CN101242692B - 发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光装置(1)，其中，在元件层(30)上依次层叠有第二层间绝缘膜(35)、辅助电极(150)、公共电极(72)。辅助电极(150)的端(E4)以位于比公共电极(72)的端(E1)在基板(10)的面内更靠外侧的位置的方式形成，公共电极(72)的端(E1)以位于比第二层间绝缘膜(35)的端(E2)更靠内侧的位置的方式形成。辅助电极(150)具有和向公共电极(72)供给电位的第二电极用电源线重合且电连接的部分。从而可以缩小发光装置的额缘区域，并且可抑制发光元件的亮度偏差。

Description

发光装置 

技术领域

本发明涉及使用了有机EL(Electroluminescence)元件等发光元件的发光装置。 

背景技术

公知一种发光装置，其在基板上的有效区域配置有多个发光元件，在围绕有效区域的周边区域配置有各种配线等。各发光元件具有夹在第一电极和第二电极之间、用有机EL材料等发光材料形成的发光层。在多数场合下，该第二电极是针对多个发光元件共通而设置的公共电极，横跨所述有效区域而设置。但是，由于电极自身具有的阻抗而使得在电极面内发生电压下降，供给到发光元件的电位可能因在基板上的位置不同而产生离散，故发光元件的亮度可能因位置不同而产生离散。于是，一直以来，设置有用比公共电极更低阻抗的材料形成且和公共电极电连接的辅助电极，由此降低公共电极的阻抗(例如，专利文献1)。 

专利文献1：特开2002-352963号公报 

但是，辅助电极例如多数情况下用铝等的遮光性构件形成。因此，理想是以通过发光元件的间隙区域的方式形成，以使来自发光元件射出的光不会被遮挡，理想的是采用高精度的位置对准机构而形成。与此相对，公共电极用光透过性的材料形成，与覆盖有效区域全部的区域同样形成。由此，和辅助电极比较，可允许位置对准中的误差。由此，与辅助电极相比，公共电极的位置对准误差成为问题。因此，理想的是以可吸收公共电极的误差的方式充分确保基板上周边区域的宽度(所谓“额缘区域”)，这一点成了装置小型化的妨碍。 

另外，用于控制发光元件的发光的晶体管等电路元件配置于公共电极和辅助电极的下层。因此，在公共电极及辅助电极之间设置有绝缘层，以使公共电极及辅助电极自电路元件绝缘。但是，在绝缘层含有台阶时，在和该台阶重合的上层部分在电极上可能产生断线或龟裂。由于在产生断线和龟裂的部位电极的阻抗值增加，因此发光元件的亮度不匀较明显。 

发明内容

本发明是鉴于上述事情而提出，以提供一种可以缩小发光装置的额缘区域并且可抑制发光元件的亮度不匀的发光装置作为解决课题。 

为解决上述课题，本发明的第一发光装置，在基板上具有排列有多个发光元件的有效区域和围绕该有效区域的周边区域，所述各发光元件具有第一电极、第二电极、以及位于两者间的发光层，所述第二电极对所述多个发光元件共通地设置，还具有配置有用于控制所述发光元件发光的电路元件的元件层，其中，具有：辅助电极，其与所述第二电极电连接；绝缘层，其配置于所述元件层的上层，并且具有配置于比所述第二电极及所述辅助电极更靠近下层的部分，用于将所述第二电极及所述辅助电极从所述电路元件绝缘，所述第二电极，覆盖所述有效区域，在所述周边区域露出而同样地形成，所述辅助电极，在所述有效区域通过所述多个发光元件的间隙，形成于所述周边区域的局部，在所述周边区域，以所述第二电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置比所述辅助电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置更靠近内侧的方式，设定所述第二电极的端以及所述辅助电极的端的不存在误差的位置即基准位置。 

在本发明的发光装置中，辅助电极的端部配置于比公共电极的端部更靠外侧的位置。另外，辅助电极在有效区域以通过发光元件的间隙区域的方式形成。因此，理想的是采用高精度的位置对准机构而形成。与此相反，公共电极同样地在覆盖有效区域全部的区域形成，因此在形成公共电极的时候，并不要求辅助电极那样的位置对准精度。即，多数情况下辅助电极以比公共电极更小的误差形成。由此，根据本发明，和将公共电极的端部配置于比辅助阴极的端部更靠外侧的构成相比，可以对应于辅助电极的误差缩小额缘区域，可以实现装置的小型化。而且，辅助电极以其阻抗比第二电极低的方式构成。尤其是，优选用比第二电极更低阻抗的材料形成。 

另外，在本发明的发光装置中，公共电极的端部配置于比绝缘层端部更靠内侧的位置。绝缘层，例如是电路台阶平坦化膜，为了使下层的凸凹平坦化，大多较厚而形成膜。由此，绝缘层端成为大的台阶。与此相反，公共电极多用脆性的材料形成，且较薄地形成，因此，由于绝缘层端部的台阶的影响有时在公共电极上产生断线或龟裂。但是，在本发明中，公共电极的端部配置于比绝缘层的端部更靠内侧的位置，因此可防止公共电极的断线或龟裂。由此，可以将断线和龟裂造成的阻抗值的增加防患于未然。因此，可抑制发光元件的亮度不匀。在本发明的合适的方式中，所述第二电极优选配置于所述辅助电极的下层。根据该方式，可保护第二区域免受外气影响。 

另外，本发明的第二发光装置，在基板上具有排列有多个发光元件的有效区域和围绕该有效区域的周边区域，其中，具备：多个第一电极，其与所述多个发光元件的每个相对应而设置；第二电极，其对所述多个发光元件共通地设置；发光层，其介于所述多个第一电极和所述第二电极间；辅助电极，其与所述第二电极电连接；元件层，其配置有用于控制所述发光元件的发光的电路元件；绝缘层，其使所述第二电极或所述辅助电极和所述元件层之间绝缘，所述第二电极设置于包含所述有效区域全体和所述周边区域的至少一部分的第一区域，所述绝缘层在所述有效区域全体中和所述第一区域重合，在所述周边区域设置于比所述第一区域更向第一方向延伸的第二区域，所述辅助电极，在所述有效区域以通过所述多个发光元件的间隙的方式设置，且在所述周边区域中，以通过所述第一区域的内侧和作为所述第一区域的外侧且作为所述第二区域的内侧的区域，到达所述第二区域的外侧的方式设置。 

在上述第二发光装置中，辅助电极设置于比设置公共电极的第一区域更靠外侧的区域。由此，辅助电极的端部配置于比公共电极的端部的更靠外侧的位置。另外，辅助电极以在有效区域中通过发光元件的间隙区域的方式形成，在辅助电极的形成中采用高精度的位置对准机构。与此相反，公共电极在覆盖有效区域全部的区域同样地形成，因此，公共电极形成的时候，并不要求辅助电极那样的位置对准精度。由此，辅助电极的误差比公共电极的更小，因此，根据本发明，和将公共电极的端部配置于比辅助阴极的端部更靠外侧的构成相比，可以根据辅助电极的误差缩小额缘区域，可以实现装置的小型化。 

另外，在上述的第二发光装置中，设置有公共电极的第一区域配置于 比设置绝缘层的第二区域更靠内侧的位置。由此，在绝缘层端和公共电极重合的部分，可以将公共电极中的断线和龟裂造成的阻抗值的增加防患于未然。因此，可抑制发光元件的亮度不匀。 

在上述第二发光装置的合适的方式中，所述多个发光元件排列成矩阵状，所述辅助电极，具有通过所述多个发光元件的间隙、且以从所述有效区域的内侧至外侧的方式沿第一方向设置成条纹状的多个个别电极。优选的是，所述辅助电极还具有在所述周边区域将所述多个个别电极相互连接的连接电极也可以。在这种情况下，以所述绝缘层的所述第一方向的端和所述连接电极重合的方式配置所述连接电极也可以。 

在上述第二发光装置的其它实施方式中，所述多个发光元件排列成矩阵状，所述辅助电极，是以通过所述多个发光元件的间隙、且从所述有效区域的内侧至所述第二区域的外侧的方式，沿第一方向设置成条状的多个个别电极。 

另外，关于上述第二发光装置，在上述的任一方式中，用于供给所述第二电极电位的第二电极用电源线以和所述第一方向交差的方式设置于所述周边区域，所述第二电极用电源线和所述辅助电极电连接。在这种情况下，优选的是，所述第二电极用电源线也可以设置于所述第一区域的外侧。 

另外，具有上述任一方式的第一或第二发光装置的电子设备，本发明也可以把握。根据该电子设备，可达到上述任一项的效果。 

附图说明

图1(A)是表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置的构成的一部分的概略平面图，(B)是表示在(A)的状态后进一步形成了辅助电极及像素电极的状态的平面图。 

图2是表示该装置的像素电路的详细的电路图。 

图3是图1(B)的局部的放大图。 

图4是该装置的部分剖面图。 

图5是该装置的部分简略剖面图。 

图6是表示在比较例中在公共电极上产生龟裂的样子的图。 

图7第1实施方式所涉及的变形例所涉及的发光装置的部分剖面图。 

图8是本发明的第2实施方式所涉及的发光装置的部分剖面图。 

图9是该装置的部分简略剖面图。 

图10是本发明的变形例所涉及的发光装置的部分简略剖面图。 

图11是本发明的变形例所涉及的发光装置的部分简略剖面图。 

图12是本发明的变形例所涉及的发光装置的布局图的概略。 

图13是本发明的变形例所涉及的发光装置的布局图的概略。 

图14是表示采用了发光装置的移动式个人计算机的构成的立体图。 

图15是表示使用了发光装置的便携电话机的构成的立体图。 

图16是表示使用了发光装置的便携信息终端的构成的立体图。 

图中：1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B-发光装置，10-基板，70-发光元件，34-电路保护膜，35-第二层间绝缘膜(绝缘层)，37-隔壁，37a-开口部，65-防湿性充填材料，72-公共电极(第二电极)，74-发光功能层，76-像素电极(第一电极)，80-密封膜，90-密封件，100A、100B-扫描线驱动电路，110-对置基板，111-扫描线，112-数据线，113-电源供给线，120-预充电电路，140-第二电极用电源线，150-辅助电极，150c、150e-个别电极，150d-连接电极，200、200A、200B-数据线驱动电路，A-有效区域，B-周边区域，C、F-区域，E1～E5-端，G～信号输入端子，P～单位电路。 

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在附图中，各部的尺寸比例和实际的有适当的不同。 

A-1：第1实施方式 

图1(A)是表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置1的构成的一部分的概略平面图，图1(B)是表示在图1(A)的状态后进一步形成了辅助电极150及像素电极76的状态的平面图。如图1(A)所示，该发光装置1具备基板10和挠性基板20。在基板10的端部形成有连接端子，该连接端子和形成于挠性基板20的连接端子通过含有被称为ACF(anisotropic conductive film：各向异性导电膜)的导电粒子的薄膜状的粘结 剂压接固定。另外，在挠性基板20上设置有数据线驱动电路200，另外，各种电源电压通过挠性基板20被供给到基板10。 

在基板10上设置有有效区域A和其外侧(即基板或基板10的外周和有效区域A之间)的周边区域B。在周边区域B形成有扫描线驱动电路100A及100B、以及预充电电路120。预充电电路120是用于在写入动作之前将数据线112的电位设定为规定的电位的电路。扫描线驱动电路100A及100B、以及预充电电路120是处于有效区域A的周边的周边电路。但是，周边电路也可以含有检查单位电路P和配线的良好与否的检查电路(未图示)，数据线驱动电路200也可以是设置于周边区域B的周边电路。 

在有效区域A形成有多条扫描线111和多条数据线112，在它们的交叉点的各自的附近设置有多个单位电路(像素电路)P。单位电路P含有OLED(organic light emitting diode)元件，从电流供给线113接受给电。多条电流供给线113与第一电极用电源线130连接。 

图2是表示发光装置1的单位电路P的详细的电路图。各单位电路P包含：n沟道型晶体管68、p沟道型晶体管60、电容元件69及发光元件(OLED元件)70。p沟道型晶体管60的源电极与电流供给线113连接，另一方面，其漏极电极与发光元件70的阳极连接。另外，在晶体管60的源电极和栅极电极之间设置有电容元件69。n沟道型晶体管68的栅极电极与扫描线111连接，其源电极与数据线112连接，其漏极电极和晶体管60的栅极电极连接。 

就单位电路P而言，扫描线驱动电路100A及100B选择与该单位电路P对应的扫描线111时，晶体管68导通，将通过数据线112供给的数据信号保持于内部的电容元件69。而且，晶体管60将与数据信号电平相应的电流供给到发光元件70。由此，发光元件70，以与数据信号电平相应的亮度而发光。 

另外，如图1(A)所示，在周边区域B的外周部侧(即基板或基板10的外周和周边区域B之间)形成有日语“コ”字状的第二电极用电源线140。第二电极用电源线140，如后述为用于向发光元件的阴极(第二电极)供给电源电压(在该例中，Vss：地电平)的配线。另外，代替将第二电极用电源线140配设成日语“コ”字状(即、沿基板10的三边)， 也可以将第二电极用电源线140设置成沿基板10相面对的两边的形态。即，在图示例中，也可以沿着各扫描线驱动电路100A及100B配设。 

发光元件70，具有夹在像素电极76(阳极)和公共电极72(阴极)间的发光功能层(含有发光层)74(参照图4)。公共电极72如图1(B)所示形成为跨越有效区域A整体和周边区域B的一部分的区域(第一区域)。另外，连接公共电极72和第二电极用电源线140的辅助电极150以在周边区域B中覆盖周边电路的方式形成。辅助电极150包含设置于有效区域A的辅助电极的第一部分150a、和设置于周边区域B的辅助电极的第二部分150b。辅助电极150的第一部分150a形成格子状，以使在有效区域A中辅助电极150的第一部分150a和像素电极76不接触。即，在发光元件70的间隙配置有辅助电极150的第一部分150a。在本说明书中所说的辅助电极，是与公共电极72重合且电连接，以使公共电极72的电阻降低的导体。为了明确化，将图1(B)的一部分进行放大而表示于图3。 

该实施方式所涉及的发光装置1，以顶发射的形式构成，来自发光功能层74的光通过公共电极72射出。公共电极72由透明材料形成。因此，不会因公共电极72将周边区域B进行遮光。另一方面，在上述的辅助电极150中，因为使用了具有导电性及遮光性的金属，利用辅助电极150可以遮光。由此，可以抑制光向周边电路入射而产生光电流。另外，辅助电极150可以通过和有效区域A的像素电极76同样的工艺形成。因此，不需要为了给周边区域附加遮光性的特别的工艺。 

图4表示发光装置1的部分剖面图。在该图中，在有效区域A中形成有发光元件70，另一方面，在周边区域B形成有作为周边电路的扫描线驱动电路100A。在图4中，发光装置1的上表面成为射出光的射出面。如该图所示，在基板10上形成有基底保护层31，在其上形成有晶体管40、50及60。晶体管40是n沟道型、晶体管50及60是p沟道型。晶体管40、50是扫描线驱动电路100A的一部分，晶体管60和发光元件70是单位电路P的一部分。 

晶体管40、50及60，设置于以形成于基板10的表面的氧化硅为主体的基底保护层31上。在基底保护层31的上层形成有硅层401、501及601。栅绝缘层32以覆盖硅层401、501及601的方式设置于基底保护层31的 上层。栅绝缘层32例如由氧化硅形成。在与栅绝缘层32的上面中的硅层401、501及601相面对的部分设置有栅极电极42、52及62。在晶体管40中通过栅极电极42在硅层401中掺入第V族元素，形成漏极区域40c及源极区域40a。在此，没有掺入V族元素的区域成为沟道区域40b。 

在晶体管50及60中经由栅极电极52及62、在硅层501及601中经由栅极电极52及62掺入第III族元素，形成漏极区域50a及60a、以及源极区域50c及60c。在此，没有掺入第III族元素的区域成为沟道区域50b及60b。另外，在形成晶体管40、50及60的栅极电极42、52及62的同时形成扫描线111。 

第一层间绝缘层33以覆盖栅极电极42、52及62的方式形成于栅绝缘层32的上层。第一层间绝缘层33的材料使用氧化硅等。另外，源电极41、51及63、漏·源电极43以及漏极电极61跨越栅绝缘层32及第一层间绝缘层33且通过开孔的接触孔(コンタクトホ一ル)与硅层401、501及601连接。另外，用和这些电极同样的工艺形成第二电极用电源线140、数据线112及电流供给线113。这些电极及第二电极用电源线140等用具有导电性的铝等材料形成。 

电路保护膜34，以覆盖源电极41、51及63、漏·源电极43、漏极电极61以及第二电极用电源线140的方式设置于第一层间绝缘层33的上层。电路保护膜34，例如由氮化硅和氮氧化硅(酸窒化珪)等气体透过率低的材料形成。另外，这些氮化硅和氮氧化硅也可以是非晶质材料，也可以含有氢元素。通过电路保护膜34可防止来自晶体管40、50及60的氢元素的脱离。另外，也可以在源电极和漏极电极的下面形成电路保护膜34。 

第二层间绝缘膜35设置于电路保护膜34的上层。在此，第二层间绝缘膜35，设置于源电极41、51及63、漏·源电极43、漏极电极61、以及第二电极用电源线140、和后述的像素电极76、辅助电极150、或公共电极72之间，以起到将它们绝缘的作用。这时，以供给到扫描线和信号线的信号不会迟延的方式设定膜厚。另外，关于第二层间绝缘膜35，优选为，使与电路保护膜34相反侧的上表面的凹凸，比与电路保护膜34相面对的下面的凹凸更小。即，为了使因晶体管40、50、60、扫描线111、数据线112、电流供给线113等而产生的凹凸平坦化，而使用第二层间绝缘 膜35。该第二层间绝缘膜35，在整个有效区域A和上述第一区域(形成公共电极72的区域)重合，在周边区域B设置在比第一区域更向第一方向伸出的第二区域。详细而言，在本实施方式中，在基板10的4边中配设了第二电极用电源线140的左右两边及上边这至少三边侧，第二区域比第一区域向更靠基板10的面内的外侧方向突出。 

在第二层间绝缘膜35的材料中，例如，可使用丙烯酸(アクリル)类、聚(酰)亚氨(ポリイミド)类的有机高分子材料。在这种情况下，也可以在有机树脂中混合用于图案化的感光性材料，用和光致抗蚀膜同样的曝光进行图案化。或者，也可以由氧化硅、氮氧化硅等无机材料通过化学气相成长法(chemical vapor deposition：CVD)形成第二层间绝缘膜35，且通过腐蚀等使其上表面平坦化。无机材料，在通过化学气相成长法形成膜时，其膜厚在1μm以下，而且大致是一样的，且其上表面容易受下层的凹凸的影响这一情况。与此相对，有机树脂由于通过涂层(コ一テインダ)而形成，因而其膜厚可大到2～3μm程度，而且其上表面难以受下层的凹凸的影响，因此适合于第二层间绝缘膜35的材料。尤其是，若允许某程度的凹凸，即可将氧化硅、氮氧化硅等无机材料应用于第二层间绝缘膜35。如上所述，由于第二层间绝缘膜35如此需要规定膜厚，因此有时在周边区域形成台阶。 

在第二层间绝缘膜35上，在有效区域A内形成像素电极76(第一电极)及辅助电极的第一部分150a的同时，在周边区域形成辅助电极的第二部分150b。即，像素电极76和辅助电极150是在同一层、用同一材料同时形成的。该实施方式中的像素电极76是发光元件70的阳极，每一个发光元件70相互分离而形成，且通过贯通第二层间绝缘膜35及电路保护膜34的接触孔和晶体管60的漏极电极61连接。另外，作为阳极即像素电极76的材料，理想的是功(仕事)函数大的材料，例如，镍、金、铂(白金)等或它们的合金较适合。由于这些材料具有反射性，因此使得由发光功能层74发出的光朝向公共电极72反射。在这种情况下，辅助电极150也由这些材料形成。 

另外，作为像素电极76，其构成也可以含有：由功函数高的ITO(indiumtin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、或ZnO2之类的氧化导电材料构成的 具备光透光性、导电性的第一层；和由反射性金属、例如由铝构成的第二层。第一层被设置在发光功能层侧的构成也可以。在这种情况下，辅助电极150也可以具有第一层和第二层两层，也可以具有它们中的任一层。 

辅助电极150以在有效区域A中通过多个发光元件70的间隙的方式形成格子状(第一部分150a)，在周边区域，形成有第二层间绝缘膜35的第二区域，比形成有公共电极72的第一区域更伸出的一侧(在本实施方式中为基板10的左右两边及上边侧)，以通过第一区域的内侧和作为第一区域的外侧且作为第二区域的内侧的区域到达第二区域外侧的方式形成(第二部分150b)。辅助电极150，在周边区域B通过形成于电路保护膜34的接触孔与第二电极用电源线140连接。如图所示，在第二电极用电源线140上，不形成第二层间绝缘膜35，只在电路保护膜34上形成接触孔，就可以使辅助电极150的第二部分150b与第二电极用电源线140直接接触。 

接着，形成隔壁37。隔壁37以使各像素电极76的外形边缘被隔壁37覆盖的方式形成，因此，具有开口部37a。而且，开口部37a的每一个整体都与像素电极76重合，在形成发光功能层74前的阶段，像素电极76通过开口部37a露出。隔壁37，将像素电极76和其后形成的公共电极72(第二电极)之间、或多个像素电极76彼此之间绝缘。通过设置隔壁37可以独立控制各个像素电极76，可以使多个发光元件以各自规定的亮度发光。即，隔壁37将多个发光元件进行区分。例如，丙烯酸或聚亚氨等是隔壁37的绝缘性材料。在这种情况下，也可以混合用于图案化的感光性材料，用和光致抗蚀膜同样的曝光进行图案制作。在隔壁37上同时形成接触孔CH。在有效区域A中，辅助电极150的第一部分150a通过该接触孔CH和后述的公共电极72连接。另外，在周边区域B的辅助电极150的第二部分150b上，不设置和隔壁37同样的层。 

接着，在像素电极76上，形成至少含有发光层的发光功能层74。发光层可使用有机EL物质。有机EL物质可以是低分子材料，也可以是高分子材料。作为构成发光功能层74的其它层，也可以具备：孔穴注入层、孔穴输送层、电子输送层、电子注入层、孔穴阻挡(ブロツク)层及电子阻挡(ブロツク)层的一部分或全部。 

接着，以横跨有效区域A及周边区域B且覆盖辅助电极150及发光功能层74的方式形成公共电极72(第二电极)。公共电极72具有透光性，来自发光元件70的光透过公共电极72向图中上侧的方向射出。由于使该实施方式所涉及的公共电极72作为所有的发光元件70的阴极而发挥功能，因此公共电极72用功函数低的材料形成，以使电子容易注入。例如，铝、钙(カルシウム)、镁(マダネシウム)或锂(リチウム)等和它们的合金。另外，理想的是该合金使用功函数低的材料和可使该材料稳定化的材料。例如，镁和银的合金适合。在将这些金属或合金使用于公共电极72的情况下，为了要得到透光性，只要减小厚度即可。 

另外，公共电极72(第二电极)的构成也可以是，含有：由上述的功函数低的材料，或由功函数低的材料和使该材料稳定化的材料构成的第一层；ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、或ZnO2这样的氧化导电材料构成的具备光透光性、导电性的第二层，且第一层被设置在发光功能层侧。如ITO、IZO或ZnO2这样的氧化导电材料是致密的材料，气体透过率低。若用这样的材料形成公共电极72，因为公共电极72横跨有效区域A及周边区域B而形成，因此有效区域A的单位电路P及周边区域B的周边电路被保护而免受外气影响，从而，可抑制它们的劣化。这样一来，若公共电极72(第二电极)是包含上述第二层的构成，由于和构成第一层的材料相比其光透光性、导电性优异，因此可以使公共电极72的电源阻抗大幅降低，并且，可以提高来自发光功能层的光输出效率。另外，公共电极72(第二电极)由于用含有由功函数低的材料和使该材料稳定化的材料构成的第一层，和由上述的氧化导电材料构成的第二层构成，因此，可防止第一层和第二层反应，可以防止电子注入效率的劣化。 

另外，在形成公共电极72之前，在隔壁37上形成有接触孔CH。通过该接触孔CH，在有效区域A中辅助电极的第一部分150a和公共电极72连接。由于公共电极72在有效区域A中与形成格子状的辅助电极的第一部分150a(参照图1(B))连接，由此可以使公共电极72的电源阻抗大幅降低。另外，辅助电极的第二部分150b在周边区域B没有用隔壁37覆盖而和公共电极72以大面积接触，因此可降低连接阻抗。因此，可使电源阻抗大幅降低。 

接着，以覆盖公共电极72及辅助电极150的方式形成密封膜80。密封膜80可使用例如透明度高、防湿性良好的氮氧化硅、氧化硅等气体透过率低的无机材料。该密封膜80覆盖周边电路(具有晶体管40、50的扫描线驱动电路100A、100B及预充电电路120)的区域全部。但是，在基板10的外边缘不形成密封膜80，在该外端边缘，密封件90接合在电路保护膜34上，在其上部接合有透明密封基板(对置基板)110。密封件90例如也可以是粘结剂，也可以将用于保持对置基板110的垫片用粘结剂接合。 

图5是图4中的区域C的简略剖面图。即，周边区域B中比作为扫描线驱动电路100的一部分的晶体管40、50更靠近外侧的端部的剖面图。为说明的方便，将图4所示的基底保护层31、栅绝缘层32、第一层间绝缘层33、电路保护膜34及夹在它们各层间的晶体管40、50及60各电极作为元件层30集中表示于图5中。在该元件层30内的上层部形成有第二电极用电源线140，如上所述，第二电极用电源线140的上表面作为和上层电极的接触区域发挥功能。在图4中，除元件层30及第二电极用电源线140之外，表示有第二层间绝缘膜35、辅助电极150、公共电极72、密封膜80、密封件90及对置基板110。下面，参照该图，就各层的相对位置对准关系进行详细说明。 

另外，如上所述，使用第二层间绝缘膜35是为了使配置于下层的晶体管和配线等产生的凹凸平坦化。而且，第二层间绝缘膜35用丙烯酸类、聚亚氨类的绝缘性有机高分子材料等形成，还具有将阳极76、公共电极72、辅助电极150等的电极自配置于元件层30内的晶体管40、50、60等电路元件绝缘的功能。即，作为使各电极与用于控制发光元件的发光的电路元件绝缘的绝缘层而发挥功能。 

如图5所示，在含有第二电极用电源线140的元件层30的上层形成第二层间绝缘膜35，第二层间绝缘膜35的端E2比第二电极用电源线140的接触区域的内侧的端E3更靠内侧。在第二层间绝缘膜35的上表面、元件层30的上表面中的夹在第二层间绝缘膜35的端E2和端E3的区域及接触区域，形成辅助电极150的第二部分150b(以下，仅称为“辅助电极”)。由此，辅助电极150和第二电极用电源线140相接且重合，和第二电极用 电源线140电连接。在图示的例中，辅助电极150的端E4和接触区域的外侧端一致，但是，不一定一致，辅助电极150以覆盖接触区域的方式形成也可以。即，其构成也可以是辅助电极的端E4位于比接触区域的外侧端更靠近外侧位置。 

另外，在本说明书中，所谓“内侧”、“外侧”表示将基板10的端E5作为基准时的基板面内的相位置对准置。由此，例如，所谓的“端E1比(略)端E2更靠内侧”，表示端E1和基板10的端E5的距离比端E2和端E5的距离更长。 

在辅助电极150的上面形成公共电极72。公共电极72的端E1以位于比第二层间绝缘膜35的端E2更靠内侧的位置的方式形成。另外，辅助电极端E4以位于比公共电极72的端E1更靠近外侧的位置的方式构成。另外，如上所述，辅助电极150和像素电极76同时形成，接着，依次形成隔壁37、发光功能层74后，以覆盖隔壁37及发光功能层74的方式，形成公共电极72。 

如上所述，在辅助电极150上可使用具有导电性及遮光性的金属。因此，以有效区域A的辅助电极150和像素电极76不重合的方式，以格子状形成辅助电极150的第一部分150a。即，在有效区域A，以不遮断来自发光元件70的射出光的方式，只在发光元件70的间隙中配置有辅助电极150的第一部分150a。发光元件70相互以微小的间隔配置，因此，理想的是辅助电极150采用高精度的准直(アラインメント)机构而形成。与此相对，公共电极72由透明材料形成，因此，在有效区域A中以覆盖发光元件70的方式在有效区域A内同样地形成。因此，公共电极72也可以采用比辅助电极150的形成所用的位置对准机构精度低的准直机构形成。但是，采用精度低的准直机构而形成公共电极72时，公共电极72的端E1的位置可能会变动。 

在此，将公共电极72的端E1的位置误差的范围设定为t1，将辅助电极150的端E4的位置误差的范围设定为t2。在对辅助电极150采用精度更高的定位机构时，t1＞t2。另外，对于辅助电极和公共电极72双方，都使用具有辅助电极150的形成所需要程度的精度的单一的准直机构时，t1＝t2。由此，辅助电极150的误差t2大于公共电极72的误差的可能性较 低，假定在后者的情况下，即使t1＜t2，由于采用了高精度的准直机构，t1的误差也不怎么成问题。于是，在本实施方式中，辅助电极150的端E4以位于比公共电极72的端E1更靠近外侧的方式构成。根据该构成，可以考虑辅助电极150的误差在基板10的端E5侧从成为最大的位置E4max(端E4与基板10的端E5侧最近时的位置)到端E5的距离，而决定周边区域B的宽度(即，“额缘区域”)。由此，将允许更大误差的公共电极72的端E1配置于比辅助电极150的端E4更靠近外侧的情况相比较，可以将额缘区域缩小。即，可以降低公共电极72的形成所使用的准直机构的精度对额缘区域的宽度的影响。另外，理想的是，以公共电极72的误差在基板10的端E5侧成为最大的位置E1max，比辅助电极150的误差在基板10的端E5侧成为最大的位置E4max更靠近内侧的方式，设定端E1及端E4的基准位置(没有误差时的位置)。 

图6作为比较例，表示公共电极72与第二层间绝缘膜35的端E2重合而形成的状态。如图6所示，在该比较例中，公共电极72的端E1被配置于比第二层间绝缘膜35的端E2更靠外侧。如上所述，第二层间绝缘膜35为了使下层的凸凹平坦化形成较厚的膜。由此，第二层间绝缘膜35的端E2有大的台阶。与此相对，公共电极72例如，用ITO等薄膜材料形成。因此，在比较例所示的构成中，因第二层间绝缘膜35的端E2的台阶的影响，在公共电极72中会产生如图6所示的龟裂I。若产生龟裂I，则在龟裂部分阻抗值增加，在龟裂I产生的部分和未产生龟裂I的部分流过的电流值不同，电压下降量不同。因此，在本实施方式中，由于公共电极72的端E1配置于比第二层间绝缘膜35的端E2更靠内侧的位置，因此可防止公共电极72的断线和龟裂。因此，可以将断线和龟裂引起的阻抗值的增加防患于未然。因此，可抑制发光元件70的亮度不匀。 

<A-2：第1实施方式所涉及的变形例> 

在上述的实施方式中，对辅助电极150和像素电极76同时形成时的构成进行了说明，但是，也可以不和像素电极76同时形成，而在形成隔壁37后的工序中形成辅助电极150。 

图7是本变形例所涉及的发光装置1A的部分剖面图。如图7所示，在发光装置1A中，以覆盖第二层间绝缘膜35及隔壁37的方式形成有辅 助电极150(150a、150b)。在上述的实施方式中，如图4所示，辅助电极150具有形成于第二层间绝缘膜35和隔壁37的上面的部分。与此相对，在该变形例中，在具有隔壁37的部分，在隔壁37上形成辅助电极150。在此，隔壁37和第二层间绝缘膜35同样，作为将公共电极72和辅助电极150从晶体管40、50、60分离的绝缘层而发挥功能。另外，和上述的第1实施方式同样，辅助电极150的端E4和第二电极用电源线140重合，公共电极72的端E1比辅助电极150的端E4更靠近内侧，进而，比第二层间绝缘膜35的端E2更靠近内侧而形成。 

发光装置1A的制造工序的概略如下所述。形成第二层间绝缘膜35后，在第二层间绝缘膜35的上层形成像素电极76。之后，在像素电极76的上层形成隔壁37，在除第二层间绝缘膜35及隔壁37的上的开口部37a之外的表面形成辅助电极150。接着，在由隔壁37画定的像素电极76上的空间(即，开口部37a)形成发光功能层74。另外，反之，也可以在形成发光功能层74后形成辅助电极150。另外，横跨有效区域A及周边区域B而形成具有透光性的公共电极72。之后，在公共电极72上形成密封膜80。但是，在基板10的外端边缘不形成密封膜80，在该外端边缘，密封件90接合在电路保护膜34上，在其上部接合有透明密封基板110。 

若在形成辅助电极150后形成发光功能层74，由于在形成辅助电极150的时点还未形成发光功能层74，因此，即使使用光刻法形成辅助电极150，也不必担心会使发光功能层74劣化。由此，可以通过光刻法形成辅助电极150的图案，从而，可以用和晶体管40、50、60和扫描线111等的配线同样的精度形成辅助电极150。另一方面，若在形成发光功能层74后形成辅助电极150，则具有辅助电极150不被发光材料污染，而可以将辅助电极150和公共电极72进行连接的优点。 

另外，在本变形例中，在辅助电极150的上层形成公共电极72，因此即使形成比公共电极72更厚的辅助电极150，也不会对公共电极72产生应力。因此，可抑制来自上层的应力引起的公共电极72的变形。 

<B：第2实施方式> 

下面，对本发明的第2实施方式所涉及的发光装置进行说明。图8是本实施方式所涉及的发光装置2A的部分剖面图。如图8所示，辅助电极 150以与公共电极72的上面进行面接触的方式形成，以覆盖辅助电极150及公共电极72的方式形成密封膜80。发光装置2A除公共电极72形成于辅助电极150的下层这一点之外和第1实施方式所涉及的发光装置1A(图7)同样。由此，将其说明适当省略。 

和上述发光装置1A同样，在本实施方式中，在有隔壁37的部分的靠近隔壁37的上层形成辅助电极150。由此，隔壁37和第二层间绝缘膜35同样，具作为将公共电极72和辅助电极150从晶体管40、50、60分离的绝缘层发挥功能。 

发光装置2A的制造工序的概略如下所述。形成第二层间绝缘膜35后，在第二层间绝缘膜35的上层形成像素电极76。之后，在像素电极76的上层形成隔壁37，在由隔壁37画定的像素电极76上的空间(即，开口部37a)形成发光功能层74。另外，横跨有效区域A及周边区域B而形成透明的公共电极72。之后，除公共电极72上的开口部37a的上层之外的区域形成辅助电极150，并形成密封膜80。但是，在基板10的外端边缘不形成密封膜80，在该外端边缘，密封件90接合在电路保护膜34上，在其上部接合有透明密封基板110。 

图9表示图8中的区域F的部分简略剖面图。如图8及图9所示，在发光装置2A中，在比作为扫描线驱动电路100的一部分的晶体管40、50更靠近基板10的面内的外侧处，公共电极72的端E1形成于比第二层间绝缘膜35的端E2的更靠内侧位置，且形成于比辅助电极150的端E4更靠内侧位置。由此，可得到和上述第1实施方式同样的效果。 

<C：变形例> 

(1)在上述第一及第2实施方式中，通过用密封膜80覆盖公共电极72或辅助电极150的上层，构成使含有元件层30、第二电极用电源线140、第二层间绝缘膜35、公共电极72、辅助电极150的构造免受外气影响的层结构，但是也可以是省略密封膜80的构成。 

图10表示本变形例所涉及的发光装置IC的简略剖面图。如图10所示，在发光装置IC中，未设置密封膜80，利用和密封件90相面对的基板110保护形成于基板10上的层结构。另外，在对置基板110的内侧配置用于吸收水分的干燥剂(图示省略)，或者，其构成也可以采用在对置基板 110自身内埋入干燥剂的结构。另外，也可以代替对置基板110和密封件90而使用密封罐。 

图11表示本变形例所涉及的另一发光装置1D的简略图。如图11所示，在发光装置1D中，通过在对置基板110和形成于基板10的上表面的层结构之间充填防湿性充填材料65，保护层结构而免受外气影响。作为防湿性充填材料65，理想的是具有光透光性且低吸湿的材料，可使用环氧类、氨基甲酸乙酯类粘结剂等。 

(2)在上述第1～第4实施方式中，对第二电极用电源线140在周边区域B形成为日语“コ”字状的方式进行了说明，但是，有不局限于此，适当变形也可以。 

各图12及图13是用于说明本变形例所涉及的各发光装置的布局图的概略的图。在这些图中，对和上述实施方式共通的部分附与同样的符号，该说明适当省略。 

如图12(A)所示，在发光装置3A中，沿着基板10的相面对的两边的各边缘部配设有第二电极用电源线140。另外，在沿剩余两边的一边的区域配设有信号输入端子G，在该信号输入端子G的基板10的面内的内侧配设有第一电极用电源线130。在第二电极用电源线140的内侧沿有效区域A且沿着各有效区域A配置有扫描线驱动电路100A及100B，通过电源线140供电，并且通过信号输入端子G给与来自外部的控制信号。另外，在第一电极用电源线130的内侧，沿有效区域A配置有数据线驱动电路200。数据线驱动电路200一方面由第一电极用电源线130给电，一方面经由信号输入端子G接受来自外部的控制信号，并供给到各数据线。 

在该例中，第二层间绝缘膜35以覆盖有效区域A、扫描线驱动电路100A、100B、及数据线驱动电路200的全部、以及第一电极用电源线130的一部分(在图示的例中，将配设信号输入端子G的边设定为长度方向时，向长度方向延伸的部分全部和在与长度方向垂直的方向朝向基板10的下边延伸的部分的一部分)的方式形成。另外，公共电极72覆盖有效区域A及扫描线驱动电路100A、100B的全部，配设有第二电极用电源线140的一侧的左右端以成为比第二层间绝缘膜35的一端更靠近内侧的方式形成。另外，在公共电极72的端中，下边侧(信号输入端子G侧)端位于有效 区域A的外侧、且数据线驱动电路200的内侧，上边侧端位于比第二层间绝缘膜35端更靠近内侧的位置。即，公共电极72的四边的各端位于比第二层间绝缘膜35的对应的各边端更靠近内侧的位置。换言之，第二层间绝缘膜35的端在其全部的边中，都比公共电极72的端更向外侧突出。即，第二区域覆盖第一区域全部，并且，在全部的边侧都比第一区域更向外侧伸出。 

辅助电极，作为将和配设有信号输入端子G的边相同的方向设为长边的条状的个别电极150c而形成。详细而言，个别电极150c在有效区域A通过发光元件P的间隙，在周边区域B通过作为第一区域的内侧和作为第一区域的外侧且作为第二区域的内侧的区域到达第二区域的外侧，之后，延伸到和第二电极用电源线140重合的区域，且与第二电极用电源线140电连接。即，该端比第二层间绝缘膜35的端更靠近外侧，并且，位于比公共电极72更靠近外侧的位置。即使利用本变形例也可以得到和上述各实施方式同样的效果。 

下面，如图12(B)所示，发光装置3B为除扫描线驱动电路和数据线驱动电路的位置逆转这一点以外，和发光装置3A为同样的构成。即，在发光装置3B中，扫描线驱动电路100在基板10的下边侧的周边区域B沿有效区域A配置，数据线驱动电路200A、200B配置于基板10的各左边及右边侧的周边区域B。第二电极用电源线140，沿着与基板10相面对的两边(左右两边)配置于各数据线驱动电路200A、200B的外侧，辅助电极150将和第二电极用电源线140垂直的方向(即，和配设信号输入端子G的边相同的方向)作为长度而形成条状。和发光装置3A同样，辅助电极150的左右各端位于比公共电极72的端更靠近外侧的位置，进而，位于比第二层间绝缘膜35端更靠近外侧的位置，以和第二电极用电源线140重合连接的方式形成。因此，即使利用发光装置3B也可以得到和上述实施方式同样的效果。 

另外，在所有的发光装置3A及3B中，也可以如图12(A)的右侧所示，辅助电极150和条带状的多个个别电极150c形成于周边区域B，且具有连接多个个别电极150c的连接电极150d。在这种情况下，连接电极150d具有：与第一区域的内侧重合的部分、通过作为第一区域的外侧 且作为第二区域的内侧的区域至第二区域的外侧的部分，进而以与第二电极用电源线140重合的方式形成。即，连接电极150d，以不仅与第二电极用电源线140重合，而且以第二层间绝缘膜35端及公共电极72端与连接电极150d重合的方式配置。 

图13(A)及(B)表示发光装置的另一布局的例子。如图13(A)所示，在发光装置4A中，沿基板10的下边缘配设有信号输入端子G，第二电极用电源线140呈日语“コ”字状配设于其内侧。另外，第一电极用电源线130呈日语“コ”字状配设于第二电极用电源线140的内侧，数据线驱动电路200配设于该第一电极用电源线130和有效区域A之间。扫描线驱动电路100A、100B各自配设于沿有效区域A的左右各边的区域。 

如图所示，第二层间绝缘膜35以覆盖有效区域A全体，扫描线驱动电路100A、100B，及数据线驱动电路200的全部，和第一电极用电源线130的一部分(在图示的例中，将配设有信号输入端子G的边设定为长边方向时，在长边方向延伸的部分)的方式形成。公共电极72覆盖和第二层间绝缘膜35大致同样的部分。并且，以在公共电极72的四边的各端成为比第二层间绝缘膜35的对应端更靠内侧的方式形成。由此，在本变形例中，在基板10的全部的边侧，形成有第二层间绝缘膜35的第二区域比形成有公共电极72的第一区域更向基板10的面内的外侧方向伸出。 

如图所示，辅助电极作为将和扫描线驱动电路100A、100B平行方向设为长边而延伸的条带状的个别电极150e形成。基板10的下端侧的个别电极150e的端以与第二电极用电源线140重合连接的方式形成。另外，在该例中，个别电极150e和第一电极用电源线130交叉，但是，由于在各自的层形成第一电极用电源线130和第二电极用电源线140，个别电极150e以不和第一电极用电源线130连接只和第二电极用电源线140连接的方式形成。同样，公共电极72和第一电极用电源线130重合，但是，由于在各自的层形成第一电极用电源线130和第二电极用电源线140，因此可以将公共电极72和第一电极用电源线130设计为没有电接触的构成。另一方面，基板10的上端侧的个别电极150e的端比公共电极72的端更靠外侧，进而，以位于比第二层间绝缘膜35的端(第二区域)更靠外侧的方式形成。由此，即使利用发光装置4A也可以得到和上述各实施方式 同样的效果。 

下面，如图13(B)所示，发光装置4B为除扫描线驱动电路和数据线驱动电路的位置逆转这一点以外，和发光装置4A为同样的构成。即，在发光装置4B中，扫描线驱动电路100在基板10的下边侧的周边区域B沿有效区域A配置，数据线驱动电路200A、200B配置于基板10的各左边及右边侧的周边区域B。第二电极用电源线140在基板10下端侧在比信号输入端子G更靠内侧的位置配置成“コ”字形状，辅助电极150形成为将与数据线驱动电路200A、200B平行的方向作为长边的条状。和发光装置4A同样，辅助电极150的上下各端位于比公共电极72的端更靠近外侧的位置，并且，位于比第二层间绝缘膜35的端更靠近外侧的位置，并且，下端以和第二电极用电源线140重合连接的方式形成。因此，即使利用发光装置4B也可以得到和上述实施方式同样的效果。 

如图12(A)、图12(B)、图13(A)及图13(B)所示，在周边区域B中，辅助配线150相对于第二电极用电源线140的延伸方向，在与其交差的方向延伸成条状。即，在图1至图3中，辅助配线150b也向第二电极用电源线140的延伸方向延伸，但是只向相对于第二电极用电源线140的延伸方向的交叉方向延伸也可以。换言之，辅助配线150并非必要在和第二电极用电源线140的延伸方向平行的方向形成，以和第二电极用电源线140交叉的方式形成也可以。 

D：电子设备 

下面，对使用了本发明的发光装置的电子设备进行说明。在图14至图16中，图示了将以上任意方式的发光装置作为显示装置而采用的电子设备的形态。 

图14是表示采用了发光装置的移动式的个人计算机构成的立体图。个人计算机2000具备：显示各种图像的发光装置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B，设置电源开关2001和键盘2002的主体部2010。发光装置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B将有机发光二极晶体管元件作为发光元件70使用，因此可显示视野角广泛、易观看的画面。 

图15表示使用了发光装置的便携电话机的构成的立体图。便携电话机3000具备：多个操作键3001及移动键3002、和显示各种图像的发光装 置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B。通过操作移动键3002，显示于发光装置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B上的画面被移动。 

图16表示使用了发光装置的便携信息终端(PDA：personal DigitalAssistants)的构成的立体图。便携信息末端4000具备：多个操作键4001及电源开关4002、显示各种图像的发光装置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、B。操作电源开关4002时，所谓的通讯录和时间表各种信息显示于发光装置1、1A、1C、1D、2A、3A、3B、4A、4B。 

另外，作为应用本发明装置的电子设备，除了图14～图16所示的设备以外，还可列举：具有数码照相机、电视机、摄像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本、电子纸、台式电子计算机、字处理机、工作站、可视电话、POS终端、印刷机、扫描仪、复印机、视频播放机、触摸面板的设备等。另外，本发明的发光装置的用途不局限于图像的显示。例如，在称为光写入型的印刷机和电子复印机的图像形成装置中，使用了光头(写入头)，所述光头根据应该在用纸上形成的图像使感光体曝光，而作为这种光头也可以使用本发明的发光装置。 

Claims (10)

1.一种发光装置，在基板上具有排列有多个发光元件的有效区域和围绕该有效区域的周边区域，所述各发光元件具有第一电极、第二电极、以及位于两者间的发光层，所述第二电极对所述多个发光元件共通地设置，还具有配置有用于控制所述发光元件的发光的电路元件的元件层，其中，

具有：

辅助电极，其与所述第二电极电连接；

绝缘层，其配置于所述元件层的上层，并且具有配置于比所述第二电极及所述辅助电极更靠近下层的部分，用于将所述第二电极及所述辅助电极从所述电路元件绝缘，

所述第二电极，覆盖所述有效区域，在所述周边区域露出而同样地形成，

所述辅助电极，在所述有效区域通过所述多个发光元件的间隙，形成于所述周边区域的局部，

在所述周边区域，以所述第二电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置比所述辅助电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置更靠近内侧的方式，设定所述第二电极的端以及所述辅助电极的端的不存在误差的位置即基准位置。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第二电极配置于所述辅助电极的下层。

3.一种发光装置，在基板上具有排列有多个发光元件的有效区域和围绕该有效区域的周边区域，其特征在于，

具备：

多个第一电极，其与所述多个发光元件的每个相对应而设置；

第二电极，其对所述多个发光元件共通地设置；

发光层，其介于所述多个第一电极和所述第二电极间；

辅助电极，其与所述第二电极电连接；

元件层，其配置有用于控制所述发光元件的发光的电路元件；

绝缘层，其使所述第二电极或所述辅助电极和所述元件层之间绝缘，

所述第二电极设置于包含所述有效区域全体和所述周边区域的至少一部分的第一区域，

所述绝缘层在所述有效区域全体中和所述第一区域重合，在所述周边区域设置于比所述第一区域更向作为所述基板的面内的外侧方向的第一方向延伸的第二区域，

所述辅助电极，在所述有效区域以通过所述多个发光元件的间隙的方式设置，且在所述周边区域中，以所述第二电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置比所述辅助电极的位置误差在所述基板的端侧成为最大的位置更靠近内侧的方式，设定所述第二电极的端以及所述辅助电极的端的不存在误差的位置即基准位置。

4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，

所述多个发光元件排列成矩阵状，

所述辅助电极，具有通过所述多个发光元件的间隙、且以从所述有效区域的内侧至所述有效区域的外侧的方式沿所述第一方向设置成条纹状的多个个别电极。

5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，

所述辅助电极，还具有在所述周边区域将所述多个个别电极互相连接的连接电极。

6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，

以所述连接电极与所述绝缘层的所述第一方向的端部重合的方式，配置所述连接电极。

7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，

所述辅助电极，是以通过所述多个发光元件的间隙、且从所述有效区域的内侧至所述第二区域的外侧的方式，沿所述第一方向设置成条状的多个个别电极。

8.如权利要求3～7中任一项所述的发光装置，其特征在于，

用于向所述第二电极供给电位的第二电极用电源线，以和所述第一方向交叉的方式设置于所述周边区域，

所述第二电极用电源线和所述辅助电极电连接。

9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，

所述第二电极用电源线设置于所述第一区域的外侧。

10.一种电子设备，具有权利要求1～9中任一项所述的发光装置。

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