TWI511075B - 管理裝置、基板處理系統、資料分析方法以及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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TWI511075B
TWI511075B TW101111352A TW101111352A TWI511075B TW I511075 B TWI511075 B TW I511075B TW 101111352 A TW101111352 A TW 101111352A TW 101111352 A TW101111352 A TW 101111352A TW I511075 B TWI511075 B TW I511075B
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Kazuhide Asai
Hideto Shimizu
Kayoko Yashiki
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Hitachi Int Electric Inc
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    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0218—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
    • G05B23/0224—Process history based detection method, e.g. whereby history implies the availability of large amounts of data
    • G05B23/0227—Qualitative history assessment, whereby the type of data acted upon, e.g. waveforms, images or patterns, is not relevant, e.g. rule based assessment; if-then decisions
    • G05B23/0235—Qualitative history assessment, whereby the type of data acted upon, e.g. waveforms, images or patterns, is not relevant, e.g. rule based assessment; if-then decisions based on a comparison with predetermined threshold or range, e.g. "classical methods", carried out during normal operation; threshold adaptation or choice; when or how to compare with the threshold

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Description

管理裝置、基板處理系統、資料分析方法以及電腦可讀取記錄媒體 [相關申請案之交叉引用]
本申請案主張於2011年4月1日提出申請之日本專利申請案第2011-81467號的權益和優先權，且該申請案之內容以全文引用之方式併入本文。
本發明係關於一種管理裝置，該管理裝置係用於管理由基板處理設備所執行之處理。
在半導體製造領域中，半導體之生產效率可藉由使用一群組可監測生產歷程或一種半導體製造設備之操作狀態之管理系統來加以強化。另外，故障偵測與分類(FDC)係以已儲存之監測資料(與半導體製造設備之操作狀態相關之量測資料)為基礎來判定設備是否在正常條件下操作。任何異常可使用警報確認，以避免有瑕疵的製造。
傳統上，FDC係執行用來判定監測資料或統計數據(監測資料之平均值)是否落在一特定範圍內。此外，如果監測資料或統計數據落在特定範圍之外，則可判定在設備中發生異常。
一種FDC方法之例子係包含監測以監測資料(量測資料)為基礎之再現波形且判定是否發生任何異常。在此方法中，一目前的再現波形與一先前獲取且被判定具有一特定範圍(頻帶)之正常波形相比較。此外，如果於此再現波形中有任何點落在該特定範圍之外，則此波形被 判定為具有異常(在下文中，此方法將被稱為頻帶管理)。
相關技藝之頻帶管理係僅以監測資料是否落入頻帶內之判定的簡單方式而執行。當監測資料之任一部分因為落在頻帶外而被判定為異常時，監測資料即被判定為異常。同時，在半導體製造設備中，若如果監測資料中不會影響到生產的一部分落在頻帶外，則該部分不應該被視為異常。然而，相關技藝之頻帶管理卻缺乏如此的調整能力。因此，僅以頻寬大小為基礎的頻帶管理有可能導致異常偵測效能的退化。
結果，在頻帶管理中，瞬間雜訊、過衝或類似情形可被判定為異常，而可能導致錯誤通報。另一方面，若僅僅調整頻帶寬度，可能會降低偵測異常的準確性。因此，相對於具有大量雜訊或過衝的波形，想藉由習知頻帶管理方法來執行異常偵測是有因難的。
本發明提供一些管理裝置之實施例，該管理裝置具有透過監測資料波形之精確管理資料的能力，而不是以偵測到瞬間雜訊或過衝而判定出基板處理設備之異當。
根據本發明之一實施例，提供一種管理裝置，該管理裝置包含一量測資料儲存單元，該量測資料儲存單元係配置用以儲存傳送自一基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板；一設定單元，該設定單元係配置用以將儲存在該量資料儲存單元內且於一預定量測範圍內之該量測資料當中處於該基板處理設備之運轉狀態之該量測資料之一項目設定為一判定目標，將 基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；一計數單元，該計數單元係配置用以計數對應於該項目之該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數，該項目及該基準資料係由該設定單元所設定；以及一判定單元，該判定單元係配置用以當由該計數單元所計數的該計數數目超過一預定值時，判定作為該判定目標之該量測資料是否異常。
於另一實施例中，提供一基板處理系統，該基板處理系統包含一連接至上述管理裝置之基板處理設備。
於再另一實施例中，一種基板處理設備之資料分析方法，該方法包含：儲存傳送自該基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板；設定在一預定量測範圍內之該量測資料之一項目，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；計數對應於該項目之該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數；以及當該計數數目超過一預定值時，判定該量測資料係異常。
現在敍述本發明之第一實施例。
(1)基板處理設備之配置
根據此實施例，基板處理設備100之配置將參考第1及第2圖加以敍述。第1圖係根據此實施例之基板處理設備100之視圖，且第2圖係根據此實施例之基板處 理設備100之側截面圖。根據此實施例之基板處理設備100係配置成一垂直型式裝置而用以在諸如晶圓或類似者之基板上進行薄膜成長、氧化、擴散及類似之處理。
如第1及第2圖所示，根據此實施例之基板處理設備100包含主體111，該主體111係配置成一耐壓容器。一前方維修入口103係設置成一開口，該開口允許在主體111之前壁111a之前側進行維修。一前方維修門104係設置在前方維修入口103，以開啟及關閉前方維修入口103。
為要運送如以矽(Si)或類似材質製成之基板之晶圓200進出主體111，晶圓容器110被使用作為一晶圓載具(基板容器)，以容納複數片晶圓200。一晶圓容器裝載/卸載埠(基板容器裝載/卸載埠)112係形成於主體111之前壁111a，以聯絡主體111之內部和外部。晶圓容器裝載/卸載埠112係由前擋板(基板容器裝載/卸載埠開啟/關閉機構)113所開啟和關閉。桿埠(傳送及接收基板容器之傳送台)114係設置在晶圓容器裝載/卸載埠112之前低側。晶圓容器110係配置成由輸送裝置(圖未示)所運送，且被安裝在桿埠114上，以在桿埠114上被對準。
晶圓容器輸送裝置(基板容器輸送裝置)118係設置在主體111內之桿埠114附近。旋轉晶圓容器架(基板容器安裝架)105係設置在主體111內之晶圓容器輸送裝置118之更內側，意即，在主體111內實質地在水平方向之中間部分之上方側。一對晶圓容器開啟器(基板容器蓋開啟/關閉機構)121係排列於旋轉晶圓容器架105下方。
晶圓容器輸送裝置118包含一晶圓容器升降機(基板容器升降機構)118a，該晶圓容器升降機118a可與被支撐於內部之晶圓容器110上升及下降；及一作為傳送機構之晶圓容器輸送機構(基板容器輸送機構)118b。晶圓容器輸送裝置118係配置以在桿埠114、旋轉晶圓容器架105和晶圓容器開啟器121之間，利用晶圓容器升降機118a和晶圓容器輸送機構118b之連續操作來運送晶圓容器110。
旋轉晶圓容器架105可配置以在其上面支撐複數個晶圓容器110。旋轉晶圓容器架105包含一垂直排列以間歇地在一水平面旋轉之支持柱116；及複數個架板(基板容器安裝台)117，該等架板117係在支持柱116之上、中及下平台之個別位置，由支持柱116放射狀地支撐。該複數個架板117係配置以保持安裝在其上之複數個晶圓容器110。
次主體119係延伸跨越在主體111內較低部分之一實質地中間部分和一於水平方向之後端部分而設置，晶圓容器開啟器121係設置於此處。一對用以運送晶圓200進出次主體119之晶圓裝載/卸載埠(基板裝載/卸載埠)120係設置在次主體119之前壁119a。晶圓容器開啟器121係分別設置在上、下晶圓裝載/卸載埠120。
個別的晶圓容器開啟器121包含一對用以安裝晶圓容器110之安裝台122及一蓋附裝/卸下機構(蓋件附裝/卸下機構)123，該蓋附裝/卸下機構123係用以可分離地安裝晶圓容器110之蓋子(蓋件)。晶圓容器開啟器121 係配置利用蓋附裝/卸下機構123，藉由卸下且附裝在安裝台122上之晶圓容器110蓋子，以開啟及關閉晶圓容器110之晶圓放入/排除埠。
在次主體119內，一移轉室124係配置以與設置有晶圓容器輸送裝置118、旋轉晶圓容器架105和類似者之空間為流體地隔絕。一晶圓移轉機構(基板移轉機構)125係設置在移轉室124之前方區域。晶圓移轉機構125包含一用以在水平方向旋轉或直接移動晶圓200之晶圓移轉裝置(基板移轉裝置)125a，以及一用以舉升或降下晶圓移轉裝置125a之晶圓移轉裝置升降機(基板移轉裝置升降機構)125b。如第1圖所示，晶圓移轉裝置升降機125b係設置在次主體119之移轉室124前方區域之右端部與主體111之右端部之間。晶圓移轉裝置125a包含一作為晶圓200之安裝件之鑷子(基板支撐)125c。一作為用以在圓周方向對準晶圓200位置的基板對準裝置之晶圓刻痕對準裝置(圖未示)係設置於晶圓移轉裝置升降機125b之相對側，且晶圓移轉裝置125a係位於晶圓刻痕對準裝置和晶圓移轉裝置升降機125b之間。晶圓200係配置藉由晶圓移轉裝置升降機125b和晶圓移轉裝置125a之連續操作而被裝載/卸載(放入/排除)進/出晶舟217(代稍後敍述)。
一用以容納晶舟217及供晶舟217待命之等待區126係形成於移轉室124之後方區域。一用以處理晶圓200之處理爐管202係設置在等待區126之上方。處理爐管202之下端部係配置藉由一爐管埠擋板(爐管埠開啟且關 閉機構)147加以開啟及闗閉。同時，處理爐管202之配置將於稍後敍述。
如第1圖所示，一用以舉升及降下晶舟217之晶舟升降機(基板支撐件升降機構)115係設置在次主體119之等待區126右端部與主體111右端部之間。一作為耦合件之機械臂128係耦合至晶舟升降機115之升降平台。一作為爐管蓋件之密封蓋219係水平地設置在機械臂128上。密封蓋219係配置以垂直地支撐晶舟217且關閉處理爐管202之下端部。
晶舟(基板支撐件)217包含複數個支撐件。晶舟217係配置以水平地維持複數片晶圓200(例如個別地約50片至125片)中心在垂直方向互相對準之狀態。
如第1圖所示，一包含一防塵過濾器和一供應乾淨空氣133(作為純化氣體或惰性氣體)之供應扇之清潔單元134係設置在左端部，該位置係於移轉室124之晶圓移轉裝置升降機125b及晶舟升降機115之相對側。吹自清潔單元134之乾淨空氣133係沿著晶圓刻痕對準裝置之外圍、晶圓移轉裝置125a及設置在等待區126內之晶舟217而循環，且由一氣管(圖未示)吸入，為要排至主體111之外部或往上循環至一主要側(供應側)，該主要側係清潔單元134之吸入側，且再次吹入移轉室124。
(2)基板處理設備之操作
接著，根據本實施例之基板處理設備100之操作將參考第1及第2圖而敍述。以下之操作係基於例如一輸送配方而執行。輸送配方係使用在基板處理設備100內 部運送晶圓200且輸送配方係被應用於基板處理程序，例如，與一處理配方一起執行基板處理。
如第1及第2圖所示，當晶圓容器110安裝在桿埠114時，晶圓容器裝載/卸載埠112由前擋板113所開啟。在桿埠114上之晶圓容器110藉由晶圓容器輸送裝置118經由晶圓容器裝載/卸載埠112被裝載入主體111。
被裝載入主體111之晶圓容器110藉由晶圓容器輸送裝置118自動地被運送至旋轉晶圓容器架105之架板117上，暫時地放置在架板117上。晶圓容器110之後被傳送至架板117上之晶圓容器開啟器121之安裝台122。被裝載入主體111之晶圓容器110可直接藉由晶圓容器輸送裝置118而被傳送至晶圓容器開啟器121之安裝台122。晶圓容器開啟器121之晶圓裝載/卸載埠120被蓋附裝/卸下機構123所關閉，且乾淨空氣133在移轉室124內循環，以充滿移轉室124。舉例而言，以諸如惰性氣體之乾淨空氣133充滿移轉室124內部，使得移轉室124內部的氧氣濃度為例如20ppm或更低，其係遠低於保持低於大氣中之氧氣濃度之主體111內部的氧氣濃度。
至於安裝在安裝台122上之晶圓容器110，若晶圓容器110之一端表面被靠著擠壓設置在次主體119之前壁119a上的晶圓裝載/卸載埠120之邊緣部，則晶圓容器110之蓋子將被蓋附裝/卸下機構123所分離以開啟晶圓進出埠。之後，晶圓200自晶圓容器110內部藉由晶圓移轉裝置125a之鑷子125c經由晶圓進出埠取出，且由晶圓刻痕對準裝置在圓周方向進行位置對準，裝載進 入移轉室124後方的等待區126，且被裝載(放入)入晶舟217。將晶圓200裝載入晶舟217後，晶圓移轉裝置125a返回至晶圓容器110並裝載下一片晶圓200進入晶舟217。
當晶圓200由晶圓移轉機構125自一(上或下)晶圓容器開啟器121正被裝載進入晶舟217時，另一晶圓容器110係藉由晶圓容器輸送裝置118自另一個(下或上)晶圓容器開啟器121之安裝台122上之旋轉晶圓容器架105上部而移轉，使得由晶圓容器開啟器121執行之晶圓容器110之開啟操作與晶圓200之裝載操作同時執行。
當一預定數目之晶圓200片數被裝載入晶舟217時，已被爐管埠擋板147關閉之處理爐管202低端部將被開啟。接著，當密封蓋219被晶舟升降機115舉升時，在其內部支撐一群晶圓200之晶舟217被移轉(裝載)進入處理爐管202。
裝載之後，在爐管202內對晶圓200進行預定的處理上。處理之後，支撐處理完畢晶圓200之晶舟217自處理爐管202被卸載，且支撐處理完畢晶圓200之晶圓容器110除了不需進行晶圓刻痕對準裝置之晶圓位置對準操作外，係以實質上與上述操作相反之順序自主體111卸載。
(3)處理爐管之配置
根據本實施例之處理爐管202之配置將參考第3圖加以敍述。第3圖係根據本實施例之基板處理設備100之處理爐管202之垂直截面視圖。
如第3圖所示，處理爐管202包含一作為反應管之處理管203。處理管203包含一作為內部反應管之內管204及一作為設置在內管204外側之外部反應管之外管205。內管204由諸如石英(SiO2 )、碳化矽(SiC)或類似者之耐熱材料所製成，且具有一上下端開口之圓柱形狀。用以處理作為基板之晶圓200之處理室201係形成於內管204內之一圓柱中空部。處理室201之內部配置以容納稍後敍述之晶舟217。外管205具有一與內管204同心之同心圓橫截面形狀。外管204具有一大於內管204外徑之內徑且具有一上端密封和下端開口之圓柱形狀。外管205由例如石英、碳化矽或類似者之耐熱材料所製成。
加熱器206係設置作為一加熱機構，以在處理管203之外側環繞其側壁表面。加熱器206具有一圓柱形狀且被作為安裝板之加熱器底部251所支撐，用以垂直地排列。
一作為溫度偵測器之溫度感測器263設置於處理管203內部。一溫度控制器237係電氣連接至加熱器206和溫度感測器263。溫度控制器237係配置以基於被溫度感測器263所偵測之溫度資料而調整供應至加熱器206之電流，使得處理室201內之溫度於所欲時間具有一所欲溫度分布。
一歧管209設置於外管205之較低側，以具有一與外管205同心之同心圓橫截面形狀。歧管209係由例如不銹鋼或類似材料所製成，且具有一在其上與下端開 口之圓柱形狀。歧管209係耦合至內管204及外管205之下端部以支撐它們。此外，作為一密封件之O型環220a係設置在歧管209和外管205之間。歧管209係由加熱器底部251所支撐，使得處理管203可垂直地排列。一反應容器由處理管203及歧管209所形成。
作為一爐管埠蓋件之密封蓋219，其可氣密地關閉歧管209的下端開口，係設置於歧管209之較低側。密封蓋219在一垂直方向自一較低側與歧管209之較低端相接觸。密封蓋219係由例如不銹鋼或類似材料所製成，且具有一類盤狀。作為一與歧管209較低端接觸之密封件之O型環220b係設置於密封蓋219之上表面。密封蓋219係配置以被晶舟升降機115於垂直方向舉升或降下，該晶舟升降機115係作為一垂直設置於處理管203外側之基板支撐件升降機構。晶舟217可藉由舉升或降下密封蓋219而被運送進出處理室201。
用以旋轉晶舟217之旋轉機構254係設置於處理室201之相對側之密封蓋219之中間部附近。旋轉機構254之旋轉桿255自較低側穿過密封蓋219且支撐晶舟217。旋轉機構254係配置以旋轉晶舟217且藉此旋轉晶圓200。
一輸送控制器238係電氣連接至晶舟升降機115及旋轉機構254。輸送控制器238係配置以控制旋轉機構254和晶舟升降機115，使得它們在所欲時間執行所欲的操作。此外，輸送控制器238也電氣連接至上述之晶圓容器升降機118a、晶圓容器輸送機構、晶圓容器開啟器 121、晶圓移轉裝置125a、晶圓移轉裝置升降機125b及類似者以控制它們，使得這些組件在所欲時間執行一所欲操作。主要地，根據本實施例之輸送系統係由晶舟升降機115、旋轉機構254、晶圓容器升降機118a、晶圓容器輸送機構118b、晶圓容器開啟器121、晶圓移轉裝置125a及晶圓移轉裝置升降機125b所配置。
作為基板支撐件之晶舟217係配置以支撐水平堆疊於多個平台內之複數片晶圓200，該等晶片200之圓心係同心地彼此互相對準。晶舟217係由例如諸如石英、碳化矽或類似材料之耐熱材料所製成。複數片絕緣板216被使用為絕緣件且具有一類盤狀。該等絕緣板216係由例如諸如石英、碳化矽或類似材料之耐熱材料所製成，且設置以水平堆疊於晶舟217之較低側之多個平台內，以抑制來自加熱器206之熱量移轉至歧管209。
作為氣體導入單元之噴嘴230係連接至密封蓋219，使得其與處理室201之內部連通。一氣體供應管232之下游端被連接至噴嘴230之上游端。一個或複數個諸如原料氣、惰性氣體或類似氣體之氣體供應源(圖未示)、作為氣體流率控制器之質量流量控制器(MFC)241及複數個閥自上游側依序連接至氣體供應管232。一氣體流率控制器235係電氣連接至MFC 241。氣體流率控制器235係配置以控制MFC 241，使得供應至處理室201之氣體流率在所欲時間具有一所欲流率。主要地，根據本實施例之氣體供應系統係由噴嘴230、氣體供應管232、複數個閥(圖未示)、MFC241及氣體供應源所配置。
用以排除處理室201內部氣體之排氣管231上游端係連接至歧管209。排氣管231係設置在由位於內管204和外管205之間之間隙所形成之圓柱空間250之較低端部。作為壓力偵測器之壓力感測器245、作為壓力調整裝置之自動壓力控制器(APC)242及作為真空排氣裝置之真空泵246係自上游側依序連接至排氣管231之下游側。APC 242係一可操作用以開啟/關閉其閥以執行或停止處理室201內之真空排氣之切換閥，且此外可調整閥的開口角度以調整壓力。一壓力控制器236係電氣連接至APC 242和壓力感測器245。壓力控制器236係配置基於壓力感測器245所偵測的壓力值，以控制APC 242，使得處理室201內之壓力在一所欲時間具有一所欲壓力。主要地，根據本實施例之氣體排除系統係由排氣管231、壓力感測器245、APC 242及真空泵246所配置。
氣體流率控制器235、壓力控制器236、溫度控制器237及輸送控制器238係電氣連接至一顯示裝置控制器239，以控制基板處理設備100(以下本文，氣體流率控制器235、壓力控制器236及溫度控制器237被稱為一I/O控制器)。氣體流率控制器235、壓力控制器236、溫度控制器237、輸送控制器238及顯示裝置控制器239係被包含在一基板處理設備控制器240。基板處理設備控制器240之配置與操作將於稍後敍述。
(4)處理爐管之操作
一使用執行作為半導體裝置之製造流程之一部分之處理爐管202之基板處理程序將在此敍述。基板處理程 序係基於用以在晶圓200上執行一預定處理之處理配方而重複地被執行。此外，處理配方可含複數道步驟(處理)。於本實施例中，經由化學汽相沉積(CVD)方法而在晶圓200上形成薄膜之膜形成處理將作為基於處理配方之基板處理程序之範例而加以敍述。再者，在以下敍述中，組成基板處理設備100之個別零件之操作係由基板處理設備控制器240所控制。
(基板裝載步驟)
首先執行基板裝載步驟。特別地，複數片晶圓200被裝填入晶舟217(晶圓放置)，且在其中支撐複數片晶圓200之晶舟217被晶舟升降機115舉升並裝載至處理室201內(晶舟裝載)。於此狀態，密封蓋219以位於密封蓋219與歧管209之間的O型環220b將歧管209之較低端密封。
(膜形成處理)
接著，在晶圓200上藉由執行從分解步驟到正常壓力回復步驟之個別步驟而進行膜形成處理。從分解步驟到正常壓力回復步驟之個別步驟係包含在本實施例之處理配方中。再者，處理配方可包含將於稍後敍述之基板裝載步驟或基板卸載步驟。
(分解步驟)
首先，處理室201藉由真空泵246抽真空使處理室201之壓力達到一所欲壓力(真空度)。在這時候，APC 242之閥開口程度係以壓力感測器245所量測之壓力值為基準進行迴授控制。
(升溫步驟)
接著，處理室201內部被加熱器206加熱，使處理室201內具一所欲溫度。此時，供應至加熱器206之電流量係以溫度感測器263所偵測到之溫度值為基準進行迴授控制。隨後，晶舟217及晶圓200被旋轉機構254所轉動。
(溫度穩定步驟)
接著，在溫度穩定步驟中，被加熱之處理室201內部溫度達到穩定。
(膜形成步驟)
當處理室201內溫度達到穩定之後，氣體供應管232之閥(圖未示)被打開，藉由MFC 241控制流量自氣體供應源供應原料氣體至處理室201。原料氣體在處理室201內往上流且自內管204之上端開口排出至圓柱空間250，以從排氣管231排氣。當原料氣體通過處理室201，原料氣體與晶圓200表面接觸且一薄膜經由熱CVD反應沉積在晶圓200表面。當經過預設之時間，即停止供應原料氣體至處理室201。
(降溫步驟)
當原料氣體之供應停止後，加熱器206之電源供應停止且晶舟217和晶圓200之溫度下降至一特定溫度。
(正常壓力回復步驟)
一惰性氣體供應自一氣體供應源，且處理室201內部由惰性氣體所取代，且在此同時，處理室201內的壓力回復至一正常壓力。藉此，基於處理配方之膜形成處 理被終止。
(基板卸載步驟)
之後，執行基板卸載步驟。特別地，密封蓋219被晶舟升降機115降下以開啟歧管209之較低端，且在此同時，在其中支撐已處理晶圓200之晶舟217從歧管209之較低端被卸載(晶舟卸載)到處理管203之外側。已處理晶圓200自晶舟217被取出且放入晶圓容器110(晶圓排放)。據此，基於處理配方之膜形成處理被終止。
(5)基板處理設備控制器之配置
根據本實施例之基板處理設備控制器240之配置將參考第4圖而加以敍述。第4圖係根據本實施例包含基板處理設備100及群組管理裝置500之基板處理系統之方塊圖。
基板處理設備控制器240包含一作為主要控制器之顯示裝置控制器(操控單元)239。一例如顯示器或類似者之資料顯示單元240a及一例如鍵盤或類似者之輸入單元240b係連接至顯示裝置控制器239。顯示裝置控制器239係配置以從由操作員所操控之輸入單元240b接收一輸入(一操控命令或類似者之輸入)，且在資料顯示單元240a上顯示出基板處理設備100之狀態顯示螢幕、操控輸入接收螢幕或類似者。
基板處理設備控制器240包含一連接至顯示裝置控制器239之處理控制器239a，使得資料可在彼此間交換。再者，上述之I/O控制器組件(氣體流率控制器235、壓力控制器236及溫度控制器237)係連接至處理控制器 239a，以控制處理爐管202，使得資料可在其間交換。處理控制器239a使用位於處理控制器239a與處理爐管202之間的I/O控制器來控制處理爐管202之操作且收集(讀取)顯示處理爐管202狀態(溫度、氣體流率、壓力等)之監測資料。特別地，監測資料包含顯示基板處理設備100操作狀態之量測資料。
此外，基板處理設備控制器240包含一連接至顯示裝置控制器239之輸送控制器238，以在其間交換資料；及一連接至輸送控制器238之機構I/O238a，以在其間交換資料。組成基板處理設備100之個別部件(例如晶舟升降機115、旋轉機構254、晶圓容器升降機118a、晶圓容器輸送機構118b、晶圓容器開啟器121、晶圓移轉裝置125a、晶圓移轉裝置升降機125b等等)係連接至機構I/O238a。輸送控制器238係配置藉由使用位於個別部件及輸送控制器238之間的機構I/O238a來控制組成基板處理設備100之個別部件操作，且收集(讀取)顯示組成基板處理設備100之個別部件之狀態(例如位置、切換狀態、個別部件是否***作或處於待命狀態)之監測資料。
另，基板處理設備控制器240包含一連接至顯示裝置控制器239之資料維護單元239e。資料維護單元239e係配置以維護(儲存)能在基板處理設備控制器240實現不同功能及設定在處理爐管202中執行基板處理程序之資料(配方資料)的程式，及維護(儲存)讀取自I/O控制器(氣體流率控制器235、壓力控制器236、溫度控制器237)和輸送控制器238或類似者之不同資料。
此外，基板處理設備控制器240包含一連接至顯示裝置控制器239之聯絡控制器239b。聯絡控制器239b係配置藉由使用I/O控制器(氣體流率控制器235、壓力控制器236、溫度控制器237)讀取，經由處理控制器239a及顯示裝置控制器239，以接收顯示處理爐管202狀態(溫度、氣體流率、壓力等)之監測資料，且將接收之監測資料傳送至群組管理裝置500。此外，聯絡控制器239b係配置藉由使用機構I/O238a讀取，經由輸送控制器238及顯示裝置控制器239，以接收顯示組成基板處理設備100之個別部件之狀態(例如位置、切換狀態、個別部件是否***作或處於待命狀態)之監測資料，且將接收之監測資料傳送至群組管理裝置500。
(6)群組管理裝置之配置
根據本實施例之配置於與上述基板處理設備100交換資料之群組管理裝置500之配置將參考第4圖加以敍述。
如第4圖所示，群組管理裝置500係配置成一包含一配置作為中央處理單元(CPU)之控制器501、一在其中具有一共享記憶區502之記憶體(圖未示)、一配置作為例如HDD或類似者之儲存裝置之儲存單元503、一作為例如顯示裝置或類似者之顯示單元之資料顯示單元505、一例如鍵盤或類似者之輸入單元506及一作為聯絡單元之聯絡控制器504。上述之記憶體、儲存單元503、資料顯示單元505、輸入單元506及聯絡控制器504係配置使用連接上述這些單元之內部匯流排或類似者與控 制器501交換資料。此外，控制器501具有一時脈功能(圖未示)。
(聯絡控制器)
作為聯絡單元之聯絡控制器504係連接至基板處理設備控制器240之聯絡控制器239b且也透過網路400連接至I/O控制器(氣體流率控制器235、壓力控制器236及溫度控制器237)和機構I/O238a。聯絡控制器504係配置以接收來自基板處理設備100之監測資料，且將接收之監測資料傳送至共享記憶區502。
聯絡控制器504係配置以週期性地在作為監測資料接收時點之特定時間間隔(例如每0.1秒)接收監測資料，或者當例如執行配方或一步驟被終止時之時點，或者監測資料產生時之時點之每一事件發生時以接收監測資料。
再者，聯絡控制器504係配置當接收到對應於作為來自基板處理設備100之FDC監測單元513(稍後敍述)監測目標之監測資料之事件時，將傳送一”事件偵測通知”至FDC監測單元513。此外，聯絡控制器504係配置當接收到對應於作為來自基板處理設備100之FDC監測單元513(稍後敍述)監測目標之監測資料之事件終止時，將傳送一”事件終止通知”至FDC監測單元513。
傳送至共享記憶區502之監測資料係配置與以下各項產生關聯：確認監測資料之資料ID、詳述作為監測資料產生來源之基板處理設備100之特定裝置資訊(裝置名稱或類似者)、當產生監測資料時，詳述已被基板處理設 備100執行之配方之特定配方資訊、當收集監測資料時，詳述發生於基板處理設備100內部之事件之特定事件資訊，以及顯示監測資料產生時間之時間資訊(時間資料)。
(儲存單元)
儲存單元503儲存一資料庫程式、一設定程式、一頻帶產生程式、一FDC監測程式、一計數顯示程式及一診斷程式。
資料庫程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在儲存單元503中實現一資料庫503d(稍後敍述)。
設定程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在群組管理裝置500中實現一設定單元511(稍後敍述)。
頻帶產生程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在群組管理裝置500中實現一頻帶產生單元512(稍後敍述)。
FDC監測程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在群組管理裝置500中實現一FDC監測單元513(稍後敍述)。
計數顯示程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與 敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在群組管理裝置500中實現一計數顯示單元514(稍後敍述)。
診斷程式被讀取自儲存單元503且被儲存於與敍述於與第4圖相關之記憶體(圖未示)，且在控制器501中被執行，為要在群組管理裝置500中實現一診斷單元515(稍後敍述)。
作為儲存單元之資料庫503d係配置以儲存監測資料，該監測資料已被聯絡控制器504所接收且儲存於共享記憶區502，使得當資料庫程式被執行時，該監測資料係與上述之資料ID、特定裝置資訊、特定配方資訊、特定事件資訊及時間資訊之每一項相關聯而可讀取。此外，資料庫503d係配置以儲存一頻帶(稍後敍述)、比較結果、相關資料(稍後敍述)及錯誤診斷規則(稍後敍述)。
另外，資料庫503d係配置以儲存基準資料(以下本文稱為主資料)，該基準資料係當基板處理被正常執行時所獲取之監測資料。當輸入單元506提出選擇主資料檔案之需求時，資料庫503d將取出對應於主資料檔案之主資料，且將之儲存起來。
主資料係自一預定間隔獲得及取出。如此之間隔，例如，係關聯於在基板處理設備100內特定事件之發生。於此處之用法，事件係指發生於基板處理設備100內之現象、基板處理設備100之每一部件之操作，或類 似事情。例如，除了配方或步驟或類似者之開始或終止執行及任何其他未必基於配方執行之事件，事件尚可包含一或多個根據諸如閥切換操作、感測器ON/OFF操作、發生異常、操作員之不同操控或類似動作之配方執行而依時序發生之事件。
作為將取出主資料之間隔與特定事件之發生關聯起來之取出條件範例，監測資料可在特定事件發生之間期間被取出。特定事件發生之間之期間可以是，例如，從一特定配方或步驟之開始執行到結束執行之期間、自開始裝載晶圓200至卸載晶圓200結束之期間、特別是從上述基板裝載步驟之開始將晶圓200放入晶舟217到基板卸載步驟之自晶舟217取出晶圓200之終止時期之期間。取出條件可設定為在根據一特定事件(例如在閥開啟後10秒取出監測資料)發生之特定期間內取出監測資料、自一特定事件發生開始，週期性地取出監測資料(例如加熱器206之開始電氣連接後每10秒取出監測資料)、在自一特定事件發生直到一特定數目之監測資料被獲取之一間隔內取出監測資料，或者在直到監測資料變成一特定值之間隔內取出監測資料。另，包含上述條件之任何組合之複數道步驟可被設定為取出條件。
一被控制器501執行之程式將敍述於以下本文。設定單元511、頻帶產生單元512、FDC監測單元513、計數顯示單元514及診斷單元515係使用由控制器501執行之程式及上述資料庫程式而加以實施。另，FDC監測單元513包含一比較單元516、一計數單元517及一判 定單元518。
設定單元511相對於頻帶產生單元512、FDC監測單元513及稍後敍述之診斷單元515，設定由來自輸入單元506之輸入(操控命令或類似者之輸入)所指定之頻帶管理。
頻帶產生單元512產生一使用於頻帶管理之頻帶，該頻帶管理係基於由設定單元511所設定之主資料以及一上限指定值和一下限指定值。於此處之用法，頻帶係指一藉由設定一代表主資料波形頻寬所決定之範圍。尤其是，頻帶係指一藉由指定一上限值及一下限值用以組成主資料之個別資料點數值所決定之範圍。
FDC監測單元513將由頻帶產生單元512所產生之頻帶與監測資料作比較，且當監測資料落在頻帶外超過一預定次數時，則FDC監測單元513判定監測資料為異常。另，FDC監測單元513係配置當監測資料被判定為異常時，以顯示異常之偵測於，例如，資料顯示單元505上。
FDC監測單元513計數落於頻帶外之偏差點(稍後敍述)，且計數顯示單元514將每次批次處理之偏差點之數目顯示在資料顯示單元505上。
診斷單元515藉由使用稍後敍述之異常診斷規則執行包含偏差點數目之統計診斷。另，當統計診斷顯示發現異常時，例如，則診斷單元515將配置以將異常之偵測顯示於資料顯示單元505上。
此外，於本實施例中，設定單元511、頻帶產生單 元512、FDC監測單元513、計數顯示單元514及診斷單元515係配置在群組管理裝置500內藉控制器501而加以實現，但這些元件也可配置成藉基板處理設備100之主控制器239而加以實現。然而，當主控制器239執行資料庫程式、設定程式、頻帶產生程式、FDC監測程式、計數顯示程式及診斷程式以實現設定單元511、頻帶產生單元512、FDC監測單元513、計數顯示單元514及診斷單元515時，一諸如資料庫或類似者之儲存單元也可被預備來處理大量的資料。再者，當基板處理設備100正被啟動或特定的處理(薄膜形成或類似者)在基板(晶圓等)上執行時，程式可以不被執行。
設定單元511、頻帶產生單元512、FDC監測單元513、計數顯示單元514及診斷單元515之每一單元將在以下本文敍述。
(設定單元)
設定單元511在資料顯示單元505上產生一設定螢幕且執行由來自相對於頻帶產生單元512、FDC監測單元513及診斷單元515之輸入單元506之輸入所指定的設定。
第5圖顯示由設定單元511產生之設定螢幕之範例。顯示於第5圖之設定螢幕600包含一用以指定何種規則(稍後敍述)由診斷單元515所執行之選擇框604、一用以指定監測資料之項目作為被FDC監測單元513所監測之監測目標之選擇框606、一相對於作為被FDC監測單元513所監測之監測目標之監測資料，以指定主資料 (稍後敍述)之選擇框608、一用以指定一檔案之主資料檔案選擇框618，該檔案中之主資料係依時序儲存在該檔案中、用以分別指定一上限指定值和一下限指定值以產生一頻帶(稍後敍述)之輸入框610和612、一用以確定設定已完成之按鈕614以及一用以取消設定之按鈕616。
於一些實施例中，設定螢幕600可包含諸如檢查框、選擇框、輸入框、按鈕或類似者之任何型式輸入，只要它能接收設定資訊。
當相對於設定螢幕600之輸入從輸入單元506被執行，控制器501將輸出一相應設定至頻帶產生單元512、FDC監測單元513及診斷單元515。
(頻帶產生單元)
頻帶產生單元512從資料庫503d讀取由設定螢幕600所設定之主資料檔案且相對於所讀取之以上限及下限指定值為基礎之主資料，加入一上限值及一下限值以產生一頻帶。此外，頻帶產生單元512將所產生之頻帶資料儲存於資料庫503d中。
第6圖係由頻帶產生單元512產生一頻帶之流程圖。此外，第7圖係顯示由頻帶產生單元512所產生之頻帶資料的範例。第7圖之範例顯示一案例，其中作為上限指定值之“+10”與作為下限指定值之“-5”係被指定給包含一串自md0至md30資料值之主資料。例如，主資料m0之上限指定值係md0+10且下限指定值則為md0-5。
由頻帶產生單元512所產生之頻帶產生流程將參考第6圖於以下本文而加以敍述。
於步驟100(S100)中，頻帶產生單元512讀取經由設定螢幕600所設定之上限及上限指定值。
於步驟102(S102)中，頻帶產生單元512相對於由設定螢幕600所設定之一主資料檔案，自資料庫503d讀取一主資料值。
於步驟104(S104)中，頻帶產生單元512相對於以所讀取之主資料及步驟100中所讀取之上限及下限指定值為基礎之主資料，產生一上限值及一下限值。於本實施例中，上限指定值(於本實施例為”+10”)及下限指定值(於本實施例為”-5”)被分別加入主資料值，以產生上限值及下限值。
於步驟106(S106)中，頻帶產生單元512檢查在資料庫503d中是否可取得與指定主資料相關之下一個主資料值，且如果可取得下一個主資料值，則流程回到步驟102以繼續產生後續之頻帶。另一方面，如果無法取得下一個主資料值，則終止頻帶產生流程。
如第7圖所示，主資料之每一主資料值之上限值及下限值被產生，且藉上限值及下限值決定之頻寬被設定成為頻帶。
(FDC監測單元)
包含比較單元516、計數單元517及判定單元518之FDC監測單元513係比較由設定螢幕600所設定之監 測資料及相對於作為監測資料之一判定基準之主資料而產生之頻帶，藉此執行監測。於一實施例中，頻帶產生單元512亦可構成為被包含在FDC監測單元513中。
比較單元516判定監測資料在組成主資料之資料點之一間隔(例如；1秒)是否落到頻帶外且將比較結果儲存於資料庫503d。比較單元516重複地比較主資料之資料點和頻帶直到指定的監測資料已無法再取得，而不管落在頻帶外之資料點數目。
當設定監測資料之所有資料點與頻帶藉由比較單元516比較完畢時，計數單元517以儲存在資料庫503d之比較結果為基礎，計數落在頻帶外之資料點總數。又，計數單元517將相關資料儲存於資料庫503d中，該相關資料係藉由使資料點之已計數數目與對應於主資料(主資料之上限值與下限值)之監測資料值、主資料值及頻帶有關聯而產生。
第8圖係顯示由FDC監測單元513儲存之範例比較結果。圖示於第8圖之範例，作為監測資料值之”data8”係小於頻帶之下限值”(md8)-5”。因此，FDC監測單元513判定監測資料值”data8”為一落在頻帶外之資料點(判定為NG)。圖示於第8圖之範例中，僅監測值”data8”落在頻帶外，且因此計數單元517輸出”1”作為落在頻帶外之總點數。
當由計數單元517所計數之計數值超過一預定值，則判定單元518判定監測資料為異常，然而當計數值小於該預定值時，則判定單元518判定監測資料為非異常 (正常)。
第9A及9B圖係圖示由FDC監測單元513所執行監測處理之圖形。於第9A及9B圖中，實線係顯示自膜形成步驟獲取之監測資料波形圖，横軸為時間，且縱軸為監測資料值。再者，為對應於薄膜形成步驟之監測資料之主資料所設定之頻帶係以點狀帶區域顯示。
圖示於第9A及9B圖之範例中，FDC監測單元513係例如，在1秒之間隔時，比較監測資料及頻帶(圖中以虛線表示)。當由計數監測資料中之落於頻帶外之資料點數目而決定之計數值等於或大於一例如”2”之預定值時，FDC監測單元513判定監測資料為異常。
第9A圖係顯示在從膜形成步驟開始到其終止之期間內落在頻帶外之資料點數目為1之圖形(“1”係以一垂直實心箭號顯示)。尤其是，圖示於第9A圖之範例中，根據在一預定間隔(本範例為1秒)取自膜形成步驟之監測資料與頻帶(以基於作為監測資料之一判定參考之主資料為基準而產生)之比較，一代表落在頻帶外之監測資料之已計數數目之數值為1，其係小於作為一預定數目之2，且因此FDC監測單元513判定監測資料為正常。
再者，第9B圖係顯示在從膜形成步驟開始到其終止之期間內落在頻帶外之資料點數目為3之圖形(“3”係以垂直實心線箭號顯示)。尤其是，圖示於第9B圖之範例中，根據在一預定間隔(本範例為1秒)取自膜形成步驟之監測資料與頻帶(以基於作為監測資料之一判定參考之主資料為基準而產生)之比較，一代表落在頻帶外之 監測資料之已計數數目之數值為3，其係大於作為一預定數目之2，且因此FDC監測單元513判定監測資料為異常。
第10圖係圖示由FDC監測單元513監測之流程之流程圖。FDC監測單元513之監測流程將參考第10圖於以下本文加以敍述。如果頻帶產生單元512係被包含在FDC監測單元513內，則在步驟200(S200)之獲取監測資料前可增加一讀取頻帶資料之步驟。因為頻帶資料已於前文敍述，有關其重複之解釋將被省略。
於步驟200(S200)中，相對於監測資料，而該監測資料係對應於作為一被設定螢幕600設定為監測目標之項目，比較單元516係自資料庫503d讀取監測資料值。
於步驟202(S202)中，藉由使用以基於作為一參考之主資料為基準而產生的頻帶，比較單元516比較步驟200(S200)中所獲取之監測資料值與頻帶，而該基準係用以判定監測資料為一監測目標。尤其是，比較單元516係判定監測資料值是否超過頻帶之上限值或下限值。
根據比較的結果，如果監測資料值係落在頻帶範圍內，意即，如果監測資料值係等於或小於上限值且係等於或大於下限值，則流程進入步驟204(S204)。另一方面，根據比較的結果，如果監測資料值係落在頻帶外，意即，如果監測資料值係超過上限值或小於下限值，則流程進入步驟206(S206)。
於步驟204(S204)中，比較單元516判定於步驟200(S200)獲取之監測資料值為一正常點，且將比較結果 (“OK”)儲存於資料庫503d中。
另一方面，於步驟206(S206)中，比較單元516判定於步驟200(S200)獲取之監測資料值為一落在頻帶外之異常點，且將比較結果(“NG”)儲存於資料庫503d中。
於步驟208(S208)中，比較單元516檢查作為監測資料之下個資料點是否可自資料庫503d取得，且如果下個資料點可取得，則流程進入步驟200(S200)。否則，如果作為監測資料之下個資料點無法自資料庫503d取得，則流程進入步驟210(S210)。
於步驟210(S210)中，計數單元517基於儲存於資料庫503d中之比較結果，計數被判定為於步驟206(S206)中落在頻帶外之點數目。
於步驟212(S212)中，判定單元518將步驟210(S210)中所計數之計數值與一作為預定數目之閾值相比較。如果計數值小於閾值，則流程進入步驟214(S214)。否則，如果計數值超過閾值，則流程進入步驟216(S216)。
於步驟214(S214)中，判定單元518判定監測資料為正常且終止監測資料之監測。
於步驟216(S216)中，判定單元518判定監測資料為異常，將該異常之偵測顯示在資料顯示單元505上，且終止監測資料之監測。
以下為比較例之敍述，其作為另一與本實施例相比較之範例。第11圖係解釋比較例監測之圖形。第11圖，與第9A及9B圖類似，實線顯示代表取自膜形成步驟之監測資料之波形，横軸表示時間，縱軸表示監測資料值。 再者，為對應於膜形成步驟之主資料所設定之頻帶係以點狀帶區域顯示。
在比較例中，如果監測資料之一資料點係落在頻帶外，則監測資料被判定為異常且任一後續判定步驟均不執行。圖示於第11圖之範例中，在時間T4監測資料之資料點具有一落在頻帶外之數值。因此，在比較例中，雖然僅資料點在時間T4時落在頻帶外，但根據在時間T4數值之比較結果，監測資料判定為異常且任何在時間T5之後的判定步驟不再執行。
以此方式，在比較例中，即使僅有一個點落在頻帶外，監測資料也會被判定為異常。因此，任何在監測資料中之瞬間雜訊或過衝也可被判定為異常，且因此無法適當地管理頻帶。相反地，根據本實施例之FDC監測單元513對包含瞬間雜訊或過衝的處理監測資料執行頻帶管理。
(計數顯示單元)
計數顯示單元514以基於儲存在資料庫503d之上述相關資料為基準，將每一批次落在頻帶外之資料點數目(計數值)顯示在資料顯示單元505上。
再者，相對於顯示於資料顯示單元505之每一批次落在頻帶外之資料點數目，欲被顯示之批次數目可藉自輸入單元506的一輸入(一操控命令之輸入等)加以指定。於此情況，計數顯示單元514基於儲存在資料庫503d之上述相關資料，將監測資料及對應於所指定批次數目之頻帶顯示在資料顯示單元505上。如果多個批次被指 定，則監測資料及對應於這些指定批次數目之頻帶被顯示。此外，當批次數目被指定時，主資料也可被顯示，且/或監測資料、頻帶和主資料之任一樣也可被顯示。
第12A圖係顯示由計數顯示單元514所顯示在所有批次中落在頻帶外之資料點數目之範例圖形，且第12B圖係顯示當在第二及第四批次落在頻帶外之資料點數目被指定顯示於如第12A圖所指示之圖形時，由計數顯示單元514所顯示之範例圖形。
在圖示於第12A圖之範例中，計數顯示單元514顯示一圖形，其中横軸為批次數目且縱軸係基於儲存在資料庫503d之相關資料所判定為落在頻帶外之資料點數目。
在圖示於第12B圖之範例中，計數顯示單元514顯示第二及第四批次之監測資料和頻帶。在圖示於第12B圖之範例中，横軸為時間且縱軸為監測資料之資料值。此外，監測資料及由比較單元516比較頻帶和監測資料之結果也被顯示。第12B圖中之圖形，圖中之實線表示第二批次之監測資料且虛線表示第四批次之監測資料。另，在圖中，頻帶係以點狀帶區域表示。
又如第12B圖所示，當頻帶及監測資料被顯示，可以以視覺判定是否監測資料具有連續落在頻帶外的資料點或間歇突然落在頻帶外的資料點。
(診斷單元)
診斷單元515根據由設定螢幕600所設定之異常診斷規則(稍後敍述)，執行包含落在頻帶外之資料點數目 之統計診斷。
診斷單元515係獲取在每個批次時落在頻帶外之資料點數目(計數值)，其係基於由計數單元517所儲存於資料庫503d之上述相關資料而判定，且使用統計處理控制(statistical process control,SPC)診斷在每個批次時落在頻帶外之資料點數目。
異常診斷規則係儲存於資料庫503d，且診斷係使用由設定螢幕600所設定之異常診斷規則來執行。由設定螢幕600所設定之異常診斷規則可包含一條或多條異常診斷規則。診斷單元515係診斷包含在每一批次時落在頻帶外之資料點數目之統計是否滿足由設定螢幕600所設定之每條異常診斷規則。
舉例而言，一根據JIS Z9021標準而定義之規則可以被使用作為異常診斷規則。複數條異常診斷規則包含，例如以“一個資料點超過一預定上限”為第一規則、以“9個資料點小於一預定值”為第二規則及以“6個資料點連續增加”為第三規則，該複數條異常診斷規則係儲存在資料庫503d。
診斷單元515係檢查包含在如第12A圖所示之每一批次時落在頻帶外之資料點數目資料是否滿足異常診斷規則。如果資料滿足異常診斷規則，則診斷單元515產生一指示資料係異常之診斷結果，且將診斷結果顯示在資料顯示單元505上。
接著，將敍述本發明之第二實施例。本實施例與第一實施具有相同的配置，除了第二實施例包含FDC監測 單元519而非FDC監測單元513。
FDC監測單元519具有如FDC監測單元513之相同配置，除了它包含比較單元520而非比較單元516外。比較單元520與比較單元516不同之處在於比較單元520具有一時間軸調整功能及一資料點數目調整功能。
以下本文將敍述時間軸調整功能。當比較單元520自聯絡控制器504接收到一指示一對應於作為監測目標之監測資料之事件發生之”事件偵測通知”時，比較單元520開始比較作為監測目標之監測資料與儲存於資料庫503d之頻帶。
當例如獲取自膜形成步驟之監測資料之監測，根據第一實施例係由FDC監測單元513所執行時，例如較膜形成步驟早執行之基板裝載步驟(基板裝載步驟之終止時間)之時序可被變更。在此情況中，比較獲取自膜形成步驟之監測資料之第一資料點與由基於對應主資料之第一資料點所決定之頻帶可能是不適當的。此外，由比較單元516所獲得之比較結果可能指示出所有資料點被判定為落在頻帶外，因此無法適當地管理頻帶。
因這理由，根據第二實施例，當FDC監測單元519之比較單元520自聯絡控制器504接收到”事件偵測通知”以比較監測資料和頻帶時，比較之開始時間係被調整，使得落在頻帶外資料點之無效偵測可被抑制。
接著，將敍述資料點數目調整功能。當比較單元520比較監測資料之資料點和頻帶之資料點時，如果沒有來自監測資料之資料點可與來自頻帶之對應資料點相比 較，則比較單元520不會執行比較。
當對應所獲取監測資料之一資料點之主資料之頻帶存在於資料庫503d時，比較單元520執行比較，或相反地，比較單元520不執行比較。換言之，如果沿著組成監測資料之資料點中之第N個(N是自然數)資料點及沿著組成主資料之資料點中之第N個資料點均可用於比較，則比較單元520將執行比較。
再者，當”事件終止通知”自聯絡控制器504被接收時，比較單元520將終止比較，即使對應於主資料之每一資料點之頻帶之比較尚未完成。
如果膜形成步驟被重複執行，根據膜形成步驟之處理，一附著物將沉積在一部件(例如一反應管或類似者)上，因此改變處理室內之溫度。在此情況下，執行膜形成步驟之時間可以被調整。
例如，執行膜形成步驟之時間可與當已取得主資料時之膜形成步驟時間相比較。結果，若判定用以執行膜形成步驟之時間經由上述之調整而加長，則根據第一實施例，當膜形成步驟之監測資料之監測係由FDC監測單元513所執行時，可能沒有更多的資料點可供比較。在此情況下，落在頻帶外之資料點之計數數目可能是重要的。這是肇因於，例如，當執行膜形成步驟之時間被加長時，作為在監測資料末端或在主資料末端之比較目標之資料點喪失之故。
第13圖係顯示主資料中之資料點數目小於監測資料中之資料點數目之圖形。如第13圖所示，在時間Tm 以後，在主資料中已經沒有資料點。在此情況下，無法比較頻帶和監測資料。然而，根據第一實施例，FDC監測單元513之比較單元516將執行比較直到監測資料之最後一個資料點且判定在監測資料中計有7個資料點係落於頻帶之外。
另一方面，根據第二實施例，FDC監測單元519之比較單元520在時間Tm之後將不會執行資料點之比較且判定在監測資料中計有3個資料點係落於頻帶之外。藉此，如果在監測資料中之資料點數目與主資料中之資料點數目不符，則不具有比較目標且落在頻帶外之資料點可被丟棄。
比較單元520可具有上述之時間軸調整功能和資料點數目調整功能之一者。此外，是否使用時間軸調整功能及/或資料點數目調整功能可透過稍後敍述之設定螢幕620加以設定。
第14圖係顯示根據第二實施例由設定單元511所配置之設定螢幕範例之平面視圖。類似圖示於第5圖之設定螢幕600，示於第14圖之設定螢幕620包含一選擇框604、一選擇框606、一選擇框608、一輸入框610、一輸入框612、一按鈕614、一按鈕616及一選擇框618。此外，設定螢幕620具有一檢查框622，該檢查框622係用以設定是否允許比較單元520計數沒有比較目標且作為落在頻帶外之資料點(稱為不足資料點)數目。
計數作為落在頻帶外之不足資料點數目意謂著，當監測資料中之資料點數目與主資料中之資料點數目不符 時，或者當作為比較目標之監測資料中之資料點或主資料中之資料點不夠時，不足資料點可被判定為落在頻帶外之資料點而不需依賴上述之資料點數目調整功能。
此外，類似於設定螢幕600，設定螢幕620可接收使用包含，但不受限於，檢查框、選擇框、輸入框、按鈕及類似者之不同界面方法之設定。
第15圖係圖示由FDC監測單元519所監測之監測流程之流程圖。由FDC監測單元519所監測之監測流程將參考第15圖於以下本文加以敍述。於此實施例中，如果FDC監測單元519配置以包含頻帶產生單元512，類似於第一實施例，一讀取頻帶資料之步驟可加在步驟300(S300)之前。
於步驟300(S300)中，比較單元520等待直到來自聯絡控制器504之”事件偵測通知”被接收到，該”事件偵測通知”係對應於由設定單元511所設定作為監測目標之項目之監測資料。當比較單元520接收到”事件偵測通知”，流程進入步驟302(S302)。
於步驟302(S302)中，比較單元520獲取由設定單元511所設定作為監測目標之項目之監測資料。
於步驟304(S304)中，比較單元520檢查是否有對應於獲取自步驟302(S302)監測資料之資料點的主資料資料點，意即，是否有一對應於監測資料資料點之頻帶。如果對應之頻帶被發現，則流程進入步驟306(S306)，或相反地，流程進入步驟312(S312)。
於步驟306(S306)中，藉由使用基於主資料而產生 的頻帶，且該主資料係對應於作為一監測目標之監測資料，比較單元520比較獲取自步驟302(S302)之監測資料值和頻帶。尤其是，比較單元520判定監測資料值是否落於設定成頻帶之上限值或下限值之外。
根據比較結果，如果監測資料值係落於頻帶範圍內，意即，如果監測資料值等於或小於上限值且等於或大於下限，則流程進入步驟308(S308)。同時，如果比較結果指出監測資料值不落於頻帶範圍內，意即，如果監測資料值超過上限值或小於下限值，則流程進入步驟310(S310)。
於步驟308(S308)中，比較單元520判定獲取自步驟302(S302)之監測資料值為一正常點，且將比較結果(“OK”)儲存於資料庫503d。流程進入步驟314(S314)。
另一方面，比較單元520判定獲取自步驟302(S302)之監測資料值為一落於頻帶外之異常點，且將比較結果(“NG”)儲存於資料庫503d。流程進入步驟314(S314)。
於步驟312(S312)中，比較單元520檢查不足點是否已經由設定單元511所設定而被判定為一落於頻帶外的資料點。如果不足點已被判定為是落於頻帶外之點，則流程進入步驟310(S310)，其不足點被判定為是落在頻帶外之點。否則，當不足點尚未被判定為是落入頻帶外之點，則流程進入步驟314(S314)。
於步驟314(S314)中，比較單元520檢查是否來自聯絡控制器504之”事件終止通知”已被接收到。如果”事件終止通知”已被接收到，則流程進入步驟316(S316)， 否則，流程進入步驟302(S302)以獲取下一個監測資料之資料點值。
於步驟316(S316)中，計數單元517計數基於儲存在資料庫503d中之比較結果而於步驟310(S310)被判定為落在頻帶外點之數目。
於步驟318(S318)中，判定單元518比較在步驟316中所計數之計數值與作為一預定數目之閾值。當計數值小於閾值時，流程進入步驟320(S320)，而當計數值超過閾值時，流程進入步驟322(S322)。
於步驟320(S320)中，判定單元518判定監測資料係正常且終止監測資料之監測。
於步驟322(S322)中，判定單元518判定監測資料係異常，將異常之偵測顯示於資料顯示單元505上，且終止監測資料之監測。
接著將敍述本發明之第三實施例。本實施例除了第一實施例中之配置以外尚包含一修正單元521。
由控制器501所執行之程式除了資料庫程式以外尚包含頻帶產生單元512、設定單元511、FDC監測單元513、計數顯示單元514、診斷單元515及修正單元521。
(修正單元)
修正單元521係基於藉FDC監測單元513所儲存於資料庫503d之比較結果而執行頻寬之修正。
圖示於第一實施例之第12B圖範例，第二批次之監測資料和第四批次之監測資料均在時間T6時落在頻帶外。
就其本身而論，如果在所有批次中在同樣時間點獲取之資料點係時常落在頻帶外，則假設作為此頻帶之基礎資料之主資料係不恰當或者假設如此之時序指出一監測資料會長期地抖動之間隔。
於本實施例中，對於在所有批次中會產生大量落在頻帶外之資料點數目之間隔，頻寬將被加寬以減少落入頻帶外資料點數目之錯誤偵測，藉此加強異常偵測之可靠度。
第16圖係解釋由修正單元521執行之頻寬修正之視圖。
首先，修正單元521讀取由資料庫503d執行之批次處理之最後比較結果，且基於讀取比較結果指定評估值給組成主資料之個別資料點。
如果組成主資料之第N個(N是自然數)資料點之比較結果為落在頻帶外之點(NG)，則修正單元521指定1作為評估值分別給第(N-2)個資料點、第(N-1)個資料點、第N個資料點、第(N+1)個資料點及第(N+2)個資料點。評估值之指定係根據比較結果針對每個落在頻帶外之資料點而加以執行，且針對對應之資料點對已指定評估值加以總和。
此外，於上述敍述，評估值被指定於落在頻帶外之資料點以及其前面兩點及其後面兩點。在一些實施例中，評估值可僅被指定於落在頻帶外之資料點或指定於其前面及其後面之一點或三點或多點。
修正單元521也指定評估值給關於以上述相同方式 之已完成批次處理之比較結果，且將組成針對預定批次數目之主資料之每個資料點之評估值加以總和。
修正單元521針對評估值總和超過一預定閾值之資料點執行頻寬修正。
第17圖顯示根據本發明之第三實施例由設定單元511所配置之設定螢幕之範例。類似於圖示於第5圖之設定螢幕600，圖示於第17圖之設定螢幕640包含一選擇框604、一選擇框606、一選擇框608、一輸入框610、一輸入框612、一按鈕614、一按鈕616及一選擇框618。
此外，設定螢幕640包含一用以設定是否執行由修正單元521所進行之修正之檢查框642、一用以接收閾值以判定是否當每批次評估值總和超過一預定值時，修正頻寬之輸入框644、一用以接收當進行修正時，多少頻帶之上限值將被增加之輸入框646及一用以接收當進行修正時，多少頻帶之下限值將被減少之輸入框648。
再者，類似於設定螢幕600，設定螢幕640可接受使用包含，但不受限於，檢查框、選擇框、輸入框、按鈕及類似者之不同方法之設定。
例如，當來自於輸入單元506之輸入相對於設定螢幕640被執行時，控制器501將輸入設定資訊輸出至頻帶產生單元512、FDC監測單元513、診斷單元515及修正單元521。
第18圖係圖示由修正單元521所執行之頻寬修正之流程圖。由修正單元521所執行之頻寬修正之流程將參考第18圖於以下本文敍述。
於步驟400(S400)中，修正單元521自資料庫503d讀取最後執行之批次處理之比較結果。
於步驟402(S402)中，修正單元521指定一評估值給被判定為落於頻帶外之資料點，上述之該判定係根據讀取於步驟400(S400)之比較結果和該資料點之前面及後面之一預定數目之資料點之比較結果。
於步驟404(S404)中，修正單元521檢查步驟402(S402)中之評估值指定相對於前面M個批次處理之比較結果是否已被執行，其中M為批次處理之一預定數目。如果步驟402(S402)中之評估值指定相對於前面M個批次處理之比較結果已被執行，則流程進入步驟406(S406)。否則，如果步驟402(S402)中之評估值指定相對於前面M個批次處理之比較結果尚未被執行，則流程回到步驟400(S400)，且前面一個批次處理之比較結果以相同的方式讀取。
於步驟406(S406)中，修正單元521將對組成主資料之每個資料點之評估值加總以計算出M個批次之總和值。
於步驟408(S408)中，修正單元521修正一資料點之頻寬，且終止修正流程，對於該資料點而言，步驟406(S406)計算出之總和值係超過由設定螢幕640基於設定螢幕640所設定之指定值而設定之閾值。
修正單元521基於已完成之批次處理之結果自動地調整頻寬。藉此，相較於沒有修正單元521之案例，設有修正單元521可減少操作者的勞力並改善異常偵測之 準確度。
第三實施例被叙述具有第一實施例之配置外，尚包含修正單元521，但上述之修正單元521也可加入第二實施例中。
此外，於上述敍述中，膜形成步驟中之監測資料已以範例之方式加以敍述，但第一、第二及第三實施例均不受限於膜形成步驟中之監測資料且可應用於相對於任何事件之監測資料。
再者，沒有必要將管理裝置放置在與基板處理設備相同的樓板(無塵室)，且可被放置在，例如，辦公室中以區域網路(LAN)加以連接。此外，管理裝置中，儲存單元(資料庫)、控制器、輸入單元及資料顯示單元沒有必要整合，但可彼此分開配置以藉由設置在辦公室之輸入單元(終端裝置)遠距地解釋設置在無塵室之資料庫中之資料。
於一些實施例中，用以處理例如LCD裝置之玻璃基板之裝置和半導體製造設備可使用作為基板處理設備。此外，同樣地，蝕刻裝置、曝光裝置、黃光裝置、塗佈裝置、成模裝置、顯影裝置、切割裝置、打線裝置、檢測裝置、或類似者均可使用作為基板處理設備。
此外，膜形成處理包含，例如CVD、PVD、ALD、Epi，用以形成氧化物薄膜或氮化物薄膜之處理、用以形成包含金屬之薄膜之處理，及類似者。再者，膜形成處理可包含諸如退火、氧化、擴散和類似者之處理。
當本發明之揭示已相對於特定實施例被顯示及敍述 時，本發明所屬技術領域中具有通常知識者應當瞭解，本發明係不受限於上述之揭示，但可在不偏離本發明揭示之要旨下作不同的改變。
本發明揭示之特徵事項敍述於申請專利範圍中，但以下事項被加入作為本發明揭示之其他觀點。
(1)一管理裝置，其中設定單元顯示一用以接收作為判定目標之量測資料之項目、基準資料及上限和下限值之設定螢幕。
(2)一管理裝置，其中當組成對應於由設定單元所設定之項目之量測資料之資料點和組成由設定單元所設定之基準資料之資料點均存在時，則計數單元計數超過上下限值之資料點數目。
(3)一管理裝置，其中該計數單元比較儲存於該量測資料儲存單元之該量測資料當中對應於組成該基準資料之一第一資料點之一資料點，以作為該項目之該量測資料之一第一資料點，且計數超過該上限及下限值之資料點數目，該基準資料和該項目係由該設定單元所設定。
(4)一管理裝置，包含一診斷單元，該診斷單元係配置用以在一資料串流(stream of data)滿足一預定規則時，診斷儲存在該量測資料儲存單元之該量測資料中由計數單元所計數之該量測資料係異常，該資料串流包括針對由該基板處理設備執行之各別處理而被該計數單元所計數之該計數數目。
(5)一管理裝置，包含一修正單元，該修正單元係配置用以修正在組成由該設定單元所設定之該基準資料之 複數個資料點中的一資料點之上限及下限值，該資料點之對應於由該設定單元所設定之該項目之該量測資料係在由該基板處理設備所執行之複數個處理的整個期間，超過該基準資料之該上限及下限值一預定次數。
(6)一種資料分析方法包含：儲存傳送自一基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板；設定在一預定量測範圍內之該量測資料之一項目，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；計數對應於該項目之該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數；以及當該計數數目超過一預定值時，判定該量測資料係異常。
(7)一包含一管理裝置之基板處理設備，該管理裝置包含：一用以處理一基板之基板處理設備；一量測資料儲存單元，該量測資料儲存單元係配置用以儲存傳送自該基板處理設備之量測資料；一設定單元，該設定單元係配置用以將儲存在該量資料儲存單元內之該量測資料當中之該量測資料之一項目設定為一判定目標，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；一計數單元，該計數單元係配置用以計數對應於該項目之該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數，該項目及該基準資料係由該設定單元所設定；以及一判定單元，該判定單元係配置用以當由該計數單元所計數的該數目超過一預定值時，判定目標量測資料為異常。
根據在一些實施例中之本發明揭示，即在資料具有瞬間雜訊或過衝時，本發明有可能高可靠性地執行資料管理。
當特定實施例已被敍述，這些實施例係僅以範例之方法呈現，且非意圖去限制揭示之範圍。確實地，於此敍述之新穎方法和設備可以不同之其他態樣實施；此外，敍述於此之實施例在形式上之不同的省略、替代及改變可在不偏離本發明揭示之精神下被製作出來。所附之申請專利範圍及其等效物係意圖包括落在本發明揭示之精神及範圍內之樣式及修飾。
100‧‧‧基板處理設備
103‧‧‧前方維修入口
104‧‧‧前方維修門
105‧‧‧旋轉晶圓容器架
110‧‧‧晶圓容器
111‧‧‧主體
111a‧‧‧前壁
112‧‧‧晶圓容器裝載/卸載埠
113‧‧‧前擋板
114‧‧‧桿埠
115‧‧‧晶舟升降機
116‧‧‧支持柱
117‧‧‧架板
118‧‧‧晶圓容器輸送裝置
118a‧‧‧晶圓容器升降機
118b‧‧‧晶圓容器輸送機構
119‧‧‧次主體
119a‧‧‧前壁
120‧‧‧晶圓裝載/卸載埠
121‧‧‧晶圓容器開啟器
122‧‧‧承載桌
123‧‧‧拆裝蓋附裝/卸下機構
124‧‧‧移轉室
125‧‧‧晶圓移轉機構
125a‧‧‧晶圓移轉裝置
125b‧‧‧晶圓移轉裝置升降機
125c‧‧‧鑷子
126‧‧‧等候區
128‧‧‧機械臂
133‧‧‧乾淨空氣
134‧‧‧清潔單元
147‧‧‧爐管埠擋板
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐管
203‧‧‧處理管
204‧‧‧內管
205‧‧‧外管
206‧‧‧加熱器
209‧‧‧歧管
216‧‧‧絕緣板
217‧‧‧晶舟
219‧‧‧密封蓋
220a‧‧‧O型環
220b‧‧‧O型環
230‧‧‧噴嘴
231‧‧‧排氣管
232‧‧‧氣體供應管
235‧‧‧氣體流率控制器
236‧‧‧壓力控制器
237‧‧‧溫度控制器
238‧‧‧輸送控制器
238a‧‧‧機構輸出/輸入
239‧‧‧顯示裝置控制器
239a‧‧‧處理控制器
239b‧‧‧聯絡控制制器
239e‧‧‧資料維護單元
240‧‧‧基板處理設備控制器
240a‧‧‧資料顯示單元
240b‧‧‧輸入單元
241‧‧‧質量流量控制器
242‧‧‧自動壓力控制器
245‧‧‧壓力感測器
246‧‧‧真空泵
250‧‧‧圓柱空間
251‧‧‧加熱器底部
254‧‧‧旋轉機構
255‧‧‧旋轉桿
263‧‧‧溫度感測器
400‧‧‧網路
500‧‧‧群組管理裝置
501‧‧‧控制器
502‧‧‧共享記憶區
503‧‧‧儲存單元
503d‧‧‧資料庫
504‧‧‧聯絡控制器
505‧‧‧資料顯示單元
506‧‧‧輸入單元
511‧‧‧設定單元
512‧‧‧頻帶產生單元
513‧‧‧FDC監測單元
514‧‧‧計數顯示單元
515‧‧‧診斷單元
516‧‧‧比較單元
517‧‧‧計數單元
518‧‧‧判定單元
519‧‧‧FDC監測單元
520‧‧‧比較單元
521‧‧‧修正單元
600‧‧‧設定螢幕
604‧‧‧選擇框
606‧‧‧選擇框
608‧‧‧選擇框
610‧‧‧輸入框
612‧‧‧輸入框
614‧‧‧按鈕
616‧‧‧按鈕
618‧‧‧主資料檔案選擇框
620‧‧‧設定螢幕
622‧‧‧檢查框
640‧‧‧設定螢幕
642‧‧‧檢查框
644‧‧‧輸入框
646‧‧‧輸入框
648‧‧‧輸入框
第1圖係根據本發明之第一實施例之基板處理設備之視圖。
第2圖係根據本發明之第一實施例之基板處理設備之側截面視圖。
第3圖係根據本發明之第一實施例之基板處理設備之處理爐管之垂直截面視圖。
第4圖係根據本發明之第一實施例之基板處理系統之方塊圖。
第5圖係顯示由設定單元511所配置之設定螢幕之範例之平面圖。
第6圖係由頻帶產生單元產生頻帶之流程流程圖。
第7圖係顯示由頻帶產生單元產生之頻帶範例表格。
第8圖係顯示由FDC監測單元儲存於資料庫之比較 結果表格。
第9A及9B圖係解釋由FDC監測單元監測之圖形，其中第9A圖顯示監測資料落於頻帶外之次數為1之案例圖形，且第9B圖顯示監測資料落於頻帶外之次數為3之案例圖形。
第10圖係圖示由FDC監測單元監測之流程之流程圖。
第11圖係解釋由比較例監測之圖形。
第12A圖係顯示由計數顯示單元所指出於每個批次中落在頻帶外之資料點數目之範例圖形，且第12B圖係顯示當落於頻帶外之資料點被指定於顯示於第12A圖之圖形時，由計數顯示單元所顯示之範例圖形。
第13圖係顯示主資料之資料點數目小於監測資料之資料點數目之案例圖形。
第14圖係顯示根據本發明之第二實施例由設定單元所配置之設定螢幕範例之平面視圖。
第15圖係圖示由FDC監測單元所監測之監測流程之流程圖。
第16圖係解釋由修正單元執行之頻寬修正之視圖。
第17圖係顯示根據本發明之第三實施例由設定單元所配置之設定螢幕範例之平面視圖。
第18圖係圖示由修正單元所執行之頻寬修正之流程圖。
S200‧‧‧步驟
S202‧‧‧步驟
S204‧‧‧步驟
S206‧‧‧步驟
S208‧‧‧步驟
S210‧‧‧步驟
S212‧‧‧步驟
S214‧‧‧步驟
S216‧‧‧步驟

Claims (13)

  1. 一種管理裝置，包含：一量測資料儲存單元，該量測資料儲存單元係配置用以儲存傳送自一基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板；一設定單元，該設定單元係配置用以將儲存在該量測資料儲存單元內之該量測資料當中處於該基板處理設備之運轉狀態之該量測資料之一項目設定為一判定目標，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；一比較單元，該比較單元係配置用以重複地將該量測資料的複數個資料點與一頻帶比較直到由該設定單元所設置的該量測資料無效，該頻帶係由構成該基準資料的複數個資料點的間隔上對於該基準資料增加該上限及下限值所產生；一計數單元，當該比較單元結束該量測資料的該等資料點與該頻帶的比較時，該計數單元係配置用以計數該量測資料數值超過該頻帶之時間的數目；以及一判定單元，該判定單元係配置用以當由該計數單元所計數的該計數數目超過一預定值時，判定作為該判定目標之該量測資料係異常。
  2. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其更包含：一相關儲存單元，該相關儲存單元係配置用以儲存對應於由該設定單元所設定之該項目之該量測資 料，將該基準資料儲存成該量測資料之一判定基準，儲存相對於該基準資料之該上限及下限值，且儲存由該計數單元藉由將它們關連成相關資料所計數之該計數數目；以及一顯示單元，該顯示單元係配置用以顯示相對於儲存在該相關儲存單元內之該計數數目，由該基板處理設備所執行之各別處理之計數數目。
  3. 如申請專利範圍第2項之管理裝置，其中該顯示單元係回應針對由該基板處理設備執行之各別處理之被顯示計數數目當中的被指定的至少一個計數數目，額外地顯示儲存於該相關儲存單元中之至少該量測資料，該相關儲存單元係與該被指定的至少一個計數數目相關。
  4. 如申請專利範圍第2項之管理裝置，其中該顯示單元係顯示一設定畫面、該基準資料以及該上限及下限值，該設定畫面用以接收該量測資料之該項目之一指定。
  5. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其中當由與該設定單元所設定的量測資料項目相對應之量測資料所組成之一資料點，及由該設定單元所設定之基準資料所組成之一資料點均存在時，該計數單元即計數超過該上限及下限值之資料點的數目。
  6. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其中該計數單元比較儲存於該量測資料儲存單元之該量測資料當中對應於組成該基準資料之一第一資料點之一資料點，以 作為該項目之該量測資料之一第一資料點，且計數超過該上限及下限值之資料點數目，該基準資料和該項目係由該設定單元所設定。
  7. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其更包含一診斷單元，該診斷單元係配置用以在一資料串流滿足一預定規則時，診斷儲存在該量測資料儲存單元之該量測資料中由該計數單元所計數之該量測資料為異常，該資料串流包括針對由該基板處理設備執行之各別處理而被該計數單元所計數之該計數數目。
  8. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其更包含一修正單元，該修正單元係配置用以修正在組成由該設定單元所設定之該基準資料之複數個資料點中的一資料點之上限及下限值，該資料點之對應於由該設定單元所設定之該項目之該量測資料係在由該基板處理設備所執行之複數個處理的整個期間，超過該基準資料之該上限及下限值一預定次數。
  9. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其中在執行一處理配方時，該量測資料儲存單元在執行薄膜形成步驟的開始到執行薄膜形成步驟結束的期間儲存自該基板處理設備所傳送的該量測資料，該處理配方至少包含基板裝載步驟、薄膜形成步驟及基板卸載步驟。
  10. 如申請專利範圍第1項之管理裝置，其中由該比較單元將該量測資料的該等資料點與該頻帶做比較，係根據一特定事件資訊開始及結束。
  11. 一種基板處理系統，包含如申請專利範圍第1項之管 理裝置及連接至該管理裝置之一基板處理設備。
  12. 一種一基板處理設備之資料分析方法，該方法包含：儲存傳送自該基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板；設定在該量測資料中作為一判定目標之該量測資料之一項目，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值；重複地比較該量測資料的複數個資料點與一頻帶直到由該設定單元所設置的該量測資料無效，該頻帶係由構成該基準資料的複數個資料點的間隔上對於該基準資料增加該上限及下限值所產生；計數當結束該量測資料的該等資料點與該頻帶的比較時，該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數；以及當該計數數目超過一預定值時，判定作為該判定目標的該量測資料係異常。
  13. 一種電腦可讀取記錄媒體，在該電腦可讀取記錄媒體上係儲存一資料監測程式，該資料監測程式係用以監測傳送自一基板處理設備之量測資料，該基板處理設備係用以處理一基板，該執行一程序的程式包含：設定在一預定量測範圍內的該量測資料中作為一判定目標之該量測資料之一項目，將基準資料設定為一對應於該項目之該量測資料之判定基準，且設定相對於該基準資料之上限及下限值； 重複地比較該量測資料的複數個資料點與一頻帶直到由該設定單元所設置的該量測資料無效，該頻帶係由構成該基準資料的複數個資料點的間隔上對於該基準資料增加該上限及下限值所產生；計數當結束該量測資料的該等資料點與該頻帶的比較時，該量測資料數值超過相對於該基準資料之該上限及下限值之次數；以及當該計數數目超過一預定值時，判定作為該判定目標的該量測資料係異常。
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