TWI509734B - 脆質部材之處理方法 - Google Patents

Description

脆質部材之處理方法

本發明係有關在進行半導體晶圓等之脆質部材的搬送或施予背面研削等加工之際的處理方法。

伴隨著近年來IC卡的普及，製造屬其構成部材的IC晶片用的半導體晶圓之薄型化係進展著。成為被要求將以往厚度是350μm左右的晶圓薄化到50~100μm或其以下。

隨著屬脆質部材的晶圓變薄，在加工或搬運之際破損的危険性變高。因此，在將晶圓研削到極薄、或搬運極薄的晶圓之情況，係以在如玻璃板或壓克力板那樣的硬質板上利用雙面黏著片等將晶圓進行固定、保護再進行作業者為宜。

然而，以藉雙面黏著片使晶圓和硬質板貼合的方法而言，在結束一連串的步驟後要將兩者剝離之際，有造成晶圓破裂的情況。在將由貼合2片薄層品所成的疊層物剝離之際，有必要使薄層品的任一方、或使兩者彎曲再予以剝離。但是，由於無法或難以將硬質板彎曲，所以不得不將晶圓側彎曲。如此一來，在脆弱的晶圓上發生翹曲而造成破損。

在有關解決此種問題的手段方面，提案了以下各種方 法，亦即、儘可能降低晶圓的變形以進行剝離的方法、或對晶圓疊層保護膜等進行補強晶圓之後再行剝離的方法，再者、將晶圓固定於硬質板的手段方面，使用可控制接著力的黏著劑或雙面黏著帶，在剝離時透過黏著劑之發泡等的適宜手段使接著力降低後再行剝離的方法等(專利文獻1~5)。

在專利文獻6中，例示著一種不使用硬質板而使用了剛性較高的樹脂膜之脆質部材的保護方法。

於專利文獻7，例示著具有0.5~3mm的厚壁、且厚壁的不均是2μm以內的合成樹脂製之半導體晶圓用的支撐板。而作為半導體晶圓的固定手段，例示著透過紫外線照射而產生氣體的黏著帶。

【專利文獻1】特開2004-153227號公報

【專利文獻2】特開2005-116678號公報

【專利文獻3】特開2003-324142號公報

【專利文獻4】特開2005-277037號公報

【專利文獻5】國際專利公開WO2003/049164

【專利文獻6】特開2004-63678號公報

【專利文獻7】特開2005-333100號公報

在晶圓既保持於硬質板上的情況，剝離晶圓之際，晶圓側變形。因此，難以完全防止晶圓的破損。又，在使用依發泡等方式可減低接著力所設計的特殊黏著劑或雙面黏著帶的情況，亦有接著劑殘留於晶圓而造成污染晶圓的可能性。在專利文獻6、 專利文獻7所提案的方法中，因為是使剛性的樹脂膜或樹脂板側變形後再從晶圓進行剝離，故能解消所謂在剝離步驟中之晶圓破損的問題。但是由於支撐體是由樹脂所構成，形狀保持性未必足夠，而有在晶圓搬送時發生晶圓破損之虞。又，樹脂膜或樹脂板係耐熱性低而容易引起熱變形，即便是常溫也會塑性變形，所以無法反複使用。再者，難以縮小厚度的誤差，而會有其厚度誤差對處理後的晶圓厚度精度造成影響的情況。

本發明係欲解決上述之以往的技術所伴隨的問題者。亦即，本發明之目的在於，提供一種厚度精度高的脆質部材之處理方法，其係在進行半導體晶圓等之脆質部材的搬送或施予背面研削等加工等之既定處理之際，能穩定地保持脆質部材，而且在所要的處理結束之後，能在不使脆質部材破損之下予以剝離。

本發明係以解決此種課題為目的，要旨如下。

(1)、一種脆質部材的處理方法，係包含：於可撓性玻璃基板上，將脆質部材以可再剝離的方式作固定的步驟；對前述脆質部材進行處理的步驟；將前述脆質部材側利用支撐手段固定的步驟，及使前述可撓性玻璃基板彎曲而從脆質部材剝離的步驟。

(2)、如(1)所記載之處理方法，其中前述可撓性玻璃基板的外徑，係與前述脆質部材的外徑相同或比其還大。

(3)、如(1)所記載之處理方法，其中前述可撓性玻璃基板係可彎曲30度以上者。

(4)、如(1)所記載之處理方法，其中前述剝離步驟，係把持可撓性玻璃基板的端部，將端部從脆質部材一邊提高、一邊在可撓性玻璃基板之折返方向移動而剝離。

(5)、如(1)所記載之處理方法，其中前述剝離步驟，係於脆質部材貼附被張設在第1環框的第1黏著片，於可撓性玻璃基板貼附被張設在第2環框的第2黏著片，將第1黏著片側固定於吸附台上，使第1環框與第2環框之間隔疏離，一邊彎曲被貼附於第2黏著片的可撓性玻璃基板，一邊從脆質部材的表面剝離。

(6)、如(1)~(5)所記載之處理方法，其中前述脆質部材係半導體晶圓。

(7)、如(6)所記載之處理方法，其中施予脆質部材的處理係半導體晶圓的背面研削。

本發明中，由於是將脆質部材固定於可撓性玻璃基板加以保護，故能在脆質部材之搬送、保管、加工時，在未使脆質部材變形之下加以保持，可施予厚度精度高之脆質部材的處理。又，不同於以往所使用的硬質玻璃板，在本發明所使用的可撓性玻璃基板是可彎曲的，所以在從脆質部材剝離可撓性玻璃基板之際，因為可在脆質部材未變形之下使可撓性玻璃基板側進行剝離，故能防止脆質部材之破損。

1‧‧‧可撓性玻璃基板

2‧‧‧雙面黏著帶(暫黏接件)

21‧‧‧基材

22，23‧‧‧黏著劑層

3‧‧‧脆質部材

10‧‧‧構造體

11‧‧‧支撐手段

30‧‧‧剝離手段

31‧‧‧汽缸

32‧‧‧上部可動板

33‧‧‧下部***板

34‧‧‧軸

40‧‧‧轉貼裝置(其他剝離手段)

41‧‧‧旋轉軸

42‧‧‧薄板狀臂

43‧‧‧吸附台

61A，61B‧‧‧硬質板

62A，62B‧‧‧軟質薄片

65‧‧‧半圓柱硬質板

66‧‧‧第2軟質薄片

69‧‧‧角度

第1圖 顯示本發明的脆質部材之處理方法的一個步驟。

第2圖 顯示剝離手段的一個態樣。

第3圖 顯示使用剝離手段剝離可撓性玻璃基板的步驟。

第4圖 顯示使用其他態樣所涉及之剝離手段剝離可撓性玻璃基板的步驟。

第5圖 顯示第4圖的A-A線斷面圖。

第6圖 顯示第4圖的側視圖。

第7圖 顯示使用其他態樣所涉及之剝離手段剝離可撓性玻璃基板的步驟。

第8圖 顯示可撓性玻璃基板之彎曲角度的測定方法。

以下，就本發明，茲一邊參照圖式一邊作更具體說明。

在本發明之處理方法中，如第1圖所示，在可撓性玻璃基板1上，脆質部材3係透過暫黏接件2以可再剝離的方式作固定，形成保護脆質部材3的構造體10。

在是保護對象的脆質部材3方面，可例舉矽晶圓、砷化鎵晶圓等之各種半導體晶圓、光學玻璃、陶瓷板等之被要求精密加工且是由易壞的材質所構成之被加工物，但非受此等所限。在此等當中，特別適於半導體晶圓，具體而言，特別適用於表面形成有電路的半導體晶圓。再者，本發明的處理方法可適用於被施以背面研削而厚度變極薄、強度變極低的半導體晶圓。

可撓性玻璃基板1係於上述脆質部材3之搬送、保管、加工時，發揮將其支撐並保護的功能。又，在從脆質部材3剝離可撓性玻璃基板1時，使可撓性玻璃基板1側變形、彎曲以進行剝離。因此，可撓性玻璃基板1係以具有適度的彎曲物性者特別理想。

具體而言，可撓性玻璃基板1在彎曲時可以是30度以上、40度以上、而彎曲50度以上更好。亦即，在本發明所使用之可撓性玻璃基板1的最大彎曲角度是30度以上。最大彎曲角度，係由在保持著可撓性玻璃基板1的一端，而另一端折曲成基板之折返方向時的破壞前之最大彎曲的切線角度所定義的。在最大彎曲角度過小的情況，造成可撓性玻璃基板1在彎曲途中就迎接降伏點，而有招致可撓性玻璃基板1破損或脆質部材3破損之虞。

可撓性玻璃基板1的材質倒未特別限定，在可滿足上述較佳的彎曲物性之材料方面，可舉出例如特開平5-32431號公報所記載的化學強化玻璃。此種化學強化玻璃，具體而言，係將含有62~75重量%的SiO₂、5~15重量%的Al₂O₃、4~10重量%的Li₂O、4~12重量%的Na₂O、以及5.5~15重量%的ZrO₂，且Na₂O/ZrO₂的重量比是0.5~2.0、Al₂O₃/ZrO₂的重量比是0.4~2.5的玻璃(以下，記載為「原料玻璃」)以含有Na離子及/或K離子的處理浴進行離子交換處理並進行化學強化而可獲得。

在含有Na離子及/或K離子的處理浴方面，宜使用含有硝酸鈉及/或硝酸鉀的處理浴，但不限定為硝酸鹽，亦可使用硫酸鹽、硫酸氫鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽、鹵化物。在處理浴是含有Na離子的情況，此Na離子是與玻璃中的Li離子作離子交換，又、在處理浴是含有K離子的情況，此K離子是與玻璃中的Na離子作離子交換，再者、在處理浴是含有Na離子及K離子的情況，此等Na離子及K離子係分別與玻璃中的Li離子及Na離子作離子交換。依該離子交換，玻璃表層部的鹼金屬離子係置換成離子半徑更大的鹼金屬離子，而在玻璃表層部形成壓縮應力層使玻璃 被化學強化。原料玻璃因為具有優越的離子交換性能，所以依離子交換所形成的壓縮應力層深，抗彎強度高，所獲得之化學強化玻璃具有優越的耐破壞性。壓縮應力層的深度係能獲得適度抗彎強度的程度，壓縮應力層的深度係透過例如玻璃斷面之偏光顯微鏡觀察等的手法來測定。

這樣的化學強化玻璃，具有上述之彎曲物性、顯示就算彎曲亦未受破壞的可撓性。且在彎曲後當應力一除去時，形狀就快速地復元。

可撓性玻璃基板1之厚度倒沒有特別限定，300~1500μm左右是適當的。在可撓性玻璃基板1之厚度太薄的情況，有時無法獲得用以支撐脆性部材的足夠強度，又、在太厚的情況，會有在剝離步驟無法彎曲可撓性玻璃基板的情況。

又，可撓性玻璃基板1的直徑係採用與屬保護對象的脆質部材3之直徑相同或較其大若干者。更具體言之，可撓性玻璃基板1係具有比屬保護對象的脆質部材3的外徑還大上0.1~5mm、最好是外徑大上0.5~2mm左右。再者，如同後述，在暫黏接件2是以使用紫外線硬化型黏著劑來構成的情況，可撓性玻璃基板1係以具有紫外線透過性者為宜。

若為同一材料，則厚度越小，可撓性玻璃基板1之最大彎曲角度變越大。

以構造體10而言，係脆質部材3透過暫黏接件2被以可再剝離方式固定於上述可撓性玻璃基板1上而成。暫黏接件2係具有可將脆質部材3穩定地保持於可撓性玻璃基板1上、且能簡便地剝離之機能。暫黏接件2只要有這樣的機能，並無特別限定， 亦可為單層的黏著膜，又、亦可為如第1圖所示的雙面黏著帶。例如暫黏接件2亦可為由弱黏著劑所構成之單層的黏著膜。又，亦可為由紫外線硬化型黏著劑所構成的單層膜。由於紫外線硬化型黏著劑會因為紫外線照射而使黏著力消失或激減，所以在紫外線照射前，將脆質部材3穩定地保持於可撓性玻璃基板1上，在紫外線照射後可容易地剝離。本發明所使用的可撓性玻璃基板1不同於樹脂板，由於是透明且具紫外線透過性，所以就算是使用紫外線硬化型黏著劑亦無妨礙。

又，從處理容易性等之觀點，暫黏接件2係以如第1圖所示是由雙面黏著帶所構成者特別好。

雙面黏著帶2乃如第1圖所示般，係由中心的基材21和在其兩側的面設置有黏著劑層22、23的構成所成。在此情況，配置於中心的基材21並未特別限定，例如是由聚對苯二甲酸乙烯酯等的膜所構成。又，在基材21兩側的面所設置的黏著劑層22、23方面，若為可再剝離，則能使用以往公知的黏著劑。例如亦可為通常的弱黏著劑，又，亦可以是透過紫外線照射能控制剝離力的紫外線硬化型黏著劑。

此基材21兩側的面所設置的黏著劑層22、23可以是相同者，但兩側是不同材質者亦可。例如，可以是黏著劑層22、23的任一方由紫外線硬化型黏著劑所構成，而另一方由紫外線非硬化性黏著劑所構成。在剝離時，若選擇像是被黏貼在脆質部材3之側的黏著劑層22的剝離力是變得比起設置在可撓性玻璃基板1之側的黏著劑層23的剝離力還小那樣的構成，則將可撓性玻璃基板1從脆質部材3剝離之際，由於雙面黏著帶2殘留於可撓性玻璃基板1側而未留於脆質部材3側地被剝離，所以成為不需要 所謂從脆質部材3將雙面黏著帶2再度剝離的步驟。另一方面，若選擇像是被黏貼在可撓性玻璃基板1之側的黏著劑層22的剝離力是變得比起設置在脆質部材3之側的黏著劑層23的剝離力還小那樣的構成，則將可撓性玻璃基板1從脆質部材3剝離之際，由於雙面黏著帶2殘留於脆質部材3的表面而未留於可撓性玻璃基板1側地被剝離，所以能作為脆質部材3的保護膜來使用。

在構造體10中，亦可於脆質部材3上再貼合保護帶等物以補強脆質部材3。

上述構造體10的實現手段並未受特別限定，亦可預先在黏貼有暫黏接件2的可撓性玻璃基板1上黏貼脆質部材3，亦可與此相反。在脆質部材3是表面形成有電路的半導體晶圓之情況，使電路面側貼合於暫黏接件2以進行電路面的保護。

接著，對脆質部材3進行任意的處理。此處理係因應脆質部材3的用途而有各式各樣，亦包含種種加工處理、搬送或保管等。例如在脆質部材3是表面形成有電路的半導體晶圓之情況，有關加工處理方面，係對晶圓背面之蝕刻處理、拋光處理、濺鍍處理、蒸鍍處理、及研削處理等。此外，在施予脆質部材3的處理是保管、搬送的情況，在這樣的處理之前，亦可於脆質部材3上再貼合保護帶等物以補強脆質部材3。

之後，將前述可撓性玻璃基板1從脆質部材3剝離。而在剝離步驟之前，如第1圖所示，為防止脆質部材3的變形，係將脆質部材3側利用支撐手段11作固定。支撐手段11若為能不使脆質部材3變形之下進行保持者，則倒沒有特別限定，例如為吸附台、黏著帶，又亦取決於脆質部材的材質，可以是電磁石等 之磁性材料。

利用此種支撐手段11將脆質部材3一邊固定、一邊如第3圖，第7圖所示將可撓性玻璃基板1側剝離。此結果為，由於脆質部材3的變形受到防止，故減低脆質部材3之破損。

本發明中，為支撐脆質部材3，係使用可撓性玻璃基板1，因而在將脆質部材3從可撓性玻璃基板1剝離之際，能使可撓性玻璃基板1彎曲而進行剝離。

在要使可撓性玻璃基板1彎曲並予以剝離時，例如、把持可撓性玻璃基板1的端部，將端部從脆質部材3一邊提高，一邊在可撓性玻璃基板的折返方向移動。用以保持可撓性玻璃基板1的端部之手段可為任意者，但例如第2圖(A)的斜視圖、第2圖(B)的側視圖所示，可好好地運用由藉汽缸31等物以保持可上下動的上部可動板32、和下部***板33、以及用以將此等作支撐的軸34所構成的剝離治具30。在使用此剝離治具30的情況，如第3圖所示，將下部***板33***脆質部材3與暫黏接件2之間，將上部可動板32降下，利用下部***板33和上部可動板32來把持可撓性玻璃基板1的端部。之後，如第3圖所示，將端部從脆質部材3一邊提高、一邊在可撓性玻璃基板1的折返方向移動，使可撓性玻璃基板1一邊彎曲一邊剝離。依據此方法，由於暫黏接件2係連同可撓性玻璃基板1一起被剝離，所以成為不需要所謂的從脆質部材3將暫黏接件2再度剝離的步驟。又，亦能將下部***板***可撓性玻璃基板1和暫黏接件2之間以進行可撓性玻璃基板1的剝離。在此情況，暫黏接件2雖然殘留於脆質部材3上，但由於暫黏接件是柔軟的，所以容易從脆質部材3剝離。

可撓性玻璃基板1剝離後，透過解除支撐手段11的保持力而回收無破損或污染的脆質部材。此外，欲解除支撐手段11的保持力時，例如在支撐手段是吸附台的情況，解除吸引力即可，又，在是黏著帶的情況，將其剝離即可。而是磁性材料的情況，乃係使用電磁石等物，並在所要的步驟結束後透過停止通電使支撐手段的保持力被解除。

又，在脆質部材3是半導體晶圓的情況，也可使用切割片作為支撐手段11。透過一邊將半導體晶圓固定在切割片上、一邊剝離可撓性玻璃基板1，使得半導體晶圓係被轉貼於切割片上。因此，移往接於背面研削步驟之後的切割步驟係容易進行。

特別是在將半導體晶圓轉貼於切割片上情況，係以採用以下利用了二組環框、二片剝離用的黏著片及作為剝離手段的轉貼裝置40之方法為宜。

首先，準備由張設於環框(RF)的黏著片(AS)所構成的二組固定治具。接著，利用此二組固定治具，挾入可撓性玻璃基板1和半導體晶圓3之疊層體。以下，將半導體晶圓3側的固定治具稱為第1固定治具、構成此治具的環框稱為第1環框RF1、而將黏著片稱為第1黏著片AS1。同樣地，可撓性玻璃基板1側的固定治具稱為第2固定治具，構成此治具的環框稱為第2環框RF2、而黏著片稱為第2黏著片AS2。

轉貼裝置40乃如第4圖所示，係由旋轉軸41、和安裝於該旋轉軸的一對薄板狀臂42、以及作為將被處理物暫時固定的支撐手段之吸附台43所構成。把上述二組固定治具所挾持的可撓性玻璃基板1與半導體晶圓3之疊層體裝設於上述轉貼裝置 40。此時，將第1固定治具側固定在吸附台43上。接著，將薄板狀臂42***環框RF1、RF2之間。第5圖顯示第4圖中的A-A線斷面圖，又、第6圖顯示第4圖的側視圖。

之後，使連結著薄板狀臂42的旋轉軸41旋轉，使環框RF1與環框RF2之間隔疏離(第7圖)。此結果為，可撓性玻璃基板1係伴隨著第2固定治具之移動而變形，一邊彎曲一邊自半導體晶圓3的表面被剝離。

之後，在暫黏接件2殘留於半導體晶圓3表面的情況，將其剝離除去，半導體晶圓3被轉貼於第1黏著片AS1上。

被轉貼在張設於環框RF1的黏著片AS1上之半導體晶圓3，係收納於晶圓匣(未圖示)，被移送到屬下一步驟的切割步驟等。在此情況，黏著片AS1可維持原狀態作為切割片來使用。另一方面，第2固定治具所保持的可撓性玻璃基板1，係在從黏著片AS2被剝離並因應需要進行洗淨、矯正歪斜處理後，再度被使用。

此外，有關本發明所涉及的脆質部材之處理方法，雖然主要是以適用於半導體晶圓的例子所作的說明，但是本發明之構造及方法，不僅是半導體晶圓、亦可適用於玻璃、陶瓷等之各種脆質部材。

本發明中，因為是將脆質部材固定於可撓性玻璃基板加以保護，故能在脆質部材之搬送、保管、加工時，未使脆質部材變形之下加以保持。且，不同於以往的硬質玻璃，在本發明所使用的可撓性玻璃基板是可彎曲的，所以在從脆質部材剝離可撓性玻璃基板之際，能在不使脆質部材變形之下使可撓性玻璃基板側 變形並剝離，而防止脆質部材之破損。

(實施例)

以下，本發明藉實施例來作說明，本發明並非受此等實施例所限定者。

此外，可撓性玻璃基板1之最大彎曲角度係如同以下那樣進行測定。

第8圖係顯示可撓性玻璃基板之彎曲角度的測定方法之圖。在第8圖(a)中，厚度25mm×寬度200mm×深度250mm的木板或鐵板等的硬質板61A之上，貼附了厚度3mm×寬度200mm×深度250mm的橡膠片或乙烯樹脂等的軟質薄片62A。準備貼附著相同大小的軟質薄片62B之相同大小的硬質板61B，將28mm×250mm的面彼此對合。將抵接面的上端設為A地點，且以能以A地點為基點折曲作動的方式在A地點附近安裝合葉(hinge)。帶有軟質薄片62A的硬質板61A係固定成不動，帶有軟質薄片62B的硬質板61B係可在A地點折曲。

接著，厚度25mm×寬度150mm×深度250mm的半圓柱狀硬質板65係最後加工成深度250mm的半徑12.5mm之半圓柱。在此半圓柱硬質板65上貼附著如第8圖所示厚度3mm×寬度290mm×深度250mm的第2軟質薄片66。

在測定可撓性玻璃基板的彎曲角度之際，係配置成A地點與可撓性玻璃基板的圓中心線呈一致。接著，以可撓性玻璃基板不動的方式使帶有上述第2黏著片66的半圓柱硬質板65被按壓於可撓性玻璃基板上。半圓柱硬質板65按壓可撓性玻璃基板的位置，係第2軟質薄片66的半圓柱最外部與可撓性玻璃基板 的圓中心線呈一致的位置。

其次，如第8圖(b)所示，帶有軟質薄片62B的硬質板61B係在箭頭67的方向，以A地點為支點慢慢地旋轉。可撓性玻璃基板係沿著帶有第2軟質薄片66的半圓柱硬質板65之下部半圓柱的圓弧彎曲。在箭頭67之方向旋轉的角度，係進行每秒約彎曲1°的角度。所謂的彎曲角度，係以軟質薄片62A的上面與軟質薄片62B的上面所成的角度69來表示。接著，所謂最大彎曲角度，係指可撓性玻璃基板朝箭頭67的方向被逐漸上推而造成可撓性玻璃基板破損時的角度。軟質薄片62A的上面與軟質薄片62B的上面所成的角度69，係利用分度器以1°為單位作計測。

又，支撐性、剝離性的評估係按如下進行。

(1)支撐性

透過雙面黏著帶將既定的可撓性玻璃基板與作為脆質部材的8吋矽晶圓(厚度720μm)疊層。接著，使用晶圓背面研削機(disco公司所製DFG-840)將矽晶圓厚度研削到50μm為止以作成構造體。在平滑的板上放置高度50mm、直徑50mm的圓柱狀台，接著、在其台上以可撓性玻璃基板側在下而晶圓的中心與台的中心呈一致的方式置放已研削過的矽晶圓。再以定規來測定從平滑的板到可撓性玻璃基板的緣部為止的距離，若是49mm~51mm的話判斷為良好，而若是其以外者則判斷為不良。

(2)剝離性

使用第3圖或第7圖所示的剝離手段進行了可撓性玻璃基板之剝離。能在未使半導體晶圓側破損、污染之下剝離者是優良的，而未能剝離半導體晶圓、或有晶圓破損、污染情況者是不 良的。

(實施例1)

(雙面黏著帶的製造)

作為黏著劑A及B，係準備了以下的黏著劑。

黏著劑A：摻合由-丙烯酸2-乙基乙酯85重量份、丙烯酸2-羫基乙酯15重量份所成的重量平均分子量400，000之共聚物100重量份、和由伸甲苯二異氫酸酯和三羫甲基丙烷的加成物所成的交聯劑9.4重量份之黏著劑。

黏著劑B：摻合由丙烯酸丁酯80重量份、甲基丙烯酸甲脂10重量份、丙烯酸2-羫基乙酯5重量份所成的重量平均分子量500，000之共聚物100重量份、和由伸甲苯二異氫酸酯和三羫甲基丙烷的加成物所成的交聯劑0.9重量份之黏著劑。

使用滾筒塗布器將黏著劑A以乾燥厚度為20μm的方式塗布於厚度50μm的聚對苯二甲酸乙烯酯(PET)膜上並使其乾燥，之後與剝離膜層合。接著，將黏著劑B以乾燥厚度為20μm的方式塗布於另外的剝離膜上並使其乾燥，之後與塗布著PET的黏著劑A之面的相反面層合而獲得雙面黏著片。

(可撓性玻璃基板的製造)

將63重量%的SiO₂、14重量%的Al₂O₃、6重量%的Li₂O、10重量%的Na₂O、7重量%的ZrO₂之組成比所構成的原料玻璃混合物，以1500~1600℃經5小時加熱溶融後，流出於鐵板上並加壓而獲得玻璃板。其次加工、研磨成所期望的大小而獲得外徑201mm、厚度0.5mm的圓形玻璃板。接著，將玻璃板浸漬於360 ℃的KNO₃：60%，NaNO₃：40%的混鹽溶融液3小時，進行玻璃板表面部的離子交換，而獲得壓縮應力層既被化學強化100μm的可撓性玻璃基板A。此玻璃的最大彎曲角度約為40度。

(構造體之形成)

藉由雙面的剝離膜已剝下的雙面黏著片，將可撓性玻璃基板A和厚度720μm的8吋矽晶圓於真空狀態下予以疊層。之後，使用晶圓背面研削機(disco公司所製DFG-840)進行研削，直到矽晶圓的厚度成為50μm為止，並使用第3圖所示的剝離手段進行可撓性玻璃基板A的剝離。進行此構造體的支撐性和剝離性之評估。支撐性、剝離性都良好。

(實施例2)

除了使用第7圖所示的剝離手段進行可撓性玻璃基板的剝離以外，其餘為進行了與實施例1同樣的操作。支撐性、剝離性都良好。

(實施例3)

(可撓性玻璃基板的製造)

由與實施例1相同組成比所構成的原料玻璃混合物，以1500~1600℃加熱5小時而溶融後，流出於鐵板上並加壓而獲得玻璃板。其次加工、研磨成所期望的大小，獲得外徑201mm、厚度1mm的圓形玻璃板。接著，將玻璃板浸漬於360℃的KNO₃：60%，NaNO₃：40%的混鹽溶融液中3小時，進行玻璃板表面部的離子交換，獲得壓縮應力層既被化學強化100μm的可撓性玻璃基板B。此玻璃的最大彎曲角度約為32度。除了是使用第7圖所 示的剝離手段進行可撓性玻璃基板B的剝離以外，其餘係進行了與實施例2同樣的操作。支撐性、剝離性都良好。

1‧‧‧可撓性玻璃基板

2‧‧‧雙面黏著帶(暫黏接件)

3‧‧‧脆質部材

10‧‧‧構造體

11‧‧‧支撐手段

21‧‧‧基材

22，23‧‧‧黏著劑層

Claims (9)

1. 一種半導體晶圓的處理方法，係包含：於厚度300~1500μm、最大彎曲角度為30度以上、並具有由鈉離子及鉀離子中選出之一種以上的離子進行離子交換處理而被化學強化之壓縮應力層的可撓性玻璃基板上，將半導體晶圓以可再剝離的方式作固定的步驟；對前述半導體晶圓進行處理的步驟；將前述半導體晶圓側利用支撐手段固定的步驟，及使前述可撓性玻璃基板彎曲而從半導體晶圓剝離的步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板之壓縮應力層，係至少經過與鉀離子作離子交換之化學強化處理而形成。
3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板之壓縮應力層的厚度約為100μm。
4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板的外徑，係與前述半導體晶圓的 外徑相同或比其還大。
5. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述剝離步驟，係把持可撓性玻璃基板的端部，將端部從半導體晶圓一邊提高、一邊在可撓性玻璃基板之折返方向移動而剝離。
6. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓的處理方法，其中：施予半導體晶圓的處理係半導體晶圓的背面研削。
7. 如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板係含有Na₂O或Li₂O。
8. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板之壓縮應力層，係經過與鈉離子及鉀離子作離子交換之化學強化處理而形成。
9. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓的處理方法，其中：前述可撓性玻璃基板之厚度為300~1000μm。