JP6887371B2 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体 - Google Patents
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Description
る。
図1は、一実施形態に係る基板処理装置を備えた基板処理システムの平面図である。基板処理システム1は、フロントロード部3を備えたロードアンロード部2と、基板処理装置としての第1研磨ユニット8および第2研磨ユニット9と、洗浄ユニット11と、乾燥ユニット13と、制御装置14と、を備えている。また、ロードアンロード部2には、フロントロード部3の配列方向に沿って移動可能な第1搬送ロボット4が設置されている。また、第1研磨ユニット8および第2研磨ユニット9に隣接して、第2搬送ロボット6と、第1ウェハステーション5と、第2ウェハステーション7とが設置されている。また、洗浄ユニット11に隣接して第3搬送ロボット10が設置されており、洗浄ユニット11と乾燥ユニット13との間には、第4搬送ロボット12が設置されている。
載置されたウェハの表面と裏面とを反転させる。第2搬送ロボット6は、反転後のウェハ(フェースダウンの状態)をウェハステーション5から取り出し、研磨ユニット8又は研磨ユニット9に搬入する。研磨ユニット8及び研磨ユニット9は、後述するように、ウェハを保持して回転させる基板保持機構と、研磨具が設けられた研磨ヘッドとを備えている。研磨ユニット8及び研磨ユニット9では、いわゆる裏面研磨装置であり、基板保持機構によってウェハを回転させながら、ウェハの裏面(上方に向いている)を研磨ヘッドの研磨具により研磨する。ここでは、研磨ユニット8及び研磨ユニット9が共に裏面研磨装置である場合を説明する。ウェハカセットから取り出されたウェハは、何れかの研磨ユニットにおいて裏面研磨処理された後に、洗浄、乾燥処理され、ウェハカセットに戻される。他の実施形態では、一方の研磨ユニットを裏面研磨装置とし、他方の研磨ユニットをべベル研磨装置、またはウェハ外周領域を研磨する装置としてもよい。この場合、一方の研磨ユニットで研磨処理されたウェハは、その後、他方の研磨ユニットで研磨処理された後に、洗浄、乾燥される。
る。例えば、研磨ヘッド21の底面に3枚の研磨テープが放射状に配置される。研磨テープの両端は、研磨ヘッド21内に配置された図示しない2つのリールに保持されており、2つのリール間を延びる研磨テープの下面がウェハの面に接触可能とされている。なお、研磨具としては、砥粒を含むパッド、固定砥粒などその他の研磨具を使用することもできる。研磨ヘッド21は、揺動アーム22の一端に回転可能に保持されている。研磨ヘッド21は、揺動アーム22の一端側に設けられた図示しないヘッド回転機構により回転される。揺動アーム22の他端は、図示しない揺動軸に接続されており、図示しない軸回転機構の回転により揺動軸が回転されると、揺動アーム22が揺動される(例えば、図1の状態から図2の状態、又はその逆)。揺動アーム22の揺動により、研磨ヘッド21は、退避位置(図2A)と研磨位置(図2B)との間で揺動される。また、揺動軸には、図示しない昇降機構が連結されており、昇降機構によって研磨ヘッド21が昇降される。
また、ウェハWの研磨面(本実施形態では、裏面)には、図示しないノズルにより研磨液又は純水が供給される。
よってウェハWを支持する。言い換えれば、研磨ヘッド21、23がウェハWの裏面を押圧する力に抗する支持力を静圧支持機構30によってウェハの表面から加えることにより、ウェハWが撓むことを抑制する。
図5A、図5Bにおいて、静圧プレート31、33のウェハWの外周に隣接する部分では、ウェハWを保持する基板保持機構(例えば、図11のチャック1−11)と干渉しない形状とされている。なお、ウェハWとともに回転しないような基板保持機構(例えば、図5A、図5B、図12のローラ2−11)を使用する場合には、静圧プレート31、33は、ウェハWの外周に重なっても、外周よりも外側まで延びていてもよい。
図6Aは、第2実施形態に係る研磨ユニットの模式的な側面図である。図6Bは、第2実施形態に係る研磨ユニットの模式的な平面図である。ここでは、基板保持機構の図示を省略している。本実施形態の研磨ユニットは、小径の研磨ヘッド23が揺動しつつ研磨処理を行う点で、第1実施形態に係る研磨ユニットと異なる。その他の構成は、第1実施形態と同様であるので、重複する説明は省略する。
図8は、第3実施形態に係る研磨ユニットの模式的な側面図である。ここでは、基板保持機構の図示を省略している。本実施形態の研磨ユニットは、小径の静圧プレート33が省略され、大径の静圧プレート31が移動可能に構成されている点で、第1実施形態に係る研磨ユニットと異なる。その他の構成は、第1実施形態と同様であるので、重複する説明は省略する。
位置)に移動させる。研磨ヘッド23による荷重を静圧プレート31で受けつつ、研磨ヘッド23による研磨処理を実行する。
図9は、第4実施形態に係る研磨ユニットの模式的な側面図である。図10A、図10Bは、静圧プレートの平面図である。ここでは、基板保持機構の図示を省略している。本実施形態では、2つの研磨ヘッドに対して、共通の静圧プレート50が設けられている点で、第1実施形態と異なる。その他の構成は、第1実施形態と同様であるので、重複する説明は省略する。
ヘッド1−50は、シャフト1−51を介して揺動アーム1−53の一端に連結されており、揺動アーム1−53の他端は揺動軸1−54に固定されている。揺動軸1−54は軸回転機構1−55に連結されている。この軸回転機構1−55により揺動軸1−54が駆動されると、研磨ヘッド1−50が、退避位置(図2A)と研磨位置(図2A)との間を移動するようになっている。揺動軸1−54には、研磨ヘッド1−50を上下方向に移動させる昇降機構1−56がさらに連結されている。この昇降機構1−56は、揺動軸1−54およびシャフト1−51を介して研磨ヘッド1−50を昇降させる。研磨ヘッド1−50は、昇降機構1−56によりウェハWの上面に接触するまで下降される。昇降機構1−56としては、エアシリンダ、またはサーボモータとボールねじとの組み合わせなどが使用される。静圧支持機構1−90は、上述したような構成の静圧プレート1−91を備え、静圧プレート1−91が、昇降機構1−98により昇降され、回転機構1−99により回転される。なお、この構成の基板保持機構を採用する場合には、研磨ヘッド、静圧プレートは、研磨処理中に公転するチャック1−11と干渉しない形状または配置をとる必要がある。
ウェハWの裏面の外周部を研磨しつつ、研磨ヘッド移動機構3−35により移動され、ウェハのべベル部を含む外周側領域全体を研磨する(図14)。この例では、基板保持機構12は、ウェハWを真空吸着により保持する基板ステージ3−17と、基板ステージ3−17を回転させるモータ3−19とから構成されている。研磨ヘッド3−14は、研磨具としての研磨テープ3−22を保持する複数のローラと、研磨テープ3−22をウェハWの裏面に押し付ける押圧部材3−24と、押圧部材3−24に押圧力を付与するアクチュエータとしてのエアシリンダ3−25とを備えている。研磨テープ3−22は、繰り出しリールから研磨ヘッド3−14を経由して巻取りリールに所定の速度で送られる。研磨ヘッド3−14は、研磨ヘッド移動機構3−35に連結されている。この研磨ヘッド移動機構3−35は、研磨ヘッド3−14をウェハWの半径方向外側に移動させるように構成されている。研磨ヘッド移動機構3−35は、例えばボールねじとサーボモータとの組み合わせから構成される。基板ステージ17に保持されたウェハWの上方および下方には、ウェハWに研磨液(純水)を供給する液体供給ノズルが配置されている。このような構成において、ウェハWの表面の外周部(図13の研磨ヘッド3−14に対応する位置)に、上述した静圧プレート31又は33を配置することにより、ウェハWの撓みを抑制することができる。この例では、静圧プレート31又は33は、ウェハWの上方に配置される。なお、研磨ヘッド3−14と静圧プレート31又は33の上下を入れ替えてもよい。即ち、研磨ヘッド3−14をウェハWの上方に配置し、静圧プレート31又は33をウェハWの下方にするようにしてもよい。
第1形態によれば、 研磨具を基板の第1面に摺接させて前記第1面を研磨する第1研磨ヘッドと、 前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドであって、研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて前記第1面を研磨する前記第2研磨ヘッドと、 前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドにそれぞれ対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から流体圧によって前記基板を支持する基板支持機構と、を備えた基板処理装置が提供される。
この形態によれば、第1及び第2研磨ヘッドに対応して第1及び第2静圧プレートをそれぞれ設けるため、簡易な構成により、第1研磨ヘッド及び第2研磨ヘッドによる押し付け力に応じて適切な範囲で、基板を反対側から支持することができる。
この形態によれば、小径の第2研磨ヘッドを揺動させることにより、基板の研磨レートの低い部分において、更に研磨レートを向上させることができる。この結果、研磨時間を短縮できる。また、第2静圧プレートが第2研磨ヘッドに追従して移動するため、第2研磨ヘッドが押し付けられる基板の領域を第2静圧プレートによって適切に支持することが
できる。
この形態によれば、共通の静圧プレートを使用して、第1研磨ヘッドに対応する基板の支持と、第2研磨ヘッドに対応する基板の支持とを実現できる。
前記静圧プレートの前記第2研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第2流体ラインを有する。
この形態によれば、共通の静圧プレートを移動させることなく、第1及び第2流体ラインから第1及び第2研磨ヘッドに対応する領域にそれぞれ流体を供給することにより、第1研磨ヘッドに対応する基板の支持と、第2研磨ヘッドに対応する基板の支持とを適切な範囲で実現できる。
この形態によれば、小径の第2研磨ヘッドを揺動させることにより、基板の研磨レートの低い部分において、更に研磨レートを向上させることができる。この結果、研磨時間を短縮できる。また、流体の供給位置を第2研磨ヘッドに追従して移動するため、第2研磨ヘッドが押し付けられる基板の領域を流体によって適切に支持することができる。
この形態によれば、研磨レートが低くなる傾向がある基板の外周部において、補足研磨を行うことによって、研磨後の基板の面内均一性を向上できる。
この形態によれば、非デバイス面の面内均一性が、その後のデバイス面に対する露光工程に与える影響を抑制することができる。
この形態によれば、基板を保持するローラが基板とともに回転しない。そのため、基板の端部まで、或いは、基板の径方向外側まで研磨ヘッドを配置することができる。その結果、基板の端部まで研磨することができる。更に、第1研磨ヘッドにより基板全体を研磨するとともに、より小径の第2研磨ヘッドにより基板の研磨レートの低い部分を補足研磨
することができるので、基板を均一に研磨することができる。
この形態によれば、形態1と同様の作用効果を奏する。
この形態によれば、形態9と同様の作用効果を奏する。
この形態によれば、形態1と同様の作用効果を奏する。
この形態によれば、形態9と同様の作用効果を奏する。
2 ロードアンロード部
3 フロントロード部
4 搬送ロボット
5 ウェハステージ
6 搬送ロボット
7 ウェハステージ
8 研磨ユニット
9 研磨ユニット
10 搬送ロボット
11 洗浄ユニット
12 搬送ロボット
13 乾燥ユニット
14 制御装置
21 研磨ヘッド
22 揺動アーム
23 研磨ヘッド
24 揺動アーム
31 静圧プレート
32 支持面
33 静圧プレート
34 支持面
41 流体
31a 流体供給路
31b ポケット
31c 流体噴出口
32c 流体噴出口
35 モータ
36 ボールねじ機構
50 静圧プレート
51 支持面
53 流体ライン
54 流体ライン
55 流量制御バルブ
56 流量制御バルブ
Claims (9)
- 研磨具を基板の第1面に摺接させて前記第1面を研磨する第1研磨ヘッドと、
前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドであって、研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて前記第1面を研磨する前記第2研磨ヘッドと、
前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドにそれぞれ対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から流体圧によって前記基板を支持する基板支持機構と、
を備え、
前記基板支持機構は、
前記第1研磨ヘッドに対応する領域と、前記第2研磨ヘッドに対応する領域との間で移動可能に構成された静圧プレートを有する、
基板処理装置。 - 研磨具を基板の第1面に摺接させて前記第1面を研磨する第1研磨ヘッドと、
前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドであって、研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて前記第1面を研磨する前記第2研磨ヘッドと、
前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドにそれぞれ対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から流体圧によって前記基板を支持する基板支持機構と、
を備え、
前記基板支持機構は、
前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して前記基板を支持する静圧プレートと、
前記静圧プレートの前記第1研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第1流体ラインと、
前記静圧プレートの前記第2研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第2流体ラインと、を有する
基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第2研磨ヘッドは、研磨処理中に揺動しつつ前記基板を研磨し、
前記静圧プレートは、前記流体を前記基板の前記第2面上に供給する位置を、前記第2研磨ヘッドに追従して変更できるように構成されている、基板処理装置。 - 請求項1乃至3の何れかに記載の基板処理装置において、
前記第2研磨ヘッドは、前記第1研磨ヘッドよりも前記基板の半径方向外方において、前記基板を研磨するように配置される、基板処理装置。 - 請求項1乃至4の何れかに記載の基板処理装置において、
前記基板の前記第1面は、デバイスが形成されていない面であり、
前記研磨処理は、前記基板の前記第2面にレジストが塗布された後、露光処理前に実行される研磨処理である、基板処理装置。 - 第1研磨ヘッドの研磨具を基板の第1面に摺接させて前記第1面を研磨すること、
前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドの研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて、前記基板の前記第1面を研磨すること、
前記第1研磨ヘッドに対応する領域と、前記第2研磨ヘッドに対応する領域との間で移動可能に構成された静圧プレートを有する基板支持機構によって、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から前記基板を支持することであって、前記第1研磨ヘッドによる研磨処理時に前記静圧プレートを前記第1研磨ヘッドに対応する位置に移動させ、前記第2研磨ヘッドによる研磨処理時に前記静圧プレートを前記第2研磨ヘッドに対応する位置に移動させること、
を含む、基板処理方法。 - 第1研磨ヘッドの研磨具を基板の第1面に摺接させつつ、前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドの研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて、前記基板の前記第1面を研磨すること、
前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドの研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて、前記基板の前記第1面を研磨すること、
前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して前記基板を支持する静圧プレートと、前記静圧プレートの前記第1研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第1流体ラインと、前記静圧プレートの前記第2研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第2流体ラインとを有する基板支持機構によって、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から前記基板を支持すること、
を含む、基板処理方法。 - 基板処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した不揮発性の記憶媒体であって、
第1研磨ヘッドの研磨具を基板の第1面に摺接させて前記第1面を研磨すること、
前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドの研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて、前記基板の前記第1面を研磨すること、
前記研磨処理中、前記第1研磨ヘッドに対応する領域と、前記第2研磨ヘッドに対応する領域との間で移動可能に構成された静圧プレートを有する基板支持機構によって、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から前記基板を支持することであって、前記第1研磨ヘッドによる研磨処理時に前記静圧プレートを前記第1研磨ヘッドに対応する位置に移動させ、前記第2研磨ヘッドによる研磨処理時に前記静圧プレートを前記第2研磨ヘッドに対応する位置に移動させること、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。 - 基板処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した不揮発性の記憶媒体であって、
第1研磨ヘッドの研磨具を基板の第1面に摺接させつつ、前記第1研磨ヘッドよりも小径の第2研磨ヘッドの研磨具を前記基板の前記第1面に摺接させて、前記基板の前記第1面を研磨すること、
前記研磨処理中、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して前記基板を支持する静圧プレートと、前記静圧プレートの前記第1研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第1流体ラインと、前記静圧プレートの前記第2研磨ヘッドに対応する領域に流体を供給する第2流体ラインとを有する基板支持機構によって、前記第1研磨ヘッド及び前記第2研磨ヘッドに対応して、前記基板の前記第1面とは反対側の第2面側から前記基板を支持すること、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体。
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