TWI600790B - 利用旋轉台之基板處理裝置 - Google Patents

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TWI600790B
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東京威力科創股份有限公司
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Description

利用旋轉台之基板處理裝置
本發明係關於一種對於設置在真空容器內之旋轉台上的基板供給氣體來進行處理之基板處理裝置。
於半導體晶圓等基板(以下稱為「晶圓」)形成矽氧化膜(SiO2)等薄膜之手法方面，已知有進行ALD(Atomic Layer Deposition)之成膜裝置。此成膜裝置係在內部受到排氣而成為真空雰圍之處理容器內設置水平旋轉台，於該旋轉台在圓圓周方向上設置複數收納晶圓的凹部。藉由旋轉台之間歇性旋轉以及升降於該凹部底面上之升降銷之動作，依序對於凹部移交晶圓。
於晶圓之移交後，一邊使得前述旋轉台進行旋轉、一邊從對向於該旋轉台之複數氣體噴嘴供給氣體。前述氣體噴嘴係使得例如為了形成前述矽氧化膜而供給處理氣體來形成處理雰圍者、以及對旋轉台上供給分離各處理雰圍之分離氣體者交互地配置。
為了提高晶圓膜質，乃檢討了使得上述成膜裝置所致處理時之晶圓溫度高於以往溫度，調整為進行退火之600℃以上。以此方式進行處理之情況，為了使得晶圓移交於上述凹部後能迅速地開始成膜處理，故晶圓移交時之旋轉台溫度也設定為例如600℃以上。
但是，確認了若於處在如此高溫之前述凹部底面上載置晶圓，則會於該晶圓產生翹曲。本發明者認為此乃由於晶圓載置於前述底面上後於既定 時間內，相對於晶圓全體面積流往該晶圓之熱量大、亦即朝向晶圓之熱通量大，造成晶圓面內各部溫度係以保持相對大差距的狀態下來上升之故。於翹曲發生後，若進而使得晶圓溫度上升，則前述凹部底面與前述晶圓會成為熱平衡狀態，受到晶圓面內熱傳導之影響，該面內之溫度梯度(溫度差)會緩和，而消除晶圓翹曲。
如上述般當晶圓成為翹曲狀態，有時該晶圓成為比前述凹部之側壁上端更往上方突出之狀態。若於此狀態下使得旋轉台進行旋轉，該晶圓恐會干涉到構成後述分離區域之真空容器的天花板部。此外，若在晶圓之周緣部因翹曲而突出於凹部之側壁上的狀態下使得前述旋轉台旋轉，則該周緣部會受到離心力之影響而攀上前述側壁上，晶圓恐會從前述凹部脫離。此外，若晶圓下面以朝下方突出的方式出現翹曲，造成該晶圓下面與前述凹部之底面的接觸面積變小，恐凹部內之晶圓位置會受到前述旋轉台旋轉時所產生之離心力以及慣性力的影響而於旋轉方向出現偏移。如此之晶圓翹曲除了對於晶圓之熱通量大會發生以外，也會由於起因於加熱前述旋轉台之加熱器特性而於晶圓移交時在前述凹部底面內形成溫度分布的結果，於晶圓面內形成溫度梯度而發生。
有鑑於如此情事，由於晶圓移交於一個凹部後，直到晶圓翹曲緩和為止是無法使得前述旋轉台做旋轉，故難以謀求成膜裝置之生產性提升。以往，已知有於前述凹部底面設置支撐基板之突起，然針對上述般當晶圓以高溫處理所發生之問題並未檢討。
本發明係提供一種技術，於形成真空雰圍對基板供給氣體來進行處理之基板處理裝置，可防止移交於旋轉台之基板出現翹曲，藉以提高裝置之生產量。
本發明之基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之圓形基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；以及 6個支撐銷，於該凹部之底面分別位於正六角形的頂點，係用以將從該基板之中心離開該基板之半徑2/3的部位分別加以支撐、並將該基板以從該凹部之底面上浮的狀態來支撐而設置者。
本發明之其他基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；底面形成部，係構成該旋轉台中載置該基板之凹部之底面；以及台本體，係構成該旋轉台中之該底面之外側；為了提高該底面內之溫度均一性、抑制該基板面內之溫度差，該底面形成部係以較該台本體有更高熱傳導性之材質做為主成分而構成者。
本發明之又一其他基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之圓形基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；以及複數支撐銷，為了以自該凹部之底面上浮的狀態來支撐該基板而設置於該底面處；為了抑制從該凹部之底面朝該基板之熱傳速度，相對於該支撐銷所支撐之該基板之一面的全體面積，該一面中接觸於該支撐銷之面積的比例為8%~12%。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧旋轉台
10‧‧‧控制部
11‧‧‧真空容器(處理容器)
12‧‧‧頂板
13‧‧‧容器本體
14‧‧‧蓋體
15‧‧‧旋轉驅動機構
16‧‧‧搬送口
17‧‧‧閘閥
18‧‧‧晶圓搬送機構
21‧‧‧凹部
22‧‧‧底面
23‧‧‧貫通孔
24‧‧‧溝槽
25‧‧‧支撐銷
26‧‧‧內側輔助用支撐銷
27‧‧‧外側輔助用支撐銷
30‧‧‧排氣機構
31‧‧‧第1反應氣體噴嘴
32‧‧‧分離氣體噴嘴
33‧‧‧第2反應氣體噴嘴
34‧‧‧分離氣體噴嘴
36‧‧‧環板
37‧‧‧排氣口
38‧‧‧排氣管
39‧‧‧排氣量調整機構
41‧‧‧突狀部
42‧‧‧環狀突出部
43‧‧‧氣體供給管
44‧‧‧氣體供給管
45‧‧‧加熱器收納空間
46‧‧‧加熱器
47‧‧‧板體
48‧‧‧貫通孔
49‧‧‧氣體供給管
51‧‧‧貫通孔
52‧‧‧筒狀體
53‧‧‧升降銷
54‧‧‧驅動機構
55‧‧‧潔淨氣體噴嘴
61‧‧‧台本體
62‧‧‧底面形成部
63‧‧‧本體部
64‧‧‧被膜
71‧‧‧支撐銷
C‧‧‧中心部區域
D‧‧‧分離區域
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
W‧‧‧晶圓
所附圖式係顯示當作本說明書一部分納入之本揭示之實施形態，連同上述一般說明以及後述實施形態詳細來說明本揭示之概念。
圖1係本發明之第1實施形態之成膜裝置之縱截面圖。
圖2係顯示上述成膜裝置之內部概略構成之立體圖。
圖3係前述成膜裝置之橫截面圖。
圖4係前述成膜裝置之旋轉台之凹部之俯視圖。
圖5係前述旋轉台之縱截面圖。
圖6係比較例之旋轉台之縱截面圖。
圖7係比較例之旋轉台之縱截面圖。
圖8係前述旋轉台之縱截面圖。
圖9係前述旋轉台之縱截面圖。
圖10係前述旋轉台之縱截面圖。
圖11係前述成膜裝置之真空容器之圓周方向之縱截面圖。
圖12係沿著前述成膜裝置之真空容器之圓周方向之縱截面圖。
圖13係沿著前述成膜裝置之真空容器之圓周方向之縱截面圖。
圖14係顯示成膜處理中之氣流之說明圖。
圖15係前述旋轉台之縱截面圖。
圖16係前述旋轉台之縱截面圖。
圖17係比較例之旋轉台之縱截面圖。
圖18係比較例之旋轉台之縱截面圖。
圖19係第2實施形態之旋轉台之凹部之俯視圖。
圖20係前述旋轉台之縱截面圖。
圖21係前述旋轉台之縱截面圖。
圖22係第2實施形態之變形例之旋轉台之縱截面圖。
圖23係第3實施形態之旋轉台之凹部之俯視圖。
圖24係前述旋轉台之縱截面圖。
圖25係前述旋轉台之縱截面圖。
圖26係第3實施形態之變形例之旋轉台之凹部之俯視圖。
圖27係第1實施形態之第1變形例之前述凹部之俯視圖。
圖28係第1實施形態之第2變形例之前述凹部之俯視圖。
圖29係第1實施形態之第3變形例之前述凹部之俯視圖。
圖30係第1實施形態之第4變形例之前述凹部之俯視圖。
以下，參見所附圖式針對本揭示之各種實施形態詳記之。下述詳細說明中係以充分理解本揭示的方式給予許多具體詳細。但是，業界人士在無如此詳細說明的情況下可達成本揭示乃為自明事項。其他例中，為了避免各種實施形態難以理解，針對公知方法、順序、系統或構成要素並未詳細顯示。
(第1實施形態)
針對本發明之基板處理裝置之一實施形態、例如對於矽所構成之基板的晶圓W進行ALD之成膜裝置1係參見圖1~圖3來說明。圖1係成膜裝置1之縱截面圖，圖2係顯示成膜裝置1之內部的概略立體圖，圖3係成膜裝置1之橫截面圖。成膜裝置1具備具備有：大致圓形狀之扁平真空容器(處理容器)11、以及設置於真空容器11內之圓板狀水平旋轉台2。真空容器11係由頂板12、形成真空容器11之側壁以及底部的容器本體13所構成。圖1中14為阻塞容器本體13之下側中央部的蓋體。
旋轉台2係由石英所構成，連接於旋轉驅動機構15，藉由該旋轉驅動機構15而繞其中心軸朝圓周方向旋轉。於旋轉台2之表面側(一面側)係沿著前述旋轉方向形成有5個圓形凹部21。於此凹部21內收納晶圓W。晶圓W係以直徑300mm之圓形所構成。凹部21之直徑形成為較前述晶圓W之直徑來得大若干些，凹部21之側壁係沿著晶圓W之外形來形成。凹部21內之晶圓W藉由旋轉台2之旋轉而繞前述旋轉台2之中心軸做公轉。關於凹部21之構成於後詳述。
於真空容器11之側壁有晶圓W之搬送口16呈現開口，藉由閘閥17而構成為開閉自如。成膜裝置1之外部的晶圓搬送機構18可經由搬送口16而進入真空容器11內。晶圓搬送機構18係將晶圓W移交至面臨搬送口16之凹部21處。
於旋轉台2上，分別從旋轉台2之外周往中心延伸之棒狀的第1反應氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴32、第2反應氣體噴嘴33以及分離氣體噴嘴34係以此順序配置於圓周方向上。此等氣體噴嘴31~34於下方具備開口部35，沿著旋轉台2之直徑分別供給氣體。第1反應氣體噴嘴31係噴出 BTBAS(雙四丁基胺基矽烷)氣體，第2反應氣體噴嘴33係噴出O3(臭氧)氣體。分離氣體噴嘴32、34係噴出N2(氮)氣體。
前述真空容器11之頂板12具備有往下方突出的2個扇狀突狀部41，突狀部41在圓周方向上保有間隔而形成。前述分離氣體噴嘴32、34係以分別嵌入突狀部41、並將該突狀部41往圓周方向上分割的方式所設置。前述第1反應氣體噴嘴31以及第2反應氣體噴嘴33相對於各突狀部41係分離設置。將第1反應氣體噴嘴31之下方的氣體供給區域定為第1處理區域P1，將第2反應氣體噴嘴33之下方的氣體供給區域定為第2處理區域P2。突狀部41、41之下方係以被供給來自分離氣體噴嘴32、34之N2(氮)氣體的分離區域D、D形式所構成。
於真空容器11之底面在旋轉台2之徑向外側設有環板36，此環板36在旋轉台2之旋轉方向上隔著間隔開口有排氣口37、37。各排氣口37連接著排氣管38之一端，各排氣管38之另一端則合流經由排氣量調整機構39而連接於由真空泵所構成之排氣機構30。藉由排氣量調整機構39來調整來自各排氣口37之排氣量，藉此調整真空容器11內之壓力。
旋轉台2之中心部區域C上之空間係構成為以氣體供給管43來供給N2氣體。該N2氣體係經由在頂板12之中央部下方以環狀突出之環狀突出部42之下方流路而朝旋轉台2之徑向外側作為沖洗氣體流動。環狀突出部42之下面係以連續於形成前述分離區域D之突狀部41之下面的方式所構成。
圖1中44乃成膜處理中對於旋轉台2之下方供給N2氣體作為沖洗氣體之氣體供給管。此外，於真空容器11之底部以環狀方式形成加熱器收納空間45，該加熱器收納空間45沿著旋轉台2之旋轉方向以俯視同心圓狀的方式設有複數加熱器46。圖1中47為阻塞加熱器收納空間45上側的板體，設有後述升降銷53可通過之貫通孔48。板體47被加熱器46之輻射熱所加熱，進而以來自該板體47之輻射熱來加熱旋轉台2，藉此，晶圓W受到加熱。圖1中49乃成膜處理中用以對前述加熱器收納空間45供給N2氣體作為沖洗氣體之氣體供給管。
於真空容器11之容器本體13之底部係以和前述板體47之貫通孔48相重疊的方式穿設有將該底部在上下方向上貫通的3個貫通孔51(為便於說明起見，圖1中僅顯示2個)。以從容器本體13之下方側阻塞貫通孔51的方式設有有底之筒狀體52，該筒狀體52內設有3根升降銷53。此等升降銷53係以各自進入前述貫通孔51的方式所設，且連接於在筒狀體52外側所設之驅動機構54處，藉由該驅動機構54構成為升降自如。
接著，針對旋轉台2之凹部21構成，參見其俯視圖之圖4來說明。於凹部21之底面22設有3個貫通孔23，前述升降銷53可經由此貫通孔23升降於旋轉台2之上方。於凹部21之底面22之周緣部形成有環狀溝槽24。溝槽24所具有之功能為當晶圓W翹曲成為晶圓W之周端部比晶圓W之中央部更朝向下方時，可防止前述周端部與凹部21之底面22摩擦；但也可不設置該溝槽24而來構成凹部21。
於底面22設有3個支撐銷25。支撐銷25以圓柱形構成，例如由石英所構成。圖4所示支撐銷25之直徑L1為例如10mm。此外，圖1所示支撐銷25之高度H1為例如0.6mm。圖4中，點P為底面22之中心，以晶圓W之中心和該點P成為重疊的方式移交於底面22上。圖中Q1、Q2、Q3顯示各支撐銷25之上面的中心點。此等點Q1、Q2、Q3係於以前述點P為中心之圓(圖4中以2點鏈線顯示)之圓周上依序設置，該2點鏈線之圓之直徑L2為200mm。此外，線段PQ1與線段PQ2所成角θ1、線段PQ2與線段PQ3所成角θ2、以及線段PQ2與線段PQ3所成角θ3相互成為120°。如此般，晶圓W被支撐銷25所支撐之各位置係從晶圓W中心離開晶圓W半徑2/3處，此外，圖4所示般各支撐銷25以位於正三角形頂點的方式來設置。
另一方面，本發明也可適用於直徑450mm之晶圓W(以下記載為450mm晶圓W)。當支撐此450mm晶圓W之情況，也能以將相對於中心離開晶圓W半徑2/3處的點(亦即相對於晶圓W中心離開150mm的點)加以支撐的方式來配置支撐銷25。此外，和支撐直徑為300mm之晶圓W(以下記載為300mm晶圓W)之情況同樣地，以於底面22位於正三角形頂點的方式來配置各支撐銷25。
其中，由於無法避免裝置之製造誤差、基板直徑之誤差等的發生，即便支撐銷25之位置相對於將前述凹部21之底面22中成為正三角形頂點、且從基板中心離開該基板半徑2/3處的部位分別加以支撐的位置錯開1mm也包含於本發明之權利範圍內。具體而言例如支撐300mm晶圓W之情況，係說明了從300mm晶圓W之徑向觀看的情況下，上述所說明的乃支撐銷25將相對於晶圓W中心離開100mm之位置加以支撐，但即便是以將相對於晶圓W中心離開99~101mm之位置加以支撐的方式來設置之情況也包含在本發明之權利範圍內。不光是徑向，即便晶圓W之圓周方向的支撐位置錯開1mm的情況由於也在本發明之權利範圍內，故上述θ1~θ3也不限制於正確地120°。
如圖5所示般，藉由此等支撐銷25，晶圓W從底面22上浮受到支撐，藉此，從該底面22對晶圓W之熱傳速度(亦即熱通量)受到抑制。詳細說明的話，於晶圓W移交時，旋轉台2被加熱器46所加熱著。在未設置支撐銷25的情況，晶圓W會直接接觸於凹部21之底面22。亦即，由於晶圓W之下面全體乃至於大致全體接觸於旋轉台2，故晶圓W與旋轉台2之接觸面積相對地大。從而，從旋轉台2對晶圓W之熱傳速度大。此外，如此般載置於底面22之晶圓W受到例如該底面22內所形成之溫度分布的影響，會在其面內各部形成有溫度差的狀態下急速被熱傳。其結果，在晶圓W面內各部間之前述溫度差未緩和的狀態下，晶圓W溫度急速上升，而如先前技術欄所說明般，於晶圓W發生翹曲。
但是，藉由設置前述支撐銷25，晶圓W下面與旋轉台2的接觸面積會成為3根支撐銷25之上面面積的合計而被壓低，藉此，旋轉台2往晶圓W之熱傳速度受到抑制。從支撐銷25往晶圓W進行熱傳之熱會在晶圓W面內擴散。由於從旋轉台2往晶圓W之熱傳速度受到抑制，故晶圓W面內充分產生熱擴散，晶圓W面內各部的溫度梯度受到緩和，同時該晶圓W面內之各部溫度逐漸上升。如此般，可一邊抑制於晶圓W面內形成溫度梯度、一邊加熱晶圓W，而可抑制晶圓W之翹曲發生或是翹曲變大。
另一方面，將各支撐銷25配置於前述位置之目的乃是當晶圓W移交至支撐銷25之時，可抑制該晶圓W本身重量所致撓曲，將該晶圓W以成 為平板乃至大致平板的方式載置於底面22上。為便於說明起見，以比較例方式顯示於圖6、圖7。圖6中顯示各支撐銷25相較於圖4、圖5所示位置係配置於更離開凹部21之中心P的位置處，而晶圓W被支撐於以該方式配置之支撐銷25的狀態。該晶圓W因本身重量而以其中央部較周緣部來得低的方式在撓曲狀態下受到支撐。圖7中顯示各支撐銷25相較於圖4所示位置係配置於更接近凹部21之中心P的位置處，而晶圓W被支撐於以該方式配置之支撐銷25的狀態。該晶圓W因本身重量而以其中央部較周緣部來得高的方式在撓曲狀態下受到支撐。
圖6、圖7之支撐銷25之配置，晶圓W之撓曲大，晶圓W面內各部與前述底面22之距離均一性低。從而，晶圓W面內各部接收來自前述底面22之輻射熱的熱量均勻性低，容易於晶圓W面內形成溫度差。此外，若晶圓W係以撓曲大於圖6、圖7所示狀態的方式受到支撐，晶圓W之一部分接觸於底面22，則由於該部位因熱傳導而溫度急速上升，故晶圓W面內各部之溫度差會更為變大。
但是，圖4、圖5之支撐銷25之配置相較於圖6、圖7之支撐銷25之配置可抑制前述撓曲而進行載置，從而，晶圓W面內接收到來自底面22之輻射熱的均一性高，此外，可防止晶圓W接觸於底面22。從而，可抑制晶圓W面內各部之溫度差，可防止晶圓W翹曲或是翹曲變大。此外，如圖4、圖5所示般只要抑制撓曲來支撐，則即便是晶圓W翹曲的情況也可抑制晶圓W往凹部21上方突出之高度，關於此點將於後述。
支撐銷25之高度H1(參見圖1)不限於上述值，為了藉由來自底面22之輻射熱來高效率加熱晶圓W、且防止晶圓W自凹部21突出，例如設定為0.01mm~1mm。此外，關於支撐銷25之直徑L1(參見圖4)不限於上述值，可設定在旋轉台2之旋轉中晶圓W不致從凹部21脫離而在凹部21與晶圓W之間可得到充分摩擦力、且可有效抑制往晶圓W之熱傳的範圍內，具體而言例如為5~20mm。
回到圖2、圖3，針對成膜裝置1之其他各部說明。圖中55為潔淨氣體噴嘴，此潔淨氣體噴嘴55係從前端對旋轉台2上噴出例如ClF3(三氟化氯)等氟系氣體之潔淨氣體。氟系氣體係含有氟或是氟化合物作為主成分之 氣體。所噴出之潔淨氣體從旋轉台2之周緣部往中心部供給，將形成於旋轉台2之氧化矽去除。
如圖1所示般，此成膜裝置1設有用以進行裝置全體動作控制之電腦所構成之控制部10。此控制部10如後述般儲存有實行晶圓W在晶圓搬送機構18與旋轉台2之間的移交、對於晶圓W之成膜處理以及潔淨處理之程式。前述程式係對成膜裝置1之各部發送控制訊號來控制各部動作。
具體而言，所進行的控制包括從未圖示之氣體供給源對各氣體噴嘴31~34、潔淨氣體噴嘴55、中心部區域C等之各氣體之供給停止、利用旋轉驅動機構15對旋轉台2之旋轉速度之控制、利用排氣量調整機構39對從各排氣口37、37之排氣量之調整、利用驅動機構54對升降銷53之升降、以及對於加熱器46之電力供給等各動作。前述程式中，係以控制此等動作而實行後述各處理的方式來組入步驟群。該程式係從硬碟、光碟、光磁碟、記憶卡、軟碟等記憶媒體安裝於控制部10內。
接著，針對晶圓W從晶圓搬送機構18移交至旋轉台2，參見圖8~圖13來說明。圖8~圖10顯示旋轉台2之徑向縱截面，圖11~圖13顯示真空容器11沿著旋轉台2圓周方向之縱截面。首先，真空容器11內，從排氣口37、37排氣而成為既定壓力之真空雰圍。從中心部區域C以及分離氣體噴嘴32、34被供給極少量N2氣體，以防止真空容器11內之雰圍流入此等中心部區域C、分離氣體噴嘴32、34。
於前述真空雰圍下，旋轉台2藉由加熱器46而被加熱至600℃以上(例如720℃)，旋轉台2之一凹部21係位處於其貫通孔23和旋轉台2下方之板體47之貫通孔48成為重疊。將該凹部21之位置標記為面臨搬送口16之位置。如此之狀態下，開放閘閥17，保持著晶圓W(第1片的晶圓W)之晶圓搬送機構18從搬送口16進入真空容器11內，位於前述凹部21上(圖8)。
一旦升降銷53上升將晶圓W下面從晶圓搬送機構18上頂(圖9)，則晶圓搬送機構18為了接收下一搬送至真空容器11內之晶圓W(第2片的晶圓W)乃從真空容器11退避。升降銷53下降，晶圓W一邊在升降銷53上以因本身重量而撓曲之狀態下受到支撐、一邊朝凹部21之底面22下降，而 如圖4所說明般以晶圓W中心點與凹部21之中心P相重疊的方式移交至支撐銷25(圖10)。升降銷53進而下降，從晶圓W下面離開，在板體47之下方靜止。晶圓W藉由支撐銷25而如圖5所說明般來抑制本身重量所致撓曲，以成為平板之狀態受到支撐。圖11中同樣顯示了如此般支撐於支撐銷25之晶圓W。
受到支撐之晶圓W會因來自支撐銷25之熱傳導以及來自凹部21之底面22之輻射熱而被加熱。如前述般，由於支撐銷25與晶圓W之接觸面積小，而可抑制往晶圓W之熱通量，而抑制於晶圓W面內形成溫度梯度(亦即溫度差)。藉此，可抑制晶圓W發生翹曲、同時使得該晶圓W升溫。
前述升降銷53之靜止後，使得旋轉台2旋轉，已移交前述第1片的晶圓W之凹部21之相鄰凹部21朝面臨搬送口16之位置移動。此旋轉台2之旋轉中，由於前述第1片的晶圓W被抑制了翹曲發生，故收容於凹部21內。亦即，該晶圓W往凹部21上方之突出受到抑制。從而，該第1片的晶圓W不易受到在旋轉台2上面所形成之排氣流之壓力。是以，即便旋轉台2之旋轉所致離心力起作用，然施加於此第1片的晶圓W之力被壓低，可防止該第1片的晶圓W在凹部21內之位偏、以及從凹部21之脫離。
一旦前述相鄰的凹部21位於面臨搬送口16之位置，則停止旋轉台2之旋轉，第2片的晶圓W和第1片的晶圓W同樣地被移交至此凹部21而受到加熱(圖12)。接著，為了進行第3片的晶圓W之移交，使得旋轉台2旋轉，搬送了第2片的晶圓W之凹部21之相鄰的凹部21移動到面臨前述搬送口16之位置。此旋轉中同樣地由於翹曲受到抑制，而可防止第1片的晶圓W以及第2片的晶圓W之位偏、從凹部21之脫離。此外，此旋轉中，升溫中之第1片的晶圓W通過形成分離區域D之突狀部41以及分離氣體噴嘴34之下方(圖11)。如上述般由於翹曲受到抑制，而不會往凹部21之上方突出，故該第1片的晶圓W可在不干涉於突狀部41以及分離氣體噴嘴34的前提下來移動。
第3片的晶圓W也和第1片、第2片的晶圓W同樣地被移交到凹部21而受到加熱。之後也反覆進行旋轉台2之旋轉以及停止，使得第4片、第5片的晶圓W被移交到凹部21。然後，在此移交動作中，當旋轉台2進 行旋轉時由於被移交到各凹部21之晶圓W個別的翹曲受到抑制，而可在不干涉於各突狀部41、分離氣體噴嘴32,34以及第1、第2反應氣體噴嘴31、33的前提下來一邊移動一邊受到加熱。此外，凹部21內之位偏、相對於凹部21之脫離也受到抑制。
第5片的晶圓W移交至凹部21後乃關閉閘閥17。之後，原停止之旋轉台2做旋轉，全部晶圓W之溫度以成為旋轉台2之溫度(例如720℃)的方式來上升。然後，一旦第5片的晶圓W之移交後經過既定時間，則使得對於分離氣體噴嘴32、34以及中心部區域C之N2氣體供給量上升，使得來自此等各部之N2氣體噴出量上升。此外，伴隨此N2氣體之噴出量之增加，從第1反應氣體噴嘴31、第2反應氣體噴嘴33分別供給反應氣體，開始成膜處理。
晶圓W交互通過第1反應氣體噴嘴31之下方的第1處理區域P1與第2反應氣體噴嘴33之下方的第2處理區域P2，於晶圓W吸附BTBAS氣體，其次吸附O3氣體使得BTBAS分子氧化而形成氧化矽之分子層達1層或是複數層。如此一來，氧化矽之分子層將依序積層，而形成既定膜厚之矽氧化膜。此外，氧化矽膜一邊被如此地形成一邊被加熱到600℃以上以退火，來消除氧化矽之分子排列的歪曲。
圖14以箭頭顯示真空容器11內之氣流。從分離氣體噴嘴32、34供給於前述分離區域D之N2氣體係使得該分離區域D往圓周方向擴展，防止BTBAS氣體與O3氣體在旋轉台2上混合。此外，供給於中心部區域C之N2氣體係被供給至旋轉台2之徑向外側，防止BTBAS氣體與O3氣體在前述中心部區域C之混合。此外，此成膜處理中，藉由氣體供給管44、49(參見圖1)對於加熱器收納空間45以及旋轉台2之內面側也供給N2氣體，將反應氣體加以沖洗。
一旦旋轉台2旋轉經過既定次數而形成既定膜厚之矽氧化膜，乃降低來自各氣體噴嘴31~34之各氣體之供給、對於中心部區域C之N2氣體之供給流量。停止旋轉台2之旋轉，開放閘閥17。開放閘閥17後，藉由旋轉台2之間歇性旋轉與升降銷53之升降動作，晶圓W被依序移交至晶圓搬送機 構18而搬出於真空容器11之外。一旦所有的晶圓W被搬出，則關閉閘閥17。
然後，使得旋轉台2再度連續地旋轉，從潔淨氣體噴嘴55對旋轉台2上供給潔淨氣體來開始潔淨處理。供給於旋轉台2之潔淨氣體將成膜於旋轉台2之氧化矽加以分解，連同此分解物被吸引至排氣口37，當旋轉台2旋轉既定次數後，乃停止潔淨氣體之供給，並停止旋轉台2之旋轉，結束潔淨處理。之後再次將晶圓W搬送至真空容器11內，進行成膜處理。
另一方面，前述各圖中顯示出被移交到支撐銷25上時晶圓W未發生翹曲之情形，但也有發生若干翹曲之情況。圖15中顯示如上述般當晶圓W交付至支撐銷25之時，該晶圓W翹曲成為晶圓W之周緣部高度高於中央部高度之例。即便如此般晶圓W出現翹曲，當晶圓W升溫中若於晶圓W面內之熱傳進行而使得該面內之溫度梯度成為緩和，則翹曲會逐漸消除，而如圖5所示般該晶圓W會回到平板狀。
圖16顯示被移交到支撐銷25時晶圓W並非圖15所示翹曲，而是翹曲成為中央部高度高於周緣部高度之例。如此般即便晶圓W翹曲，一旦溫度梯度如上述般緩和，則如圖5所示般該晶圓W會回到平板狀。
另一方面，做為比較例舉出之被圖6之支撐銷25所支撐之晶圓W和前述圖15之晶圓W同樣翹曲之例係顯示於圖17。如上述般，圖6之晶圓W受到支撐銷25從凹部21之中心P相對地大幅遠離的影響而以周緣部高度變高的方式撓曲受到支撐，故即使和圖15之晶圓W以同樣的翹曲量來翹曲，從旋轉台2之表面到晶圓W上端的高度會變得更大。亦即，圖15、圖17中分別所顯示之到前述晶圓W上端為止的高度H11、H13會成為H11<H13。
此外，做為比較例取出之被圖7之支撐銷25所支撐之晶圓W和前述圖16之晶圓W同樣翹曲之例係顯示於圖18。如上述般，圖7之晶圓W受到支撐銷25與凹部21之中心P之距離相對近的影響而以中央部高度變高的方式撓曲受到支撐，故即使和圖16之晶圓W以同樣的翹曲量來翹曲，如圖18所示般從旋轉台2之表面到晶圓W上端的高度會變大。亦即，圖 16、圖18中所分別顯示之到前述晶圓W上端為止的高度H12、H14會成為H12<H14。
如此般將支撐銷25以圖4所說明方式做配置，則即便於晶圓W發生翹曲，也可抑制晶圓W從凹部21之側壁上端的突出量。即便於晶圓W形成翹曲，只要此突出量被抑制，由於旋轉台2之旋轉中不易受到氣流影響，故不易發生晶圓W之位偏，且晶圓W也不會干涉於分離區域D之突狀部41或各噴嘴31~34。亦即，即便於晶圓W發生翹曲，仍可進行基於上述晶圓W之移載、成膜處理之目的的旋轉台2之旋轉。
依據此成膜裝置1，藉由在旋轉台2之凹部21之底面22上所設之支撐銷25，晶圓W會在本身重量所致撓曲受到抑制的狀態下被支撐而加熱。藉此，不僅從底面22往晶圓W之熱傳速度受到抑制，且晶圓W面內各部自底面22所接收之輻射熱之差異受到抑制，而可抑制於晶圓W發生翹曲。此外，撓曲受到抑制而被支撐，而可抑制當發生翹曲之情況下之晶圓W往凹部21上的突出。從而，晶圓W移交至一個凹部21後，為了將晶圓W移交到下一凹部21可於早期時機使得旋轉台2旋轉，而可迅速的在成膜裝置1之各凹部21載置晶圓W。此外，可在旋轉台2做旋轉之狀態下等待最後移交至旋轉台2之第5片的晶圓W到達設定溫度，於到達設定溫度後，可對於進行公轉之各晶圓W迅速地供給反應氣體來進行成膜處理。亦即，相較於到達設定溫度來消除第5片晶圓W的翹曲後再開始旋轉台2之旋轉，可提早噴出反應氣體來開始成膜處理之時機。如此般，由於可縮短晶圓W載置上所需時間並謀求成膜處理開始時機之早期化，而可提高成膜裝置1之生產量。此外，由於晶圓W之下面(內面)與支撐銷25之接觸面積相對較小，而抑制該下面受到摩擦，可謀求降低粒子之發生。
為了調整晶圓W面內之溫度分布、或是提高對於晶圓W下面與凹部21之摩擦力，來更確實地防止晶圓W脫離，除了支撐銷25，亦可將和該支撐銷25為同樣構成之支撐銷(為便於說明起見，稱為輔助用支撐銷)配置於凹部21之底面22。亦即，亦可藉由3個支撐銷25與前述輔助用支撐銷將晶圓W支撐於底面22上。輔助用支撐銷可為1個也可為複數個。此外， 支撐銷25只要是對於晶圓W之熱傳速度與晶圓W之撓曲受到抑制之構成即可，故其形狀不限於圓柱形，也可為例如方柱形。
(第2實施形態)
接著，針對第2實施形態說明。第2實施形態在旋轉台2之構成上有別於第1實施形態。第2實施形態之旋轉台2係由台本體61與底面形成部62所構成。此第2實施形態之旋轉台2之上面、縱截面分別顯示於圖19、圖20。藉由在台本體61上面所設凹部之底部上設置構成為扁平圓形之前述底面形成部62，而構成成為上述晶圓W之載置區域的凹部21。亦即，底面形成部62之上面形成凹部21之底面22，底面形成部62之外周構成凹部21之溝槽24。
台本體61由石英所構成。底面形成部62係由以碳化矽(SiC)為主成分而構成之本體部63以及被覆本體部63表面之氧化釔(Y2O3)的被膜64所構成。被膜64乃基於防止前述潔淨時本體部63因潔淨氣體而被蝕刻所設者。由於前述底面形成部62係以SiC為主成分所構成，故凹部21之底面22相較於台本體61有高的熱傳導性，可抑制於其面內形成溫度梯度。
於此第2實施形態，如圖20所示般和第1實施形態同樣地藉由升降銷53將晶圓W朝凹部21搬送，如圖21所示般，直接讓晶圓W下面全體接觸於凹部21之底面22來做載置。如此般，由於載置晶圓W故相較於第1實施形態對晶圓W之熱傳速度大，而於前述底面22內之溫度梯度小，故於晶圓W面內各部可一邊防止溫度梯度變大、一邊使得該晶圓W面內各部之溫度上升。亦即，在晶圓W各部的熱通量均一性被高度保持之狀態下，晶圓W受到加熱。如此般，藉由晶圓W加熱之進行，和第1實施形態同樣地，可得到抑制晶圓W翹曲之效果。從而，由於晶圓W往凹部21上之突出受到抑制，故和第1實施形態同樣地，可迅速進行晶圓W往凹部21之移交，並可提早成膜處理之開始時機，此為效果所在。
底面22之熱傳導性只要比構成該底面22外側之由石英所構成之台本體61之熱傳導性來得高即可，底面形成部62之材質不限於上述例。例如前述本體部63可取代以SiC作為主成分而改以碳作為主成分來構成，也可為被前述被膜64所被覆之構成。此外，本體部63也能以氮化鋁(AlN)作為 主成分來構成。前述潔淨氣體如上述般含氟或是氟化合物，但由於AlN難以被該潔淨氣體所腐蝕，故當本體部63係以AlN構成之情況，也可不設置前述被膜64。
上述第1實施形態亦可組合此第2實施形態。亦即，如圖22所示般，可於底面形成部62上設置上述支撐銷25。於此情況同樣地凹部21之底面22內的溫度梯度受到抑制，而可抑制從該底面22各部對晶圓W所供給之輻射熱之熱量的差異。從而，由於可更確實地抑制晶圓W面內之溫度梯度的形成，而可抑制於晶圓W發生翹曲以及翹曲變大。
(第3實施形態)
圖23、圖24分別顯示第3實施形態之凹部21之俯視圖、縱截面圖。和第1實施形態之差異點在於，於第3實施形態之凹部21之底面22上係取代支撐銷25改為設置多數的支撐銷71，支撐銷71俯視上配置成為矩陣狀。各支撐銷71係以圓柱形狀構成，和第1實施形態之支撐銷25同樣地，於其上面支撐晶圓W。圖25顯示於支撐銷71上支撐晶圓W之狀態。如此般，藉由支撐晶圓W，支撐銷71和支撐銷25同樣地使得晶圓W下面相對於凹部21之底面22上浮，降低對於晶圓W之熱傳速度。
為了如上來限制對於晶圓W之熱傳速度，若以支撐銷71與晶圓W之接觸面積合計/晶圓W下面之面積×100(單位：%)當作晶圓W對支撐銷之接觸率，則以此接觸率成為8%~12%的方式設置支撐銷71。圖23中支撐銷71之直徑L3為例如5mm。圖24中支撐銷71之高度H15為例如0.01mm~1mm，此圖24之例中為0.05mm。和第1實施形態之支撐銷25之高度H1同樣地，此支撐銷71之高度H15係設定為可藉由來自底面22之輻射熱來高效率加熱晶圓W、且可防止晶圓W自凹部21突出。
此第3實施形態也和第1實施形態同樣地可抑制移交到凹部21之晶圓W的翹曲，藉此，和第1實施形態同樣地可使得晶圓W往凹部21之移交能迅速進行，並可提早成膜處理之開始時機，可提高成膜裝置1之生產量。另一方面，多數支撐銷71當中的3個可配置在和圖4所說明之支撐銷25為相同位置處，也可不如此配置。當支撐銷71當中的3個配置在和圖4之 支撐銷25為相同位置之情況，則和第1實施形態同樣地，即便於晶圓W發生翹曲之情況，也可更確實地抑制該晶圓W朝凹部21上之突出。
圖26為第3實施形態之變形例，相較於圖23所示例，支撐銷71之根數較少。如圖23所示般，當配置支撐銷71而於晶圓W之移交後，在底面22內見到粒子發生之情況，被認為是因著晶圓W翹曲而和支撐銷71出現摩擦，故對於粒子發生部位的周邊之支撐銷71拉長間隔為有效。圖26顯示如此般將支撐銷71拉長間隔之構成一例。如此般，在支撐銷71之配置布局上可任意設定。支撐銷71和第1實施形態之支撐銷25同樣地不限於圓柱形，可為任意形狀。此第3實施形態也可組合第2實施形態，使用上述底面形成部62來構成凹部21之底面。
本發明除了成膜裝置以外，也可適用於將處理氣體電漿化而利用該電漿來對晶圓W之膜進行改質、蝕刻之裝置等。此外所形成之膜不限於氧化矽膜。例如以ALD來形成氮化矽膜、氮化鋁膜等之情況也可適用上述成膜裝置。
(第1實施形態之變形例)
接著，針對第1實施形態之變形例之凹部21說明。圖27所示第1變形例有別於圖4所說明之第1實施形態，於凹部21設有6個支撐銷25。圖27以及顯示後述各變形例之圖中的虛線以及2點鏈線乃用以明確顯示各支撐銷25之位置關係，為假想線。此外，包含此第1變形例之各變形例雖未顯示凹部21之底面22之溝槽24，但和第1實施形態同樣地，可設置也可不設置此溝槽24。
若將前述6個支撐銷25當中3個當作第1族群，則此第1族群之支撐銷25係設置在和圖4所說明之位置為相同位置處，各支撐銷25之上面中心點係和圖4同樣以Q1~Q3表示。若將其他3個支撐銷25當作第2族群，則第2族群之支撐銷25之上面的中心點係以Q4~Q6表示。點Q4~Q6和點Q1~Q3同樣地位於以上述點P為中心之圓周上，點Q4~Q6位於正三角形之頂點。此外，若從點P在圓周方向上觀看凹部21之底面22，則以Q4~Q6為頂點之三角形的頂點和以Q1~Q3為頂點之三角形的頂點係交互設置。前 述圓周方向相鄰之點Q從點P觀看以θa=60°分離。亦即點Q1~Q6成為正六角形。
如此般，晶圓W被支撐銷25所支撐之各位置相對於晶圓W中心離開晶圓W半徑之2/3，且為以晶圓W中心做為重心之正六角形的頂點。此第1變形例中，由於保有圖4之第1實施形態所說明之位置關係的支撐銷25係以2族群分散設置於底面22，而可更確實地抑制撓曲將晶圓W以水平形狀來支撐，可更為確實地防止晶圓W接觸於底面22。從而，可更為提高晶圓W之溫度分布均一性，可抑制翹曲。即便是此第1變形例也和第1實施形態所說明之支撐銷25同樣地，即使支撐晶圓W之位置從上述位置錯開1mm之情況也在本發明之權利範圍內。亦即，支撐銷25未嚴密配置於正六角形頂點之情況也包含於權利範圍。以下，若未特別說明，則關於後述其他支撐銷同樣地可容許誤差。
圖28顯示第1實施形態之第2變形例之凹部21。此第2變形例中，除了第1變形例所說明之6個支撐銷25，相對於該支撐銷25靠近於上述凹部21之底面中心點P設有3個支撐銷。為便於說明起見，將此3個支撐銷作為內側輔助用支撐銷26來說明。內側輔助用支撐銷26除了配置位置不同，其餘和支撐銷25為同樣構成。
將此內側輔助用支撐銷(第2輔助用支撐銷)26上面之中心以點Q11、Q12、Q13來表示。點Q11、Q12、Q13位於以點P為中心具有半徑大小為晶圓W半徑之1/3之圓的圓周上。此外，Q11、Q12、Q13位於正三角形之頂點。內側輔助用支撐銷26係以不干涉於貫通孔23的方式設置。此例中，各內側輔助用支撐銷26所在之處係相對於從點P觀看圓周方向為相鄰的2個支撐銷25之點Q，位於該2個支撐銷25之間之內側輔助用支撐銷26之點Q在前述點P周圍以分別錯開θb=30°。關於此第2變形例，除了第1變形例所說明之2族群的支撐銷25，進而以輔助用支撐銷26來支撐晶圓W，而可更確實地抑制晶圓W之撓曲。
圖29顯示第3變形例之凹部21。此第3變形例中，除了第1變形例所說明的6個支撐銷25，相對於該支撐銷25在凹部21之底面22之周緣部側設有6個支撐銷。為便於說明起見，將此6個支撐銷當作外側輔助用支撐 銷27來說明。外側輔助用支撐銷27除了配置位置不同，其餘和支撐銷25為同樣構成。
將此外側輔助用支撐銷(第1輔助用支撐銷)27上面之中心以點Q21~Q26來表示。點Q21~Q26係以將相對於晶圓W周端往晶圓W中心靠近3mm之位置加以支撐的方式設置。此處所說的晶圓W有上述300mm晶圓W之情況，也有450mm晶圓W之情況。藉由如此般配置點Q21~Q26，外側輔助用支撐銷27係以不接觸於晶圓W周端的方式支撐晶圓W。此外，前述點Q21~26和支撐銷25同樣地位於正六角形之頂點。以此點Q21~Q26為頂點之正六角形的重心(中心)和以支撐銷25之點Q1~Q6為頂點之正六角形的重心相一致。從點P往圓周方向觀看係交互設有支撐銷25與外側輔助用支撐銷27。此外，關於前述圓周方向上相鄰的支撐銷25以及外側輔助用支撐銷27，若將由該支撐銷25之點Q與前述點P所成之線段和由該外側輔助用支撐銷27之點Q與前述點P所成之線段所形成的角定為θc，則θc=30°。
此第3變形例和第2變形例同樣地能以更確實抑制撓曲的方式支撐晶圓W。此外，如圖17等所示，當晶圓W以其中心部變低而周緣部變高的方式翹曲之情況，若晶圓W中心附近被支撐銷所支撐，則從凹部21突出之高度有變大之虞，故與其設置前述內側輔助用支撐銷26，不如設置該外側輔助用支撐銷27更能抑制前述晶圓W之突出高度，而為較佳者。
另一方面，如上述般設置外側輔助用支撐銷27之目的在於，若以相較於支撐銷25更離開點P之位置來支撐晶圓W，可安定支撐晶圓W。外側輔助用支撐銷27之位置相對於支撐銷25愈往凹部21之底面22之徑向離開，愈能抑制晶圓W周緣部的撓曲。但是，若支撐銷接觸於晶圓W周端則容易發生粒子，從而如前述般以不接觸晶圓W周端的方式來設置外側輔助用支撐銷27。
亦即，外側輔助用支撐銷27不限於以上述點Q21~Q26將相對於晶圓W周端為3mm內側加以支撐的方式來設置。具體而言，外側輔助用支撐銷27只要將相對於支撐銷25所支撐之位置更外側以沿著以點P為中心之圓周保持間隔來支撐的方式設置、且其上面不接觸於晶圓W周端即可。從而， 例如點Q21~Q26能以相對於晶圓W周端在5mm內側進行支撐的方式來構成。其中，如上述般為了將晶圓W在水平上安定載置，以將離開支撐銷25的位置加以支撐為佳，且為了兼顧避免外側輔助用支撐銷27和晶圓W周端做接觸之風險，上述例中點Q21~Q26係以支撐晶圓W周端之3mm內側的方式所構成。此外，關於外側輔助用支撐銷27和支撐銷25同樣地容許誤差，故支撐晶圓W之位置並未嚴密限制在正六角形。
圖30顯示第1實施形態之第4變形例之凹部21。此第4變形例中除了第1變形例所示6個支撐銷25，更設有第2變形例所示內側輔助用支撐銷26以及第3變形例所示外側輔助用支撐銷27。即便如此般形成了凹部21，仍能以抑制撓曲的方式來支撐晶圓W。此等第1實施形態之各變形例也可組合於第2以及第3實施形態中。
依據本發明，藉由3個支撐銷使得基板在從凹部底面上浮的狀態下被支撐，此時藉由支撐銷之配置而抑制基板本身重量所致變形。藉此，可抑制對基板之熱傳速度，並可抑制凹部底面與基板之間的距離在基板面內出現差異。結果，基板於其面內以高均一性受到加熱。此外，依據本發明之其他發明，構成旋轉台中載置基板之凹部底面的底面形成部相較於構成該底面外側之台本體係以熱傳導性高的材質做為主成分而構成。藉此，前述底面內之溫度均一性變高，基板在其面內以高均一性受到加熱。此外，依據本發明之又一其他發明，係以抑制從旋轉台之凹部底面往基板之熱傳速度的方式來規定，支撐基板之支撐銷相對於基板一面全體面積之接觸於該一面之面積。藉由此等本發明之構成，可抑制於基板面內形成溫度差而出現翹曲，可抑制基板往凹部21上突出。從而，由於基板移交至一個凹部後，可迅速將後續基板移載於下一凹部，可迅速對基板開始進行處理，而可提高裝置之生產量。
本說明書所揭示之實施形態在所有的點為例示性質非用以限制本發明。實際上，上述實施形態能以多樣的形態來體現。此外，上述實施形態並未超脫所附申請專利範圍及其主旨，能以各種形態來省略、置換、變更。本發明之範圍包含所附申請專利範圍及其均等涵義以及範圍內之所有變更。
本發明係基於2014年2月25日提出申請之日本專利申請第2014-034336號之優先權利益，該日本申請內容全部以參見文獻的形式納入本發明中。
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧旋轉台
10‧‧‧控制部
11‧‧‧真空容器(處理容器)
12‧‧‧頂板
13‧‧‧容器本體
14‧‧‧蓋體
15‧‧‧旋轉驅動機構
16‧‧‧搬送口
17‧‧‧閘閥
21‧‧‧凹部
22‧‧‧底面
23‧‧‧貫通孔
24‧‧‧溝槽
25‧‧‧支撐銷
30‧‧‧排氣機構
31‧‧‧第1反應氣體噴嘴
36‧‧‧環板
37‧‧‧排氣口
38‧‧‧排氣管
39‧‧‧排氣量調整機構
42‧‧‧環狀突出部
43‧‧‧氣體供給管
44‧‧‧氣體供給管
45‧‧‧加熱器收納空間
46‧‧‧加熱器
47‧‧‧板體
48‧‧‧貫通孔
49‧‧‧氣體供給管
51‧‧‧貫通孔
52‧‧‧筒狀體
53‧‧‧升降銷
54‧‧‧驅動機構
C‧‧‧中心部區域
P1‧‧‧第1處理區域
W‧‧‧晶圓

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之圓形基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；以及6個支撐銷，於該凹部之底面分別位於正六角形的頂點，係用以將從該基板之中心離開該基板之半徑2/3的部位分別加以支撐、並將該基板以從該凹部之底面上浮的狀態來支撐而設置者。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，係進而具備有輔助用支撐銷，為了將相對於該支撐銷所支撐之該基板位置更位於基板外側、且相對於該基板周端往該基板中心側離開之位置加以支撐，而複數設置於該凹部之底面。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該輔助用支撐銷係以於該凹部之底面分別位於6個正六角形頂點的方式來設置，該輔助用支撐銷所形成正六角形之重心和該支撐銷所形成正六角形之重心成為一致。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，係進而具備有輔助用支撐銷，為了將相對於該支撐銷所支撐之該基板之位置更位於該基板內側加以支撐，而複數設置於該凹部之底面。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該基板為直徑300mm尺寸之矽晶圓。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該旋轉台係由構成該凹部底面之底面形成部與構成該底面外側之台本體所構成，該底面形成部相較於該台本體係以熱傳導性更高之材質做為主成分而構成者。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該底面形成部係以碳化矽、碳或是氮化鋁做為主成分而構成者。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該底面形成部之表面係以氧化釔所塗佈。
  9. 一種基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；底面形成部，係構成該旋轉台中載置該基板之凹部之底面；以及台本體，係構成該旋轉台中之該底面之外側；為了提高該底面內之溫度均一性、抑制該基板面內之溫度差，該底面形成部係以較該台本體有更高熱傳導性之材質做為主成分而構成者。
  10. 一種基板處理裝置，係一邊使得真空容器內載置於旋轉台上之圓形基板進行公轉、一邊對該基板供給處理氣體來進行處理者；具備有：凹部，為了收納該基板而形成於該旋轉台之一面側；加熱部，為了將該基板加熱至600℃以上來進行處理而加熱該旋轉台；以及複數支撐銷，為了以自該凹部之底面上浮的狀態來支撐該基板而設置於該底面處；為了抑制從該凹部之底面朝該基板之熱傳速度，相對於該支撐銷所支撐之該基板之一面的全體面積，該一面中接觸於該支撐銷之面積的比例為8%~12%。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中該支撐銷之高度為0.01mm~1mm。
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