JP2006156374A - 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、有機電界発光素子に補助電極ラインを形成することで、第2電極のIRドロップ(IR drop)を防止し、複数のパターン及びトレンチ(Trench)を具備するように前記補助電極ラインを形成することによって、前記補助電極ラインと第2電極との接触面積を小さくして、熱抵抗を減少させ、キュアリング(Curing)時に熱伝逹を最適化する。
【選択図】図2
Description
前記第2電極390まで形成された基板を上部基板と封止することによって、有機電界発光素子を完成する。
る。
310 半導体層
320 ゲート絶縁膜
330 ゲート
340 絶縁膜
341 コンタクトホール
345 ソース/ドレイン電極
347 第1導電性パターン
350 絶縁膜
355 ビアホール
370 第1電極
371 第2導電性パターン
373 補助電極ライン
380 有機膜層
390 第2電極
a パネル領域
b 配線領域
Claims (38)
- パネル領域及び配線領域を有する基板と、
前記基板上のパネル領域に形成されていて、半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ、及び前記配線領域に複数のパターンで形成されている第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上部に形成されていて、少なくとも第1導電性パターンが露出するように形成されている絶縁膜と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように形成されている第1電極、及び前記配線領域の第1導電性パターン上に複数のパターンで形成されている第2導電性パターンと、
前記パネル領域の第1電極の上部にパターニングされて形成されていて、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1導電性パターンは、前記ソース/ドレイン電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記ソース/ドレイン電極は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2導電性パターンは、第1電極物質と同じ物質であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- パネル領域及び配線領域を有する基板と、
前記基板上のパネル領域に形成されていて、半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ、及び前記配線領域に形成されていて、トレンチを有する第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上部に形成されていて、少なくとも第1導電性パターンが露出するように形成されている絶縁膜と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように形成されている第1電極と、
前記パネル領域の第1電極の上部にパターニングされて形成されていて、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1導電性パターンは、前記ソース/ドレイン電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 前記ソース/ドレイン電極は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- パネル領域及び配線領域を有する基板と、
前記基板上のパネル領域に形成されていて、半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ、及び前記配線領域に複数のパターンで形成される第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上部が少なくとも露出するように形成されている絶縁膜と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように形成されている第1電極、及び前記配線領域の絶縁膜内に第1導電性パターンに接するように複数のパターンで形成される第2導電性パターンと、
前記パネル領域の第1電極の上部にパターニングされて形成されていて、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1導電性パターンは、前記ゲート電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子。
- 前記ゲート電極物質は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子。
- パネル領域及び配線領域を有する基板と、
前記基板上の前記パネル領域に形成されていて、半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ、及び前記配線領域に形成されていて、トレンチを有する第1導電性パターンと、
前記第1導電性パターンの上部に形成されていて、少なくとも第1導電性パターンの上部を露出させる絶縁膜と、
前記ソース/ドレイン電極の上部に形成され、第1導電性パターンの上部に、エッチングにより除去されて形成されている絶縁膜と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように形成されている第1電極と、
前記第1電極の上部にパターニングされて形成されていて、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1導電性パターンは、前記ゲート電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光素子。
- 前記ゲート電極物質は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光素子。
- パネル領域及び配線領域を有する基板を提供する段階と、
前記基板上のパネル領域に半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、且つ前記配線領域に複数のパターンで第1導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部に少なくとも第1導電性パターンが露出するように絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレインに当接するように第1電極を形成し、且つ前記配線領域の第1導電性パターン上に複数のパターンで第2導電性パターンを形成する段階と、
前記パネル領域の第1電極の上部に少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第2電極を形成する段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第1導電性パターンは、前記ソース/ドレイン電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ソース/ドレイン電極は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項19に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第2導電性パターンは、第1電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンを形成する時、電源供給(Vdd)ライン及びデータ(Vdata)ラインを同時に形成することを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- パネル領域及び配線領域を有する基板を提供する段階と、
前記基板上のパネル領域に半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、且つ前記配線領域にトレンチを有する第1導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部に少なくとも第1導電性パターンが露出するように絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第2電極を形成する段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第1導電性パターンは、前記ソース/ドレイン電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項24に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ソース/ドレイン電極は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項25に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項24に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンを形成する時、電源供給(Vdd)ライン及びデータ(Vdata)ラインを同時に形成することを特徴とする請求項24に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- パネル領域及び配線領域を有する基板を提供する段階と、
前記基板上のパネル領域に半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、且つ前記配線領域に複数のパターンで第1導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部に少なくとも第1導電性パターンが露出するように絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように第1電極を形成し、且つ前記配線領域の絶縁膜内に第1導電性パターンに当接するように複数のパターンで第2導電性パターンを形成する段階と、
前記パネル領域の第1電極の上部に少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第2電極を形成する段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第1導電性パターンは、前記ゲート電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項29に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート電極物質は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項30に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項29に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンを形成する時、電源供給(Vdd)ライン及びデータ(Vdata)ラインを同時に形成することを特徴とする請求項29に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- パネル領域及び配線領域を有する基板を提供する段階と、
前記基板上の前記パネル領域に半導体層、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、且つ前記配線領域にトレンチを有する第1導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部に少なくとも第1導電性パターンの上部を露出させる絶縁膜を形成する段階と、
前記ソース/ドレイン電極の上部に形成され、第1導電性パターンの上部にエッチングにより除去されるように絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜内のビアホールを介して前記ソース/ドレイン電極に当接するように第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の上部に少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第2電極を形成する段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第1導電性パターンは、前記ゲート電極物質と同じ物質からなることを特徴とする請求項34に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート電極物質は、モリブデン(Mo)、タングステンモリブデン(MoW)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、モルリブデニウムシリサイド(MoSi2)及びタングステンシリサイド(WSi2)よりなる群から選ばれた1種で形成されることを特徴とする請求項35に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンは、線幅が1μm乃至750μm、スペースが5μm乃至350μmであることを特徴とする請求項34に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1導電性パターンを形成する時、電源供給(Vdd)ライン及びデータ(Vdata)ラインを同時に形成することを特徴とする請求項34に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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