TWI528600B - 半導體光裝置 - Google Patents

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TWI528600B
TWI528600B TW102135278A TW102135278A TWI528600B TW I528600 B TWI528600 B TW I528600B TW 102135278 A TW102135278 A TW 102135278A TW 102135278 A TW102135278 A TW 102135278A TW I528600 B TWI528600 B TW I528600B
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三菱電機股份有限公司
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Description

半導體光裝置
本發明係關於半導體光裝置。
以往，例如，如平成7年第218773號公開公報中所揭示地，對於應安裝鏡片的安裝零件(此公報中為導管)，具有鏡片一體成型構成的半導體光裝置係廣為人知的。以往，鏡片的周圍施加金屬化處理，對於金屬製的安裝元件採用起焊接固定等的生產方法。相對於此，根據有關上述公報的鏡片一體化模式成型技術，力圖削減零件數或削減接合處以及提高量產性。
可是，CAN(控制器區域網路)封裝中應安裝鏡片的安裝零件係稱作罩子的筒狀構件。由於一體成型鏡片為樹脂製的罩子，具有與上述公報同樣的優點。但是，在此情況下焊接固定習知金屬製罩子至管座之處，由於樹脂製的罩子，不能焊接。因此，樹脂製的罩子與管座使用接合劑接合。
採取CAN封裝的形態之半導體光裝置中，罩子的內側設置半導體光元件。作為半導體光元件，有半導體雷射二極體或光電二極體。此半導體光元件的光軸與鏡片的位置相合精確度係決定半導體光裝置性能的重要事項。此位置相合，包含與光軸平行的方向(Z方向)以及與光軸垂直的面上的方向 (XY平面方向)兩方。與鏡片一體化的罩子對管座高精確度位置相合，且必須固定。
關於這點，上述平成7年第218773號公開公報和第2003-035855號公開公報中，揭示對於與鏡片一體化的安裝零件(罩子)或管座，設置段差或凹部的技術。使用這些段差或凹部，可以高精確度執行兩部品間的位置決定。
[先行技術文件] [專利文件]
[專利文件1]平成7年第218773號公開公報
[專利文件2]第2003-035855號公開公報
[專利文件3]第2010-183002號公開公報
[專利文件4]平成3年第030581號公開公報
CAN封裝係在管座中高密度地實際組裝包含光學元件或電氣零件的各種零件(包含半導體光元件)，並在其上罩上罩子封住。因為罩上罩子的限制，管座上面可以配置零件的空間有限。這點，如上述習知的技術，為了決定管座與罩子兩部品間的位置，當設置段差或凹部時，為了段差或凹部而使用管座上與其相應的區域。結果，產生管座上可以配置零件的空間減少的問題。
本發明係用以解決上述課題而形成，目的在於一面確保儘量放大罩子的內部空間，一面提供可以高精確度執行 位置決定的半導體光裝置。
關於本發明的半導體光裝置，包括：管座；半導體光元件，安裝至上述管座；樹脂製的罩子，包括：筒狀主體，具有一端及另一端並排且上述一端及另一端連結的外表面及內表面；板部，設置於上述一端側；以及緣部，設置於上述另一端側；其中，上述緣部藉由接合至上述管座，覆蓋上述半導體光元件；以及鏡片，設置於上述板部，與上述罩子一體化；其特徵在於：上述筒狀主體具有：第1部分；以及複數的第2部分，在上述筒狀主體的周方向離間設置，比上述第1部分往上述內表面側突出；以及上述罩子與上述管座中的一方的零件，在平面所視與上述複數的第2部分重疊的的位置上，具有相接至上述罩子與上述管座中另一方的零件表面的凸部。
根據本發明，由於與高度方向位置決定用的凸部應相接之第2部分部分設置在筒狀主體，一面確保儘量放大罩 子的內部空間，一面可以在高度方向高精確度執行位置決定。
13‧‧‧次黏著基台(Submount)
14‧‧‧金屬塊
15‧‧‧金線
20‧‧‧半導體光裝置
27‧‧‧鏡片
28‧‧‧罩子
28a‧‧‧筒狀主體
28b‧‧‧板部
28c‧‧‧緣部
28d‧‧‧內表面
29‧‧‧凹部
29b‧‧‧凹部
29c‧‧‧凹部
32‧‧‧管座
32a‧‧‧上面
33‧‧‧凸部
33a‧‧‧凸部
33b‧‧‧凸部
33c‧‧‧凸部
36‧‧‧引線接腳
40‧‧‧貫通孔
44‧‧‧密封
100‧‧‧半導體光元件
129a‧‧‧底面
129b‧‧‧側面
133a‧‧‧側面
133b‧‧‧上端面
140‧‧‧接合劑
228‧‧‧罩子
228d‧‧‧內表面
229‧‧‧凹部
328a‧‧‧筒狀主體
328‧‧‧罩子
328c‧‧‧緣部
328d‧‧‧內表面
329‧‧‧段差部
432‧‧‧管座
433‧‧‧凸部
433b‧‧‧凸部
528‧‧‧罩子
628‧‧‧罩子
629‧‧‧凹部
632‧‧‧管座
700‧‧‧貫通穴
702‧‧‧貫通穴
728‧‧‧罩子
800‧‧‧縫隙構造
801‧‧‧縫隙構造
802‧‧‧縫隙構造
828‧‧‧罩子
828c‧‧‧緣部
1028‧‧‧罩子
1029‧‧‧凹部
1029a‧‧‧底面
1029b‧‧‧第1側面
1029c‧‧‧第2側面
1032‧‧‧管座
1033‧‧‧凸部
1033a‧‧‧第1側面
1033b‧‧‧第2側面
1033c‧‧‧上端面
1232‧‧‧管座
1233‧‧‧凸部
C‧‧‧中心
D‧‧‧深度
G‧‧‧間隙
H‧‧‧高度
H1、H2‧‧‧高度
P1‧‧‧第1部分
P2‧‧‧第2部分
r1‧‧‧內徑
r2‧‧‧內徑
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧寬度
W5‧‧‧寬度
W6‧‧‧寬度
[第1圖]係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的立體圖；[第2圖]係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置具有之罩子立體圖；[第3圖]係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置具有之罩子底面圖；[第4圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置之內部構成立體圖；[第5圖]係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置具有之管座上面圖；[第6圖]係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的側剖面圖，沿著第1圖的A-A線的剖面圖；[第7圖]係放大第6圖的虛線X圍繞的部位之放大剖面圖；[第8圖]係用以說明作為根據本發明的第一實施例的半導體光裝置具有之作用效果的凸部產生的高度方向位置決定的狀態圖；[第9圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖，用以說明罩子及管座的變形例圖；[第10圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖，用以說明罩子及管座的變形例圖； [第11圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖，用以說明罩子及管座的變形例圖；[第12圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖，用以說明罩子及管座的變形例圖；[第13圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖，用以說明罩子及管座的變形例圖；[第14圖]係顯示根據第11圖的變形例中以接合劑接合的狀態圖；[第15圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置中以接合劑接合的狀態圖；[第16圖]係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置的變形例圖；[第17圖]係用以說明根據本發明的第二實施例的半導體光裝置的構成圖；[第18圖]係根據本發明的第二實施例的半導體光裝置具有之罩子底面圖；[第19圖]係顯示根據本發明的第二實施例的半導體光裝置的變形例圖；[第20圖]係顯示根據本發明的第二實施例的半導體光裝置的變形例圖；[第21圖]係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的構成圖；[第22圖]係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的構成剖面圖，並顯示設置縫隙構造的段差部近旁的剖面 圖；[第23圖]係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的變形例圖；[第24圖]係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的變形例圖；以及[第25圖]係顯示對於本發明實施例的比較例圖。
[第一實施例]
[第一實施例的裝置構成]
第1圖係根據本發明第一實施例的半導體光裝置20的立體圖。本實施例中，半導體光裝置20中採用CAN封裝構造。第1圖中，半導體光裝置20係以管座32上罩上的蓋狀體的罩子28所構成。管座32與罩子28以接合劑固定。罩子28覆蓋的內部係氣密封合。封合氣體係空氣、乾燥氣體或氮氣等。
(罩子的構成)
第2圖係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20具有之罩子28立體圖。罩子28係樹脂製的。罩子28具有筒狀主體28a。筒狀主體28a，具有一端及另一端並排且上述一端及另一端連結的外表面及內表面28d。罩子28具有設置在筒狀主體28a的一端側之板部28b。罩子28具有設置在筒狀主體28a的另一端側之緣部28c。緣部28c經由接合劑140接合至管座32，藉此覆蓋半導體光元件100。接合劑140遍佈緣部28c的全周塗佈。
鏡片27，設置在板部28b中，與罩子28一體化。 鏡片27以一體模型成型與罩子28一體成型。
罩子28具有3個凹部29。以下，為了方便，3個凹部29分別區別為凹部29a、29b、29c。
第3圖係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20具有之罩子28底面圖。第3(a)圖中，隨著符號顯示罩子28底面側的各構成。如第3(b)圖中所示，筒狀主體28a，具有3個第1部分P1與3個第2部分P2。複數的第2部分P2在筒狀主體28a的周方向離間設置，係比第1部分突出內表面28d側的部分。第1部分P1具有內徑r1。第2部分P2具有內徑r2。內徑r2比內徑r1小。又，罩子28成為第1部分P1是薄的而第2部分P2厚的部分。不限於第一實施例，關於其變形例及第二、三實施例，此第1部分P1及第2部分P2係同樣的構成。
(管座的構成)
第4圖係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20之內部構成立體圖。第4圖中，管座32中固定棒狀端子的引線接腳36。以在此顯示的半導體光裝置20為例，引線接腳36為4條的情況，但也有配設更多條的引線接腳36的情況。
管座32係金屬製例如直徑3~10mm(毫米)左右的鐵製圓板，***引線接腳36的貫通孔40對應引線接腳36的個數，穿了4個穿孔。引線接腳36以玻璃製的密封44固定至管座32。又以此密封封住貫通孔40與引線接腳36間的間隙。作為管座32的第1主面之上面32a的上面以焊錫固定金屬塊14，此金屬塊14的上面更以焊錫固定次黏著基台(Submount) 13，半導體光元件100以焊錫固定至此次黏著基台(Submount)13。半導體光元件100係半導體雷射元件。又，半導體光裝置20作為使用光電二極體為半導體光元件的受光裝置也可以。
此半導體光元件100以作為信號線的金線15在管座32的上面32a側與引線接腳36連接。
罩子28覆蓋管座32的上面32a側的引線接腳36的突出部、金線15、金屬塊14、次黏著基台(Submount)13以及半導體光元件100等的構成部分。罩子28與管座32的表面間以接合劑140接合，罩子28內部的空間氣密封合。罩子28的頂部與鏡片27一體化，經由此鏡片27，射出雷射光。
第一實施例中，裝載半導體光元件100的基座成為次黏著基台13與金屬塊14的堆疊構造。次黏著基台13與金屬塊14構成「熱傳導性材料形成的基座」。此基座用於半導體光元件100的放熱。即，基座有放熱功能。半導體光元件100在次黏著基台13上，以接合點在下連接。次黏著基台13係為了進行半導體光元件100和金屬塊14之間的熱應力緩和或半導體光元件100的放熱而設置。次黏著基台13的材料係氮化鋁(AlN)。金屬塊14的材料是銅(Cu)。固定次黏著基台13與金屬塊14的焊錫是以AuSn(金錫)為材料的低融點焊錫。次黏著基台13的材料也可以是碳化矽(SiC)。
第5圖係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20具有之管座32上面圖。第5圖中圖示以虛線顯示罩子28重疊的位置。管座32中，設置3個凸部33。比較第3圖及第5圖可明白，凸部33以平面視設置與複數的第2部分P2重疊 的位置。於是，根據第一實施例的半導體光裝置20中，管座32，在平面視與罩子28的複數的第2部分P2重疊的位置上，具有與罩子28的表面分別相接的複數的凸部33。
又，本實施例中，比較第3圖及第5圖很清楚地，罩子28在凸部33相接的部位具有凹部29。罩子28的凹部29，具有至少比凸部33的外形大的開口剖面積，與管座32的凸部33可以嵌合。又，如後述，凹部29的深度D比凸部33的高度H小。
複數的凸部33，在與複數的第2部分P2重疊的位置上，部分設置。第2部分P2及凸部33在管座32上的3個位置上各設置一組。此3個位置在上面32a畫成銳角三角形。因此，可以以3點穩定支持罩子28。
遍及緣部28c的全周塗佈接合劑140，緣部28c全體以接合劑140固定至管座32的上面32a。即，凹部29與凸部33以接合劑140固定的同時，關於除此以外的部位(第1部分P1)，緣部28c與上面32a也以接合劑140固定。
根據本實施例，與高度方向位置決定用的凸部33應相接的第2部分P2，部分設置於筒狀主體28a中。在此所謂的高度方向，以第1圖來說係Z軸方向，半導體光元件100的光軸方向。由於部分的第2部分P2形成，可以限於局部設置成為相對小的內徑r2的第2部分P2。據此，與凸部33不相接也可以的第1部分P1，可以以相對大的的內徑r1形成。關於上面32a中接觸此內徑r1的區域，可以寬廣地採用相對徑方向的空間。結果，一面確保儘量放大罩子28的內部空間，一 面可以在高度方向高精確度執行位置決定。
第25圖係顯示對於本發明實施例的比較例圖，並顯示作為比較例的管座1232的上面。管座1232具有圓周狀的凸部1233。此凸部1233發揮與管座32的凸部33同等的功能，與罩子28的緣部28c接合。如此的比較例的情況下，電子元件的實際組裝空間限定於凸部1233的內側的區域。這與第一實施例的管座32的上面，即與第5圖比較看看時，管座32中部分設置凸部33，而且部分設置罩子28的第2部分P2。因此，比起比較例，更可以確保儘量放大第一實施例的罩子28的內部空間。
高精確度的位置決定，可以容易實現分別適當同等削減凸部33的前端。即，如果鏡片27與半導體光元件100之間的距離好像過大的話，均等削減3個凸部33，罩子28最好位於更往管座32側。又，管座32的上面32a為完全的水平面在製造技術上是困難的，根據位置在公差範圍內可能存在一定的的偏離。為了更正伴隨的罩子28的傾斜，可以削減凸部33的前端使複數的凸部33一個一個的高度不同。因此，可以補正罩子28的傾斜。還有先部分設置凸部33，也容易削減加工。
又，罩子28中，凹部29具有四角形輪廓的開口。即，凹部29的開口有4個邊。因此，藉由凸部33嵌入凹部29，也可以防止對於平面方向(第1圖中為X-Y平面方向)的罩子28與管座32的位置差距。即，也可以在平面方向決定高精確度的位置。
(側剖面的構成)
第6圖係根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20的側剖面圖，沿著第1圖的A-A’線的剖面圖。由於半導體光元件100的光軸AX與鏡片的中心C一致的位置關係，固定罩子。這是因為適當削減使複數的凸部33的前端互相高度不同，實現高精確度的位置決定。
第7圖係放大第6圖的虛線X圍繞的部位之放大剖面圖。在此，為了方便，雖然例示凸部33b，但關於其他的凸部(凸部33a、33c)也具有同樣的構成。如第7圖所示，凸部33b具有高度H。又，凹部29b具有深度D。深度D比高度H小。又，凸部33具有上端面133b、側面133a。又，凹部29b具有底面129a與側面129b。底面129a的寬度W2，比上端面133b的寬度W1大。
第7圖中雖然只顯示凹部29b及凸部33b的一方向剖面，但與第7圖紙面垂直方向上，切斷凹部29b及凸部33b的情況下的剖面構成也與第7圖相同。即，各個凹部29的緣輪廓具有比各個凸部33的外形大一圈的尺寸，凹部29內可以收納凸部33。
底面129a的寬度W2與上端面133b的寬度W1的差，雖然也考慮本實施例後述的接合劑140而某程度放大，但不必充分放大也可以，在可以正好嵌合程度的公差範圍內作成也可以。
以如此構成由接合劑140進行接合固定，藉此，與凸部33的上端面133b(面向Z軸的面)一起，可以接合凸部 33的側面133a(垂直XY平面的面)。藉由如此的接合可以堅固固定，並可以提高橫向負荷耐性。
第8圖係用以說明作為根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20具有之作用效果的凸部33產生的高度方向位置決定的狀態圖。凸部33b與凸部33c具有不同的高度H1、H2。本實施例中，管座32的上面32a，根據位置例示具有間隙G的高度差的情況。此時，本實施例中，為了緩和此間隙G，採用凸部33b的高度H1比凸部33c的高度H2大。另一方面，凹部29b、29c都具有相同的深度D。
如前述，凹部29的深度D比凸部33的高度H小。因此，就凸部33b的突出加大的量，相對地離上面32a以同樣高的位置支持凹部29b。結果，儘管上面32a上存在間隙G，還是抑制罩子28的傾斜，並可以調節罩子28的姿勢。根據如此的凹部29及凸部33產生的罩子28的高度位置及姿勢調節，藉由適當調節複數的凸部33的削減量，如第6圖所示，可以高精確度調節鏡片27與半導體光元件100的位置關係。
[第一實施例的裝置變形例]
第9至13圖係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20的變形例圖，用以說明罩子28及管座32的變形例圖。
第9圖的變形例中，取代罩子28，使用罩子228。罩子228，雖然在第2部分P2的構成(具體而言，凹部229的形狀)中與罩子28不同，但除此以外是相同的。第9(a)圖係罩子228的底面圖，而第9(b)圖係罩子228與管座32重疊的情況下，沿著第9(a)圖的B-B’線之剖面圖。
如第9(a)圖所示，本變形例中，3個凹部229分別形成為在罩子228中的緣部內側開始到外側為止連續延伸的一條溝。即，凹部229係從內表面228d側開始到罩子228的外表面一條連續的溝。如第9(b)圖所示，作為此溝的凹部229內部，凸部33嵌入的同時，以接合劑140固定。凹部229與凸部33以接合劑140固定的同時，有關除此以外的部位(第1部分P1)，緣部28c與上面32a以接合劑140固定。
第10圖的變形例中，取代罩子28，使用罩子328。罩子328雖然在第2部分P2的構成(具體而言，段差部329的形狀)中與罩子28不同，但除此以外是相同的。
第10(a)圖係罩子328的底面圖，而第10(b)圖係罩子328及管座32重疊的情況下，沿著第10(a)圖的C-C’線的剖面圖。本變形例中，3個段差部329分別從罩子328中的緣部328c的內側開始到外側為止形成突出的段部。即，段差部329係在內表面328d側部分突出的凸部。
但是，如第10(b)圖中顯示的剖面形狀，緣部328c的底面比段差部329的底面突出，以緣部328c表面為基準的話，段差部329的表面相對低窪下去。凸部33的上端面與此段差部329的表面相接。於是，段差部329中凸部33嵌入的同時，以接合劑140固定。段差部329與凸部33以接合劑140固定的同時，關於除此以外的部位(第1部分P1)，緣部328c與上面32a也以接合劑140固定。
第11圖的變形例中，取代罩子28使用上述的罩子328的同時，取代管座32使用以下所述的管座432。管座 432，雖然在凸部433的構成與管座32不同，但除此以外相同。
第11(a)圖係管座432的上面圖，而第11(b)圖係罩子328與管座432重疊的情況下，沿著第11(a)圖的D-D’線的剖面圖。根據本變形例的凸部433，與凸部33相較，採用管座432的徑方向加大的尺寸。結果，如第11(b)圖所示，凸部433的上端面可以接觸遍及罩子328的段差部329底面全體。也可以是如此的形態。
又，取代管座32上的3個凸部33，也可以變更為1個連續的圓形凸部。在此情況下，第2部分P2附近的剖面形狀與第11(b)圖相同，但金屬塊14等的各種元件裝載區域變得比管座32的周緣部更高。也可以是如此的構成。與個別設置3個凸部33的情況相較，藉由限於設置1個凹部，可以成為更單純的構造，不會犧牲位置決定精確度，可以降低製造成本。
第12圖的變形例中，取代罩子28，使用罩子528。罩子528，雖然在第2部分P2的構成中與罩子28不同，但除此以外是相同的。
第12圖係罩子528的底面圖。第12圖中，第2部分P2厚度不厚。即，罩子528的筒狀主體，與第1部分P1及第2部分P2幾乎相同。取而代之，如第12圖所示，第2部分P2在罩子528的圓筒中心軸側部分突出3處左右。緣部528c中此部分突出的3個部位中，分別設置凹部529a、529b、529c。凹部529如第9(b)圖所示收納管座32的凸部33至其內部，可以互相相接。
第13圖的變形例中，取代罩子28使用罩子628 的同時，取代管座32使用管座632。第13(a)圖係罩子628的的底面圖，而第13(b)圖係管座632的上面圖。上述第一實施例中，「第2部分P2、凹部29、以及凸部33的組」，在1個筒狀主體28a中形成3個，上述各種變形例也相同。相對於此，第13圖的變形例中，「第2部分P2、凹部629、以及凸部633的組」，在1個筒狀主體28a中只形成2個，這點與上述第一實施例不同。第13圖所示的變形例中，第2部分P2在對向的2處，具有某程度的大範圍而形成。據此，凹部629及凸部633與第一實施例相較也具有相對大的外形(面積)。因此，以2點支持也穩定，可以支持、固定罩子628，與第一實施例同樣可以寬廣地採用罩子628的內部空間。
在此，第14圖係顯示根據第11圖的變形例中以接合劑140接合的狀態圖。根據第14圖的構成，因為接合劑140集中在圖面左側(罩子328的外側)，具有抑制接合劑往圖面右側(罩子328的內表面328d側)流出的效果。第15圖係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20中以接合劑140接合的狀態圖。根據第15圖的構成，因為接合劑140集中在凹部29的中心，可以抑制接合劑140往罩子28的緣部28c外側流出。於是，根據凹部29及凸部33以及上述變形例，抑制接合劑140的流動，並具有控制接合劑的量、位置的效果。
第16圖係顯示根據本發明的第一實施例的半導體光裝置20的變形例圖。第16圖，取代凹部29及凸部33，使用設置凹部1029及凸部1033的罩子1028及管座1032。關於除此以外的構成，罩子1028及管座1032具有與罩子28與管 座32相同的構成。
管座1032包括凸部1033。凸部1033包括上端面1033c、具有寬度W4的第1側面1033a、具有寬度W3(但，W3<W4)的第2側面1033b。凸部1033愈往高度H方向去，即愈往上端面1033c側，外形階段性地變小。
罩子1028包括具有複數段差的凹部1029。凹部1029包括底面1029a、具有寬度W6的第1側面1029b、具有寬度W5(但，W5>W6)的第2側面1029c。凹部1029愈往深度D方向去，即愈往底面1029a側，外形階段性地變小。
根據如此的構成，因為接合劑集中在鏡片黏合面的中心，可以抑制接合劑往鏡片的側面流出。又，也具有提高接合面積產生的接合力提高的效果。
第16圖中只顯示凹部1029及凸部1033的一方向剖面，但與第16圖紙面垂直方向切斷凹部1029及凸部1033時的剖面構成，也與第16圖相同。即，各個凹部1029的緣輪廓具有比各個凸部1033的外形大一圈的尺寸，凹部1029內可以收納凸部1033。
第一實施例中，管座32具有凸部33，但本發明不限於此。罩子28也可以在複數的第2部分P2分別具有凸部。據此，管座32中有凸部33的位置中，取代形成凹部29也可以。又，高精確度位置決定，關於複數的凸部33不只高度H不同，取而代之或同時，關於複數的凹部29使深度D不同來調節也可以。
又，凸部33也可以由切下管座32而形成，作成 的金屬塊片作為另外的元件以焊接等固定至上面32a而形成凸部33也可以。
本發明中，部分設置第2部分P2的位置，不限於筒狀主體28a的周方向的3處。部分設置第2部分P2的位置也可以適當設置在筒狀主體28a的周方向的複數位置(2個、3個、4個或更多的位置)，在此以平面所視，設置重疊凸部33在管座32上的複數位置也可以。
又，凸部33以平面視為矩形形狀，但本發明不限於此。平面所視，也可以是三角形、梯形或五角形以上的多角形。又，平面所視，也可以是圓形、橢圓形。又，凸部33與凹部29的輪廓形狀可以不一定相同(相似)，只要可以進入凹部29的凸部即可。
[第二實施例]
第17圖係用以說明根據本發明的第二實施例的半導體光裝置的構成圖。根據第二實施例的半導體光裝置，除了罩子28的第2部分P2的構成，具有與第一實施例的半導體光裝置20相同的構成。
第17圖所示係根據第二實施例的半導體光裝置的罩子728中，相當於第6圖的X部的部位放大剖面圖。這是第7圖或第9至11圖等所示部位的部位剖面圖。或是，相當於第14圖的部位放大剖面圖。罩子728，除了具有貫通穴700這點，與罩子328同樣地，在3個第2部分P2具有各個段差部329(段差部329a、329b、329c)。
組裝罩子728與第14圖所示的管座432時，貫通 穴700的第1開口位於凸部433b的側面。又，第2開口位於段差部329的外側，即罩子728的外周面上。此貫通穴700作用為接合劑140的放出穴。藉由設置放出接合劑140的貫通穴700，應助於接合的段差部329b與管座432的凸部433b之間的接合劑140的量，可以儘量接近固定量。
第18(a)圖係本發明第二實施例的半導體光裝置具有之罩子728的底面圖。如第18(a)圖所示，分別在3個第2部分P2各設置一貫通穴700也可以。又，關於各第2部分P2，各設置複數個貫通穴700也可以。第18(b)圖係顯示罩子728與管座432接合時的狀態圖。
第19及20圖係顯示根據本發明的第二實施例的半導體光裝置的變形例圖。第19圖係設置貫通穴702的罩子28的底面圖，而第20圖係顯示組裝此罩子28與管座32的狀態中的剖面圖。此變形例的構成係關於第一實施例的變形例的罩子28，在各個第2部分P2中，與上述貫通穴700同樣地設置貫通穴702。
又，貫通穴700，可以不必在全部的第2部分P2中設置，也可以在3個第2部分P2中只在1個或2個第2部分P2中設置。
[第三實施例]
第21圖係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的構成圖。第21圖中，顯示第三實施例的半導體光裝置具有的罩子828構成。罩子828，在3個第2部分P2中具有段差部329，基本上具有與罩子328相同的構造。不過，各 段差部329的表面上，不同點為具有縫隙構造800。除了這點，根據第三實施例的半導體光裝置，具有與第一實施例的半導體光裝置相同的構成。
縫隙構造800係平行形成的複數條的縫隙。於是，根據第三實施例的罩子，在接合至緣部828c的管座32的面上，沿著具有罩子828的筒狀主體328a的周方向具有離間設置的縫隙構造800。又，不是離間，而是設置沿著此筒狀主體328a的周方向連續延伸的同心圓狀的複數縫隙也可以。
第22圖係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的構成剖面圖，並顯示設置縫隙構造800的段差部329近旁的剖面圖。藉由如此設置複數條的縫隙，接合劑140進入縫隙，可以增加接合面積。
第23及24圖係顯示根據本發明的第三實施例的半導體光裝置的變形例圖。如第23圖所示，不是段差部329本身，對於段差部329附近的罩子828的緣部828c的底面，設置縫隙構造801也可以。或者，如第24圖所示，設置旋轉縫隙構造800的每個縫隙方向的縫隙構造802也可以(例如，第24圖中，90度旋轉)。縫隙構造801、802的剖面構造、寬度、條數只要縫隙構造800即可。
又，雖未圖示，對於根據第一實施例的罩子28的凹部29的內部(底面129a或側面129b)，設置縫隙構造也可以。
20‧‧‧半導體光裝置
27‧‧‧鏡片
28‧‧‧罩子
32‧‧‧管座

Claims (11)

  1. 一種半導體光裝置，包括：管座；半導體光元件，安裝至上述管座；樹脂製的罩子，包括：筒狀主體，具有一端及另一端並排且上述一端及另一端連結的外表面及內表面；板部，設置於上述一端側；以及緣部，設置於上述另一端側；其中，上述緣部藉由接合至上述管座，覆蓋上述半導體光元件；以及鏡片，設置於上述板部，與上述罩子一體化；其特徵在於：上述筒狀主體具有：第1部分；以及複數的第2部分，在上述筒狀主體的周方向離間設置，比上述第1部分往上述內表面側突出；以及上述罩子與上述管座中的一方的零件，在平面所視與上述複數的第2部分重疊的位置上，具有分別相接上述罩子與上述管座中另一方的零件表面的凸部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體光裝置，其中，上述另一方的零件，在相接上述凸部的部位，具有與上述凸部嵌合的凹部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體光裝置，其中，上述 凹部的深度，比上述凸部的高度小。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的半導體光裝置，其中，由於上述半導體光元件的光軸與上述鏡片的中心一致的位置關係，為了固定上述罩子，複數的上述凸部互相高度不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的半導體光裝置，其中，與複數的上述第2部分分別重疊的位置上，部分設置複數的上述凸部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體光裝置，其中，上述第2部分及上述凸部在上述管座上的3個以上的位置中各設置一組；以及上述3個以上的位置包含畫成銳角三角形的3個位置。
  7. 如申請專利範圍第2至4項中任一項所述的半導體光裝置，其中，上述凸部愈往上述高度方向去，外形階段性地變小；以及上述凹部愈往上述深度方向去，外形階段性地變小。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的半導體光裝置，其中，上述另一方的零件的第1開口位於上述凸部進入的上述凹部內面，且具有第2開口位於上述凹部的外側的貫通穴。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的半導體光裝置，其中，上述另一方的零件，在上述凸部相接的部位，具有上述凸部進入的段差部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體光裝置，其中，上述另一方的零件的第1開口位於上述凸部進入的上述段差部側面，且具有第2開口位於上述段差部的外側的貫通穴。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的半導體光裝置，其中，在接合上述緣部的上述管座的面上，包括沿著上述筒狀主體的周方向連續或離間設置的縫隙。
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