TWI656972B - 脫模膜及密封體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種脫模膜，其在密封體之製造方法中具有良好的密封體從模具的脫模性及良好的對需要大變形之模具的追隨性，該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於需要大變形之模具內，並以硬化性樹脂予以密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部。
一種脫模膜，具有第1層及第2層，該第1層於前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；前述第1層之厚度為5~30μm，且其係由選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種構成；並且，前述第2層之厚度為38~100μm，在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為18,000(MPa‧μm)以下，且在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000(MPa‧μm)以上。

Description

脫模膜及密封體之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於需要大變形之模具內，並以硬化性樹脂密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部的密封體之製造方法中所使用的脫模膜、及使用前述脫模膜的密封體之製造方法。
發明背景
半導體模組之一的功率半導體模組或汽車的ECU(引擎控制單元)因安裝後的基板非常需要耐熱性及可靠性，故在其製造步驟中都會進行以樹脂(密封樹脂)將基板本身密封之步驟。密封一般係藉由將液狀或膠狀之聚矽氧黏結於基板上並使其硬化而進行。但，在利用黏結進行之密封中，有為了注入聚矽氧而需要箱體、硬化耗費時間、及黏結面必須為平坦等結構上的制約等問題，近年係採用使用環氧樹脂等熱硬化性樹脂藉由轉注成形進行密封之方法。
利用轉注成形進行之半導體模組之製造，一般係將安裝有半導體元件或被動零件之基板及其他放熱板等零件配 置於模具內，注入熱硬化性樹脂並使其硬化而進行。然後因為需要與模具之脫模，所以為了確保脫模性，而於熱硬化性樹脂中摻混有脫模劑(例如專利文獻1)。
但，摻混脫模劑卻有損害密封樹脂與基板之密接性而使半導體模組之可靠性降低的問題。
就不使用脫模劑之與模具的脫模方法來說，為了預防硬化性樹脂與模具之固著，有時會將由氟樹脂等樹脂所構成之脫模膜配置於模具之與硬化性樹脂相接之面。脫模膜一般會藉由真空吸引而沿著模具表面延展成密接於模具之狀態。此方法適合使用於密封1個半導體元件的半導體封裝件等，厚度在1mm以下程度的薄型封裝件之製造。
但，若將習知即在此種用途使用之脫模膜拿來使用於厚度比半導體封裝件更厚且形狀亦較複雜的半導體模組之製造，則有脫模膜大幅變形，而在完整追隨於模具之前脫模膜即破斷之問題。例如，在帶角之模槽的情況下，脫模膜在角部分會被大幅延展，而容易產生針孔。脫模膜之破斷在模具愈大型化、愈複雜化之情況下愈容易發生。脫模膜一旦破斷，熱硬化性樹脂便會從其部分漏出而附著於模具。而已附著於模具之硬化性樹脂隨後便會於要密封其他結構體時引起外觀不良，因此就需要模具之清潔，故進而降低半導體模組之生產性。
而，在專利文獻2中為了使作為半導體模組之零件的放熱板露出，係於在引線框架之放熱面與模具之間配置柔性脫模片並使前述放熱面埋入前述柔性脫模片之狀態下進行 轉注成形。柔性脫模片之功能僅止於使放熱板露出，對於半導體模組從模具之脫模毫無貢獻。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-245188號公報
專利文獻2：日本特開2012-28595號公報
發明概要
本發明目的在於提供一種脫模膜及使用該脫模膜之密封體之製造方法，該脫模膜在密封體之製造方法中具有優良的密封體從模具的脫模性及良好的對需要大變形之模具的追隨性，該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於需要大變形之模具內，並以硬化性樹脂進行密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部。
本發明提供一種使用具有以下[1]~[10]之構成之脫模膜的密封體之製造方法。
[1]一種脫模膜，係於密封體之製造方法中配置於模具與硬化性樹脂相接之面上，該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於具有上模及下模的前述模具內，並以硬化性樹脂予以密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部，其中前述上模及下模中至少一 者之深度為3mm以上，且該脫模膜係配置在前述上模及下模中深度為3mm以上者之與前述硬化性樹脂相接之面，其特徵在於：具有第1層及第2層，第1層於該前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；前述第1層之厚度為5~30μm，且其係由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種所構成；並且，前述第2層之厚度為38~100μm，在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為18,000(MPa‧μm)以下，且在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000(MPa‧μm)以上。
[2]如[1]之脫模膜，其中前述第2層係由選自於由無延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯及易成形聚對苯二甲酸乙二酯所構成群組中之至少1種所構成。
[3]如[1]之脫模膜，其中前述第1層係由共聚物構成，該共聚物具有以四氟烯烴為主體之單元及以伸乙基為主體之單元。
[4]如[1]~[3]中任一項之脫模膜，其中前述第2層係由第2層用樹脂構成，且前述第2層用樹脂之玻璃轉移溫度為40~105℃。
[5]如[1]~[4]中任一項之脫模膜，其中前述第2層係由無延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯及易成形聚對苯二甲酸乙二酯所構成群組中之至少1種所構成。
[6]如[1]~[5]中任一項之脫模膜，其中前述第2層之靠模 具面側的表面算術平均粗度(Ra)為1.5~2.1μm。
[7]如[1]~[6]中任一項之脫模膜，其中第2層之(180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)×厚度(μm))/(180℃下之拉伸破斷應力(MPa)×厚度(μm))小於3.8。
[8]一種密封體之製造方法，係使用具有上模及下模之模具來製造密封體之方法，其中前述上模及下模中至少一者之深度為3mm以上，且該密封體具有基板、半導體元件、連接端子、及由硬化性樹脂形成且厚度為3mm以上之樹脂密封部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如[1]~[4]中任一項之脫模膜配置於前述上模及下模中深度為3mm以上者之與前述硬化性樹脂相接之面；將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於前述模具內，以硬化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部；及使前述樹脂密封部連同前述結構體一起從前述模具脫模。
[9]如[8]之密封體之製造方法，其具有下述步驟(α1)~(α5)：步驟(α1)，其以使脫模膜覆蓋下模之凹部的方式，將脫模膜配置於具有上模與下模之模具的下模中，且該下模具有深度為3mm以上之凹部，該上模則不具有深度為3mm以上之凹部；步驟(α2)，其將脫模膜真空吸引至下模之模槽面側； 步驟(α3)，其將硬化性樹脂充填於下模之凹部內；步驟(α4)，其將具有基板、積層結構及矽貫通孔之結構體配置於上模與下模之間，將上模及下模合模後，以硬化性樹脂填滿前述上模與下模之間所形成的模槽並使其硬化，形成樹脂密封部19而藉此製得密封體。
[10]如[8]之密封體之製造方法，其具有下述步驟(β1)~(β5)：步驟(β1)，其以脫模膜覆蓋上模之凹部開口的方式，將脫模膜配置於具有上模及下模之模具的上模中，該上模具有深度為3mm以上之凹部，該下模則不具有深度為3mm以上之凹部；步驟(β2)，其將脫模膜真空吸引至上模之模槽面側；步驟(β3)，其將具備基板、積層結構及矽貫通孔之結構體配置於下模之預定位置，並將上模與下模合模；步驟(β4)，其將硬化性樹脂充填至上模與下模之間所形成的模槽內，並使其硬化而形成樹脂密封部，藉此製得密封體；步驟(β5)，將密封體從模具內取出。
本發明之脫模膜具有優異的密封體從模具之脫模性及優異的對需要大變形之模具的追隨性。又，本發明之脫模膜具有優異的密封體從模具之脫模性，所以依據本發明之密封體之製造方法，可使脫模膜以優異的追隨性追隨需要大變形之模具。又，可以優異的脫模性將密封體自 前述模具脫模。
1‧‧‧脫模膜
2‧‧‧第1層
2a‧‧‧表面
3‧‧‧第2層
10‧‧‧基板
11‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
12‧‧‧連接端子
13‧‧‧導線
14‧‧‧放熱板
15‧‧‧樹脂密封部
16‧‧‧基板
17‧‧‧積層結構
17a‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
18‧‧‧矽貫通孔(連接端子)
19‧‧‧樹脂密封部
20‧‧‧固定上模(上模)
22‧‧‧模槽底面構件
24‧‧‧可動構件
26‧‧‧凹部
30‧‧‧脫模膜
40‧‧‧硬化性樹脂
42‧‧‧硬化物
50‧‧‧上模
52‧‧‧下模
54‧‧‧凹部
56‧‧‧模槽面
58‧‧‧基板設置部
60‧‧‧樹脂導入部
62‧‧‧樹脂配置部
64‧‧‧柱塞
70‧‧‧框材
72‧‧‧下模
74‧‧‧上模
76‧‧‧銷件
78‧‧‧網狀物
80‧‧‧天窗
82‧‧‧墊料
110‧‧‧密封體
120‧‧‧密封體
130‧‧‧結構體
L1‧‧‧配管
L2‧‧‧配管
S‧‧‧空間
圖1係顯示本發明脫模膜之第1實施形態的概略截面圖。
圖2係藉由本發明密封體之製造方法所製造之密封體一例的概略截面圖。
圖3係顯示本發明密封體之製造方法之第1實施形態中步驟(α3)的示意截面圖。
圖4係顯示本發明密封體之製造方法之第1實施形態中步驟(α4)的示意截面圖。
圖5係顯示本發明密封體之製造方法之第1實施形態中步驟(α4)的示意截面圖。
圖6係本發明密封體之製造方法之第2實施形態中使用之模具一例的截面圖。
圖7係顯示本發明密封體之製造方法之第2實施形態中步驟(β1)的示意截面圖。
圖8係顯示本發明密封體之製造方法之第2實施形態中步驟(β2)的示意截面圖。
圖9係顯示本發明密封體之製造方法之第2實施形態中步驟(β3)的示意截面圖。
圖10係顯示本發明密封體之製造方法之第2實施形態中步驟(β4)的示意截面圖。
圖11係顯示本發明密封體之製造方法之第2實施形態中步驟(β5)的示意截面圖。
圖12係以本發明密封體之製造方法製得之密封體之另一例的概略截面圖。
圖13係實施例中之180℃追隨性試驗之試驗方法的說明圖。
用以實施發明之形態
在本說明書中，以下用語分別以下述定義作使用。
樹脂之「單元」係表示構成該樹脂之構成單元(單體單元)。「氟樹脂」則表示結構中含有氟原子之樹脂。
上模或下模之深度係表示將上模與下模合模後形成模槽之上模或下模之凹部的深度。凹部之深度係表示相對於上模與下模之界面在垂直方向上的最大深度。
具有上模及下模中深度為3mm以上之凹部者可為其中任一者亦可為兩者。當其中一者具有深度為3mm以上之凹部時，另一者可具有深度為3mm以上之凹部、可具有深度超過0且小於3mm之凹部、或可不具有凹部。
樹脂密封部之厚度係表示樹脂密封部之相對於基板面在垂直方向上的最大厚度。
脫模膜之厚度、構成多層結構之脫模膜之層(第2層、第1層等)的厚度、在180℃下之拉伸貯藏彈性係數、在180℃下之拉伸破斷應力分別可藉由實施例中記載之方法來測定。
算術平均粗度(Ra)係依照JIS B0601：2013(ISO4287： 1997，Amd.1：2009)測出之算術平均粗度。粗度曲線用基準長度lr(截止值λ c)係設為0.8mm。
[脫模膜]
本發明之脫模膜係於密封體之製造方法中配置於模具與硬化性樹脂相接之面上，該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於具有上模及下模的前述模具內，並以硬化性樹脂予以密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部，其中前述上模及下模中至少一者之深度為3mm以上，且該脫模膜係配置在前述上模及下模中深度為3mm以上者(以下亦稱深度為3mm以上之模具)之與前述硬化性樹脂相接之面，其特徵在於：具有第1層及第2層，該第1層於前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；前述第1層之厚度為5~30μm，且其係由選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種所構成；並且，前述第2層之厚度為38~100μm，在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為18,000(MPa‧μm)以下，且在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000(MPa‧μm)以上。
本發明之脫模膜係以使第1層側之表面朝向模槽的方式配置於深度為3mm以上之模具之與前述硬化性樹脂相接之面。由於脫模膜具有第1層，因此硬化性樹脂硬化後密封體從模具的脫模性佳。
又，藉由第1層之厚度在一定程度以下，且脫模膜具有第2層，則即便經大幅延展亦不易破斷，且對深度為3mm以上之模具的追隨性佳。
(第1實施形態之脫模膜)
圖1係顯示本發明脫模膜之第1實施形態的概略截面圖。第1實施形態之脫模膜1依序積層有第1層2及第2層3。脫模膜1係第1層2與硬化性樹脂相接且第2層3與模具相接。
<第1層>
第1層2之厚度為5~30μm，且以12~30μm為佳。第1層2之厚度若在前述範圍之下限值以上，密封體從模具之脫模性即佳。若在上限值以下，脫模膜1便可不破斷地追隨深度為3mm以上之模具。
第1層2係由選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種(以下亦稱第1層用樹脂)所構成。第1層用樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
與硬化性樹脂直接相接之第1層2係由前述第1層用樹脂構成，藉此可使密封體從模具之脫模性良好。又，藉由由前述第1層用樹脂構成，第1層2具有得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性，且源自熱分解之樹脂低分子物往密封體表面上的轉印很少，相當理想。
就氟樹脂而言，從脫模性及耐熱性的觀點來看以氟烯烴系聚合物為佳。氟烯烴系聚合物係具有以氟烯烴為主體之單元的聚合物。就氟烯烴，可列舉四氟乙烯、氟乙烯、二氟亞乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。 氟烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就氟烯烴系聚合物，可列舉乙烯/四氟乙烯共聚物(以下亦稱ETFE)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。氟烯烴系聚合物可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
氟烯烴系聚合物中，從高溫下之延伸大的觀點來看以ETFE尤佳。
ETFE係具有以四氟乙烯(以下亦稱TFE)為主體之單元及以乙烯(以下亦稱E)為主體之單元的共聚物。
作為ETFE，以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元及以TFE及E以外之第3單體為主體之單元者為佳。藉由以第3單體為主體之單元的種類及含量，可輕易地調整ETFE之結晶度即第1層2之拉伸貯藏彈性係數。又，藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元，可提升在高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強度。
就第3單體而言，可列舉具有氟原子之單體及不具有氟原子之單體。
以具有氟原子之單體來說，可列舉下述單體(a1)~(a5)。
單體(a1)：碳數3以下之氟烯烴類。
單體(a2)：X(CF2)nCY=CH2(惟，X、Y分別獨立為氫原子或氟原子，n為2~8之整數)所示之全氟烷基乙烯。
單體(a3)：氟乙烯基醚類。
單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。
單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
就單體(a1)，可列舉氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱HFP)、2-氫五氟丙烯等)等。
作為單體(a2)，以n為2~6之單體為佳，且以n為2~4之單體尤佳。又，以X為氟原子且Y為氫原子之單體即(全氟烷基)乙烯尤佳。
就單體(a2)之具體例，可列舉下述化合物。
CF3CF2CH=CH2、CF3CF2CF2CF2CH=CH2((全氟丁基)乙烯；以下亦稱PFBE)、CF3CF2CF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF2CF=CH2等。
就單體(a3)之具體例，可列舉下述化合物。而，下述中，二烯之單體為得以進行環化聚合之單體。
CF2=CFOCF3、CF2=CFOCF2CF3、CF2=CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)；以下亦稱PPVE)、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、 CF2=CFOCF2CF=CF2、CF2=CFO(CF2)2CF=CF2等。
就單體(a4)之具體例，可列舉下述化合物。
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
就單體(a5)之具體例，可列舉全氟(2,2-二甲基-1,3-二呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二)等。
以不具有氟原子之單體來說，可列舉下述單體(b1)~(b4)。
單體(b1)：烯烴類。
單體(b2)：乙烯酯類。
單體(b3)：乙烯基醚類。
單體(b4)：不飽和酸酐。
就單體(b1)之具體例，可列舉丙烯、異丁烯等。
就單體(b2)之具體例，可列舉乙酸乙烯酯等。
就單體(b3)之具體例，可列舉乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
就單體(b4)之具體例，可列舉馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、納迪克酸酐(5-降莰烯-2,3-二甲酐)等。
第3單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
從容易進行結晶度之調整即拉伸貯藏彈性係數之調整的觀點、及藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體) 為主體之單元可使在高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強度優異的觀點來看，作為第3單體以單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯為佳，HFP、PPVE、CF3CF2CH=CH2、PFBE較佳，PFBE尤佳。
即，作為ETFE以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元及以PFBE為主體之單元的共聚物尤佳。
在ETFE中，以TFE為主體之單元與以E為主體之單元之莫耳比(TFE/E)以80/20~40/60為佳，70/30~45/55較佳，65/35~50/50尤佳。TFE/E只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)，ETFE中以第3單體為主體之單元比率為0.01~20莫耳%為佳，0.10~15莫耳%較佳，0.20~10莫耳%尤佳。以第3單體為主體之單元比率只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
以第3單體為主體之單元含有以PFBE為主體之單元時，相對於構成ETFE之總單元合計(100莫耳%)，以PFBE為主體之單元比率為0.5~4.0莫耳%為佳，0.7~3.6莫耳%較佳，1.0~3.6莫耳%尤佳。以PFBE為主體之單元比率只要在前述範圍內，第1層2的耐熱性即佳。又，可提升在高溫(尤其在180℃前後)下的拉伸強度。
ETFE之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳，5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。MFR只要在前述範圍內，便可提升ETFE之成形性，且第1層2之機械特性佳。
ETFE之MFR係依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃下測出之值。
熔點200℃以上之聚烯烴的熔點在200℃以上且在300℃以下為佳。
從脫模性及模具追隨性優異的觀點來看，作為熔點200℃以上之聚烯烴以聚甲基戊烯為佳。聚烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
作為第1層用樹脂，前述中又以氟烯烴系聚合物為佳，且以ETFE尤佳。ETFE可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
第1層2可為僅由第1層用樹脂所構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。就無機系添加劑，可列舉碳黑、二氧化矽、玻璃纖維、碳纖維、氧化鈦等無機填料等。就有機系添加劑則可列舉聚矽氧油、金屬皂等。
<第2層>
第2層3之厚度為38~100μm，且以50~100μm為佳。第2層3之厚度若在前述範圍之下限值以上，則使脫模膜1追隨深度為3mm以上之模具時，即使模具之形狀相當複雜，脫模膜1依舊不易破斷。若在前述範圍之上限值以下，則脫模膜1便可輕易地變形，即使模具之形狀相當複雜，脫模膜1依舊可牢固地密接於模具，進而可穩定形成高品質的樹脂密封部。
第2層3在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與 厚度(μm)的乘積為18,000(MPa‧μm)以下，且以14,000(MPa‧μm)以下為佳。若第2層3之厚度在前述範圍內且該厚度(μm)與在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)的乘積在前述上限值以下，則即使係深度為3mm以上的深型模具，模具追隨性依舊優異。前述乘積之下限值以3,000為佳，4,000尤佳。前述乘積若在前述下限值以上，則在輥對輥中之處理性即佳。
第2層3在180℃下之拉伸貯藏彈性係數可藉由構成第2層之樹脂(以下亦稱第2層用樹脂)的結晶度來調整。具體而言，樹脂之結晶度愈低，則由該樹脂構成之層的拉伸貯藏彈性係數愈低。樹脂之結晶度可藉由公知方法調整。例如，在乙烯/四氟乙烯共聚物之情況下，可藉由以四氟乙烯及乙烯以外之其他單體為主體的單元之種類或比率來調整。第2層3在180℃下之拉伸貯藏彈性係數以50~400MPa為佳，50~300MPa尤佳。
第2層3之(180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)×厚度(μm))/(180℃下之拉伸破斷應力(MPa)×厚度(μm))小於3.8為佳，小於3.5尤佳。一旦在3.8以上，真空吸附時往模具的模具追隨性易變得不夠充分，而在深的模具中容易破裂。下限則無特別設定。
第2層3在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000(MPa‧μm)以上，且以3,000(MPa‧μm)以上為佳。在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積若在前述下限值以上，便難以於脫模膜形成針孔。 前述乘積之上限值以7,000為佳，6,000尤佳。前述乘積若在前述上限值以下，模具追隨性即佳。
第2層3在180℃下之拉伸破斷應力可藉由第2層用樹脂之分子量即MFR來調整。第2層3在180℃下之拉伸破斷應力以20~100MPa為佳，30~90MPa尤佳。
作為第2層用樹脂，只要前述拉伸貯藏彈性係數與厚度的乘積及拉伸破斷應力在前述範圍內者即可，可從公知的熱可塑性樹脂、橡膠等樹脂中適當選擇。
第2層3宜具有在密封體之製造時可使脫模膜1從模具順利剝離之程度的脫模性。又，宜具有得以承受成形時之模具溫度(典型為150~180℃)的耐熱性。
第2層之層用樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)以40~105℃為佳，40~80℃尤佳。若在前述範圍之下限值以上，脫模膜即具有適度的柔軟度，在輥對輥中之處理即容易。若在前述範圍之上限值以下，則將脫模膜真空吸附於模具時，薄膜之彈性係數便可充分降低，追隨性即佳。
從該等觀點來看，作為第2層用樹脂以選自於由無延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯(以下亦稱PBT)、易成形聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦稱PET)所構成群組中之至少1種為佳。
從耐熱性、強度、氣體障壁性的觀點來看，作為聚醯胺以尼龍6、尼龍MXD6為佳。
PBT亦可更與聚伸烷基二醇進行共聚。屆時，聚伸烷基二醇單元在總單元中佔10莫耳%以下為佳。藉由含有前 述範圍之聚伸烷基二醇單元，可適度降低彈性係數。就聚伸烷基二醇之具體例，可列舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚三亞甲基醚二醇、聚四亞甲基醚二醇、聚六亞甲基醚二醇等。
PBT之質量平均分子量(Mw)以50,000~100,000為佳，60,000~90,000尤佳。只要在前述範圍之下限值以上，拉伸破斷應力便會增高而難以破斷。只要在前述範圍之上限值以下，熔融黏度即低，而可輕易地製造出厚度為100μm以下之薄型的薄膜。而，Mw係在室溫下將上述1g的PBT溶解於苯酚與四氯乙烷為質量比1比1之溶液100mL中後，使用奧氏黏度計在30℃下測定固有黏度(η)，並使用下式(1)所算出。
Mw=4.3×104×[η]0.76…(1)
易成形PET係不單乙二醇及對苯二甲酸(或是對苯二甲酸二甲酯)還有其他單體進行共聚而改良成形性者。具體而言係以下述方法進行測定之玻璃轉移溫度Tg為105℃以下的PET。
Tg係tanδ(E”/E’)取最大值時的溫度，該tanδ(E”/E’)係依照ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”的比。Tg係令頻率為10Hz、靜力為0.98N且動態位移為0.035%，並將溫度以2℃/分下從20℃升溫至180℃來進行測定。該等第2層用樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
第2層3可為僅由第2層用樹脂所構成，亦可摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等添加物。就無機系添加 劑、有機系添加劑分別可列舉與前述相同之物。
在脫模膜1中，第1層2與第2層3可直接積層亦可隔著未圖示之接著層積層。
<脫模膜之表面形狀>
脫模膜1於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接之面即第1層2側之表面2a可為平滑亦可形成有凹凸。又，脫模膜1於樹脂密封部形成時與模具之上模相接之面即第2層3側之表面3a可為平滑亦可形成有凹凸。若於表面2a形成有凹凸，則與平滑之情況相較之下，較可提升密封體從模具之脫模性。若於表面3a形成有凹凸，則與平滑之情況相較之下，較可提升脫模膜1從模具之脫模性。
平滑之情況下的表面算術平均粗度(Ra)以0.01~0.2μm為佳，0.05~0.1μm尤佳。形成有凹凸之情況下的表面Ra以1.5~2.1μm為佳，1.6~1.9μm尤佳。
形成有凹凸之情況下的表面形狀可為多個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，亦可為多個凸部及/或凹部呈規則配列之形狀。又，多個凸部及/或凹部之形狀及大小可相同亦可互異。
就凸部而言，可列舉沿著脫模膜表面存在之長條形的凸條及呈散佈的突起等。就凹部而言，可列舉沿著脫模膜表面存在之長條形的溝槽及呈散佈的孔等。
就凸條或溝槽的形狀，可舉如直線、曲線、彎折形狀等。在脫模膜表面中，可多個凸條或溝槽平行存在而形成條紋狀。凸條或溝槽之與長邊方向正交之方向的截面形狀 可舉如三角形(V字形)等多角形、半圓形等。
就突起或孔之形狀而言，可舉如三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形及其他各種不定形等。
在脫模膜1中，表面2a及表面3a之兩面可為平滑，亦可於表面2a及表面3a之兩面形成有凹凸，或可表面2a及表面3a中其中一面為平滑而於另一面形成有凹凸。在表面2a及表面3a之兩面形成有凹凸時，各表面之Ra及表面形狀可相同亦可互異。
<脫模膜厚度>
脫模膜1之厚度以43~130μm為佳，50~130μm尤佳。厚度只要在前述範圍之下限值以上，脫模膜1之處理即容易，且使脫模膜1追隨模具時不容易發生破斷或縐痕。厚度只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜1便容易變形，則即使模具形狀很複雜，脫模膜1依舊可牢固地密接於模具，而模具形狀可清楚地轉印至製品上。
<脫模膜1之製造方法>
脫模膜1之製造方法並無特別限定，可利用公知的多層薄膜之製造方法。就具體例而言，可列舉以下(1)、(2)等，並可考慮各層之材質、厚度等來適當選擇。
(1)將由第1層用樹脂所構成之樹脂薄膜及由第2層用樹脂所構成之樹脂薄膜予以積層之方法。
(2)將第1層用樹脂及第2層用樹脂予以共擠出成形之方法。
就脫模膜1之製造方法來說，在經濟性優異的觀點上以(1)之方法為佳。
在(1)之方法中，就積層各樹脂薄膜之方法可採用公知的各種積層方法，舉例如擠出積層法、乾式積層法、熱積層法等。
在乾式積層法中係使用接著劑將各樹脂薄膜予以積層。就接著劑可使用作為乾式積層用接著劑既已公知之物。例如可使用聚乙酸乙烯酯系接著劑；由丙烯酸酯(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等)之均聚物或共聚物、或丙烯酸酯與其他單體(甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等)之共聚物等所構成的聚丙烯酸酯系接著劑；氰基丙烯酸酯系接著劑；由乙烯與其他單體(乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等)之共聚物等所構成的乙烯共聚物系接著劑；纖維素系接著劑；聚酯系接著劑；聚醯胺系接著劑；聚醯亞胺系接著劑；由尿素樹脂或三聚氰胺樹脂等所構成的胺基樹脂系接著劑；苯酚樹脂系接著劑；環氧系接著劑；使多元醇(聚醚多元醇、聚酯多元醇等)與異氰酸酯及/或三聚異氰酸酯交聯而成的聚胺甲酸乙酯系接著劑；反應型(甲基)丙烯酸系接著劑；由氯丁二烯橡膠、腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等所構成的橡膠系接著劑；聚矽氧系接著劑；由鹼金屬矽酸鹽、低熔點玻璃等所構成的無機系接著劑；及其他等之接著劑。
在(1)之方法中進行積層之樹脂薄膜可使用市售物亦可使用藉由公知的製造方法所製造者。亦可對樹脂薄 膜施予電暈處理、電漿處理、底漆塗敷處理等表面處理。
就樹脂薄膜之製造方法並無特別限定，可使用公知的製造方法。
就兩面為平滑之熱可塑性樹脂薄膜之製造方法，例如可列舉以具備具有預定唇寬之T型模的擠出機進行熔融成形之方法等。
就於單面或兩面形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜之製造方法，例如可列舉以熱加工將原模凹凸轉印至熱可塑性樹脂薄膜表面之方法，而從生產性的觀點來看，以下述方法(i)、(ii)等為佳。在方法(i)、(ii)中，藉由使用輥狀的原模，可進行連續加工，故而可顯著提升形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜的生產性。
方法(i)，係使熱可塑性樹脂薄膜通過原模輥與壓印滾筒輥之間，將形成於原模輥表面上的凹凸連續轉印至熱可塑性樹脂薄膜表面。
方法(ii)，係使從擠出機之模頭擠出之熱可塑性樹脂通過原模輥與壓印滾筒輥之間，將該熱可塑性樹脂成形為薄膜狀的同時，將形成於原模輥表面上的凹凸連續轉印至該薄膜狀之熱可塑性樹脂表面。
在方法(i)、(ii)中，若使用表面形成有凹凸者作為壓印滾筒輥，便可獲得兩面形成有凹凸之熱可塑性樹脂薄膜。
以上係針對本發明之脫模膜顯示第1實施形態加以說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主 旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，更可於第1實施形態之脫模膜1之第1層2與第2層3之間具有因應需求設置之接著層以外的其他層。就其他層例如可列舉氣體障壁層、抗靜電層等。就氣體障壁層，可舉如金屬層、金屬蒸鍍層、氧化金屬蒸鍍層等。就抗靜電層則可列舉由導電性高分子所形成之層或由具有導電性高分子、導電性氧化金屬、金屬離子鹽等之熱硬化性樹脂所形成之層等。
更可於第1實施形態之脫模膜1之第2層3其與第1層2側相反之側具有第3層，且該第3層於樹脂密封部形成時與模具相接。此時，更可因應需求於第2層3與第3層之間具有接著層或其他層。
在本發明效果的觀點下，本發明之脫模膜以樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接之第1層與第2層直接或隔著接著層積層而成者為佳。
<作用效果>
在密封體之製造方法中用以形成樹脂密封部而使用之模具，比在密封1個半導體元件之半導體封裝件等之製造中使用的模具更深，且該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於具有至少一者之深度為3mm以上之上模及下模的模具內，並以硬化性樹脂密封而形成厚度3mm以上之樹脂密封部。又，在基板上安裝有各高度相異之多個零件之情況等，硬化性樹脂相接之面可能具有複雜的形狀。所以，用以使密封體良好脫模的對 策即顯重要，習知係採取於硬化性樹脂中添加脫模劑或使用特殊結構之模具等的對策。
又，在使放熱板等零件露出並同時進行密封之情況下，若讓模具以與欲露出之零件直接接觸之狀態進行密封，便容易產生所謂的樹脂毛邊。所以，習知係採取追加除去樹脂毛邊之步驟的對策。
本發明之脫模膜具備良好的密封體從模具之脫模性及良好的對需要大變形之模具的追隨性。
本發明之脫模膜具有良好的密封體從模具之脫模性，因此藉由將本發明之脫模膜配置於前述模具之與硬化性樹脂相接之面，則即使未於硬化性樹脂中添加脫模劑或未使用特殊結構的模具，依舊可實現密封體從模具的良好脫模。
又，本發明之脫模膜具有良好的對需要大變形之模具的追隨性，如前述可無破斷地追隨厚度深且有時可能為複雜形狀的模具。所以，進行結構體之密封時，不易產生脫模膜破斷而使硬化性樹脂從其部分漏溢之問題。
又，本發明之脫模膜對結構體表面之欲露出之零件的密接相當優異。所以，可有效防止密封時產生的樹脂毛邊。
[密封體之製造方法]
本發明密封體之製造方法係使用具有上模及下模的模具來製造密封體之方法，其中前述上模及下模中至少一者之深度為3mm以上，且該密封體具有基板、半導體元件、連接端子、及由硬化性樹脂形成且厚度為3mm以上之樹脂 密封部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將前述本發明之脫模膜配置於前述上模及下模中深度為3mm以上者之與前述硬化性樹脂相接之面；將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於前述模具內，以硬化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部；及使前述樹脂密封部連同前述結構體一起從前述模具脫模。
本發明密封體之製造方法在密封體之製造時係配置於模具之與前述硬化性樹脂相接之面，除此以外可採用公知的製造方法。
例如，就樹脂密封部之形成方法可列舉壓縮成形法或轉注成形法，此時使用的裝置則可使用公知的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。製造條件亦可設為與公知的半導體封裝件之製造方法中之條件為相同條件。
藉由本發明密封體之製造方法製造之密封體只要是具有基板、半導體元件、連接端子及厚度為3mm以上之樹脂密封部者即無特別限定。
就密封體，可舉如功率半導體模組、混合記憶體方塊(hybrid memory cube)等。樹脂密封部之厚度以3~10mm為佳，3~7mm尤佳。
(第1實施形態)
密封體之製造方法之一實施形態，係使用圖1所示之脫 模膜1，針對圖3中所示藉由壓縮成形法來製造密封體110之情況加以說明。本實施形態之密封體之製造方法具有下述步驟(α1)~(α5)。
步驟(α1)，其以使脫模膜1覆蓋下模之凹部的方式，將脫模膜1配置於具有上模與下模之模具的下模中，且該下模具有深度為3mm以上之凹部，該上模則不具有深度為3mm以上之凹部。
步驟(α2)，其將脫模膜1真空吸引至下模之模槽面側。
步驟(α3)，其將硬化性樹脂充填於下模之凹部內。
步驟(α4)，其將具有基板16、積層結構17及矽貫通孔18之結構體(以下亦稱結構體130)配置於上模與下模之間，將上模及下模合模後，以硬化性樹脂填滿前述上模與下模之間所形成的模槽並使其硬化，形成樹脂密封部19而藉此獲得密封體110。
步驟(α5)，其將密封體110從模具取出。
密封體：
圖2係藉由第1實施形態之密封體之製造方法製造之密封體110的概略截面圖。
密封體110為混合記憶體方塊，具有基板16、多個半導體晶片17a積層而成的積層結構17、多個矽貫通孔(連接端子)18及樹脂密封部19。
矽貫通孔18貫通積層結構17並與多個半導體晶片17a相連接。樹脂密封部19形成於基板16上並密封著半導體晶片17a及矽貫通孔18。樹脂密封部19之厚度D1為3mm以上。
模具：
就第1實施形態中之模具而言，可使用作為壓縮成形法中使用之模具既已公知之物。例如可舉如圖3所示，具有固定上模(上模)20、模槽底面構件22及配置於模槽底面構件22之周緣的框狀可動構件24之模具。
於固定上模20形成有真空孔(圖示省略)，該真空孔係藉由吸引基板10與固定上模20之間的空氣以將基板10吸附於固定上模20。又，於模槽底面構件22形成有真空孔(圖示省略)，該真空孔係藉由吸引脫模膜1與模槽底面構件22之間的空氣以將脫模膜1吸附於模槽底面構件22。
在此模具中，係藉由模槽底面構件22及可動構件24來構成下模。使可動構件24於上下方向移動，藉此可改變下模之深度。依模槽底面構件22之上面及可動構件24之內側側面來形成形狀與步驟(α4)中形成之樹脂密封部19之形狀相對應的凹部26。
以下，模槽底面構件22之上面及可動構件24之內側側面亦總稱為模槽面。
步驟(α1)：
以覆蓋模槽底面構件22之上面的方式將脫模膜30配置於可動構件24上。此時，脫模膜1係配置成使第1層2側之表面2a朝向上側(與模槽底面構件22方向為相反方向)。
典型上，脫模膜1係從捲出輥(圖示省略)送出並由捲取輥(圖示省略)捲取。脫模膜1會被捲出輥及捲取輥拉伸，因此可在經延展之狀態下配置於可動構件24上。
步驟(α2)：
另外透過模槽底面構件22之真空孔(圖示省略)進行真空吸引，使模槽底面構件22之上面與脫模膜1之間的空間減壓，讓脫模膜1延展變形而真空吸附於模槽底面構件22之上面。再將配置於模槽底面構件22之周緣的框狀可動構件24扣緊，將脫模膜1往所有方向拉伸使其成緊張狀態。
又，因高溫環境下的脫模膜1之強度、厚度及依模槽底面構件22之上面與可動構件24之內側側面所形成的凹部形狀，脫模膜1不見得會密接於模槽面。在步驟(α2)之真空吸附階段中，如圖3所示可於脫模膜1與模槽面之間殘留有少許的空隙。
步驟(α3)：
如圖3所示，藉由灑施器(圖示省略)將硬化性樹脂40適量充填於凹部26內之脫模膜30上。
又，另外透過固定上模20之真空孔(圖示省略)進行真空吸引，將結構體130之基板10真空吸附於固定上模20之下面。
就硬化性樹脂40而言，亦可使用既已於半導體模組等製造中使用的各種硬化性樹脂。以環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂為佳，且以環氧樹脂尤佳。
就環氧樹脂，可舉如SUMIMONO BAKELITE CO.,LTD.製SUMIKON EME G770H type F ver.GR、Nagase ChemteX Corporation製T693/R4719-SP10等。
就聚矽氧樹脂之市售品，可列舉信越化學工業公司製 LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
硬化性樹脂40中亦可含有碳黑、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。
而，在此雖顯示填充固體物作為硬化性樹脂40之例，但本發明不受此限，亦可充填液狀的硬化性樹脂。
步驟(α4)：
如圖4所示，在已將硬化性樹脂40充填於凹部26內之脫模膜1上的狀態下，使模槽底面構件22及可動構件24上升以與固定上模20合模。
接著如圖5所示，僅使模槽底面構件22上升並同時將模具加熱使硬化性樹脂40硬化而形成密封結構體130之樹脂密封部19。藉此可形成密封體110。
在步驟(α4)中，藉由使模槽底面構件22上升時的壓力可將已充填於模槽內之硬化性樹脂40進一步壓入模槽面。藉此，可使脫模膜1延展變形而密接於模槽面。所以，可形成形狀與凹部26之形狀相對應的樹脂密封部19。樹脂密封部19之厚度係與使模槽底面構件22上升後從模槽底面構件22之上面到可動構件24之上端為止之高度(下模之深度)相同。
模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度以100~185℃為佳，150~180℃尤佳。加熱溫度只要在前述範圍之下限值以上，半導體封裝件1之生產性即佳。加熱溫度只要在前述範圍之上限值以下，便可抑制硬化性樹脂40之劣化。
從可抑制源自硬化性樹脂40之熱膨脹率所造成的樹脂密封部19之形狀變化的觀點來看，在尤其講究密封體110之保護的情況下，在前述範圍內盡可能低溫的溫度下進行加熱為佳。
步驟(α5)：
將固定上模20、模槽底面構件22及可動構件24開模並取出密封體110。
將密封體110脫模的同時將脫模膜1之使用完畢部分送至捲取輥(圖示省略)，並將脫模膜1之未使用部分從捲出輥(圖示省略)送出。
脫模膜1從捲出輥搬送至捲取輥時的之厚度以43μm以上為佳。厚度小於43μm時，容易在脫模膜1之搬送時產生縐痕。一旦於脫模膜1上有縐痕，便有縐痕轉印至樹脂密封部19而成為製品不良之虞。厚度只要在43μm以上，便可對脫模膜1充分賦予張力，而可抑制縐痕的產生。
(第2實施形態)
作為密封體之製造方法的其他實施形態，係使用圖1所示之脫模膜1，針對藉由轉注成形法來製造圖2所示之密封體110之情況加以說明。
本實施形態之半導體封裝件之製造方法具有下述步驟(β1)~(β5)。
步驟(β1)，其以脫模膜1覆蓋上模之凹部開口的方式，將脫模膜1配置於具有上模及下模之模具的上模中，該上模具有深度為3mm以上之凹部，該下模則不具有深度為3mm 以上之凹部。
步驟(β2)，其將脫模膜1真空吸引至上模之模槽面側。
步驟(β3)，其將具備基板16、積層結構17及矽貫通孔18之結構體130配置於下模之預定位置，並將上模與下模合模。
步驟(β4)，其將硬化性樹脂充填至上模與下模之間所形成的模槽內，使其硬化而形成樹脂密封部19，藉此製得密封體110。
步驟(β5)，其將密封體110從模具內取出。
模具：
就第2實施形態中之模具，可使用作為轉注成形法中使用之模具既已公知之物。例如可舉如圖6所示具有上模50及下模52之模具。上模50形成有凹部54及將硬化性樹脂40導至凹部54內的凹狀樹脂導入部60，其中該凹部54具有與步驟(β4)中形成之樹脂密封部19之形狀相對應的形狀。下模52形成有可設置結構體130之基板16的基板設置部58及可配置硬化性樹脂40的樹脂配置部62。又，於樹脂配置部62內設置有柱塞64，該柱塞64可將硬化性樹脂40擠出至上模50之樹脂導入部60。
步驟(β1)：
如圖7所示，將脫模膜1配置成覆蓋上模50之凹部54。脫模膜1宜配置成覆蓋凹部54及樹脂導入部60整體。脫模膜1典型上會被捲出輥(圖示省略)及捲取輥(圖示省略)拉伸而於被延展之狀態下配置成覆蓋於上模50之凹部54。
步驟(β2)：
如圖8所示，透過已形成於上模50之凹部54外部的溝槽(圖示省略)進行真空吸引，將脫模膜1與模槽面56之間的空間及脫模膜1與樹脂導入部60之內壁之間的空間減壓，使脫模膜1延展變形而真空吸附於上模50之模槽面56。
又，因高溫環境下的脫模膜1之強度、厚度或凹部54之形狀，脫模膜1不見得會密接於模槽面56。如圖8所示，在步驟(β2)之真空吸附階段中，於脫模膜1與模槽面56之間會殘留有少許空隙。
步驟(β3)：
如圖9所示，將結構體130之基板16設置於基板設置部58，並將上模50及下模52合模以將結構體130配置於凹部54內之預定位置。又，預先將硬化性樹脂40配置於樹脂配置部62之柱塞64上。
就硬化性樹脂40，可舉與方法(α)中所舉之硬化性樹脂40相同之物。
步驟(β4)：
如圖10所示，將下模52之柱塞64上推，透過樹脂導入部60將硬化性樹脂40充填至凹部54內。接著將模具加熱，使硬化性樹脂40硬化而形成密封結構體130之樹脂密封部19。藉此可形成密封體110。樹脂密封部19之厚度與上模50之凹部54的深度相同。
在步驟(β4)中係藉由將硬化性樹脂40充填至凹部54內，藉此以樹脂壓力將脫模膜1進一步壓入至模槽面56側，使其 延展變形而密接於模槽面56。所以可形成形狀與凹部54之形狀相對應的樹脂密封部19。
使硬化性樹脂40硬化時的模具之加熱溫度、即硬化性樹脂40之加熱溫度，宜設成與方法(α)中之溫度範圍為相同範圍。
硬化性樹脂40充填時的樹脂壓以2~30MPa為佳，3~10MPa尤佳。樹脂壓只要在前述範圍之下限值以上，便不易產生硬化性樹脂40之充填不足等缺點。樹脂壓只要在前述範圍之上限值以下，便容易製得品質優異的密封體110。硬化性樹脂40之樹脂壓可藉由柱塞64作調整。
步驟(β5)：
如圖11所示，將密封體110從模具取出。此時，在樹脂導入部60內硬化性樹脂40硬化而成之硬化物42會以附著於密封體110之樹脂密封部19的狀態連同密封體110一起從模具被取出。所以，將附著於被取出之密封體110上的硬化物42切除即可獲得密封體110。
以上係針對本發明之半導體元件安裝用封裝件之製造方法顯示第1~第2實施形態加以說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，從脫模膜1剝離密封體110之時序不僅限從模具取出密封體110之時，亦可從模具連同脫模膜1一起取出密封體110後，再從密封體110剝離脫模膜1。
在步驟(α4)或步驟(β3)中亦可配置已於基板上形成有由積層結構17及矽貫通孔18所構成之結構體的多個結構體來替代結構體130，並於步驟(α5)或步驟(β5)後將取出之密封體的基板及樹脂密封部切斷(單片化)使前述多個結構體分離而獲得密封體110。
單片化可藉由公知的方法進行，可舉如切割法。切割法係使切割刀旋轉的同時將對象物切斷之方法。就切割刀而言，典型上可使用於圓盤外周燒結有鑽石粉之旋轉刃(鑽石切刀)。利用切割法所行之單片化例如可藉由下述方法進行：將切斷對象物(密封體)藉由夾具固定於處理台上，並在切斷對象物之切斷區域與前述夾具之間存有可***切割刀之空間的狀態下，使前述切割刀移動。
進行單片化時，如前述於將切斷對象物切斷之步驟(切斷步驟)後，亦可包含異物除去步驟，該異物除去步驟係從噴嘴朝向切斷對象物供給液體的同時使前述處理台移動來進行，其中該噴嘴係配置於與覆蓋前述切割刀之外殼分開之位置。
於步驟(α5)或步驟(β5)之後，為了顯示任意的資訊，亦可進行將印墨塗佈至樹脂密封部表面而形成印墨層之步驟。
可藉由印墨層顯示之資訊並無特別限定，可舉如序號、製造商的相關資訊及零件之類別等。印墨之塗佈方法並無特別限定，例如可適用噴墨法、網版印刷、由橡膠版之轉印等各種印刷法。就印墨而言並無特別限定，可從公知印 墨之中適當選擇。
就印墨層之形成方法而言，在硬化速度快且封裝件上的滲斑少、或因不吹熱風所以少有封裝件位移等觀點上，以使用光硬化型印墨，藉由噴墨法使該印墨附著於樹脂密封部表面後，藉由光照射使該印墨硬化之方法為佳。
作為光硬化型印墨，典型上可使用含有聚合性化合物(單體、寡聚物等)之物。於印墨中可因應需求添加顏料、染料等色材、液體介質(溶劑或分散媒)、聚合抑制劑、光聚合引發劑及其他各種添加劑等。就其他添加劑，可舉如滑劑、聚合促進劑、浸透促進劑、濕潤劑(保濕劑)、定著劑、防黴劑、防腐劑、抗氧化劑、放射線吸收劑、螯合劑、pH調整劑、增稠劑等。
就使光硬化型印墨硬化之光，可列舉紫外線、可見光線、紅外線、電子射線、放射線等。就紫外線之光源，可列舉殺菌燈、紫外線用螢光燈、碳弧、氙燈、複印用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、紫外線發光二極體、紫外線雷射二極體、自然光等。
光照射可在常壓下進行亦可在減壓下進行。又，可在空氣中進行，或可在氮氣體環境、二氧化碳氣體環境等惰性氣體環境下進行。
藉由本發明密封體之製造方法製造之密封體不限於密封體110。
圖12顯示藉由本發明密封體之製造方法製造之密封體 之另一例的概略截面圖。此例之密封體120為功率半導體模組，其具有基板10、半導體晶片(半導體元件)11、多個連接端子12、多個導線13、放熱板14及樹脂密封部15。
多個連接端子12係各連接端子之其中一端配置於基板10上之半導體晶片11的附近，從該位置沿基板10之邊緣方向延伸並在基板10之邊緣部朝與基板10側的相反方向折曲，再朝與基板10分離之方向折曲而突出於樹脂密封部15之外側。多個導線13係分別將多個連接端子12之其中一端與半導體晶片11相連接。放熱板14係配置於基板10之下側，且放熱板14之上面與基板10相接。樹脂密封部15係密封連接端子12之一部分及放熱板14之底面以外的部分，且放熱板14之底面呈露出狀態。
密封體120係使用具有基板10、半導體晶片11、連接端子12、導線13及放熱板14之結構體來替代結構體130，並使用具有與樹脂密封部15相對應之模槽的模具，除此以外可以與第1、第2實施形態同樣的方式來製造。
例如，上模係使用具有形狀與樹脂密封部12之連接端子12突出之位置更上側相對應之凹部者，下模則是使用具有形狀與樹脂密封部12之連接端子12突出之位置更下側相對應之凹部者。若將該等上模及下模合模，便可形成與樹脂密封部15相對應之模槽。
上模之凹部的深度D2與下模之凹部的深度D3之合計為樹脂密封部15的厚度D1。在此例中係設為D2小於3mm且D3為3mm以上。
在密封體120之製造中，係將本發明之脫模膜配置於下模之模槽面，並於其上將前述結構體配置成使放熱板14側朝向下模側，在連接端子12之未密封之部分夾於上模與下模之間的狀態下進行合模後，以與前述同樣的方式進行轉注成形。藉此可形成密封體120。此時，亦可於上模之模槽面配置既有的脫模膜。
樹脂密封部之形狀不限於圖2、圖12所示者。例如，樹脂密封部之上面或側面亦可不為平坦狀而具有段差。
形成樹脂密封部時，半導體晶片或其他零件亦可與脫模膜直接相接。此時，與脫模膜直接相接之部分會從樹脂密封部露出。
實施例
以下將顯示實施例詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限定。後述之例1~15中，例1~10為實施例，例11~15為比較例。各例中所使用之材料及測定‧評估方法顯示如下。
[使用材料]
<熱可塑性樹脂薄膜>
ETFE薄膜：藉由設置有已調整過模唇開度之T型模的擠出機，將後述製造例1中所製得之ETFE(1)在320℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而製得厚度12μm、25μm、100μm、200μm之ETFE薄膜。
聚甲基戊烯薄膜：藉由設置有已調整過模唇開度之T 型模的擠出機，將聚甲基戊烯「TPX MX004」(三井化學公司製)在280℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得厚度25μm之聚甲基戊烯薄膜。
PBT薄膜(1)：藉由設置有已調整過模唇開度之T型模的擠出機，將「Novaduran5020」(三菱工程塑料公司製；Mw：70,000；源自丁二醇之單元/源自對苯二甲酸之單元=53/47(莫耳比))在280℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得厚度38、50、100、150μm之PBT薄膜。又，Tg為63℃。
PBT薄膜(2)：藉由設置有已調整過模唇開度之T型模的擠出機，將「Novaduran5505S」(三菱工程塑料公司製；Mw：60,000；源自丁二醇之單元/源自對苯二甲酸之單元/=53/47(莫耳比)且總單元中具有5莫耳%之源自聚乙二醇之單元的共聚)在280℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得厚度50μm之PBT薄膜。又，Tg為62℃。
PBT薄膜(3)：藉由設置有已調整過模唇開度之T型模的擠出機，將「Novaduran5026」(三菱工程塑料公司製；Mw：110,000；源自丁二醇之單元/源自對苯二甲酸之單元/=53/47(莫耳比))在280℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得厚度100μm之PBT薄膜。又，Tg為63℃。
PBT薄膜(4)：藉由設置有已調整過模唇開度之T型模的擠出機，將「Novaduran5510S」(三菱工程塑料公司製；Mw： 60,000；源自丁二醇之單元/源自對苯二甲酸之單元/=53/47(莫耳比)且總單元中具有11莫耳%之源自聚乙二醇之單元的共聚)在280℃下熔融擠出，並調整原模輥、製膜速度、夾持壓力而獲得厚度50μm之PBT薄膜。又，Tg為60℃。
無延伸尼龍薄膜：Diamiron C-Z 50μm(三菱樹脂公司製)；Tg：47℃。
易成形PET薄膜：TEFLEX FT 50μm(帝人杜邦薄膜公司製)；Tg：101℃。
PET薄膜：Teijin Tetoron G2 50μm(帝人杜邦薄膜公司製)；Tg：118℃。
而，實施例中使用之薄膜的Tg係tanδ(E”/E’)取最大值時之溫度，該tanδ(E”/E’)係依ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出之貯藏彈性係數E’及損失彈性係數E”的比。Tg係令頻率10Hz、靜力0.98N且動態位移0.035%，使溫度在2℃/分下從20℃升溫至180℃來進行測定。
在各薄膜中，將Ra較小之面作為乾式積層中之貼合面。又，各薄膜在乾式積層中之貼合面依ISO8296：1987(JIS K6768：1999)而得之濕潤張力為40mN/m以下時，均有施加電暈處理以使其成為40mN/m以上。
<製造例1：ETFE(1)之製造>
將內容積為1.3L之附攪拌機的聚合槽脫氣後饋入1-氫十三氟己烷881.9g、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子公司製；以下稱AK225cb)335.5g及 CH2=CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)7.0g，並壓入TFE 165.2g及乙烯(以下稱E)9.8g並將聚合槽內升溫至66℃，再饋入作為聚合引發劑溶液之過氧異戊酸三級丁酯(以下稱PBPV)1質量%之AK225cb溶液7.7mL，開始聚合。
連續饋入TFE/E=54/46之莫耳比的單體混合氣體，使聚合中壓力恆定。又，配合單體混合氣體之饋入而連續饋入相對於TFE與E之合計莫耳數相當於1.4莫耳%之量的PFBE。聚合開始2.9小時後，在已達饋入單體混合氣體100g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫並同時將聚合槽之壓力排淨至常壓。
然後以玻璃濾器將所製得之漿料予以吸引過濾，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得ETFE(1)105g。
ETFE(1)為四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.5/46.3/1.2(莫耳比)之共聚物，且MFR為12g/10分。
<接著層>
於貼合各薄膜之乾式積層步驟中使用的接著劑係使用下述胺甲酸乙酯系接著劑A。
[胺甲酸乙酯系接著劑A]
主劑：CRISVON NT-258(DIC公司製)。
硬化劑：Coronate2096(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製)。
將主劑及硬化劑以固體成分計之質量比(主劑：硬化劑)為10：1的方式加以混合，且稀釋劑係使用乙酸乙酯。
[測定‧評估方法]
<厚度>
以下述程序測出例1~8及例12~13中使用於第1層或第2層之薄膜(或是在例9~11中作為脫模膜使用之薄膜)的厚度。
以接觸式厚度計DG-525H(小野測器公司製)，使用測定件AA-026(Φ10mm SR7)於寬度方向上為等距離的方式測定10處的薄膜厚度，並以其平均值作為厚度。
<180℃拉伸破斷應力>
以ASTM D638為基準測出在例1~8及例12~13中使用於第2層之薄膜(或是在例11中作為脫模膜使用之薄膜)的拉伸破斷應力(單元：MPa)。具體來說，係以試驗片型號V將薄膜打洞來製作試驗薄膜，並針對該試驗薄膜在溫度180℃、拉伸速度50mm/分之條件下進行拉伸試驗，來測定拉伸破斷應力。
<180℃拉伸貯藏彈性係數>
以下述程序測出在例1~8、例12~13中使用於第2層之薄膜(或是在例11中作為脫模膜使用之薄膜)的拉伸貯藏彈性係數(單元：MPa)。
使用動黏彈性測定裝置Solid L-1(東洋精機製)，依ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)測出貯藏彈性係數E’。試樣測定尺寸為寬8mm×長20mm，令頻率為10Hz、靜力為0.98N且動態位移為0.035%，並使溫度在2℃/分之速度下從20℃上升至180℃後，在180℃之值下測出E’，並令該E’為180℃拉伸貯藏彈性係數。
<180℃追隨試驗>
參照圖13來說明本試驗方法。
本試驗中使用之裝置係如圖13所示，具有：於中央具有Φ 10mm之圓柱狀的孔之甜甜圈形框材(不鏽鋼製；厚度9mm)70、下模72、上模74及銷件76。
於下模72形成有可收納框材70之凹部。於凹部底面配置有不鏽鋼製網狀物78。下模72與配管L1相連接，且配管L1與真空泵(圖示省略)相連接，而可對凹部內之空氣減壓。
於上模74之中央具有孔，上側(與下模72側相反之側)之開口則由玻璃製天窗80阻塞。上模72與配管L2相連接，透過配管L2可對上模74之孔中供給壓縮空氣。
進行試驗時，首先將框材70載置於網狀物78上，將銷件76放入框材70之孔中後，將下模72及上模74在夾住墊料82及評估對象之脫模膜30的狀態下使用螺旋(圖示省略)進行合模。藉此脫模膜30會被固定。又，於脫模膜30與下模72之模槽面之間、及脫模膜30、上模74之孔的內周面與天窗76之間，分別形成有氣密的空間。
此時，在下模72之凹部側面與框材70之外周面之間、及脫模膜30與框材70之頂面之間，有些許的間隙。又，藉由網狀物78可使下模72之凹部底面與框材70不致密接。
所以，於脫模膜30固定後，透過配管L1將下模72之凹部內減壓，並因應需求從配管L2對上模74之孔中供給壓縮空氣，藉此可將脫模膜30吸引至框材70側，使其延展而密 接於框材70之孔的內周面及銷件76之上面。
又，藉由改變放入框材70之孔中的銷件76之厚度，可改變追隨深度即框材70之上面與銷件78之上面之間的距離。
在試驗中，首先作為銷件76係使用追隨深度為3mm或7mm者，並已在前述程序中固定好脫模膜30。此時，當脫模膜30為積層有第2層及第1層之積層薄膜時，係將第2層側表面配置成朝向框材70側。接著利用配置於下模72下側的熱板(圖示省略)將裝置整體加熱至180℃以後，驅動真空泵將銷件76及脫模膜30間之空氣抽出。再從配管L2將壓縮空氣(0.5MPa)供給至空間S內，並使脫模膜30追隨框材70及銷件76。將此狀態維持3分鐘後，以真空泵之真空度確認有無針孔。具體來說，在真空度為-90kPa以上之情況下係設為有針孔。以下述基準評估結果。
○(良好)：無針孔。
×(不良)：有針孔。
又，由天窗80觀察薄膜，以目測確認框材70之孔中的角部(銷件76之上面與框材70之孔的內周面交差的部分)是否有與脫模膜30接觸，並以下述基準評估對於模具之追隨性。
○(良好)：有接觸。
×(不良)：未接觸。
<環氧樹脂剝離性>
於15cm×15cm之正方形的金屬板(厚度3mm)上，載置大 小15cm×15cm之正方形的聚醯亞胺薄膜(商品名：Upilex 125S；宇部興產公司製；厚度125μm)。於該聚醯亞胺上進一步載置15cm×15cm之正方形且於中央開有一10cm×8cm之長方形孔的聚醯亞胺薄膜(厚度3mm)作為分隔件。於該孔之中心附近放置2g的半導體密封用環氧顆粒樹脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、SUMIMONO BAKELITE CO.,LTD.製)。再於其上以第1面朝向下側(環氧樹脂側)的方式載置15cm×15cm之正方形的脫模膜，最後於其上載置15cm×15cm之正方形的金屬板(厚度3mm)而製成積層試樣。
將該積層試樣放入已以180℃加熱之壓製機(50t壓製機，壓製面積45cm×50cm)，在100kg/cm2之壓力下壓製5分鐘，使環氧樹脂硬化。取出積層試樣並除去金屬板及聚醯亞胺薄膜後恢復至常溫。以目測確認此時脫模膜的狀況，且確認以手剝離脫模膜時的狀況後，以下述基準評估環氧樹脂剝離性。
○(良好)：冷卻時會自行剝離。可以手輕易地剝離。
×(不良)：冷卻時不會自行剝離。無法以手輕易地剝離。
[例1]
在0.5g/m2下以凹版塗佈將胺甲酸乙酯系接著劑A塗敷於100μmPBT薄膜(1)之單面上，並以乾式積層貼合25μm之ETFE薄膜的電暈處理面而獲得脫模膜。乾式積層條件係設為基材寬度1,000mm、搬送速度20m/分、乾燥溫度80~100℃、積層輥溫度25℃且輥件壓力3.5MPa。
[例2~10、例14~15]
以如同表1及2之記載選擇第1層、第2層並以與例1同樣的方式製得脫模膜。
[例11~13]
將與表1及2中記載之第1層或第2層相對應之薄膜直接當作脫模膜。
於表1及2顯示例1~15之脫模膜的薄膜構成、第2層之拉伸破斷應力(MPa)、第2層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)、第2層在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積(180℃拉伸破斷應力×厚度)、第2層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積(180℃拉伸貯藏彈性係數×厚度)及評估結果(環氧樹脂剝離性、180℃追隨試驗)。
於薄膜構成係顯示與第1層及第2層各自相對應之薄膜的種類、厚度(μm)及兩面之Ra。而，表1及2中之第1層及第2層之薄膜的各Ra值係顯示於上下2段，其中，較小者為乾式積層面，較大者為未進行乾式積層之面。
[表1]
如同上述結果所示，例1~10之脫模膜在環氧樹脂剝離性之評估結果為○，確認密封體從模具之脫模性優異。
又，例1~7之脫模膜在180℃追隨試驗之評估結果為○，而確認到在成形時之溫度條件下具有可不破斷地追隨深度為3mm及7mm之模具的追隨性。例8及例10之脫模膜在深度為7mm之模具中雖然產生了針孔，但對深度為3mm之模具具有可不破斷地追隨之追隨性。此認為是因為例8之脫模膜的(第2層在180℃下之拉伸貯藏彈性係數×厚度)/(第2層在180℃下之拉伸破断強度×厚度)之值為3.8以上，故不容易追隨深度為7mm之模具，然因隨後的壓縮空氣而急速地追隨模具故而產生了針孔。又認為10之脫模膜在形成第2層之PBT中因聚伸烷基二醇單元於總單元中超過10莫耳%，所以拉伸破斷應力過低而在深型的模具中產生了針孔。
例9之脫模膜在深度為7mm之模具中雖未追隨模具，但對深度為3mm之模具則具有可不破斷地追隨之追隨性。此認為是因為例9之脫模膜在形成第2層之PBT中Mw超過100,000，拉伸破斷應力過高而在深型的模具中之追隨性不夠充分所致。
另一方面，為ETFE之單層薄膜且厚度為100μm之例11之脫模膜於180℃追隨試驗時在深度為3mm之模具中有觀察到破斷。
為ETFE之單層薄膜且厚度為200μm之例12之脫模膜雖未見針孔但追隨性不佳。
為PBT之單層薄膜的例13之脫模膜其脫模性不夠充分。
第2層之厚度超過100μm之例14的脫模膜於180℃追隨 試驗時未能追隨深度為3mm以上之模具。
第2層之180℃拉伸貯藏彈性係數×厚度之值超過18,000之例15的脫模膜於180℃追隨試驗時未能追隨深度為3mm以上之模具。
產業上之可利用性
本發明之脫模膜及使用其之密封體之製造方法可廣泛使用在形狀複雜的半導體模組等製造中。
而，在此係引用已於2014年3月7日提出申請之日本專利申請案2014-045467號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容並納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (10)

  1. 一種脫模膜，係於密封體之製造方法中配置於模具與硬化性樹脂相接之面上，該密封體之製造方法係將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於具有上模及下模的前述模具內，並以前述硬化性樹脂予以密封而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部，其中前述上模及下模中至少一者之深度為3mm以上，且該脫模膜係配置在前述上模及下模中深度為3mm以上者之與硬化性樹脂相接之面，其特徵在於：具有第1層及第2層，該第1層於前述樹脂密封部形成時與硬化性樹脂相接；前述第1層之厚度為5~30μm，且其係由選自於由氟樹脂及熔點200℃以上之聚烯烴所構成群組中之至少1種所構成；並且，前述第2層之厚度為38~100μm，在180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)與厚度(μm)的乘積為18,000(MPa．μm)以下，且在180℃下之拉伸破斷應力(MPa)與厚度(μm)的乘積為2,000(MPa．μm)以上。
  2. 如請求項1之脫模膜，其中前述第1層係由氟烯烴系聚合物或聚甲基戊烯構成。
  3. 如請求項1之脫模膜，其中前述第1層係由共聚物構成，且該共聚物具有以四氟烯烴為主體之單元及以伸乙基為主體之單元。
  4. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中前述第2層係由第2層用樹脂構成，且前述第2層用樹脂之玻璃轉移溫度為40~105℃。
  5. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中前述第2層係由選自於由無延伸聚醯胺、聚對苯二甲酸丁二酯及易成形聚對苯二甲酸乙二酯所構成群組中之至少1種構成。
  6. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中前述第2層之靠模具面側的表面算術平均粗度(Ra)為1.5~2.1μm。
  7. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中第2層之(180℃下之拉伸貯藏彈性係數(MPa)×厚度(μm))/(180℃下之拉伸破斷應力(MPa)×厚度(μm))小於3.8。
  8. 一種密封體之製造方法，係使用具有上模及下模的模具來製造密封體之方法，其中前述上模及下模中至少一者之深度為3mm以上，且該密封體具有基板、半導體元件、連接端子、及由硬化性樹脂形成且厚度為3mm以上之樹脂密封部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：將如請求項1至4中任一項之脫模膜配置於前述上模及下模中深度為3mm以上者之與前述硬化性樹脂相接之面；將具有基板、半導體元件及連接端子之結構體配置於前述模具內，以硬化性樹脂填滿前述模具內之空間並使其硬化而形成厚度為3mm以上之樹脂密封部；及使前述樹脂密封部連同前述結構體一起從前述模 具脫模。
  9. 如請求項8之密封體之製造方法，其具有下述步驟(α1)~(α5)：步驟(α1)，其以使脫模膜覆蓋下模之凹部的方式，將脫模膜配置於具有上模與下模之模具的下模中，且該下模具有深度為3mm以上之凹部，該上模則不具有深度為3mm以上之凹部；步驟(α2)，其將脫模膜真空吸引至下模之模槽面側；步驟(α3)，其將硬化性樹脂充填於下模之凹部內；步驟(α4)，其將具有基板、積層結構及矽貫通孔之結構體配置於上模與下模之間，將上模及下模合模後，以硬化性樹脂填滿前述上模與下模之間所形成的模槽並使其硬化，形成樹脂密封部而藉此製得密封體。
  10. 如請求項8之密封體之製造方法，其具有下述步驟(β1)~(β5)：步驟(β1)，其以脫模膜覆蓋上模之凹部開口的方式，將脫模膜配置於具有上模及下模之模具的上模中，該上模具有深度為3mm以上之凹部，該下模則不具有深度為3mm以上之凹部；步驟(β2)，其將脫模膜真空吸引至上模之模槽面側；步驟(β3)，其將具備基板、積層結構及矽貫通孔之結構體配置於下模之預定位置，並將上模與下模合模； 步驟(β4)，其將硬化性樹脂充填至上模與下模之間所形成的模槽內，並使其硬化而形成樹脂密封部，藉此製得密封體；步驟(β5)，將密封體從模具內取出。
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