JP2008028143A - 光モジュール - Google Patents

光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2008028143A
JP2008028143A JP2006198899A JP2006198899A JP2008028143A JP 2008028143 A JP2008028143 A JP 2008028143A JP 2006198899 A JP2006198899 A JP 2006198899A JP 2006198899 A JP2006198899 A JP 2006198899A JP 2008028143 A JP2008028143 A JP 2008028143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
cap
optical module
welding
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006198899A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yabe
弘之 矢部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2006198899A priority Critical patent/JP2008028143A/ja
Priority to US11/878,168 priority patent/US7507035B2/en
Publication of JP2008028143A publication Critical patent/JP2008028143A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】抵抗溶接により接合面に機械的な歪みが生じても、当該歪みを吸収できる構造を提供し、かつ、溶接時のジュール熱による他の部材への影響を回避できる、抵抗溶接用の形態を有する光モジュールを提供する。
【解決手段】複数のリードピンを備え、半導体光デバイスを搭載しリードピン3Bをシールガラスにより保持するステム3Aを有するパッケージ3と、ステム3Aにプロジェクション溶接され、前記半導体光デバイスを搭載する空間を封止するキャップ2と、を有する光モジュールにおいて、ステム3Aの前記プロジェクション溶接される領域に隣接し、この溶接領域からリードピン3Bを隔てる様に設けられた溝35を有する。
【選択図】図4

Description

本発明は、複数のリードピンを備え、半導体光デバイスを搭載し前記リードピンをシールガラスにより保持するステムを有するパッケージと、前記ステムにプロジェクション溶接され、前記半導体光デバイスを搭載する空間を封止するキャップと、を有する光モジュールに関する。
光モジュールは、例えば、発光素子などを実装し、シールガラスで封止したリードピンをステムに設けた金属部材(パッケージ)と、平板ガラスまたはレンズなどを設けた金属製キャップ(キャップ)とからなり、パッケージとキャップとは抵抗溶接により接合される。
パッケージとキャップを抵抗溶接する場合、キャップとパッケージのうち、少なくとも一方の溶接部分に突起を設けるか、キャップとパッケージの間に適宜のプロジェクション部品を介在させ、極めて大きな電流を突起あるいはプロジェクション部品部に集中させて当該部分/部品を溶融させつつ、被接合部品(この場合には、キャップとパッケージ)を押し付けることで両部品を局所的に溶接固定する。
特許文献1に記載の光モジュールでは、キャップの外側を覆いレンズを保持するホルダにV溝を形成し、このV溝中にプロジェクション部品を装着することで、接触部の面積を小さくして電流密度を高めている。電流がプロジェクション部品という小部品に集中するので、プロジェクション部品を溶融するための電流量を抑えることができ、過剰な発熱が回避できる。
ところが、特許文献1に記載の光モジュールでは、ステムの側面もレンズホルダが覆い、当該側面にもプロジェクション部品を介在させているので、溶接後の気密性は高まるものの、横方向のサイズが大きくなることは避けられない。
また、抵抗溶接では被接合部品を互いに強い力で押し付けあう。局所的ではあるがプロジェクションが溶融するまでのジュール熱が発生している箇所に機械的応力を印加するものであり、溶接後にこの溶接部が機械的に歪む現象がみられる。光モジュールでは、キャップとパッケージを溶接する際に、キャップのプロジェクションに隣接する周縁部分や、パッケージのステムの周縁部分などが、溶接前のキャップやパッケージの外周面よりもはみ出してしまう。
これを回避するために、特許文献2ではメタルに、溶接用突起とこの突起を挟み込む様に凹部を設けた構造を採用する。抵抗溶接時の加圧で押し潰された溶融金属をこの凹部内へ流入させることができるが、ジュール熱で局所的に加熱された箇所通しを押し付け合うことに変わりがなく、溶接部位の機械的変形を完全に防止するものでない。
特開平6−140644号公報 特開2003−320462号公報
本発明は、抵抗溶接により接合面に機械的な歪みが生じても、当該歪みを吸収できる構造を提供し、かつ、溶接時のジュール熱による他の部材への影響を回避できる、抵抗溶接用の形態を有する光モジュールを提供することを目的とする。
本発明の光モジュールは、複数のリードピンを備え、半導体光デバイスを搭載し前記リードピンをシールガラスにより保持するステムを有するパッケージと、前記ステムにプロジェクション溶接され、前記半導体光デバイスを搭載する空間を封止するキャップと、を有する光モジュールにおいて、前記ステムの前記プロジェクション溶接される領域に隣接し、この溶接領域から前記リードピンを隔てる様に設けられた溝を有することを特徴する。この構成によれば、抵抗溶接により接合面に生じる機械的な歪を前記溝で吸収することができ、かつ溶接時に押し寄せる接合部を前記溝で阻止し、また溶接時のジュール熱の伝播を前記溝で阻止することができるため、他の部材への影響を回避することができる。
本発明において、前記溝は、V字状の断面形状を有することが好ましい。また、前記ステムは円板状であり、前記キャップは円筒状であり、前記パッケージは同軸状の形態を有し、前記溝は、少なくとも前記リードピンを前記溶接領域から隔てる様に前記ステムの中心を中心とする円弧状に形成された溝であることが好ましい。また、前記ステムは鉄製であり、前記キャップはステンレス製であることが好ましい。
本発明によれば、抵抗溶接により接合面に生じる機械的な歪を前記溝で吸収することができ、かつ溶接時に押し寄せる接合部を前記溝で阻止し、また溶接時のジュール熱の伝播を前記溝で阻止することができるため、他の部材への影響を回避することができる。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光モジュール1を示すものであり、光モジュール1は、キャップ2とパッケージ3とが抵抗溶接で一体化されている。キャップ2は、大小2つの外径寸法を有する段付き円筒形状を呈するステンレス等の金属で形成されており、上部に球レンズ4を固定している。また、キャップ2は、パッケージ3に搭載する図示外の光半導体チップを、抵抗溶接後に、球レンズ4とパッケージ3との間で気密状態に封止させるために、下方が開口した空間(溶接後に封止空間となる)を形成している。
図2は、キャップ2とパッケージ3との接合部を拡大して示している。キャップ2の端部には、図2に示すように、後述するステム3と対向する底面(接合面)20から所定の長さL2だけ、抵抗溶接の際の変形代となる小径部21が形成されている。小径部21の長さLは変形部分が(最外径である)キャップ2の外周面22を越えないように設定する。また、キャップ2には、接合面20に断面が略三角形状の突起20Aが形成されている。突起20Aは、抵抗溶接の際、加圧力が集中するとともに溶接電流で発熱・溶融される抵抗溶接部を構成する。
パッケージ3は、鉄、コバール等の金属で形成した略円板状のステム3Aと、ステム3Aに設けた図示しないLD(発光素子を構成する)などの光半導体チップと、この光半導体チップと電気的に接続するリードピン3Bを備えている。パッケージ3も、キャップ2と対向する上面(接合面)30から所定の長さSだけ、抵抗溶接の際の変形部のニゲとなる小径部31が形成されている。小径部31の径も、溶接による変形部が(最外径である)外周面32を越えないようにその径が設定される。小径部31は、外周面32から深さd3(図示せず)だけ削って形成されている。深さd3は、段差21Dの大きさd2(図示せず)と段差21Cの大きさd1(図示せず)との合算深さよりは浅く、かつ、段差21Dの大きさd2より深いか、段差21Dの大きさd2とほぼ同様の深さとなっている。ずなわち、ステムの小径部31はキャップの小径部21Bよりも内側に位置し、かつ、突起20Aの縁よりも外側に位置する。なお、キャップ2とパッケージ3の外径は、パッケージ3のほうが若干大きいか同一寸法に形成される。
キャップ2とパッケージ3の接合部分となる各接合面20、30に小径部21、小径部31を形成することにより、キャップ2とパッケージ3とを圧接方向に加圧しながら抵抗溶接して光モジュール1を形成する際に、溶接部位がジュール熱で溶融されても、図3に示すように、溶融部分(変形部)γを、これら小径部21、31に吸収させることで、外周面22、32よりも飛び出すことが防止できる。これにより、光モジュール1を実装させる場合に、突出した溶接部分が実装面Hと干渉することを回避することができる。
なお、小径部の形状は、図2、図3に示す様な段差を有する形状に限定されず、たとえば、接合面の縁から大径部に向けて斜面を設けることでもよい。
(第2の実施形態)
本実施形態の光モジュールでは、図4に示すように、キャップ2の接合面20に環状突起20Bを設ける。パッケージ3の接合面30には、突起20Bに対応した位置付近で若干中心寄りに、断面矩形状の溝35を円弧状に4箇所穿設させる。リードピン3Bは、隣接する2箇所の溝35の中間に配置される。円弧状の溝35の内周面と中心Oとを結ぶ距離R1を半径とする第1の円の領域αを越えない範囲内に、リードピン3B及びこの外周を取り囲むシールガラス3Cを設置する。
溝35の外周面と中心Oとを結ぶ距離を半径R2とする第2の円より大きく、かつ、溝31と接する第3の円の領域に納まる範囲内にある円環状の領域βに、キャップ2の突起20Bが収まるように構成する。
このように構成することで、抵抗溶接後には、図5に示すように、小径部21、小径部31、溝35がそれぞれ変形して接合部が外周面より突出するのを確実に阻止できる。また、溝35を設けることで、抵抗溶接の際に接合部が中心方向に押し寄せてくるのをこの溝35で阻止でき、また、図6(A)に示す熱分布状態から分かるように、抵抗溶接の際に発生する熱が、それよりも中心部側に伝搬するのも阻止できる(なお、同図中にクロスハッチングで示すエリアδがその熱の伝搬する領域である)。この結果、ステム3Aに搭載する図示外のLDなどの光半導体チップに対する、溶接時の熱の影響を回避できる。一方、同図(B)のように溝35を設けていないと、溶接の際に発生する熱が中心部側のシールガラス3Cやリードピン3Bまで伝搬していく(同じく、その熱の伝搬する領域δをクロスハッチングで示す)。従って、溝35は、リードピン3Bに対応する位置に形成するだけでも非常に効果的である。
さらに、本実施形態の変形例として、第1の実施形態の小径部21、31を、それぞれ、キャップ2及びパッケージ3に設けるだけでなく、これと同時に、例えば図7に示すように、キャップ2の接合面20に形成する環状突起20Aと対応する接合面30の位置からやや離れた中心寄りに、断面略V字形の環状の溝30Aを設けている。
溝30Aがあることで、抵抗溶接の際に環状突起20Aなどを溶融させるときに発生する熱が、それよりも中心部側に伝搬していくのを阻止できる。この結果、第2の実施形態と同様に、ステム3Aに搭載する図示外の光半導体チップに対する、溶接時の熱の影響が回避可能となる。
実施例1の光モジュールでは、第1の実施形態を示す図1において、パッケージ3のステム3Aの接合面30を臨む外周面縁部に、小径部31からなるニゲを設けている。小径部31の大きさは、溶接時の変形部分が最外径を越えないように調整する。溶接による変形量は、
(1)パッケージ3(ステム3A)とキャップ2の材質によるが、溶融せずに残った突起20Aの根元部が、相手側の接合面30をどの程度押し付けるか、
(2)突起20Aがキャップ2やパッケージ3(ステム3A)の外周からどの程度離れているか、
に左右される。
突起20Aは、その頂点が外周から250μm離れており、底辺250μm、高さ200μm程度の断面が円錐形状ならば、通常、ニゲのための小径部31の段差は150μm程度で充分である。
上記構成により、抵抗溶接において、予め被溶接部材の塑性変形を考慮してあるために、その変形による不具合(例えば、組み込ませる他部品との緩衝等)を回避できる。例えば、光通信リンクモジュールの同軸型の送信器(TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly);送信用小型光デバイス)や受信器(ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly);受信用小型光デバイス)では、パッケージとキャップ(レンズホルダ)の抵抗溶接の際に、従来は数十μm近く外形が拡大していた。その結果、光通信リンクモジュールを搭載させる筐体内に入りにくい、もしくは入らない、といった不具合が起こっていたが、上記構成では、これら微小な塑性変形による周辺部品との緩衝不具合が発生しない。また、ニゲの分だけ狭い範囲に電流が集中するため、溶接をより効率的に行うことができる。
図4に示す実施例2では、実施例1のニゲである小径部31と同時に、ステム3Aの接合面30の中心寄りに溝35を設ける。溝35の幅は、実施例1と同様に考えればよい。実施例1と同じ条件ならば、実施例1と同じく150μm程度で充分であり、溝の深さは突起20Aの高さの2倍程度の400μmあれば、通常は充分である。
上記構成により、光素子などステム3Aに実装されたデバイスの抵抗溶接時の位置ずれを抑えることができる。溝35を設けることで、抵抗溶接時に発生する熱によりリードピン3Bの周囲を囲設するシールガラス3Cに熱が伝わり、クラックが発生してシール性が悪化する、といったことも防ぐことができる。
(A)は本発明の第1の実施形態に係る光モジュールを示す斜視図、(B)はその断面図である。 第1の実施形態に係る光モジュールの要部を示す拡大図である。 第1の実施形態に係る光モジュールの溶接後状態を示す断面図、(B)はその要部断面図である。 (A)は本発明の第2の実施形態に係る光モジュールの要部を示す断面図、(B)はそのパッケージ部分を示す斜視図である。 (A)は本発明の第2の実施形態に係る光モジュールの変形例の要部を示す断面図、(B)はそのパッケージ部分を示す平面図である。 第2の実施形態に係る光モジュールの溶接後の状態を示す要部断面図である。 (A)は図5に示す光モジュールの溶接の際の熱分布を示す説明図、(B)は図5に示す光モジュールにおいて凹部を設けていない場合の熱分布を示す説明図である。
符号の説明
1 光モジュール
2 キャップ
20 接合面
21 小径部
22 外周面
3 パッケージ
30 接合面
31 小径部
32 外周面
35 溝
4 球レンズ

Claims (4)

  1. 複数のリードピンを備え、半導体光デバイスを搭載し前記リードピンをシールガラスにより保持するステムを有するパッケージと、前記ステムにプロジェクション溶接され、前記半導体光デバイスを搭載する空間を封止するキャップと、を有する光モジュールにおいて、
    前記ステムの前記プロジェクション溶接される領域に隣接し、この溶接領域から前記リードピンを隔てる様に設けられた溝を有することを特徴する光モジュール。
  2. 前記溝は、V字状の断面形状を有する請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記ステムは円板状であり、前記キャップは円筒状であり、前記パッケージは同軸状の形態を有し、
    前記溝は、少なくとも前記リードピンを前記溶接領域から隔てる様に前記ステムの中心を中心とする円弧状に形成された溝である、請求項1又は2に記載の光モジュール。
  4. 前記ステムは鉄製であり、前記キャップはステンレス製である請求項1から3の何れか一項に記載の光モジュール。
JP2006198899A 2006-07-21 2006-07-21 光モジュール Pending JP2008028143A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006198899A JP2008028143A (ja) 2006-07-21 2006-07-21 光モジュール
US11/878,168 US7507035B2 (en) 2006-07-21 2007-07-20 Optical module with metal stem and metal cap resistance-welded to stem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006198899A JP2008028143A (ja) 2006-07-21 2006-07-21 光モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008028143A true JP2008028143A (ja) 2008-02-07

Family

ID=38986405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006198899A Pending JP2008028143A (ja) 2006-07-21 2006-07-21 光モジュール

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7507035B2 (ja)
JP (1) JP2008028143A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010231138A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Alps Electric Co Ltd 鏡筒付レンズとその製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101859864A (zh) * 2010-05-26 2010-10-13 邓旭恒 大功率直插式发光二极管
JP5998962B2 (ja) * 2013-01-31 2016-09-28 三菱電機株式会社 半導体光装置
JP2018073943A (ja) 2016-10-27 2018-05-10 住友電気工業株式会社 半導体発光装置、ステム部品
DE102018106504B4 (de) 2018-03-20 2020-03-12 Schott Ag Anordnung mit einem TO-Gehäuse, Verfahren zu dessen Herstellung sowie optisches Datenübertragungssystem
CN109188620A (zh) * 2018-09-29 2019-01-11 深圳市亚派光电器件有限公司 微型激光器组件及四通道光模块
US11650430B2 (en) * 2019-04-19 2023-05-16 Tdk Taiwan Corp. Method of adjusting optical system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0974248A (ja) * 1995-09-05 1997-03-18 Toshiba Corp 光半導体モジュール装置
JPH10300611A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Yamatake:Kk 圧力検出装置
JP2000183371A (ja) * 1998-12-10 2000-06-30 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2001358398A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3080794B2 (ja) 1992-10-28 2000-08-28 日本電気株式会社 光半導体モジュールの製造方法
JPH09258070A (ja) 1996-03-21 1997-10-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 光半導体装置の溶接用金属ホルダー
US6005276A (en) * 1997-11-12 1999-12-21 Advanced Photonix, Inc. Solid state photodetector with light-responsive rear face
US6061493A (en) * 1998-09-01 2000-05-09 Methode Electronics, Inc. Optical subassembly with attenuating plug
US6999644B1 (en) * 2002-02-15 2006-02-14 Lebby Michael S Discrete optoelectric package
JP2003320462A (ja) 2002-05-08 2003-11-11 Toyoda Iron Works Co Ltd プロジェクション溶接方法、および抵抗溶接用プロジェクション
US6821032B2 (en) * 2002-05-28 2004-11-23 Intel Corporation Methods of sealing electronic, optical and electro-optical packages and related package and substrate designs
EP1517166B1 (en) * 2003-09-15 2015-10-21 Nuvotronics, LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
US7364374B2 (en) * 2006-09-21 2008-04-29 Truelight Corporation Bi-directional optical signal transmitting and receiving device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0974248A (ja) * 1995-09-05 1997-03-18 Toshiba Corp 光半導体モジュール装置
JPH10300611A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Yamatake:Kk 圧力検出装置
JP2000183371A (ja) * 1998-12-10 2000-06-30 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2001358398A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010231138A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Alps Electric Co Ltd 鏡筒付レンズとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080025678A1 (en) 2008-01-31
US7507035B2 (en) 2009-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008028143A (ja) 光モジュール
US8000567B2 (en) Optical semiconductor module
CN211903865U (zh) 均热板
EP2800214B1 (en) Laser module and method for manufacturing same
JP2007210165A (ja) レーザー光を用いた樹脂の溶着方法及び溶着装置
JP2010034287A (ja) キャップ及び光モジュール
JP2001246488A (ja) 容器の製造方法
JP2007096093A (ja) 光モジュール
WO2017122413A1 (ja) 光学装置、及び光学装置の製造方法
WO2010098277A1 (ja) 光半導体装置
JP2009071209A (ja) 光半導体装置及びその製造方法と金属キャップ
JP2009105288A (ja) 光学用キャップ部品
JP4944918B2 (ja) 樹脂材および樹脂材のレーザー溶着方法
JP5913490B2 (ja) 非球面レンズ付きキャップの製造方法及び光源モジュールの製造方法
JP5300631B2 (ja) 樹脂製容器
JP2010027650A (ja) キャップ、レンズユニット、光モジュール、及び光通信モジュール
EP3407395B1 (en) Cover for light emitter
JP5201892B2 (ja) 光通信用パッケージ
JP5258658B2 (ja) 鏡筒付レンズとその製造方法
JP2010027651A (ja) キャップ、光学ユニット、光モジュール、及び光通信モジュール
JP4795551B2 (ja) 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置
JP7475915B2 (ja) 超音波接合方法及び超音波接合構造
JP2005347564A (ja) 気密封止パッケージ
JP2009188217A (ja) レンズ付き蓋体
JP2014211470A (ja) 鏡筒一体成形レンズおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080331

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110420

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110906