TWI570493B - 顯示裝置和製造其之方法 - Google Patents

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Description

顯示裝置和製造其之方法
所述技術之一示範性實施例係有關於一種顯示裝置以及其製造方法。更具體言之，所述技術係有關於一種其開口率(aperture ratio)被改善同時簡化其結構的顯示裝置，以及其製造方法 。
多數平面顯示器裝置，諸如有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)以及類似裝置，均包含一薄膜電晶體(thin film transistor)和一電容。
該薄膜電晶體包含歐姆接觸層(ohmic contact layer)形成以降低介於半導體層、源極電極和汲極電極之間的接觸電阻。歐姆接觸層通常係藉由將雜質摻雜於半導體層上而形成。形成歐姆接觸層之製程成為簡化顯示裝置整個製造流程的一個限制因素。
此外，由於電容通常包含至少一金屬電極，故其不容易增加顯示裝置的開口率。
以上揭示於此先前技術段落中之資訊僅係用以強化所述技術之背景之了解，因此其可能包含不構成對於本地區之中相關技術熟習者已然知悉之先前技術。
本發明實施例之特色係針對一種改善其開口率的同時簡化其結構和其製造流程的顯示裝置。
依據一示範性實施例之顯示裝置包含：基板；複數閘極導線，該等閘極導線中至少一閘極導線具有第一多層結構，該第一多層結構包含第一透明導電層形成於該基板之上以及第一金屬層形成於該第一透明導電層之上，且該等閘極導線中至少另一閘極導線具有由該第一透明導電層所形成之第一單層結構；半導體層，其形成於該等閘極導線的一部分之上；以及複數資料導線，該等資料導線中至少一資料導線具有第二多層結構，該第二多層結構包含第二透明導電層形成於該半導體層之上以及第二金屬層形成於該第二透明導電層之上，且該等資料導線中至少另一資料導線具有由該第二透明導電層所形成之第二單層結構。
在一實施例之中，該等閘極導線包含閘極電極、第一電容電極以及電容線，且該半導體層至少部分形成於該閘極電極之上。
在一實施例之中，該閘極電極被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之該第一多層結構，且該第一電容電極和該電容線各自均係由該第一透明導電層形成。
在一實施例之中，該閘極電極和該電容線各自均被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之該第一多層結構，且該第一電容電極係由該第一透明導電層所形成。
在一實施例之中，該等資料導線包含源極電極、汲極電極以及第二電容電極，該源極電極和該汲極電極分別接觸該半導體層，且該第二電容電極至少部分交疊該第一電容電極。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極各自均被形成為具有包含該第二透明導電層及該第二金屬層之該第二多層結構，且該第二電容電極係由該第二透明導電層所形成。
在一實施例之中，該第二電容電極延伸自該汲極電極之該第二透明導電層。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極各自均至少部分形成於該半導體層之上，且該源極電極之第二透明導電層和該汲極電極之第二透明導電層均變成介於該半導體層與該源極電極之第二金屬層之間，以及介於該半導體層與該汲極電極之第二金屬層之間的歐姆接觸層。
在一實施例之中，該顯示裝置更進一步包含覆蓋該等資料導線之中介絕緣層，且該中介絕緣層具有像素接觸通孔，該像素接觸通孔部分暴露該第二電容電極。
在一實施例之中，該顯示裝置更進一步包含像素電極形成於該中介絕緣層之上，且該像素電極透過該像素接觸通孔接觸該第二電容電極。
在一實施例之中，該像素接觸通孔係形成於該電容線之上。
在一實施例之中，該中介絕緣層包含有機材料。
在一實施例之中，該半導體層係氧化物半導體。
在一實施例之中，該半導體層包含氧(oxygen；O)、以及鎵(gallium；Ga)、銦(indium；In)、鋅(Zinc；Zn)、 鉿( hafnium；Hf)和錫(tin；Sn)中的至少其一。
在一實施例之中，該顯示裝置更進一步包含蝕刻防止膜，配置於該半導體層與該等資料導線之間，該蝕刻防止膜具有源極接觸通孔和汲極接觸通孔分別暴露該半導體層的一部分，且該源極電極和該汲極電極分別透過該源極接觸通孔和該汲極接觸通孔接觸該半導體層。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極在該半導體層之上彼此分隔，且該顯示裝置更包含蝕刻防止膜配置於該半導體層與該半導體層、該源極電極及該汲極電極彼此分隔處的一區域之間。
依據另一示範性實施例之顯示裝置之製造方法包含：準備基板；依序將第一透明導電層和第一金屬層堆疊於該基板之上，而後藉由圖案化該依序堆疊之第一透明導電及第一金屬疊層形成包含閘極電極、第一電容電極和電容線之複數閘極導線；形成覆蓋該複數閘極導線之閘極絕緣層；形成至少部分交疊該閘極絕緣層上之該閘極電極之半導體層；以及依序將第二透明導電層和第二金屬層堆疊於該半導體層和該閘極絕緣層之上，而後藉由圖案化該依序堆疊之第二透明導電和第二金屬層形成包含一接觸該半導體層之源極電極、接觸該半導體層之汲極電極以及至少部分交疊該第一電容電極之第二電容電極的複數資料導線。
在一實施例之中，該閘極電極被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之多層結構，該第一電容電極和該電容線各自均係由該第一透明導電層形成，且該閘極電極、該第一電容電極和該電容線透過一使用遮罩之光學微影製程(photolithography process)被一併形成。
在一實施例之中，該閘極電極和該電容線各自均被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之多層結構，該第一電容電極係由該第一透明導電層所形成，且該閘極電極、該電容線和該第一電容電極透過使用遮罩之光學微影製程被一併形成。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極各自均被形成為具有包含該第二透明導電層及該第二金屬層之多層結構，該第二電容電極係由該第二透明導電層所形成，且該源極電極、該汲極電極和該第二電容電極透過使用遮罩之光學微影製程被一併形成。
在一實施例之中，該第二電容電極延伸自該汲極電極之該第二透明導電層。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極均部分形成於該半導體層之上，且該源極電極之第二透明導電層和該汲極電極之第二透明導電層均變成介於該半導體層與該源極電極之第二金屬層之間，以及介於該半導體層與該汲極電極之第二金屬層之間的歐姆接觸層。
在一實施例之中，該製造方法更進一步包含形成覆蓋該等資料導線之中介絕緣層，且該中介絕緣層具有像素接觸通孔，該像素接觸通孔部分暴露該第二電容電極。
在一實施例之中，該製造方法更進一步包含形成像素電極於該中介絕緣層之上，且該像素電極透過該像素接觸通孔接觸該第二電容電極。
在一實施例之中，該像素接觸通孔係形成於該電容線之上。
在一實施例之中，該中介絕緣層包含有機材料。
在一實施例之中，該半導體層係氧化物半導體層。
在一實施例之中，該半導體層包含氧(O)、以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)中的至少其一。
在一實施例之中，該製造方法更進一步包含形成蝕刻防止膜於該半導體層與該等資料導線之間，該蝕刻防止膜具有源極接觸通孔和汲極接觸通孔分別暴露該半導體層，且該源極電極和該汲極電極分別透過該源極接觸通孔和該汲極接觸通孔接觸該半導體層。
在一實施例之中，該源極電極和該汲極電極在該半導體層之上彼此分隔，且該製造方法更包含形成蝕刻防止膜於該半導體層與該半導體層、該源極電極及該汲極電極彼此分隔處的一區域之間。
依據示範性實施例，該顯示裝置可以具有簡單之結構，同時改善其開口率。
此外，該顯示裝置整個製造流程之步驟得以減少。
以下將參照所附顯示本發明示範性實施例之圖式更詳盡地描述本發明。如同熟習相關技術者所應理解，所述之實施例均可以在未脫離本發明之精神或範疇下，以各種不同之方式加以修改。
類似的參考編號在本說明書各處均表示類似之構成元件。在一些示範性實施例之中，除了第一示範性實施例之外的其他示範性實施例，與該第一示範性實施例不同的構件將予更加詳細地說明。
此外，顯示於圖式中的每一構件之尺寸及厚度均係基於理解說明及易於說明，本發明並未受限於該等所述之尺寸及厚度。
圖式之中，疊層、薄膜、面板、區域等之厚度均基於清楚之故而加以誇大。圖式之中，為了理解說明及易於說明起見，一些疊層及區域之厚度被誇張地顯示。其應理解，當一構件(諸如一疊層、薄膜、區域或基板)被稱為"位於另一構件之上"時，其可以是直接位於該另一構件之上，或者一或多個居間構件可以存在於其間。
以下將參照圖1及圖2說明依據第一示範性實施例之顯示裝置101。圖1及圖2例示作為顯示裝置之液晶顯示器(LCD)101，但第一示範性實施例並未受限於此。因此，其可以使用有機發光二極體(OLED)顯示器作為顯示裝置101，相關領域之熟習者可以輕易地修改而成。
基板111可以利用由玻璃、石英、陶瓷及/或塑膠所製成之各種適當的絕緣基板形成。此外，緩衝層(buffer layer)可以形成於基板111之上。該緩衝層可以具有單層或多層結構，包含利用化學氣相沉積(chemical vapor deposition)方法及/或物理氣相沉積(physical vapor deposition)方法形成之至少一絕緣層(諸如氧化矽層及/或氮化矽層)。該緩衝層阻隔或防止產生自基板111之溼氣或雜質擴散或滲入，且其表面可以被平坦化。
閘極導線131、132、133及138形成於基板111之上。此等閘極導線包含閘極線131、電容線132、閘極電極133以及第一電容電極138。
此外，閘極導線131、132、133及138包含第一透明導電層1301和第一金屬層1302依序堆疊於基板111之上。進一步詳細言之，在此第一示範性實施例之中，閘極線131、電容線132以及閘極電極133均被形成為具有多層結構，該多層結構包含第一透明導電層1301以及形成於第一透明導電層1301之上的第一金屬層1302。此處，第一電容電極138僅藉由第一透明導電層1301形成。換言之，第一電容電極138不包含第一金屬層1302。
第一透明導電層1301包含至少一種透明導電材料，諸如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅銦錫(zinc indium tin oxide；ZITO)、氧化鎵銦錫(gallium indium tin oxide；GITO)、氧化銦(indium oxide；In2O3)、氧化鋅(zinc oxid；ZnO)、氧化鎵鋅(gallium zinc oxide；GZO)、氧化氟錫(fluorine tin oxide；FTO)及/或掺鋁氧化鋅(aluminum-doped zinc oxide；AZO)。
第一金屬層1302被形成為包含許多適當金屬材料中的至少一種，諸如鉬(molybdenum；Mo)、鉻(chromium ；Cr)、鋁(aluminum；Al)、銀(silver；Ag)、鈦(titanium；Ti)、鉭(tantalum；Ta)及/或鎢(tungsten；W)。
閘極電極133連接閘極線131，而第一電容電極138連接電容線132。閘極線131和電容線132被配置成彼此平行。
由於閘極電極133、閘極線131及電容線132均包含第一金屬層1302，故其具有優越的電氣特性。特別是，電容線132可以有效地供應一電壓至僅由第一透明導電層1301構成之第一電容電極138。
此外，由於電容線132包含第一金屬層1302，故其可以作為光阻隔單元。換言之，電容線132覆蓋一個具有源於階狀差異之不均勻電場的區域，從而增進顯示裝置101之影像品質。
閘極絕緣層140覆蓋閘極導線131、132、133及138。閘極絕緣層140被形成為包含許多適當絕緣材料中的至少一種，諸如矽酸四乙酯(tetra ethyl orthosilicate；TEOS)、氮化矽(silicon nitride；SiNx)及/或氧化矽(silicon oxide；SiO2)。
半導體層153形成於閘極絕緣層140之上，且配置於閘極導線131、132、133及138的一部分之上。進一步具體言之，半導體層153至少部分交疊閘極電極133。
並且，在第一示範性實施例之中，氧化物半導體層被使用做為該半導體層153。更詳細言之，半導體層153可以包含氧(O)，以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)中的至少其一。然而，第一示範性實施例並未受限於此。因此，半導體層153可以是由矽質材料構成。
相較於由非晶矽形成之半導體層，氧化物半導體層具有相當高的電子移動率(mobility)及可靠度，而相較於由多晶矽形成之半導體，氧化物半導體層具有之長處在於優越的一致性和簡單的製造流程。
資料導線171、175、177以及178形成於閘極絕緣層140及半導體層153之上。此等資料導線包含資料線171、源極電極175、汲極電極177以及第二電容電極178。
資料導線171、175、177及178包含第二透明導電層1701和第二金屬層1702依序堆疊於閘極絕緣層140及半導體層153之上。更具體言之，在第一示範性實施例之中，資料線171、源極電極175及汲極電極177被形成為具有多層結構，此多層結構包含第二透明導電層1701以及形成於第二透明導電層1701之上的第二金屬層1702。第二電容電極178僅由第二透明導電層1701構成。換言之，第二電容電極178並不包含第二金屬層1702。
與第一透明導電層1301類似，第二透明導電層1701包含至少一透明導電層，諸如ITO、IZO、ZITO、GITO、In2O3、ZnO、GZO、FTO及/或AZO。
類似第一金屬層1302，第二金屬層1702被形成為包含許多適當金屬材料中的至少一種，諸如鉬(Mo)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉭(Ta)及/或鎢(W)。
源極電極175連接資料線171，且源極電極175與汲極電極177彼此分隔。此外，源極電極175與汲極電極177分別接觸半導體層153。換言之，源極電極175與汲極電極177至少部分形成於半導體層153之上。此例中，源極電極175之第二透明導電層1701和汲極電極177之第二透明導電層1701分別做為介於半導體層153與源極電極175之第二金屬層1702之間，以及介於半導體層153與汲極電極177之第二金屬層1702之間的歐姆接觸層。換言之，源極電極175之第二透明導電層1701和汲極電極177之第二透明導電層1701降低介於半導體層153與源極電極175之第二金屬層1702之間，以及介於半導體層153與汲極電極177之第二金屬層1702之間的接觸電阻。
如前所述，依據第一示範性實施例，作為電阻式接觸層之第二透明導電層1701可以在資料導線171、175、177及178形成之時被一併形成，因而可以省略形成該歐姆接觸層之額外製程 。
第二電容電極178延伸至汲極電極177之第二透明導電層1701，且至少部分交疊第一電容電極138。第一電容電極138、第二電容電極178以及介於第一及第二電容電極138與178之間的閘極絕緣層140成為電容80。此例中，閘極絕緣層140成為介電材質。
如前所述，延伸自汲極電極177的第二電容電極178以及連接電容線132的第一電容電極138係由透明導電層1301及1701構成，因此顯示裝置101之一開口率得以改善。
資料線171係形成於一與閘極線131及電容線132交錯之方向。
中介絕緣層180覆蓋資料導線171、175、177及178，且具有像素接觸通孔188，像素接觸通孔188部分暴露第二電容電極178。像素接觸通孔188係形成於電容線132之上。
此外，在第一示範性實施例之中，中介絕緣層180係由有機材料構成。例如，中介絕緣層180可以是具有優越平坦化特性之感光有機層(photosensitivity organic layer)。
像素電極310配置於中介絕緣層180之上。像素電極310透過中介絕緣層180之像素接觸通孔188接觸第二電容電極178。
液晶層配置於像素電極310之上，但此第一示範性實施例並非限定於此。換言之，有機發光層(organic emission layer)可以配置於像素電極310之上。
同時，階狀部分由於像素接觸通孔188而形成於中介絕緣層180之中，且不均勻電場形成於該階狀區域之中，使得配置於像素電極310上的液晶層之液晶分子排列可能朝不適當之方向扭轉。
然而，在此第一示範性實施例之中，像素接觸通孔188係形成於電容線132之上，因此包含第一金屬層1302之電容線132可以藉由阻隔來自電場構成不均勻之階狀部分之光而保護顯示裝置101之影像品質使其免於劣化。
利用此一組態，依據第一示範性實施例之顯示裝置101可以簡化其結構且具有改善之開口率 。
更詳細言之，包含做為歐姆接觸層之第二透明導電層1701的源極電極175與汲極電極177可以是透過使用遮罩之光學微影製程由第二電容電極178形成。換言之，源極電極175、汲極電極177以及第二電容電極178係形成於簡單結構之中。是故，諸如用以摻入雜質以形成歐姆接觸層之額外製程可予以省略。
因此，依據該第一示範性實施例，整體結構以及製造流程均能夠被簡化，使得大尺寸顯示裝置101之高生產率得以有效地維持。
此外，第一電容電極138及第二電容電極178二者係由透明導電層1301及1701形成，使得顯示裝置101之開口率能夠被顯著地改善。
以下將參照圖3至圖6更詳細說明一種製造依據第一示範性實施例之顯示裝置101的方法。
首先，如圖3所示，準備由玻璃、石英、陶瓷、塑膠或類似材質製成的基板111，而後將第一透明導電層1301及第一金屬層1302依序堆疊於基板111之上。此外，透過使用遮罩之光學微影製程，藉由圖案化第一透明導電層1301和第一金屬層1302形成閘極線131(顯示於圖1)、包含電容線132、閘極電極133以及第一電容電極138的閘極導線。此例中，閘極線131、電容線132以及閘極電極133均被形成為具有多層結構，該多層結構包含第一透明導電層1301以及第一金屬層1302，且第一電容電極138僅由第一透明導電層1301構成。
形成閘極導線131、132、133以及138之光學微影製程包含半色調曝光(halftone exposure)製程及/或雙重曝光(double exposure)製程。因此，閘極線131、電容線132、閘極電極133以及第一電容電極138可以被一併形成。
接著，如圖4所示，其形成覆蓋閘極導線131、132、133及138之閘極絕緣層140。此外，半導體層153形成於閘極絕緣層140之上。半導體層153至少部分交疊閘極電極133。
此外，半導體層153包含氧(O)、以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)中的至少一項。
如圖5所示，第二透明導電層1701及第二金屬層1702被依序堆疊於閘極絕緣層140及半導體層153之上。此外，其透過使用遮罩之光學微影製程藉由圖案化該等依序堆疊之疊層以形成包含資料線171、源極電極175、汲極電極177和第二電容電極187之資料導線。此例中，資料線171、源極電極175以及汲極電極177被形成為具有一多層結構，該多層結構包含第二透明導電層1701以及第二金屬層1702，且第二電容電極178僅由第二透明導電層1701構成。
形成資料導線171、175、177以及178之光學微影製程包含半色調曝光製程及/或雙重曝光製程。因此，資料線171、源極電極175、汲極電極177以及第二電容電極178可以被一併形成。
源極電極175和汲極電極177分別連接半導體層153，而延伸自汲極電極177之第二透明導電層1701的第二電容電極178至少部分交疊第一電容電極138。
此外，源極電極175之第二透明導電層1701和汲極電極177之第二透明導電層1701分別做為介於源極電極175之第二金屬層1702與半導體層153之間，以及介於汲極電極177之第二金屬層1702與半導體層153之間的歐姆接觸層。
接著，如圖6所示，其形成覆蓋資料導線171、175、177及178之中介絕緣層180。中介絕緣層180係由有機材料製成。
此外，中介絕緣層180具有部分暴露第二電容電極178之像素接觸通孔188。像素接觸通孔188係配置於電容線132之上。
像素電極310形成於中介絕緣層180之上。像素電極310與像素接觸通孔188透過第二電容電極178彼此接觸。
此外，液晶層可以配置於像素電極310之上。
利用此一製造方法，可以製造出依據第一示範性實施例之顯示裝置101。換言之，藉由省略形成歐姆接觸層之額外製程，製造流程進行期間所使用的遮罩數目可以被減少或最小化。
因此，依據第一示範性實施例，大尺寸顯示裝置101可以有效地維持高生產率。
此外，由於第一電容電極138及第二電容電極178係由透明導電層1301及1701形成，故顯示裝置101之開口率能夠被顯著地改善。
以下將參照圖7說明依據第二示範性實施例之顯示裝置102。
如圖7所示，依據第二示範性實施例之顯示裝置102之電容線132係由第一透明導電層1301形成。換言之，不像第一示範性實施例，電容線132並未包含第一金屬層1302。
利用此一組態，依據第二示範性實施例之顯示裝置102可以具有進一步改善之 開口率 。
除了電容線132係由第一透明導電層1301形成之外，依據第二示範性實施例之顯示裝置102之製造方法大致相同於第一示範性實施例。
以下將參照圖8說明依據第三示範性實施例之顯示裝置103。
如圖8所示，依據第三示範性實施例之顯示裝置103進一步包含蝕刻防止膜160配置於半導體層153與資料導線171、175、177及178之間。
蝕刻防止膜160保護或防止配置於源極電極175及汲極電極177下方的半導體層153在形成源極電極175及汲極電極177的製程進行期間遭受損傷。
此外，依據第三示範性實施例之蝕刻防止膜160具有源極接觸通孔165及汲極接觸通孔167，分別暴露半導體層153的一部分。
利用此一組態，依據第三示範性實施例之顯示裝置103可以被更穩定地形成 。
除了另外包含用以形成蝕刻防止膜160的製程之外，依據第三示範性實施例之顯示裝置103之製造方法大致相同於第一示範性實施例。此處，相較於第一示範性實施例的製造方法，光學微影製程額外執行於第三示範性實施例的製造方法之中。
以下將參照圖9說明依據第四示範性實施例之顯示裝置104。
如圖9所示，依據第四示範性實施例之顯示裝置104進一步包含蝕刻防止膜260配置於源極電極175及汲極電極177彼此分隔處之區域與半導體層153之間。
依據第四示範性實施例之蝕刻防止膜260被限定形成於半導體層153之上，與第三示範性實施例之蝕刻防止膜160不同。
利用此組態，依據第四示範性實施例之顯示裝置104可以被更穩定地形成。
除了另外包含用以形成蝕刻防止膜260的製程之外，依據第四示範性實施例之顯示裝置104之製造方法大致相同於第一示範性實施例。此處，相較於第一示範性實施例的製造方法，光學微影製程額外執行於第四示範性實施例的製造方法之中。
雖然本揭示係配合目前認為具實用性之示範性實施例說明於上，但其應理解，本發明 並未受限於所揭示的實施例，而是應涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神和範疇內的 各種修改以及等效配置。
10．．．薄膜電晶體
80．．．電容
101．．．顯示裝置
102．．．顯示裝置
103．．．顯示裝置
104．．．顯示裝置
111．．．基板
131．．．閘極線
132．．．電容線
133．．．閘極電極
138．．．第一電容電極
140．．．閘極絕緣層
153．．．半導體層
160．．．蝕刻防止膜
165．．．源極接觸通孔
167．．．汲極接觸通孔
171．．．資料線
175．．．源極電極
177．．．汲極電極
178．．．第二電容電極
180．．．中介絕緣層
188．．．像素接觸通孔
260．．．蝕刻防止膜
310．．．像素電極
1301．．．第一透明導電層
1302．．．第一金屬層
1701．．．第二透明導電層
1702．．．第二金屬層
所附圖式配合說明書例示示範性本發明之實施例，且配合說明用以闡釋本發明之原理。
圖1係依據第一示範性實施例之一顯示裝置之佈局視圖。
圖2係沿圖1之剖面線II-II所取之剖面視圖。
圖3至圖6係圖1及圖2之顯示裝置之製造方法之循序剖面視圖。
圖7係依據第二示範性實施例之顯示裝置之剖面視圖。
圖8係依據第三示範性實施例之顯示裝置之剖面視圖。
圖9係依據第四示範性實施例之顯示裝置之剖面視圖。
10．．．薄膜電晶體
80．．．電容
101．．．顯示裝置
111．．．基板
132．．．電容線
133．．．閘極電極
138．．．第一電容電極
140．．．閘極絕緣層
153．．．半導體層
171．．．資料線
175．．．源極電極
177．．．汲極電極
178．．．第二電容電極
180．．．中介絕緣層
188．．．像素接觸通孔
310．．．像素電極
1301．．．第一透明導電層
1302．．．第一金屬層
1701．．．第二透明導電層
1702．．．第二金屬層

Claims (30)

  1. 一種顯示裝置，包含：基板；複數閘極導線，該複數閘極導線中至少一閘極導線具有第一多層結構，該第一多層結構包含第一透明導電層形成於該基板之上以及第一金屬層形成於該第一透明導電層之上，且該複數閘極導線中至少另一閘極導線具有由該第一透明導電層所形成之第一單層結構；半導體層，其形成於該複數閘極導線的一部分之上；以及複數資料導線，該複數資料導線中至少一資料導線具有第二多層結構，該第二多層結構包含第二透明導電層形成於該半導體層之上以及第二金屬層形成於該第二透明導電層之上，且該複數資料導線中至少另一資料導線具有由該第二透明導電層所形成之第二單層結構。
  2. 申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該複數閘極導線包含閘極電極、第一電容電極以及電容線，且其中該半導體層至少部分形成於該閘極電極之上。
  3. 申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該閘極電極被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之該第一多層結構，且其中該第一電容電極與該電容線各自均係由該第一透明導電層所構成。
  4. 申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該閘極電極與該電容線各自均被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之該第一多層結構，且其中該第一電容電極係由該第一透明導電層所構成。
  5. 申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該複數資料導線包含源極電極、汲極電極以及第二電容電極，其中該源極電極和該汲極電極分別接觸該半導體層，且其中該第二電容電極至少部分交疊該第一電容電極。
  6. 申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該源極電極和該汲極電極各自均被形成為具有包含該第二透明導電層及該第二金屬層之該第二多層結構，且其中該第二電容電極係由該第二透明導電層所構成。
  7. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該第二電容電極係延伸自該汲極電極之該第二透明導電層。
  8. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該源極電極和該汲極電極各自均至少部分形成於該半導體層之上，且其中該源極電極之該第二透明導電層和該汲極電極之該第二透明導電層成為介於該半導體層與該源極電極之該第二金屬層之間，以及介於該半導體層與該汲極電極之該第二金屬層之間的歐姆接觸層。
  9. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，更包含覆蓋該複數資料導線的中介絕緣層，其中該中介絕緣層具有像素接觸通孔，該像素接觸通孔部分暴露該第二電容電極。
  10. 申請專利範圍第9項之顯示裝置，更包含像素電極形成於該中介絕緣層之上，其中該像素電極透過該像素接觸通孔接觸該第二電容電極。
  11. 申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中該像素接觸通孔係形成於該電容線之上。
  12. 申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該中介絕緣層包含有機材料。
  13. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該半導體層係氧化物半導體。
  14. 申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中該半導體層包含氧(O)，以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)及錫(Sn)中的至少其一。
  15. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，更包含蝕刻防止膜，配置於該半導體層與該複數資料導線之間，其中該蝕刻防止膜具有源極接觸通孔及汲極接觸通孔，分別暴露該半導體層的一部分，且其中該源極電極及該汲極電極透過該源極接觸通孔及該汲極接觸通孔分別接觸該半導體層。
  16. 申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該源極電極和該汲極電極在該半導體層之上彼此分隔，且其中該顯示裝置更包含蝕刻防止膜配置於該半導體層與該半導體層、該源極電極、及該汲極電極彼此分隔處的一區域之間。
  17. 一種顯示裝置製造方法，該方法包含：準備基板；依序將第一透明導電層和第一金屬層堆疊於該基板之上，而後藉由圖案化該依序堆疊之第一透明導電及第一金屬層形成包含閘極電極、第一電容電極和電容線之複數閘極導線；形成覆蓋該複數閘極導線之閘極絕緣層；形成至少部分交疊該閘極絕緣層上之該閘極電極之半導體層；以及依序將第二透明導電層和第二金屬層堆疊於該半導體層和該閘極絕緣層之上，而後藉由圖案化該依序堆疊之第二透明導電和第二金屬層形成包含接觸該半導體層之源極電極、接觸該半導體層之汲極電極以及至少部分交疊該第一電容電極之第二電容電極的複數資料導線。
  18. 申請專利範圍第17項之顯示裝置製造方法，其中該閘極電極被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之第一多層結構，其中該第一電容電極及該電容線各自均係由該第一透明導電層構成，且其中該閘極電極、該第一電容電極和該電容線係透過使用遮罩之光學微影製程被一併形成。
  19. 申請專利範圍第17項之顯示裝置製造方法，其中該閘極電極及該電容線各自均被形成為具有包含該第一透明導電層及該第一金屬層之第一多層結構，其中該第一電容電極係由該第一透明導電層所構成，且其中該閘極電極、該電容線和該第一電容電極係透過使用遮罩之光學微影製程被一併形成。
  20. 申請專利範圍第17項之顯示裝置製造方法，其中該源極電極和該汲極電極各自均被形成為具有包含該第二透明導電層及該第二金屬層之多層結構，其中該第二電容電極係由該第二透明導電層所構成，且其中該源極電極、該汲極電極及該第二電容電極係透過使用遮罩之光學微影製程被一併形成。
  21. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，其中該第二電容電極係延伸自該汲極電極之該第二透明導電層。
  22. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，其中該源極電極和該汲極電極均部分形成於該半導體層之上，且其中該源極電極之該第二透明導電層和該汲極電極之該第二透明導電層成為介於該半導體層與該源極電極之該第二金屬層之間，以及介於該半導體層與該汲極電極之該第二金屬層之間的歐姆接觸層。
  23. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，更包含：形成覆蓋該複數資料導線的中介絕緣層，其中該中介絕緣層具有像素接觸通孔，該像素接觸通孔部分暴露該第二電容電極。
  24. 申請專利範圍第23項之顯示裝置製造方法，更包含：形成像素電極於該中介絕緣層之上，其中該像素電極透過該像素接觸通孔接觸該第二電容電極。
  25. 申請專利範圍第24項之顯示裝置製造方法，其中該像素接觸通孔係形成於該電容線之上。
  26. 申請專利範圍第23項之顯示裝置製造方法，其中該中介絕緣層包含有機材料。
  27. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，其中該半導體層係氧化物半導體層。
  28. 申請專利範圍第27項之顯示裝置製造方法，其中該半導體層包含氧(O)，以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)及錫(Sn)中的至少其一。
  29. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，更包含：形成蝕刻防止膜於該半導體層與該複數資料導線之間，其中該蝕刻防止膜具有源極接觸通孔及汲極接觸通孔，分別暴露該半導體層，且其中該源極電極及該汲極電極透過該源極接觸通孔及該汲極接觸通孔分別接觸該半導體層。
  30. 申請專利範圍第20項之顯示裝置製造方法，其中該源極電極和該汲極電極在該半導體層之上彼此分隔，且其中該製造方法更包含形成蝕刻防止膜於該半導體層與該半導體層、該源極電極及該汲極電極彼此分隔處的一區域之間。
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