TWI616122B - 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種剝離強度良好、且即便用於高頻電路基板也可良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。本發明的表面處理銅箔依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層，金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~2000μg/dm²，施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下。

Description

表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法

本發明涉及一種表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法。

從配線的容易性或輕量性出發，智慧手機或平板PC之類的小型電子機器採用柔性印刷配線板(以下為FPC)。另外，FPC中有如下述的雙層柔性印刷配線板：在絕緣體基板上直接設置由金屬或金屬氧化物等而得的基底層後，使用形成有銅導體層的雙層柔性基板，藉由減成法(subtractive method)或加成法(additive method)形成所需的配線圖案。

這種雙層柔性印刷配線板廣泛使用平坦的壓延銅箔。近年來，為了進一步提高彎曲性、精密蝕刻性，較佳為使用厚度更薄的銅箔。然而，高彎曲性的壓延銅箔的結晶尺寸在再結晶後變大，因此會變軟，當為10μm以下較薄的箔時，存在表觀剝離強度降低、與樹脂基板的貼合產生問題的情況。

因此，為了提高剝離強度，提出有利用含有六價鉻的矽烷偶合劑對銅箔與樹脂的接著面進行表面處理的方法，但這種方法並不是萬能的，如果氨基系矽烷與六價鉻混合，就會沉澱。

這些現有技術例如在專利文獻1~5有所揭示。

另外，隨著近年電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化有所發展，對印刷配線板要求優異的高頻應對。

對於高頻用基板，為了確保輸出信號的品質，要求降低傳輸損耗。傳輸損耗主要由下述之情況造成：由樹脂(基板側)引起的介電損耗、及由導體(銅箔側)引起的導體損耗。樹脂的介電常數及介電損耗正切越小，介電損耗越減少。高頻信號中，導體損耗的主要原因在於，頻率越高，因電流只在導體表面流動的集膚效應(skin effect)而導致電流流動的截面積越減少，電阻越高。

作為旨在降低高頻用銅箔的傳輸損耗的技術，例如專利文獻6中揭示了一種高頻電路用金屬箔，其在金屬箔表面的單面或兩面被覆銀或銀合金，在該銀或銀合金被覆層上，以薄於上述銀或銀合金被覆層厚度的方式被覆銀或銀合金以外的被覆層。此外，記載有藉此可提供即便於如衛星通信所使用的超高頻區域中也可減少由集膚效應所引起的損耗的金屬箔。

另外，專利文獻7中揭示了一種高頻電路用粗化處理壓延銅箔，其特徵在於：壓延銅箔的再結晶退火後的壓延面以X射線繞射所求出的(200)面的積分強度(I(200))相對於微粉末銅藉由X射線繞射所求出的(200)面的積分強度(I0(200))，為I(200)/I0(200)>40，利用電鍍對該壓延面進行粗化處理後的粗化處理面的算術平均粗糙度(以下設為Ra)為0.02μm~0.2μm，十點平均粗糙度(以下設為Rz)為0.1μm~1.5μm，且其是印刷電路基板用原材料。此外，記載有藉此可提供能夠在超過 1GHz的高頻率下使用的印刷電路板。

進而，專利文獻8中揭示了一種電解銅箔，其特徵在於：銅箔表面的一部分為由瘤狀突起構成的表面粗度為2μm~4μm的凹凸面。此外，記載有藉此可提供高頻傳輸特性優異的電解銅箔。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3292774號公報

[專利文獻2]日本專利第3306404號公報

[專利文獻3]日本專利第3906347號公報

[專利文獻4]國際公開第2009-81889號

[專利文獻5]日本特開平11-158652號公報

[專利文獻6]日本專利第4161304號公報

[專利文獻7]日本專利第4704025號公報

[專利文獻8]日本特開2004-244656號公報

然而，當利用含有六價鉻的矽烷偶合劑對銅箔與樹脂基板的接著面進行表面處理時，會產生如下問題：與雙層柔性印刷配線板的製作步驟不匹配，剝離強度反而會降低；進而，會促進矽烷偶合劑中矽烷的凝聚。另外，在專利文獻5中，是將電解銅箔在鉻酸酐的鹼性溶液(鉻酸酐：6g/L；氫氧化鈉：15g/L；pH值：12.5；浴溫：25℃)浸漬5秒，在該銅箔 的兩面形成防銹皮膜，由此製作表面處理銅箔，但是如果使用pH值這麼高的處理液，則在將NaOH、KOH自處理液中去除並加以乾燥後，會形成鹽，無法獲得良好的剝離強度。

另外，關於傳輸損耗，由導體(銅箔側)引起的導體損耗如上所述，是起因於集膚效應導致電阻變大，但已知該電阻不僅僅是影響銅箔本身的電阻，也存在影響表面處理層的電阻，上述表面處理層是由為了確保與樹脂基板的接著性而對銅箔表面進行的粗化處理所形成，具體而言，銅箔表面的粗糙度是導體損耗的主要因素，粗糙度越小，傳輸損耗越減少。

因此，本發明的目的在於提供一種剝離強度良好、且即便用於高頻電路基板也可良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。

本發明人反覆進行銳意研究，結果發現，在銅箔表面與樹脂基板接著的此一側形成鉻氧化物的表面處理層，在表面處理層與銅箔之間設置特定元素及附著量的金屬層，並且對將該表面處理層浸漬於特定條件的硝酸浴中時的銅溶出量進行控制，由此表面處理銅箔的剝離強度變得良好。

基於以上見解而完成的本發明於一態樣是一種表面處理銅箔，該表面處理銅箔依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~2000μg/dm²，施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅 露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下。

在本發明的表面處理銅箔的一實施形態中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1500μg/dm²。

在本發明的表面處理銅箔的另一實施形態中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1000μg/dm²。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~700μg/dm²。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述金屬層含有加熱變色防止層及/或防銹層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述加熱變色防止層與防銹層分別為Zn、Cu或該等的合金。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述金屬 層含有矽烷偶合層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，在上述表面處理層上形成有矽烷偶合層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述表面處理層的表面具備樹脂層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述矽烷偶合層的表面具備樹脂層。

在本發明的表面處理銅箔的進而另一實施形態中，上述樹脂層含有電介質。

本發明於另一態樣是一種附載體銅箔，該附載體銅箔在載體的其中一面、或兩面依序具有中間層、極薄銅層，且上述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。

在本發明的附載體銅箔的一實施形態中，上述載體的其中一面依序具有上述中間層、上述極薄銅層，上述載體的另一面具有粗化處理層。

本發明於進而另一態樣是本發明的表面處理銅箔與樹脂基板的積層體。

在本發明的積層體的一實施形態中，上述表面處理銅箔與上述樹脂基板是未經由接著劑而積層。

本發明於進而另一態樣是本發明的附載體銅箔與樹脂基板的積層體。

本發明於進而另一態樣是一種積層體，該積層體包含本發明 的附載體銅箔與樹脂，且上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。

本發明於進而另一態樣是一種積層體，是將一個本發明的附載體銅箔自上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個本發明的附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成。

本發明的積層體於一實施形態中，是上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面，視需要經由接著劑直接進行積層而構成。

本發明的積層體於另一實施形態中，是將上述一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層接合。

本發明的積層體於進而另一實施形態中，上述積層體的端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。

本發明於進而另一態樣是使用本發明的積層體的印刷配線板的製造方法。

本發明於進而另一態樣是一種印刷配線板的製造方法，該印刷配線板的製造方法包括下述步驟：在本發明的積層體進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少1次形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體自上述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。

本發明於進而另一態樣是以本發明積層體作為材料的印刷配線板。

本發明於進而另一態樣是具備有本發明的印刷配線板的電 子機器。

本發明於進而另一態樣是一種本發明的表面處理銅箔的製造方法，該表面處理銅箔的製造方法具備下述步驟：將鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟；及將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後，在不進行水洗的情況下加以乾燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層的步驟。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的一實施形態中，在形成上述鉻氧化物的表面處理層的步驟中，將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後，進行脫液，然後在不進行水洗的情況下加以乾燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔表面的量在上述脫液後為5~20mg/dm²。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，上述脫液是藉由輥、刀片及/或氣體的吹送而進行。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟是藉由利用噴淋器將鉻酸鹽液塗佈於上述銅箔表面而進行。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟是藉由利用輥將鉻酸鹽液塗佈於上述銅箔表面而進行。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，上述鉻酸鹽液的pH值為1~10。

在本發明的表面處理銅箔的製造方法的另一實施形態中，上 述鉻酸鹽液的pH值為4~10。

本發明於進而另一態樣是一種印刷配線板的製造方法，該印刷配線板的製造方法包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離上述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層體，其後，藉由半加成法(semi additive method)、減成法、部分加成法(partly additive method)或改良式半加成法(modified semi additive method)中的任一種方法形成電路的步驟。

在本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，上述印刷配線板的製造方法包括下述步驟：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；在上述樹脂層上形成電路的步驟；在上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，由此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒於上述樹脂層的電路露出的步驟。

本發明於進而另一態樣是一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層之側的相反側的極薄銅層側表面或上述載體側表面進行至少1次設置樹脂層 與電路這兩層的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離的步驟。

本發明於進而另一態樣是一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：將本發明的附載體銅箔的上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層之側的相反側的極薄銅層側表面進行至少1次樹脂層與電路這兩層的設置的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離的步驟。

根據本發明，可提供一種剝離強度良好、且即便用於高頻電路基板也可良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。

圖1A~圖1C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，至鍍敷電路、去除阻劑為止的步驟中的配線板截面的模式圖。

圖2D~圖2F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，自積層樹脂及第二層附載體銅箔至鐳射打孔為止的步驟中的配線板截面的模式圖。

圖3G~圖3I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，自形成盲孔填充層至剝離第1層載體為止的步驟中的配線板截面的模式圖。

圖4J~圖4K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例中，自閃蝕至形成凸塊、銅柱為止的步驟中的配線板截面的模式圖。

〔表面處理銅箔的構成〕

本發明的表面處理銅箔依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層。

可用於本發明的銅箔基材的形態並無特別限制，典型而言，本發明所使用的銅箔可為電解銅箔或壓延銅箔中的任一種。一般而言，電解銅箔是使銅自硫酸銅鍍浴電解析出至鈦或不銹鋼的滾筒上而製造，壓延銅箔是反覆進行利用壓延輥的塑性加工與熱處理而製造。要求彎曲性的用途中多數情況下應用壓延銅箔。

作為銅箔基材的材料，除了通常用作印刷配線板的導體圖案的精銅或無氧銅之類的高純度銅以外，例如也可使用如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金般的銅合金。此外，在本說明書中，在單獨使用用語「銅箔」時也包括銅合金箔。

此外，銅箔基材的板厚不必特別限定，例如為1~1000μm、或1~500μm、或1~300μm、或3~100μm、或5~70μm、或6~35μm、或9~18μm。

本發明的表面處理銅箔具有以鉻氧化物形成的表面處理層，施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下。作為表面處理，也有藉由濺鍍等在銅箔表面形 成金屬鉻層，但對酸的耐蝕性較差，有在柔性基板的電路形成步驟中被蝕刻液腐蝕的可能性。相對於此，本發明的表面處理層是以鉻氧化物形成，而且是以於在濃度20mass%且溫度25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下的方式進行控制，因此對蝕刻液的耐腐蝕性良好。另外，如上所述銅於酸中的溶出量受到控制，是表示利用鉻氧化物緻密且均勻地形成表面處理層，因此與樹脂基板的密合性變得良好，剝離強度提高。此外，上述「施加250℃×10分鐘的熱處理後」是規定了與聚醯亞胺基板接著時通常的熱處理條件。

本發明的表面處理銅箔較佳為在表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。藉由這種構成，六價鉻的附著量的比例受到控制，就安全方面而言有利。

本發明的表面處理銅箔較佳為表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。如果如上述般較薄地形成表面處理層的厚度，則表面處理層的蝕刻去除性及製造成本變得良好。表面處理層的厚度更佳為0.3~1nm。

金屬層含有選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素，該金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素的合計附著量為200~2000μg/dm²。以選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素的合計附著量為200~2000μg/dm²的方式於銅箔與表面處理層之間設置含有選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素的金屬層，由此銅箔的耐熱性提高，可抑制由加熱引起的剝離強度的劣化，還可良好地抑制傳輸損耗。這裡，當傳輸損耗較小時，以高頻進行信號傳輸時的信號的衰減受到 抑制，因此在以高頻進行信號傳輸的電路中，可進行穩定的信號傳輸。因此，傳輸損耗的值較小的銅箔適用於以高頻進行信號傳輸的電路用途，故而較佳。如果金屬層的該元素的合計附著量未達200μg/dm²，則無法獲得充分的耐熱效果。另外，如果金屬層的該元素的合計附著量超過2000μg/dm²，則會產生傳輸損耗增大的問題。金屬層的該元素的合計附著量較佳為200~1500μg/dm²，更佳為200~1000μg/dm²，進而更佳為200~700μg/dm²。此外，金屬層亦可含有任意元素作為選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素以外的元素，例如可含有Cu、Al、Ti、As、Ag、Fe、Sn、Si、Zr、V、Mg、Mn、Ca、C、N、S、O、In、Au、Pt、Pd、Os、Rh、Ru、Re、Ir、Pb、Cd、Bi或P等。金屬層所含的選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素以外的元素的合計附著量不必特別限定，典型而言為0~50000μg/dm²，更典型而言為0~10000μg/dm²，更典型而言為0~5000μg/dm²，更典型而言為0.5~2000μg/dm²。

例如為了使與絕緣基板的密合性進一步變得良好，金屬層可含有粗化處理層。粗化處理例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可為微細的粗化處理。粗化處理層可為含有選自由銅、鎳、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或由任一種以上的合金構成的層。另外，金屬層也可含有加熱變色防止層及/或防銹層。防止Cu擴散的加熱變色防止層與防銹層可分別由Zn、Cu或該等的合金形成。防銹層可含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層。另外，金屬層也可含有矽烷偶合層。

此外，用來設置矽烷偶合層的矽烷偶合劑可使用公知的矽烷偶合劑，例如可使用氨基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷 偶合劑、甲基丙烯醯氧基系矽烷偶合劑。其中，較佳為使用氨基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成的矽烷偶合層。另外，矽烷偶合劑可使用：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三

矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。

這裡所謂的氨基系矽烷偶合劑可為選自由下述物質所組成的群中的物質：N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥丙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、4-氨基丁基三乙氧基矽烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基矽烷、氨基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氨基丙基三甲氧基矽烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧 基矽烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷。

矽烷偶合層較理想為以矽原子換算計，在0.05mg/m²~200mg/m²、較佳為0.15mg/m²~20mg/m²、較佳為0.3mg/m²~2.0mg/m²的範圍內進行設置。當為上述範圍時，可進一步提高基材樹脂與表面處理銅箔的密合性。

〔表面處理銅箔的製造方法〕

對本發明的表面處理銅箔的製造方法進行說明。首先，準備壓延銅箔或電解銅箔。其次，藉由公知的手段，以含有選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的一種以上元素、且該元素的合計附著量成為200~2000μg/dm²的方式於銅箔表面形成金屬層。進而如果有必要，則藉由公知的手段在金屬層形成粗化處理層、加熱變色防止層、防銹層、矽烷偶合層等。另外，如果有必要，則藉由公知的手段於銅箔與金屬層之間形成粗化處理層、加熱變色防止層、防銹層、矽烷偶合層等。其次，在銅箔的整個處理對象表面設置鉻酸鹽液。然後，在不進行水洗的情況下對銅箔表面加以乾燥，由此於銅箔表面形成鉻氧化物的表面處理層。在現有方法中，當利用鉻酸鹽液進行表面處理時，在將鉻酸鹽液設置於銅箔的表面後、乾燥步驟前，為了去除雜質等而進行多次水洗。然而，該水洗導致鉻酸鹽層不均勻地形成，對剝離強度造成不良影響。相對於此，在本發明中不進行該水洗步驟，將鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面後，在不進行水洗的情況下對銅箔表面加以乾燥，由此形成均勻的鉻酸鹽層，提高表面處理銅箔 的剝離強度。將鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟可藉由利用噴淋器將鉻酸鹽液塗佈於銅箔表面而進行，也可藉由利用輥將鉻酸鹽液塗佈於銅箔表面而進行，也可藉由利用刀片將鉻酸鹽液塗佈於銅箔表面而進行。利用噴淋器進行的鉻酸鹽液的塗佈可使用公知的噴霧嘴(例如Spraying Systems Japan股份有限公司製造的噴霧嘴或池內股份有限公司製造的噴霧嘴)進行。利用輥進行的鉻酸鹽液的塗佈可藉由使用公知的橡膠輥或海綿輥，將鉻酸鹽液供給至輥表面，並且使該輥表面與銅箔接觸而進行。利用刀片進行的鉻酸鹽液的塗佈可使用公知的刮刀或公知的刀片而進行。

另外，在本發明的表面處理銅箔的製造方法中，於形成鉻氧化物的表面處理層的步驟中，將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後進行脫液，然後在不進行水洗的情況下加以乾燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層。該脫液可藉由輥、刀片及/或氣體的吹送而進行。以上述方式將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後進行脫液，對銅箔表面的鉻酸鹽液的量進行控制，由此具有抑制六價鉻附著在產品、殘渣離子(K⁺)變得不易被吸收至鉻酸鹽膜中的效果。另外，將鉻酸鹽液設置於銅箔表面的量較佳為脫液後為5~20mg/dm²。如果將鉻酸鹽液設置於銅箔表面的量未達5mg/dm²，則有產生無法獲得所需的剝離強度的問題之虞。另外，如果將鉻酸鹽液設置於銅箔表面的量超過20mg/dm²，則由於利用下文所述組成的溶液進行處理，因此有產生為了調整pH值而添加的H₂SO₄與K的鹽析出的問題之虞。此外，當利用輥進行脫液時，藉由控制輥與銅箔接觸的力，可控制鉻酸鹽液的附著量。可將輥與銅箔接觸的力設定為相對於銅箔的每單位寬度(1cm)為0.0005~0.015kgf/cm。藉由加大輥與銅箔接觸的力，可減少銅箔表面的鉻酸鹽液 的量。另外，藉由減小輥與銅箔接觸的力，可增多銅箔表面的鉻酸鹽液的量。

另外，當利用刀片進行脫液時，藉由控制刀片與銅箔的間隙，可控制鉻酸鹽液的附著量。刀片與銅箔的間隙可設定為0.5~3μm。藉由加大刀片與銅箔的間隙，可增多銅箔表面的鉻酸鹽液的量。藉由減小刀片與銅箔的間隙，可減少銅箔表面的鉻酸鹽液的量。

另外，當利用氣體的吹送進行脫液時，藉由控制所吹送的氣體的流量，同時控制噴出氣體的噴嘴的氣體噴出口與銅箔的距離，可控制鉻酸鹽液的附著量。所吹送的氣體的流量設定為25~1000L/min為宜。另外，較佳為以在銅箔的寬度方向上流量盡可能相等的方式吹送氣體。另外，氣體噴出口與銅箔的距離可設定為5~150mm。藉由增大所吹送的氣體的流量及/或減小氣體噴出口與銅箔的距離，可減少銅箔表面的鉻酸鹽液的量。另外，藉由減小所吹送的氣體的流量及/或增大氣體噴出口與銅箔的距離，可增多銅箔表面的鉻酸鹽液的量。

用於表面處理的鉻酸鹽液的條件如以下所述。

液組成：CrO₃：1~6g/L、Na₂Cr₂O₇及K₂Cr₂O₇：合計為1.5~9g/L

pH值：1~10、較佳為4~10

溫度：10~60℃、較佳為25~40℃

當如上述般使用pH值為1~10的處理液時，即便基底處理使用Ni等，也可良好地抑制Ni等的溶出。另外，當使用pH值為4~10的處理液時，即便基底處理使用Zn-鉻酸鹽，也可良好地抑制Zn的溶出。

此外，只要未明確記載，則用於本發明的電解、表面處理或鍍敷等所 使用的處理液的剩餘部分為水。

〔附載體銅箔〕

作為本發明的另一實施形態的附載體銅箔在載體的其中一面、或兩面依序具有中間層、極薄銅層。並且上述極薄銅層為上文所述的作為本發明的實施形態之一的表面處理銅箔。

<載體>

可用於本發明的載體典型而言為金屬箔或樹脂膜，例如可以如下形態提供：銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)。

作為可用於本發明的載體，較佳為使用銅箔。其原因在於，由於銅箔的導電率較高，因此其後的中間層、極薄銅層的形成變得容易。典型而言，載體可以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般而言，電解銅箔是使銅自硫酸銅鍍浴電解析出至鈦或不銹鋼的滾筒上而製造，壓延銅箔是反覆進行利用壓延輥進行的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，除了精銅或無氧銅之類的高純度銅以外，例如也可使用如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金般的銅合金。

可用於本發明的載體的厚度也沒有特別限制，適當調節為在發揮作為載體的作用方面合適的厚度即可，例如可設為5μm以上。但如果過厚，則生產成本變高，因此通常較佳為設為35μm以下。因此，典型 而言，載體的厚度為12~70μm，更典型而言為18~35μm。

此外，可在載體的設置極薄銅層之側的表面其相反側的表面設置粗化處理層。可使用公知的方法設置該粗化處理層，也可藉由上述的粗化處理進行設置。在載體的設置極薄銅層之側的表面其相反側的表面設置粗化處理層具有如下優點：在將載體自具有該粗化處理層的表面側積層於樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板變得不易剝離。

<中間層>

在載體上設置中間層。可在載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用的中間層只要採用如下構成，則並無特別限定：在附載體銅箔積層於絕緣基板的步驟前，極薄銅層難以自載體剝離，另一方面，在積層於絕緣基板的步驟後，極薄銅層變得可自載體剝離。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等的合金、該等的水合物、該等的氧化物、有機物所組成的群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可為多層。

另外，中間層例如可採用如下構成：自載體側起，形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種元素所構成的單一金屬層，或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種或兩種以上的元素所構成的合金層，在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種或兩種以上的元素的水合物或氧化物、或有機物所構成的層。

另外，中間層例如可採用如下構成：自載體側起，形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種元素所構成的單一金屬層，或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種或兩種以上的元素所構成的合金層，在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成的元素群中的一種元素所構成的單一金屬層，或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所組成的元素群中的一種或兩種以上的元素所構成的合金層。

另外，中間層可使用公知的有機物作為上述有機物，另外，較佳為使用含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中的任一種以上。例如，作為具體的含氮有機化合物，較佳為使用具有取代基的***化合物即1,2,3-苯并***、羧基苯并***、N',N'-雙(苯并***基甲基)脲、1H-1,2,4-***及3-氨基-1H-1,2,4-***等。

含硫有機化合物較佳為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作為羧酸，特別較佳為使用單羧酸，其中較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。

另外，中間層例如可在載體上依序積層鎳層、鎳-磷合金層或鎳-鈷合金層與含鉻層而構成。由於鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，因此在剝離極薄銅層時，成為在極薄銅層與含鉻層的介面處進行剝離。另外，對於中間層的鎳，期待具有防止銅成分自載體向極薄銅層擴散的阻擋效果。中間層中的鎳的附著量較佳為100μg/dm²以上且40000μg/dm²以 下，更佳為100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上且未達1000μg/dm²，中間層中的鉻的附著量較佳為5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。當僅在單面設置中間層時，較佳為在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。上述中間層的鉻層可藉由鍍鉻或鉻酸鹽處理而設置。

如果中間層的厚度過厚，則存在中間層的厚度對表面處理後的極薄銅層表面的表面粗糙度Rz及光澤度造成影響的情況，因此極薄銅層的表面處理層表面的中間層的厚度較佳為1~1000nm，更佳為1~500nm，進而較佳為2~200nm，進而較佳為2~100nm，進而更佳為3~60nm。此外，中間層也可設置於載體的兩面。

<極薄銅層>

在中間層上設置極薄銅層。可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。具有該載體的極薄銅層是作為本發明的實施形態之一的表面處理銅箔。極薄銅層的厚度並無特別限制，一般而言薄於載體，例如為12μm以下。典型而言為0.5~12μm，更典型而言為1.5~5μm。另外，於在中間層上設置極薄銅層前，為了減少極薄銅層的針孔，也可利用銅-磷合金進行預鍍(strike plating)。預鍍可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。此外，極薄銅層也可設置於載體的兩面。

另外，本申請的極薄銅層可在下述條件下形成。

．電解液組成

銅：80~120g/L

硫酸：80~120g/L

氯：30~100ppm

調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm

調平劑2(胺化合物)：10~30ppm

上述的胺化合物可使用以下化學式的胺化合物。

(上述化學式中，R₁及R₂是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的群中的基團)

．製造條件

電流密度：70~100A/dm²

電解液溫度：50~65℃

電解液線速度：1.5~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘(根據所析出的銅厚、電流密度進行調整)

使用本發明的附載體銅箔可製作積層體(覆銅積層體等)。作為該積層體，例如，可採用依序積層「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸 料」的構成，也可採用依序積層「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸料」的構成，也可採用依序積層「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸料/載體/中間層/極薄銅層」的構成，也可採用依序積層「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸料/極薄銅層/中間層/載體」的構成，也可採用依序積層「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸料/載體/中間層/極薄銅層」的構成。上述樹脂或預浸料可為下文上述的樹脂層，也可含有下文上述的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。此外，俯視時附載體銅箔可小於樹脂或預浸料。

〔表面處理表面上的樹脂層〕

本發明的表面處理銅箔的表面處理表面上可具備樹脂層。上述樹脂層可為絕緣樹脂層。此外，在本發明的表面處理銅箔中，所謂「表面處理表面」是指粗化處理後，當進行用來設置耐熱層、防銹層、耐候性層等的表面處理時，進行該表面處理後的表面處理銅箔的表面。另外，當表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層時，所謂「表面處理表面」是指粗化處理後，當進行用來設置耐熱層、防銹層、耐候性層等的表面處理時，進行該表面處理後的極薄銅層的表面。

上述樹脂層可為接著用樹脂、即接著劑，也可為接著用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)包括如下狀態：即便用手指接觸其表面，也沒有粘附感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，進而如果受到加熱處理，則引起硬化反應。

另外，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹 脂。另外，上述樹脂層可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。另外，上述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成：國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。

另外，上述樹脂層的種類並無特別限定，例如可列舉含有選自如下物質的群中的一種以上的樹脂作為較佳的樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚馬來醯亞胺化合物、馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、氨基甲酸酯(urethane)樹脂、聚醚碸(亦稱為polyether sulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyether sulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、多胺、芳香族多胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羥基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)、雙馬來醯亞胺三

樹脂、熱硬化性聚伸苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯的官能基的線性聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、磷腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基樹脂、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂。

另外，如果上述環氧樹脂為分子內具有2個以上環氧基、並且可用於電氣、電子材料用途的樹脂，則可無特別問題地使用。另外，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上縮水甘油基的化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。另外，可將選自如下物質的群中的一種或兩種以上加以混合而使用，或者使用上述環氧樹脂的氫化物或鹵化物：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚 醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂。

作為上述含磷環氧樹脂，可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，上述含磷環氧樹脂例如較佳為分子內具有2個以上環氧基的以源自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)的衍生物的形式獲得的環氧樹脂。

(當樹脂層含有電介質(電介質填料)時)

上述樹脂層可含有電介質(電介質填料)。

當上述任一種樹脂層或樹脂組成物中含有電介質(電介質填料)時，可用於形成電容器層的用途而增大電容器電路的電容。該電介質(電介質填料)使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通稱PZT)、PbLaTiO₃．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構的複合氧化物的電介質粉。

電介質(電介質填料)可為粉狀。當電介質(電介質填料)為粉狀時，該電介質(電介質填料)的粉體特性較佳為粒徑為0.01μm~3.0 μm、較佳為0.02μm~2.0μm的範圍的粉狀電介質(電介質填料)。此外，當藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)對電介質拍攝照片，在該照片上的電介質粒子之上作直線時，以橫切電介質粒子的直線長度最長的部分的電介質粒子的長度作為該電介質粒子的直徑。並且以測定視野中的電介質粒子直徑的平均值作為電介質的粒徑。

將上文所述的樹脂層所含的樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，例如藉由輥塗法等將其塗佈於上述表面處理銅箔的粗化處理表面上，然後視需要進行加熱乾燥而將溶劑去除，從而製成B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度可為100~250℃，較佳為130~200℃。可使用溶劑將上述樹脂層的組成物溶解，製成樹脂固體含量3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%的樹脂液。此外，從環境方面來說，現階段最較佳為使用甲基乙基酮與環戊酮的混合溶劑進行溶解。此外，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃的範圍的溶劑。

另外，上述樹脂層較佳為按照MIL規格中的MIL-P-13949G進行測定時的樹脂流動度(resin flow)處於5%~35%的範圍的半硬化樹脂膜。

在本說明書中，所謂樹脂流動度是如下所述的值：按照MIL規格中的MIL-P-13949G，從將樹脂厚度設為55μm的附樹脂的表面處理銅箔中採樣4片10cm見方試樣，於將該4片試樣重疊的狀態(積層體)下，在壓製溫 度171℃、壓製壓力14kgf/cm²、壓製時間10分鐘的條件下進行貼合，根據對此時的樹脂流出重量進行測定而得的結果，基於數學式1而計算出。

具備上述樹脂層的表面處理銅箔(附樹脂的表面處理銅箔)是以如下所述態樣而使用：將該樹脂層重疊於基材上後，對整體進行熱壓接而將該樹脂層熱硬化，其次當表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層時，將載體剝離而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，自表面處理銅箔的被粗化處理之側其相反側的表面起形成特定的配線圖案。

如果使用該附樹脂的表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸材料的使用片數。並且可將樹脂層的厚度設為可確保層間絕緣的厚度，或即便完全不使用預浸材料也可製造覆銅積層板。另外，此時也可對基材的表面底漆塗佈絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。

此外，當不使用預浸材料時，預浸材料的材料成本得以節約，另外積層步驟也變得簡單，因此於經濟上有利，而且具有如下優點：按預浸材料的厚度而製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。

該樹脂層的厚度較佳為0.1~120μm。

如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則接著力下降，當不介置 預浸材料而將該附樹脂的表面處理銅箔積層於具備內層材的基材時，有時難以確保內層材與電路之間的層間絕緣。另一方面，如果樹脂層的厚度厚於120μm，則存在如下情形：藉由1次塗佈步驟難以形成目標厚度的樹脂層，由於花費了多餘的材料費及工時，因此於經濟上不利。

此外，當將具有樹脂層的表面處理銅箔用於製造極薄的多層印刷配線板時，就減小多層印刷配線板的厚度的方面而言，較佳為將上述樹脂層的厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm。

以下例示使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的若干例。

於本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；以極薄銅層側與絕緣基板相對向的方式積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，經過剝離上述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良式半加成法、部分加成法及減成法中的任一種方法形成電路的步驟。絕緣基板也可設為加入內層電路的基板。

於本發明中，所謂半加成法是指於絕緣基板或銅箔晶種層(seed layer)上進行較薄的無電鍍敷而形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。

因此，於使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶 液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對上述樹脂及含有上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在上述無電鍍敷層上設置鍍敷阻劑的步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步驟；在去除上述鍍敷阻劑的形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；去除上述鍍敷阻劑的步驟；藉由閃蝕等去除處於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍敷層的步驟。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂的表面設置無電鍍敷層的步驟；在上述無電鍍敷層上設置鍍敷阻劑的步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步驟；在去除上述鍍敷阻劑的形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；去除上述鍍敷阻劑的步驟；藉由閃蝕等去除處於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍敷層及極薄銅層的步驟。

在本發明中，所謂改良式半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用鍍敷阻劑保護非電路形成部，並且利用電鍍加厚電路形成部的銅厚後，將阻劑去除，藉由(閃蝕)蝕刻去除上述電路形成部以 外的金屬箔，由此在絕緣層上形成電路。

因此，在使用改良式半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層表面設置鍍敷阻劑的步驟；設置上述鍍敷阻劑後，藉由電鍍形成電路的步驟；去除上述鍍敷阻劑的步驟；藉由閃蝕，來去除藉由將上述鍍敷阻劑去除而露出的極薄銅層的步驟。

另外，於上述樹脂層上形成電路的步驟也可為將另一個附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層的附載體銅箔形成上述電路的步驟。另外，貼合於上述樹脂層上的另一個附載體銅箔可為本發明的附載體銅箔。另外，在上述樹脂層上形成電路的步驟可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一種方法進行。另外，在上述表面形成電路的附載體銅箔可在該附載體銅箔的載體的表面具有基板或樹脂層。

在使用改良式半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝離上述載體而 露出的極薄銅層上設置鍍敷阻劑的步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步驟；在去除上述鍍敷阻劑的形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；去除上述鍍敷阻劑的步驟；藉由閃蝕等去除處於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍敷層及極薄銅層的步驟。

在本發明中，所謂部分加成法是指如下方法：對設置導體層而成的基板、視需要穿設通孔或輔助孔用的孔而成的基板上賦予催化核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要而設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，在上述導體電路上，利用無電鍍敷處理對通孔或輔助孔等賦予厚度，由此製造印刷配線板。

因此，在使用部分加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域賦予催化核的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除上述極薄銅層及上述催化核而形成電路的步驟；將上述蝕刻阻劑去除的步驟；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除上述極薄銅層及上述催化核而露出的上述絕緣基板表面設置阻焊劑或鍍敷阻劑的步驟；在未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑的區域設置無電鍍敷層的步驟。

在本發明中，所謂減成法是指如下方法：利用蝕刻等選擇性去除覆銅積層板上銅箔的無用部分，從而形成導體圖案。

因此，在使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在上述無電鍍敷層的表面設置電鍍層的步驟；在上述電鍍層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除上述極薄銅層、上述無電鍍敷層及上述電鍍層而形成電路的步驟；將上述蝕刻阻劑去除的步驟。

在使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝離上述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在上述無電鍍敷層的表面形成遮罩的步驟；在未形成遮罩的上述無電鍍敷層的表面設置電鍍層的步驟；在上述電鍍層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案 的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除上述極薄銅層及上述無電鍍敷層而形成電路的步驟；將上述蝕刻阻劑去除的步驟。

也可不進行設置通孔或/及盲孔的步驟、及其後的除膠渣步驟。

這裡使用圖式對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例進行詳細說明。此外，這裡是以具有形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限於此，也可使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔而同樣地進行下述的印刷配線板的製造方法。

首先，如圖1-A所示，準備具有在表面形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。此外，在該步驟中，也可準備具有在表面形成有粗化處理層的載體的附載體銅箔(第1層)。

其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上塗佈阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成特定形狀。此外，在該步驟中，也可在載體的粗化處理層上塗佈阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成特定形狀。

其次，如圖1-C所示，形成電路用鍍層後，將阻劑去除，由此形成特定形狀的電路鍍層。

然後，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(埋沒電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，然後將另一個附載體銅箔(第二層)自極薄銅層側進行接著。此外，在該步驟中，也可以覆蓋電路鍍層的方式(埋沒電路鍍層的方式)在載體上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，然後將另一個附載體銅箔(第二層)自載體側或極薄銅層進行接著。

其次，如圖2-E所示，將載體自第二層附載體銅箔剝離。此外，當自載體側接著第二層附載體銅箔時，也可將極薄銅層自第二層附載體銅箔剝離。

其次，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進行鐳射打孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。

其次，如圖3-G所示，在盲孔中嵌入銅而形成盲孔填充層。

其次，如圖3-H所示，以如上述圖1-B及圖1-C的方式在盲孔填充層上形成電路鍍層。

其次，如圖3-I所示，將載體自第1層附載體銅箔剝離。此外，在該步驟中，也可將極薄銅層自第1層附載體銅箔剝離。

其次，如圖4-J所示，藉由閃蝕去除兩表面的極薄銅層(當在第二層設置有銅箔時為銅箔，當在載體的粗化處理層上設置有第1層電路用鍍層時為載體)，使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。

其次，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，並在該焊料上形成銅柱。由此製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。

上述另一個附載體銅箔(第二層)可使用本發明的附載體銅箔，也可使用現有的附載體銅箔，還可以使用通常的銅箔。另外，還可以在如圖3-H所示的第二層電路上形成一層或多層電路，可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一種方法形成這些電路。

本發明的附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)的方式對極薄銅層表面的色差進行控制。在本發明中所謂「極薄銅層表面的色差」表示極薄銅層的表面的色差、或當實施有粗化處理等各種表面處理時為該表面處理層表面的色差。即，本發明的附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)的方 式對極薄銅層的粗化處理表面的色差進行控制。此外，在本發明的表面處理銅箔中所謂「粗化處理表面」是粗化處理後，當為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理時，指進行該表面處理後的表面處理銅箔(極薄銅層)的表面。另外，當表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層時，所謂「粗化處理表面」是粗化處理後，當為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理時，指進行該表面處理後的極薄銅層的表面。

(1)關於極薄銅層表面採用以白色板(當將光源設為D65、且設為10度視野時，該白色板的X₁₀Y₁₀Z₁₀表色系統(JIS Z8701 1999)的三刺激值為X₁₀=80.7、Y₁₀=85.6、Z₁₀=91.5，L^*a^*b^*表色系統中的該白色板的物體色為L^*=94.14、a^*=-0.90、b^*=0.24)的物體色為基準的顏色時的色差，基於JIS Z8730的色差△E＊ab為45以上。

這裡，色差△L(由JIS Z8729(2004)所規定的L^*a^*b^*表色系統中的兩種物體色的CIE亮度L^*的差)、△a(由JIS Z8729(2004)所規定的L^*a^*b^*表色系統中的兩種物體色的色座標a^*的差)、△b(由JIS Z8729(2004)所規定的L^*a^*b^*表色系統中的兩種物體色的色座標b^*的差)是分別利用色差計進行測定，並加入黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JIS Z8730(2009)的L^*a^*b^*表色系統所表示的綜合指標，以△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍的形式所表示。另外，△E^*ab是使用這些色差，由下述式所表示。

上述色差可藉由提高形成極薄銅層時的電流密度、降低鍍敷 液中的銅濃度、提高鍍敷液的線流速而進行調整。

另外，上述色差也可藉由對極薄銅層的表面實施粗化處理而設置粗化處理層來進行調整。當設置粗化處理層時，可藉由使用含有銅及選自由鎳、鈷、鎢、鉬所組成的群中的一種以上元素的電解液，使電流密度高於以往的電流密度(例如40~60A/dm²)、使處理時間短於以往的處理時間(例如0.1~1.3秒)而進行調整。當未在極薄銅層的表面設置粗化處理層時，可藉由使用將Ni的濃度設為其他元素的2倍以上的鍍浴，以較以往更低的電流密度(0.1~1.3A/dm²)，並且將處理時間設定為長於以往的處理時間(20秒~40秒)，對極薄銅層、或耐熱層、或防銹層、或鉻酸鹽層、或矽烷偶合層的表面鍍敷Ni合金(例如鍍敷Ni-W合金、鍍敷Ni-Co-P合金、鍍敷Ni-Zn合金)而達成。

如果極薄銅層表面的色差即基於JIS Z8730的色差△E*ab為45以上，則例如當在附載體銅箔的極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路的對比度變得鮮明，其結果為視認性變得良好，可精度良好地進行電路的位置對準。極薄銅層表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。

當以上述方式控制極薄銅層表面的色差時，與電路鍍層的對比度變得鮮明，視認性變得良好。因此，在如上上述的印刷配線板的例如圖1-C所示的製造步驟中，可在特定位置精度良好地形成電路鍍層。另外，藉由如上上述的印刷配線板的製造方法，是採用將電路鍍層埋入至樹脂層中的構成，因此當利用例如圖4-J所示的閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍層受到樹脂層保護，其形狀得以保持，由此微細電路的形成變得容易。另外， 由於電路鍍層受到樹脂層保護，因此耐遷移性提高，可良好地抑制電路配線的導通。因此，微細電路的形成變得容易。另外，當如圖4-J及圖4-K所示，藉由閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍層的露出面成為自樹脂層凹陷的形狀，因此變得容易在該電路鍍層上形成凸塊，進而在該凸塊上形成銅柱，製造效率提高。

此外，嵌入樹脂(resin)可使用公知的樹脂、預浸料。例如，可使用BT(雙馬來醯亞胺三

)樹脂或作為含浸BT樹脂而成的玻璃布的預浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，上述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸料。

另外，上述第一層所使用的附載體銅箔可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層所使用的附載體銅箔受到支持，變得不易起皺，因此具有生產性提高的優點。此外，上述基板或樹脂層只要發揮支持上述第一層所使用的附載體銅箔的效果，則可使用全部基板或樹脂層。例如作為上述基板或樹脂層，可使用本申請說明書所記載的載體、預浸料、樹脂層或公知的載體、預浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物板、無機化合物箔、有機化合物板、有機化合物箔。

可將本發明的表面處理銅箔自表面處理層側貼合於樹脂基板而製造積層板。樹脂基板只要具有可應用於印刷配線板等的特性，則不受特別限制，例如，剛性PWB用可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、氟樹脂含浸布、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、 玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，柔性印刷基板(FPC)用可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟樹脂及氟樹脂-聚醯亞胺複合材等。此外，由於液晶聚合物(LCP)介電損耗較小，因此高頻電路用途的印刷配線板較佳為使用液晶聚合物(LCP)膜。

當為剛性PWB用時，貼合的方法為使玻璃布等基材含浸樹脂，準備將樹脂硬化至半硬化狀態而成的預浸料。可藉由將銅箔重疊於預浸料上並進行加熱加壓而進行。當為FPC時，經由接著劑、或不使用接著劑而在高溫高壓下將液晶聚合物或聚醯亞胺膜等基材積層接著於銅箔，或塗佈聚醯亞胺前驅物並進行乾燥、硬化等，由此可製造積層板。

本發明的積層板可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如，就導體圖案的層數的觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料的種類的觀點而言，可應用於剛性PWB、柔性PWB(FPC)、軟硬複合PWB。

藉由在本發明的印刷配線板搭載電子零件類來完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包括如此被搭載電子零件類的印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。

另外，可使用該印刷配線板製作電子機器，也可使用該被搭載電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該被搭載電子零件類的印刷基板製作電子機器。

進而，藉由在本發明的印刷配線板搭載電子零件類來完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包括如此被搭載電子零件類的印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。

另外，可使用該印刷配線板製作電子機器，也可使用該被搭載電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該被搭載電子零件類的印刷基板製作電子機器。

另外，本發明的印刷配線板的製造方法可為包括如下步驟的印刷配線板的製造方法(空心法)：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在與上述樹脂基板進行積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面的相反側的附載體銅箔的表面進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離的步驟。關於該空心法，作為具體的例，首先，將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板進行積層。其後，在與樹脂基板進行積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面的相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。可進一步自載體側或極薄銅層側，在形成於載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層積層另一個附載體銅箔。此時，是採用如下構成：以樹脂基板為中心，在該樹脂基板的兩表面側，按照載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層有附載體銅箔。可在兩端的極薄銅層或載體露出的表面設置另一層樹脂層，並進一步設置銅層或金屬層後，藉由對該銅層或金屬層進行加工而形成電路。還可以在該電路上，以埋沒該電路的方式設置另一層樹脂層。另外，此種電路及樹脂層的形成可進行1次以上(增層法)。然後，關於由此形成的積層體(以下也稱為積層體B)，自載體或極薄銅層將各附載體銅箔的極薄銅層或載體剝離而可製作空心基板。此外，上文所述的空心基板的製作也可使用兩塊附載體銅箔，製作下 文所述的具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，並將該積層體用於中心。在這些積層體(以下也稱為積層體A)兩側的極薄銅層或載體的表面進行1次以上設置樹脂層及電路這兩層的設置，在進行1次以上設置樹脂層及電路這兩層後，自載體或極薄銅層將各附載體銅箔的極薄銅層或載體剝離，而可製作空心基板。上文所述的積層體還可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，在本說明書中，當極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層時，「極薄銅層的表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體的表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體的表面」、「積層體表面」是設為包括該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體較佳為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於，當使用該積層體製作空心基板時，由於在空心基板側配置極薄銅層，因此使用改良式半加成法容易在空心基板上形成電路。另外，其原因在於，由於極薄銅層的厚度較薄，因此容易去除該極薄銅層，在去除極薄銅層後，使用半加成法，容易在空心基板上形成電路。

此外，在本說明書中，未特別記載為「積層體A」或「積層體B」的「積層體」表示至少包括積層體A及積層體B的積層體。

此外，在上述空心基板的製造方法中，藉由以樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部，當利用增層法製造 印刷配線板時，可防止藥液滲入構成中間層或積層體的一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，而可防止因藥液滲入引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，從而可提高良率。作為這裡所使用的「覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂」或「覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂」，可使用可用於樹脂層的樹脂。另外，在上述空心基板的製造方法中，附載體銅箔或積層體可為俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分由樹脂或預浸料覆蓋。另外，利用上述的空心基板的製造方法所形成的積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔以互相可分離的方式進行接觸而構成。另外，該附載體銅箔可為俯視時，附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周整體由樹脂或預浸料覆蓋而成的附載體銅箔。藉由採用此種構成，當俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸料所覆蓋，可防止其他構件自該部分的側方向、即相對於積層方向為橫向的方向進行撞擊，結果可減少操作中載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。另外，藉由以不露出附載體銅箔或積層體的積層部分的外周的方式覆蓋樹脂或預浸料，可防止如上文所述的藥液處理步驟中藥液對該積層部分的介面的滲入，從而可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，當自積層體的一對附載體銅箔分離其中一附載體銅箔時，或將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，需要藉由切割等去除由樹脂或預浸料所覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅 箔的積層部分)。

可將本發明的附載體銅箔自載體側或極薄銅層側積層於另一個本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可為視需要而經由接著劑，將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面直接積層而得的積層體。另外，可將上述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。這裡，當載體或極薄銅層具有表面處理層時，該「接合」也包括介隔該表面處理層而互相接合的態樣。另外，該積層體的端面的一部分或全部可被樹脂覆蓋。

載體彼此的積層除了簡單地重疊以外，例如可藉由以下方法進行。

(a)冶金接合方法：熔焊(弧焊、TIG(鎢極惰性氣體，tungsten inert gas)焊接、MIG(金屬惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊)、加壓焊接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、軟焊；(b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘的接合、利用鉚釘的接合)、釘箱機(stitcher)；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶

藉由使用上述接合方法將一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全部進行接合，可製造將一個載體與另一個載體進行積層、使載體以彼此可分離的方式接觸而構成的積層體。當將一個載體與另一個載體較弱地接合而將一個載體與另一個載體進行積層時，即便不去除一個載體與另一個載體的接合部，一個載體與另一個載體也可分離。另外， 當將一個載體與另一個載體較強地接合時，藉由利用切割或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除將一個載體與另一個載體接合的部位，可將一個載體與另一個載體分離。

另外，藉由實施如下步驟，可製作印刷配線板：在以上述方式構成的積層體上進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少1次形成上述樹脂層及電路這兩層後，自上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體的步驟。此外，可在該積層體的其中一個表面或兩個表面設置樹脂層與電路這兩層。

【實施例】

作為實施例1~11及比較例1~10，準備表1所記載的厚度的銅箔，對其中一個表面分別進行如表1所示的鍍敷處理或濺鍍處理，而製作金屬層(粗化處理層、加熱變色防止層、防銹層、或矽烷偶合層)。這裡，使用JX日鑛日石金屬公司製造的精銅(JIS H3100 C1100R)的壓延銅箔作為實施例1~4及7~11、17、18、比較例1~4及7~10的銅箔。另外，使用JX日鑛日石金屬公司製造的電解銅箔HLP箔作為實施例5~6、比較例5~6的銅箔。

另外，準備以下所記載的附載體銅箔作為實施例12~16的銅箔基材，對其中一個表面分別進行如表1所示的鍍敷處理或濺鍍處理來作為金屬層(粗化處理層、加熱變色防止層、防銹層、或矽烷偶合層)。

關於實施例12~14、16，準備厚度為18μm的電解銅箔作為載體，關於實施例15，準備厚度為18μm的壓延銅箔(JX日鑛日石金屬製造的C1100R)作為載體。然後，在下述條件下，在載體的表面形成中間層，並 且在中間層的表面形成極薄銅層。

．實施例12

<中間層>

(1)Ni層(鍍Ni)

在以下條件下，利用輥對輥型連續鍍敷線對載體進行電鍍，由此形成1000μg/dm²的附著量的Ni層。將具體的鍍敷條件記於以下。

硫酸鎳：270~280g/L

氯化鎳：35~45g/L

乙酸鎳：10~20g/L

硼酸：30~40g/L

光澤劑：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸鈉：55~75ppm

pH值：4~6

浴溫：55~65℃

電流密度：10A/dm²

(2)Cr層(電解鉻酸鹽處理)

其次，對(1)中所形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼續於輥對輥型連續鍍敷線上，在以下條件下，藉由電解鉻酸鹽處理而使11μg/dm²的附著量的Cr層附著於Ni層上。

重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L

pH值：7~10

液溫：40~60℃

電流密度：2A/dm²

<極薄銅層>

其次，對(2)中所形成的Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼續於輥對輥型連續鍍敷線上，在以下條件下，藉由電鍍而在Cr層上形成厚度為1.5μm的極薄銅層，從而製作附載體極薄銅箔。

銅濃度：90~110g/L

硫酸濃度：90~110g/L

氯化物離子濃度：50~90ppm

調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm

調平劑2(胺化合物)：10~30ppm

此外，使用下述胺化合物作為調平劑2。

(上述化學式中，R₁及R₂是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的群中的基團)

電解液溫度：50~80℃

電流密度：100A/dm²

電解液線速度：1.5~5m/sec

．實施例13

<中間層>

(1)Ni-Mo層(鍍鎳鉬合金)

在以下條件下，利用輥對輥型連續鍍敷線對載體進行電鍍，由此形成3000μg/dm²的附著量的Ni-Mo層。將具體的鍍敷條件記於以下。

(液組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1~4A/dm²

(通電時間)3~25秒

<極薄銅層>

在(1)中所形成的Ni-Mo層上形成極薄銅層。將極薄銅層的厚度設為2μm，除此以外，在與實施例12相同的條件下形成極薄銅層。

．實施例14

<中間層>

(1)Ni層(鍍Ni)

在與實施例12相同的條件下形成Ni層。

(2)有機物層(有機物層形成處理)

其次，對(1)中所形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼續在下述條件下，對Ni層表面淋洗並噴霧20~120秒的液溫為40℃、pH值為5的水溶液，由此形成有機物層，該水溶液含有濃度為1~30g/L的羧基苯并***(CBTA)。

<極薄銅層>

在(2)中所形成的有機物層上形成極薄銅層。將極薄銅層的厚度設為3μm，除此以外，在與實施例12相同的條件下形成極薄銅層。

．實施例15、16

<中間層>

(1)Co-Mo層(鍍鈷鉬合金)

在以下條件下，利用輥對輥型連續鍍敷線對載體進行電鍍，由此形成4000μg/dm²的附著量的Co-Mo層。將具體的鍍敷條件記於以下。

(液組成)硫酸Co：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1~4A/dm²

(通電時間)3~25秒

<極薄銅層>

在(1)中所形成的Co-Mo層上形成極薄銅層。關於極薄銅層的厚度，實施例15是設為5μm，實施例16是設為3μm，除此以外，在與實施例12相同的條件下形成極薄銅層。

其次，在表2的條件下，在上述壓延銅箔、電解銅箔或附載體銅箔、或者該各銅箔上的基底層(金屬層)上，將表面處理液塗佈於銅箔的整個處理對象表面，進一步進行任意的水洗及脫液後加以乾燥，由此 形成表面處理層。

此外，「鉻酸鹽液的塗佈方法」一欄的含義如以下所述。

「噴淋器」是使用噴霧嘴(池內股份有限公司製造的標準扇形噴嘴，噴角區分90°，噴量區分10)進行。

「輥」是使用聚乙烯醇製的海綿輥進行。

「刀片」是使用樹脂製的刮刀(聚酯製，厚度0.35mm)進行。

「浸漬鉻酸鹽」是藉由將銅箔於表2所記載的條件的鉻酸鹽液中浸漬2秒而進行。

「電解鉻酸鹽」是藉由將銅箔浸漬於表2所記載的條件的鉻酸鹽液中，並且以電流密度2A/dm²在銅箔中流通1秒的電流而進行處理。

另外，「脫液方法」「脫液條件」一欄的含義如以下上述。

「輥」是指利用聚乙烯醇製的海綿輥進行脫液。另外，「脫液方法」為「輥」時的「脫液條件」是指銅箔每單位寬度的輥的擠壓力。

「刀片」是指使用矽橡膠製的刮刀(厚度0.7mm)進行脫液。另外，「脫液方法」為「刀片」時的「脫液條件」是指刀片與銅箔的間隙的長度(距離)。

「氣體吹送」是指藉由自氣體吹送噴嘴向銅箔吹送空氣而進行脫液。將氣體吹送噴嘴的氣體噴出口與銅箔的距離設為50mm。另外，「脫液方法」為「氣體吹送」時的「脫液條件」是指向銅箔吹送的氣體的流量。

實施例17、18在形成上述的表面處理層後，藉由進行以下的矽烷偶合處理而在該表面處理層的表面設置矽烷偶合層。

．實施例17

．所使用的矽烷：3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(甲基丙烯醯氧基系矽烷偶合劑)

．矽烷濃度：0.6vol%(剩餘部分：水)

．處理溫度：30~40℃

．處理時間：5秒

．矽烷處理後的乾燥：100℃×3秒

．實施例18

．所使用的矽烷：N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷(氨基系矽烷偶合劑)

．矽烷濃度：5.0vol%(剩餘部分：水)

．處理溫度：45~55℃

．處理時間：5秒

．矽烷處理後的乾燥：100℃×3秒

如下述般對以上述方式製作的實施例及比較例的各樣品進行各種評價。

．金屬層的金屬附著量：

(1)Ni、Co、W、Mo附著量

關於金屬層的各種金屬的附著量的測定，是將50mm×50mm的銅箔表面的皮膜溶解於將HNO₃(2重量%)與HCl(5重量%)加以混合而成的溶 液中，利用ICP發光分光分析裝置(SII NanoTechnology股份有限公司製造，SFC-3100)對該溶液中的金屬濃度進行定量，計算並匯出每單位面積的金屬量(μg/dm²)。此時，為了避免與要測定的面為相反面的金屬附著量混入，視需要進行遮蔽而進行分析。

(2)Zn及Cr附著量：

在濃度10%的鹽酸煮沸3分鐘而使處理層溶解，藉由原子吸光分析對該溶液進行分析，對Zn附著量以及三價及六價鉻附著量(三價及六價鉻的合計附著量)進行評價。

另外，六價鉻的附著量是藉由二苯卡肼(diphenyl carbazid)吸光光度法，以如下方式進行測定。

將作為樣品的銅箔5g裁小放入50mL的純水中，煮沸5分鐘而浸出。其後，向煮沸浸出而得的液體中加入純水，使體積成為100mL後，使用該獲得的液體，其後按照JIS K0102的65.2中所記載的「鉻(VI)〔Cr(VI)〕」所記載的六價鉻(鉻(VI))的定量法中的「65.2.1二苯卡肼吸光度法」，對六價鉻進行測定。

此外，不進行「65.2.1c)操作1)」的中和，使用上述獲得的液體作為「2)」的「燒杯(A)的溶液」及「3)」的「燒杯(B)的溶液」，進行「65.2.1c)2)」之後的操作。

此外，吸光光度計是使用日立製作所製造的220A型。吸光度的測定波長是設為540nm，試樣槽是使用玻璃製的光程長度為10mm的槽。

三價鉻的附著量是藉由利用上述原子吸光分析所測定的三價鉻與六價 鉻的合計附著量的值減去利用上述二苯卡肼吸光光度法所測定的六價鉻的附著量的值而算出。

．由鉻氧化物所形成的表面處理層：

利用ESCA對表面及深度方向的元素進行分析，當在表面或相同深度檢測出鉻與氧時，判斷為具有由鉻氧化物所形成的表面處理層。此外，對上文所述的各實施例、比較例均進行利用ESCA的表面分析，結果均檢測出鉻與氧，因此各實施例、比較例的銅箔具有由鉻氧化物所形成的表面處理層。

．表面處理層的厚度：

表面處理層的厚度是根據三價鉻的附著量，將密度設為7.2g/cm³而進行換算。換算式如以下上述。

表面處理層的厚度(nm)=三價鉻的附著量(μg/dm²)/三價鉻的密度7.2g/cm³×0.1(nm×(g/cm³)/(μg/dm²))

．於硝酸的溶出量：

對試樣施加250℃×10分鐘的熱處理後，在使用遮蔽膠帶僅使表面處理層的表面露出25cm²的狀態，於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴中浸漬30秒。其後，對試樣於硝酸浴的溶出量(g/25cm²)進行測定。

此外，溶出量是利用下式而算出。

溶出量(g/25cm²)=施加250℃×10分鐘的熱處理後浸漬於硝酸浴之前 的試樣的重量(g)-施加250℃×10分鐘的熱處理後在使用遮蔽膠帶僅使表面處理層的表面露出25cm²的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒後的試樣的重量(g)

上述試樣的重量是利用電子天平測定到小數點後4位(0.1mg)。

．剝離強度：

按照IPC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100測定常態剝離強度，以上述常態剝離強度為0.7kN/mm以上作為可用於覆銅積層基板用途的樣品。

．PCT(高壓蒸煮試驗)：

作為高壓蒸煮試驗，在121℃、兩個大氣壓下處理48小時，使用耐久試驗後的試片，藉由JIS-K7054的方法測定拉伸強度。

．傳輸損耗

關於18μm厚的各樣品，將銅箔經表面處理之側的表面與樹脂基板(LCP：液晶聚合物樹脂(Kuraray股份有限公司製造的Vecstar CTZ-50μm(厚度)))貼合後，藉由蝕刻，以特性阻抗成為50Ω的方式形成微帶線，使用HP公司製造的網路分析儀HP8720C測定透過係數，求出頻率20GHz下的傳輸損耗。此外，銅箔的厚度未達18μm的樣品是在將銅箔貼合於樹脂基板後(其後，當銅箔具有載體時為自銅箔剝離載體後)，以銅箔與鍍銅的合計厚度成為18μm的方式對銅箔的表面進行鍍銅後進行上述的測定。

此外，傳輸損耗是利用下式而算出。

傳輸損耗(dB/10cm)=10×log₁₀(輸出功率/輸入功率)

將上述各試驗的條件及評價示於表3。另外，將剝離強度的合格基準示於表4。

根據表3，關於實施例1~18，當施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴中的溶出量均為0.0030g/25cm²以下，剝離強度均良好。

另一方面，關於比較例1~5、10，當施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴中的溶出量均超過0.0030g/25cm²，剝離強度均不良。

另外，比較例6由於金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量未達200μg/dm²，因此剝離強度不良。

另外，比較例7~9由於金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量超過2000μg/dm²，因此剝離強度不良，傳輸損耗較大。

Claims (55)

1. 一種表面處理銅箔，其依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~2000μg/dm²，施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下。
2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1500μg/dm²。
3. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1000μg/dm²。
4. 如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~700μg/dm²。
5. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。
6. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。
7. 如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。
8. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下。
9. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
10. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
11. 如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
12. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
13. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
14. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
15. 如申請專利範圍第7項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
16. 如申請專利範圍第8項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm。
17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述金屬層含有加熱變色防止層及/或防銹層。
18. 如申請專利範圍第17項之表面處理銅箔，其中，上述加熱變色防止層與防銹層分別為Zn、Cu或該等的合金。
19. 如申請專利範圍第17項之表面處理銅箔，其中，上述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層。
20. 如申請專利範圍第18項之表面處理銅箔，其中，上述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層。
21. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述金屬層含有矽烷偶合層。
22. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之表面處理銅箔，其在上述表面處理層上形成有矽烷偶合層。
23. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之表面處理銅箔，其在上述表面處理層的表面具備樹脂層。
24. 如申請專利範圍第22項之表面處理銅箔，其在上述矽烷偶合層的表面具備樹脂層。
25. 如申請專利範圍第23項之表面處理銅箔，其中，上述樹脂層含有電介質。
26. 如申請專利範圍第24項之表面處理銅箔，其中，上述樹脂層含有電介質。
27. 一種表面處理銅箔，其依序具有：銅箔、含有一種以上選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的金屬層、及以鉻氧化物形成的表面處理層，上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素 的合計附著量為200~2000μg/dm²，施加250℃×10分鐘的熱處理後，以僅露出上述表面處理層的表面的狀態於濃度為20mass%且溫度為25℃的硝酸浴浸漬30秒時，銅於硝酸浴的溶出量為0.0030g/25cm²以下，該表面處理銅箔滿足下述(1)~(12)中至少一個條件：(1)上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1500μg/dm²，(2)上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~1000μg/dm²，(3)上述金屬層中選自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所組成的群中的元素的合計附著量為200~700μg/dm²，(4)在上述表面處理層中，六價鉻的附著量為三價鉻的附著量的0.1%以下，(5)上述表面處理層的厚度為0.1~2.5nm，(6)上述金屬層含有加熱變色防止層及/或防銹層，(7)上述加熱變色防止層與防銹層分別為Zn、Cu或該等的合金，(8)上述防銹層含有鉻酸鹽層或鉻酸鋅層，(9)上述金屬層含有矽烷偶合層，(10)在上述表面處理層上形成有矽烷偶合層，(11)在上述表面處理層的表面具備樹脂層，(12)在上述表面處理層上形成有矽烷偶合層，在上述矽烷偶合層的表面具備樹脂層。
28. 一種附載體銅箔，其於載體的其中一面或兩面依序具有中間層、極薄銅層，且上述極薄銅層為申請專利範圍第1至27項中任一項之表面處理銅箔。
29. 如申請專利範圍第28項之附載體銅箔，其中，在上述載體的其中一面依序具有上述中間層、上述極薄銅層，且在上述載體的另一面具有粗化處理層。
30. 一種積層體，其係申請專利範圍第1至27項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板的積層體。
31. 如申請專利範圍第30項之積層體，其中，上述表面處理銅箔與上述樹脂基板是未經由接著劑而積層。
32. 一種積層體，其係申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔與樹脂基板的積層體。
33. 一種積層體，其含有申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔與樹脂，且上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
34. 一種積層體，其係將一個申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔自上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成。
35. 如申請專利範圍第34項之積層體，其係將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面，視需要經由接著劑直接進行積層而構成。
36. 如申請專利範圍第34項之積層體，其係將上述一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅 層接合。
37. 如申請專利範圍第35項之積層體，其係將上述一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層接合。
38. 如申請專利範圍第34項之積層體，其端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。
39. 如申請專利範圍第36項之積層體，其端面的一部分或全部被樹脂覆蓋。
40. 一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：在申請專利範圍第30至39項中任一項之積層體進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少1次形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體自上述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。
41. 一種印刷配線板，其以申請專利範圍第30至39項中任一項之積層體作為材料。
42. 一種電子機器，其具備有申請專利範圍第41項之印刷配線板。
43. 一種表面處理銅箔的製造方法，其係申請專利範圍第1至27項中任一項之表面處理銅箔的製造方法，其具備下述步驟：將鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟；及將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後，在不進行水洗的情況下加以乾燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層的步驟。
44. 如申請專利範圍第43項之表面處理銅箔的製造方法，其中，在形成上述鉻氧化物的表面處理層的步驟中，將鉻酸鹽液設置於銅箔表面後進行 脫液，然後在不進行水洗的情況下加以乾燥，由此形成鉻氧化物的表面處理層。
45. 如申請專利範圍第44項之表面處理銅箔的製造方法，其中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔表面的量在上述脫液後為5~20mg/dm²。
46. 如申請專利範圍第44項之表面處理銅箔的製造方法，其中，上述脫液是藉由輥、刀片及/或氣體的吹送而進行。
47. 如申請專利範圍第45項之表面處理銅箔的製造方法，其中，上述脫液是藉由輥、刀片及/或氣體的吹送而進行。
48. 如申請專利範圍第43項之表面處理銅箔的製造方法，其中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟是藉由利用噴淋器將鉻酸鹽液塗佈於上述銅箔表面而進行。
49. 如申請專利範圍第43項之表面處理銅箔的製造方法，其中，將上述鉻酸鹽液設置於銅箔的整個處理對象表面的步驟是藉由利用輥將鉻酸鹽液塗佈於上述銅箔表面而進行。
50. 如申請專利範圍第43項之表面處理銅箔的製造方法，其中，上述鉻酸鹽液的pH值為1~10。
51. 如申請專利範圍第50項之表面處理銅箔的製造方法，其中，上述鉻酸鹽液的pH值為4~10。
52. 一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：準備申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；以及於將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離上述附載體銅 箔的載體的步驟而形成覆銅積層體，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一種方法形成電路的步驟。
53. 一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：在申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；在上述樹脂層上形成電路的步驟；在上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，由此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒於上述樹脂層的電路露出的步驟。
54. 一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：將申請專利範圍第28或29項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層之側的相反側的極薄銅層側表面或上述載體側表面進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離的步驟。
55. 一種印刷配線板的製造方法，其包括下述步驟：將申請專利範圍第 28或29項之附載體銅箔的上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層之側的相反側的極薄銅層側表面進行至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離的步驟。