JP6481363B2 - 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 - Google Patents
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6481363B2 JP6481363B2 JP2014263140A JP2014263140A JP6481363B2 JP 6481363 B2 JP6481363 B2 JP 6481363B2 JP 2014263140 A JP2014263140 A JP 2014263140A JP 2014263140 A JP2014263140 A JP 2014263140A JP 6481363 B2 JP6481363 B2 JP 6481363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas supply
- source gas
- wafer
- film forming
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 407
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 149
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 86
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 255
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
前記真空容器内に設けられる前記基板を載置するための載置部と、
前記基板の表面に局所的に原料ガスを供給する原料ガス供給口と、前記原料ガスが供給される領域を囲むように設けられ、原料ガスが供給される領域と当該領域の外側の領域とを分離するための気流を形成するためのパージガス供給口と排気口と、を備えた原料ガス供給機構と、
前記外側の領域に、前記反応ガスの雰囲気を形成する雰囲気形成部と、
前記基板の表面全体に前記反応生成物の層が積層されるように、前記載置部に対して前記原料ガス供給機構を相対的に移動させる移動機構と、
を備え、
前記原料ガス供給機構は前記真空容器の壁部を上下方向に貫通し、その一端部に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口及び前記排気口が形成されると共に、その他端部は当該真空容器の外側に位置し、
前記移動機構は、前記原料ガス供給機構の他端部を自転させるための原料ガス供給機構用の回転機構を備え、
前記原料ガス供給機構の他端部の自転により、前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口及び前記排気口は各々公転して前記基板上を移動するように開口し、前記排気口は前記原料ガス供給口を囲み、前記パージガス供給口は前記排気口を囲むように開口し、
前記原料ガス供給機構の他端部の自転半径は前記パージガス供給口の公転半径よりも小さく、
前記原料ガス供給機構の他端部を囲み、当該他端部との間に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口、前記排気口に夫々連通すると共に互いに区画された第1の隙間、第2の隙間、第3の隙間を形成する囲み部材と、
原料ガス供給機構の他端部の自転中に、前記第1の隙間への原料ガスの供給、前記第2の隙間へのパージガスの供給、前記第3の隙間の排気を夫々行うガス給排気機構と、を備えることを特徴とする。
前記真空容器内に設けられる載置部に前記基板を載置する工程と、
原料ガス供給口から前記基板の表面に局所的に原料ガスを供給する工程と、
前記原料ガスが供給される領域を囲むように設けられるパージガス供給口及び排気口から、パージガスの供給及び排気を行い、原料ガスが供給される領域と当該領域の外側の領域とを分離するための気流を形成する工程と、
雰囲気形成部により前記外側の領域に、前記反応ガスの雰囲気を形成する工程と、
前記基板の表面全体に前記反応生成物の層が積層されるように、前記載置部に対して、前記原料ガス供給口、パージガス供給口及び排気口を備えた前記原料ガス供給機構を移動機構により相対的に移動させる移動工程と、
を備え、
前記原料ガス供給機構は前記真空容器の壁部を上下方向に貫通し、その一端部に原料ガス供給口、パージガス供給口及び排気口が形成されると共に、その他端部は当該真空容器の外側に位置し、
前記排気口は前記原料ガス供給口を囲み、前記パージガス供給口は前記排気口を囲むように開口し、
前記移動工程は、前記移動機構を構成する原料ガス供給機構用の回転機構により前記原料ガス供給機構の他端部を、前記パージガス供給口の公転半径よりも小さい自転半径で自転させる工程と、
前記原料ガス供給機構の他端部を囲み、当該他端部との間に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口、前記排気口に夫々連通すると共に互いに区画された第1の隙間、第2の隙間、第3の隙間を形成する囲み部材が設けられ、
ガス給排気機構により、原料ガス供給機構の他端部の自転中に前記第1の隙間への原料ガスの供給、前記第2の隙間へのパージガスの供給、前記第3の隙間の排気を夫々行う工程と、
を備えることを特徴とする。
また、本発明の記憶媒体は、成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは上記の成膜方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の成膜装置の第1の実施形態であり、基板であるウエハWにALDを行い、SiO2(酸化シリコン)膜を形成する成膜装置1について説明する。この成膜装置1は、6枚のウエハWに並行して成膜処理を行うことができるように構成されている。図1は成膜装置1の縦断側面図であり、図2は成膜装置1の横断平面図である。成膜装置1は概ね円形の扁平な真空容器11を備えており、この真空容器11は、当該真空容器11の天井を形成する蓋体12と、当該真空容器11の側壁及び底部を形成する容器本体13と、を備えている。図中、真空容器11内のウエハWの処理空間を10として示している。図中14はOリングであり、蓋体12と容器本体13との隙間をシールする。図中15は、前記側壁に設けられたウエハWの搬送口であり、図中16は搬送口15を開閉自在なシャッタであり、図中17はシャッタ16と側壁との隙間をシールするOリングである。
図11には、第1の実施形態の第1の変形例に係る成膜装置81を示している。成膜装置1との差異点を中心に説明すると、成膜装置81では排気口37がウエハWの底面の周縁部に設けられる代りに、ホルダ載置用テーブル23の表面の中心部に開口している。ホルダ載置用テーブル23の裏面中心部には、回転軸21の代わりに起立した回転筒82が、ホルダ載置用テーブル23を支持するように設けられ、上記の排気口37は、この回転筒82内に連通する。そして、回転筒82内の下方側には起立した排気管83の一端が設けられ、排気口37を介して処理空間10に開口している。排気管83の他端は排気機構39に接続されている。
図12には、第1の実施形態の第2の変形例に係る成膜装置86を示している。ただし、成膜装置1と同様に構成されている部分に関して、図示を省いているものがある。成膜装置86における成膜装置1との構成の差異点を説明すると、この成膜装置86ではホルダ保持部35が昇降せず、ホルダ載置用テーブル23が昇降する。ホルダ載置用テーブル23の回転軸21は、上記の回転機構22の代わりに駆動部87に接続されており、当該駆動部87によりホルダ載置用テーブル23の昇降及び回転が行われる。
図14の各段には、第1の実施形態の第3の変形例に係る成膜装置91を示している。この成膜装置91は、ホルダ保持部35とは形状が異なるホルダ保持部92を備えていることを除いて成膜装置1と同様に構成されており、ウエハWの受け渡しについて関連性が低い一部の部材についての図示を省略している。図15は、下方から見たホルダ保持部92を示しており、ホルダ保持部92はホルダ保持部35に相当する円形部93と、円形部から放射状に3方向に伸びる羽根部94と、を備えている。円形部93は、ウエハホルダ26の裏面中心部を保持する。
続いて、図18に示す第2の実施形態に係る成膜装置101について、第1の実施形態の第1の変形例として示した成膜装置81との差異点を中心に説明する。成膜装置101では、ホルダ載置用テーブル23の表面中心部には排気口89が設けられておらず、成膜装置1と同様に、容器本体13の底面の周縁に排気口37が設けられている。ホルダ載置用テーブル23には、ホルダ載置用テーブル23の中心部を表裏方向に貫通する中心部貫通孔102が設けられており、回転筒82内に連通している。回転筒82の下端部は、容器本体13の底面において開口部18の外側を囲むように形成されたリング状の開口部103を介して真空容器11の外部に延出されており、回転筒82の外側、内側に夫々設けられるシール部材84、85は、夫々この開口部103と回転筒82との隙間をシールする。
ところで、ガス供給ヘッド106は1つのウエハWに対して1つ設けられることに限られず、複数のウエハWに共用されるようにしてもよい。図21に示す第2の実施形態の第1の変形例では上記の成膜装置101において、ガス供給ヘッド106を1つのみ設けている。このガス供給ヘッド106は、成膜処理中に処理空間10を例えば平面視時計回りに繰り返し移動する。即ち、6つの回転するウエハW上を移動することで、各ウエハWの表面全体にBTBASガスを供給することができる。このような構成とすることで、装置の製造コストの低下を図ることができる。
図22は、第3の実施形態に係る成膜装置121の縦断斜視図である。この成膜装置121では、真空容器11内で1枚のウエハWに成膜処理が行われる。成膜装置1との差異点を説明すると、成膜装置1にはホルダ載置用テーブル23及びホルダ保持部35が設けられておらず、回転軸33の上端は、ウエハホルダ26に接続されている。図中122は、回転軸33と容器本体13との隙間をシールするシール部材である。図中123は、ウエハホルダ26に載置されるウエハWの側周を囲む水平なリング板である。リング板123の周縁部は下方へ向けて折り曲げられて筒状の屈曲部124をなし、屈曲部124は容器本体13の側面から若干離れている。この屈曲部124と容器本体13の内側面との間の隙間は、容器本体13の底面の排気口37に連通しており、処理空間10を排気することができる。
1 成膜装置
10 処理空間
11 真空容器
23 ホルダ載置用テーブル
26 ウエハホルダ
34 駆動部
51 ガスシャワーヘッド
6 原料ガス供給部
64 原料ガス吐出口
65 排気口
66 パージガス吐出口
73 回転機構
100 制御部
Claims (9)
- 真空容器内にて基板に吸着させるための原料ガスと、原料ガスと反応する反応ガスとを交互に供給して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられる前記基板を載置するための載置部と、
前記基板の表面に局所的に原料ガスを供給する原料ガス供給口と、前記原料ガスが供給される領域を囲むように設けられ、原料ガスが供給される領域と当該領域の外側の領域とを分離するための気流を形成するためのパージガス供給口と排気口と、を備えた原料ガス供給機構と、
前記外側の領域に、前記反応ガスの雰囲気を形成する雰囲気形成部と、
前記基板の表面全体に前記反応生成物の層が積層されるように、前記載置部に対して前記原料ガス供給機構を相対的に移動させる移動機構と、
を備え、
前記原料ガス供給機構は前記真空容器の壁部を上下方向に貫通し、その一端部に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口及び前記排気口が形成されると共に、その他端部は当該真空容器の外側に位置し、
前記移動機構は、前記原料ガス供給機構の他端部を自転させるための原料ガス供給機構用の回転機構を備え、
前記原料ガス供給機構の他端部の自転により、前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口及び前記排気口は各々公転して前記基板上を移動するように開口し、前記排気口は前記原料ガス供給口を囲み、前記パージガス供給口は前記排気口を囲むように開口し、
前記原料ガス供給機構の他端部の自転半径は前記パージガス供給口の公転半径よりも小さく、
前記原料ガス供給機構の他端部を囲み、当該他端部との間に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口、前記排気口に夫々連通すると共に互いに区画された第1の隙間、第2の隙間、第3の隙間を形成する囲み部材と、
原料ガス供給機構の他端部の自転中に、前記第1の隙間への原料ガスの供給、前記第2の隙間へのパージガスの供給、前記第3の隙間の排気を夫々行うガス給排気機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記移動機構は、基板が中心部周りに回転するように前記載置部を回転させる載置部用の回転機構を備えることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記原料ガス供給機構用の回転機構は、基板の中心部上と周縁部上との間で原料ガス供給機構を移動させることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記真空容器内には、前記載置部が複数設けられることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記原料ガス供給機構は、載置部毎に設けられることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
- 真空容器内にて基板に吸着させるための原料ガスと、原料ガスと反応する反応ガスとを交互に供給して薄膜を形成する成膜方法において、
前記真空容器内に設けられる載置部に前記基板を載置する工程と、
原料ガス供給口から前記基板の表面に局所的に原料ガスを供給する工程と、
前記原料ガスが供給される領域を囲むように設けられるパージガス供給口及び排気口から、パージガスの供給及び排気を行い、原料ガスが供給される領域と当該領域の外側の領域とを分離するための気流を形成する工程と、
雰囲気形成部により前記外側の領域に、前記反応ガスの雰囲気を形成する工程と、
前記基板の表面全体に前記反応生成物の層が積層されるように、前記載置部に対して、前記原料ガス供給口、パージガス供給口及び排気口を備えた前記原料ガス供給機構を移動機構により相対的に移動させる移動工程と、
を備え、
前記原料ガス供給機構は前記真空容器の壁部を上下方向に貫通し、その一端部に原料ガス供給口、パージガス供給口及び排気口が形成されると共に、その他端部は当該真空容器の外側に位置し、
前記排気口は前記原料ガス供給口を囲み、前記パージガス供給口は前記排気口を囲むように開口し、
前記移動工程は、前記移動機構を構成する原料ガス供給機構用の回転機構により前記原料ガス供給機構の他端部を、前記パージガス供給口の公転半径よりも小さい自転半径で自転させる工程と、
前記原料ガス供給機構の他端部を囲み、当該他端部との間に前記原料ガス供給口、前記パージガス供給口、前記排気口に夫々連通すると共に互いに区画された第1の隙間、第2の隙間、第3の隙間を形成する囲み部材が設けられ、
ガス給排気機構により、原料ガス供給機構の他端部の自転中に前記第1の隙間への原料ガスの供給、前記第2の隙間へのパージガスの供給、前記第3の隙間の排気を夫々行う工程と、
を備えることを特徴とする成膜方法。 - 前記移動工程は、基板がその中心部周りに回転するように前記載置部を回転させる工程を備えることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。
- 前記移動工程は、基板の中心部上と周縁部上との間で原料ガス供給機構を移動させる工程を含むことを特徴とする請求項6または7記載の成膜方法。
- 成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項6ないし8のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014263140A JP6481363B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014263140A JP6481363B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016122788A JP2016122788A (ja) | 2016-07-07 |
JP6481363B2 true JP6481363B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=56327519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014263140A Active JP6481363B2 (ja) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6481363B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6922408B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2021-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07321057A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用成膜装置 |
JP5315898B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
FI124113B (fi) * | 2010-08-30 | 2014-03-31 | Beneq Oy | Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi |
US20130323422A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for CVD and ALD with an Elongate Nozzle and Methods Of Use |
-
2014
- 2014-12-25 JP JP2014263140A patent/JP6481363B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016122788A (ja) | 2016-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10475641B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
CN107017181B (zh) | 立式热处理装置 | |
JP5141607B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5280964B2 (ja) | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5056735B2 (ja) | 成膜装置 | |
US8808456B2 (en) | Film deposition apparatus and substrate process apparatus | |
JP5062143B2 (ja) | 成膜装置 | |
KR101535683B1 (ko) | 성막 장치, 기판 처리 장치, 성막 방법 및 기억 매체 | |
US20160083844A1 (en) | Substrate Processing Apparatus, Gas Introduction Shaft and Gas Supply Plate | |
US9388496B2 (en) | Method for depositing a film on a substrate, and film deposition apparatus | |
JP6557992B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
US10837110B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for processing a substrate | |
JP2016143836A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010084230A (ja) | 成膜装置、基板処理装置及び回転テーブル | |
JP6478847B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010059495A (ja) | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 | |
US11214864B2 (en) | Method for reducing metal contamination and film deposition apparatus | |
JP2010056472A (ja) | 成膜装置 | |
KR20190074984A (ko) | 성막 장치 | |
JP6512063B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6971887B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP6822051B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
TW202117067A (zh) | 用於改善均勻性的抖動或動態偏移 | |
JP6481363B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5527106B2 (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180223 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180619 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6481363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |