JP2008218395A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 99
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 29
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
【解決手段】発光装置1においては、素子層30の上に、第2層間絶縁膜35と、補助電極150と、共通電極72が順に積層される。補助電極150の端E4は、共通電極72の端E1よりも基板10の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極72の端E1は、第2層間絶縁膜35の端E2よりも内側に位置するよう形成される。補助電極150は、共通電極72に電位を供給する第2電極用電源線と重なって電気的に接続される部分を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な発光装置を提供することを解決課題とする。
さらに、本発明は、上記いずれかの態様の第1または第2の発光装置を有する電子機器としても把握される。この電子機器によれば、上述のいずれかの効果を達成可能である。
<A−1:第1実施形態>
図1(A)は、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の構成の一部を示す概略平面図であり、図1(B)は図1(A)の状態の後に補助電極150および画素電極76をさらに形成した状態を示す平面図である。図1(A)に示すように、この発光装置1は、基板10とフレキシブル基板20とを備える。基板10の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板20に形成された接続端子とが、ACF(anisotropic conductive film:異方性導電膜)と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板20には、データ線駆動回路200が設けられており、さらに、フレキシブル基板20を介して各種の電源電圧が基板10に供給される。
なお、上述したように、第2層間絶縁膜35は下層に配置されたトランジスタや配線などにより生ずる凹凸を平坦化するために用いられる。加えて、第2層間絶縁膜35は、アクリル系、ポリイミド系の絶縁性の有機高分子材料などで形成され、素子層30内に配置されたトランジスタ40、50、60などの回路素子から陽極76、共通電極72、補助電極150等の電極を絶縁する機能も有する。すなわち、発光素子の発光を制御するための回路素子から各電極を絶縁する絶縁層として機能する。
なお、本明細書において、「内側」「外側」とは基板10の端E5を基準とした場合の基板面内における相対位置を示す。よって、例えば、「端E1は、(略)端E2よりも内側である」とは、端E1と基板10の端E5との距離は、端E2と端E5との距離よりも長いことを示す。
上述した実施形態では、補助電極150と画素電極76とが同時に形成された場合の構成について説明したが、画素電極76と同時ではなく隔壁37が形成された後の工程で補助電極150を形成するようにしてもよい。
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置について説明する。図8は、本実施形態に係る発光装置2Aの部分断面図である。図98に示すように、補助電極150は共通電極72の上に面接触するように形成され、補助電極150および共通電極72を覆うように封止膜80が形成される。発光装置2Aは、共通電極72が補助電極150の下層に形成される点を除いて第1実施形態の発光装置1A(図7)と同様である。よって、その説明を適宜省略する。
(1)上記第1および第2実施形態においては、共通電極72または補助電極150の上層を封止膜80で覆うことにより、素子層30、第2電極用電源線、第2層間絶縁膜35、共通電極72、補助電極150を含む層構造を外気から保護する構成としていたが、封止膜80を省く構成としてもよい。
図10に本変形例に係る発光装置1Cの簡略断面図を示す。図10に示されるように、発光装置1Cにおいては、封止膜80が設けられておらず、シール90と対向基板110により、基板10上に形成された層構造を保護している。なお、対向基板110の内側に、水分を吸着するための乾燥剤(図示略)を配置したり、あるいは、対向基板110自体に乾燥剤を埋め込んだものを用いる構成としてもよい。また、対向基板110とシール90の替わりに封止缶を用いてもよい。
図11に本変形例に係る別の発光装置1Dの簡略断面図を示す。図11に示されるように、発光装置1Dにおいては、対向基板110と基板10の上に形成された層構造との間に防湿性充填材65を充填することにより、層構造を外気から保護している。防湿性充填材65としては光透過性で低吸湿のものが望ましく、エポキシ系、またはウレタン系接着剤等を用いることができる。
各図12および図13は、本変形例に係る各発光装置のレイアウトの概略を説明するための図である。これらの図において、上述した実施形態と共通する部分については同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図14ないし図16には、以上の何れかの形態に係る発光装置を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
Claims (10)
- 基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第1電極と第2電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第2電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、
前記第2電極と電気的に接続した補助電極と、
前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第2電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第2電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層と、
を有し、
前記第2電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、
前記周辺領域において、前記第2電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する、
発光装置。 - 前記第2電極は、前記補助電極の下層に配置される、
請求項1に記載の発光装置。 - 基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々に対応して設けられた複数の第1電極と、
前記複数の発光素子に共通に設けられた第2電極と、
前記複数の第1電極と前記第2電極との間に介在する発光層と、
前記第2電極と電気的に接続した補助電極と、
前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層と、
前記第2電極または前記補助配線と前記素子層との間を絶縁する絶縁層と、
を備え、
前記第2電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第1の領域に設けられており、
前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第1の領域と重なり、前記周辺領域において前記第1の領域よりも第1の方向にはり出した第2の領域に設けられており、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通るように設けられており、且つ、前記周辺領域において、前記第1の領域の内側と前記第1の領域の外側であって且つ前記第2の領域の内側である領域とを通り前記第2の領域の外側に至るように設けられている、
発光装置。 - 前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から外側に至るように、第1の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有することを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 前記補助電極は、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有することを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 前記絶縁層の前記第1の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置したことを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から前記第2の領域の外側に至るように前記第1の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極である、
請求項6に記載の発光装置。 - 前記第2電極に電位を供給するための第2電極用電源線が、前記第1の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、
前記第2電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記第2電極用電源線は、前記第1の領域の外側に設けられたことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光装置を有する電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007319270A JP5104274B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-12-11 | 発光装置 |
KR20080009332A KR101492488B1 (ko) | 2007-02-08 | 2008-01-30 | 발광 장치 및 전자 기기 |
US12/024,451 US7679284B2 (en) | 2007-02-08 | 2008-02-01 | Light emitting device and electronic apparatus |
TW097104665A TWI484863B (zh) | 2007-02-08 | 2008-02-05 | 發光裝置及電子機器 |
CN2008100058115A CN101242692B (zh) | 2007-02-08 | 2008-02-05 | 发光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007028843 | 2007-02-08 | ||
JP2007028843 | 2007-02-08 | ||
JP2007319270A JP5104274B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-12-11 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012102294A Division JP5327354B2 (ja) | 2007-02-08 | 2012-04-27 | 発光装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218395A true JP2008218395A (ja) | 2008-09-18 |
JP5104274B2 JP5104274B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=39838170
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007319270A Active JP5104274B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-12-11 | 発光装置 |
JP2012102294A Active JP5327354B2 (ja) | 2007-02-08 | 2012-04-27 | 発光装置および電子機器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012102294A Active JP5327354B2 (ja) | 2007-02-08 | 2012-04-27 | 発光装置および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5104274B2 (ja) |
KR (1) | KR101492488B1 (ja) |
CN (1) | CN101242692B (ja) |
TW (1) | TWI484863B (ja) |
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Also Published As
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---|---|
CN101242692A (zh) | 2008-08-13 |
KR20080074739A (ko) | 2008-08-13 |
KR101492488B1 (ko) | 2015-02-11 |
CN101242692B (zh) | 2011-04-27 |
TW200847848A (en) | 2008-12-01 |
TWI484863B (zh) | 2015-05-11 |
JP2012142315A (ja) | 2012-07-26 |
JP5327354B2 (ja) | 2013-10-30 |
JP5104274B2 (ja) | 2012-12-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5104274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |