KR102495469B1 - 일괄 처리 챔버 - Google Patents

일괄 처리 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR102495469B1
KR102495469B1 KR1020187005828A KR20187005828A KR102495469B1 KR 102495469 B1 KR102495469 B1 KR 102495469B1 KR 1020187005828 A KR1020187005828 A KR 1020187005828A KR 20187005828 A KR20187005828 A KR 20187005828A KR 102495469 B1 KR102495469 B1 KR 102495469B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing chamber
substrate support
substrate
disposed
lift pins
Prior art date
Application number
KR1020187005828A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180025994A (ko
Inventor
메흐메트 투그룰 사미르
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180025994A publication Critical patent/KR20180025994A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102495469B1 publication Critical patent/KR102495469B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L21/205—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 개시내용의 실시예들은, 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽; 측벽 주위에 배치된 가스 분배기; 인클로저 내에 배치된 기판 지지체 - 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구와 세로 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터, 및 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓을 가짐 - ; 및 최하부에 결합된 에너지 소스를 가진 처리 챔버를 제공한다.

Description

일괄 처리 챔버
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 복수의 기판 상에 동시에 에피택시를 수행하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
에피택시는 층들 내의 표면에 재료를 화학적으로 추가하는 것을 수반하는 프로세스이다. 반도체 처리에서 그러한 프로세스들은 흔한 것이며, 거기에서 그러한 프로세스들은 로직 및 메모리 디바이스들의 특정 컴포넌트들을 구축하기 위해 이용된다. 로직 디바이스를 제조하기 위한 전형적인 프로세스에서, 실리콘 층은 정렬된 결정 구조를 제공하도록 기판 상에 에피택시 성장된다. 전형적으로, 이러한 실리콘 층은 트랜지스터의 채널 컴포넌트가 된다.
에피택시는 느린 프로세스이고, 전형적으로 챔버 내에서 단일 기판 상에 수행된다. 현재의 가장 진보된 제조 설비들에서, 에피택시 프로세스는 300mm 원형 기판을 처리하는 데에 전형적으로 약 1 시간을 소비한다.
에피택시 프로세스에서 복수의 기판을 처리함으로써 수율을 증가시킬 필요가 있다.
본 개시내용의 실시예들은 처리 챔버로서, 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽; 측벽 주위에 배치된 가스 분배기; 인클로저 내에 배치된 기판 지지체 - 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구(central exhaust opening)와 세로 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터(rotary actuator), 및 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓을 가짐 - ; 및 최하부에 결합된 에너지 소스를 포함하는 처리 챔버를 제공한다.
또한, 처리 챔버로서, 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽; 측벽 주위에 배치된 가스 분배기; 용적 내에 배치된 기판 지지체 - 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구와 세로 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터, 및 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓을 가짐 - ; 최상부 상에서 기판 지지체를 향하여 배치된 반사기 플레이트; 및 최하부에 결합된 에너지 소스를 포함하는 처리 챔버가 개시된다.
또한, 처리 챔버로서, 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽; 측벽 주위에 배치된 가스 분배기; 용적 내에 배치된 기판 지지체 - 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구와 세로 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터, 및 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓을 가짐 - ; 최상부 상에서 기판 지지체를 향하여 배치된 반사기 플레이트; 및 최하부에 결합된 에너지 소스 - 에너지 소스는 복수의 램프를 포함하는 하우징을 포함함 - 를 포함하는 처리 챔버가 개시된다.
도 1은 일 실시예에 따른 처리 챔버의 단면도이다.
도 2는 도 1의 처리 챔버의 일부분의 확대 단면도이다.
도 3은 도 1의 처리 챔버의 등축 상부도이다.
도 4는 도 1의 처리 챔버의 등축 하부도이다.
도 5는 반사기 플레이트 및 기판 지지체가 제거된 도 1의 처리 챔버의 등축 상부도이다.
도 6은 반사기 플레이트가 제거된 도 1의 처리 챔버의 등축 상부도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 구성요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
본 개시내용에서, 용어 "최상부(top)", "최하부(bottom)", "측부(side)", "위에(above)", "아래에(below)", "위(up)", "아래(down)", "상향(upward)", "하향(downward)", "수평(horizontal)", "수직(vertical)", 및 이들의 변형들은 절대적인 방향들을 지칭하지 않는다. 대신에, 이러한 용어들은 챔버의 기준 평면, 예를 들어 챔버의 기판 처리 표면에 평행한 평면에 대한 방향들을 지칭한다. 도면들 중 일부에서는 방향의 지향들(directional orientations)에 관해 독자에게 도움을 주기 위해 방향의 삽화(directional inset)가 포함된다.
도 1은 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 단면도이다. 일반적으로, 처리 챔버(100)는 복수의 기판 수용 위치(104)를 갖는 기판 지지체(102)를 특징으로 한다. 일 실시예에서, 기판 수용 위치들(104)은 포켓들(106)로서 구성될 수 있다. 또한, 일반적으로, 처리 챔버(100)는 처리 챔버(100)의 측벽(110) 주위의 가스 분배기(108)를 특징으로 한다. 가스 분배기(108)는 측벽(110)의 둘레 주위에 배치된 복수의 가스 통로(112)를 포함한다. 처리 가스들은 가스 소스(114)로부터, 가스 분배기(108)의 바디(118)와 측벽(110) 사이에 형성된 둘레 채널(circumferential channel)(116)에 공급된다. 처리 가스들은 둘레 채널(116)로부터 유동되고, 가스 통로들(112)을 통해 균일하게 분산된다. 다음으로, 기판 지지체(102) 상에 배치된 기판(124)의 처리 표면(122)에 걸친 균일한 가스 유동 및 노출을 제공하는 방식으로, 과잉의 처리 가스들이 중심 배기 개구(120)를 통해 배기된다. 기판 지지체(102)의 중심 배기 개구(120)는 진공 펌프(126)에 결합되고, 주로 처리 챔버(100)의 세로 축(128)을 따르는 전도 경로(conductance path)(아래에 더 상세하게 설명됨)가 제공된다. 중심 배기 개구(120)는 기판 지지체(102)에 결합된 중심 배기 채널(121)을 포함한다.
챔버(100)는 최상부(129) 및 최하부(130)를 갖고, 이들은 측벽(110)과 함께 처리 챔버(100)의 내부 용적(132)을 정의한다. 기판 지지체(102)는 내부 용적(132) 내에 배치된다. 기판 지지체(102)는 기판(124)이 리프트 핀들(134) 상에 지지되도록하는 기판 이송 위치 내에 도시되어 있다. 리프트 핀들(134)은 석영, 사파이어, 또는 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 투명 재료로 이루어질 수 있다. 이송 위치에서, 기판(124)은 포켓(106)으로부터 이격되고, 엔드 이펙터(end effector)(도시되지 않음)는 이송 포트(136)를 통해 내부 용적(132)에 진입할 수 있다. 기판은 이송 포트(136)를 통해 처리 챔버(100)의 안으로 또는 밖으로 이송될 수 있다. 이송 포트(136)는 슬릿 밸브(도시되지 않음)에 의해 선택적으로 밀봉될 수 있다. 기판 지지체(102)는 기판 지지체(102)를 내부 용적(132) 내에서 상하로(Z 방향으로) 이동시키는 이동 메커니즘(138)에 결합된다. 이동 메커니즘(138)은 세로 축(128)에 대한 기판 지지체(102)의 회전을 또한 제공한다.
처리 동안, 이동 메커니즘(138)은 기판(124)이 포켓(106) 내에 수용되고 리프트 핀들(134)에 닿지 않도록, 기판 지지체(102)를 상승시킨다. 다음으로, 기판 지지체(102)는 기판 지지체(102)에 결합된 로터리 액츄에이터(140)에 의해 회전될 수 있다. 이동 메커니즘(138)뿐만 아니라 로터리 액츄에이터(140)는 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 외부에 위치된다. 최하위 홀들(112)은 최하위 홀들(112) 중의 임의의 홀(112)의 가장자리가 기판 지지체(102)의 상부 표면으로부터의 거리를 포함하도록 위치지정될 수 있다. 거리는 약 0미크론(㎛) 내지 약 100㎛, 예컨대 약 10㎛ 내지 약 50㎛, 예를 들어 20㎛일 수 있다. 거리는 기판 지지체(102)의 상부 표면에 걸쳐 처리 가스들의 유동을 원활하게(smooth) 하기 위해 이용될 수 있다. 포켓들(106) 내에서의 복수의 기판(124)의 처리 후에, 하나의 포켓(106)이 리프트 핀들(134)과 정렬될 수 있다. 기판 지지체(102)는 도 1에 도시된 위치로 하강되고, 기판(124)은 처리 챔버(100) 밖으로 이송될 수 있다. 다른 처리되지 않은 기판이 리프트 핀들(134) 상에 배치됨으로써 처리 챔버(100) 내로 도입될 수 있다. 다음으로, 기판 지지체(102)는 처리되지 않은 기판을 리프트 핀들(134)로부터 제거하도록 상승될 수 있고, 기판 지지체(102)는 다른 포켓(106)을 리프트 핀들(134)과 정렬하도록 회전될 수 있다. 다음으로, 처리된 기판을 제거하고 다른 기판을 안으로 도입하기 위해, 이송 프로세스가 발생할 수 있다. 기판 이송 프로세스를 위해 다른 포켓을 리프트 핀들(134)과 정렬하기 위해, 기판 지지체(102)가 다시 상승되고 회전될 수 있다. 처리된 기판들 전부가 처리되지 않은 기판들로 대체되도록, 기판 지지체(102)의 회전, 정렬, 하강, 이송, 및 리프팅(기판 이송 이동들)은 필요에 따라 반복될 수 있다. 그 후, 복수의 처리되지 않은 기판의 처리가 처리 챔버(100) 내에서 진행될 수 있다.
일부 실시예들에서, 기판은 기판 지지체(102)에 이송될 수 있고, 기판 지지체(102)는 처리 위치로 상승된다. 다음으로, 기판 지지체(102)가 회전될 수 있고, 처리 가스가 가스 분배기(108)로부터 제공될 수 있다. 회전은 약 30초 내지 약 3분 동안 제공될 수 있다. 다음으로, 처리 가스는 정지될 수 있고, 기판 지지체(102)는 회전되어 리프트 핀들(134)과 정렬될 수 있다. 다음으로, 기판 지지체(102)는 이송을 위해 기판 지지체(102)의 포켓(106)으로부터 기판을 제거하기 위해 하강될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판들은 이송 중 처리(processing in-between transfer)로 한 번에 하나씩 추가 및 제거될 수 있다. 다른 실시예들에서, 복수의 기판이 처리될 때, 처리된 기판을 처리 챔버(100) 밖으로 이송하기 위해 기판 지지체(102)가 위에서 설명된 것과 같이 회전 및 하강될 수 있고, 처리되지 않은 기판은 처리 챔버(100) 내로 이송된다. 다음으로, 처리된 기판을 언로딩하고 처리되지 않은 기판을 로딩하기 위해, 기판 지지체(102)가 상승되어 약 60도[기판 지지체(102)가 6개의 포켓을 포함하는 경우] 회전될 수 있다.
처리 챔버(100)의 최하부(130)에는 에너지를 기판 지지체(102)를 향해 내부 용적(132) 내로 에너지를 투입하는 에너지 소스(142)가 결합된다. 에너지 소스(142)는 복사 소스, 열 소스, 또는 플라즈마 소스일 수 있다. 복사 소스들은 자외선(UV), 적외선(IR)은 물론, 가시 주파수 램프들, 레이저들, 및 LED들, 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 열 소스들은 레이저들, LED들, 및 필라멘트 램프들, 또는 이들의 조합들일 수 있다. 플라즈마 소스들은 용량성, 유도성, 또는 이들의 조합일 수 있다. 처리 챔버(100)는 복수의 램프(144)를 갖는 에너지 소스(142)와 함께 도시된다. 이 경우, 램프들(144)은 기판들(124)의 처리 표면(122)에 대체로 평행한 평면을 따라 배열되고, 반경방향으로 배향된다. 각각의 램프(144)는 전력 소스(148)에 결합되는 전력 접속부(146)를 포함한다. 전력 소스(148)는 램프들(144)을 집합적으로 또는 독립적으로 제어할 수 있다.
램프들(144)은 임의의 편리한 방식으로 배향될 수 있다. 램프들(144)은 예를 들어 행들로, 또는 열들로 수직하게 배향될 수 있다. 다르게는, 램프들은 수평으로 배향될 수 있다. 에너지 소스(142)는 기판들(124)에의 전력 전달의 효율성을 증가시키기 위한 반사성 내부 표면들을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 램프(144)는 각각의 램프로부터의 전력 전달을 최대화하기 위해 반사성 튜브(150) 내에 배치될 수 있다. 반사성 튜브(150)는 금 또는 백금과 같은 반사성 금속, 또는 유전체 거울 또는 브래그 반사기와 같은 반사성 유전체 재료일 수 있는 반사성 코팅을 가질 수 있다. 램프들(144)로부터의 에너지는 에너지 소스(142)의 상부 경계를 형성하는 투명 플레이트(154)를 통해 기판들(124)의 후면(152)으로 이동한다. 투명 플레이트(154)는 석영, 사파이어, 또는 다른 적절한 재료일 수 있다. 투명 플레이트(154)는 또한 반사 방지 코팅을 또한 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 에너지 소스(142)는 도 3에 더 상세하게 설명된 복수의 램프 헤드(156)로 분할된다.
각각의 램프 헤드(156)는 내부 용적(160)을 정의하기 위해 투명 플레이트(154), 측벽들(157), 및 최하부(158)를 포함한다. 측벽들(157) 및 최하부(158)는 스테인레스 스틸 또는 알루미늄을 포함할 수 있다. 투명 플레이트(들)(154)의 두께뿐만 아니라, 내부 용적(160) 내의 압력에 대한 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 내의 압력에 따라, 내부 용적(160)은 압력 등화 시스템(pressure equalization system)(162)에 유체 결합될 수 있다. 압력 등화 시스템(162)은 선택적(optional)이고, 필요한 경우에 이용될 수 있다. 예를 들어, 각각의 램프 헤드(156) 상의 투명 플레이트(154)가 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 내의 부압들(negative pressures)을 견디기에 충분한 두께를 갖는 경우, 내부 용적(160)은 주변(대기) 압력과 실질적으로 동일한 압력을 가질 수 있다. 대조적으로, 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 내의 압력이 투명 플레이트(154)를 휘게 하거나 파손시킬 수 있는 경우, 압력 등화 시스템(162)은 내부 용적(160) 내의 압력을 하강시키기 위해 이용될 수 있다. 압력 등화 시스템(162)은 내부 용적(160) 내의 압력들을 결정하기 위한 게이지(164)를 포함할 수 있다. 진공 펌프(166)는 내부 용적(160) 내의 압력을 하강시키기 위한 압력 등화 시스템(162)의 부분일 수 있다. 밸브(168)는 내부 용적(160) 내의 압력을 제어하기 위해 이용될 수 있다. 압력 등화 시스템(162)은 또한 램프 헤드(156)를 냉각시키기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 압력 등화 시스템(162)은 냉각제를 내부 용적(160)으로 유동시킬 수 있는 유체 소스(161)에 결합될 수 있다. 냉각제는 질소, 헬륨, 또는 일부 다른 열 이송 매체일 수 있다.
반사기 플레이트(170)는 최상부(129)에 결합될 수 있다. 반사기 플레이트(170)는 알루미늄 또는 스테인레스 스틸로 이루어질 수 있다. 반사기 플레이트(170)는 반사기 플레이트(170)를 통해 또는 반사기 플레이트를 따라 냉각제와 같은 유체를 유동시키기 위해 이용될 수 있는, 반사기 플레이트(170)의 바디 내에 형성된 채널(172)을 포함할 수 있다. 유입부(174) 및 유출부(도시되지 않음)는 유체를 채널(172)에 순환시키기 위해 반사기 플레이트(170)에 결합될 수 있다. 반사기 플레이트(170)는 반사기 플레이트(170)에서 처리 챔버(100)의 내부 용적(132)을 향하는 측부에 배치된 반사성 표면(176)을 포함한다. 반사성 표면(176)은 에너지 소스(142)로부터의, 또는 기판들(124) 또는 기판 지지체(102)에 의해 방출된 복사 에너지를 기판 지지체(102) 상에 배치된 기판(124)의 처리 표면(122)을 향해 반사 또는 재지향시키기 위해 이용된다. 반사성 표면(176)은 거울 연마된 표면(mirror-polished surface)일 수 있거나, 금, 백금, 또는 유전체 재료와 같은 반사성 재료로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 반사기 플레이트(170)는 반사성 표면(176)과 투명 플레이트(180) 사이에 형성된 채널(178)을 포함한다. 채널(178)은 압력 등화 시스템(182)에 유체 결합된다. 투명 플레이트(180)의 표면적은 램프 헤드들(156)의 투명 플레이트들(154)의 표면적보다 훨씬 크므로, 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 내의 압력은 투명 플레이트(180)를 휘게 하거나 파손시킬 수 있다. 압력 등화 시스템(182)은 채널(178) 내의 압력을 하강시키기 위해 이용될 수 있다. 압력 등화 시스템(182)은 채널(178) 내의 압력들을 결정하기 위한 게이지(184)를 포함할 수 있다. 진공 펌프(186)는 채널(178) 내의 압력을 하강시키기 위한 압력 등화 시스템(182)의 부분일 수 있다. 밸브(188)는 채널(178) 내의 압력을 제어하기 위해 이용될 수 있다.
이동 메커니즘(138)은 램프 헤드들(156)에 결합될 수 있다. 그들 사이에 밀봉을 제공하기 위해 o 링(190)이 이용될 수 있다. 이동 메커니즘(138)은 로터리 밀봉부(194)의 샤프트(193)에 결합된 중공 샤프트(hollow shaft)(192)를 포함한다. 로터리 액츄에이터(140)는 회전가능한 샤프트(193)에 결합되고, 그러한 샤프트는 중공 샤프트(192) 및 기판 지지체(102)를 세로 축(128)에 대해 회전시킨다. 처리 챔버(100)의 내부 용적(132)으로부터의 가스들의 전도 경로는 중심 배기 개구(120), 및 중공 샤프트(192) 내에 형성된 중심 배기 채널(121)을 통해, 회전가능한 샤프트(193) 내에 형성된 회전가능한 채널(195)을 통해, 그리고 로터리 밀봉부(194)의 정지형 하우징(197) 내에 형성된 둘레 채널(196)을 통해 진공 펌프(126)에 제공될 수 있다. 이동 메커니즘(138)은 정지형 하우징(197)에 결합될 수 있는 수직 액츄에이터(198)를 또한 포함한다. 수직 액츄에이터(198)는 블록(101)에 의해 정지형 하우징(197)에 결합된 회전가능한 샤프트(199)를 포함할 수 있다. 모터(103)는 회전가능한 샤프트(199)에 결합되고, 이 샤프트는 모터(103)가 작동될 때 블록(101)을 Z 방향으로 이동시킨다. 이러한 방식으로, 정지형 하우징(197), 중공 샤프트(192), 및 기판 지지체(102)는 처리 챔버(100)의 내부 용적(132) 내에서 수직으로 이동된다. 중공 샤프트(192) 및 회전가능한 샤프트(193)는 석영, SiC, SiC 코팅된 흑연, 세라믹, 사파이어, 또는 열 및 화학반응에 저항성이 있는 임의의 재료로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 중공 샤프트(192)는 중공 샤프트(192)의 제2 단부(173)에 대향하는 제1 단부(171)에서 중심 배기 개구(120)를 갖는다. 따라서, 중심 배기 개구(120)는 중공 샤프트(192)의 제1 단부(171)에서 처리 용적(132) 내로 연장된다. 중공 샤프트(192)의 제1 단부(171)는 기판 지지체(102)의 상부 표면(175)과 동일 평면을 이루는 위치에서 종단되는 것으로 도시되어 있다. 다른 실시예들에서, 중심 배기 개구(120)는 기판 지지체(102)의 표면(175)보다 높은 위치에서 종단될 수 있다. 대안적으로, 기판 지지체(102)는 기판 지지체(102)의 표면(175)의 평면보다 아래에서, 중공 샤프트(192)에 부착될 수 있다.
기판 지지체(102)는 중심 배기 채널(121) 주위에 배치되고, 진공 펌프(126)에 유체 결합된다. 기판 지지체(102)는 중공 샤프트(192)에 부착된 것으로 인해, 중공 샤프트(192)가 회전함에 따라 회전한다. 도시된 바와 같이, 중심 배기 채널(121)은, 중심 배기 채널(121)이 테이퍼링된 내부 측벽들(181)을 포함하도록 하는 각진 프로파일(angular profile)을 가질 수 있다. 대안적으로, 프로파일은 중심 배기 채널(121) 내의 가스 유동을 원활하게 하기 위해 완만하게(gently) 만곡될 수 있다. 일부 실시예들에서, 퍼지 가스 소스(105)로부터의 퍼지 가스가 이동 메커니즘(138)의 내부 영역(107)에 제공될 수 있다. 내부 영역(107)은 벨로우즈(bellows)(109)에 의해 경계가 정해질 수 있다. 퍼지 가스는 공간(111)을 통해 처리 챔버(100)의 내부 용적(132)에 제공될 수 있고, 기판 지지체(102)의 최하부를 따라, 그리고 그 경계(113) 주위에서 유동될 수 있다.
도 2는 도 1의 처리 챔버(100)의 일부분의 확대 단면도이다. 물론, 포켓(106)은 기판 지지체(102)의 일부이다. 기판 지지체(102)는 내부에 형성된 포켓(106)을 갖는 바디(200)를 포함한다. 바디(200)는 실리콘 카바이드(SiC), 흑연, 또는 SiC로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 포켓(106)은 바디(200)의 내향 연장 레지(inwardly extending ledge)(210)의 내측에 형성된 개구(205)를 가질 수 있다. 개구(205)는 기판(124)의 후면(152)에 충돌하도록 램프들(144)로부터의 복사 에너지를 제공한다. 기판 수용 표면(215)은 바디(200)의 상부 표면 상에 제공된다. 기판(124)은 바디(200)의 벽(220)에 의해 포켓(106) 내에서 횡방향으로 보유될 수 있다. 일부 실시예들에서, 벽(220)은 기판 수용 표면(215)에 직교할 수 있다. 다른 실시예들에서, 벽(220)이 포켓(106) 내에서 기판(124)의 중심을 맞추는 기능을 하도록, 벽(220)은 기판 수용 표면(215)에 대해 각지거나 만곡될 수 있다.
처리 챔버(100)는 하부 라이너(225)를 또한 포함한다. 가스 분배기(108)의 바디(118)가 투명 플레이트(180)까지 연장되지 않는 실시예들에서, 상부 라이너(도시되지 않음)는 처리 챔버(100)의 임의의 노출된 내부 표면들을 실질적으로 둘러싼다. 라이너(225)는 투명 석영, 불투명 석영, 또는 고온 응용들에 적합한 다른 재료일 수 있다. 탄성 중합체 o 링들과 같은 밀봉부들(230)은 처리 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들의 용적들을 분리시키기 위해 이용될 수 있다. 가스 분배기(108)의 가스 통로들(112)의 일부가 도 2에 도시되어 있다. 일부 실시예들에서, 가스 통로(112)는 원형이다. 그러나, 다른 실시예들에서, 가스 통로들(112)은 직사각형 슬롯들, 타원 형상, 또는 다른 적절한 형상일 수 있다. 추가로, 가스 통로들(112)은 세로 축(128)(도 1에 도시됨)에 대해 각질 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 통로들(112)은 반경방향으로 세로 축(128)을 향해 각질 수 있고, 세로 축(128)에 직교할 수 있다. 다른 실시예들에서, 가스 통로들(112)은 세로 축(128)에 대해 각질 수 있다. 예를 들어, 가스 통로들(112)의 적어도 일부는 세로 축(128)에 대해 약 10도 내지 약 15도만큼 각질 수 있다.
도 1에 논의된 바와 같이, 복수의 램프 헤드(156)(도 2에는 단 하나만이 도시되어 있음)의 투명 플레이트(154)는 표면적의 차이들로 인해 투명 플레이트(180)의 두께보다 작은 두께(235)를 포함할 수 있다. 두께(235)는 약 1.0 인치 미만, 예컨대 약 0.5 인치 내지 약 0.75 인치일 수 있다. 복수의 램프 헤드(156)에 의해 제공되는 투명 플레이트들(154)의 감소된 표면적은 대기 조건들(atmospheric conditions)에서, 또는 대기 조건들 부근에서 동작하도록 램프 헤드들(156)의 내부 용적(160)을 제공할 수 있다. 그러나, 필요한 경우, 도 1에 설명된 압력 등화 시스템(162)에의 결합을 위해, 측벽들(157) 중 하나에 포트(240)가 제공될 수 있다.
도 3은 도 1의 처리 챔버(100)의 등축 상부도이다. 유입부(174) 및 유출부(300)는 유체들을 냉각제 채널(172)(도 1에 도시됨)에 제공하기 위해 반사기 플레이트(170)에 결합된다. 추가로, 파스너들(fasteners)(305)이 도시되고, 반사기 플레이트(170)를 처리 챔버(100)의 측벽(110)에 결합하기 위해 이용된다.
도 4는 도 1의 처리 챔버(100)의 등축 하부도이다. 3개의 램프 헤드(156)에 결합된 이동 메커니즘(138)의 일부분이 도시되어 있다. 일 실시예에서, 램프 헤드들(156) 각각은 X-Y 평면에서 로브 형상(lobe-shaped) 또는 아치형(arcuate)인 하우징(400)을 포함한다. 3개의 투명 플레이트(154) 각각은 하우징(400)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 또한, 압력 등화 시스템(162)(도 1에 도시됨)이 필요한 경우에 하우징(400) 내에 형성되는 선택적 포트(240)가 도시되어 있다.
도 5는 반사기 플레이트(170) 및 기판 지지체(102)가 제거된 도 1의 처리 챔버(100)의 등축 상부도이다. 3개의 투명 플레이트(154) 및 에너지 소스(142)의 반사성 튜브들(150)이 명확하게 도시되어 있다. 투명 플레이트들(154) 위에는 하부 라이너(225)가 도시되어 있다. 개구(500)는 하부 라이너(225) 내에 제공된다. 일부 실시예들에서, 하부 라이너(225)는 중공 샤프트(192)의 상부 표면(510)을 둘러싸는 내부 링(505)을 포함한다. 상부 표면(510)은 중심 배기 개구(120)를 둘러싼다. 상부 표면(510)은 중공 샤프트(192)에 대한 기판 지지체(102)(도 1 및 도 6에 도시됨)의 정렬 및/또는 결합을 용이하게 하는 하나 이상의 인터페이스 디바이스(515)를 포함할 수 있다. 하나 이상의 인터페이스 디바이스(515)는 볼트들 또는 스크류들과 같은 파스너들, 파스너를 수용하기 위한 개구들, 핀 또는 다른 인덱싱 디바이스 또는 이들의 조합들일 수 있다. 하부 라이너(225)는 하나 이상의 스포크(spoke)(525)에 의해 내부 링(505)에 결합되는 외부 링(520)을 또한 포함한다.
도 6은 반사기 플레이트(170)가 제거된 도 1의 처리 챔버(100)의 등축 상부도이다. 기판 지지체(102)는 처리 챔버(100) 내에 설치되고, 하나 이상의 인터페이스 디바이스(515)에 의해 회전가능한 중공 샤프트(192)에 결합된다. 도 1에 설명된 바와 같이, 기판 지지체(102)는 중공 샤프트(192)를 통해 이동 메커니즘(138)에 의해 상승 및 하강될 수 있다. 기판 지지체(102)가 리프트 핀들(134)에 닿지 않도록 상승될 때, 기판 지지체(102)는 하부 라이너(225)(도 5에 도시됨)뿐만 아니라, 하우징(400) 및 투명 플레이트들(154)에 대해 회전될 수 있다. 가스 통로들(112)로부터의 가스들은 반경 방향으로 안쪽을 향해 유동될 수 있고, 중공 샤프트(192)의 중심 배기 채널(121)을 통해 진공 펌프(126)에 배기될 수 있다.
포켓들(106)은 기판 지지체(102)의 상부 표면(175) 내에서 리세스들로서 도시되어 있다. 도 6에 도시된 포켓들(106) 각각은 각각의 포켓(106) 내에 기판을 지지하기 위한 레지(ledge)(600)를 포함한다. 레지(600)는 기판 영역의 대부분을 투명 플레이트들(154)을 통과한 램프들(도 6에는 보이지 않음)로부터의 복사에 노출시킨 채로 기판의 에지에 접촉한다. 레지들(600)은 각각의 포켓(106)의 벽(605)으로부터 반경방향으로 안쪽을 향해 연장된다. 벽(605)은 수직일 수 있다[즉, 기판 지지체(102)의 상부 표면(175)에 수직임]. 대안적으로, 벽(605)은 경사질 수 있다. 벽(605)은 직선형, 만곡형, 또는 각진(angled) 프로파일을 가질 수 있다. 레지(600)는 벽(605)으로부터 임의의 편리한 거리만큼 연장될 수 있다. 포켓(106)의 반경의 일부로서, 레지(600)는 반경의 5% 내지 10%로 연장될 수 있다. 예를 들어, 포켓의 반경이 150mm인 경우, 레지는 벽(605)으로부터 약 5mm 내지 약 15mm, 예컨대 약 8-12mm, 예를 들어 약 10mm 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 포켓들(106)은 기판을 지지하기 위해, 레지가 아니라 플로어를 가질 수 있다. 플로어는 평평하거나 만곡될 수 있고, 플로어가 열 서셉터(thermal susceptor)로서 기능하도록 실리콘 카바이드 또는 흑연과 같은 열 방출 재료(thermally emissive material)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 포켓(106)은 만곡된 디쉬(curved dish)이다. 포켓들(106)이 플로어들을 갖는 실시예들에서, 각각의 플로어는 리프트 핀들(134)을 받아들이기 위한 개구들을 가질 수 있다.
기판과 포켓(106) 사이의 열 전도성 접촉을 최소화하기 위해, 포켓들(106)은 접촉 최소화 구조물들(contact minimizing structures)을 특징으로 할 수 있다. 예를 들어, 포켓들(106)이 레지들(600)을 갖는 실시예에서, 레지들은 기판과 에지(600) 사이의 열 전도성 접촉을 감소시키기 위해, 리지들(ridges), 범프들(bumps), 및/또는 홈들(grooves)과 같은 피쳐들(610)을 포함할 수 있다. 포켓들(106)이 플로어들을 포함하는 실시예에서, 플로어는 리지들, 범프들, 및/또는 홈들을 가질 가능성이 많다. 일부 실시예들에서, 플로어는 챔버 압력이 감소될 때 포켓들(106) 내에서의 기판들의 이동을 방지하는 배출구들을 가질 수 있다.
포켓들(106)은 포켓들(106)이 서로에 가장 가깝게 되는 지점들에서 거리를 두고 분리될 수 있다. 2개보다 많은 포켓이 이용되는 경우에서의 선형 거리는 약 1mm 내지 약 100mm일 수 있다. 임의의 개수의 포켓이 이용될 수 있다. 서셉터는 임의의 개수의 포켓을 수용하기 위한 크기를 가질 수 있고, 물론 포켓들의 복수의 랭크, 행, 또는 열이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 돌출부들(620)은 기판 지지체(102)의 상부 표면(175) 상에 제공될 수 있다. 돌출부들(620)은 처리 동안 기판 지지체(102)에 걸친 가스들의 유동을 향상시키기 위해 이용될 수 있다.
상술한 것은 특정 실시예들에 관한 것이지만, 다른 실시예들 및 추가의 실시예들은 본 개시내용의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있다.

Claims (23)

  1. 처리 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 측벽 주위에 배치된 가스 분배기;
    상기 용적 내에 배치된 기판 지지체 - 상기 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구(central exhaust opening)를 가짐 -, 상기 기판 지지체의 회전 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터(rotary actuator), 및 상기 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓;
    상기 중심 배기 개구를 둘러싸는 내부 링, 및 복수의 스포크(spoke)에 의해 상기 내부 링에 결합되는 외부 링을 포함하는 하부 라이너; 및
    상기 최하부에 결합된 열 에너지 소스
    를 포함하는, 처리 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열 에너지 소스는 복수의 램프를 포함하는 램프 어셈블리를 포함하는, 처리 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 상기 램프 어셈블리는 3개의 하우징을 포함하고, 상기 3개의 하우징 각각은 상기 복수의 스포크 중 하나에 의해 적어도 부분적으로 분리되는, 처리 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 3개의 하우징은 상기 처리 챔버의 세로 축에 대해 실질적으로 대칭인, 처리 챔버.
  5. 제3항에 있어서, 상기 3개의 하우징은 X-Y 평면에서 아치형(arcuate)인, 처리 챔버.
  6. 제3항에 있어서,
    제1 투명 플레이트 상에 고정된 복수의 리프트 핀 - 상기 복수의 리프트 핀 각각은 투명 재료를 포함하고, 상기 복수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀은 상기 복수의 기판 포켓 중 하나에 연관되고, 상기 제1 투명 플레이트는 상기 기판 지지체의 회전 축에 대해 고정되고, 상기 제1 투명 플레이트는 상기 용적과 상기 램프들 사이에 배치됨 - 을 더 포함하는, 처리 챔버.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 투명 플레이트는 3개의 투명 플레이트를 포함하는, 처리 챔버.
  8. 제7항에 있어서, 상기 3개의 투명 플레이트는 X-Y 평면에서 아치형인, 처리 챔버.
  9. 제1항에 있어서, 상기 최상부는 상기 기판 지지체를 향하는 반사성 플레이트를 더 포함하는, 처리 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    제1 투명 플레이트 상에 고정된 복수의 리프트 핀 - 상기 복수의 리프트 핀 각각은 투명 재료를 포함하고, 상기 복수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀은 상기 복수의 기판 포켓 중 하나에 연관되고, 상기 제1 투명 플레이트는 상기 기판 지지체의 회전 축에 대해 고정됨 -; 및
    상기 기판 지지체와 상기 반사성 플레이트 사이에 배치된 제2 투명 플레이트를 더 포함하는, 처리 챔버.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반사성 플레이트와 상기 제2 투명 플레이트 사이에 채널이 배치되고, 상기 채널 내의 압력은 제어되는, 처리 챔버.
  12. 제1항에 있어서, 제1 투명 플레이트 상에 고정된 복수의 리프트 핀 - 상기 복수의 리프트 핀 각각은 투명 재료를 포함하고, 상기 복수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀은 상기 복수의 기판 포켓 중 하나에 연관되고, 상기 제1 투명 플레이트는 상기 기판 지지체의 회전 축에 대해 고정됨 - 을 더 포함하는, 처리 챔버.
  13. 처리 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 측벽 주위에 배치된 가스 분배기;
    상기 용적 내에 배치된 기판 지지체 - 상기 기판 지지체는 테이퍼링된 내부 측벽과 채널을 갖는 중심 배기 개구를 가짐 -, 상기 기판 지지체의 회전 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터, 및 상기 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓;
    상기 중심 배기 개구를 둘러싸는 내부 링, 및 하나 이상의 스포크에 의해 상기 내부 링에 결합되는 외부 링을 포함하는 하부 라이너;
    상기 최상부 상에서 상기 기판 지지체를 향하여 배치된 반사기 플레이트; 및
    상기 최하부에 결합된 열 에너지 소스
    를 포함하는, 처리 챔버.
  14. 제13항에 있어서,
    제1 투명 플레이트 상에 고정된 복수의 리프트 핀 - 상기 복수의 리프트 핀 각각은 투명 재료를 포함하고, 상기 복수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀은 상기 복수의 기판 포켓 중 하나에 연관됨 - 을 더 포함하는, 처리 챔버.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판 지지체와 상기 반사기 플레이트 사이에 배치된 제2 투명 플레이트를 더 포함하는, 처리 챔버.
  16. 제15항에 있어서, 상기 반사기 플레이트와 상기 제2 투명 플레이트 사이에 채널이 배치된, 처리 챔버.
  17. 제16항에 있어서, 상기 채널 내의 압력은 제어가능한, 처리 챔버.
  18. 처리 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 측벽 주위에 배치된 가스 분배기;
    상기 용적 내에 배치된 기판 지지체 - 상기 기판 지지체는 채널을 갖는 중심 배기 개구를 가짐 -, 상기 기판 지지체의 회전 축을 따라 배치된 로터리 액츄에이터, 및 상기 중심 배기 개구 주위에 분산된 복수의 기판 포켓;
    상기 중심 배기 개구를 둘러싸는 내부 링, 및 하나 이상의 스포크에 의해 상기 내부 링에 결합되는 외부 링을 포함하는 하부 라이너;
    상기 최상부 상에서 상기 기판 지지체를 향하여 배치된 반사기 플레이트; 및
    상기 최하부에 결합된 열 에너지 소스 - 상기 열 에너지 소스는 복수의 램프를 포함하는 하우징을 포함함 -
    를 포함하는, 처리 챔버.
  19. 제18항에 있어서, 상기 하우징은 3개의 하우징을 포함하고, 상기 3개의 하우징 각각은 상기 하부 라이너의 상기 하나 이상의 스포크에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸이는, 처리 챔버.
  20. 제19항에 있어서, 상기 3개의 하우징은 상기 처리 챔버의 세로 축에 대해 실질적으로 대칭인, 처리 챔버.
  21. 제19항에 있어서, 상기 3개의 하우징은 X-Y 평면에서 아치형인, 처리 챔버.
  22. 제18항에 있어서,
    투명 재료를 포함하는 복수의 리프트 핀 - 상기 복수의 리프트 핀 각각은 상기 복수의 기판 포켓 중 하나에 연관되고, 상기 리프트 핀들은 상기 열 에너지 소스와 상기 기판 지지체 사이에 배치된 제1 투명 플레이트에 대해 고정됨 - 을 더 포함하는, 처리 챔버.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기판 지지체와 상기 반사기 플레이트 사이에 배치된 제2 투명 플레이트를 더 포함하는, 처리 챔버.
KR1020187005828A 2015-07-31 2016-06-23 일괄 처리 챔버 KR102495469B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562199907P 2015-07-31 2015-07-31
US62/199,907 2015-07-31
US15/172,391 2016-06-03
US15/172,391 US10781533B2 (en) 2015-07-31 2016-06-03 Batch processing chamber
PCT/US2016/039035 WO2017023437A1 (en) 2015-07-31 2016-06-23 Batch processing chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180025994A KR20180025994A (ko) 2018-03-09
KR102495469B1 true KR102495469B1 (ko) 2023-02-06

Family

ID=57882269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187005828A KR102495469B1 (ko) 2015-07-31 2016-06-23 일괄 처리 챔버

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10781533B2 (ko)
KR (1) KR102495469B1 (ko)
TW (1) TWI713550B (ko)
WO (1) WO2017023437A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11629409B2 (en) * 2019-05-28 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Inline microwave batch degas chamber

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140330422A1 (en) * 2013-05-01 2014-11-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for low temperature measurement in a wafer processing system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525160A (en) * 1993-05-10 1996-06-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Film deposition processing device having transparent support and transfer pins
JP3181171B2 (ja) * 1994-05-20 2001-07-03 シャープ株式会社 気相成長装置および気相成長方法
JP4660926B2 (ja) * 2001-01-09 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の処理装置
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
US8298338B2 (en) * 2007-12-26 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus
KR101161407B1 (ko) * 2007-12-26 2012-07-09 삼성엘이디 주식회사 화학기상 증착장치
US8961691B2 (en) * 2008-09-04 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, computer readable storage medium for storing a program causing the apparatus to perform the method
JP5257328B2 (ja) 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20110232569A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Applied Materials, Inc. Segmented substrate loading for multiple substrate processing
US20140044889A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Globalfoundries Inc. Methods of making stressed material layers and a system for forming such layers
KR101381181B1 (ko) 2012-11-16 2014-04-04 주성엔지니어링(주) 서셉터 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
SG11201504342SA (en) * 2013-01-16 2015-08-28 Applied Materials Inc Quartz upper and lower domes
WO2016109063A1 (en) * 2015-01-02 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Processing chamber

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140330422A1 (en) * 2013-05-01 2014-11-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for low temperature measurement in a wafer processing system

Also Published As

Publication number Publication date
US10781533B2 (en) 2020-09-22
TWI713550B (zh) 2020-12-21
TW201705216A (zh) 2017-02-01
US20170029976A1 (en) 2017-02-02
KR20180025994A (ko) 2018-03-09
WO2017023437A1 (en) 2017-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11859307B2 (en) Apparatus and methods for alignment of a susceptor
CN107109645B (zh) 处理腔室
KR102425949B1 (ko) 후면측 기판 접촉을 감소시키기 위한 기판 이송 메커니즘
US10403521B2 (en) Modular substrate heater for efficient thermal cycling
US11236424B2 (en) Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
KR102343692B1 (ko) 저압 열 프로세스들을 위한 광 파이프 구조물 윈도우
JP2004533117A (ja) 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
KR20180085822A (ko) 기판에 걸친 온도 프로파일을 최소화하기 위한 홈들을 갖는 평판형 서셉터
KR102459367B1 (ko) 에피 챔버를 위한 라이너
KR102495469B1 (ko) 일괄 처리 챔버
US20150294893A1 (en) Substrate holder and a device and a method for treating substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant