TWI534912B - 剝離裝置及剝離方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於藉從基板之表面去除抗蝕層而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層的剝離裝置及其方法。
習知，在製造半導體之過程之剝離製程中，為於基板之表面形成以金屬層等形成之電路圖形而去除配置於基板上之抗蝕層的方法有使基板浸漬於藥液之方法(例如專利文獻1)。
根據專利文獻1之方法，準備表面具有業經圖形化之抗蝕層及配置於抗蝕層上之金屬層的基板，使該基板浸漬於為藥液之丙酮。浸漬基板之丙酮藉由金屬層浸入至抗蝕層，使抗蝕層膨潤。藉以此膨潤效果將抗蝕層及金屬層從基板剝離，可於基板之表面形成業經圖形化之金屬層。
在此種藥液浸漬式之抗蝕層去除方法中，從減少藥液之使用量之觀點，通常進行將複數基板聚集在1個藥液層來進行處理之所謂批次式處理。
專利文獻1日本專利公開公報平5-136047號
然而，在藥液浸漬式之抗蝕層去除方法中，亦有下述情形，前述情形係主要利用藥液引起之抗蝕層之膨潤效果，去除抗蝕層，並且採用批次式之處理方法而非將基板逐片處理之葉片式，抗蝕層之去除速度慢，去除所期量之抗蝕層耗費時間。
另一方面，近來，基板之薄型化發展，而要求開發可於短時間處理此種薄基板之有效率之剝離裝置及其方法。
因而，本發明之目的在於解決上述問題，在於提供可進行有效率之抗蝕層之剝離之葉片式剝離裝置及剝離方法。
為達成上述目的，本發明如以下構成。
根據本發明之第1態樣，提供一種剝離裝置，該剝離裝置包含有台、混合流體形成裝置及移動裝置，該台係保持基板，並且使所保持之基板旋轉；該混合流體形成裝置係具有供業經加壓之氣體通過之氣體流路、供處理液通過之處理液流路、連通於各個流路並且噴射藉混合業經加壓之氣體及處理液而形成之包含業經液滴化之處理液之
混合流體的噴嘴；該移動裝置係使混合流體形成裝置對台相對地移動；又，該剝離裝置係表面具有業經圖形化之抗蝕層及成膜於抗蝕層上之金屬層的基板在台上以旋轉之狀態保持，藉從噴嘴對在台上呈旋轉之狀態之基板的表面噴射混合流體，可將抗蝕層及金屬層剝離，而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層。
根據本發明之第2態樣，提供記載於第1態樣之剝離裝置，該剝離裝置係對基板之表面噴射混合流體，使混合流體撞擊基板上之金屬層，藉此，對金屬層造成損傷，而剝離抗蝕層及金屬層。
根據本發明之第3態樣，提供記載於第1態樣之剝離裝置，該剝離裝置係使用有機溶劑作為處理液。
根據本發明之第4態樣，提供記載於第1態樣至第3態樣之任一態樣之剝離裝置，該剝離裝置係葉片式。
根據本發明之第5態樣，提供一種剝離方法，該剝離方法包含有下述製程：(1)將表面具有業經圖形化之抗蝕層及成膜於抗蝕層上之金屬層的基板以使其旋轉之狀態保持；(2)藉將業經加壓之氣體與處理液混合，形成包含業經液滴化之處理液之混合流體；及(3)藉對呈旋轉之狀態之基板的表面噴射混合流體，剝離抗蝕層及金屬層，而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層。
根據本發明之第6態樣，提供記載於第5態樣之剝離方法，該剝離方法係在形成金屬層之製程中，對基板之表面噴射混合流體，使混合流體撞擊基板上之金屬層，藉
此，對金屬層造成損傷，而剝離抗蝕層及金屬層。
根據本發明之第7態樣，提供記載於第5態樣之剝離方法，該剝離方法係使用有機溶劑作為處理液。
根據本發明之第8態樣，提供記載於第5態樣至第7態樣中任一態樣之剝離方法，該剝離方法係葉片式。
在葉片式之剝離裝置及剝離方法中，可有效率地進行抗蝕層之剝離。
1‧‧‧剝離裝置
2‧‧‧化學腔室
3‧‧‧淋洗腔室
4‧‧‧基板搬送裝置
5‧‧‧基板
6‧‧‧握持臂
7，8‧‧‧台
9，20‧‧‧台支撐裝置
10，21‧‧‧混合流體形成裝置
11，22‧‧‧移動裝置
12，23‧‧‧第1流路
13，24‧‧‧第2流路
14‧‧‧噴嘴
15，26‧‧‧加壓氣體供給源
16‧‧‧處理液供給源
17‧‧‧旋轉軸
18，28‧‧‧容器
19，29‧‧‧配管
27‧‧‧純水供給源
30‧‧‧旋轉軸
31‧‧‧抗蝕層
32‧‧‧金屬層
33‧‧‧裂紋
34‧‧‧電路圖形
35‧‧‧毛邊
A‧‧‧匯合地點
B‧‧‧匯合處
CL‧‧‧壓力上升
P‧‧‧撞擊壓
S1-S7‧‧‧步驟
V0，VF‧‧‧速度
X，Y，Z‧‧‧方向
本發明之該等態樣及特徵可從與關於附加之圖式之較佳實施形態相關之下面的記述明瞭。
圖1係本發明實施形態之剝離裝置之上視圖。
圖2係圖1之剝離裝置具有之化學腔室內之截面圖。
圖3係圖1之剝離裝置具有之淋洗腔室內之截面圖。
圖4係圖1之剝離裝置所作之剝離處理的流程圖。
圖5(a)~圖5(e)係關於將抗蝕層及金屬層從基板剝離之原理之說明圖。
圖6(a)~圖6(d)係關於混合流體對抗蝕層及金屬層之作用之說明圖。
以下，依據圖式，詳細地說明本發明之實施形態。
圖1係本發明實施形態之剝離裝置1之上視圖。剝離裝置1包含有化學腔室2、淋洗腔室3及基板搬送裝置4。
在化學腔室2，對基板5之表面進行形成業經圖形化之金屬層之圖形化處理。在淋洗腔室3中，對在化學腔室2業經圖形化處理之基板進行去除殘留於基板5之表面之雜質的表面洗淨處理(所謂之淋洗處理)。基板搬送裝置4係從化學腔室2將基板5搬送至淋洗腔室3之裝置。基板搬送裝置4具有以前端部握持基板5之旋轉式握持臂6。握持臂6之前端構造成可在載置基板5之化學腔室2內之台7與淋洗腔室3內之台8之間的區間移動。此外，在圖1中，僅圖示說明所需之結構，關於其他之結構，權宜地省略。
接著，就如上述構成之剝離裝置1之2個腔室、钥學腔室2及淋洗腔室3各自之內部結構作說明。
圖2係化學腔室2內部之裝置結構之截面圖。於化學腔室2設台7、台支撐裝置9、混合流體形成裝置10、移動裝置11。
台7係將以圖中未示之搬送設備將基板5搬送至化學腔室2內之基板5載置於上面而保持的台。台支撐裝置9具有支撐台7並且以於鉛直方向延伸之旋轉軸17為中心使台7旋轉的功能。混合流體形成裝置10設於台7之上方並且藉混合對載置於台7之基板5之表面加壓的氣體(在本實施形態為N2)與處理液(在本實施形態為IPA(異丙醇)等有機溶劑)而形成包含業經液滴化之處理液之混合流體來噴射。移動裝置11係使混合流體形成裝置10移動之裝置。藉以移動裝置11將混合流體形成裝置10沿著沿基板5之表面之方向(在本實施形態為X方向)移動，可調整混合流體之噴射位
置。此外，本實施形態之業經液滴化之處理液之粒徑為例如2μm-20μm。
化學腔室2內之混合流體形成裝置10具有供業經加壓之氣體通過之第1流路(氣體流路)12、供處理液通過之第2流路(處理液流路)13、連通於各流路12、13且藉混合業經加壓之氣體及處理液而形成包含業經液滴化之處理液之混合流體來噴射的噴嘴14。第1流路12連接於保有業經加壓之氣體之加壓氣體供給源15，可依需要，從加壓氣體供給源15供給業經加壓之氣體。在本實施形態中，將供給之加壓氣體之壓力設定為例如0.2MPa-0.5MPa。又，第2流路13亦同樣地連接於保有處理液之處理液供給源16，依需要，從處理液供給源16供給為處理液之有機溶劑。第1流路12之下游側端部與第2流路13之下游側端部在匯合地點A(噴嘴14之上游側端部)相交，混合流體在此匯合地點A形成。
又，在混合流體形成裝置10中，第1流路12及噴嘴14配置成於鉛直方向延伸。另一方面，第2流路13配置成於對第1流路12及噴嘴14之延伸方向垂直之水平方向延伸。根據此種結構，藉將供往鉛真方向下方之加壓氣體與在匯合地點A於水平方向供給之處理液混合，可形成包含業經液滴化之處理液之混合流體。在此，供至第1流路12之加壓氣體之鉛直方向速度設定成大幅大於供至第2流路13之處理液之水平方向速度。因而，混合有該等之混合流體亦以與供給加壓氣體之速度約略無異之快速的速度，從噴嘴14往鉛直方向下方噴射。
又，混合流體形成裝置10之噴嘴14之位置以移動裝置11設定成從噴嘴14噴射之混合流體之噴射位置為從基板5之表面之旋轉軸17偏心之位置。
於化學腔室2內設配置成覆蓋基板5及台7之容器18、將設於容器18之底部之開口作為一端且另一端連接於處理液供給源16之配管19。容器18構造成防止從混合流體形成裝置10噴射且使用完畢之混合流體往化學腔室2之外部飛散，並且將集中之混合流體送往配管19。配管19回收以容器18集中之混合流體並且以圖中未示之過濾器裝置過濾處理液以外之成份(金屬等)之後，送至處理液供給源16。藉此，可再利用處理液，亦可再利用業經過濾之金屬。
圖3係淋洗腔室3內部之裝置結構之截面圖。如圖3所示，腔室3之內部結構與前述化學腔室2之內部結構大幅共通。具體言之，於淋洗腔室3設有台8、台支撐裝置20、混合流體形成裝置21、移動裝置22。該等台8、台支撐裝置20、混合流體形成裝置21及移動裝置22分別對應於化學腔室2內之台7、台支撐裝置9、混合流體形成裝置10及移動裝置11。由於該等結構及功能與前述相同，故省略詳細之說明，而在混合流體形成裝置21中，第1流路23與化學腔室2內之第1流路12同樣地連接於具有業經加壓之氣體(例如N2)之加壓氣體供給源26，相對於此，第2流路24與腔室2內之第2流路13不同，連接於具有純水之純水供給源27。即，形成加壓氣體與純水之混合流體作為在混合流體形成裝置21之匯合處B形成之混合流體。如此，在淋洗腔室3內之混合
流體形成裝置21與化學腔室2內之混合流體形成裝置10，噴射之混合流體之組成不同，而關於內部之流路及噴嘴之形狀則共通。
再者，於淋洗腔室3內設對應於化學腔室2之容器18之容器28、對應於化學腔室2之配管19之配管29。容器28由於與化學腔室2之容器18共通，故省略其說明，關於配管29，與化學腔室2之配管19不同，不與純水供給源27連接，僅將使用完畢之混合流體排放。此係因在淋洗腔室3使用之混合流體未含有處理液等應再利用之材料之故。
關於包含有如上述構成之化學腔室2及淋洗腔室3之剝離裝置1所作之剝離處理的程序，使用圖4之流程圖來說明。
首先，使用圖中未示之搬送設備，將基板5搬入至化學腔室2內(步驟S1)。將所搬入之基板5如圖2所示載置、保持於化學腔室2內之台7上。
接著，使保持有基板5之台7旋轉(步驟S2)。具體言之，基板支撐裝置9以旋轉軸17為中心使台7旋轉。藉此，關於載置於台7上之基板5也以共通之旋轉軸17為中心而旋轉。
接著，從混合流體形成裝置10之噴嘴14對呈正旋轉之狀態之基板5噴射混合流體(步驟S3)。具體言之，藉在混合流體形成裝置10中，混合加壓氣體與處理液，形成包含業經液滴化之處理液之混合流體，該混合流體以噴嘴14作為噴射口，朝位於下方之基板5噴射。此時，包含業經液
滴化之混合流體在基板5旋轉之狀態下噴射，並且混合流體之噴射位置係從旋轉軸17偏心之位置，再者，一面以移動裝置11將混合流體形成裝置10於水平方向移動，一面進行噴射。根據此種噴射方法，可對基板5之表面全體均一地噴射包含業經液滴化之處理液的混合流體。
在此，就混合流體之噴射所作之基板5之圖形化方向，使用圖5來說明。如圖5(a)所示，基板5在搬入至化學腔室2內之時間點於其表面形成有業經圖形化之抗蝕層31及成膜於抗蝕層31上之金屬層32。當對此種基板5自上方噴射包含業經液滴化之處理液之混合流體時，混合流體中之業經液滴化之處理液撞擊為最外層之金屬層32，藉此，造成損傷。藉此，如圖5(b)所示，於金屬層32形成為微小之裂痕之裂紋(crack)33。當形成裂紋33時，藉由該裂紋33，混合流體可到達金屬層32內部之抗蝕層31。當混合流體到達抗蝕層31時，如圖5(c)所示，藉混合流體中之有機溶劑之膨潤作用，抗蝕層31膨潤。當抗蝕層31膨潤時，可降低基板5與抗蝕層31之接著性。在此種狀態下，當繼續進行對基板5之混合流體之噴射時，可將抗蝕層31從基板5以物理方式剝離。此時，位於抗蝕層31之周圍之金屬層32亦同時從基板5剝離。藉此，如圖5(d)所示，於基板5上僅保留直接附著於基板5之金屬層32。於此金屬層32保留稱為毛邊35之對電路圖形34不需要之金屬層部份，藉繼續噴射混合流體，可以物理方式去除此毛邊35。是故，如圖5(e)所示，可僅保留所期之電路圖形34。此外，在此，損傷之一例係就形成裂紋
33之情形作了說明，損傷之形態不限於裂紋33，在其以外之形態，亦可進行利用上述有機溶劑之膨潤作用之抗蝕層31的剝離。
在此，就可剝離基板5上之抗蝕層31及金屬層32之機理，使用圖6來進一步說明。如圖6(a)所示，當藉對抗蝕層31上之金屬層32從上方以速度V0噴射混合流體，混合流體中之業經液滴化之處理液撞擊金屬層32時，如圖6(b)所示，在金屬層32及抗蝕層31，產生撞擊壓P，而產生因反射波之合力引起之在上下方向的壓力上升CL。藉此，如圖6(c)所示，業經液滴化之處理液變形成於水平方向以速度VF擴展。藉此水平方向之力作用，對金屬層32及配置於其下之抗蝕層31水平方向之剝離力可發揮效力。在本實施形態之剝離裝置1中，藉組合此水平方向之剝離力與前述混合流體中之有機溶劑引起之抗蝕層31之膨潤效果，促進抗蝕層31及金屬層32之剝離。因而，在本實施形態之剝離裝置1中，相較於主要利用藥液之抗蝕層膨潤效果來剝離抗蝕層之藥液浸漬式的抗蝕層去除方法，可減少使用之處理液之之量，並且可實現同等或更多之抗蝕層31之剝離力。
又，上述步驟S3之混合流體之噴射在使基板5旋轉之狀態下進行。因而，以混合流體去除之金屬層32不致停留於基板5之表面，可藉因基板5之旋轉引起之離心力與使用完畢之混合流體一同飛散至基板5之周圍。即，可抑制去除之金屬層32再附著於基板5之表面。又，飛散至基板5之周圍之使用完畢的混合流體以容器18集中而回收至配管
19，而如述，混合流體所含之處理液可再利用，金屬層32亦可再利用於其他用途。如此，藉再利用使用完畢之混合流體所含之各種成份，可減低剝離裝置1之運轉成本。
當步驟S3之混合流體之噴射完畢後，停止混合流體之噴射，同時，停止基板5之旋轉。
以上藉實施步驟S1-S3，於基板5之表面形成業經圖形化之金屬層的圖形化處理完畢。
當圖形化處理完畢後，接著，將基板5搬入至淋洗腔室3內(步驟S4)。具體言之，基板搬送裝置4以握持臂6之前端握持載置於化學腔室2內之台7之基板5。之後，藉在握持基板5之狀態下旋轉握持臂6，基板5移動至淋洗腔室3內之台5之上方。之後，如圖3所示，將基板5載置於台8上，而解除握持臂6所作之握持。
接著，使保持有基板5之台8旋轉(步驟S5)。基板支撐裝置20藉以旋轉軸30為中心而使台8旋轉，載置於台8上之基板5也以共通之旋轉軸30為中心而旋轉。
然後，對呈旋轉之狀態之基板5從混合流體形成裝置21之噴嘴25噴射混合流體(步驟S6)。從淋洗腔室3之混合流體形成裝置21如前述噴射加壓氣體與純水之混合流體。當將此種混合流體噴射至呈旋轉之狀態之基板5的表面時，殘留於基板5之表面之粒子等雜質以純水之淨化作用予以洗淨，並且，從基板5之表面去除至其周圍。
當混合流體之噴射完畢後，接著，使基板5之表面乾燥(步驟S7)。具體言之，使用與混合流體噴射裝置21
不同之氣體噴射裝置(圖中未示)，對呈旋轉之狀態之基板5之表面噴射業經淨化之氣體(例如N2)。藉噴射此種氣體，可使殘留於基板5之表面之液體飛散至基板5之周圍，而可使基板5之表面乾燥。飛散至基板5之周圍之液體以容器28集中，回收至配管29來排放。
藉以上實施步驟S5-S7，表面形成有業經圖形化之金屬層之基板5之表面的淋洗處理完畢。
如上述，藉實施步驟S1-S7，進行基板5之表面之圖形化處理及淋洗處理，剝離裝置1之剝離處理完畢。
以上根據本實施形態之剝離裝置1，表面具有業經圖形化之抗蝕層31及成膜於抗蝕層31上之金屬層32之基板5在台7上以旋轉之狀態保持，並且對該基板5之表面從噴嘴14噴射藉混合業經加壓之氣體及處理液而形成之包含業經液滴化之處理液的混合流體，將抗蝕層31及金屬層32剝離，而於基板5之表面形成有業經圖形化之金屬層32(電路圖形34)。藉此，由於利用因包含混合流體中之業經液滴化之處理液引起之水平方向之剝離力的物理剝離力，可剝離抗蝕層31，故可實現可於短時間進行抗蝕層31之去除之有效率的葉片式剝離裝置1。又，相較於藥液浸漬式之抗蝕層去除方法，可減少使用之處理液之使用量。
又，由於藉使用有機溶劑作為處理液，可在抗蝕層31之剝離時，一併利用有機溶劑之膨潤效果，故可進行更有效率之抗蝕層31之去除。
又，從混合流體形成裝置10之噴嘴14噴射之混合
流體利用往鉛直方向下方以高速供給之加壓氣體的推進力，以高速撞擊基板5之表面。藉此，可有效地去除於抗蝕層31之剝離時產生之為不必要之金屬層32的毛邊35。
又，由於藉在使基板5旋轉之狀態下進行混合流體之噴射，可使以混合流體去除之金屬層32與使用完畢之混合流體一同飛散至基板5之周圍，故可抑制再附著於基板5之表面。
再者，在化學腔室2中將使用完畢之混合流體以配管19回收，過濾金屬等雜質後，送往處理液供給源16。藉此，可再利用使用完畢之混合流體所含之有機溶劑等處理液及金屬，而可減低剝離裝置1之運轉成本。
又，藉剝離裝置1之結構採用葉片式之2腔室方式，可使實施之處理製程簡單，並且可謀求裝置全體之小型化。
使用上述實施形態之剝離裝置1，對基板5進行剝離處理，結果，相較於藥液浸漬式之抗蝕層去除方法，可使抗蝕層31之去除速度提高5-10倍。
此外，在本實施形態中，就下述情形作了說明，前述情形係於基板5之表面之圖形化處理時，藉混合業經加壓之氣體及處理液，形成包含業經液滴化之處理液之混合流體來噴射，舉例言之，亦考慮下述方法，前述方法係使用柱塞方式之泵，並且，藉噴射非液滴之高壓水(加壓氣體與純水之混合物)取代前述混合流體，主要僅以水之鉛直方向之物理力，去除抗蝕層及金屬層(以下稱為高壓方式)。
然而，根據高壓方式，由於主要以水之鉛直方向之物理力，剝離抗蝕層31，故需將水之壓力保持在非常高。是故，在用以噴射水之噴射裝置內之接頭部份等發生漏液，或從噴射裝置內產生多量之粒子，進而有基板5或金屬層32因從噴射裝置噴射之水受到過度之損傷之情形。又，在高壓方式中噴射之水之壓力為一定時，由於抗蝕層之剝離力隨著時間逐漸減弱，故無法再有效地去除抗蝕層31。是故，為維持抗蝕層31之剝離力，需一面適宜變更水之壓力一面噴射。又，由於採用柱塞方式之泵構造，故泵構造之滑動部依使用而惡化，因此，有噴射之水之壓力減弱的情形。又，由於噴射而使用完畢之流體逕自排出，故無法再利用。
在高壓方式，產生如上述之問題，相對於此，由於根據本實施形態之剝離裝置1，利用包含混合流體中之業經液滴化之處理液引起之水平方向之剝離力的物理剝離力，剝離抗蝕層31，故可將噴射之流體之壓力抑制在低壓(相較於高壓方式約1/30)，並且可實現與柱塞方式約略同等之剝離力，進而即使以一定壓力進行噴射，亦不致使抗蝕層31之剝離力降低而可維持。由於如此可以低壓實施圖形化處理，故可抑制對基板5或金屬層32之損傷，而亦可對應於較薄之基板5(例如厚度係150-200μm)。再者，可抑制噴射裝置內之接頭部份之漏液的發生，亦可抑制粒子之產生。又，由於使用上述結構之混合流體形成裝置10而非柱塞方式之泵構造，故無因滑動部之惡化引起之噴射流體之
壓力降低的問題。是故，可使抗蝕層31之剝離效果穩定，而可使剝離裝置1之可靠度提高。又，在剝離裝置1中，由於採用使用配管19之循環回收方式，故可再利用使用完畢之混合流體。
此外，本發明非限於上述實施形態，亦可以其他各種態樣實施。舉例言之，在本實施形態中，就對基板5噴射混合流體前不對基板5進行特別之處理的情形作了說明，但不限於此種情形，亦可於噴射混合流體前，在化學腔室2內使基板5浸漬於有機溶劑等。如此，藉使基板5等浸漬於有機溶劑等而使其預先膨潤，在接著之混合流體之噴射製程，可使混合流體之噴射之剝離力提高。藉此，可實施更有效率之剝離處理。
又，在本實施形態中，就使用N2作為加壓氣體且使用有機溶劑作為處理液之情形作了說明，但不限於此種情形。舉例言之，亦可使用惰性氣體等作為加壓氣體，使用有機溶劑以外之其他藥液或水等作為處理液。
又，在本實施形態中，不僅在圖形化處理，在淋洗處理，亦就噴射組合了加壓氣體與水之混合流體之情形作了說明，但不限於此種情形，亦可以其他之淋洗處理代替。
又，在本實施形態中，就剝離裝置1以化學腔室2及淋洗腔室3之2個腔室構成之情形作了說明，腔室之數不限於此，亦可以例如1個或3個以上之腔室構成。
又，在本實施形態中，就基板搬送裝置4之搬送
形態為圖1所示之方法之情形作了說明，但不限於此種情形，亦可採用其他各種搬送形態。
此外，藉適宜組合上述各種實施形態中之任意之實施形態，可發揮各自具有之效果。
本發明可適用於藉從基板之表面去除抗蝕層而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層的剝離裝置及其方法。
本發明係一面參照附加圖式，一面與較佳之實施形態相關而充分記載，對此技術熟悉之人而言，可明白各種變形及修正。該種變形及修正只要不脫離附加之申請專利範圍之本發明之範圍，應可理解包含在其中。
於2012年7月12日提出之日本專利申請案No.2012-156470號之說明書、圖式及申請專利範圍之揭示內容全體參照而納入本說明書中。
2‧‧‧化學腔室
5‧‧‧基板
7‧‧‧台
9‧‧‧台支撐裝置
10‧‧‧混合流體形成裝置
11‧‧‧移動裝置
12‧‧‧第1流路
13‧‧‧第2流路
14‧‧‧噴嘴
15‧‧‧加壓氣體供給源
16‧‧‧處理液供給源
17‧‧‧旋轉軸
18‧‧‧容器
19‧‧‧配管
A‧‧‧匯合地點
X，Y，Z‧‧‧方向
Claims (8)
- 一種剝離裝置，包含有：台，可保持基板，並且使所保持之基板旋轉；混合流體形成裝置，具有供業經加壓之氣體通過之氣體流路、供處理液通過之處理液流路、連通於各個流路並且噴射藉混合業經加壓之氣體及處理液而形成之包含業經液滴化之處理液之混合流體的噴嘴；及移動裝置，可使混合流體形成裝置對台相對地移動；又，表面具有業經圖形化之抗蝕層及成膜於抗蝕層上之金屬層的基板，是在台上以旋轉之狀態保持，藉由從噴嘴對在台上呈旋轉之狀態之基板的表面噴射混合流體，可將抗蝕層及金屬層剝離，而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層，前述剝離裝置為葉片式，且在與進行混合流體之噴射之腔室不同的腔室，進行將殘存在金屬層業經圖形化之基板之表面的雜質除去的表面洗淨處理。
- 如請求項1之剝離裝置，其中在混合流體噴射前，在進行混合流體噴射的腔室，使基板浸漬於有機溶劑而膨潤。
- 如請求項1之剝離裝置，其中對基板之表面噴射混合流體，使混合流體撞擊基板上之金屬層，藉此對金屬層造成損傷，而剝離抗蝕層及金屬層。
- 如請求項1之剝離裝置，其中處理液是使用有機溶劑。
- 一種剝離方法，包含有下述製程：(1)將表面具有業經圖形化之抗蝕層及成膜於抗蝕層上之金屬層的基板以使其旋轉之狀態保持；(2)藉將業經加壓之氣體與處理液混合，形成包含業經液滴化之處理液之混合流體；及(3)藉對呈旋轉之狀態之基板的表面噴射混合流體，剝離抗蝕層及金屬層，而於基板之表面形成業經圖形化之金屬層，前述剝離方法為葉片式，且在與進行混合流體之噴射之腔室不同的腔室，進行將殘存在金屬層業經圖形化之基板之表面的雜質除去的表面洗淨處理。
- 如請求項5之剝離方法，其中在混合流體噴射前，在進行混合流體噴射的腔室，使基板浸漬於有機溶劑而膨潤。
- 如請求項5之剝離方法，其中在形成金屬層之製程中，對基板之表面噴射混合流體，使混合流體撞擊基板上之金屬層，藉此對金屬層造成損傷，而剝離抗蝕層及金屬層。
- 如請求項5之剝離方法，其中處理液是使用有機溶劑。
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