JP3120425B2 - レジスト剥離方法及び装置 - Google Patents
レジスト剥離方法及び装置Info
- Publication number
- JP3120425B2 JP3120425B2 JP10143043A JP14304398A JP3120425B2 JP 3120425 B2 JP3120425 B2 JP 3120425B2 JP 10143043 A JP10143043 A JP 10143043A JP 14304398 A JP14304398 A JP 14304398A JP 3120425 B2 JP3120425 B2 JP 3120425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- chemical
- resist stripping
- turntable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S68/00—Textiles: fluid treating apparatus
- Y10S68/902—Devices for storage and reuse of soap suds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト剥離方法及
び装置に係り、特にリフトオフ法で基板上から不要にな
ったレジストを除去するレジスト剥離方法及び装置に関
する。
び装置に係り、特にリフトオフ法で基板上から不要にな
ったレジストを除去するレジスト剥離方法及び装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造工程において、配線表面や
配線間の絶縁膜表面を平坦化する方法の1つにリフトオ
フがある。このリフトオフは、配線をエッチングなどに
より形成した際、マスクとして用いたレジストを除去し
ないで、その上に配線と同じ厚さの絶縁膜を気相反応法
などで形成する方法である。かかる方法によれば、前記
絶縁膜を形成すると、レジストがない領域に絶縁膜が堆
積し、配線がない領域が絶縁膜で埋まるので、その後、
レジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離除去
し、更にその上に絶縁膜を形成する。これにより、配線
上に表面の平坦な絶縁膜を形成することができる。
配線間の絶縁膜表面を平坦化する方法の1つにリフトオ
フがある。このリフトオフは、配線をエッチングなどに
より形成した際、マスクとして用いたレジストを除去し
ないで、その上に配線と同じ厚さの絶縁膜を気相反応法
などで形成する方法である。かかる方法によれば、前記
絶縁膜を形成すると、レジストがない領域に絶縁膜が堆
積し、配線がない領域が絶縁膜で埋まるので、その後、
レジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離除去
し、更にその上に絶縁膜を形成する。これにより、配線
上に表面の平坦な絶縁膜を形成することができる。
【0003】ところで、このリフトオフでは、上記のよ
うにレジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離
除去する工程が必要となり、従来、この工程は基板をレ
ジスト剥離液中に浸漬させることにより行っていた。
うにレジストとそのレジスト上に堆積した絶縁膜を剥離
除去する工程が必要となり、従来、この工程は基板をレ
ジスト剥離液中に浸漬させることにより行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
レジスト剥離液中に浸漬して剥離除去する従来の方法で
は、レジスト剥離液の化学的作用のみでレジストを剥離
除去するため、時間がかかるという欠点があった。ま
た、剥離除去する際に、配線と絶縁膜との境でバリが生
じるという欠点もあった。
レジスト剥離液中に浸漬して剥離除去する従来の方法で
は、レジスト剥離液の化学的作用のみでレジストを剥離
除去するため、時間がかかるという欠点があった。ま
た、剥離除去する際に、配線と絶縁膜との境でバリが生
じるという欠点もあった。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、短時間で効率的にレジストの剥離を行うこと
ができるレジスト剥離方法及び装置を提供することを目
的とする。
たもので、短時間で効率的にレジストの剥離を行うこと
ができるレジスト剥離方法及び装置を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、基板上から不要になったレジストを除去する
レジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを往復
移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を3M
Pa〜50MPaの噴射圧力で噴射されて微粒化するこ
とを特徴とする。本発明は、前記目的を達成する為に、
基板上から不要となったレジストを除去するレジスト剥
離装置において、前記基板上にノズルを往復移動して高
圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト剥離液噴射手段
を備え、前記レジスト剥離液は、3MPa〜50MPa
の噴射圧力で噴射して微粒化することを特徴とする。本
発明によれば、噴射による物理的な作用とレジスト剥離
液自身による化学的な作用によって基板上のレジストが
剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用によ
る相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効率的
に剥離除去することができる。
する為に、基板上から不要になったレジストを除去する
レジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを往復
移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を3M
Pa〜50MPaの噴射圧力で噴射されて微粒化するこ
とを特徴とする。本発明は、前記目的を達成する為に、
基板上から不要となったレジストを除去するレジスト剥
離装置において、前記基板上にノズルを往復移動して高
圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト剥離液噴射手段
を備え、前記レジスト剥離液は、3MPa〜50MPa
の噴射圧力で噴射して微粒化することを特徴とする。本
発明によれば、噴射による物理的な作用とレジスト剥離
液自身による化学的な作用によって基板上のレジストが
剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用によ
る相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効率的
に剥離除去することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係るレジスト剥離方法及び装置の好ましい実施の形態に
ついて詳説する。図1は、本発明が適用されたジェット
式レジスト剥離装置の第1の実施の形態の全体構成図で
ある。
係るレジスト剥離方法及び装置の好ましい実施の形態に
ついて詳説する。図1は、本発明が適用されたジェット
式レジスト剥離装置の第1の実施の形態の全体構成図で
ある。
【0008】同図に示すように、本実施の形態のジェッ
ト式レジスト剥離装置10は、ウェーハ(基板)Wを保
持するウェーハ保持装置12と、そのウェーハ保持装置
12に保持されたウェーハWに薬液(レジスト剥離液)
を噴射する薬液噴射装置30とから構成されている。ま
ず、ウェーハ保持装置12の構成について説明する。架
台14上に設置されたシンク(洗浄槽)16の内部に
は、円盤状に形成されたターンテーブル18が配設され
ている。ターンテーブル18の上部には真空チャック2
0が設けられており、この真空チャック20上にウェー
ハWが吸着保持される。ターンテーブル18の下部には
スピンドル22が連結されており、該スピンドル22の
下端部にはターンテーブル駆動モータ24の出力軸が連
結されている。ターンテーブル18は、このターンテー
ブル駆動モータ24を駆動することにより回転する。
ト式レジスト剥離装置10は、ウェーハ(基板)Wを保
持するウェーハ保持装置12と、そのウェーハ保持装置
12に保持されたウェーハWに薬液(レジスト剥離液)
を噴射する薬液噴射装置30とから構成されている。ま
ず、ウェーハ保持装置12の構成について説明する。架
台14上に設置されたシンク(洗浄槽)16の内部に
は、円盤状に形成されたターンテーブル18が配設され
ている。ターンテーブル18の上部には真空チャック2
0が設けられており、この真空チャック20上にウェー
ハWが吸着保持される。ターンテーブル18の下部には
スピンドル22が連結されており、該スピンドル22の
下端部にはターンテーブル駆動モータ24の出力軸が連
結されている。ターンテーブル18は、このターンテー
ブル駆動モータ24を駆動することにより回転する。
【0009】次に、薬液噴射装置30の構成について説
明する。薬液噴射装置30の圧力源を構成するポンプ3
2はエアモータ34を駆動源としている。エアモータ3
4は、その入力側にパイプ36及びバルブ38を介して
エアコンプレッサ40が接続されており、このエアコン
プレッサ40から圧縮エアが供給されることによって作
動される。
明する。薬液噴射装置30の圧力源を構成するポンプ3
2はエアモータ34を駆動源としている。エアモータ3
4は、その入力側にパイプ36及びバルブ38を介して
エアコンプレッサ40が接続されており、このエアコン
プレッサ40から圧縮エアが供給されることによって作
動される。
【0010】ポンプ32の入力側には、パイプ42を介
して薬液タンク44及び洗浄液タンク46が接続されて
いる。薬液タンク44にはレジスト剥離用の薬液(レジ
スト剥離液)が貯留されており、洗浄液タンク46には
リンス用の洗浄液(純水)が貯留されている。また、パ
イプ42には、第1バルブ48と第2バルブ50が配設
されており、この第1バルブ48と第2バルブ50の開
閉を操作することにより、ポンプ32との接続が切り換
えられる。なお、この第1バルブ48と第2バルブ50
の開閉は図示しない制御装置の駆動信号に基づいて行わ
れる。
して薬液タンク44及び洗浄液タンク46が接続されて
いる。薬液タンク44にはレジスト剥離用の薬液(レジ
スト剥離液)が貯留されており、洗浄液タンク46には
リンス用の洗浄液(純水)が貯留されている。また、パ
イプ42には、第1バルブ48と第2バルブ50が配設
されており、この第1バルブ48と第2バルブ50の開
閉を操作することにより、ポンプ32との接続が切り換
えられる。なお、この第1バルブ48と第2バルブ50
の開閉は図示しない制御装置の駆動信号に基づいて行わ
れる。
【0011】ポンプ32の出力側には、吐出圧力を一定
にするためのアキュームレータ52及びパイプ54を介
して洗浄用のガン56が接続されている。ガン56の先
端部にはノズル58が設けられており、このノズル58
から高圧の薬液又は洗浄液がウェーハWに向けて噴射さ
れる。また、このガン56はモータ60の出力軸に連結
されたアーム62の先端に支持されており、モータ60
を駆動してアーム62を旋回させると、ウェーハWの上
方から退避する。
にするためのアキュームレータ52及びパイプ54を介
して洗浄用のガン56が接続されている。ガン56の先
端部にはノズル58が設けられており、このノズル58
から高圧の薬液又は洗浄液がウェーハWに向けて噴射さ
れる。また、このガン56はモータ60の出力軸に連結
されたアーム62の先端に支持されており、モータ60
を駆動してアーム62を旋回させると、ウェーハWの上
方から退避する。
【0012】以上の構成の薬液噴射装置30では、エア
モータ34によってポンプ32が駆動されると、薬液タ
ンク44内の薬液(又は洗浄液タンク46内の洗浄液)
がポンプ32内に吸引され、高圧力を加えられた状態で
ガン56側に供給される。そして、ガン56側に供給さ
れた薬液(又は洗浄液)は、ノズル58の吐出口から霧
化(微粒化)された状態で噴射される。
モータ34によってポンプ32が駆動されると、薬液タ
ンク44内の薬液(又は洗浄液タンク46内の洗浄液)
がポンプ32内に吸引され、高圧力を加えられた状態で
ガン56側に供給される。そして、ガン56側に供給さ
れた薬液(又は洗浄液)は、ノズル58の吐出口から霧
化(微粒化)された状態で噴射される。
【0013】前記のごとく構成された第1の実施の形態
のジェット式レジスト剥離装置10の作用は次の通りで
ある。図示しない搬送ロボットによってウェーハWが真
空チャック20上に載置されると、該真空チャック20
によってウェーハWが吸着保持される。次に、ターンテ
ーブル駆動モータ24が駆動され、ターンテーブル18
が回転する。これにより、ターンテーブル18上に保持
されているウェーハWが回転する。これと同時に、モー
タ60が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56がウ
ェーハWの上方に位置する。
のジェット式レジスト剥離装置10の作用は次の通りで
ある。図示しない搬送ロボットによってウェーハWが真
空チャック20上に載置されると、該真空チャック20
によってウェーハWが吸着保持される。次に、ターンテ
ーブル駆動モータ24が駆動され、ターンテーブル18
が回転する。これにより、ターンテーブル18上に保持
されているウェーハWが回転する。これと同時に、モー
タ60が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56がウ
ェーハWの上方に位置する。
【0014】次に、コンプレッサ40が駆動されてエア
モータ34に圧縮エアが供給される。これにより、エア
モータ34が駆動され、該エアモータ34によってポン
プ32が駆動される。ここで、第1バルブ48と第2バ
ルブ50は、第1バルブ8が開いており、第2バルブ5
0が閉じた状態にある。このため、ポンプ32が駆動さ
れると、薬液タンク44内の薬液がポンプ32内に吸引
される。そして、ポンプ32内に吸引された薬液は、高
圧力を加えられた状態でガン56側に供給され、ガン5
6のノズル58からウェーハWに向けて霧化された状態
で噴射される。
モータ34に圧縮エアが供給される。これにより、エア
モータ34が駆動され、該エアモータ34によってポン
プ32が駆動される。ここで、第1バルブ48と第2バ
ルブ50は、第1バルブ8が開いており、第2バルブ5
0が閉じた状態にある。このため、ポンプ32が駆動さ
れると、薬液タンク44内の薬液がポンプ32内に吸引
される。そして、ポンプ32内に吸引された薬液は、高
圧力を加えられた状態でガン56側に供給され、ガン5
6のノズル58からウェーハWに向けて霧化された状態
で噴射される。
【0015】薬液の噴射を受けたウェーハWは、その薬
液による化学的な作用によってレジストが剥離除去され
る。これに加え、高圧の薬液が噴射されることによる衝
撃でレジスト層にクラックが入り薬液の浸食作用が促進
される。また、高圧の薬液が噴射されることにより、剥
離されたクラックが順次洗い流されてゆくため、効率的
にレジストを剥離除去することができる。さらに、薬液
を高圧で霧化させて噴射することにより、狭い隙間まで
効果的に薬液が噴射され、バリ等を生じさせることな
く、良好にレジストを剥離除去することができるように
なる。
液による化学的な作用によってレジストが剥離除去され
る。これに加え、高圧の薬液が噴射されることによる衝
撃でレジスト層にクラックが入り薬液の浸食作用が促進
される。また、高圧の薬液が噴射されることにより、剥
離されたクラックが順次洗い流されてゆくため、効率的
にレジストを剥離除去することができる。さらに、薬液
を高圧で霧化させて噴射することにより、狭い隙間まで
効果的に薬液が噴射され、バリ等を生じさせることな
く、良好にレジストを剥離除去することができるように
なる。
【0016】なお、噴射された薬液は、シンク16の排
水口16aから排水パイプ26を介して廃棄される。薬
液の噴射は所定時間継続して行われ、所定時間経過後、
エアコンプレッサ40の駆動が停止される。そして、そ
の後、第1バルブ48と第2バルブ50の開閉が切り換
えられる。すなわち、第1バルブ48が閉じられ、第2
バルブ50が開けられる。
水口16aから排水パイプ26を介して廃棄される。薬
液の噴射は所定時間継続して行われ、所定時間経過後、
エアコンプレッサ40の駆動が停止される。そして、そ
の後、第1バルブ48と第2バルブ50の開閉が切り換
えられる。すなわち、第1バルブ48が閉じられ、第2
バルブ50が開けられる。
【0017】第1バルブ48と第2バルブ50の開閉が
切り換えられると、再びエアモータ34が駆動され、該
エアモータ34によってポンプ32が駆動される。ポン
プ32が駆動されると、洗浄液タンク46内の洗浄液が
ポンプ32内に吸引され、高圧力を加えられた状態でガ
ン56側に供給される。そして、ガン56のノズル58
からウェーハWに向けて霧化された状態で噴射される。
切り換えられると、再びエアモータ34が駆動され、該
エアモータ34によってポンプ32が駆動される。ポン
プ32が駆動されると、洗浄液タンク46内の洗浄液が
ポンプ32内に吸引され、高圧力を加えられた状態でガ
ン56側に供給される。そして、ガン56のノズル58
からウェーハWに向けて霧化された状態で噴射される。
【0018】薬液の噴射を受けたウェーハWは、その洗
浄液によって表面に付着した薬液等が洗い流され洗浄さ
れる。この洗浄液の噴射も所定時間継続して行われ、所
定時間経過後、エアコンプレッサ40の駆動が停止され
る。そして、そのエアコンプレッサ40の駆動停止後、
モータ60が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56
がウェーハWの上方から退避する。
浄液によって表面に付着した薬液等が洗い流され洗浄さ
れる。この洗浄液の噴射も所定時間継続して行われ、所
定時間経過後、エアコンプレッサ40の駆動が停止され
る。そして、そのエアコンプレッサ40の駆動停止後、
モータ60が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56
がウェーハWの上方から退避する。
【0019】一方、この洗浄液の噴射停止後もターンテ
ーブル18の回転は継続して行われ、このターンテーブ
ル18の回転による遠心力でウェーハW上に残留した洗
浄液が振り切られる。そして、これによりウェーハWが
乾燥する。このウェーハWの乾燥は所定時間継続して行
われ、所定時間経過後、ターンテーブル駆動モータ24
の駆動が停止される。そして、ターンテーブル18の回
転が完全に停止したところで、真空チャック20による
チャックが解除され、図示しない搬送ロボットによって
真空チャック20上のウェーハWが次工程に搬送されて
ゆく。
ーブル18の回転は継続して行われ、このターンテーブ
ル18の回転による遠心力でウェーハW上に残留した洗
浄液が振り切られる。そして、これによりウェーハWが
乾燥する。このウェーハWの乾燥は所定時間継続して行
われ、所定時間経過後、ターンテーブル駆動モータ24
の駆動が停止される。そして、ターンテーブル18の回
転が完全に停止したところで、真空チャック20による
チャックが解除され、図示しない搬送ロボットによって
真空チャック20上のウェーハWが次工程に搬送されて
ゆく。
【0020】このように、本実施の形態のジェット式レ
ジスト剥離装置10によれば、高圧な薬液が噴射される
ことによる物理的な作用と薬液の持つ化学的な作用によ
る相乗効果によってウェーハW上のレジストを短時間で
かつ効率的に除去することができる。また、これによ
り、配線と絶縁膜との境でバリが生じるのを効果的に抑
制することができる。
ジスト剥離装置10によれば、高圧な薬液が噴射される
ことによる物理的な作用と薬液の持つ化学的な作用によ
る相乗効果によってウェーハW上のレジストを短時間で
かつ効率的に除去することができる。また、これによ
り、配線と絶縁膜との境でバリが生じるのを効果的に抑
制することができる。
【0021】なお、本実施の形態では、ノズル58から
噴射する薬液又は洗浄液の噴射圧力については特に言及
していないが、3MPa未満では薬液による物理的な作
用を十分に得ることができず、また、素子へのダメージ
を考慮すると50MPa以下が好ましい。したがって、
噴射する圧力は3MPa〜50MPaの範囲内で設定す
るのが好ましい。
噴射する薬液又は洗浄液の噴射圧力については特に言及
していないが、3MPa未満では薬液による物理的な作
用を十分に得ることができず、また、素子へのダメージ
を考慮すると50MPa以下が好ましい。したがって、
噴射する圧力は3MPa〜50MPaの範囲内で設定す
るのが好ましい。
【0022】また、本実施の形態では、ガン56を一定
位置に固定した状態で薬液又は洗浄液を噴射している
が、ガン56を水平に移動させながら薬液又は洗浄液を
噴射してもよい。すなわち、薬液又は洗浄液の噴射中に
モータ60を駆動して、アーム62を所定の角度範囲で
揺動させ、ガン56を往復移動させながら薬液又は洗浄
液を噴射するようにしてもよい。また、移動機構はこれ
に限らず、水平にスライドさせる構成としてもよい。
位置に固定した状態で薬液又は洗浄液を噴射している
が、ガン56を水平に移動させながら薬液又は洗浄液を
噴射してもよい。すなわち、薬液又は洗浄液の噴射中に
モータ60を駆動して、アーム62を所定の角度範囲で
揺動させ、ガン56を往復移動させながら薬液又は洗浄
液を噴射するようにしてもよい。また、移動機構はこれ
に限らず、水平にスライドさせる構成としてもよい。
【0023】さらに、本実施の形態では、薬液又は洗浄
液を噴射するノズルは、1つのみの構成としているが、
複数のノズルを配設し、複数箇所から薬液又は洗浄液を
噴射するようにしてもよい。なお、この場合、複数のノ
ズルは、同一直線上に直列させて配置してもよいし、同
心円上に等間隔に配置してもよい。また、本実施の形態
では、ポンプ32の駆動源にエアモータ34を用いてい
るが、これに限らず、油圧モータ、電動プランジャ等を
用いて駆動してもよい。さらに、洗浄液としては、純水
に限らず、薬品が混合されたものでもよい。
液を噴射するノズルは、1つのみの構成としているが、
複数のノズルを配設し、複数箇所から薬液又は洗浄液を
噴射するようにしてもよい。なお、この場合、複数のノ
ズルは、同一直線上に直列させて配置してもよいし、同
心円上に等間隔に配置してもよい。また、本実施の形態
では、ポンプ32の駆動源にエアモータ34を用いてい
るが、これに限らず、油圧モータ、電動プランジャ等を
用いて駆動してもよい。さらに、洗浄液としては、純水
に限らず、薬品が混合されたものでもよい。
【0024】図2は、本発明に係るレジスト剥離装置の
第2の実施の形態の全体構成図である。同図に示すよう
に、第2の実施の形態のレジスト剥離装置100は、ジ
ェット式レジスト剥離装置102、搬送ロボット10
4、ウェーハ回収装置106、カセット搬送装置108
及び浸漬式レジスト剥離装置110を主要構成装置とし
て構成されている。
第2の実施の形態の全体構成図である。同図に示すよう
に、第2の実施の形態のレジスト剥離装置100は、ジ
ェット式レジスト剥離装置102、搬送ロボット10
4、ウェーハ回収装置106、カセット搬送装置108
及び浸漬式レジスト剥離装置110を主要構成装置とし
て構成されている。
【0025】前記ジェット式レジスト剥離装置102
は、ターンテーブル18が昇降自在に構成されている点
が、上記第1の実施の形態のレジスト剥離装置10と相
違している。すなわち、ターンテーブル18を駆動する
ターンテーブル駆動モータ24が昇降装置112の昇降
テーブル112a上に設置されており、この昇降装置1
12を駆動することにより、ターンテーブル18が昇降
する。
は、ターンテーブル18が昇降自在に構成されている点
が、上記第1の実施の形態のレジスト剥離装置10と相
違している。すなわち、ターンテーブル18を駆動する
ターンテーブル駆動モータ24が昇降装置112の昇降
テーブル112a上に設置されており、この昇降装置1
12を駆動することにより、ターンテーブル18が昇降
する。
【0026】なお、他の構成は上述した第1の実施の形
態のレジスト剥離装置10と同じなので、同一部材には
同一符号を付して、その説明を省略する。前記搬送ロボ
ット104は、所定の受渡位置まで上昇したターンテー
ブル18の真空チャック20上からウェーハWを受け取
り、次述するウェーハ回収装置106の回収カセット1
14内に収納する。この搬送ロボット104は、多関節
形のロボットであり、旋回自在な第1アーム104Aの
先端に、旋回自在な第2アーム104Bが設けられてお
り、更にその第2アーム104Bの先端に、旋回自在な
ハンド部104Cが設けられて構成されている。そし
て、ウェーハWは、そのハンド部104Cの先端に設け
られた吸着パッド104Dで吸着保持されて水平に搬送
される。
態のレジスト剥離装置10と同じなので、同一部材には
同一符号を付して、その説明を省略する。前記搬送ロボ
ット104は、所定の受渡位置まで上昇したターンテー
ブル18の真空チャック20上からウェーハWを受け取
り、次述するウェーハ回収装置106の回収カセット1
14内に収納する。この搬送ロボット104は、多関節
形のロボットであり、旋回自在な第1アーム104Aの
先端に、旋回自在な第2アーム104Bが設けられてお
り、更にその第2アーム104Bの先端に、旋回自在な
ハンド部104Cが設けられて構成されている。そし
て、ウェーハWは、そのハンド部104Cの先端に設け
られた吸着パッド104Dで吸着保持されて水平に搬送
される。
【0027】前記ウェーハ回収装置106は、架台11
6上にカセット昇降装置118が設置されて構成されて
いる。このカセット昇降装置118の昇降テーブル11
8A上には回収カセット114が位置決めして載置さ
れ、この回収カセット114内にウェーハWが一枚ずつ
分離された状態で収納される。なお、カセット昇降装置
118は、回収カセット114にウェーハが一枚収納さ
れるごとに回収カセット114を一段階上昇させる。こ
れにより、前記搬送ロボット104で水平に搬送される
ウェーハWがカセット114内に一枚ずつ順に収納され
てゆく。
6上にカセット昇降装置118が設置されて構成されて
いる。このカセット昇降装置118の昇降テーブル11
8A上には回収カセット114が位置決めして載置さ
れ、この回収カセット114内にウェーハWが一枚ずつ
分離された状態で収納される。なお、カセット昇降装置
118は、回収カセット114にウェーハが一枚収納さ
れるごとに回収カセット114を一段階上昇させる。こ
れにより、前記搬送ロボット104で水平に搬送される
ウェーハWがカセット114内に一枚ずつ順に収納され
てゆく。
【0028】前記カセット搬送装置108はベルトコン
ベアで構成されており、前記ウェーハ回収装置106の
昇降テーブル118A上から次述する浸漬式レジスト剥
離装置110の昇降テーブル126A上に搬送する。前
記浸漬式レジスト剥離装置110は、浸漬によりウェー
ハW上のレジストを剥離する。この浸漬式レジスト剥離
装置110は、架台120上に剥離槽122が設置され
て構成されており、該剥離槽122内には薬液(レジス
ト剥離液)124が貯留されている。この剥離槽122
内には前記回収カセット114が載置される昇降テーブ
ル126Aが配設されており、該昇降テーブル126A
は昇降装置126に駆動されて剥離槽122内を昇降す
る。
ベアで構成されており、前記ウェーハ回収装置106の
昇降テーブル118A上から次述する浸漬式レジスト剥
離装置110の昇降テーブル126A上に搬送する。前
記浸漬式レジスト剥離装置110は、浸漬によりウェー
ハW上のレジストを剥離する。この浸漬式レジスト剥離
装置110は、架台120上に剥離槽122が設置され
て構成されており、該剥離槽122内には薬液(レジス
ト剥離液)124が貯留されている。この剥離槽122
内には前記回収カセット114が載置される昇降テーブ
ル126Aが配設されており、該昇降テーブル126A
は昇降装置126に駆動されて剥離槽122内を昇降す
る。
【0029】前記のごとく構成された第2の実施の形態
のレジスト剥離装置100の作用は次の通りである。ま
ず、ジェット式レジスト剥離装置102の真空チャック
20上に図示しない搬送ロボットによってウェーハWが
載置され、その真空チャック20によって吸着保持され
る。
のレジスト剥離装置100の作用は次の通りである。ま
ず、ジェット式レジスト剥離装置102の真空チャック
20上に図示しない搬送ロボットによってウェーハWが
載置され、その真空チャック20によって吸着保持され
る。
【0030】次に、ターンテーブル駆動モータ24が駆
動され、ターンテーブル18が回転する。これにより、
ターンテーブル18上に保持されているウェーハWが回
転する。これと同時に、モータ60が駆動されてアーム
62が旋回し、ガン56がウェーハWの上方に位置す
る。次に、ポンプ32が駆動され(図1参照)、ガン5
6のノズル58からウェーハWに向けて高圧の薬液が霧
化された状態で噴射される。薬液の噴射を受けたウェー
ハWは、その薬液による化学的な作用によってレジスト
が剥離除去されるとともに、高圧の薬液が噴射されるこ
とによる衝撃でレジスト層にクラックが入り、その浸食
作用が促進される。この薬液の噴射は所定時間継続して
行われ、所定時間経過後、ポンプ32の駆動が停止す
る。
動され、ターンテーブル18が回転する。これにより、
ターンテーブル18上に保持されているウェーハWが回
転する。これと同時に、モータ60が駆動されてアーム
62が旋回し、ガン56がウェーハWの上方に位置す
る。次に、ポンプ32が駆動され(図1参照)、ガン5
6のノズル58からウェーハWに向けて高圧の薬液が霧
化された状態で噴射される。薬液の噴射を受けたウェー
ハWは、その薬液による化学的な作用によってレジスト
が剥離除去されるとともに、高圧の薬液が噴射されるこ
とによる衝撃でレジスト層にクラックが入り、その浸食
作用が促進される。この薬液の噴射は所定時間継続して
行われ、所定時間経過後、ポンプ32の駆動が停止す
る。
【0031】ポンプ32の駆動が停止すると、モータ6
0が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56がウェー
ハWの上方から退避する。これと同時に、ターンテーブ
ル駆動モータ24の駆動が停止され、ターンテーブル1
8の回転が停止する。ターンテーブル18の回転が停止
すると、昇降装置が駆動されてターンテーブル18が所
定の受渡位置まで上昇する。そして、その上昇後、真空
チャック20によるウェーハWの吸着が解除される。こ
の後、ウェーハWは、搬送ロボット104によって真空
チャック20上から受け取られ、そのまま、ウェーハ回
収装置106の回収カセット114内に収納される。
0が駆動されてアーム62が旋回し、ガン56がウェー
ハWの上方から退避する。これと同時に、ターンテーブ
ル駆動モータ24の駆動が停止され、ターンテーブル1
8の回転が停止する。ターンテーブル18の回転が停止
すると、昇降装置が駆動されてターンテーブル18が所
定の受渡位置まで上昇する。そして、その上昇後、真空
チャック20によるウェーハWの吸着が解除される。こ
の後、ウェーハWは、搬送ロボット104によって真空
チャック20上から受け取られ、そのまま、ウェーハ回
収装置106の回収カセット114内に収納される。
【0032】以上の一連の工程で一枚目のウェーハWの
ジェット式レジスト剥離が終了する。以下同様の手順で
2枚目、3枚目のウェーハWのジェット式レジスト剥離
を行ってゆく。そして、回収カセット114の空き領域
に全てのウェーハWが収納されると、ジェット式レジス
ト剥離は終了する。次に、カセット搬送装置108が駆
動されて昇降テーブル118A上に載置されている回収
カセット114が浸漬式レジスト剥離装置110の昇降
テーブル126A上に搬送される。なお、この際、昇降
テーブル126Aは所定の受取位置まで上昇して待機し
ている。
ジェット式レジスト剥離が終了する。以下同様の手順で
2枚目、3枚目のウェーハWのジェット式レジスト剥離
を行ってゆく。そして、回収カセット114の空き領域
に全てのウェーハWが収納されると、ジェット式レジス
ト剥離は終了する。次に、カセット搬送装置108が駆
動されて昇降テーブル118A上に載置されている回収
カセット114が浸漬式レジスト剥離装置110の昇降
テーブル126A上に搬送される。なお、この際、昇降
テーブル126Aは所定の受取位置まで上昇して待機し
ている。
【0033】回収カセット114が移載された昇降テー
ブル126Aは、昇降装置126に駆動されて加工し、
これにより、回収カセット114が浸漬槽122内に貯
留された薬液124中に浸漬される。薬液124中に浸
漬された回収カセット114中の各ウェーハW、W、…
は、薬液124の化学的作用によってレジストが剥離除
去される。
ブル126Aは、昇降装置126に駆動されて加工し、
これにより、回収カセット114が浸漬槽122内に貯
留された薬液124中に浸漬される。薬液124中に浸
漬された回収カセット114中の各ウェーハW、W、…
は、薬液124の化学的作用によってレジストが剥離除
去される。
【0034】ここで、この薬液124中へのウェーハW
の浸漬は所定時間をもって行われるが、各ウェーハWは
前もってジェット式のレジスト剥離が行われているの
で、この浸漬は短時間で済ませることができる。また、
前もって行われたジェット式のレジスト剥離でレジスト
層にクラックが付けられているため、薬液による浸食作
用が促進され、容易にレジストが剥離される。
の浸漬は所定時間をもって行われるが、各ウェーハWは
前もってジェット式のレジスト剥離が行われているの
で、この浸漬は短時間で済ませることができる。また、
前もって行われたジェット式のレジスト剥離でレジスト
層にクラックが付けられているため、薬液による浸食作
用が促進され、容易にレジストが剥離される。
【0035】回収カセット114が薬液124中に浸漬
されてから所定時間が経過すると、昇降装置126が駆
動されて昇降テーブル126Aが上昇する。これによ
り、薬液124中から回収カセット114が引き上げら
れる。そして、引き上げられた回収カセット114は、
図示しない搬送手段によって次工程に搬送される。この
ように、本実施の形態のレジスト剥離装置100によれ
ば、ジェット式のレジスト剥離と浸漬式のレジスト剥離
を併用することにより、より確実にレジスト剥離を行う
ことができる。すなわち、前もってジェット式のレジス
ト剥離を行っておくことにより、レジスト層にクラック
が付けられ、浸漬式のレジスト剥離を行った際に薬液の
浸食作用が促進され、短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
されてから所定時間が経過すると、昇降装置126が駆
動されて昇降テーブル126Aが上昇する。これによ
り、薬液124中から回収カセット114が引き上げら
れる。そして、引き上げられた回収カセット114は、
図示しない搬送手段によって次工程に搬送される。この
ように、本実施の形態のレジスト剥離装置100によれ
ば、ジェット式のレジスト剥離と浸漬式のレジスト剥離
を併用することにより、より確実にレジスト剥離を行う
ことができる。すなわち、前もってジェット式のレジス
ト剥離を行っておくことにより、レジスト層にクラック
が付けられ、浸漬式のレジスト剥離を行った際に薬液の
浸食作用が促進され、短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
【0036】なお、本実施の形態では、ジェット式のレ
ジスト剥離を薬液を噴射することにより行っているが純
水等の液体を噴射することによって行ってもよい。この
場合、薬液のように化学的作用によるレジスト剥離はで
きないが、高圧の液体を噴射することによりレジスト層
にクラックを付けることができるため、次に行う浸漬式
のレジスト剥離の際に短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
ジスト剥離を薬液を噴射することにより行っているが純
水等の液体を噴射することによって行ってもよい。この
場合、薬液のように化学的作用によるレジスト剥離はで
きないが、高圧の液体を噴射することによりレジスト層
にクラックを付けることができるため、次に行う浸漬式
のレジスト剥離の際に短時間でかつ効率的にレジストを
剥離除去することができるようになる。
【0037】また、本実施の形態では、ジェット式のレ
ジスト剥離を行ったのち、浸漬式のレジスト剥離を行う
ようにしているが、この順番を逆にしてレジスト剥離を
行うようにしてもよい。すなわち、初めにウェーハWを
所定時間薬液中に浸漬させたのち、ウェーハWに高圧の
薬液を所定時間噴射してレジストを剥離させるようにし
てもよい。この場合、浸漬式のレジスト剥離では除去し
きれなかった細かい箇所をジェット式のレジスト剥離で
良好に除去することができるようになる。なお、この場
合、第1の実施の形態で説明したように、薬液を噴射し
たのち、高圧の洗浄液を所定時間噴射し、次いでスピン
乾燥を実施すれば、レジストの剥離と同時にウェーハの
洗浄と乾燥を行うことができるようになり、ウェーハの
処理効率が向上する。
ジスト剥離を行ったのち、浸漬式のレジスト剥離を行う
ようにしているが、この順番を逆にしてレジスト剥離を
行うようにしてもよい。すなわち、初めにウェーハWを
所定時間薬液中に浸漬させたのち、ウェーハWに高圧の
薬液を所定時間噴射してレジストを剥離させるようにし
てもよい。この場合、浸漬式のレジスト剥離では除去し
きれなかった細かい箇所をジェット式のレジスト剥離で
良好に除去することができるようになる。なお、この場
合、第1の実施の形態で説明したように、薬液を噴射し
たのち、高圧の洗浄液を所定時間噴射し、次いでスピン
乾燥を実施すれば、レジストの剥離と同時にウェーハの
洗浄と乾燥を行うことができるようになり、ウェーハの
処理効率が向上する。
【0038】また、次のようなフローで剥離を実施する
ことにより、より良好にレジストを剥離除去することが
できる。すなわち、まず、レジスト層にクラックを付け
るために高圧(約15MPa)の液体(薬液に限定され
ない)をウェーハWに所定時間噴射する。次いで、その
ウェーハWを薬液中に所定時間浸漬させる。そして、再
びウェーハWに高圧(約5MPa)の薬液を所定時間噴
射する。これにより、より良好にレジストを除去するこ
とができる。なお、この場合も前記同様、薬液によるジ
ェット剥離を実施したのち、高圧の洗浄液を所定時間噴
射し、次いでスピン乾燥を実施すれば、レジストの剥離
と同時にウェーハの洗浄と乾燥を行うことができるよう
になり、ウェーハの処理効率が向上する。
ことにより、より良好にレジストを剥離除去することが
できる。すなわち、まず、レジスト層にクラックを付け
るために高圧(約15MPa)の液体(薬液に限定され
ない)をウェーハWに所定時間噴射する。次いで、その
ウェーハWを薬液中に所定時間浸漬させる。そして、再
びウェーハWに高圧(約5MPa)の薬液を所定時間噴
射する。これにより、より良好にレジストを除去するこ
とができる。なお、この場合も前記同様、薬液によるジ
ェット剥離を実施したのち、高圧の洗浄液を所定時間噴
射し、次いでスピン乾燥を実施すれば、レジストの剥離
と同時にウェーハの洗浄と乾燥を行うことができるよう
になり、ウェーハの処理効率が向上する。
【0039】なお、本実施の形態でも前記第1の実施の
形態と同様な理由から、ノズル58からの噴射圧力を3
MPa〜50MPaの範囲内に設定するのが好ましい。
形態と同様な理由から、ノズル58からの噴射圧力を3
MPa〜50MPaの範囲内に設定するのが好ましい。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジスト
剥離方法及び装置によれば、3MPa〜50MPaの噴
射による物理的な作用と、微粒化された状態のレジスト
剥離液自身による化学的な作用によって基板上のレジス
トが剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用
による相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効
率的に剥離除去することができる。
剥離方法及び装置によれば、3MPa〜50MPaの噴
射による物理的な作用と、微粒化された状態のレジスト
剥離液自身による化学的な作用によって基板上のレジス
トが剥離除去される。この化学的な作用と物理的な作用
による相乗効果によって基板上のレジストを短時間で効
率的に剥離除去することができる。
【図1】本発明が適用されたジェット式レジスト剥離装
置の第1の実施の形態の全体構成図
置の第1の実施の形態の全体構成図
【図2】本発明に係るレジスト剥離装置の第2の実施の
形態の全体構成図
形態の全体構成図
10…ジェット式レジスト剥離装置 18…ターンテーブル 32…ポンプ 44…薬液タンク 46…洗浄液タンク 56…ガン 58…ノズル 100…レジスト剥離装置 102…ジェット式レジスト剥離装置 104…搬送ロボット 106…ウェーハ回収装置 108…カセット搬送装置 110…浸漬式レジスト剥離装置 124…薬液 W…ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−41217(JP,A) 特開 平5−173336(JP,A) 特開 平10−154463(JP,A) 特開 平3−274722(JP,A) 実開 平5−6830(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027,21/306 G03F 7/42
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上から不要になったレジストを除去
するレジスト剥離方法において、前記基板上にノズルを
往復移動して、前記ノズルから高圧のレジスト剥離液を
3MPa〜50MPaの噴射圧力で噴射されて微粒化す
ることを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項2】 基板上から不要となったレジストを除去
するレジスト剥離装置において、前記基板上にノズルを
往復移動して高圧のレジスト剥離液を噴射するレジスト
剥離液噴射手段を備え、前記レジスト剥離液は、3MP
a〜50MPaの噴射圧力で噴射して微粒化することを
特徴とするレジスト剥離装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10143043A JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
US09/315,853 US6553792B1 (en) | 1998-05-25 | 1999-05-21 | Resist stripping method and apparatus |
US10/378,818 US6913027B2 (en) | 1998-05-25 | 2003-03-05 | Resist stripping method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10143043A JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11340188A JPH11340188A (ja) | 1999-12-10 |
JP3120425B2 true JP3120425B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15329586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10143043A Expired - Fee Related JP3120425B2 (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | レジスト剥離方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6553792B1 (ja) |
JP (1) | JP3120425B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3120425B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-12-25 | 旭サナック株式会社 | レジスト剥離方法及び装置 |
JP2002273926A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Shibuya Machinery Co Ltd | グレーズ基板の製造方法 |
JP4358486B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2009-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4377285B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2009-12-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4986566B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4986565B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007242892A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Asahi Sunac Corp | ノズル装置、及び該ノズル装置を備えた洗浄装置 |
JP5154102B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2013-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5037241B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-09-26 | スパンション エルエルシー | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
KR101121194B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2012-03-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP5373656B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-12-18 | 株式会社テラミクロス | 導体層の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2016039186A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN104317174B (zh) * | 2014-10-30 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜层去除装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
US4746397A (en) * | 1986-01-17 | 1988-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Treatment method for plate-shaped substrate |
US4716093A (en) * | 1986-03-17 | 1987-12-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solvent developable photoresist composition and process of use |
JPS6441217A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Method and device for manufacturing semiconductor integrated circuit |
JPH01152457A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | レジスト除去方法 |
JPH06103687B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1994-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置 |
US5294261A (en) | 1992-11-02 | 1994-03-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol |
US5442828A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-22 | Ontrak Systems, Inc. | Double-sided wafer scrubber with a wet submersing silicon wafer indexer |
US5429912A (en) * | 1993-08-02 | 1995-07-04 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Method of dispensing fluid onto a wafer |
US5378312A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls |
US5723019A (en) * | 1994-07-15 | 1998-03-03 | Ontrak Systems, Incorporated | Drip chemical delivery method and apparatus |
US5792275A (en) * | 1995-06-06 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Film removal by chemical transformation and aerosol clean |
TW359854B (en) * | 1996-06-21 | 1999-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
JP3600384B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2004-12-15 | 株式会社東芝 | 噴流加工装置、噴流加工システムおよび噴流加工方法 |
US5938860A (en) * | 1997-08-28 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Reticle cleaning without damaging pellicle |
US5962197A (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-05 | Analyze Inc. | Alkaline organic photoresist stripper |
JP3120425B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-12-25 | 旭サナック株式会社 | レジスト剥離方法及び装置 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP10143043A patent/JP3120425B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-21 US US09/315,853 patent/US6553792B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-05 US US10/378,818 patent/US6913027B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6913027B2 (en) | 2005-07-05 |
US6553792B1 (en) | 2003-04-29 |
US20030127116A1 (en) | 2003-07-10 |
JPH11340188A (ja) | 1999-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3120425B2 (ja) | レジスト剥離方法及び装置 | |
JP3405312B2 (ja) | 塗布膜除去装置 | |
CN100382248C (zh) | 单晶片清洗装置及其清洗方法 | |
KR100949283B1 (ko) | 액처리장치 및 액처리방법 | |
JP3322853B2 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
TWI450326B (zh) | 液體處理裝置及液體處理方法 | |
JP2001185523A (ja) | 疎水性ウェーハを洗浄/乾燥する方法および装置 | |
JP2000331975A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
JP3694641B2 (ja) | 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法 | |
JP2001319908A (ja) | 被処理物のウエット処理方法及びその装置 | |
JP2005032948A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および,洗浄装置 | |
JP3377414B2 (ja) | 処理装置 | |
JP2007311450A (ja) | 保護膜被覆装置 | |
JP3673329B2 (ja) | 基板処理装置および洗浄方法 | |
JPH0691986B2 (ja) | 基板洗浄方法 | |
JP4183122B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JPH1126408A (ja) | 基板の洗浄方法及び装置 | |
JP2003234321A (ja) | 洗浄方法 | |
JP2008118027A (ja) | 保護膜被覆装置 | |
TWI534912B (zh) | 剝離裝置及剝離方法 | |
JP2001316878A (ja) | 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法 | |
JPH11333387A (ja) | 高圧ジェット式スピン洗浄装置 | |
JP3532837B2 (ja) | 回転式基板処理装置 | |
JPH09270410A (ja) | 液吐出ノズル及びこのノズルを備えた洗浄装置 | |
JP2001358096A (ja) | 板状体の薄化装置および薄化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |