TWI509933B - 非接觸式電力傳輸裝置 - Google Patents

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Hiroshi Kohara
Mamoru Ozaki
Toyohiko Tsujimoto
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Panasonic Corp
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Description

非接觸式電力傳輸裝置
本發明係關於一種非接觸式電力傳輸裝置。
關於非接觸式電力傳輸裝置，專利文獻1揭示一種非接觸型電力供給裝置，其根據從1次側共振電路所供給之電力的功率因數，檢測出作為供電對象的電氣裝置的位置偏差。該電力供給裝置，為了防止位置偏差發生時供電效率的降低，會根據功率因數調整1次側共振電路的特性。
在電力供給裝置中，若在異物存在的情況下進行供電動作的話，異物會被加熱，故宜檢測異物並停止供電動作。
專利文獻2揭示一種非接觸型電力供給裝置，其除了供電用的1次線圈之外更具備金屬檢測用的檢測線圈。該電力供給裝置，將1次線圈激發驅動以對電氣裝置進行供電，同時將檢測線圈激發驅動，並根據該檢測線圈的阻抗的變化，進行金屬等的異物或電氣裝置的檢測。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2012-130173號公報
【專利文獻2】日本特開2006-230129號公報
在具備上述檢測線圈的非接觸電力供給裝置中，檢測線圈的電感值或與該檢測線圈一起構成共振電路的電容的電容值會產生差異。該等差異，係因為產品差異(製造差異)所導致的個體差異、經過長時間而劣化、使用環境(溫度)等因素。然而，以往的非接觸電力供給裝置，並未考慮到此點。
當檢測線圈的電感值或電容的電容值產生差異時，每個非接觸電力供給裝置的共振特性便彼此相異。因此，所製造的全部非接觸式電力傳輸裝置，便無法都維持在同樣的檢測精度。
另外，若因為經過長時間而劣化或因為使用環境而使電感值或電容值發生變化，則共振特性也會變動。因此，在長時間持續使用的情況下或使用環境(溫度等)改變的情況下，也會無法維持一定的檢測精度。
尤其，在非接觸式電力傳輸裝置(電力供給裝置)之中，亦存在將載置電氣裝置的載置面區分為複數個供電區域，並在每個供電區域設置檢測線圈者。此時，若在各供電區域中檢測線圈的電感值或對應的電容的電容值產生差異，則會在每個供電區域產生共振特性的差異或變動。因此，便無法在複數個供電區域均維持同樣的檢測精度。
本發明提供一種即使存在電路元件的個體差異、經過長時間而劣化、使用環境的變化等因素，仍可維持同樣的金屬或電氣裝置的檢測精度的非接觸式電力傳輸裝置。
本發明的其中一個態樣的非接觸式電力傳輸裝置，係一種對電氣裝置所設置之受電裝置，利用電磁感應現象進行非接觸供電的非接觸式電力傳 輸裝置，其特徵為包含：檢測線圈；電容，其與該檢測線圈一起構成共振電路；振盪電路，其以高頻電流激發該檢測線圈，且可產生對應進行該電氣裝置以及金屬的存在檢測用的檢測用頻率的高頻電流；輸出檢測電路，其產生對應流過該檢測線圈的激磁電流的輸出電壓；存在檢測電路，其根據以該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓，進行該電氣裝置以及該金屬的存在檢測；以及檢測條件變更電路，其可實行因應由該檢測線圈與該電容所決定的共振特性，變更該存在檢測電路的檢測條件的初始值設定模式。
根據本發明的非接觸式電力傳輸裝置，即使存在電路元件的個體差異、經過長時間而劣化、使用環境的變化等因素，仍可維持一樣的檢測精度。
1‧‧‧供電裝置
2‧‧‧框體
3‧‧‧載置面
4‧‧‧基本供電單元電路
8‧‧‧受電電路
8a‧‧‧整流電路
8b‧‧‧通信電路
10‧‧‧共通單元部
11‧‧‧電源電路
12‧‧‧系統控制部
13‧‧‧記憶體
20‧‧‧基本單元部
21‧‧‧半橋接電路
22‧‧‧驅動電路
23‧‧‧電流檢測電路
24‧‧‧輸出檢測電路
25‧‧‧信號抽出電路
A1‧‧‧第1共振特性
A2‧‧‧第2共振特性
A3‧‧‧第3共振特性
A4‧‧‧第4共振特性
AR‧‧‧供電區域
C1‧‧‧共振電容
C2‧‧‧共振電容
Ca‧‧‧第1電容
Cb‧‧‧第2電容
CNT‧‧‧位址計數器
CT‧‧‧激磁控制信號
E‧‧‧裝置
EN‧‧‧許可信號
fk‧‧‧特定頻率
fp‧‧‧供電用共振頻率
fr‧‧‧共振頻率
fs‧‧‧檢測用頻率
fx‧‧‧調整頻率
ID‧‧‧裝置認證信號
L1‧‧‧1次線圈
L2‧‧‧2次線圈
M‧‧‧金屬
N1‧‧‧節點
N2‧‧‧節點
PSa‧‧‧驅動信號
PSb‧‧‧驅動信號
Qa‧‧‧第1功率電晶體
Qb‧‧‧第2功率電晶體
RQ‧‧‧激磁要求信號
S1~S6、S3-1~S3-6、S4-1~S4-6‧‧‧步驟
SG1‧‧‧電流檢測信號
SP‧‧‧取樣信號
ts‧‧‧檢測用讀取時間
tx‧‧‧調整讀取時間
Vdd‧‧‧直流電壓
Vmax‧‧‧最大值
Vmid‧‧‧中間值
Vmin‧‧‧最小值
Vn‧‧‧電壓值
Vp1‧‧‧第1目標電壓
Vp2‧‧‧第2目標電壓
Vs‧‧‧輸出電壓
W1‧‧‧差
W2‧‧‧差
Z‧‧‧負載
Z1‧‧‧不飽和範圍
Z2‧‧‧飽和範圍
【圖1】係表示非接觸式電力傳輸裝置與電氣裝置的整體立體圖。
【圖2】係表示供電區域所設置之1次線圈的排列狀態圖。
【圖3】係非接觸式電力傳輸裝置與電氣裝置的電氣方塊電路圖。
【圖4】係電氣裝置的受電裝置的電氣方塊電路圖。
【圖5】係用來說明基本供電單元電路的電氣方塊電路圖。
【圖6】係用來說明半橋接電路的電氣電路圖。
【圖7】係用來說明基本供電單元電路的運作的各信號波形圖。
【圖8】係表示用來說明存在檢測原理的頻率相對於輸出的特性圖。
【圖9】係用來說明初始值設定模式的處理動作的流程圖。
【圖10】係用來說明頻率調整處理的流程圖。
【圖11】係用來說明讀取時間調整處理的流程圖。
【圖12】(a)係用來說明檢測用頻率與第1目標電壓的波形圖，(b)係用來說明檢測用讀取時間與第2目標電壓的波形圖。
以下，根據圖式說明非接觸式電力傳輸裝置的一實施態樣。
圖1係表示非接觸式電力傳輸裝置(以下稱為供電裝置)1與從該供電裝置1以非接觸方式接受供電的電氣裝置(以下稱為裝置)E的整體立體圖。
供電裝置1包含大略四角形的板狀框體2。框體2包含載置裝置E的載置面3。載置面3為平面。載置面3分別劃分出例如四角形狀的複數個供電區域AR。在本實施態樣中，以列方向(横方向)並排4個、行方向(縱方向)並排6個的方式形成24個供電區域AR。
如圖2所示的，在框體2內且與各供電區域AR對應的位置，配置了1次線圈L1。例如，1次線圈L1配合供電區域AR的外型形狀捲繞成四角形狀。另外，在框體2內，每個供電區域AR都配置了基本供電單元電路4(參照圖3)。各供電區域AR的1次線圈L1，與所對應的基本供電單元電路4連接，並根據來自基本供電單元電路4且具有所賦與之頻率(例如供電時的供電用共振頻率fp)的高頻電流的供給，形成交流磁場。
接著，根據圖3說明供電裝置1與裝置E的電氣構造。
〔裝置E〕
首先，針對裝置E進行說明。在圖3中，裝置E包含作為從供電裝置1接收2次電力的受電裝置的受電電路8以及負載Z。
如圖4所示的，受電電路8包含整流電路8a與通信電路8b。
整流電路8a與由2次線圈L2以及共振電容C2的串聯電路所構成的裝置E的2次側共振電路連接。2次線圈L2，根據1次線圈L1所形成的交流磁場產生2次電力，並將該2次電力輸出到整流電路8a。整流電路8a，將因為1次線圈L1的激磁所形成的電磁感應而在2次線圈L2所產生的2次電力，轉換成無波動的直流電壓。整流電路8a將該直流電壓供給到裝置E的負載Z。此時，在整流電路8a與負載Z之間，亦可設置例如DC/DC轉換器，利用該DC/DC轉換 器，將來自整流電路8a的直流電壓轉換成適用於裝置E的負載Z的電源的直流電壓。
負載Z只要是可被2次線圈L2所產生之2次電力驅動的裝置即可。例如，負載Z亦可為在載置面3上使用且可被整流電路8a所生成的直流電源驅動的裝置。或者，負載Z亦可為在載置面3上使用且將2次電力就這樣當作交流電源使用的裝置。或者，負載Z亦可為使用整流電路8a所生成的直流電源而將內建之充電電池(2次電池)充電的充電裝置。
整流電路8a所生成的直流電壓，亦可利用作為通信電路8b的驅動源。當設置了上述的DC/DC轉換器時，亦可利用DC-DC轉換器，將來自整流電路8a的直流電壓轉換成適用於通信電路8b的電源的直流電壓。通信電路8b，產生裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ，將該等信號透過2次線圈L2發送到供電裝置1。裝置認證信號ID表示裝置E為可接受來自供電裝置1的供電的正當裝置。激磁要求信號RQ在對供電裝置1要求供電時發送。
通信電路8b，在裝置E所設置之例如電源開關被切斷而負載Z的驅動停止時，不會產生裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ。另外，在裝置E所設置之例如微電腦判斷應將供電暫停時，通信電路8b也不會產生裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ。例如，當裝置E為筆記型電腦時，在筆記型電腦執行不消耗電力的動作時，可令通信電路8b不產生裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ。
裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ分別為複數位元的2值化信號。通信電路8b將2值化信號輸出到連接共振電容C2與整流電路8a的受電線。當2值化信號輸出到受電線時，因為被供電用共振頻率fp激發驅動的1次線圈L1的電磁感應而流過2次線圈L2的2次電流的振幅會因應2值化信號而變化。
該2次電流的振幅變化，使貫通2次線圈L2的磁束也發生變化，該變化之磁束藉由電磁感應傳輸到1次線圈L1。結果，流過1次線圈L1的1次電流的 振幅也發生變化。
亦即，因為2值化信號(裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ)，流過2次線圈L2的具有供電用共振頻率fp的2次電流的振幅受到調整。然後，基於振幅受到調整的2次電流的磁束變化傳輸到1次線圈L1。
〔供電裝置1〕
接著，針對供電裝置1進行說明。如圖3所示的，供電裝置1包含共通單元部10與基本單元部20。基本單元部20包含複數組(在本實施態樣中為24組)1次線圈L1、共振電容C1以及基本供電單元電路4。1次線圈L1以及共振電容C1構成共振電路。
共通單元部10包含：對基本單元部20供給電源的電源電路11、統合控制基本單元部20的系統控制部12以及儲存各種資料的記憶體13。
電源電路11，包含整流電路以及DC/DC轉換器，在利用整流電路將商用電源電壓整流為直流電壓之後，利用DC/DC轉換器將該直流電壓轉換成所期望的直流電壓Vdd。直流電壓Vdd作為驅動電源供給到系統控制部12、記憶體13以及基本單元部20。
系統控制部12，由微電腦所構成，控制基本單元部20。系統控制部12，根據微電腦的控制程式，統合控制24個基本供電單元電路4。
系統控制部12可實行：執行初始值設定處理的初始值設定模式、判定裝置E是否載置於任一供電區域AR的存在檢測模式以及執行供電控制的供電模式。
在初始值設定模式中，系統控制部12設定各基本供電單元電路4在存在檢測模式中各自使用的檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts。檢測用頻率fs係激發1次線圈L1的高頻電流的頻率。檢測用讀取時間ts係用來檢測出被檢 測用頻率fs激發之1次線圈L1所流過的1次電流(激磁電流)的時間。
在存在檢測模式中，系統控制部12，透過各基本供電單元電路4以檢測用頻率fs的高頻電流激發1次線圈L1，並從各基本供電單元電路4讀取對應流過1次線圈L1的1次電流的輸出電壓Vs。輸出電壓Vs的讀取，係在檢測用讀取時間ts中進行。然後，系統控制部12，根據從各基本供電單元電路4取得之輸出電壓Vs，判定在各供電區域AR是否存在裝置E或金屬M(參照圖1)。因此，系統控制部12具有存在檢測電路的功能。另外，在本實施態樣中，1次線圈L1不只作為對裝置E供電的供電線圈使用而已，亦作為檢測裝置E或金屬M等物體是否存在的檢測線圈使用。
在供電模式中，系統控制部12，根據存在檢測模式的存在檢測結果，將各基本供電單元電路4控制為供電狀態或休止狀態。
記憶體13，為非揮發性記憶體，儲存系統控制部12進行各種處理時所使用的資料。另外，記憶體13，包含對24個供電區域AR分別分配的複數個記憶區域，關於各供電區域AR的資訊，會儲存在所對應的記憶區域。
例如，在初始值設定模式所設定之每個基本供電單元電路4的檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts，會儲存於分配給各供電區域AR(亦即基本供電單元電路4)的對應記憶區域。
在各基本供電單元電路4與系統控制部12之間所實行的資料傳遞接收，係由系統控制部12所控制。
接著，根據圖5說明各基本供電單元電路4的構造。由於各基本供電單元電路4為相同構造，故為了方便說明，僅針對1個基本供電單元電路4進行說明。
如圖5所示的，基本供電單元電路4包含：半橋接電路21、驅動電路22、 電流檢測電路23、輸出檢測電路24以及信號抽出電路25。
〔半橋接電路21〕
如圖6所示的，半橋接電路21可用習知的半橋接電路構成。半橋接電路21具備：包含串聯連接的第1以及第2電容Ca、Cb在內的分壓電路，以及包含串聯連接的第1以及第2功率電晶體Qa、Qb在內的驅動電路。驅動電路與分壓電路並聯連接。第1以及第2功率電晶體Qa、Qb，在本實施態樣中由N通道MOSFET所構成。
在第1電容Ca以及第2電容Cb之間的節點N1與第1功率電晶體Qa以及第2功率電晶體Qb之間的節點N2之間，連接了1次線圈L1與共振電容C1的串聯電路(1次側共振電路)。
從驅動電路22供給驅動信號PSa到第1功率電晶體Qa的閘極端子。從驅動電路22供給驅動信號PSb到第2功率電晶體Qb的閘極端子。第1以及第2功率電晶體Qa、Qb根據驅動信號PSa、PSb交替導通、切斷。藉此，高頻電流流過1次線圈L1並產生交流磁場。
〔驅動電路22〕
控制激發1次線圈L1的高頻電流的頻率的激磁控制信號CT從系統控制部12供給到驅動電路22。驅動電路22根據激磁控制信號CT產生驅動信號PSa、PSb。
驅動信號PSa、PSb限定出第1以及第2功率電晶體Qa、Qb同時不導通的滯定時間。驅動信號PSb，以第2功率電晶體Qb的切斷時間與導通時間大略相同的方式產生。驅動信號PSa，以縮短第1功率電晶體Qa的導通時間並將切斷時間延長該縮短分量的方式產生。在本實施態樣中，半橋接電路21以及驅動電路22構成振盪電路。
來自系統控制部12的激磁控制信號CT，係決定激發1次線圈L1的高頻電 流的頻率用的資料信號。
在初始值設定模式中，系統控制部12，將激發1次線圈L1的高頻電流的頻率利用調整頻率fx針對每個供電區域AR進行調整，並產生對應調整頻率fx的激磁控制信號CT。
因此，在初始值設定模式中，系統控制部12，對各基本供電單元電路4(驅動電路22)，供給以對應供電區域AR而經過調整的調整頻率fx激發1次線圈L1用的激磁控制信號CT。然後，系統控制部12，根據調整頻率fx決定檢測用頻率fs，使激發1次線圈L1的高頻電流的頻率針對每個供電區域AR最佳化。
在存在檢測模式中，系統控制部12，從記憶體13讀取對各基本供電單元電路4所設定之檢測用頻率fs的資料，產生對應檢測用頻率fs的激磁控制信號CT。然後，各基本供電單元電路4以檢測用頻率fs激發驅動1次線圈L1。
因此，在存在檢測模式中，系統控制部12，對各基本供電單元電路4(驅動電路22)，供給以針對每個供電區域AR最佳化的頻率(檢測用頻率fs)激發1次線圈L1用的激磁控制信號CT。
在供電模式中，系統控制部12，產生將各供電區域AR的1次線圈L1以相同共振頻率(供電用共振頻率fp)的高頻電流激發用的激磁控制信號CT。
亦即，在供電模式中，系統控制部12對各基本供電單元電路4(驅動電路22)供給相同的激磁控制信號CT。
〔電流檢測電路23〕
電流檢測電路23，設置在1次線圈L1的一側端子與半橋接電路21(節點N2)之間，檢測流過1次線圈L1的1次電流並產生電流檢測信號SG1。如圖7所示的，當驅動信號PSa、PSb供給到第1以及第2功率電晶體Qa、Qb時，電 流檢測電路23會輸出電流檢測信號SG1。
〔輸出檢測電路24〕
輸出檢測電路24與電流檢測電路23連接。輸出檢測電路24產生與電流檢測電路23所輸出之電流檢測信號SG1對應的輸出電壓Vs。如圖7所示的，輸出檢測電路24包含檢測電流檢測信號SG1，並將包絡該電流檢測信號SG1的外側的包絡線波形信號當作輸出電壓Vs產生的包絡線檢波電路。
另外，輸出檢測電路24包含將所得到的輸出電壓Vs從類比值轉換成數位值的AD轉換器。該AD轉換器，回應來自系統控制部12的取樣信號SP，將輸出電壓Vs的數位值輸出到系統控制部12。
取樣信號SP的輸出時序，亦即，從各基本供電單元電路4(輸出檢測電路24)讀取輸出電壓Vs的時序，被系統控制部12所控制。系統控制部12，將在1次線圈L1激發後讀取輸出電壓Vs的數位值的時序當作讀取時間設定於各基本供電單元電路4。
亦即，讀取時間限定出：在系統控制部12對基本供電單元電路4(驅動電路22)輸出激磁控制信號CT之後，究竟應在哪個時序從基本供電單元電路4(輸出檢測電路24)讀取輸出電壓Vs(數位值)。
在此，於本實施態樣中，系統控制部12，在初始值設定模式中，進行頻率調整處理與讀取時間調整處理。此時，系統控制部12，將在讀取時間調整處理時的輸出電壓Vs的讀取時間，設定成與在頻率調整處理時的輸出電壓Vs的讀取時間不同的數值。
若詳述之，則在頻率調整處理中，系統控制部12，係對各基本供電單元電路4設定相同的讀取時間，並基於相同的讀取時間對各基本供電單元電路4輸出取樣信號SP。另一方面，在讀取時間調整處理中，系統控制部12，利用調整讀取時間tx針對每個基本供電單元電路4調整輸出電壓Vs的讀取時 間，並基於與各基本供電單元電路4(亦即供電區域AR)對應的調整讀取時間tx輸出取樣信號SP。
像這樣，系統控制部12，利用讀取時間調整處理調整出適合各供電區域AR的讀取時間(調整讀取時間tx)，使在存在檢測模式中從各基本供電單元電路4讀取輸出電壓Vs的時序(亦即檢測用讀取時間ts)針對每個供電區域AR最佳化。
因此，在存在檢測模式中，系統控制部12，在控制各基本供電單元電路4時，會從記憶體13的對應記憶區域讀取對各基本供電單元電路4(供電區域AR)專用設定的檢測用讀取時間ts的資料。
然後，系統控制部12，基於與各基本供電單元電路4對應的檢測用讀取時間ts對各基本供電單元電路4(輸出檢測電路24)供給取樣信號SP，藉此讀取輸出電壓Vs。
〔信號抽出電路25〕
信號抽出電路25與電流檢測電路23連接。信號抽出電路25，在1次線圈L1被以供電用共振頻率fp激發驅動的期間，經由電流檢測電路23，受到1次線圈L1的1次電流的供給。亦即，信號抽出電路25透過電流檢測電路23接收來自載置面3所載置之裝置E的2次線圈L2的發送信號(振幅調變信號)。
信號抽出電路25，從所接收之發送信號抽出裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ，並對系統控制部12輸出許可信號EN。信號抽出電路25，在只接收到裝置認證信號ID或激磁要求信號RQ其中一方時，或兩種信號均未接收到時，不會對系統控制部12輸出許可信號EN。
接著，說明以上述方式構成之供電裝置1的作用。首先，在說明作用之前，為了使該作用容易理解，先根據圖8說明存在檢測的原理。
如圖8所示的，當供電區域AR未載置任何物件時，相對於由1次線圈L1與共振電容C1的串聯電路所構成的1次側共振電路的頻率而言，1次線圈L1的輸出特性顯示出第1共振特性A1。
當在供電區域AR載置了金屬M時，在金屬M與1次線圈L1之間，相對於頻率而言，1次線圈L1的輸出特性顯示出第2共振特性A2。
當在供電區域AR載置了裝置E時，相對於由2次線圈L2與共振電容C2的串聯電路所構成的2次側共振電路的頻率而言，1次線圈L1的輸出特性顯示出第3共振特性A3。
關於第1~第3共振特性A1~A3，共振頻率係以第3共振特性A3、第1共振特性A1、第2共振特性A2的順序依序變高，此點可預先以實驗、試驗等方式得知。而且，第2以及第3共振特性A2、A3係因為存在金屬M或裝置E而電感值有所變動所形成，根據於此，第1~第3共振特性A1~A3的頻率帶域以非常接近的方式存在。
如圖8所示的，當1次線圈L1被第1共振特性A1的特定頻率fk激發時，若在供電區域AR並未載置任何物件，則1次線圈L1的電感值不會發生變化。因此，共振特性不會自第1共振特性A1發生變化。此時，相對於特定頻率fk而言1次線圈L1的輸出顯示為中間值Vmid。
另外，當1次線圈L1被第1共振特性A1的特定頻率fk激發時，若在供電區域AR載置了金屬M，則1次線圈L1的電感值會因為金屬M而發生變化。因此，共振特性會從第1共振特性A1移到第2共振特性A2。結果，相對於特定頻率fk而言1次線圈L1的輸出變成最大值Vmax。
然後，當1次線圈L1被第1共振特性A1的特定頻率fk激發時，若在供電區域AR載置了裝置E，則1次線圈L1的電感值會因為裝置E而發生變化。因此，共振特性會從第1共振特性A1移到第3共振特性A3。結果，相對於特定 頻率fk而言1次線圈L1的輸出變成最小值Vmin。
因此，第1共振特性A1的特定頻率fk，設定作為存在檢測用的檢測用頻率fs，用來將1次線圈L1激發驅動。然後，藉由事前掌握相對於檢測用頻率fs的1次線圈L1的輸出值，便可檢測出在供電區域AR上是否存在裝置E或金屬M。
亦即，為了進行存在檢測，必須在供電區域AR不存在任何物件的狀態下，事先從第1共振特性A1求出檢測用頻率fs。
在此，檢測用頻率fs設定為，當在供電區域AR(1次線圈L1)上載置了裝置E時，不會受到裝置E的位置或尺寸等因素的影響，相對於第1共振特性A1的頻率而言1次線圈L1的輸出會變小的頻率。再者，檢測用頻率fs設定為，當在供電區域AR(1次線圈L1)上載置了金屬M時，不會受到金屬M的位置或尺寸等因素的影響，相對於第1共振特性A1的頻率而言1次線圈L1的輸出會變大的頻率。
另外，各1次線圈L1，係單獨或與其他1次線圈L1協同運作而被激發驅動，對供電區域AR上所載置之裝置E的2次線圈L2進行供電。基本供電單元電路4將1次線圈L1激發驅動以對裝置E進行供電所使用的供電用共振頻率fp，以如下方式設定。當裝置E載置於供電區域AR時，1次線圈L1與2次線圈L2構成變壓器。在該等構造中，供電用共振頻率fp，設定成由裝置E的電感值成分以及電容成分所決定的共振頻率。
像這樣，在本實施態樣中，1次線圈L1被裝置E所決定之供電用共振頻率fp激發驅動。因此，裝置E便能夠以低耗損的方式接收從1次線圈L1所供給的電力。
另外，供電用共振頻率fp與檢測用頻率fs的間隔以如下方式設定。
如圖8所示的，第4共振特性A4，係以供電用共振頻率fp獲得最大輸出時的共振特性，顯示出相對於在供電區域AR載置了裝置E時的2次側共振電路的頻率而言1次線圈L1的輸出特性。
在該第4共振特性A4中，相對於檢測用頻率fs的1次線圈L1的輸出，顯示為比最小值Vmin更小的接近0伏特的電壓值Vn。該電壓值Vn隨著供電用共振頻率fp與檢測用頻率fs的間隔越大而越小。
在此，最大值Vmax與最小值Vmin的差W1，比第4共振特性A4的檢測用頻率fs所對應的電壓值Vn與0伏特的差W2更大(亦即W1>W2)。
因此，即使在某一供電區域AR的1次線圈L1被以第4共振特性A4的供電用共振頻率fp激發驅動而進行供電，另一方面隣接的供電區域AR的1次線圈L1被檢測用頻率fs的高頻電流激發驅動而進行存在檢測的情況下，藉由滿足W1>W2的關係，使用檢測用頻率fs的存在檢測動作，因為使用供電用共振頻率fp的供電動作而受到的影響便很小。
換言之，由裝置E的電感值成分以及電容成分所限定的共振特性，以具有供電用共振頻率fp與檢測用頻率fs的間隔形成W1>W2的圖8所示的第4共振特性A4的方式設定。
順帶一提，在本實施態樣中，檢測用頻率fs設定在70kHz附近，供電用共振頻率fp設定在140kHz附近。該檢測用頻率fs，例如，可在出貨前、每經過一定的使用期間之後或是利用供電裝置1所設置之調整開關(圖式省略)的操作進行調整。
〔初始值設定模式〕
1次線圈L1的電感值以及共振電容C1的電容值，因為製造差異等的個體差異或經過長時間而劣化的關係，在各供電區域AR(基本供電單元電路4)未必一樣。因此，由1次線圈L1與共振電容C1所決定的第1共振特性A1在每 個供電區域AR也會不一樣。
此意味著，當全部以相同的檢測用頻率fs將各1次線圈L1激發而進行存在檢測時，根據檢測用頻率fs所得到的輸出電壓Vs在每個供電區域AR會不一樣。
結果，系統控制部12，無法從各基本供電單元電路4的輸出檢測電路24取得一樣的輸出電壓Vs，因此，無法進行精度較高的存在檢測。於是，為了在全部的供電區域AR(基本供電單元電路4)維持一樣的輸出電壓Vs，以正確地進行裝置E或金屬M等物體的存在檢測，系統控制部12，實行初始值設定模式，針對每個供電區域AR變更存在檢測條件。因此，系統控制部12具有變更物體的存在檢測條件的檢測條件變更電路的功能。在本實施態樣中，針對每個供電區域AR設定檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts作為存在檢測條件。
此時，系統控制部12(檢測條件變更電路)具有變更檢測用頻率fs的檢測用頻率變更電路的功能。在本實施態樣中，例如，檢測用頻率變更電路包含以下的功能性構造：使用調整頻率fx調整檢測用頻率fs的頻率調整電路；將根據調整頻率fx所得到的輸出電壓Vs與所賦與的目標電壓進行比較的第1比較電路；以及根據第1比較電路的比較結果決定檢測用頻率fs的第1設定電路。
再者，系統控制部12(檢測條件變更電路)具有變更檢測用讀取時間ts的檢測用讀取時間變更電路的功能。在本實施態樣中，例如，檢測用讀取時間變更電路包含以下的功能性構造：使用調整讀取時間tx調整檢測用讀取時間ts的讀取時間調整電路；將根據調整讀取時間tx所讀取的輸出電壓Vs與所賦與的目標電壓進行比較的第2比較電路；以及根據第2比較電路的比較結果決定檢測用讀取時間ts的第2設定電路。
系統控制部12，在載置面3的24個供電區域AR均未放置任何物件的狀態 下進行初始值設定模式。例如，若操作調整開關(圖中未顯示)，則系統控制部12回應來自調整開關的導通信號，依照圖9所示的流程圖實行初始值設定模式。
首先，在步驟S1中，系統控制部12，將記憶體13所儲存的資料初始化，清除對各基本供電單元電路4所設定之檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts。另外，系統控制部12，將系統控制部12所內建之位址計數器CNT的計數值設為「1」。
接著，在步驟S2中，系統控制部12，根據位址計數器CNT的計數值「1」選擇第1個供電區域AR。
接著，在步驟S3中，系統控制部12，實行頻率調整處理，設定第1個供電區域AR所設置之1次線圈L1用的檢測用頻率fs。
〔頻率調整處理〕
如圖12(a)所示的，在頻率調整處理中，系統控制部12決定檢測用頻率fs，亦即，在將1次線圈L1激發時得到由輸出檢測電路24所產生的輸出電壓Vs作為預定的第1目標電壓Vp1時的頻率。
第1目標電壓Vp1，係自第1共振特性A1的共振頻率fr偏離的頻率(檢測用頻率fs)所對應的電壓，可預先利用實驗、試驗、計算等方式求出。第1目標電壓Vp1可從頻率的變動所導致的輸出電壓的變動較小且不受雜訊等因素影響的頻率範圍選出。
在此，如圖12(a)所示的，在第1共振特性A1的共振頻率fr的兩側，係存在2個與第1目標電壓Vp1對應的頻率，惟在本實施態樣中，係選擇比共振頻率fr更高之側的頻率作為檢測用頻率fs。
如圖8所示的，當1次線圈L1在第1共振特性A1的共振頻率fr被激發時，輸出電壓Vs顯示為最大值Vmax。然而，在共振頻率fr的附近，只要有些微 的頻率變動，輸出電壓也會大幅變動。因此，在共振頻率fr的附近，恐無望獲得不受雜訊等因素影響的穩定輸出電壓。考慮到此點，檢測用頻率fs設定成自共振頻率fr偏離的頻率，作為用以獲得頻率變動所導致之輸出電壓變動較小且不受雜訊等因素影響的輸出電壓的頻率。
圖10係說明頻率調整處理的流程圖。首先，在步驟S3-1中，系統控制部12設定將第1個供電區域AR(在步驟S2所選擇的供電區域AR)的1次線圈L1激發驅動用的調整頻率fx的初始值。調整頻率fx的初始值，可預先利用實驗、試驗、計算等方式導出，並設定成在根據調整頻率fx的初始值將1次線圈L1激發驅動時輸出電壓Vs不會在第1目標電壓Vp1以上的數值。
亦即，由於在各供電區域AR的第1共振特性A1不同，考慮到此點，調整頻率fx的初始值，以在各供電區域AR根據調整頻率fx的初始值所產生的輸出電壓Vs不會在第1目標電壓Vp1以上的方式，設定成預先留有餘裕。
接著，在步驟S3-2中，系統控制部12，將調整頻率fx(在此為初始值)的激磁控制信號CT供給到驅動電路22，以調整頻率fx將第1個供電區域AR的1次線圈L1激發驅動。
接著，在步驟S3-3中，系統控制部12輸出取樣信號SP並從第1個供電區域AR的輸出檢測電路24取得輸出電壓Vs。
另外，在頻率調整處理動作中，系統控制部12，當在其他供電區域AR獲得輸出電壓Vs時，也係在相同的時序輸出取樣信號SP。換言之，在頻率調整處理動作中的輸出電壓Vs的讀取時間，針對全部的供電區域AR設定成相同的時間。
例如，如圖7所示的，在頻率調整處理中的輸出電壓Vs的讀取時間，設定為在輸出檢測電路24所產生之輸出電壓Vs的波形從不飽和範圍Z1變化到飽和範圍Z2時。
若詳述之，當在每個供電區域AR的第1共振特性A1相異時，亦即，當1次線圈L1的電感值以及共振電容C1的電容值存在差異時，輸出電壓Vs的波形變化到飽和範圍Z2的時序也會在每個供電區域AR不同。考慮到此點，在頻率調整處理中的讀取時間，設定成預先留有餘裕。藉此，即使在每個供電區域AR的第1共振特性A1相異，而根據調整頻率fx所得到的輸出電壓Vs的波形產生差異，也能夠正確地檢測出輸出電壓Vs。
接著，在步驟S3-4中，系統控制部12比較根據調整頻率fx所得到的輸出電壓Vs是否為第1目標電壓Vp1。當輸出電壓Vs不是第1目標電壓Vp1時(在步驟S3-4為NO)，系統控制部12便移到步驟S3-5。
接著，在步驟S3-5中，系統控制部12使現在的調整頻率fx降低預定的單位頻率△f，而設定成新的調整頻率fx，並回到步驟S3-2。
系統控制部12，以該新的調整頻率fx將第1個供電區域AR的1次線圈L1再度激發驅動(步驟S3-2)。然後，系統控制部12從第1個供電區域AR的輸出檢測電路24取得新的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs(步驟S3-3)。
系統控制部12再度比較新的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs是否為第1目標電壓Vp1(步驟S3-4)。然後，當輸出電壓Vs不是第1目標電壓Vp1時(在步驟S3-4為NO)，系統控制部12便移到步驟S3-5。然後，系統控制部12在使現在的調整頻率fx再降低單位頻率△f而設定成新的調整頻率fx之後，回到步驟S3-2。
之後，系統控制部12重複步驟S3-2到步驟S3-5的處理，直到新的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs成為第1目標電壓Vp1為止。
然後，在步驟S3-4中，當調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs成為第1目標電壓Vp1時(在步驟S3-4為YES)，系統控制部12便移到步驟S3-6。
在步驟S3-6中，系統控制部12，將現在的調整頻率fx當作第1個供電區域AR(基本供電單元電路4)的檢測用頻率fs儲存於記憶體13，並移到接下來的讀取時間調整處理(圖9的步驟S4)。
另外，在步驟S3-4中，當現在的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs超過第1目標電壓Vp1但仍在預定的容許範圍內時，系統控制部12亦可移到步驟S3-6。或者，當現在的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs超過第1目標電壓Vp1且超出預定的容許範圍時，系統控制部12亦可移到步驟S3-6，並將前1個調整頻率fx設定作為檢測用頻率fs。
〔讀取時間調整處理〕
在讀取時間調整處理中，系統控制部12，以在頻率調整處理所設定之檢測用頻率fs將1次線圈L1激發驅動。然後，如圖12(b)所示的，系統控制部12求出從1次線圈L1被激發開始到在輸出檢測電路24所得到的輸出電壓Vs到達預定的第2目標電壓Vp2為止的時間，亦即，檢測用讀取時間ts。
在此，如圖7所示的，第2目標電壓Vp2為輸出電壓Vs到達飽和範圍Z2前的不飽和範圍Z1中的電壓。因此，即使在各供電區域AR第1共振特性A1相異，只要經過一定時間輸出電壓Vs便會到達第2目標電壓Vp2。
換言之，針對各供電區域AR，藉由掌握輸出電壓Vs到達第2目標電壓Vp2的時間，在該時間點從輸出檢測電路24所讀取的輸出電壓Vs便為第2目標電壓Vp2。
亦即，雖然在先前的頻率調整處理找出輸出第1目標電壓Vp1用的檢測用頻率fs，然而在圖7所示之輸出電壓Vs的波形中到達飽和範圍Z2(第1目標電壓Vp1)的不飽和範圍Z1的傾斜度(時間)並不相同。這是因為，在各供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦即，1次線圈L1的電感值以及共振電容C1的電容值存在差異的關係。在該不飽和範圍Z1中，該差異明顯地顯現 出來。
因此，若在各供電區域AR的第1共振特性A1不同，則到達第2目標電壓Vp2的時間在各供電區域AR也不同。換言之，若針對各供電區域AR在到達第2目標電壓Vp2的時間從輸出檢測電路24讀取輸出電壓Vs的話，則在全部的供電區域AR的輸出電壓Vs均為第2目標電壓Vp2。該第2目標電壓Vp2可預先以試驗、實驗、計算等方式導出。
圖11係說明讀取時間調整處理(圖9的步驟S4)的流程圖。在步驟S4-1中，系統控制部12設定從第1個供電區域AR(在步驟S2所選擇的供電區域AR)的輸出檢測電路24讀取輸出電壓Vs用的調整讀取時間tx的初始值。
調整讀取時間tx的初始值，可預先以實驗、試驗、計算等方式導出，並設定成根據調整讀取時間tx的初始值從輸出檢測電路24所讀取的輸出電壓Vs不會在第2目標電壓Vp2以上的數值。
亦即，由於在各供電區域AR的第1共振特性A1相異，考慮到此點，調整讀取時間tx的初始值，以在各供電區域AR根據調整讀取時間tx的初始值所讀取的輸出電壓Vs不會在第2目標電壓Vp2以上的方式，設定成預先留有餘裕。
接著，在步驟S4-2中，系統控制部12，將對第1個供電區域AR所設定之檢測用頻率fs的激磁控制信號CT供給到驅動電路22，以檢測用頻率fs將第1個供電區域AR的1次線圈L1激發驅動。
接著，在步驟S4-3中，系統控制部12，根據調整讀取時間tx(在此為初始值)輸出取樣信號SP，並從第1個供電區域AR的輸出檢測電路24讀取輸出電壓Vs。亦即，系統控制部12，在以檢測用頻率fs使1次線圈L1的激發驅動開始之後，在經過了調整讀取時間tx的時點，從輸出檢測電路24讀取輸出電壓Vs。
接著，在步驟S4-4中，系統控制部12比較在調整讀取時間tx所讀取的輸出電壓Vs是否為第2目標電壓Vp2。當輸出電壓Vs不是第2目標電壓Vp2時(在步驟S4-4為NO)，系統控制部12便移到步驟S4-5。
在步驟S4-5中，系統控制部12將現在的調整讀取時間tx延遲預定的單位時間△t而設定成新的調整讀取時間tx，並回到步驟S4-2。
然後，系統控制部12以檢測用頻率fs將第1個供電區域AR的1次線圈L1再度激發驅動(步驟S4-2)。接著，系統控制部12，根據新的調整讀取時間tx輸出取樣信號SP，並從第1個供電區域AR的輸出檢測電路24再度讀取輸出電壓Vs(步驟S4-3)。
系統控制部12再度比較在新的調整讀取時間tx所讀取的輸出電壓Vs是否為第2目標電壓Vp2(步驟S4-4)。然後，當輸出電壓Vs不是第2目標電壓Vp2時(在步驟S4-4為NO)，系統控制部12便移到步驟S4-5。然後，系統控制部12，在將現在的調整讀取時間tx再延遲單位時間△t而設定成新的調整讀取時間tx之後，回到步驟S4-2。
之後，系統控制部12重複步驟S4-2到步驟S4-4的處理，直到與新的調整讀取時間tx對應的輸出電壓Vs成為第2目標電壓Vp2為止。
然後，在步驟S4-4中，當與調整讀取時間tx對應的輸出電壓Vs成為第2目標電壓Vp2時(在步驟S4-4為YES)，系統控制部12便移到步驟S4-6。
在步驟S4-6中，系統控制部12，將現在的調整讀取時間tx當作第1個供電區域AR(基本供電單元電路4)的檢測用讀取時間ts儲存於記憶體13，令讀取時間調整處理結束，並移到圖9的步驟S5。
另外，在步驟S4-4中，當與現在的調整讀取時間tx對應的輸出電壓Vs 超過第2目標電壓Vp2但仍在預定的容許範圍內時，系統控制部12亦可移到步驟S4-6。或者，當與現在的調整讀取時間tx對應的輸出電壓Vs超過第2目標電壓Vp2且超過預定的容許範圍時，系統控制部12亦可移到步驟S4-6，並將前1個調整讀取時間tx設定作為檢測用讀取時間ts。
如圖9所示的，在第1個供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts設定之後，在步驟S5中，系統控制部12使位址計數器CNT增值，將該計數值變更為「2」。亦即，系統控制部12指定第2個供電區域AR。
接著，移到步驟S6，系統控制部12判斷位址計數器CNT的計數值是否為「0」。在此時點，由於計數值不為「0」(在步驟S6為NO)，系統控制部12便回到步驟S2。系統控制部12，進行與先前的第1個供電區域AR同樣的處理，以求出第2個供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts。
之後，藉由重複步驟S2~S6的處理，分別設定24個供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts，並儲存於記憶體13。
之後，當第24個供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts儲存於記憶體13時，在步驟S5中，系統控制部12便將位址計數器CNT的計數值從「24」重設為「0」。
然後，當系統控制部12判斷位址計數器CNT的計數值為「0」時(在步驟S6為YES)，便將全部的供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用讀取時間ts的設定結束。亦即，初始值設定模式終了。
藉由進行初始值設定模式，在各供電區域AR均未載置任何物件的狀態下分別以不同的檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts控制各供電區域AR的供電單元電路4，使來自各基本供電單元電路4的輸出電壓Vs均顯示為一樣的第2目標電壓Vp2。
〔存在檢測模式〕
現在，系統控制部12依序對24個供電區域AR的基本供電單元電路4進行一定期間的存取，並將其反覆進行。
首先，系統控制部12，對第1個供電區域AR所設置之基本供電單元電路4的驅動電路22供給激磁控制信號CT，進行在第1個供電區域AR上的物體的存在檢測。
亦即，系統控制部12，將第1個供電區域AR所設定的檢測用頻率fs的激磁控制信號CT供給到驅動電路22。驅動電路22，回應該激磁控制信號CT，以檢測用頻率fs將1次線圈L1激發驅動。
接著，系統控制部12，根據第1個供電區域AR所設定的檢測用讀取時間ts輸出取樣信號SP，並從第1個供電區域AR的輸出檢測電路24取得輸出電壓Vs(數位值)。系統控制部12，根據輸出電壓Vs(數位值)進行物體的存在檢測。該存在檢測，係藉由將輸出電壓Vs與2個基準值(亦即下側基準值以及上側基準值)作比較來進行。當在第1個供電區域AR上什麼都沒有的時候，輸出電壓Vs為第2目標電壓Vp2。另外，當在第1個供電區域AR上存在裝置E時，輸出電壓Vs比第2目標電壓Vp2更小且在下側基準值以下。另外，當在第1個供電區域AR上存在金屬M時，輸出電壓Vs比第2目標電壓Vp2更大且在上側基準值以上。
在此，參照圖8並以存在檢測的原理進行說明，當載置了裝置E時，第1共振特性A1會移位成第3共振特性A3。亦即，根據檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts所取得的輸出電壓Vs會比第2目標電壓Vp2更低。因此，將下側基準值設定為比第2目標電壓Vp2更小，且可檢測到裝置E的數值。下側基準值可用預先試驗等方式導出。
另外，當載置了金屬M時，第1共振特性A1會移位成第2共振特性A2。亦即，根據檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts所取得的輸出電壓Vs會比第 2目標電壓Vp2更高。因此，將上側基準值設定成比第2目標電壓Vp2更大，且可檢測到金屬M的數值。上側基準值可預先以試驗等方式導出。
因此，系統控制部12，在輸出電壓Vs位於下側基準值與上側基準值之間時，便判定在供電區域AR上什麼都沒有。
系統控制部12，在對第1個供電區域AR進行存在檢測之後，接著對第2個供電區域AR進行存在檢測。
另外，系統控制部12，在對第2個供電區域AR進行存在檢測之前，會先將第1個供電區域AR的存在檢測結果，儲存於對第1個供電區域AR所分配之記憶體13的記憶區域。
為了判斷在第2個供電區域AR上是否存在物體，系統控制部12，將第2個供電區域AR所設定之檢測用頻率fs的激磁控制信號CT供給到第2個供電區域AR的驅動電路22。驅動電路22，回應該激磁控制信號CT，以檢測用頻率fs將1次線圈L1激發驅動。
接著，系統控制部12，根據第2個供電區域AR所設定之檢測用讀取時間ts輸出取樣信號SP，並從第2個供電區域AR的輸出檢測電路24取得輸出電壓Vs(數位值)。
系統控制部12，以與第1個供電區域AR的情況同樣的方式，根據第2個供電區域AR的輸出電壓Vs(數位值)進行存在檢測。
然後，系統控制部12，將第2個供電區域AR的存在檢測結果，儲存於對第2個供電區域AR所分配之記憶體13的記憶區域，並對第3個供電區域AR進行存在檢測。
之後，以同樣的方式依序進行存在檢測到第24個供電區域AR。然後， 在對第24個供電區域AR的存在檢測結束之後，系統控制部12，再次回到第1個供電區域AR，開始第2輪的控制。在該第2輪以後的控制中，系統控制部12，根據記憶體13所儲存的存在檢測結果，以下述方式選擇性進行存在檢測處理與供電處理。
針對被判定並未載置任何物件的供電區域AR，在第2輪以後的控制中，系統控制部12亦實行與上述同樣的存在檢測處理。
針對被判定載置了裝置E的供電區域AR，在第2輪以後的控制中，系統控制部12針對該供電區域AR的基本供電單元電路4實行供電處理(供電模式)。
〔供電模式〕
系統控制部12，在表示裝置E存在的存在檢測結果儲存於記憶體13時，便對該供電區域AR的驅動電路22供給供電用共振頻率fp的激磁控制信號CT。驅動電路22，回應激磁控制信號CT，以供電用共振頻率fp將1次線圈L1激發驅動。
當以該供電用共振頻率fp將1次線圈L1激發時，貫通1次線圈L1的磁束便傳輸到供電區域AR上所載置的裝置E。
然後，在1次線圈L1與供電區域AR上的裝置E的2次線圈L2之間產生共振，裝置E便接收到高效率的供電。然後，根據該供電，裝置E的通信電路8b便運作，將2值化信號(裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ)輸出。藉此，流過2次線圈L2的供電用共振頻率fp的2次電流受到振幅調變，經過振幅調變的供電用共振頻率fp的2次電流的磁束，被當作發送信號傳輸到1次線圈L1。
信號抽出電路25，透過電流檢測電路23接收傳輸到1次線圈L1的發送信號(振幅調變信號)。信號抽出電路25，判斷在發送信號中是否存在裝置認證信號ID以及激磁要求信號RQ。然後，當存在裝置認證信號ID以及激磁要 求信號RQ時，信號抽出電路25便對系統控制部12供給許可信號EN。系統控制部12，回應該許可信號EN，對驅動電路22輸出供電用共振頻率fp的激磁控制信號CT。驅動電路22，回應激磁控制信號CT，以供電用共振頻率fp將1次線圈L1激發驅動。因此，裝置E在一定的期間內受到供電。
當一定的期間終了時，系統控制部12，一邊定期確認來自裝置E的裝置認證信號ID(許可信號EN)一邊繼續1次線圈L1的激發驅動，一邊移到下一供電區域AR的基本供電單元電路4的控制。
另外，系統控制部12，在移到下一供電區域AR的基本供電單元電路4的控制之前，針對現在的供電區域AR將表示裝置E存在且正在供電中這件事的資訊，儲存於記憶體13的對應記憶區域。利用該資訊，當現在的供電區域AR的控制下次再度進行時，系統控制部12，對驅動電路22供給供電用共振頻率fp的激磁控制信號CT，並對供電區域AR上的裝置E繼續供電。
順帶一提，在繼續1次線圈L1的激發驅動的途中，當來自裝置E的裝置認證信號ID(許可信號EN)消失時，系統控制部12便將1次線圈L1的激發驅動(亦即供電)停止。
另外，信號抽出電路25，在無裝置認證信號ID或激磁要求信號RQ的情況下，或者該等信號均無的情況下，都不會對系統控制部12供給許可信號EN。此時，系統控制部12，不會對驅動電路22供給供電用共振頻率fp的激磁控制信號CT。結果，驅動電路22會將1次線圈L1的激發驅動(亦即供電)停止。
另外，針對被判定為載置了金屬M的供電區域AR，在第2輪以後的控制中，系統控制部12不會對驅動電路22供給激磁控制信號CT。亦即，當記憶體13所儲存的存在檢測結果顯示金屬M的存在時，系統控制部12便使該供電區域AR處於休止狀態。然後，系統控制部12移到下一供電區域AR的基本供電單元電路4的控制。
另外，系統控制部12，在移到下一供電區域AR的基本供電單元電路4的控制之前，將表示在現在的供電區域AR中檢測到金屬M的資訊，儲存於記憶體13的對應記憶區域。藉此，系統控制部12準備以下的控制。
另外，系統控制部12，根據表示檢測到金屬M的資訊，針對處於休止狀態的供電區域AR，在從最初的金屬檢測經過預定的時間之後，或者在將對同一供電區域的控制重複預定的次數之後，再次實行存在檢測模式。
以上述方式構成的實施態樣，具有以下的優點。
(1)即使在每個供電區域AR的1次線圈L1的第1共振特性A1相異的情況下，以物體(裝置E或金屬M)的存在檢測時的動作條件相同的方式，系統控制部12對每個供電區域AR控制基本供電單元電路4的動作。
因此，即使因為製造差異等的個體差異、經過長時間而變化的程度，使1次線圈L1的電感值或共振電容C1的電容值產生差異，亦即，在每個供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦可使各供電區域AR的存在檢測條件一樣並實行精度良好的存在檢測。
(2)因為1次線圈L1以及共振電容C1的個體差異等因素而在每個供電區域AR的第1共振特性A1相異。於是，為了使存在檢測時的動作條件一樣，對每個供電區域AR，設定為了存在檢測而將1次線圈L1激發的檢測用頻率fs。因此，即使在每個供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦可使各供電區域AR的存在檢測條件一樣並實行精度良好的存在檢測。
而且，為了使存在檢測時的動作條件也一樣，係對每個供電區域AR設定檢測用讀取時間ts，並根據該檢測用讀取時間ts讀取1次線圈L1的輸出電壓Vs。因此，即使因為1次線圈L1以及共振電容C1的個體差異等因素而在每個供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦可使各供電區域AR的存在檢測條件一樣，並進行精度更高的存在檢測。
(3)各供電區域AR的第1目標電壓Vp1設定為比第1共振特性A1的共振頻率fr所對應的電壓更小的數值。在初始值設定模式中，系統控制部12，使調整頻率fx減少單位頻率△f，設定出新的調整頻率fx，判斷該新的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs是否與第1目標電壓Vp1一致(或者是否在容許範圍內)，藉此決定各供電區域AR的檢測用頻率fs。
亦即，只要根據各供電區域AR的第1共振特性A1將調整頻率fx單純的向下調整，便可輕易設定出適合各供電區域AR的第1共振特性A1的檢測用頻率fs。
而且，系統控制部12，一邊使調整頻率fx減少單位頻率△f而設定出新的調整頻率fx，並使新的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs比先前的調整頻率fx所對應的輸出電壓Vs更進一步增加，一邊使輸出電壓Vs逐漸接近第1目標電壓Vp1。像這樣，系統控制部12，一邊監控輸出電壓Vs的增加值一邊更新調整頻率fx。藉此，便可抑制各供電區域AR的基本供電單元電路4以相位超前運作條件進行運作。藉此，便可抑制貫通電流流過第1以及第2功率電晶體Qa、Qb。
(4)在初始值設定模式中，系統控制部12，使調整讀取時間tx增加單位時間△t而設定出新的調整讀取時間tx，當根據新的調整讀取時間tx所讀取的輸出電壓Vs到達第2目標電壓Vp2時，便將該調整讀取時間tx設定為檢測用讀取時間ts。
因此，只要根據各供電區域AR的第1共振特性A1將調整讀取時間tx單純地逐漸增加，便可輕易設定出適合各供電區域AR的第1共振特性A1的檢測用讀取時間ts。
另外，上述實施態樣亦可以下述方式變更。
．在上述實施態樣中，系統控制部12，係在供電裝置1出貨之前，於圖 中未顯示的調整開關受到操作時實行初始值設定模式。相對於此，例如，亦可在供電裝置1的電源開關受到操作時，系統控制部12便實行初始值設定模式。或者，亦可在圖中未顯示的電源開關受到操作而供電裝置1的電源導通之後，在經過預定的時間之後，系統控制部12便實行初始值設定模式。或者，亦可在供電裝置1的電源導通之後，系統控制部12定期地實行初始值設定模式，將檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts定期地更新。
結果，便可在例如使用環境改變的情況下，設定最適當的檢測用頻率fs以及最適當的檢測用讀取時間ts，以維持精度更高的存在檢測。
．在上述實施態樣中，根據圖9~圖11所示之流程圖的初始值設定模式的處理，在每次設定各供電區域AR的檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts，便將該檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts儲存於記憶體13。
在此，例如，當先前的檢測用頻率fs以及先前的檢測用讀取時間ts已經儲存於記憶體13內時，系統控制部12，亦可將先前的檢測用頻率fs以及先前的檢測用讀取時間ts與新的檢測用頻率fs以及新的檢測用讀取時間ts分別進行比較。然後，當比較差分值(先前的結果與新的結果的差)並未超過預定的範圍(雜訊量)時，系統控制部12，亦可不改寫成新的結果，而係用先前的結果(先前的檢測用頻率fs以及先前的檢測用讀取時間ts)實施存在檢測。
上述預定的範圍，係相當於因為電路運作、電路基板布局等因素而基本供電單元電路4可能會產生的雜訊量，該雜訊量可事前求得。亦即，當上述比較差分值在事前假設所得之雜訊量的範圍內時，系統控制部12，便判斷新的檢測用頻率fs以及新的檢測用讀取時間ts係因為雜訊而產生，故不進行改寫。
因此，藉由避免記憶體13的不必要的寫入、減少改寫次數，便可減少不必要的動作，或延長改寫次數有限制的記憶體13的壽命。
．在上述實施態樣中，根據圖9~圖11所示之流程圖的初始值設定模式的處理，係對各供電區域AR決定檢測用頻率fs以及檢測用讀取時間ts。
然而，在頻率調整處理或讀取時間調整處理中，也會有無論將調整頻率fx或調整讀取時間tx變更幾次檢測用頻率fs或檢測用讀取時間ts最終仍無法決定的情況存在。此時，系統控制部12，亦可判斷包含供電區域AR的1次線圈L1以及共振電容C1在內的基本供電單元電路4為不良電路，並將該判斷結果用於供電裝置1的產品檢查程序。
此時，例如，當在圖10的步驟3-5中所設定的新的調整頻率fx到達預定的頻率時，或者當調整次數(步驟3-5的重複次數)到達預定的次數時，系統控制部12亦可中止檢測用頻率fs的設定。
另外，例如，當在圖11的步驟4-5中所設定之新的調整讀取時間tx到達預定的時間時，或者當調整次數(步驟4-5的重複次數)到達預定的次數時，系統控制部12亦可中止檢測用讀取時間ts的設定。
在該等變化實施例中，系統控制部12，亦可在判斷基本供電單元電路4為不良電路時，使供電裝置1所設置之圖中未顯示的顯示裝置顯示出警告訊息，或者顯示出不良供電區域AR的顯示編號。
．上述實施態樣，在存在檢測模式中，系統控制部12係將各供電區域AR所設定之檢測用讀取時間ts當作輸出電壓Vs的讀取時序利用。相對於此，系統控制部12亦可將檢測用讀取時間ts當作以檢測用頻率fs將1次線圈L1連續激發的激磁通電時間使用。此時，例如，系統控制部12，亦可藉由檢測在激磁通電時間將1次線圈L1激發所得到的輸出電壓Vs的峰值來進行存在檢測。
．在上述實施態樣中，如圖7所示的，在初始值設定模式所進行的讀取時間調整處理中，系統控制部12，係使驅動信號PSa、PSb從驅動電路22輸出並持續一定的期間，取得在飽和範圍Z2升起的輸出電壓Vs，藉此求出檢 測用讀取時間ts。相對於此，系統控制部12，亦可控制驅動電路22，使驅動信號PSa、PSb的輸出期間逐漸增長(例如使驅動信號PSa、PSb的脈衝數逐漸增加)。此時，系統控制部12，亦可將輸出電壓Vs到達第2目標電壓Vp2時的驅動信號PSa、PSb的輸出期間，亦即，驅動電路22的振盪期間，當作激磁通電時間設定於每個供電區域AR(1次線圈L1)。該構造，在存在檢測模式中，系統控制部12，橫跨在每個供電區域AR最佳化的激磁通電時間以檢測用頻率fs將1次線圈L1激發。因此，可獲得與上述實施態樣同樣的優點。
．在上述實施態樣中，系統控制部12，係在初始值設定模式中，將頻率調整處理與讀取時間調整處理一併進行。相對於此，系統控制部12，亦可省略讀取時間調整處理，而在初始值設定模式僅實施頻率調整處理。此時，在記憶體13中，儲存了每個供電區域AR的檢測用頻率fs的資訊，並省略了檢測用讀取時間ts的資訊。另外，此時，讀取以檢測用頻率fs激發驅動的1次線圈L1的輸出電壓Vs的時序(讀取時間)，例如，可使用在上述實施態樣的頻率調整處理的步驟S3-3所使用的讀取時間。
．在上述實施態樣中，在初始值設定模式所進行的頻率調整處理中，利用調整頻率fx所得到的輸出電壓Vs的讀取時間，係設定為輸出電壓Vs的波形變成飽和範圍Z2時的時序。
相對於此，亦可將輸出電壓Vs的讀取時間，設定為在輸出電壓Vs的波形到達飽和範圍Z2之前的不飽和範圍Z1內的時點。以下，將該變化實施例的讀取時間稱為不飽和範圍讀取時間。
在此，不飽和範圍Z1的輸出電壓Vs的波形，會因為1次線圈L1的電感值的差異以及共振電容C1的電容值的差異而變化，因此，到達飽和範圍Z2的時序也不同。因此，不飽和範圍讀取時間，考慮各供電區域AR的輸出電壓Vs的波形在不飽和範圍Z1存在的時間，設定成預先留有餘裕。
在該變化實施例中，系統控制部12，在對應供電區域AR的不飽和範圍 讀取時間取樣並讀取1次線圈L1的輸出電壓Vs，藉由調整與第1目標電壓Vp1一致的調整頻率fx以求出檢測用頻率fs。
另外，在不飽和範圍Z1的輸出電壓Vs，即使因為調整頻率fx的些微變化，也會跟著大幅變化。因此，亦可取代第1目標電壓Vp1，使用具有預定的容許幅度的目標電壓範圍。此時，若在不飽和範圍讀取時間所取樣的輸出電壓Vs，在包含第1目標電壓Vp1的目標電壓範圍內，則便將該時點的調整頻率fx設定作為檢測用頻率fs。
接著，在讀取時間調整處理中，系統控制部12，使用以上述方法所求出的檢測用頻率fs，求出檢測用讀取時間ts。在此，於上述實施態樣中，以預先實驗等方式所準備的調整讀取時間tx的初始值係在步驟S4-1設定。相對於此，在該變化實施例中，系統控制部12，將不飽和範圍讀取時間當作調整讀取時間tx的初始值設定，並根據該不飽和範圍讀取時間進行輸出電壓Vs的最初讀取。
之後，與上述實施態樣同樣，系統控制部12，依序更新調整讀取時間tx，並將在該等時點所讀取的輸出電壓Vs與第2目標電壓Vp2進行比較。
藉此，由於在頻率調整處理所使用的不飽和範圍讀取時間被設定作為調整讀取時間tx的初始值，故在從頻率調整處理移到讀取時間調整處理時，讀取時間便具有連續性。
在此，當不飽和範圍讀取時間設定為調整讀取時間tx的初始值，且在先前的頻率調整處理中使用既定的目標電壓範圍取代第1目標電壓Vp1時，在調整讀取時間tx所讀取的輸出電壓Vs，成為比第2目標電壓Vp2更大的數值，或更小的數值。因此，系統控制部12，宜在設定新的調整讀取時間tx時，對現在的調整讀取時間tx加上或減去單位時間△t，藉此使輸出電壓Vs接近第2目標電壓Vp2。結果，便能夠以高精度限縮設定出可讀取第2目標電壓Vp2的檢測用讀取時間ts。
像這樣，在頻率調整處理中所設定之不飽和範圍讀取時間被當作讀取時間調整處理的調整讀取時間tx的初始值使用。因此，在從頻率調整處理移到讀取時間調整處理時，可保持讀取時間的連續性，故在初始值設定模式中的控制變的比較容易，同時可縮短初始值設定模式的調整處理時間。
另外，在該情況下，亦可省略讀取時間調整處理而只進行頻率調整處理。
．在上述實施態樣中，各供電區域AR的1次線圈L1以及共振電容C1的個體差異，係顯現在輸出電壓Vs的不飽和範圍Z1的波形的相異情況。著眼於該不飽和範圍Z1的波形的相異情況，以在讀取時間調整處理中各供電區域AR的輸出電壓Vs都一樣成為第2目標電壓Vp2的方式，使用檢測用頻率fs與調整讀取時間tx求出檢測用讀取時間ts。
相對於此，例如，系統控制部12亦可調整對半橋接電路21所供給之驅動信號PSa、PSb(脈衝驅動信號)的工作比(亦即脈衝寬度)。藉此，即使因為各供電區域AR的1次線圈L1以及共振電容C1的個體差異而輸出電壓Vs的波形不同時，亦可用一樣的方式檢測輸出電壓Vs。
例如，系統控制部12，使用在上述變化實施例的頻率調整處理所求出的不飽和範圍讀取時間，求出各供電區域AR的檢測用頻率fs。接著，系統控制部12，以所賦與的單位工作比逐步調整將各供電區域AR的半橋接電路21驅動的驅動信號PSa、PSb的工作比(調整工作比)。例如，系統控制部12，將控制調整工作比的激磁控制信號CT供給到基本供電單元電路4的驅動電路22。系統控制部12，根據例如不飽和範圍讀取時間讀取用該調整工作比所得到的輸出電壓Vs，並將該輸出電壓Vs與第2目標電壓Vp2進行比較。然後，系統控制部12，將輸出電壓Vs到達第2目標電壓Vp2時所使用的驅動信號PSa、PSb的工作比設定為檢測用工作比。系統控制部12，針對每個供電區域AR求出該等檢測用工作比，並儲存於記憶體13的對應記憶區域。另外，在該變化實施例中，系統控制部12(檢測條件變更電路)具備檢測用工作比變更電路的功能。具體而言，檢測用工作比變更電路包含以下的功能構 造：用調整工作比調整檢測用工作比的工作比調整電路；將根據調整工作比以及檢測用頻率fs所得到的輸出電壓Vs與所賦與的目標電壓進行比較的比較電路；以及根據比較電路的比較結果決定檢測用工作比的設定電路。
然後，在存在檢測模式中，系統控制部12，根據不飽和範圍讀取時間讀取用對應供電區域AR的檢測用頻率fs與檢測用工作比將1次線圈L1激發所得到的輸出電壓Vs。藉此，使存在檢測時的動作條件在各供電區域AR均一樣。因此，即使因為製造差異等的個體差異或經過長時間而變化的程度，使1次線圈L1的電感值或共振電容C1的電容值產生差異，亦即，在每個供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦可使各供電區域AR的存在檢測條件相同，並以良好的精度進行存在檢測。
在此，系統控制部12，亦可在求出每個供電區域AR的檢測用工作比之後，更進行上述的讀取時間調整處理。此時，系統控制部12，比較用檢測用頻率fs以及檢測用工作比將1次線圈L1激發所得到的輸出電壓Vs與目標電壓(亦可為第2目標電壓Vp2)，並將該輸出電壓Vs到達目標電壓時所使用的讀取時間(亦即調整讀取時間tx)設定為檢測用讀取時間ts。
例如，與上述同樣，系統控制部12，將不飽和範圍讀取時間設定為調整讀取時間tx的初始值，之後，依序變更調整讀取時間tx。然後，系統控制部12，將輸出電壓Vs到達目標電壓時所使用的調整讀取時間tx當作檢測用讀取時間ts儲存於記憶體13。
該變化實施例，在每個供電區域AR，根據檢測用工作比的驅動信號PSa、PSb驅動半橋接電路21，並利用該半橋接電路21所產生的檢測用頻率fs的高頻電流將1次線圈L1激發。然後，根據檢測用讀取時間ts讀取輸出電壓Vs。結果，便可實行精度更高的存在檢測。
另外，如上所述的，初始值設定模式的處理定期重複。此時，系統控制部12，針對每個供電區域AR更新記憶體13所儲存的檢測用工作比。此時， 與上述同樣，當所欲更新的新檢測用工作比與記憶體13所儲存的先前的檢測用工作比的比較差分值在預定的範圍(雜訊量)內時，系統控制部12，亦可不在記憶體13中改寫成新的檢測用工作比，而使用先前的檢測用工作比進行存在檢測。
藉此，與上述同樣，藉由避免對記憶體13進行不必要的寫入，使改寫次數減少，便可減少不必要的運作，或延長改寫次數有限制的記憶體13的壽命。
再者，系統控制部12，亦可調整對半橋接電路21所施加的直流電壓Vdd。藉此，即使在因為各供電區域AR的1次線圈L1以及共振電容C1的個體差異而輸出電壓Vs的波形相異時，亦可用一樣的方式檢測輸出電壓Vs。
例如，系統控制部12，使用在上述變化實施例的頻率調整處理所求出的不飽和範圍讀取時間，求出各供電區域AR的檢測用頻率fs。接著，系統控制部12，以所賦與的單位直流電壓逐步調整對各供電區域AR的半橋接電路21所施加的直流電壓Vdd(調整直流電壓)。系統控制部12，根據例如不飽和範圍讀取時間讀取用該調整直流電壓所得到的輸出電壓Vs，並將該輸出電壓Vs與第2目標電壓Vp2進行比較。然後，系統控制部12，將輸出電壓Vs到達第2目標電壓Vp2時所使用的調整直流電壓設定為檢測用直流電壓。系統控制部12，針對每個供電區域AR求出該等檢測用直流電壓，並儲存於記憶體13的對應記憶區域。另外，該變化實施例中，系統控制部12(檢測條件變更電路)具備檢測用直流電壓變更電路的功能。具體而言，檢測用直流電壓變更電路包含以下的功能性構造：用調整直流電壓調整檢測用直流電壓的直流電壓調整電路；將根據調整直流電壓以及檢測用頻率fs所得到的輸出電壓Vs與所賦與的目標電壓進行比較的比較電路；以及根據比較電路的比較結果決定檢測用直流電壓的設定電路。
然後，在存在檢測模式中，系統控制部12，根據不飽和範圍讀取時間讀取用對應供電區域AR的檢測用直流電壓與檢測用頻率fs將1次線圈L1激 發所得到的輸出電壓Vs。藉此，使存在檢測時的動作條件在各供電區域AR中均一樣。因此，即使因為製造差異等的個體差異或經過長時間而變化的程度，使1次線圈L1的電感值或共振電容C1的電容值產生差異，亦即，在每個供電區域AR的第1共振特性A1不同，亦可使在各供電區域AR中的存在檢測條件相同，且以良好的精度進行存在檢測。
另外，關於變更直流電壓Vdd(調整直流電壓)的手段，可考慮在電源電路11與各基本供電單元電路4的半橋接電路21之間設置例如降壓轉換器等的電壓轉換電路。在該構造中，系統控制部12，對各電壓轉換電路供給電壓控制信號以控制調整直流電壓。
在此，系統控制部12，亦可在求出每個供電區域AR的檢測用直流電壓之後，更進行上述的讀取時間調整處理。此時，系統控制部12，比較使用檢測用直流電壓以及檢測用頻率fs將1次線圈L1激發所得到的輸出電壓Vs與目標電壓(亦可為第2目標電壓Vp2)，並將該輸出電壓Vs到達目標電壓時所使用的讀取時間(亦即調整讀取時間tx)設定為檢測用讀取時間ts。
例如，與上述同樣，系統控制部12，將不飽和範圍讀取時間設定為調整讀取時間tx的初始值，之後，依序變更調整讀取時間tx。然後，系統控制部12，將輸出電壓Vs到達目標電壓時所使用的調整讀取時間tx，當作檢測用讀取時間ts儲存於記憶體13。
該變化實施例，在每個供電區域AR，檢測用直流電壓施加於半橋接電路21，利用該半橋接電路21所產生的檢測用頻率fs的高頻電流將1次線圈L1激發。再者，根據檢測用讀取時間ts讀取輸出電壓Vs。結果，便可實行精度更高的存在檢測。
另外，如上所述的，初始值設定模式的處理定期重複。此時，系統控制部12，針對每個供電區域AR更新記憶體13所儲存的檢測用直流電壓。此時，與上述同樣，當所欲更新的新檢測用直流電壓與記憶體13所儲存的先 前的檢測用直流電壓的比較差分值在預定的範圍(雜訊量)內時，系統控制部12，亦可不在記憶體13中改寫成新的檢測用直流電壓，而使用先前的檢測用直流電壓進行存在檢測。
藉此，與上述同樣，藉由避免對記憶體13進行不必要的寫入，使改寫次數減少，便可減少不必要的運作，或延長改寫次數有限制的記憶體13的壽命。
．在上述實施態樣中，輸出檢測電路24與電流檢測電路23連接，並從電流檢測電路23取得流過1次線圈L1的1次電流的電流檢測信號SG1。亦可取代該等電流檢測電路23，而使用檢測1次線圈L1的電壓的電壓檢測電路，並從該電壓檢測電路對輸出檢測電路24供給檢測電壓。
．在上述實施態樣中，供電裝置1的供電區域AR(基本供電單元電路4)的數目為24個，惟亦可為其以外之數。當然，供電區域AR(基本供電單元電路4)的數目也可為1個。亦即，供電裝置1的載置面1亦可僅具有單一供電區域AR。此時亦同樣可製造出具備相同規格的存在檢測功能以及高檢測感度的供電裝置1。亦即，可防止複數個供電裝置1之間的共振特性的差異，且無論哪個供電裝置1均實現一樣的存在檢測精度。
．在上述實施態樣中，係將1次線圈L1、2次線圈L2的形狀設為四角形狀，惟不限於四角形狀，例如，亦可為四角形以外的多角形或圓形等其他的形狀。另外，1次線圈L1、2次線圈L2的大小並無特別限定。例如，1次線圈L1的大小與2次線圈L2的大小亦可不同。
．在上述實施態樣中，1次線圈L1，除了作為存在檢測用的檢測線圈使用之外，更作為對裝置E供電用的供電線圈使用，惟1次線圈L1亦可僅作為存在檢測用的檢測線圈使用。換言之，亦可另外設置對裝置E供電用的供電線圈。
4‧‧‧基本供電單元電路
12‧‧‧系統控制部
13‧‧‧記憶體
EN‧‧‧許可信號
CT‧‧‧激磁控制信號
SP‧‧‧取樣信號
Vs‧‧‧輸出電壓
21‧‧‧半橋接電路
22‧‧‧驅動電路
23‧‧‧電流檢測電路
24‧‧‧輸出檢測電路
25‧‧‧信號抽出電路
ID‧‧‧裝置認證信號
RQ‧‧‧激磁要求信號
PSa‧‧‧驅動信號
PSb‧‧‧驅動信號
SG1‧‧‧電流檢測信號
C1‧‧‧共振電容
L1‧‧‧1次線圈
CNT‧‧‧位址計數器

Claims (19)

  1. 一種非接觸式電力傳輸裝置，其對電氣裝置所設置之受電裝置利用電磁感應現象進行非接觸供電，其特徵為包含：檢測線圈；電容，其與該檢測線圈一起構成共振電路；振盪電路，其以高頻電流將該檢測線圈激發，且可產生對應用以進行該電氣裝置以及金屬的存在檢測的檢測用頻率的高頻電流；輸出檢測電路，其產生對應流過該檢測線圈的激磁電流的輸出電壓；存在檢測電路，其根據以該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓，進行該電氣裝置以及該金屬的存在檢測；以及檢測條件變更電路，其可實行因應由該檢測線圈與該電容所決定的共振特性，變更該存在檢測電路的檢測條件的初始值設定模式，該檢測條件變更電路包含因應該共振特性而變更該檢測用頻率的檢測用頻率變更電路。
  2. 如申請專利範圍第1項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該檢測線圈為1次線圈；該振盪電路更可產生對應與該檢測用頻率不同的供電用共振頻率的高頻電流，以從該供電用共振頻率的高頻電流所激發的該1次線圈對該受電裝置的2次線圈利用電磁感應現象進行非接觸供電。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，更具備載置該電氣裝置的載置面，該載置面被劃分出1個或複數個區域，該檢測線圈設置於各區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該檢測用頻率變更電路包含：頻率調整電路，其將控制用以調整該檢測用頻率的調整頻率的控制信號供給到該振盪電路；第1比較電路，其比較以該振盪電路所產生的該調整頻率的高頻電流將 該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓與第1目標電壓；以及第1設定電路，其根據來自該第1比較電路的比較結果，將該輸出電壓到達該第1目標電壓時所使用的該調整頻率設定為該檢測用頻率。
  5. 如申請專利範圍第4項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該頻率調整電路，從比該共振特性的共振頻率更高的頻率以階段性降低的方式變更該調整頻率。
  6. 如申請專利範圍第4項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，更具備儲存該檢測用頻率的記憶體；該檢測用頻率變更電路，會更新該記憶體所儲存的該檢測用頻率，當所欲更新的新檢測用頻率與該記憶體所儲存的先前的檢測用頻率的比較差分值在預定的範圍內時，不將該先前的檢測用頻率改寫成該新的檢測用頻率。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該存在檢測電路，根據檢測用讀取時間從該輸出檢測電路讀取以該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓；該檢測條件變更電路更包含因應該共振特性而變更該檢測用讀取時間的檢測用讀取時間變更電路。
  8. 如申請專利範圍第7項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該檢測用讀取時間變更電路包含：讀取時間調整電路，其根據用以調整該檢測用讀取時間的調整讀取時間，對該輸出檢測電路供給取樣信號；第2比較電路，其回應該取樣信號而讀取以該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓，並將該輸出電壓與第2目標電壓進行比較；以及第2設定電路，其根據來自該第2比較電路的比較結果，將該輸出電壓到達該第2目標電壓時所使用的該調整讀取時間設定為該檢測用讀取時間。
  9. 如申請專利範圍第8項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該讀取時間調整電路，以使該輸出電壓階段性接近該第2目標電壓的方式變更該調整讀取時間。
  10. 如申請專利範圍第8項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，更具備儲存該檢測用讀取時間的記憶體；該檢測用讀取時間變更電路，會更新該記憶體所儲存的該檢測用讀取時間，當所欲更新的新檢測用讀取時間與該記憶體所儲存的先前的檢測用讀取時間的比較差分值在預定的範圍內時，不將該先前的檢測用讀取時間改寫成該新的檢測用讀取時間。
  11. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該存在檢測電路，以對應檢測用工作比的脈衝驅動信號將該振盪電路驅動，使該檢測用頻率的高頻電流產生；該檢測條件變更電路更包含因應該共振特性而變更該檢測用工作比的檢測用工作比變更電路。
  12. 如申請專利範圍第11項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該檢測用工作比變更電路包含：工作比調整電路，其將控制用以調整該檢測用工作比的調整工作比的激磁控制信號供給到該振盪電路；第2比較電路，其讀取以使用該調整工作比所產生的該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓，並將該輸出電壓與第2目標電壓進行比較；以及第2設定電路，其根據來自該第2比較電路的比較結果，將該輸出電壓到達該第2目標電壓時所使用的該調整工作比設定為該檢測用工作比。
  13. 如申請專利範圍第12項之非接觸式電力傳輸裝置，其中， 該工作比調整電路，以使該輸出電壓階段性接近該第2目標電壓的方式變更該調整工作比。
  14. 如申請專利範圍第12項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，更具備儲存該檢測用工作比的記憶體；該檢測用工作比變更電路，會更新該記憶體所儲存的該檢測用工作比，當所欲更新的新檢測用工作比與該記憶體所儲存的先前的檢測用工作比的比較差分值在預定的範圍內時，不將該先前的檢測用工作比改寫成該新的檢測用工作比。
  15. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該存在檢測電路，對該振盪電路施加檢測用直流電壓，使該檢測用頻率的高頻電流產生；該檢測條件變更電路包含因應該共振特性而變更該檢測用直流電壓的檢測用直流電壓變更電路。
  16. 如申請專利範圍第15項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該檢測用直流電壓變更電路包含：直流電壓調整電路，其控制用以調整該檢測用直流電壓的調整直流電壓；第2比較電路，其讀取以使用該調整直流電壓所產生的該檢測用頻率的高頻電流將該檢測線圈激發所得到的該輸出電壓，並將該輸出電壓與第2目標電壓進行比較；以及第2設定電路，其根據來自該第2比較電路的比較結果，將該輸出電壓到達該第2目標電壓時所使用的該調整直流電壓設定為該檢測用直流電壓。
  17. 如申請專利範圍第16項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該直流電壓調整電路，以使該輸出電壓階段性接近該第2目標電壓的方式變更該調整直流電壓。
  18. 如申請專利範圍第16項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，更具備儲存該檢測用直流電壓的記憶體；該檢測用直流電壓變更電路，會更新該記憶體所儲存的該檢測用直流電壓，當所欲更新的新檢測用直流電壓與該記憶體所儲存的先前的檢測用直流電壓的比較差分值在預定的範圍內時，不將該先前的檢測用直流電壓改寫成該新的檢測用直流電壓。
  19. 如申請專利範圍第1項之非接觸式電力傳輸裝置，其中，該存在檢測電路，在該非接觸式電力傳輸裝置的電源開關受到操作時、與該電源開關不同的調整開關受到操作時、或是在該非接觸式電力傳輸裝置的電源導通後並經過預定的時間時，實行該初始值設定模式。
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