하는 조명 부; 상기 EUV빔을 기판에 투영하는 투영 부를 포함한다. 여기서, 상기 투영 부는: 기판을 수납하는 스테이지; 상기 EUV 플라즈마를 상기 기판에 형성될 이미지에 따라 상기 기판에 전사하는 레티클을 포함할 수 있다. 상기 레티클은: 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상의 마스크 패턴들을 포함하는 마스크 유닛; 및 상기 마스크 기판의 가장자리에 결합되는 에지 커버 유닛을 포함한다. 상기 에지 커버 유닛은 상기 마스크 유닛으로부터 이격하여 배치되고, 상기 마스크 기판의 측벽에서부터 상기 마스크 패턴들의 상부까지 연장하는 플로팅 커버 부를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 레티클은 마스크 기판의 가장자리에 결합되어 에어 홀을 제공하는 에지 커버 유닛을 포함한다. 에어 홀은 마스크 기판의 마스크 패턴들 상으로 에어를 제공할 수 있다. 에어는 마스크 기판 및 마스크 패턴들 상에서의 파티클 오염을 방지할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 개념 예에 따른 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 레티클과 정전 척의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 4은 도 2의 레티클과 정전 척의 분리 사시도이다.
도 5는 도 1의 레티클과 정전 척의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 5의 레티클과 정전 척의 분리 사시도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
반도체 소자는 복수의 단위 공정들을 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들 각각은 리소그래피 공정, 박막 형성 공정, 식각 공정, 이온주입 공정 및/또는 세정 공정의 서브 단위 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 리소그래피 공정은 기판 상에 마스크 막을 형성하는 공정이다. 기판은 웨이퍼일 수 있다. 마스크 막은 포토레지스트 패턴일 수 있다. 리소그래피 공정은 포토레지스트 도포 공정, 베이크 공정, 노광 공정, 노광 후 베이크 공정, 및 현상 공정을 포함할 수 있다.
포토레지스트 도포 공정은 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 공정이다. 베이크 공정 및 노광 후 베이크 공정은 도포된 포토레지스트를 경화하는 공정이다. 노광 공정은 레티클의 마스크 패턴들을 광으로 포토레지스트에 전사하는 공정이다. 레티클은 노광 공정 중에 에어에 의해 파티클의 오염으로부터 보호될 수 있다. 현상 공정은 노광된 포토레지스트를 현상하여 마스크 패턴에 대응되는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 노광 장치(200)의 일 예를 보여 준다. 노광 장치(200)는 노광 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 따르면, 노광 장치(200)는 EUV 노광기를 포함할 수 있다. 노광 장치(200)는 펌프 광 소스(pumping light source, 210), 조명 부(illumination part, 220), 투영 부(projection part, 230), 및 에어 공급 부(290)를 포함할 수 있다.
펌프 광 소스(210)는 펌프 광(212)을 생성할 수 있다. 펌프 광 소스(210)는 조명 부(220)에 펌프 광(212)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 펌프 광(212)은 레이저 빔을 포함할 수 있다. 펌프 광(212)은 약 400nm 내지 800nm의 단일 파장을 가질 수 있다.
조명 부(220)는 EUV 플라즈마(204)를 생성할 수 있다. EUV 플라즈마(204)는 EUV 소스(202)로부터 생성될 수 있다. EUV 플라즈마(204)는 EUV 광 또는 EUV 레이저 빔으로 칭하여 질 수 있다. EUV 플라즈마(204)는 투영 부(230)에서 기판(W)으로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 조명 부(220)는 소스 하우징(222), 콜렉터 미러(224), 패싯 필드 미러(226), 및 패싯 퓨필(pupil) 미러(228)를 포함할 수 있다. 소스 하우징(222)은 콜렉터 미러(224), 패싯 필드 미러(226), 패싯 퓨필 미러(228) 및 소스 차단 부(229)를 둘러쌀 수 있다. EUV 소스(202)는 소스 하우징(222) 내에 충진될 수 있다. 펌프 광(212)은 소스 하우징(222) 및 콜렉터 미러(224)를 투과할 수 있다. EUV 소스(202)는 펌프 광(212)에 의해 여기될 수 있다. EUV 소스(202)는 EUV 플라즈마(204)를 생성할 수 있다. 일 예에 따르면, EUV 소스(202)는 플라즈마 상태의 주석(Sn), 제논(Xe) 가스, 티타늄(Ti), 또는 리튬(Li) 증기를 포함할 수 있다. 주석의 EUV 소스(202)는 약 13.5nm 파장의 EUV 플라즈마(204)를 생성할 수 있다. 콜렉터 미러(224)는 EUV 플라즈마(204)를 패싯 필드 미러(226)에 반사할 수 있다. EUV 플라즈마(204)는 패싯 필드 미러(226)에 집속(focused)될 수 있다. 패싯 필드 미러(226)는 EUV 플라즈마(204)를 패싯 퓨필 미러(228)에 반사할 수 있다. 패싯 필드 미러(226)는 평판 미러를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러(226)와 패싯 퓨필 미러(228)사이의 EUV 플라즈마(204)는 평행하게 진행할 수 있다. 패싯 퓨필 미러(228)는 오목 미러를 포함할 수 있다. 패싯 퓨필 미러(228)는 EUV 플라즈마(204)를 투영 부(230)에 집속할 수 있다. EUV 플라즈마(204)는 소스 하우징(222)을 투과할 수 있다.
투영 부(230)는 EUV 플라즈마(204)를 기판(W)에 투영할 수 있다. 일 예에 따르면, 투영 부 (230)는 챔버(232), 집광 미러(234), 레티클(240), 정전 척(270), 스테이지(280), 및 에어 공급 부(290)를 포함할 수 있다. 챔버(232)는 소스 하우징(222)에 결합될 수 있다. 이와 달리, 챔버(232)는 소스 하우징(222)으로부터 분리될 수 있다. 챔버(232)는 집광 미러(234), 레티클(240), 정전 척(270) 및 스테이지(280)를 둘러쌀 수 있다. 챔버(232)는 파티클로부터의 집광 미러(234), 레티클(240), 정전 척(270) 및 스테이지(280)의 오염을 방지할 수 있다. 집광 미러(234)는 챔버(232) 내의 하부에 배치될 수 있다. 집광 미러(234)는 EUV 플라즈마(204)를 레티클(240)에 반사할 수 있다. 레티클(240)은 챔버(232) 내의 상부에 배치될 수 있다. 레티클(240)은 이미지 패턴들(도 9의 257)을 기판(W)으로 투영시킬 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 기판(W)에 전사될 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 타깃 패턴보다 클 수 있다. 예를 들어, 이미지 패턴들(257)은 타깃 패턴보다 약 4배 이상의 크기를 가질 수 있다. 정전 척(270)은 레티클(240)을 챔버(232) 내의 상부에 고정할 수 있다. 정전 척(270)은 레티클(240)을 존슨-라벡 효과의 정전기력으로 고정할 수 있다. 스테이지(280)는 챔버(232) 내의 하부에 배치될 수 있다. 스테이지(280)는 기판(W)을 수납할 수 있다.
에어 공급 부(290)는 투영 부(230)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 에어 공급 부(290)는 챔버(232) 내의 정전 척(270)에 연결될 수 있다. 에어 공급 부(290)는 정전 척(270)을 통해 레티클(240)에 에어(10)를 공급할 수 있다. 에어(10)는 레티클(240)의 파티클 오염을 방지할 수 있다.
도 2는 도 1의 레티클(240)과 정전 척(270)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 2의 레티클(240)과 정전 척(270)의 분리 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 레티클(240)은 정전 척(270) 상에 배치될 수 있다. 이와 달리, 레티클(240)은 정전 척(270)의 아래에 고정될 수 있다. 예를 들어, 레티클(240)과 정전 척(270)은 정사각형 모양을 가질 수 있다. 정전 척(270)은 레티클(240)보다 클 수 있다. 일 예에 따르면, 레티클(240)은 마스크 유닛(250)과 에지 커버 유닛들(260)을 포함할 수 있다.
마스크 유닛(250)은 정전 척(270)의 중심 상에 배치될 수 있다. 마스크 유닛(250)은 약 152.4mm 길이의 한 변을 갖는 정사각형 모양을 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 마스크 유닛(250)은 마스크 기판(252), 금속 층(254), 반사 층(256), 및 마스크 패턴들(258)을 포함할 수 있다. 마스크 기판(252)은 로우 열팽창 물질(low Thermal Expansion Material: LTEM)을 포함할 수 있다. 금속 층(254)은 마스크 기판(252)의 아래에 배치될 수 있다. 척 전극(274)에 양의 전압이 인가되면 금속 층(254)은 음의 전하로 대전될 수 있다. 이와 달리, 척 전극(274)에 음의 전압이 인가되면 금속 층(254)은 양의 전하로 대전될 수 있다. 반사 층(256)은 마스크 기판(252) 상에 배치될 수 있다. 반사 층(256)은 EUV 플라즈마(204)를 반사할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 반사 층(256)은 몰리브덴 층들과 실리콘 층들을 포함할 수 있다. 몰리브덴 층들과 실리콘 층들은 교번하여 배치될 수 있다. 몰리브덴 층들과 실리콘 층들 각각은 EUV 플라즈마(204)의 파장의 절반과 동일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴 층들과 실리콘 층들 각각은 약 7nm 정도의 두께를 가질 수 있다. 마스크 패턴들(258)은 반사 층(256) 상에 배치될 수 있다. 마스크 패턴들(258)은 EUV 플라즈마(204)를 흡수할 수 있다. 일 예에 따르면, 마스크 패턴들(258)은 이미지 패턴들(257)과 블랙 패턴들(259)을 포함할 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 마스크 기판(252)의 중심 상에 배치될 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 기판(W)에 전사될 패턴들일 수 있다. 블랙 패턴들(259)은 마스크 기판(252)의 가장자리 상에 배치될 수 있다.
일 예에 따르면, 마스크 기판(252)은 이미지 영역(251)과 블랙 영역(253)을 포함할 수 있다. 이미지 영역(251)은 마스크 유닛(250)의 중심에 배치될 수 있다. 이미지 영역(251)은 EUV 플라즈마(204)를 투영하는 영역일 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 이미지 영역(251) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 이미지 영역(251)은 약 101.6mm 길이의 한 변을 갖는 정사각형 모양을 가질 수 있다.
블랙 영역(253)은 이미지 영역(251)의 외곽에 배치될 수 있다. 블랙 영역(253)은 EUV 플라즈마(204)를 흡수하는 영역일 수 있다. 블랙 패턴들(259)은 블랙 영역(253) 상에 배치될 수 있다. 블랙 영역(253)은 약 25.4mm 폭의 사각 링 모양을 가질 수 있다.
에지 커버 유닛들(260)은 마스크 유닛(250)의 서로 마주보는 양측 가장자리들에 배치될 수 있다. 에지 커버 유닛들(260)은 블랙 영역(253) 상에 배치될 수 있다. 에지 커버 유닛들(260) 각각은 고정 커버 부들(262)과 플로팅 커버 부(264)를 포함할 수 있다. 고정 커버 부들(262)은 마스크 유닛(250)의 양측 모서리들 상에 배치될 수 있다. 플로팅 커버 부(264) 각각은 고정 커버 부들(262) 사이에 연결될 수 있다. 플로팅 커버 부들(264)은 제 1 에어 홀들(255)을 각각 가질 수 있다. 플로팅 커버 부들(264) 및 제 1 에어 홀들(255)은 이미지 영역(251)에 정렬될 수 있다. 플로팅 커버 부들(264)의 길이와 제 1 에어 홀들(255)의 길이는 동일할 수 있다. 예를 들어, 플로팅 커버 부들(264)의 길이는 이미지 영역(251)의 한 변의 길이와 동일할 수 있다. 즉, 플로팅 커버 부들(264) 각각은 152.4mm의 길이를 가질 수 있다.
정전 척(270)은 제 2 에어 홀들(278)을 가질 수 있다. 제 1 에어 홀들(255)은 제 2 에어 홀들(278) 상에 정렬될 수 있다. 제 2 에어 홀(278)은 제 1 에어 홀(255)보다 작을 수 있다. 이와 달리, 제 2 에어 홀(278)은 제 1 에어 홀(255)의 크기와 동일할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 정전 척(270)은 플레이트(272), 척 전극(274), 및 벌들(burls, 276)을 포함할 수 있다. 플레이트(272)는 절연체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 플레이트(272)는 세라믹 및/또는 유전체를 포함할 수 있다. 척 전극(274)은 플레이트(272) 내에 배치될 수 있다. 척 전극(274)은 마스크 유닛(250)과 동일한 크기를 가질 수 있다. 벌들(276)은 플레이트(272) 상에 섬 모양으로 배치될 수 있다. 벌들(276)은 플레이트(272)와 마스크 기판(252) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 에어 홀(278)은 플레이트(272)의 측벽에서부터, 벌들(276)에 인접하는 플레이트(272)의 상부 면으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 제 2 에어 홀(278)은 플레이트(272)의 하부 면에서부터 상부 면으로 연결될 수도 있다.
정 전압이 척 전극(274)에 인가되면, 마스크 기판(252)은 벌들(276) 상에 고정될 수 있다. 제 2 에어 홀(278)과 제 1 에어 홀(255)은 벌들(276)의 높이만큼 이격될 수 있다. 에어(10)가 제 2 에어 홀들(278)로 제공되면, 제 1 에어 홀들(255)로 전달될 수 있다. 이와 달리, 제 2 에어 홀(278)과 제 1 에어 홀(255) 사이의 에어(10)는 플레이트(272)와 마스크 유닛(250) 사이로 제공될 수 있다. 에어(10)는 마스크 유닛(250)을 냉각시킬 수 있다. 마스크 유닛(250)은 EUV 플라즈마(204)를 반사시킬 수 있다. 마스크 유닛(250)은 EUV 플라즈마(204)에 의해 가열될 수 있다. 마스크 유닛(250)은 약 20% 이상의 EUV 플라즈마(204)를 흡수하여 고온으로 가열되기 때문이다.
일 예에 따르면, 마스크 유닛(250)은 마스크 기판(252), 금속 층(254), 반사 층(256), 및 마스크 패턴들(258)을 포함할 수 있다. 마스크 기판(252)은 로우 열팽창 물질(low Thermal Expansion Material: LTEM)을 포함할 수 있다. 금속 층(254)은 마스크 기판(252)의 아래에 배치될 수 있다. 척 전극(274)에 양의 전압이 인가되면 금속 층(254)은 음의 전하로 대전될 수 있다. 이와 달리, 척 전극(274)에 음의 전압이 인가되면 금속 층(254)은 양의 전하로 대전될 수 있다. 반사 층(256)은 마스크 기판(252) 상에 배치될 수 있다. 반사 층(256)은 EUV 플라즈마(204)를 반사할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 반사 층(256)은 몰리브덴 층들과 실리콘 층들을 포함할 수 있다. 몰리브덴 층들과 실리콘 층들은 교번하여 배치될 수 있다. 몰리브덴 층들과 실리콘 층들 각각은 EUV 플라즈마(204)의 파장의 절반과 동일한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 몰리브덴 층들과 실리콘 층들 각각은 약 7nm 정도의 두께를 가질 수 있다. 마스크 패턴들(258)은 반사 층(256) 상에 배치될 수 있다. 마스크 패턴들(258)은 EUV 플라즈마(204)를 흡수할 수 있다. 일 예에 따르면, 마스크 패턴들(258)은 이미지 패턴들(257)과 블랙 패턴들(259)을 포함할 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 마스크 기판(252)의 중심 상에 배치될 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 이미지 영역(251) 상에 배치될 수 있다. 이미지 패턴들(257)은 기판(W)에 전사될 패턴들일 수 있다. 블랙 패턴들(259)은 마스크 기판(252)의 가장자리 상에 배치될 수 있다. 블랙 패턴들(259)은 블랙 영역(253) 상에 배치될 수 있다.
고정 커버 부들(262)은 마스크 기판(252)의 측벽들에 고정될 수 있다. 고정 커버 부들(262)은 블랙 패턴들(259) 상에 고정될 수 있다. 이와 달리, 고정 커버 부들(262)은 마스크 기판(252)의 상부 면 상에 고정될 수 있다.
플로팅 커버 부들(264)은 블랙 패턴들(259) 상에 배치될 수 있다. 제 1 에어 홀들(255)은 플로팅 커버 부들(264)과 마스크 유닛(250) 사이에 형성될 수 있다. 제 1 에어 홀들(255)은 서로 마주보게 배치될 수 있다. 에어(10)는 제 1 에어 홀들(255)을 통해 이미지 영역(251)의 중심 방향으로 제공될 수 있다. 에어(10)는 이미지 패턴들(257)과 반사 층(256) 상으로 제공될 수 있다. 따라서, 에어(10)는 이미지 패턴들(257) 및 반사 층(256)의 파티클 오염을 방지할 수 있다.
플로팅 커버 부들(264)은 에어(10)를 블랙 패턴들(259) 상으로 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 플로팅 커버 부들(264)은 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들(263, 265)을 각각 포함할 수 있다. 제 1 플로팅 커버 부들(263)은 마스크 기판(252)의 측벽 상에 배치될 수 있다. 제 2 플로팅 커버 부들(265)은 제 1 플로팅 커버 부들(263) 상에 연결될 수 있다. 제 2 플로팅 커버 부들(265)은 블랙 패턴들(259) 상에 배치될 수 있다. 제 2 플로팅 커버 부들(265)은 마스크 기판(252)의 측벽에서부터 이미지 영역(251) 이하로 연장할 수 있다.
도 5는 도 1의 레티클(240)과 정전 척(270)의 일 예를 보여준다. 레티클(240)의 에지 커버 유닛들(260)은 플로팅 커버 부들(264), 컬럼들(266), 및 사이드 블록들(268)을 포함할 수 있다. 플로팅 커버 부들(264) 마스크 유닛(250) 및 정전 척(270)의 양측 가장자리들 상에 배치될 수 있다. 이미지 영역(251)은 플로팅 커버 부들(264) 사이에 배치될 수 있다. 플로팅 커버 부들(264)과 이미지 영역(251)은 동일한 길이로 정렬될 수 있다. 컬럼들(266)은 플로팅 커버 부들(264) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬럼들(266)은 플로팅 커버 부들(264)과 마스크 유닛(250) 사이에 배치될 수 있다. 사이드 블록들(268)은 플로팅 커버 부들(264) 각각의 양측 가장자리들에 연결될 수 있다. 제 1 에어 홀(255)은 사이드 블록들(268) 사이에 배치될 수 있다.
정전 척(270)은 도 8과 동일하게 구성될 수 있다.
도 6은 도 5의 II-II' 선상을 절취하여 보여준다. 플로팅 커버 부들(264) 각각은 제 1 플로팅 커버 부(263)와 제 2 플로팅 커버 부(265)를 포함할 수 있다. 제 1 플로팅 커버 부(263)는 마스크 기판(252)의 측벽 상에 배치될 수 있다. 제 2 플로팅 커버 부(265)는 제 1 플로팅 커버 부(263)에 연결될 수 있다. 제 2 플로팅 커버 부(265)는 블랙 패턴들(259) 상에 배치될 수 있다.
컬럼들(266)은 플로팅 커버 부(264)와 마스크 기판(252) 사이에 배치될 수 있다. 컬럼들(266)은 제 1 에어 홀들(255) 내에 배치될 수 있다. 컬럼들(266)은 플로팅 커버 부(264)를 마스크 기판(252) 상에 고정할 수 있다. 일 예에 따르면, 컬럼들(266)은 제 1 컬럼들(267)과 제 2 컬럼들(269)을 포함할 수 있다. 제 1 컬럼들(267)은 제 1 플로팅 커버 부(263)와 마스크 기판(252)의 측벽 사이에 배치될 수 있다. 제 2 컬럼들(269)은 제 2 플로팅 커버 부(265)와 마스크 기판(252)의 상부 면 사이에 배치될 수 있다.
레티클(240)의 마스크 유닛(250)과, 정전 척(270)은 도 9와 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 7은 도 5의 레티클(240)과 정전 척(270)을 보여주는 사시도이다.
도 7을 참조하면, 사이드 블록들(268)은 플로팅 커버 부들(264)의 양측 가장자리들에 배치될 수 있다. 제 2 컬럼들(269)은 사이드 블록들(268) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 에어 홀들(255)은 마스크 유닛(250), 플로팅 커버 부들(264), 및 사이드 블록들(268)에 의해 정의될 수 있다.
마스크 유닛(250)과 정전 척(270)은 도 10과 동일한 구성을 가질 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 마스크 기판과, 상기 마스크 기판의 중심 상의 마스크 패턴들을 포함하는 마스크 유닛; 및
    상기 마스크 기판의 서로 마주보는 가장자리들에 결합되는 제 1 에지 커버 유닛 및 제 2 에지 커버 유닛을 포함하되,
    상기 제 1 에지 커버 유닛 및 제 2 에지 커버 유닛은 상기 마스크 유닛으로부터 이격하여 상기 마스크 기판의 측벽에서부터 상기 마스크 패턴들의 상부까지 연장하는 제 1 플로팅 커버 부 및 제 2 플로팅 커버 부를 각각 포함하되,
    상기 제 1 플로팅 커버 부 및 상기 제 2 플로팅 커버 부는 제 1 및 제 2 에어 홀들을 갖도록 상기 마스크 기판으로부터 분리되고 상기 마스크 기판의 서로 마주보는 가장자리들 상의 서로 마주하는 측벽들로부터 연장하되,
    상기 제 1 에어 홀은 상기 마스크 기판의 일측 가장자리와 상기 제 1 플로팅 커버 부 사이에 제공되고,
    상기 제 2 에어 홀은 상기 마스크 기판의 타측 가장자리와 상기 제 2 플로팅 커버 부 사이에 제공되고,
    상기 마스크 패턴들은 상기 제 1 에어 홀들과 상기 제 2 에어 홀들 사이에 제공되고,
    상기 제 1 플로팅 커버 부와 상기 제 2 플로팅 커버 부는 상기 마스크 기판의 중심 영역 상의 상기 마스크 패턴들을 노출하는 레티클.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 에지 커버 유닛들은 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들 각각의 양측 가장자리들에 연결되고, 상기 마스크 기판의 양측 가장자리들에 고정되는 제 1 및 제 2 고정 커버 부들을 각각 더 포함하는 레티클.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 기판은:
    이미지 영역; 및
    상기 이미지 영역을 둘러싸는 블랙 영역을 포함하되,
    상기 이미지 영역은 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들과 정렬되는 레티클.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 에지 커버 유닛들은 상기 블랙 영역 상에 배치되는 레티클.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 에지 커버 유닛들은 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들과 상기 마스크 기판 사이에 배치되고, 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들을 상기 마스크 기판에 고정하는 컬럼들을 더 포함하는 레티클.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 컬럼들은:
    상기 마스크 기판의 측벽들과 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들 사이에 배치되는 제 1 컬럼; 및
    상기 마스크 기판의 상부 면과 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들 사이에 배치되는 제 2 컬럼을 포함하는 레티클.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 마스크 기판은:
    이미지 영역; 및
    상기 이미지 영역을 둘러싸는 블랙 영역을 포함하되,
    상기 제 2 컬럼은 상기 블랙 영역 상에 배치되는 레티클.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 에지 커버 유닛들은 상기 제 1 및 제 2 플로팅 커버 부들 각각의 양측 가장자리들에 배치되는 사이드 블록들을 더 포함하되,
    상기 컬럼들은 상기 사이드 블록들 사이에 배치되는 레티클.
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