CN109752920A - Euv掩模流动中的薄膜置换 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及EUV掩模流动中的薄膜置换，揭示一种具有第一薄膜附着的光学掩膜。该光学掩膜使用电磁辐射的第一波长以及就位的该第一薄膜予以检查。用第二薄膜置换该第一薄膜。该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过。使用具有就位的该第二薄膜暴露光阻。用该第一薄膜置换该第二薄膜。该光学掩膜再次使用电磁辐射的该第一波长与就位的该第一薄膜予以检查。
Description
技术领域
本发明涉及光刻中使用的光学掩膜，更具体而言，涉及极紫外(EUV)掩模上的薄膜使用。
背景技术
多层集成电路(IC)设备一般是逐层形成的。导电体、绝缘体、或半导体可以通过图案化植入工艺、图案化沉积工艺、图案化材料移除工艺等形成在这些层内。这种图案化工艺通常使用光刻掩膜来实现所需的图案。
在一实施例中，当在光刻工艺中图案化材料时，待图案化的材料可以通过任何已知的方法生长或沉积，并且一图案化层(例如一有机光阻剂)可形成于该材料的上方。该图案化层(阻剂)可以暴露于使用光学掩膜以曝光图案提供的某种图案的光辐射(例如，图案化曝光，激光曝光等)中，然后使用化学试剂显影该阻剂。此工艺改变了暴露于光的阻剂的部分的物理特性。然后，可以将阻剂的一部分冲洗掉，留下阻剂的其他部分以保护待图案化的材料(阻剂的哪一部分被冲洗掉取决于该阻剂是否为负性阻剂(照明部分保留)或正性阻剂(照明部分被冲洗掉))。然后执行一材料移除工艺(例如，湿蚀刻、各向异性蚀刻(取向相关蚀刻)、等离子蚀刻(反应离子蚀刻(RIE)))以移除低于该阻剂的材料的未受保护部分。该阻剂随后被移除以根据该光曝光图案(或其负影像)留下图案化的底层材料。
例如，一光化辐射是能够在光阻中产生光化学反应的电磁辐射，且该光化辐射可以是紫外线；X射线；低压汞灯光束的i线，h线或g线；氙灯光束；深UV光束，如KrF,ArF或F2准分子激光束；一同步加速器轨道辐射光束(SOR)；一电子光束(EB)；γ射线；一离子束，等。
随着特征尺寸的额减小，该光学掩膜的技术得到改善。例如，一些光学掩膜具有允许光在一特定图案中穿过的透明区域，以及其他掩膜，例如极紫外(EUV)掩膜使用具有通过将该EUV掩膜反射入明暗区的所需图案中以改变光的图案化元件的反射掩膜而实现显着的尺寸减小。
这样的光学掩膜使用保护膜(通常被称为薄膜)以保护该光学掩膜不受损伤。虽然薄膜可以透明或留在透明光学掩膜的位置，但在曝光、检查等期间，利用反射掩膜(例如EUV掩膜)，该薄膜通常被移除，这会使得当该薄膜不到位时，该反射掩膜极易受到损坏。
发明内容
本文中的各种方法接收或制造极紫外(EUV)掩膜。EUV掩膜具有反射光学特性，并且能够以非常小的波长光(例如比15纳米短)操作以图案化该光阻中非常小的特征。这些方法使用薄膜框(钉)将第一薄膜安装于该EUV掩膜上，或接收具有已安装有该第一薄膜的该EUV掩膜。该第一薄膜通常在该EUV掩膜离开该掩膜室之前被安装，且该EUV掩膜与该就位的第一薄膜一起被传输。该第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过。
这些方法在曝光之前使用第二薄膜置换该第一薄膜。该第二薄膜使用该薄膜框而连接至该EUV掩膜。这种方法使用具有就位的该第二薄膜的该EUV掩膜将光阻暴露于光的EUV波长中。当该掩膜的制造在掩膜室中执行时，该曝光工艺在晶片制造区域中执行。在该曝光工艺完成之后，这些方法使用该第一薄膜置换该第二薄膜。
该第二薄膜允许电磁辐射的EUV波长(例如，比15纳米短)通过。为了允许如此短波长的光通过，该第二薄膜通常为硅(例如多晶硅)、碳纳米管或正在开发的任何其他类似的材料；相比之下，该第一薄膜通常是较厚、较强的有机聚合物。因此，该第二薄膜是具有小于该第一薄膜的该膜体的该厚度(例如300纳米，250纳米等)的一半、四分之一等的厚度(例如，小于75纳米，小于60纳米等)的膜体。因此，该第二薄膜的结构性弱于该第一薄膜，且相比于该第一薄膜更容易损坏。仅在曝光期间附着该第二薄膜，以及在处理中的其他阶段附着该第一薄膜，由于该结构性更强的第一薄膜在除了曝光工艺期间的其他所有时间保护该光学掩膜，所以基本上降低了底层光学掩膜损坏的风险。因此，本文的方法使用比EUV波长长的电磁辐射的波长传输、处理以及检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜。
在最大数量的曝光发生之后，这些方法处理(或修补)该EUV掩膜；然而，该第一薄膜保留在该晶片制造的位置。因此，该第一薄膜随后附着于一不同的EUV掩膜上，且传输该薄膜，检查该薄膜等工艺均是使用具有原始的该第一薄膜附着的该不同的EUV掩膜予以执行。
附图说明
以下参考附图的详细描述将更好地理解本文的各实施例，这些图示不一定按照比例绘制，且其中：
图1至图3为根据本文的实施例所示的说明光学掩膜的横截面示意图；
图4为根据本文的实施例所示的***的示意图；以及
图5为说明本文的实施例的流程图。
具体实施方式
如上所述，薄膜可以留在透明光学掩膜位置，并通过反射掩膜(例如EUV掩膜)，该薄膜通常在曝光、检查等期间被移除，这使得当该薄膜不到位时，该反射掩膜非常容易受到损坏。为了方便本文解释，非EUV项目是在15纳米以上的波长下操作，而EUV项目是在15纳米或以下的波长下操作。
薄膜通常安装在一掩膜室中的光学掩膜上。对于透明(非反射，非EUV)掩膜，非EUV薄膜为永久地附着(胶合到掩膜的表面)。此外，这样的非EUV薄膜隔膜与通常出现在比当曝光EUV掩膜时(例如193纳米检查)所使用的波长更长的波长上的检测工艺相兼容。只有当该透明掩膜在该掩膜室被回收/再加工时，该薄膜被移除，以允许各种机械以及化学处理/再加工工艺的发生。
然而，波长短得多的掩膜(反射掩膜，EUV掩膜等)被不同地处理。在传输以及检查期间用于保护EUV掩膜的非EUV薄膜不能在曝光期间保持附着在EUV掩膜上，因为这样的非EUV掩膜不允许更短的EUV波长通过。因此，虽然EUV掩膜通常留下具有一非EUV掩膜附着的该掩膜室，但该非EUV掩膜在EUV曝光工艺之前被移除，这会对EUV掩膜造成污染和损坏。
或者，能够允许EUV波长通过的不同薄膜可以附着在EUV掩膜上。这样的EUV薄膜对于短波长(短于15纳米)通常具有非常低(例如，小于20％)的吸收速率，从而不干扰该EUV曝光工艺。然而，这种EUV薄膜非常薄且结构薄弱，无法提供如同更厚，更强的非EUV薄膜所能提供的保护，由于它们容易损坏因此通常不被使用。此外，EUV薄膜(如果被使用)将在检查期间必须被移除，因为EUV薄膜与较长波长的193纳米检查不兼容。这种检查通常被称为“非光化”，因为它们在检查期间不使用光化辐射(其为可以产生光化学反应的电磁辐射)。因此，由于有损坏的风险和无法提供简单的检查，因此不使用传统的EUV薄膜，而使用非EUV薄膜以用于传输和检查(并且在曝光之前被简单地移除)。
与传统的处理相比，本文的方法使用EUV和非EUV薄膜两者，在掩膜室中的最终清洗步骤开始后始终保护EUV掩膜。根据一预先定义流程来切换薄膜，使得符合各工艺流程步骤需求的适当的薄膜出现在各不同步骤中。更具体而言，该薄膜从一有机聚合物非EUV膜(例如ArF准分子激光束兼容膜)切换到一具有硅基(例如多晶硅)EUV兼容膜，仅用于曝光。因此，本文的方法使用一专用的非EUV薄膜用于处理以及检查，但切换至一EUV兼容薄膜以用于EUV曝光工艺，然后在曝光之后切换回来。
此种方法通过从在该掩膜室中的最后处理到在晶片制造中曝光的每一个步骤保护该掩膜，从而提高晶片产量。此外，在与EUV曝光无关的处理步骤期间，该EUV掩膜受到结构上更强的非EUV薄膜的保护，该EUV掩膜检查(和再鉴定(requalification))是使用可与该非EUV薄膜一起使用的非光化检查工具来执行的。此外，该非EUV薄膜提高了该曝光扫描仪外部的所有光罩(reticle)活动的可靠性。这些方法提供了一种改进的、无风险的能力来执行再认证，延长了掩膜寿命，并允许薄膜与EUV薄膜分开管理(这允许非EUV薄膜无限期地使用，因为它们不会受到EUV扫描仪的损害)。
本文的各种方法接收或制造极紫外(EUV)掩膜。如图1至图3所示，EUV掩膜110具有反射光学结构104，反射光学结构104具有由吸收材料制成的图案化掩膜特征106，并能够以非常小的波长(例如，比15纳米短)操作，用以在光阻中图案化非常小(例如，小于10纳米)的特征。这些方法安装第一、非EUV薄膜120于EUV掩膜110上，或接收已安装有第一薄膜120的EUV掩膜110。如图1所示，第一薄膜120使用薄膜框108连接到EUV掩膜110，且这种组合结构被称为“第一薄膜EUV掩膜结构100”。第一薄膜120被认为是“非EUV“，因为第一薄膜120仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过第一薄膜120。
如图2至图3所示，这些方法通过移除第一薄膜120(图2)，然后将一不同的薄膜122附着到薄膜框108(图3)，从而将第一薄膜120置换为第二薄膜122。包括使用一薄膜框108将第二薄膜122连接到EUV掩膜110的组合结构被称为“第二薄膜EUV掩膜结构102”。与第一薄膜120相比，第二掩膜122允许电磁辐射的EUV波长的通过，但在结构性上弱于第一薄膜。
涉及薄膜“透明”程度的一个问题，因为某种薄膜(例如，有机聚合物膜)可能不吸收300纳米的波长的光能(通常用于透明光学掩膜)；但相同的薄膜可以吸收15纳米的电磁辐射波长的大部分(例如大于75％)(其通常与EUV掩膜一起使用)。此外，非常短的波长曝光***(例如EUV)使用相对高的功率(高于75W)，且当该功率主要被薄膜所吸收时，薄膜可能被损坏。因此，虽然第一薄膜120在曝光/检查期间可被放置在非EUV掩膜上而不受损坏，但第一薄膜120在曝光/检查期间可能没放置在EUV掩膜上，因此第一薄膜120可能会因为吸收电磁辐射曝光能量的一大部分而遭受损坏。
第二薄膜122允许电磁辐射的EUV波长(例如，比15纳米短)通过而不受损坏，因为其对于这样的波长的吸收率非常低或不吸收(例如，小于10％)。为了允许如此短波长的光通过，第二薄膜122通常为硅(例如多晶硅)、碳纳米管或正在开发的其他类似的EUV材料，而相比之下，第一薄膜120通常是较厚、较强的有机聚合物。这些不同的材料具有不同的能量吸收特性，使得它们能够吸收过通过不同波长的光。
另外，为了帮助较小波长的通过，第二薄膜122是具有厚度小于第一薄膜120的膜体的厚度(例如300纳米，250纳米等)的一半、四分之一等的厚度(例如小于75纳米，小于60纳米等)的膜体。因为其较薄且由不同材料所制成，因此第二薄膜122在结构上弱于第一薄膜120，且相对于第一薄膜120更容易被损坏。因此，第一薄膜120在传输、处理、以及检查的过程中，对EUV掩膜110提供了更多的保护。仅在曝光期间将第二薄膜122附着到EUV掩膜110上，并且在处理过程中的所有其他时间将第一薄膜120重新附着到EUV掩膜110上，由于结构性更强的第一薄膜120在曝光处理以外的任何时间均对EUV掩膜110提供保护，所以第二掩膜122在曝光处理期间保护EUV掩膜110，因此实质减低了损坏底层EUV掩膜110的风险。
因此，此方法使用EUV波长电磁辐射被图案化以通过具有就位的第二薄膜122的EUV掩膜110而暴露光阻。然后，在完成曝光工艺之后，这些方法用第一薄膜120置换第二薄膜122，以再现图1所示的第一薄膜EUV掩膜结构100。这允许EUV掩膜110被薄膜(120或122)的其中一个持续地保护，允许该光阻通过第二薄膜122而暴露，并防止第一薄膜120暴露于可能损坏第一薄膜120的EUV波长。
图4示出了该掩膜制造可以在一掩膜室150中执行，该掩膜室150包括掩膜生产单元154以及薄膜生产单元156。掩膜生产单元154以及薄膜生产单元156利用薄膜框108将第一薄膜120与EUV掩膜110生产/结合，以产生第一薄膜EUV掩膜结构100，其实际上被传输到一不同位置(运送到半导体制造设备160)。因此，在某些情况下，第一薄膜120在EUV掩膜110离开该掩膜室之前被安装，EUV掩膜110与就位的第一薄膜120一起被传输。
注意，虽然掩膜室150和半导体制造设备160实际上可以位于相同的物理位置(或不同位置)，但是它们在图4中被分离示出，以便于本文的操作说明。此外，半导体制造设备160的元件可以被包括在掩膜室150中，反之亦然。
图4还示出了半导体制造设备160包括接收并检查第一薄膜EUV掩膜结构100的掩膜检查/处理单元162。第一薄膜EUV掩膜结构100而后被移动至薄膜切换单元164，其执行上述图2至图3所示的步骤以用第二薄膜122置换第一薄膜120，并产生第二薄膜EUV掩膜结构102。
如图4所示，第二薄膜EUV掩膜结构102被移动到光刻曝光单元166，并使用EUV波长电磁辐射被图案化以通过具有就位的第二薄膜122的EUV掩膜110而暴露该光阻，以在光阻中产生图案化特征。然后，在曝光工艺完成之后，这些方法用第一薄膜120置换第二薄膜122，以再现第一薄膜EUV掩膜结构100，再次使用薄膜切换单元164。在此之后，第一薄膜EUV掩膜结构100可以在重新使用之前通过掩膜检查/处理单元162进行检查，如图4所示。
电磁辐射的EUV波长(例如，小于15纳米，大于75W)可损坏第一薄膜120；然而，EUV波长不会损坏第二薄膜122。第一薄膜120允许用于检查的光的波长通过；然而，第二薄膜122没有。因此，本文的方法使用电磁辐射的非EUV波长，在第一薄膜120就位的掩膜检查/处理单元162的位置处理以及检查EUV掩膜110；但使用EUV波长电子辐射被图案化以通过具有就位的第二薄膜122的EUV掩膜110，而在光刻曝光单元166中图案化该光阻。
在发生一最大数量的曝光之后，这些方法处理EUV掩膜110或将EUV掩膜110返回到掩膜室150中进行修补；然而，当EUV掩膜被处理时，第一薄膜120可以被保留以重新使用。因此，第一薄膜120随后在掩膜室150(或半导体制造设备160)被附着到一不同的EUV掩膜110，并且处理薄膜，用第二薄膜122置换第一薄膜120，曝光该光阻的工艺可使用不同的EUV掩膜110来执行。因此，该“使用”的第一薄膜120可以返回到掩膜室150且在掩膜室被安装到不同的EUV掩膜110，并保持在适当位置以在传输、检查、处理等期间保护一不同的EUV掩膜。无论哪种方式，第一薄膜120一般不会被上述的工艺损坏，且可重复使用并重新附接到新的或重新修补的EUV掩膜110，而不需要对第一薄膜120进行实质性的修补、检查，或其他类似的处理。
图5的流程图说明了这些操作。如项目200所示，这些工艺/方法接收或制造一极紫外(EUV)掩膜。再次，EUV掩膜具有反射光学特性，并且能够以非常小的波长(例如，比15纳米短)操作，以图案化该光阻中非常小的特征。
在项目202中，这些方法使用一薄膜框(钉)安装一第一薄膜于该EUV掩膜上。如上所述，该第一薄膜的安装可以在EUV掩膜离开该掩膜室之前被执行。第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过第一薄膜。在项目204中，EUV掩膜与就位的第一薄膜一起被传输。
在项目206中，利用比EUV波长长的电磁辐射的波长，本文的方法通过就位的第一薄膜处理和检查EUV掩膜。另外，在项目206中，EUV掩膜的任何必要处理是与就位的第一薄膜的一起执行。
在项目208中，这些方法用第二薄膜置换第一薄膜。第二薄膜也使用该薄膜框而连接至该EUV掩膜。与第一薄膜相比，第二薄膜允许电磁辐射的EUV波长通过。在项目210中，这样的方法使用具有就位的第二薄膜的EUV掩膜来暴露光阻。然后，在曝光工艺210完成之后，在项目212中，这些方法使用第一薄膜置换第二薄膜。
然后，在项目214中，本文的方法使用比EUV波长长的电磁辐射的波长处理并检查具有就位的第一薄膜的EUV掩膜。此外，在项目214中，EUV掩膜的任何必要处理是与就位的第一薄膜一起处理。
在最大数量的曝光发生之后，在项目216中，这些方法处理或修补EUV掩膜；然而，第一薄膜被保留。因此，在项目218中，第一薄膜随后被附着在一不同的EUV掩膜上，并使用具有附着第一薄膜的该不同的EUV掩膜来重复传输204、检查206等处理，如从项目218至项目204的返回箭头所示。
本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限制上述。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”都包括复数形式，除非上下文清楚地表明。此外，如本文所使用的术语，如“右”、“左”、“垂直”、“顶”、“底”、“上方”、“下方”、“底部”、“下面”、“上方”、“上面”、“平行”、“垂直”等，都是用来描述相对位置，它们在图示中是用于导向和说明的(除非另有说明)，诸如“接触”、“直接接触”、“邻接”、“直接相邻”、“紧邻”等术语意指至少一个元件物理接触另一个元件(没有其他元件分离所述的元件)。本文使用“横向”一词来描述元件的相对位置，更具体地说，指示元件相对于另一个元件的上方或下方相对于另一个元件的侧面定位，这些元件在图中被定向和说明。例如，一个与另一个元件横向相邻的元件将位于另一个元件的旁边，一个横向紧邻另一个元件的元件将直接位于另一个元件的旁边，一个元件横向地包围另一个元件将与另一元件的外侧壁相邻并与其该另一元件的外侧壁接界。
本文中的实施例可用于各种电子应用，包括但不限于先进的传感器、存储器/数据存储、半导体、微处理器和其他应用。所得到的器件和结构，例如一集成电路(IC)芯片可以由制造者以原始晶片形式(即，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)、裸芯片或封装形式分布。在后一种情况下，芯片安装在一单芯片封装中(例如一塑料载体，具有附着到母板或其他更高级别载体的引线)或一多芯片封装(例如具有两个或两个表面互连或埋置互连的陶瓷载体)。在任何情况下，芯片然后与其它芯片、分立电路元件和/或其他信号处理设备集成为(a)中间产品，例如主板或(b)最终产品的一部分。最终产品可以是包括集成电路芯片在内的任何产品，从玩具和其他低端应用到具有显示器、键盘或其他输入设备和中央处理器的先进计算机产品。
下述权利要求中的所有装置或步骤加上功能元件的相应结构、材料、行为和等效物旨在包括与所要求的其他要求的元件组合的任何结构、材料或动作。为了说明和描述的目的，已经给出了本实施例的描述，但不打算穷尽或限制于所公开的形式的实施例。在不脱离本发明实施例的范围和精神的情况下，许多修改和变化对本领域普通技术人员来说是显而易见的。选择和描述实施例，以便最好地解释这样的原理和实际应用，并使本领域的普通技术人员能够理解适合于预期特定用途的各种改进的实施例。
虽然上述仅结合有限数量的实施例进行了详细描述，但应当容易理解的是，本文的实施例不限于这样的公开。更确切地说，本文的元件可以被修改以包含任何以前没有描述过的变化、改变、置换或等价的安排，但是它们与本文的精神和范围相称。另外，虽然已经描述了各种实施例，但应当理解，本文中的方面可以仅由所描述的实施例中的一些所包含。因此，下面的权利要求不被上述描述所限制。对单数元件的引用并不意指“唯一的一个”，除非具体说明，而是“一个或多个”。在本发明中所描述的各种实施例的元件的所有结构和功能等价物都是属于本领域普通技术人员已知的或后来知晓的，通过引用明确地并入本文，并意欲包含在本发明中。因此，应当理解，在所附的权利要求所概述的上述范围内可以对所揭示的特定实施例进行改变。
Claims (20)
1.一种方法，包括：
供应具有第一薄膜附着的光学掩膜；
使用电磁辐射的第一波长检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜；
用第二薄膜置换该第一掩膜，其中，该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，且该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过；
使用具有就位的该第二掩膜的该光学掩膜曝光光阻；
使用该第一薄膜置换该第二薄膜；以及
使用电磁辐射的该第一波长，检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜包括具有第一厚度的第一膜体，该第二薄膜包括具有小于该第一薄膜的该第一膜体的该厚度的一半的第二厚度的第二膜体。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜的结构性比该第二薄膜强。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜包括有机聚合物，该第二薄膜包括硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜以及该第二薄膜用薄膜框附着至该光学掩膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在掩膜室中执行该光学掩膜的制造，该曝光在晶片制造区域中执行，且其中，在该光学掩膜离开该掩膜室之前，执行该第一薄膜的安装。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一波长比15纳米长。
8.一种方法，包括：
制造极紫外(EUV)掩膜；
安装第一薄膜于该EUV掩膜上；
传输具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
用第二薄膜置换该第一薄膜，其中，该第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过，该第二薄膜允许电磁辐射的EUV波长通过；
使用具有就位的该第二薄膜的该EUV掩膜曝光光阻；
在曝光之后，用该第一薄膜置换该第二薄膜；
使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
处理该EUV掩膜，其中，当处理该EUV掩膜时，该第一薄膜被保留；以及
附着该第一薄膜至不同的EUV掩膜，并使用具有该第一薄膜附着的该不同的EUV掩膜重复该传输及该检查。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜包括具有第一厚度的第一膜体，该第二薄膜包括具有小于该第一薄膜的该第一膜体的该厚度的一半的第二厚度的第二膜体。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜的结构性比该第二薄膜强。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜包括有机聚合物，该第二薄膜包括硅。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜与该第二薄膜用薄膜框附着至该EUV掩膜。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，该制造在掩膜室中执行，该曝光在晶片制造区域中执行，且其中，在该EUV掩膜离开该掩膜室之前，执行该第一薄膜的安装。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，该EUV波长比15纳米短。
15.一种方法，包括：
制造具有反射光学特征的极紫外(EUV)掩膜；
使用薄膜框连接至该EUV掩膜将第一薄膜安装至该EUV掩膜上，其中，该第一薄膜被连接至该薄膜框，且其中，该第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过该第一薄膜；
传输具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
用第二薄膜置换该第一薄膜，其中，该第二薄膜被连接至该薄膜框，其中，该第二薄膜允许电磁辐射的EUV波长通过；
使用具有就位的该第二薄膜的该EUV掩膜曝光光阻；
在曝光之后，用该第一薄膜置换该第二薄膜；
使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；
在最大数量的曝光发生之后，处理该EUV掩膜，其中，当该EUV掩膜被处理时，该第一薄膜被保留；以及
附着该第一薄膜至不同的EUV掩膜，并使用具有该第一薄膜附着的该不同的EUV掩膜重复该传输及该检查。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，该第一薄膜包括具有第一厚度的第一膜体，该第二薄膜包括具有小于该第一薄膜的该第一膜体的该厚度的一半的第二厚度的第二膜体。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，该第一薄膜的结构性比该第二薄膜强。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，该第一薄膜包括有机聚合物，该第二薄膜包括硅。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，该制造在掩膜室中执行，该曝光在晶片制造区域中执行，其中，在该EUV掩膜离开该掩膜室之前，执行该第一薄膜的安装。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，该EUV波长比15纳米短。
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