JP6680670B2 - トップエミッション型半導体発光デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、トップエミッション型の波長変換式半導体発光デバイスに関する。
現在利用可能な最も効率的な光源の中に、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振器型（resonant cavity）発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）及び端面発光レーザを含む半導体発光デバイスがある。可視スペクトルで動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心ある材料系は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、特に、ＩＩＩ族窒化物材料とも呼ばれる、ガリウム、アルミニウム、インジウム、及び窒素の二元、三元、及び四元合金を含む。典型的に、ＩＩＩ族窒化物発光デバイスは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）又はその他のエピタキシャル技術により、サファイア、炭化シリコン（シリコンカーバイド）、ＩＩＩ族窒化物若しくは複合材の基板、又はその他の好適な基板の上に、異なる組成及びドーパント濃度の複数の半導体層のスタック（積層体）をエピタキシャル成長することによって製造される。スタックは、しばしば、基板上に形成された、例えばＳｉでドープされた１つ以上のｎ型層と、該１つ以上のｎ型層上に形成された活性領域内の１つ以上の発光層と、活性領域上に形成された、例えばＭｇでドープされた１つ以上のｐ型層とを含んでいる。これらｎ型領域及びｐ型領域の上に、電気コンタクトが形成される。
一般に“頂（トップ）”面として参照される表面のみから光を発するＬＥＤ（すなわち、ＬＥＤの側面からの発光が実質的に抑制あるいは排除されるデバイス）は、成長基板上にＬＥＤ半導体構造を成長させ、この半導体構造をマウントに取り付け、そして成長基板を除去することによって形成されることが多い。
本発明の１つの目的は、成長基板の除去を必要とすることなく、光の大部分をデバイスの頂面から発するデバイスを提供することである。
本発明の実施形態は、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光層を含んだ半導体構造を含む。半導体構造に成長基板が付随する。成長基板は、少なくとも１つの傾斜した側壁を有する。傾斜した側壁上に反射層が配設される。半導体構造及び成長基板から取り出される光の大部分が成長基板の頂面を通して取り出される。
本発明の実施形態は、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光層を含んだ半導体構造を含む。１５０ミクロン未満の厚さを有する成長基板が半導体構造に付随する。成長基板の側壁及び半導体構造の側壁の上に反射層が配設される。半導体構造及び成長基板から取り出される光の大部分が成長基板の頂面を通して取り出される。
本発明の実施形態に従った方法は、複数の半導体発光デバイスをキャリアに取り付けることを含む。複数の半導体発光デバイス間の領域に反射材料が配設される。２つの隣接し合う半導体発光デバイスが分離される。分離することは反射材料を切断することを含む。
ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤの一例を示す図である。 一時的なキャリアに取り付けられたＬＥＤのウェハを例示する図である。 成長基板内にスロットを形成した後の図２の構造を例示する図である。 波長変換部材をＬＥＤに取り付けた後の図３の構造を例示する図である。 ＬＥＤ間の領域を反射材料で充填した後の図４の構造を例示する図である。 ＬＥＤを分離した後の図５の構造を例示する図である。 一時的なキャリアに取り付けられたＬＥＤを例示する図である。 波長変換部材をＬＥＤに取り付けた後の図７の構造を例示する図である。 ＬＥＤ間の領域を反射材料で充填した後の図８の構造を例示する図である。 ＬＥＤ間の領域を反射材料で充填した後の図７の構造を例示する図である。 ＬＥＤを覆って波長変換層を形成した後の図１０の構造を例示する図である。 一時的なキャリアに取り付けられた波長変換部材を例示する図である。 ＬＥＤを波長変換部材に取り付けた後の図１２の構造を例示する図である。 ＬＥＤ間の領域を反射材料で充填した後の図１３の構造を例示する図である。 一時的なキャリアに取り付けられた、実質的にコンフォーマルな波長変換層を有するＬＥＤを例示する図である。 ＬＥＤ間の領域を反射材料で充填した後の図１５の構造を例示する図である。 一時的なキャリアに取り付けられた、ＬＥＤの頂部の上にマスク層が形成されたＬＥＤを例示する図である。 反射層を形成した後の図１７の構造を例示する図である。 マスク層を除去した後の図１８の構造を例示する図である。 構造上に波長変換層を形成した後の図１９の構造を例示する図である。
本発明の実施形態においては、成長基板上に成長された半導体ＬＥＤのウェハが、光の大部分が各ＬＥＤの頂面を通して取り出される個々のデバイス又はデバイス群へと処理される。デバイスの側面から光が漏れ出ることを防止するため、又はデバイスの側面から取り出される光の量を低減するため、デバイスの側面に反射材料が配設される。この反射材料はまた、ＬＥＤの頂面を通して取り出される光の量を増大させ得る。
以下の例では、半導体発光デバイスは、青色光又はＵＶ光を発するＩＩＩ族窒化物ＬＥＤであるが、例えばレーザダイオードなどの、ＬＥＤ以外の半導体発光デバイスや、例えばその他のＩＩＩ−Ｖ族材料、ＩＩＩ族リン化物、ＩＩＩ族ヒ化物、ＩＩ−ＶＩ族材料、ＺｎＯ、又はＳｉ系材料などの、その他の材料系からなる半導体発光デバイスが使用されてもよい。
図１は、本発明の実施形態で使用され得るＩＩＩ族窒化物ＬＥＤを例示している。如何なる好適な半導体発光デバイスが使用されてもよく、本発明の実施形態は、図１に例示されるデバイスに限定されない。図１のデバイスは、技術的に知られているように、成長基板１０の上にＩＩＩ族窒化物半導体構造１２を成長させることによって形成される。成長基板は、サファイアであることが多いが、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ又は複合基板など、如何なる好適基板であってもよい。ＩＩＩ族窒化物半導体構造が上に成長される成長基板の表面は、成長の前にパターン形成、粗面化又はテクスチャ加工されてもよく、それにより、デバイスからの光取り出しが向上され得る。成長表面とは反対側の成長基板の表面（すなわち、フリップチップ構成において、その表面を通して光の大部分が取り出される表面）は、成長の前又は後にパターン形成、粗面化又はテクスチャ加工されてもよく、それにより、デバイスからの光取り出しが向上され得る。
半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光領域又は活性領域を含む。先ずｎ型領域１６が成長され得る。ｎ型領域１６は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含み得る。該複数の層は、例えば、ｎ型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層と、発光領域が効率的に発光するのに望ましい特定の光学特性、材料特性若しくは電気特性に合わせて設計されるｎ型、若しくはｐ型であってもよい、デバイス層とを含み得る。ｎ型領域上に、発光領域又は活性領域１８が成長される。好適な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層、又はバリア層によって分離された複数の薄い若しくは厚い発光層を含んだマルチ量子井戸発光領域を含む。次いで、発光領域上に、ｐ型領域２０が成長され得る。ｎ型領域と同様に、ｐ型領域は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を含むことができ、該複数の層は、意図的にはドープされていない層又はｎ型層を含んでいてもよい。
成長後、ｐ型領域の表面上にｐコンタクトが形成される。ｐコンタクト２１は、しばしば、例えば反射メタル及びガードメタルなどの複数の導電層を含む。ガードメタルは、反射メタルのエレクトロマイグレーションを防止あるいは抑制し得る。反射メタルは銀であることが多いが、如何なる好適な１つ以上の材料が使用されてもよい。ｐコンタクト２１を形成した後、ｎコンタクト２２が上に形成されるｎ型領域１６の部分を露出させるよう、ｐコンタクト２１、ｐ型領域２０及び活性領域１８の一部が除去される。ｎコンタクト２２とｐコンタクト２１は、例えばシリコンの酸化物又はその他の好適材料などの誘電体で充填され得る間隙２５によって、互いに電気的に分離（アイソレート）される。複数のｎコンタクトビアが形成されてもよく、ｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１は、図１に例示される構成に限定されない。ｎ及びｐコンタクトは、技術的に知られているように、誘電体／金属スタックを有するボンドパッドを形成するように再分配されてもよい。
ＬＥＤへの電気接続を形成するため、１つ以上のインターコネクト２６及び２８が、ｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１の上に形成され、あるいはそれらに電気的に接続される。図１では、インターコネクト２６がｎコンタクト２２に電気的に接続されている。インターコネクト２８がｐコンタクト２１に電気的に接続されている。インターコネクト２６及び２８は、誘電体層２４及び間隙２７によって、ｎコンタクト２２及び２１から電気的に分離されるとともに互いから電気的に分離される。インターコネクト２６及び２８は、例えば、はんだ、スタッドバンプ、金層、又はその他の好適構造とし得る。多数の個々のＬＥＤが、単一のウェハ上に形成され、その後、デバイスのウェハからダイシングされる。以降の図では、ＬＥＤのウェハの半導体構造並びにｎコンタクト２２及びｐコンタクト２１をブロック１２によって表す。ＬＥＤのウェハのインターコネクト２６及び２８をブロック１４によって表す。
基板１０は、半導体構造の成長の後、又は図１を参照して上述したように個々のデバイスを形成した後に薄化され得る。薄化の後、基板は、一部の実施形態において少なくとも５０μｍ厚、一部の実施形態において１５０μｍ厚以下、一部の実施形態において少なくとも８０μｍ厚、そして一部の実施形態において１２０μｍ厚以下とし得る。
図２、３、４、５、及び６は、本発明の実施形態に従ったデバイスを形成することを例示している。
図２にて、ＬＥＤのウェハが個々のＬＥＤ又はＬＥＤ群へとダイシングされる前に、ウェハがインターコネクト１４を介して一時的なキャリア３０に取り付けられる。一時的なキャリア３０は、後続の処理工程のためにウェハを安定させる。一時的なキャリア３０は、例えばウェハハンドリングテープなど、如何なる好適材料であってもよい。
図３にて、成長基板１０内にスロット３２が形成される。スロット３２は、一部の実施形態において５０μｍ以下の幅である（例えば、図３に示すような傾斜した側壁を有するスロットの頂部において）。スロットは、ＬＥＤ同士の間の領域（後述するように、ウェハを個々のＬＥＤ又はＬＥＤ群へと分離するために構造体が切断されるところ）に置かれる。スロットは、例えば、ウェット若しくはドライエッチング、レーザスクライビング、又は例えばダイアモンドブレードを用いたソーイングなどの機械的切断、を含む何らかの好適技術によって形成され得る。スロット３２は、必ずしもそうである必要はないが、基板１０の厚さ全体を貫いて延在し得る。スロット３２は、図３に示すように角度のある側壁を有し得るが、角度付けられた側壁は必ずしも必要ない。
図４にて、波長変換部材が個々のＬＥＤ又はＬＥＤ群とアライメントされるように、基板１０の頂部に波長変換部材３４が取り付けられる。波長変換部材３４は概して、ＬＥＤのウェハとは別個に形成されてその後に基板１０に取り付けられる波長変換構造である。従って、波長変換部材３４は、自立型の構造体であり、基板１０の上にインサイチュで形成される構造ではない。好適な波長変換部材３４の例は、（例えば焼結することによって）セラミックプレートレットへと形成される蛍光体、及び／又は、シート状に鋳造若しくはその他の方法で形成されてその後に個々の波長変換部材３４へと切断される例えばガラス、シリコーン若しくはエポキシなどの透明材料内に配された蛍光体若しくはその他の波長変換材料を含む。
波長変換部材３４内の波長変換材料は、例えば、従来からの蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、有機半導体、ＩＩ−ＶＩ若しくはＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＩＩ−ＶＩ若しくはＩＩＩ−Ｖ族半導体量子ドット若しくはナノ結晶、染料、ポリマー、又は発光するその他の材料とし得る。波長変換材料は、ＬＥＤによって発せられた光を吸収して、１つ以上の異なる波長の光を発する。必ずしもそうである必要はないが、ＬＥＤによって発せられた未変換の光が、この構造から取り出される光の最終的なスペクトルの一部をなすことが多い。一般的な組み合わせの例は、黄色発光の波長変換材料と組み合わされた青色発光のＬＥＤ、緑色発光及び赤色発光の波長変換材料と組み合わされた青色発光のＬＥＤ、青色発光及び黄色発光の波長変換材料と組み合わされたＵＶ発光のＬＥＤ、並びに青色発光、緑色発光及び赤色発光の波長変換材料と組み合わされたＵＶ発光のＬＥＤを含む。構造から発せられる光のスペクトルを調整するために、他の色の光を発する波長変換材料が追加されてもよい。
波長変換部材３４は、例えば、シリコーン若しくはその他の好適な接着剤などの材料を用いた接着、ダイレクトボンディング、又はその他の好適技術によって、基板１０に取り付けられ得る。
図５にて、図３で形成されたスロット３２内に反射材料３６が配設される。反射材料は、例えば、透明材料内に配された反射性又はその他の粒子とし得る。これらの粒子及び透明材料は、光散乱を生じさせるために、実質的に相異なる屈折率を有するように選択され得る。一部の実施形態において、透明材料は低屈折率を有し（例えば、シリコーンは１．４又はそれ未満の屈折率を有し得る）、粒子はより高い屈折率を有する（例えば、ＴｉＯ２は２．６の屈折率を有する）。例えば、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、又はＡｌ２Ｏ３を含め、如何なる好適な反射粒子が用いられてもよい。好適な透明材料の例は、シリコーン成形コンパウンド、液体シリコーン、エポキシ、及びガラスを含む。一部の実施形態において、反射粒子、透明材料、及び／又は反射粒子と透明材料との組み合わせは、一般的なシリコーン材料よりも高い熱伝導率を有する。一般的なシリコーン材料は典型的に、およそ０．１−０．２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。
反射材料３６は、例えばディスペンス又は成形などの何らかの好適技術によって、スロット３２内に配設され得る。反射材料３６は、一部の実施形態において、図５に示すように、反射材料３６の頂面が波長変換部材３４の頂面と同一平面になるように、スロット３２を完全に充填し得る。反射材料３６は、一部の実施形態においてスロット３２を完全には充填しない。一部の実施形態において、スロット内に反射材料３６を置いた後に、余分な反射材料３６が除去される。例えば、スロット３２の頂面の上まで延在したりＬＥＤを覆ったりする反射材料が、例えば機械的な剥離、研削、又はマイクロビーズブラスティングなどの何らかの好適技術によって除去され得る。
図６にて、ＬＥＤ間の領域３８内で反射材料３６及びＬＥＤウェハを貫いて切断することによって、ウェハから個々のＬＥＤが分離される。個々のＬＥＤは、例えばダイアモンドソーイング、レーザ切断、又はスクライビングと破断を含む何らかの好適技術によって、ウェハから切断され得る。切断によって形成される切り口は、例えば、２０μｍ幅以下とし得る。反射材料が適正に機能するための、切断後に図６のＬＥＤの側面に残存する反射材料３６の必要厚さは、反射材料の種類に依存し得る。反射金属膜の場合、必要とされるのは一部の実施形態において１μｍ以下である。例えばシリコーン内のＴｉＯ２などの拡散反射器の場合、反射率が厚さに依存し得る。例えば、少なくとも９０％反射である拡散反射器は、一部の実施形態において２０μｍ厚又はそれ未満とすることができ、少なくとも９５％反射である拡散反射器は、一部の実施形態において５０μｍ厚又はそれ未満とし得る。
切断後、完成したＬＥＤが、例えば熱剥離、異なるキャリアへの転写、又は直接的な摘み取りなどの何らかの好適技術によって、一時的なキャリア３０から取り外される。
図２−６に示した方法及びそれから得られるデバイスの１つの不都合は、波長変換部材３４及び反射材料３６に利用可能な領域が、成長基板ウェハ１０上のＬＥＤの元々のピッチによって制限されることである。隣接し合うＬＥＤ間の領域は、例えばコスト上の理由から制限されており、それが波長変換部材３４の大きさ及び反射材料３６の厚さを制限する。図７、８、及び９は、個々のＬＥＤが、最初にウェハから分離され、その後に一時的なキャリア上でもっと大きいピッチで再配置されるという、他の一実施形態を例示している。
図７にて、図２を参照して上述したものなどの一時的なキャリアとし得るキャリア３０の上に、個々のＬＥＤが配置される。ＬＥＤは、一部の実施形態において１００μｍ以上、一部の実施形態において８００μｍ以下、一部の実施形態において４００μｍ以上、そして一部の実施形態において６００μｍ以下の間隔を空けられ得る。各ＬＥＤ上の成長基板１０は、図２−６に記載した実施形態にて例示した角度のある側壁というより、実質的に垂直な側壁を有し得るが、垂直な側壁は必ずしも必要ではなく、側壁の形状は、ＬＥＤを分離するのに使用される技術に依存し得る。
図８にて、図４を参照して上述したように、各ＬＥＤの成長基板１０に波長変換素子３４が取り付けられる。
図９にて、図５を参照して上述したように、ＬＥＤ間の隙間に反射材料３６が配設される。個々のデバイスが、図６を参照して上述したように、反射材料を切断することによって分離され、その後、図６を参照して上述したように、一時的なキャリアから取り外され得る。
図１０及び１１は、個々のＬＥＤが最初に成長ウェハから分離されてその後に一時的なキャリア上に配置される他の一実施形態を例示している。図１０にて、図２を参照して上述したものなどの一時的なキャリアとし得るキャリア３０の上に、（図７に示したように）個々のＬＥＤが配置される。ＬＥＤ間の領域に、図５を参照して上述したように、反射材料３６が配設される。
図１１にて、ＬＥＤ及び反射材料３６を覆って波長変換層４９が形成される。波長変換層４０は、例えば、例えばシリコーンなどの透明材料内に蛍光体が配されたものとし得る。波長変換層４０は、例えばラミネーション、成形、ディスペンス、スプレーコーティング、又はスピンコーティングを含む何らかの好適技術によって形成され得る。次いで、図６を参照して上述したように、例えば隣接し合うＬＥＤ間の領域３８内で、この構造体を切断することによってＬＥＤが分離される。その後、図６を参照して上述したように、ＬＥＤが一時的なキャリア３０から取り外される。
図１２、１３、及び１４は、他の一実施形態を例示している。図１２にて、図２を参照して上述したものなどの一時的なキャリアとし得るキャリア３０の上に、個々の波長変換素子が配置される。波長変換素子３４は、図４を参照して上述されている。
図１３にて、波長変換素子３４にＬＥＤが取り付けられる。ＬＥＤは、図４を参照して上述した方法及び材料を用いて取り付けられ得る。
図１４にて、図５を参照して上述したように、ＬＥＤ間の領域に反射材料３６が配設される。次いで、図６を参照して上述したように、例えば隣接し合うＬＥＤ間の領域３８内で、この構造体を切断することによってＬＥＤが分離される。その後、図６を参照して上述したように、ＬＥＤが一時的なキャリア３０から取り外される。
図１５及び１６は、他の一実施形態を例示している。図１５にて、図２を参照して上述したものなどの一時的なキャリアとし得る一時的なキャリア３０にＬＥＤが取り付けられる。一時的なキャリア３０にＬＥＤを取り付ける前又は後に、一部の実施形態においてＬＥＤの頂面が、また、一部の実施形態においてＬＥＤの頂面及び側面が、波長変換層４２で覆われる。波長変換層４２は、例えば、透明材料と混合された波長変換材料とすることができ、例えばラミネーション、成形、又は電気泳動堆積を含む何らかの好適技術によって形成され得る。
図１６にて、図５を参照して上述したように、ＬＥＤ間の領域に反射材料３６が配設される。反射材料３６は、実質的にコンフォーマル（共形）な波長変換層４２へのダメージを制限する技術によって形成され得る。好適な技術の一例は、液体シリコーンと混合された反射粒子をＬＥＤ間の領域にディスペンスし、次いで液体シリコーンを硬化させるものである。次いで、図６を参照して上述したように、例えば隣接し合うＬＥＤ間の領域３８内で、この構造体を切断することによってＬＥＤが分離される。その後、図６を参照して上述したように、ＬＥＤが一時的なキャリア３０から取り外される。
図１７、１８、１９、及び２０は、他の一実施形態を例示している。図１７にて、図２を参照して上述したものなどの一時的なキャリアとし得る一時的なキャリア３０にＬＥＤが取り付けられる。一時的なキャリア３０にＬＥＤを取り付ける前又は後に、ＬＥＤの頂面がマスク層４４で覆われる。一部の実施形態において、マスク層は、成長基板を切断することによってＬＥＤを個片化する前に、ＬＥＤのウェハの成長基板に設けられる。マスク層４４は、例えば、フォトレジスト、誘電体材料、又はその他の好適材料とし得る。マスク層４４は、例えば、スピンコーティング、ローラーコーティング、浸漬コーティング、ラミネーション、スプレーコーティング、蒸着、スパッタリング、及び例えばガラス片などの断片部品（ピースパーツ）の直接ピックアンドプレースを含む何らかの好適技術によって形成され得る。一部の実施形態において、マスク層４４は、例えば、フォトリソグラフィ、シャドーマスキング、及び／又は湿式若しくは乾式の化学エッチングによって、パターニングされる。
図１８にて、図１７に示した構造を覆って反射コーティング４６が配設される。反射コーティング４６は、例えば、ダイクロイックミラー、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、金属膜、又はその他の好適な誘電体スタックを含む如何なる好適材料ともし得る。反射コーティング４６は、例えば、物理気相堆積、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、及びスプレーコーティングを含む何らかの好適技術によって形成され得る。反射コーティング４６は、図１８に示すように構造体を実質的にコンフォーマルに被覆し得るが、これは必ずしも必要とされない。
図１９にて、ＬＥＤの頂部を覆うマスク層４４及び反射コーティング４６が、例えばリフトオフプロセスなどの何らかの好適プロセスによって除去される。マスク層４４を除去した後、ＬＥＤの側壁とＬＥＤ間の領域との上に反射コーティング４６が残る。
図２０にて、図１９に示した構造を覆って波長変換層４８が形成される。波長変換層４８は、例えば、透明材料と混合された波長変換材料とすることができ、例えばラミネーション、成形、スプレーコーティング、又はスピンコーティングを含む何らかの好適技術によって形成され得る。波長変換層４８は、図２０に示すようにＬＥＤ間の領域を充たすことができ、あるいは、波長変換層４８は、実質的にコンフォーマルな層であってもよい。次いで、図６を参照して上述したように、例えば隣接し合うＬＥＤ間の領域３８内で、この構造体を切断することによってＬＥＤが分離される。その後、図６を参照して上述したように、ＬＥＤが一時的なキャリア３０から取り外される。
一部の実施形態において、上述のデバイスのうちの何れともし得る完成したＬＥＤの上に、レンズ又はその他の光学素子が形成される。上述のデバイスのうちの何れにおいても、一部の実施形態において成長基板の側壁は傾斜され得る。
本発明を詳細に説明したが、当業者が認識するように、本開示を所与として、ここに記載の発明概念の精神を逸脱することなく、本発明に変更が為され得る。故に、本発明の範囲は、図示して説明した特定の実施形態に限定されるものではない。

Claims (3)

  1. ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光層を有する半導体構造と、
    前記半導体構造に付随する成長基板であり、当該成長基板は、少なくとも１つの側壁と第１の表面とを有し、前記側壁は、直線部と、該直線部とは異なる角度の傾斜部とを有する、成長基板と、
    前記成長基板の前記第１の表面を覆って配設された波長変換層と、
    前記側壁の前記傾斜部上に配設された反射層であり、前記半導体構造及び前記成長基板から取り出される光の大部分が前記成長基板の前記第１の表面を通して取り出されるように構成されている反射層と、
    を有するデバイス。
  2. 前記成長基板は１５０ミクロン未満の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
  3. 成長基板上に半導体構造を成長させ、複数の半導体発光デバイスのウェハを形成することと、
    前記複数の半導体発光デバイスのウェハをキャリアに取り付けることと、
    前記複数の半導体発光デバイス間の領域で前記成長基板内にスロットを形成することによって、前記キャリア上で、前記複数の半導体発光デバイスのウェハから、前記複数の半導体発光デバイス間の領域を除去することと、
    前記複数の半導体発光デバイスの各々に波長変換部材を取り付けることであり、前記波長変換部材は前記半導体発光デバイスとは別個に形成される、取り付けることと、
    前記波長変換部材を取り付けることの後に、前記複数の半導体発光デバイス間の領域内で前記スロット内に反射材料を配設することと、
    前記反射材料を切断することによって、２つの隣接し合う半導体発光デバイスを分離することと、
    前記２つの隣接し合う半導体発光デバイスを分離することの後に、前記キャリアを除去することであり、各半導体発光デバイスが、前記半導体構造の部分が上に成長された前記成長基板の部分を有するようにする、除去することと、
    を有する方法。
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