CN105810803A - 一种垂直结构led芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种垂直结构LED芯片的制备方法，包括如下制作步骤：将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上；在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜；将高反胶包覆整个芯片并高温固化；去除芯片正面高反胶及保护膜；切割后得到单颗单面出光的垂直芯片。使用本发明制作的LED芯片，避免了侧面光被支撑薄膜芯片的材料吸收，使得侧面光成为有效光，提高LED芯片的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种垂直结构LED芯片的制备方法。
背景技术
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
垂直结构LED的制作采用的是垂直结构生长的模式，即是把所需要的材料一层一层生长到衬底上，这种方法制备的垂直结构LED芯片为五面出光，侧面发光面虽然很薄，但支撑芯片的材料如Si、WCu、MoCu等，会吸收LED发出的光，导致侧面光损失较多。另外，在一些要求LED产品具有小型化、集成化、发光角度更小等特点的应用领域，传统方法制备的LED芯片是达不到这些领域的要求的。因此，有必要提供一种新的LED芯片制备方法来解决上述问题。
发明内容
本发明所要解决的问题是：提供一种垂直结构LED芯片的制备方法，由该方法制得的LED芯片，侧面围有高反射白胶，解决LED芯片侧面光损失，提高光效。
为达到上述目的，本发明提供一种垂直结构LED芯片的制备方法，包括如下制作步骤：将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上；在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜；将高反胶包覆整个芯片并高温固化；去除芯片正面高反胶及保护膜；切割后得到单颗单面出光的垂直结构LED芯片。
优选地，所述保护薄膜材料包括：光刻胶、UV膜。
优选地，所述去除芯片正面高反胶及保护膜的方式：先研磨至露出被覆盖的薄膜后，用去胶液或紫外光照去除。
优选地，所述垂直结构LED芯片电极处必须有保护膜。
本发明的有益效果：
使用本发明制备的LED芯片侧面围有高反射白胶，芯片侧面发出的光通过高反射白胶网框内壁反射出来，形成单面出光的LED芯片，避免了侧面光被支撑薄膜芯片的材料吸收，使得侧面光成为有效光，提高LED芯片的出光效率。
附图说明
图1~图3为本发明实施例一的制作过程的侧面示意图。
图中标识说明：
1为蓝膜，2为LED芯片，3为光刻胶，4为高反射白胶。
具体实施方式
实施例一
本实施例采用如下步骤：
将垂直结构蓝光LED芯片2用分选机或者排列机排列在蓝膜1上；在蓝光LED芯片正面覆盖一层光刻胶薄膜3；如图2所示，在准备好的图1材料上旋涂高反射白胶4，并放入烤箱中高温固化高反射白胶；将固化后的LED芯片通过研磨机减薄高反射白胶层，当研磨至露出被覆盖的光刻胶薄膜3后停止；用去胶液去除LED芯片正面的光刻胶，得到如图3所示的LED芯片；切割后得到侧面围白胶的单面出光LED芯片。
实施例二
本实施例采用如下步骤：
本实施例与实施例一的差别在于在LED芯片正面覆盖UV膜，在去除UV膜时通过紫外光照射去除。
以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种垂直结构LED芯片的制备方法，包括如下制作步骤：
（1）将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上；
（2）在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜；
（3）将高反胶包覆整个芯片并高温固化；
（4）去除芯片正面高反胶及保护膜；
（5）切割后得到单颗单面出光的垂直结构LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于所述保护薄膜材料包括：光刻胶、UV膜。
3.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于所述去除芯片正面高反胶及保护膜的方式：先研磨至露出被覆盖的薄膜后，用去胶液或紫外光照去除。
4.根据权利要求1所述的一种垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于所述垂直结构LED芯片电极处必须有保护膜。
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|---|---|---|---|
| CN201410835247.5A CN105810803A (zh) | 2014-12-30 | 2014-12-30 | 一种垂直结构led芯片的制备方法 |
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| CN (1) | CN105810803A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108447967A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-08-24 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种大功率led器件的封装结构 |
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2014
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