JPH01264227A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH01264227A JPH01264227A JP9392888A JP9392888A JPH01264227A JP H01264227 A JPH01264227 A JP H01264227A JP 9392888 A JP9392888 A JP 9392888A JP 9392888 A JP9392888 A JP 9392888A JP H01264227 A JPH01264227 A JP H01264227A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
この発明は基板のレジスト除去方法に関するものである
。
。
〔従来の技術Ｊ
従来のレジスト除去方法は酸素グッズマ等による乾式処
理と無機系または有機系の溶剤による湿式処理及び、乾
式処理と湿式処理の併用とがあっ九Ｏ 酸素プフズマ等による乾式処理では基本的には有機物で
あるレジストを灰化し、２酸化炭素と水にする為、除去
能力は高いが基板をデフズマ中にさらす為、熱や活性種
の攻撃により、被加工膜にダメージが生じる。また、こ
のダメージはデバイスの集積度の増加に伴い顕在化し問
題となる。又、酸素の活性種が基板を攻撃する為、基板
の露出表面が酸化される。一方、湿式処理の場合は乾式
のような基板への物理的ダメージは生じないが除去性能
が劣る＠基板中の素子の？Ｉｃｍ化に伴ない、レジスト
のパターン形成の際にはＵＶキュア処理が付加され、エ
ラをングの際にはデフズマ処理、特にリアクティグイオ
ンエッチング逃理（以後ＲＩＥ）が多用される傾向にあ
シ、レジストはこれらの処理に伴、う高エネルギーの紫
外線、熱、活性種の攻撃にさらされることにょシ、表面
に変質層を形成する。この変質層は処理条件によって異
なるが通常数１００ Ｘ程度である。このようにして、
ＵＶキュア処理や、Ｒ工Ｅ処理等によって、生じたレジ
スト表面の変質層はレジスト剥離溶剤に膨潤、溶解し難
く、レジストパターン内部に溶剤が浸透しない為、湿式
によるレジスト除去は困難であった。
理と無機系または有機系の溶剤による湿式処理及び、乾
式処理と湿式処理の併用とがあっ九Ｏ 酸素プフズマ等による乾式処理では基本的には有機物で
あるレジストを灰化し、２酸化炭素と水にする為、除去
能力は高いが基板をデフズマ中にさらす為、熱や活性種
の攻撃により、被加工膜にダメージが生じる。また、こ
のダメージはデバイスの集積度の増加に伴い顕在化し問
題となる。又、酸素の活性種が基板を攻撃する為、基板
の露出表面が酸化される。一方、湿式処理の場合は乾式
のような基板への物理的ダメージは生じないが除去性能
が劣る＠基板中の素子の？Ｉｃｍ化に伴ない、レジスト
のパターン形成の際にはＵＶキュア処理が付加され、エ
ラをングの際にはデフズマ処理、特にリアクティグイオ
ンエッチング逃理（以後ＲＩＥ）が多用される傾向にあ
シ、レジストはこれらの処理に伴、う高エネルギーの紫
外線、熱、活性種の攻撃にさらされることにょシ、表面
に変質層を形成する。この変質層は処理条件によって異
なるが通常数１００ Ｘ程度である。このようにして、
ＵＶキュア処理や、Ｒ工Ｅ処理等によって、生じたレジ
スト表面の変質層はレジスト剥離溶剤に膨潤、溶解し難
く、レジストパターン内部に溶剤が浸透しない為、湿式
によるレジスト除去は困難であった。
［発明が解決しよりとする課題］
以上の様に、従来のレジスト除去方法では基板中の素子
の微細化に伴って多用される傾向にあるＵＶキュア処理
や、ＲＩ Ｅｆｉ理後のレジストを、基板に対してダメ
ージを与えることなく除去することは困難であった。
の微細化に伴って多用される傾向にあるＵＶキュア処理
や、ＲＩ Ｅｆｉ理後のレジストを、基板に対してダメ
ージを与えることなく除去することは困難であった。
この発明は上記の課題を解消するためになされたもので
、ｌ／シスト除去処理前に簡単な前処理を付加すること
により、従来の湿式レジスト除去処理における除去能力
の向上を図ることを目的どする。
、ｌ／シスト除去処理前に簡単な前処理を付加すること
により、従来の湿式レジスト除去処理における除去能力
の向上を図ることを目的どする。
この発明は湿式レジスト除去処理前あるいは処理中に、
レジストパターンに密着している被加工膜のパターン側
面を等方性エツチング処理により若干エツ升ングし、湿
式レジスト除去処理の際にレジストパターン内部の未変
質部分にレジスト除去溶剤を浸透させることにより、表
層が変質硬化したレジストパターンを除去するようにし
たものである。
レジストパターンに密着している被加工膜のパターン側
面を等方性エツチング処理により若干エツ升ングし、湿
式レジスト除去処理の際にレジストパターン内部の未変
質部分にレジスト除去溶剤を浸透させることにより、表
層が変質硬化したレジストパターンを除去するようにし
たものである。
〔作用Ｊ
この発明のレジストパターンに密着している被加工膜の
パターン側面に対するエツチングは、１／シストパタ一
ン内部の未変質部分にレジスト除去溶剤が浸透、接液す
ることを目的とする為、エツチング量は少なくともレゾ
ストパターン表層の変質層の厚み以上必要となる。しか
し、変質層の厚みは数ｘｏｏ、に程度であシ、先端デバ
イスの最小パターンサイズと比較しても問題にならない
レベルである。
パターン側面に対するエツチングは、１／シストパタ一
ン内部の未変質部分にレジスト除去溶剤が浸透、接液す
ることを目的とする為、エツチング量は少なくともレゾ
ストパターン表層の変質層の厚み以上必要となる。しか
し、変質層の厚みは数ｘｏｏ、に程度であシ、先端デバ
イスの最小パターンサイズと比較しても問題にならない
レベルである。
この発明におけるレジスト除去能力向上のメカニズムは
ＨＩＥによる選択エツチング後被加工膜のパターン側面
を等方性エツチング処理によｐ若干エツチングした後、
レジスト剥離溶剤中に浸漬して前工程のＵＶキュア処理
、Ｒ工Ｅ処理等に伴って生じたレジスト表面の変質層を
図（ｂ）で示すレジスト剥離溶剤によってレジスト変質
層からは内部に浸透できず、被加工膜パターン側面の等
方性エツチングにより露出したレジストの未変質部から
内部に浸透し、レジストの膨潤、溶解を生じさせ、レジ
ストパターンの除去に至らしめる。
ＨＩＥによる選択エツチング後被加工膜のパターン側面
を等方性エツチング処理によｐ若干エツチングした後、
レジスト剥離溶剤中に浸漬して前工程のＵＶキュア処理
、Ｒ工Ｅ処理等に伴って生じたレジスト表面の変質層を
図（ｂ）で示すレジスト剥離溶剤によってレジスト変質
層からは内部に浸透できず、被加工膜パターン側面の等
方性エツチングにより露出したレジストの未変質部から
内部に浸透し、レジストの膨潤、溶解を生じさせ、レジ
ストパターンの除去に至らしめる。
［実施例Ｊ
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
図（ａ）はＲＩＥによる選択エラをフグ後のパターン断
面図、図（ｂ）は被加工膜のパターン側面を等方性エツ
チング処理により若干エツチングした後、レジスト剥離
溶剤中に浸漬している状態を示す断面模式図である。図
において、１は前工程のＵＶキュア処理、ＲＩＥ処理等
に伴って生じたレジスト表面の変質層、２はレジストパ
ターン内部の未変質部分、３ａは等方性エツチング処理
前の被加工膜パターン、 ３ｂは等方性エツチング処理
後の被加工膜のパターン、４は基板あるいは下地、５は
レジスト剥離溶剤分子の動きを示している。
面図、図（ｂ）は被加工膜のパターン側面を等方性エツ
チング処理により若干エツチングした後、レジスト剥離
溶剤中に浸漬している状態を示す断面模式図である。図
において、１は前工程のＵＶキュア処理、ＲＩＥ処理等
に伴って生じたレジスト表面の変質層、２はレジストパ
ターン内部の未変質部分、３ａは等方性エツチング処理
前の被加工膜パターン、 ３ｂは等方性エツチング処理
後の被加工膜のパターン、４は基板あるいは下地、５は
レジスト剥離溶剤分子の動きを示している。
絡→図（ｂ）の５で示す様にレジスト剥離溶剤はレジス
ト変質層１からは内部に浸透できず、仮加工膜パターン
３ａの側面の等方性エツチングにより露出したレジスト
の未変質部２の部分から内部に浸透し、レジストの膨潤
、溶解を生じさせてレジストパターンの除去に至らしめ
る。
ト変質層１からは内部に浸透できず、仮加工膜パターン
３ａの側面の等方性エツチングにより露出したレジスト
の未変質部２の部分から内部に浸透し、レジストの膨潤
、溶解を生じさせてレジストパターンの除去に至らしめ
る。
３ａは、Ａｌ −８ｉパターン
図（ａ）の従来の状態で、レジスト除去を行なった場合
には、レジストパターンが若干膨潤する程度であるが、
Ａｌ−８ｉパターンを若干等方性エツチング処理をした
場合には、レジストパターンは完全に除去される。
には、レジストパターンが若干膨潤する程度であるが、
Ａｌ−８ｉパターンを若干等方性エツチング処理をした
場合には、レジストパターンは完全に除去される。
尚、上記実施例ではレジスト除去処理前に被加工膜のパ
ターン側面を等方性エラをング処理した場合を示したが
、このエツチング処理はレジスト除去中に行なっても何
ら差しつかえない。被加工膜がＡ１やＡｌ−８ｉ等の金
属膜の場合には酸やアルカリによりエッチングも可能で
おる。但し、硫酸等の強酸を使用すると、レジスト自体
よシも金属に対する溶解力の方が高い為不適当である。
ターン側面を等方性エラをング処理した場合を示したが
、このエツチング処理はレジスト除去中に行なっても何
ら差しつかえない。被加工膜がＡ１やＡｌ−８ｉ等の金
属膜の場合には酸やアルカリによりエッチングも可能で
おる。但し、硫酸等の強酸を使用すると、レジスト自体
よシも金属に対する溶解力の方が高い為不適当である。
レジスト剥離液としては無機酸の他に前述の通シフェノ
−ｙ等を含有する有機酸やアミン系の有機アルカリがあ
る。これらの有機系剥離溶剤は通常、金属に対して腐食
性をほとんど示さないが、若干の水分を添加することに
より、腐食性を示すと同時にレジストに対する剥離性能
を増大する。
−ｙ等を含有する有機酸やアミン系の有機アルカリがあ
る。これらの有機系剥離溶剤は通常、金属に対して腐食
性をほとんど示さないが、若干の水分を添加することに
より、腐食性を示すと同時にレジストに対する剥離性能
を増大する。
従って、有機酸、アルカリのレジスト剥離溶剤に若干の
水分を添加した溶剤を使用してレジスト除去処理を行な
うことにより、レジスト除去処理中に金属被加工膜のパ
ターン側面のエツチング処理が行なわれ、上記実施例同
様のレジスト除去能力の向上が図れる。
水分を添加した溶剤を使用してレジスト除去処理を行な
うことにより、レジスト除去処理中に金属被加工膜のパ
ターン側面のエツチング処理が行なわれ、上記実施例同
様のレジスト除去能力の向上が図れる。
〔発明の効果Ｊ
以上のようにこの発明によれば、湿式レジスト除去処理
前あるいは、処理中に、被加工膜のパターン側面を等方
性エツチング処理により若干エツをングし、レジストパ
ターン表層の変質層に隠された未変質部を露出させるこ
とにより、レジスト内部へのレジスト剥離溶剤の浸透が
スムーズに行なわれる。このことによｐ、ＵＶキュア処
理やＲＩＥ処理により表層が変質し、従来除去困難であ
つたレジストを基板や、下地にダメージを与えることな
く、容易に除去することが可能となる。
前あるいは、処理中に、被加工膜のパターン側面を等方
性エツチング処理により若干エツをングし、レジストパ
ターン表層の変質層に隠された未変質部を露出させるこ
とにより、レジスト内部へのレジスト剥離溶剤の浸透が
スムーズに行なわれる。このことによｐ、ＵＶキュア処
理やＲＩＥ処理により表層が変質し、従来除去困難であ
つたレジストを基板や、下地にダメージを与えることな
く、容易に除去することが可能となる。
図はこの発明のレジスト除去方法の一実施例を示し、図
（ａ）はＲＩＥによる選択エラをフグ後のパターン断面
図、図（ｂ）は被加工膜のパターン側面を等方性エツチ
ング処理により若干エツチング処理した後、レジスト剥
離溶剤中に浸漬している状態を示す断面模式図である。 図においてｌは前工程のＵＶキュア逃理、Ｒ工Ｅ処理等
に伴って生じたレジスト表面の変質層、２はレジストパ
ターン内部の未変質部分、３ａは等方性エツチング処理
前の被加工膜のパターン、３ｂは等方性エツチング処理
後の被加工膜のパターン、４は基板あるいは下地、５は
レジスト剥離溶剤分子の動きを示す。 なお、図中、同一符号は同一部分を示す。
（ａ）はＲＩＥによる選択エラをフグ後のパターン断面
図、図（ｂ）は被加工膜のパターン側面を等方性エツチ
ング処理により若干エツチング処理した後、レジスト剥
離溶剤中に浸漬している状態を示す断面模式図である。 図においてｌは前工程のＵＶキュア逃理、Ｒ工Ｅ処理等
に伴って生じたレジスト表面の変質層、２はレジストパ
ターン内部の未変質部分、３ａは等方性エツチング処理
前の被加工膜のパターン、３ｂは等方性エツチング処理
後の被加工膜のパターン、４は基板あるいは下地、５は
レジスト剥離溶剤分子の動きを示す。 なお、図中、同一符号は同一部分を示す。
Claims (1)
- （１）被加工基板上にレジストをパターン形成し、プラ
ズマ処理により被加工膜を選択エッチングした後、レジ
ストを除去するレジスト除去方法において、レジスト除
去処理前あるいは、処理中に、レジストパターンに密着
している被加工膜のパターン側面を等方性エッチング処
理により若干エッチングし、湿式レジスト除去処理の際
の除去を容易にしたことを特徴とするレジスト除去方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9392888A JPH01264227A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9392888A JPH01264227A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264227A true JPH01264227A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14096094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9392888A Pending JPH01264227A (ja) | 1988-04-14 | 1988-04-14 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144724A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Nec Corp | 硬化レジストの除去方法 |
| WO2014010589A1 (ja) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | 東邦化成株式会社 | リフトオフ装置およびリフトオフ方法 |
-
1988
- 1988-04-14 JP JP9392888A patent/JPH01264227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144724A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Nec Corp | 硬化レジストの除去方法 |
| WO2014010589A1 (ja) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | 東邦化成株式会社 | リフトオフ装置およびリフトオフ方法 |
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