TWI459152B

TWI459152B - 微影裝置，用於微影裝置之遮蓋及設計用於微影裝置之遮蓋之方法

Info

Publication number: TWI459152B
Application number: TW100108808A
Authority: TW
Inventors: Niek Jacobus Johannes Roset; Kate Nicolaas Ten; Sergei Shulepov; Raymond Wilhelmus Louis Lafarre
Original assignee: Asml Netherlands Bv
Priority date: 2010-03-16
Filing date: 2011-03-15
Publication date: 2014-11-01
Also published as: CN102193333B; TW201214061A; NL2006244A; CN102193333A; US20110228238A1; JP5270707B2; US20160179014A1; JP2011192994A; US9927715B2; KR101249760B1; US10871714B2; KR20110104455A; US20180203365A1

Description

微影裝置，用於微影裝置之遮蓋及設計用於微影裝置之遮蓋之方法

本發明係關於一種微影裝置、用於微影裝置之遮蓋，及一種設計用於微影裝置之遮蓋之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一液體可為適當的，特別為濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點係實現更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為適當的其他液體包括烴，諸如芳族、氟代烴及/或水溶液。

將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在應被加速之大液體本體。此情形可能需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。

已提議之其他配置包括受限制浸沒系統及全濕潤浸沒系統。在受限制浸沒系統中，液體供應系統使用液體限制系統而僅在基板之局域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有大於投影系統之最終元件之表面區域的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。

在全濕潤浸沒系統中，如PCT專利申請公開案WO 2005/064405中所揭示，浸沒液體係未受限制的。在此系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，此係因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形可具有用於基板之溫度控制及處理的優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許液體洩漏遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處的障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。

浸沒系統可為流體處置系統或裝置。在浸沒系統中，藉由流體處置系統、結構或裝置來處置浸沒流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸沒流體之障壁且藉此為障壁部件(諸如流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可產生或使用氣流，例如，以有助於控制浸沒流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸沒流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。流體處置系統可位於投影系統與基板台之間。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在該情況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。

在流體處置系統或液體限制結構中，液體受限制至空間(例如，在限制結構內)。空間可藉由限制結構之本體、下伏表面(例如，基板台、被支撐於基板台上之基板、擋板部件及/或量測台)及(在局域化區域浸沒系統之情況下)流體處置系統或液體限制結構與下伏結構之間的液體彎液面(亦即，在浸沒空間中)界定。在全濕潤系統之情況下，允許液體離開浸沒空間而流動至基板及/或基板台之頂部表面上。

在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸沒微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸沒液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸沒液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。或者，該裝置僅具有一個台。

在曝光浸沒微影裝置中之基板之後，將基板台遠離於其曝光位置而移動至基板可被移除且藉由不同基板替換之位置。此情形被稱作基板調換(substrate swap)。在雙載物台微影裝置(例如，ASML之「Twinscan」微影裝置)中，在投影系統下方進行基板台之調換。

在一微影裝置中，一基板係藉由一基板固持器支撐於一基板台上。該基板固持器可位於該基板台之一凹座中。該凹座可經定尺寸成使得當藉由該基板固持器支撐一基板時，該基板之頂部表面與環繞該基板的該基板台之表面大體上處於同一平面中。圍繞該基板，可在一基板之一邊緣與該基板台之一邊緣之間存在一間隙。在一微影裝置之一浸沒系統中，此間隙可為不良的。隨著該間隙在投影系統之最終元件與下伏表面之間的空間中之浸沒液體下方移動，限制結構與該下伏表面之間的彎液面穿越該間隙。穿越該間隙可增加該彎液面之不穩定性。該彎液面之穩定性可隨著在該限制結構與該基板台之間的相對速率(例如，掃描速率或步進速率)增加而減小。愈加不穩定之彎液面會造成缺陷度危險增加。舉例而言，一不穩定彎液面可將氣體作為一氣泡而圍封於該浸沒液體中，或可導致一小滴自該浸沒空間逸出。此氣泡可被牽引至該空間中且導致成像缺陷。當一小滴蒸發時，該小滴可為一污染物來源及一熱負荷，且該小滴可稍後碰撞該彎液面，從而導致一氣泡被牽引至該空間中。

可藉由提供二相抽取系統來減少穿越該間隙之一或多個問題。該二相抽取系統自該間隙抽取諸如浸沒液體及氣體(其可作為一氣泡而存在於該液體中)之流體。可減少(若未消除)缺陷度來源，諸如將一氣泡釋放至該空間中或一小滴自該空間逸出。然而，提供此抽取系統可將一熱負荷賦予於該基板台及該基板上。此情形可對形成於該基板上之圖案的疊對準確度有負面影響。該間隙可隱含地限制可用以達成一基板之可靠成像的該掃描速率。

因此，需要提供(例如)一種增加該彎液面之該穩定性且減少缺陷度(例如，產生一氣泡或釋放一小滴之可能性)之系統。

在本發明之一態樣中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一基板台，該基板台具有一上部表面及在該上部表面中之一凹座，該凹座經組態以收納及支撐一基板；一流體處置結構，該流體處置結構經組態以使在鄰近於該基板台之該上部表面及/或位於該凹座中之一基板的一空間中含有浸沒流體；一遮蓋，該遮蓋包含一平面主體，該平面主體在使用中圍繞一基板自該上部表面延伸至該基板之一上部主面之一周邊區段，以便覆蓋該凹座之一邊緣與該基板之一邊緣之間的一間隙；及一浸沒流體膜瓦解器，該浸沒流體膜瓦解器經組態以在該基板台相對於該流體處置結構之移動期間瓦解在該遮蓋之一邊緣與藉由該流體處置結構含有之浸沒流體之間一浸沒流體膜之形成。

在本發明之一態樣中，提供一種設計用於一浸沒微影裝置之一遮蓋之方法，該浸沒微影裝置包括一基板台，該基板台具有一實質上平面上部表面，一凹座形成於該實質上平面上部表面中，該凹座經組態以收納及支撐一基板，該遮蓋包含一實質上平面主體，該實質上平面主體在使用中圍繞該基板自該上部表面延伸至該基板之一上部主面之一周邊區段，以便覆蓋該凹座之一邊緣與該基板之一邊緣之間的一間隙；其中該遮蓋之一邊緣為錐形，使得該遮蓋之厚度橫越該邊緣逐漸地減小，該方法包含選擇為錐形的該遮蓋之區段之表面相對於該基板之該上部主面的角度，以便使該遮蓋之該區段在使用中於該基板台相對於該微影裝置之一流體處置結構之移動期間瓦解在該遮蓋之該邊緣與藉由該流體處置結構含有之浸沒流體之間一浸沒流體膜之形成。

在本發明之一態樣中，提供一種使用設計一遮蓋之以上方法來製造一遮蓋之方法，及一種藉此製造之遮蓋。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位圖案化器件MA之第一***PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據特定參數來準確地定位基板W之第二***PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。

圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統。投影系統之類型可包括：折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。投影系統之選擇或組合係適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，該輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適當引導鏡面及/或光束擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，該輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一情況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL為可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS。投影系統PS將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一***PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。

在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。

在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

用以在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體的配置為所謂的局域化浸沒系統IH。在此系統中，使用液體處置系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。圖2至圖5中說明四種不同類型之局域化液體供應系統。

如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在已通過投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側供應液體且在-X側吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口的各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。在液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。

圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側的兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口被移除，從而導致在投影系統PS與基板W之間液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。

已提議之另一配置係提供具有液體限制部件之液體供應系統，液體限制部件沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖5中說明此配置。液體限制部件在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件形成於液體限制部件與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統。液體限制結構12沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，此外或在替代例中，除非另有明確敍述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台WT之表面)。液體限制結構12在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W之表面之間，且可為諸如流體密封件(理想地，氣體密封件)之無接觸密封件。

液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的浸沒空間11中至少部分地含有液體。可圍繞投影系統PS之影像場形成對基板W之無接觸密封件16，使得液體受限制於基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12而至少部分地形成浸沒空間11。液體係藉由液體入口13被帶入至投影系統PS下方及液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此情況。

在一實施例中，藉由氣體密封件16而使在浸沒空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。其他類型之密封件係可能的，無密封件(例如，在全濕潤實施例中)或藉由液體限制結構12之下表面與對向表面(諸如基板W、基板台WT或此兩者之組合之表面)之間的毛細管力達成之密封件亦係可能的。

氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N₂ 或另一惰性氣體形成。氣體密封件16中之氣體係經由入口15而在壓力下提供至液體限制結構12與基板W之間的間隙。氣體係經由出口14被抽取。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及該間隙之幾何形狀經配置成使得存在限制液體之向內高速氣流。氣體對液體限制結構12與基板W之間的液體之力使在浸沒空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續或不連續的。氣流對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

其他配置係可能的，且自以下描述將清楚，本發明之一實施例可使用任何類型之局域化浸沒系統。

在局域化浸沒系統中，密封件形成於液體限制結構之部分與下伏表面(諸如基板W及/或基板台WT之表面)之間。可藉由液體限制結構與下伏表面之間的液體彎液面來界定密封件。在高於臨界速率的情況下，在下伏表面與液體限制結構之間的相對移動可導致密封件(例如，彎液面)崩潰。在高於臨界速率的情況下，密封件可崩潰，從而允許液體(例如，以小滴之形式)自液體限制結構逸出，或允許氣體(亦即，以氣泡之形式)圍封於浸沒空間內之浸沒液體中。

小滴可為缺陷度來源。當小滴蒸發時，小滴可將熱負荷施加於其所處之表面上。在小滴已蒸發之後留下乾燥污斑時，小滴可為污染來源。若小滴位於在投影系統下方移動的下伏表面上之路徑中，則小滴可接觸彎液面。在彎液面與小滴之間的所得碰撞可導致氣泡形成於液體中。氣泡可為缺陷度來源。浸沒液體中之氣泡可被牽引至投影系統與基板之間的空間中，在該空間中，氣泡可干擾成像投影光束。

可藉由下伏表面之屬性來判定臨界速率。間隙相對於限制結構之臨界速率可小於相對平面表面(諸如基板)之表面的臨界速率。在將掃描速度增加至高於下表面之部分的最低臨界速率時，掃描速度將超過下伏表面之較大部分的臨界速率。該問題在高掃描速度下可能更顯著。然而，因為產出率會增加，所以增加掃描速度係理想的。

圖6以平面圖描繪可用以支撐基板W之基板台WT。基板台可具有實質上平面上部表面21。凹座22處於上部表面21中，凹座22經組態以收納及支撐基板W。

基板支撐件可處於凹座中，基板支撐件可為凹座之表面。凹座22之表面可包括複數個突起，基板之下部表面被支撐於複數個突起上。凹座之表面可包括障壁。複數個開口可形成於凹座之表面中。障壁環繞突起以在基板W之下部表面下方界定空間。開口連接至負壓源。當基板位於開口上方時，在基板W下方形成空間。可藉由負壓之操作來抽空空間。可使用此配置，以便將基板W緊固至基板台WT。

在一配置中，凹座可經組態成使得基板之主面(即，上部面及下部面)實質上平行於基板台之上部表面21。在一配置中，基板W之上部面可經配置為與基板台之上部表面21實質上共平面。

應瞭解，在本申請案中，可使用諸如上部及下部之術語，以便界定在所描述之系統內組件之相對位置。然而，出於便利而使用此等術語，以便描述當在特定定向下使用裝置時組件之相對位置。該等術語不意欲指定可使用裝置所處之定向。

如圖6所描繪，間隙23可存在於基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間。根據本發明之一態樣，提供遮蓋25，遮蓋25圍繞基板W延伸。遮蓋25自基板W之上部表面之周邊區段(在一實施例中，其可為該基板之邊緣)延伸至基板台WT之上部表面21。遮蓋25可完全地覆蓋基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙23。此外，可藉由遮蓋25之內部邊緣來界定該遮蓋之敞開中心區段26。敞開中心區段26可經配置成使得在使用中，遮蓋25不覆蓋意欲經投影有經圖案化輻射光束的基板W之部分。遮蓋之內部邊緣可覆蓋基板之部分，該等部分相鄰於藉由經圖案化投影光束成像的基板之表面。遮蓋經定位成遠離於藉由經圖案化投影光束曝光的基板之該等部分。

如圖6所示，當遮蓋25置放於基板W上時，敞開中心區段26之大小可稍微小於基板W之上部表面之大小。如圖6所示，若基板W為圓形形狀，則遮蓋25在平面圖中予以檢視時可為大體上環形形狀。

遮蓋25可以薄遮蓋板之形式。舉例而言，遮蓋板可由不鏽鋼形成。可使用其他材料。遮蓋板可經塗佈有由Plasma Electronic GmbH所提供之類型的Lipocer塗層。Lipocer是可為疏液性(例如，疏水性)且相對地抵抗來自曝光至輻射及浸沒液體(其可為高度腐蝕性的)之損害的塗層。可在2008年2月6日申請之美國專利申請案第12/367,000號中找到關於Lipocer之更多資訊，該案之全文以引用之方式併入本文中。

如圖21示意性地所描繪，可將疏液性塗層141(諸如Lipocer層)施加至遮蓋25之下部表面25a，即，在使用中可自基板W之上部表面之周邊區段延伸至基板台WT之上部表面21的表面。在下部表面25a上提供此塗層141可最小化或減少在遮蓋25下方浸沒液體之洩漏。舉例而言，塗層141可減少在遮蓋25與基板W之上部表面之間浸沒液體之洩漏。最小化或減少此浸沒液體洩漏又可減少浸沒液體傳遞至基板W之下側的可能性。此情形可減少可由於所謂的背側污染而引入之缺陷。最小化或減少浸沒液體洩漏可減少基板W上之熱負荷。

遮蓋25之下部表面25a上的塗層141可經選擇為抗黏層。換言之，塗層141可經選擇以防止、最小化或減少遮蓋25至基板W之上部表面及/或基板台WT之上部表面21的黏著。此情形可在自基板W及基板台WT移除遮蓋25時防止或減少對遮蓋25、基板W及/或基板台WT之損害。

在遮蓋25之下部表面25a上使用為疏液性及/或抗黏之塗層141可防止或減少在遮蓋25之下部表面上污染粒子之積聚。此等污染物粒子可導致對遮蓋25、基板W及/或基板台WT中之任一者之損害，或在基板W上提供後續缺陷來源。或者或另外，此等污染物粒子可防止足夠密封件形成於遮蓋25與基板W之上部表面及/或基板台WT之上部表面21之間，從而導致浸沒液體洩漏，此情形可為不良的。因此，可能需要防止此等污染物粒子之積聚。

遮蓋25之下部表面25a及/或施加至遮蓋25之下部表面25a的塗層141之下部表面141a可經組態以具有低表面粗糙度。舉例而言，對於噴霧塗層，表面粗糙度R_A 可小於1微米。對於沈積塗層，表面粗糙度R_A 可小於200奈米。一般而言，減少遮蓋之下部表面25a及/或施加至遮蓋25之下部表面25a的塗層141之下部表面141a的表面粗糙度可減少基板W之表面上的應力集中。在使用中接觸基板的遮蓋25之部分的表面粗糙度R_A 可理想地小於200奈米、理想地小於50奈米，或理想地小於10奈米。

確保遮蓋25之下部表面25a及/或施加至遮蓋25之下部表面25a的塗層141之下部表面141a的表面粗糙度低亦可輔助減少或最小化在遮蓋25下方浸沒液體之洩漏。遮蓋25可經配置成使得最大化遮蓋25之下部表面25a及/或施加至遮蓋25之下部表面25a的塗層141之下部表面141a的平坦度。此情形可提供遮蓋25與基板W及/或基板台WT之間的最佳化接觸，從而減少或最小化浸沒液體洩漏。

如圖21示意性地所描繪，或者或另外，塗層142可提供於遮蓋25之上部表面25b上。可針對平滑度而選擇遮蓋25之上部表面25b或該遮蓋之上部表面25b上的塗層142之上部表面142b。此情形可減少彎液面被牽制之可能性。舉例而言，遮蓋25之上部表面25b或該遮蓋之上部表面25b上的塗層142之上部表面142b可平滑，使得表面之峰谷距離小於10微米，理想地小於5微米。

遮蓋25之上部表面25b上的塗層142可經選擇為抵抗來自曝光至輻射及浸沒液體之損害。此情形可有助於確保遮蓋之工作壽命足夠長，以防止與替換遮蓋25相關聯的不必要成本，包括用於微影裝置之停機使用。遮蓋25之上部表面25b上的塗層142可經選擇為疏液性，如上文所論述。此塗層可為浸沒液體提供較高後退接觸角。此情形又可准許使用較高掃描速率，而無(例如)自彎液面之浸沒液體損失，如上文所論述。如上文所提及，遮蓋25之上部表面25b上的塗層142可由Lipocer形成。

應瞭解，遮蓋25之下部表面25a上的塗層141及上部表面25b上的塗層142可由單一材料層形成。或者，塗層141、142中之一者或此兩者可由複數個層形成。舉例而言，該等層可由不同材料形成，從而向塗層141、142提供不同益處。亦應瞭解，遮蓋25之下部表面25a上的塗層141及上部表面25b上的塗層142可彼此相同或不同。

舉例而言，遮蓋板可為25微米厚。遮蓋板可經蝕刻以使其厚度局域地縮減(例如，在該等邊緣中之一或多者處)。在一局域縮減區域中，遮蓋板可為10微米厚。可藉由其他程序(諸如雷射切除、研磨及拋光)來縮減遮蓋之部分的厚度。

如圖21所描繪，遮蓋25之邊緣25c、25d(即，分離遮蓋25之下部表面25a及上部表面25b之邊緣)可實質上垂直於遮蓋25之下部表面25a及上部表面25b。此配置之製造可相對簡單。

然而，在如圖21所描繪之配置中，遮蓋25之邊緣25c、25d可在基板W之表面及基板台WT之上部表面21上形成台階(step)。此台階可為不良的。詳言之，如上文所論述，當基板W及基板台WT相對於液體限制結構移動時，必須務必確保藉由液體限制結構與基板W及/或基板台WT之間的液體彎液面形成之密封件不崩潰。在表面上引入台階可減少液體限制結構與基板W及/或基板台WT之間的臨界速率，在達到該臨界速率的情況下，液體限制結構及/或基板W/基板台WT可移動，而無密封件(例如，彎液面)崩潰。

遮蓋25之邊緣25c、25d中之一或多者可經組態以提供一縮減台階。舉例而言，如上文所論述，遮蓋之厚度可在該等邊緣中之一或多者處局域地縮減。舉例而言，遮蓋之邊緣25c、25d中之一或多者可經組態以具有如圖22至圖25中之任一者示意性地所描繪的剖面。

如圖22所描繪，遮蓋25之邊緣可經組態以具有區段143，在區段143中，遮蓋25漸縮至一點。因此，此遮蓋可不具有台階。然而，遮蓋25之極端邊緣可易遭受損害。

在一替代配置中，如圖23所描繪，遮蓋25可具有：邊緣區段145，邊緣區段145包括小於遮蓋25之厚度的台階146；及錐形區段，該錐形區段處於台階146與具有完整厚度的遮蓋25之主體之間。舉例而言，遮蓋25之主體可為25微米厚，且台階146可為10微米厚。此配置相較於具有垂直邊緣25c、25d之遮蓋具有較小台階，但相較於如圖22所描繪之配置可較不易遭受邊緣損害。

如圖22及圖23所描繪，遮蓋25之邊緣之錐形區段143、145可經組態以使其厚度相對於離該邊緣之距離線性地增加。然而，此情形並非必需的。如分別對應於圖22及圖23之圖24及圖25所描繪，錐形區段147、148可代替地彎曲。此情形可避免(例如)在錐形區段與遮蓋25之剩餘部分之間或在錐形區段與遮蓋25之邊緣處之縮減台階之間提供尖銳隅角。此等尖銳隅角可為在液體限制結構與下伏表面之間的密封件(例如，彎液面)之不穩定性來源。因此，避免此等尖銳隅角可減少小滴自彎液面損失之可能性，從而減少如上文所論述之可能缺陷度。

如圖22至圖25所示，遮蓋25之下部隅角(即，在使用中可接觸基板W及/或基板台WT之上部表面的隅角)可為相對尖銳隅角。此情形可在遮蓋25與基板W及/或基板台WT之間提供相對優良密封件。然而，應瞭解，下部隅角可代替地彎曲。此情形可減少對基板W之損害的可能性。

一般而言，在遮蓋上避免尖銳隅角可促進在遮蓋25上提供塗層(必要時)。

應瞭解，儘管圖22至圖25描繪具有一錐形區段及/或一圓形隅角的遮蓋25之一邊緣，但如上文所論述，遮蓋25之一或多個邊緣可為錐形及/或具有一或多個圓形隅角。此外，遮蓋25之邊緣可具有錐形區段及/或圓形隅角之不同各別配置。

可影響遮蓋25之邊緣25c、25d中之一者或此兩者之配置之選擇的另外問題為當液體限制結構12穿越遮蓋25時浸沒液體之行為。此行為亦可受到液體限制結構12之組態以及用於基板台WT及遮蓋25之一或多種材料的影響。

舉例而言，當使用不包括氣刀以及親液性(例如，親水性)基板台WT及遮蓋25之液體限制結構時，可存在液體膜牽拉(liquid film pulling)。在其他配置中亦可出現液體膜牽拉。液體膜牽拉可在基板上導致液體損失，此情形係不良的。詳言之，此等所損失小滴可隨後在液體限制結構12與基板台WT之間的進一步相對移動期間碰撞彎液面。此等碰撞可導致在浸沒液體中形成氣泡。

液體膜牽拉可由在彎液面下方遮蓋25之邊緣之移動(或反之亦然)導致。當彎液面跨越90°高度台階(height step)時，彎液面速度在該台階期間將必須係無限的。在遮蓋25之垂直邊緣25c、25d處出現此台階，諸如圖21所示。無限彎液面速度實際上係不可能的，因此，彎液面拉伸，從而導致如圖33所描繪之液體膜牽拉。隨後，液體膜201將破裂，從而在基板W及/或基板台WT上導致液體損失。

可藉由使用(例如)圖22所描繪之錐形邊緣來減少液體膜牽拉。然而，儘管液體膜比在垂直邊緣之情況下更早地被解牽制，但液體膜仍可被牽拉。因此，儘管可減少基板及/或基板台上之液體損失，但該液體損失可保持高於所要位準。此可因為不可能在遮蓋25之邊緣處形成無限尖銳頂端。因此，可保持在遮蓋25之邊緣之頂端之末端處有效地垂直的小邊緣。

在一實施例中，提供浸沒液體膜瓦解器以刺激液體膜之快速破裂。此情形可減少液體損失。

在一實施例中，浸沒液體膜瓦解器包括在遮蓋25上提供錐形邊緣，錐形邊緣經特定地選擇，以便減少或最小化液體膜牽拉。

圖37示意性地描繪穿越遮蓋25之浸沒液體彎液面的形狀(例如，當遮蓋25相對於彎液面且在彎液面下方移動時)。在三個順次時間描繪彎液面剖面251、252、253。在彎液面接觸遮蓋25之非錐形部分時的時間點描繪第一彎液面剖面251。在彎液面接觸遮蓋25之邊緣之錐形區段143時的時間點展示第二彎液面剖面252。第三彎液面剖面253在彎液面接觸基板W(在此情況下)及/或基板台WT之上部表面時的第三時間點描繪彎液面。

對於每一彎液面剖面251、252、253，圖37亦描繪各別動態接觸角261、262、263，即，在彎液面剖面251、252、253以給定速度接觸一表面時之點時該彎液面剖面相對於該表面之角度。

應瞭解，將藉由基板台WT(及因此，遮蓋25及基板W)相對於液體限制結構12之速度以及遮蓋25、基板W/基板台WT之表面及液體的屬性來判定接觸在非錐形區段中遮蓋25之上部表面及基板W/基板台WT之上部表面的彎液面之動態接觸角261、263。

隨著彎液面橫穿遮蓋25之邊緣之錐形區段143，遍及表面的彎液面之有效速率增加。此有效速率取決於遮蓋25之邊緣之錐形區段143之表面相對於基板W之上部表面的角度260。角度260愈大，則有效速度愈大，直到如下情況為止：如上文所論述，若角度為90°，則彎液面速度理論上將係無限的(但實務上，不會發生此情形且彎液面拉伸，從而導致液體膜牽拉)。

圖38描繪在一特定情形中之彎液面剖面254，在該特定情形中，基板台WT(及因此，基板W及遮蓋25)相對於液體限制結構12之速率係使得彎液面相對於遮蓋25之邊緣之錐形區段143之表面的動態接觸角264與錐形區段143之表面相對於基板W之上部表面的角度260相同。因此，如所展示，鄰近於遮蓋25之邊緣的彎液面剖面254之區段254a大致平行於基板W之上部表面。在此情形中，當彎液面接近遮蓋25之邊緣之錐形區段143之極端邊緣時，彎液面剖面254之狹長區段254a可同時地接近基板W之上部表面，從而導致液體膜之形成。此液體膜可隨後破裂，從而在基板W及/或基板台WT上導致液體損失(其中錐形區段處於基板台WT之側上)。

應瞭解，可由於基板台WT相對於液體限制結構12之速率、遮蓋25之上部表面上之材料之性質(例如，材料是否為疏液性)及遮蓋25之邊緣之錐形區段143之角度260的組合而出現圖38所描繪之情形。

在一實施例中，可選擇遮蓋25之邊緣之錐形區段143之角度260，以便有助於確保：在使用中，當彎液面穿越遮蓋25之邊緣之錐形區段143時彎液面之動態接觸角262保持大於遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面相對於基板W之上部表面的角度260。

可藉由執行適當實驗來判定此角度，以便針對基板台WT相對於液體限制結構12之不同速度來識別遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的角度260之變化對動態接觸角262的影響。亦可執行實驗，以便判定在遮蓋25之上部表面對於待使用之浸沒液體為疏液性的程度上之變化(即，對於靜態接觸角之變化)的效應。當選擇待使用的遮蓋25之邊緣之錐形區段143之角度260時，可考量此等變化。

可針對當彎液面穿越遮蓋25時在微影裝置之操作中待使用的基板台WT之所要速度與遮蓋25之特定表面材料的組合來特定地選擇遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的適當角度260。舉例而言，遮蓋之表面材料可為經選擇以在遮蓋25之上部表面上形成塗層142的材料，如上文所論述。

詳言之，此情形可減少在遮蓋25之邊緣處彎液面之牽制的可能性。此情形又可減少液體膜之形成的可能性，液體膜可破裂且在基板W/基板台WT上導致液體損失，如上文所論述。

在本發明之一實施例中，可能需要確保：在使用中，當彎液面橫穿遮蓋25之邊緣之錐形區段143時之點時彎液面剖面252之動態接觸角262係使得此動態接觸角262減去遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的角度260大於當彎液面接觸基板W/基板台WT之上部表面時彎液面剖面253之動態接觸角263。換言之，動態接觸角262與錐形區段143之上部表面之角度260之間的差大於當彎液面接觸基板W/基板台WT之上部表面時彎液面剖面253之動態接觸角263。此情形可減少在遮蓋25之邊緣處彎液面之牽制的可能性。此情形又可減少液體膜之形成的可能性，液體膜可破裂且在基板W/基板台WT上導致液體損失，如上文所論述。

在一實施例中，可考量當彎液面接觸基板W/基板台WT之上部表面時彎液面剖面253之動態接觸角263來選擇遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的適當角度260。應瞭解，此情形又可取決於當彎液面在鄰近於遮蓋25之邊緣的部位處穿越基板W/基板台WT時在使用中基板台WT之所欲速率。

舉例而言，在基板台WT相對於液體限制結構12之速度為大約0.5 m/s時，遮蓋25之上部表面之靜態接觸角為大約90°，且基板之上部表面之靜態接觸角為大約70°或80°，遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面相對於基板W之上部表面的角度260可在約15°至45°、約15°至30°之範圍內，或為大約20°。

如上，遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的所要角度260可取決於遮蓋25之表面(特別地在錐形區段143附近)之性質。一般而言，需要使上部表面為疏液性，此係因為此情形可增加遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的角度260，其針對基板W/基板台WT上之液體損失之給定可接受位準而可被准許。此情形係有益的，此係因為將角度260減少至低於特定位準可使遮蓋25之製造困難。此外，減少角度260可導致遮蓋25之邊緣之較大區段足夠薄，使得其易於受損害。

然而，形成具有疏液性上部表面之遮蓋25可具有額外問題。詳言之，如上文所論述，可將疏液性塗層142施加至遮蓋25之上部表面。然而，在使用中，此塗層可降級，使得在上部表面上浸沒液體之靜態接觸角隨著時間推移而減小。

在一實施例中，遮蓋25之邊緣之錐形區段143之上部表面的角度260之選擇可經選擇以考量遍及可接受時段的遮蓋25之上部表面之預期降級。在超出此點的情況下，在遮蓋25之上部表面上浸沒液體之靜態接觸角可在如下程度上減小：該程度係使得該遮蓋之邊緣之角度260不足夠小以防止或充分地減少在遮蓋25之邊緣處彎液面之牽制。因此，在此點時，基板W/基板台WT上之液體損失可超過可接受限度。在此階段，可能有必要替換遮蓋25。

在一實施例中，浸沒液體膜瓦解器包括可施加至遮蓋25之上部表面及/或邊緣上的一或多個結構。此結構導致膜不穩定性，從而導致膜破裂。此表面輪廓可與遮蓋25組合，遮蓋25具有垂直邊緣或錐形邊緣之任何配置，如上文所描述。

施加至遮蓋25之上部表面及/或邊緣的結構可以表面之任何種類之複數個局域變化的形式。舉例而言，可提供狹長特徵，諸如隆脊及/或通道。此等隆脊及/或通道之橫截面可為任何適當形狀。或者或另外，可提供相對較短特徵，諸如小突起(pimple)及/或小凹坑(dimple)。此等小突起及/或小凹坑可具有任何適當形狀。

圖34描繪一實施例，在該實施例中，複數個隆脊202提供於遮蓋25之上部表面上。如所展示，此配置促進液體膜203之破裂。此配置可減少彎液面被牽制之可能性。

圖35描繪一實施例，在該實施例中，複數個通道204提供於遮蓋25之邊緣上。如所展示，此配置促進液體膜203之破裂。此配置可減少彎液面被牽制之可能性。

在圖36所描繪之實施例中，浸沒液體膜瓦解器包括藉由液體限制結構12提供之複數個離散氣體噴口210。當液體膜開始形成時，將氣體噴口210引導至液體膜上，從而促進膜212之快速破裂。此配置可減少彎液面被牽制之可能性。

舉例而言，可藉由形成於液體限制結構12之表面中且連接至氣體供應件的一列孔隙來提供氣體噴口210。該等孔隙可經提供成自一行開口211向外，該行開口形成於液體限制結構之表面中且用以抽取浸沒液體，以便含有浸沒液體。換言之，提供氣體噴口210之孔隙可處於與含有浸沒液體之空間對置的一行開口211之側上。

使用複數個離散氣體噴口210而非(例如)氣刀之優點在於：液體小滴可不被收集於一行氣體噴口210與一行開口211之間。在此區域中液體小滴之收集可為在基板台WT相對於液體限制結構之移動期間的問題。舉例而言，在移動期間被收集於此區域中之液體小滴可組合以形成大的小滴。

應瞭解，在一實施例中，浸沒液體膜瓦解器可包括上述配置之任何組合。

在一實施例中，遮蓋25之上部表面25b或遮蓋25之上部表面25b上的塗層142之上部表面142b可經組態為儘可能地平坦。此情形可進一步減少上文所論述的彎液面之任何不穩定性，從而減少小滴自彎液面損失及如上文所論述之後續缺陷的可能性。

在一實施例中，遮蓋可為基板台之部分。可提供致動器系統以在至少閉合位置與敞開位置之間移動遮蓋。在閉合位置中，遮蓋25可接觸凹座22內之基板W之上部表面。在閉合位置中，遮蓋25可接觸基板台WT之上部表面21。在閉合位置中，遮蓋25可覆蓋基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙23。

遮蓋25可經組態成使得隨著間隙相對於空間中之浸沒液體通過浸沒空間11下方，間隙閉合。藉由閉合間隙，可改良在穿越間隙時彎液面之穩定性。在一實施例中，遮蓋形成與凹座22內之基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21中之一者或此兩者的密封件。提供與基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21兩者之密封件的遮蓋25可防止浸沒液體傳遞至間隙23中。遮蓋可減少浸沒液體至間隙23中之流入。遮蓋可有助於減少(若未防止)由於間隙通過空間11下方而造成的氣泡至空間11中之流動。

在敞開位置中，遮蓋25可移動遠離於其在閉合位置處相對於凹座22之表面的部位。當藉由凹座22之表面支撐基板時，遮蓋25可經設定成遠離於基板W。敞開位置可經配置成使得當遮蓋25處於敞開位置中時，可自基板台WT卸載基板W。若基板W不存在於凹座22中，則可將基板W裝載至基板台WT上。

在一實施例中，致動器系統可經組態成使得在將遮蓋25自閉合位置移動至敞開位置時，致動器系統擴大遮蓋25之敞開中心區段26，如圖8所描繪。在此程序中，可充分地擴大遮蓋25之敞開中心區段26，使得敞開中心區段26大於在敞開位置中基板W之上部表面。可充分地擴大遮蓋25之敞開中心區段26，以使基板W能夠傳遞通過遮蓋25之中心敞開區段26。

在一實施例中，可藉由將遮蓋25移動至敞開位置且將基板W傳遞通過遮蓋25之中心敞開部分26而將基板W裝載至基板台上或自基板台卸載基板W。在將基板W裝載至基板台WT之情況下，一旦基板W已傳遞通過遮蓋25之敞開中心區段26，基板W隨即可被收納於基板台WT之凹座22中。隨後，可藉由致動器系統將遮蓋25移動至閉合位置，在閉合位置中，遮蓋25覆蓋基板W之邊緣與經支撐有基板W的凹座22之邊緣之間的間隙23。

致動器系統可經組態成使得在將遮蓋25移動至敞開位置時，可在相對於彼此不同之各別方向上移動遮蓋25之複數個部分。可使用此配置，以便在移動至敞開位置時擴大遮蓋25之敞開中心區段26。

在一實施例中，致動器系統可經組態以使遮蓋25之至少一部分彈性地變形。舉例而言，當致動器在各別不同方向上移動遮蓋25之複數個部分時，致動器系統可使遮蓋25之至少一部分彈性地變形，以便擴大敞開中心區段26。

圖7及圖8以平面圖描繪分別在閉合位置及敞開位置中的根據本發明之一實施例的遮蓋25。如所展示，在平面圖中，遮蓋25可為大體上環形形狀。當遮蓋25處於閉合位置中時，遮蓋25之內部周邊31(例如，圓周)可界定遮蓋25之敞開中心區段26。遮蓋25之大體上環形形狀中的裂口可提供於遮蓋25之內部周邊(例如，圓周)31與外部周邊(例如，圓周)32之間。

在一配置(諸如圖7及圖8所描繪之配置)中，遮蓋25具有複數個部分35，複數個部分35中之每一者可在各別不同方向上藉由致動器系統移動。在移動複數個部分35時，可擴大或減少遮蓋25之敞開中心區段26。可將複數個部分組合在一起以形成單一整體遮蓋。然而，如圖8所描繪，橫越遮蓋25之周邊(例如，圓周)提供裂口30可促進遮蓋25之彈性變形，以便擴大中心敞開區段26。

儘管圖7及圖8之配置包括自遮蓋25之內部周邊31至外部周邊32的裂口30，但此情形並非必需的。

根據本發明之此態樣，可提供額外裂口，以便促進遮蓋25之擴大(例如，藉由彈性變形)，以便擴大遮蓋25之敞開中心區段26。

除了減少由氣泡導致之缺陷及/或減少氣泡(如上文所描述)以外，提供本文中所揭示之遮蓋中之任一者亦可具有針對微影裝置內之基板台的各種額外益處。

可減少基板台WT及浸沒系統之清潔。此情形又可減少微影裝置之停機時間。

遮蓋可減少污染物自基板W之上部表面至基板W之下部表面的轉移。此情形可減少可由於所謂的背側污染而引入之缺陷。

提供覆蓋基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙之遮蓋可使基板W之邊緣能夠以高於原本可能之速率的速率橫穿投影系統及浸沒系統。此情形可增加微影裝置之產出率。

提供遮蓋可預防需要抽取系統，以便自基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙移除浸沒液體及氣泡。此情形可減少施加至基板台WT之熱負荷。可改良基板台WT之熱穩定性。因此，可改良形成於基板W上之圖案的疊對準確度。

用於基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙之抽取系統可為二相抽取器。此類型之抽取器可產生流動誘發性振動。因此，提供可導致此抽取器廢棄(不被需要)之遮蓋可減少基板台WT內之振動。

提供遮蓋可導致總體上比將抽取器用於基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙之系統(如上文所揭示)更簡單的系統。遍及間隙23提供遮蓋可整體上減少裝置之貨品成本。

應瞭解，提供根據本發明之一態樣的遮蓋可消除在基板W之邊緣與凹座22之邊緣之間的間隙處需要抽取系統，如上文所論述。然而，可結合抽取系統來使用根據本發明之一態樣的遮蓋。上文所論述之益處仍可適用，此係因為可減少抽取系統之要求。

圖9及圖10以平面圖描繪根據本發明之一實施例的遮蓋25之配置。圖9及圖10所描繪之遮蓋類似於圖7及圖8所描繪之遮蓋，且出於簡潔起見，將僅詳細地論述差異。

如所展示，遮蓋25係由複數個離散區段40形成。在閉合位置中，區段40經配置以鄰接於遮蓋25之鄰近區段40，以便形成單一遮蓋25。舉例而言，如圖9所示，對於圓形基板W，當遮蓋25之離散區段40中之每一者在閉合位置中彼此鄰接時，離散區段40之組合提供具有大體上環形形狀之遮蓋25。

致動器系統經組態成使得其可在不同方向上移動遮蓋25之部分，以便將該遮蓋自閉合位置移動至敞開位置。在遮蓋25(諸如圖9及圖10所描繪之遮蓋)之情況下，遮蓋25之每一此部分為離散區段40中之一者。致動器系統在各別不同方向上移動遮蓋25之離散區段40中之每一者。

當遮蓋25處於敞開位置中時，遮蓋25之離散區段40可經設定成彼此遠離，從而提供基板W可傳遞通過之經擴大敞開中心區段26，如上文所描述。

圖11、圖12及圖13以橫截面描繪分別在閉合位置、中間位置及敞開位置中可用於根據本發明之一態樣中的致動器系統。

如圖11所示，在閉合位置中，遮蓋25之每一部分定位於基板W之上部表面之周邊部分45及基板台WT之上部表面21上，且延伸於基板W之上部表面之周邊部分45與基板台WT之上部表面21之間。在將遮蓋25自閉合位置移動至敞開位置時，致動器系統50可經組態成使得遮蓋25之每一部分首先在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上移動。

圖12描繪在如上文所描述之初始移動之後處於閉合位置與敞開位置之間的中間位置中的遮蓋25之部分。

在自敞開位置移動至閉合位置時，遮蓋25可移動至圖12所示之中間位置，使得可隨後僅藉由在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21之方向上的移動將遮蓋25移動至閉合位置。

此配置可有益地確保：當遮蓋25接觸基板W或接近於基板W時，遮蓋25至基板W之相對移動僅係在實質上垂直於基板W之上部表面的方向上。此情形可防止或減少在基板W之邊緣處污染物粒子之產生。此情形可防止或減少在基板W之邊緣處之預存在污染物粒子朝向待形成有圖案的基板W之上部表面的移動。在藉由在實質上垂直於基板W之表面的方向上移動遮蓋來接觸基板時，在實質上垂直於基板W之方向上施加對基板W所施加之力。當圍繞基板W之周邊施加力時，所施加之力係實質上均一的。藉此減少(若未最小化)由力之施加導致的基板W之失真。減少或最小化藉由施加遮蓋25造成的基板W之平面中之力，從而限制在凹座中基板W之移動。可減少(若未防止)藉由將遮蓋25施加至基板W之邊緣造成的位置誤差。

致動器系統50可經組態成使得致動器系統50可藉由在實質上平行於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上移動遮蓋25之部分中之每一者而在圖12所描繪之中間位置與圖13所描繪之敞開位置之間移動遮蓋25之部分中之每一者。

如圖11、圖12及圖13所示，致動器系統50可包括致動器載物台51，致動器載物台51經組態以提供在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上(例如，在垂直方向上)遮蓋25之移動。致動器載物台51可被稱作垂向致動器載物台(transverse actuator stage)。

致動器系統50可包括致動器載物台52，致動器載物台52經組態以提供在實質上平行於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上(例如，在水平方向上)遮蓋25之移動。致動器載物台52可被稱作橫向致動器載物台(lateral actuator stage)。

應瞭解，儘管使用所描繪之氣動致動器可為有益的，但可將替代致動器用於致動器載物台51、52中之一者或此兩者。舉例而言，可使用靜電致動器及/或電磁致動器。

致動器載物台51可經組態以便確保所提供之實質上唯一移動係在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上。致動器載物台51可包括一或多個移動導引器。一或多個移動導引器經組態以准許在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上致動器載物台51之組件之相對移動。然而，移動導引器減少或最小化在實質上平行於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上致動器載物台51之組件之移動。

圖14及圖15以橫截面描繪可用以有助於確保致動器載物台51僅提供在特定方向上之移動的移動導引器之配置。此方向可為實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向。圖14描繪當遮蓋25處於閉合位置中時之移動導引器60。圖15描繪當遮蓋25處於敞開位置中時之移動導引器60。

如所展示，致動器載物台51包括第一組件61及第二組件62。第一組件61及第二組件62可藉由所提供之致動器(如上文所描述)在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上相對於彼此而移動。彈性鉸鏈63提供於致動器載物台51之第一組件61與第二組件62之間。彈性鉸鏈准許在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上第一組件61及第二組件62之移動。彈性鉸鏈經組態以限制在實質上垂直於此所要移動方向之方向上的移動。

應瞭解，可使用替代或額外移動導引器。然而，使用如上文所描述之一或多個此等彈性鉸鏈可為有益的，此係因為此形式之移動導引器不具有或理想地最小化摩擦力。摩擦力可減少當遮蓋25移動至閉合位置時施加於基板W之上部表面上之力的可再生性。

圖16、圖17及圖18描繪可用於本發明之一態樣的另外致動器系統。圖16描繪當遮蓋25處於閉合位置中時之致動器系統70。圖17描繪在中間位置中之致動器系統70。圖18描繪當遮蓋25處於敞開位置中時之致動器系統70。

圖16、圖17及圖18所描繪之致動器系統70可提供比圖11、圖12及圖13所描繪之致動系統更簡單的致動系統。無需分離之致動器載物台。取而代之，遮蓋25之每一部分連接至一活塞71，活塞71安裝於基板台WT內之移動導引器72、73之系統內。

移動導引器72可與活塞71協作用以在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上將遮蓋25自閉合位置移動至中間位置。移動導引器73可經配置成使得其結合活塞71在實質上平行於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上移動遮蓋25。為了在閉合位置與敞開位置之間移動遮蓋25，可藉由將移動導引器72、73中之一者或此兩者連接至適當負壓源74或過壓源75來改變活塞71之一側或兩側上的氣體壓力。

遮蓋25可經組態成使得在閉合位置中，遮蓋25不僅覆蓋基板W之邊緣與基板台中之凹座22之邊緣之間的間隙23，而且覆蓋另外間隙77。舉例而言，額外間隙可存在於致動器系統與較遠離於基板固持器的基板台之部分(諸如額外組件78)之間。額外組件78可為用以監視基板台WT相對於投影系統之位置及/或位移的感測器系統之組件。

圖19及圖20以橫截面描繪本發明之一實施例，在該實施例中，提供遮蓋125之不同配置以覆蓋基板W之邊緣與經支撐有基板W的基板台WT中之凹座22之邊緣之間的間隙23。詳言之，本發明之一實施例的遮蓋125可經組態以移動遠離於基板台WT，以准許將基板W裝載至基板台WT中之凹座22/自基板台WT中之凹座22卸載基板W。在此配置中，沒有必要在將遮蓋125移動至敞開位置時擴大遮蓋125之敞開中心區段。

與上文所論述之配置一樣，以環繞基板W之邊緣之薄材料板的形式配置遮蓋125。遮蓋125自基板W之上部表面之周邊區域45延伸至基板收納區段之上部表面21。可提供用於氣體出口之開口127，該等開口連接至負壓源128。遮蓋125之下部側125a上之空間中的壓力可低於遮蓋125之上部側125b上的氣體壓力。可使用壓力差，以便緊固遮蓋125且實質上防止在使用期間遮蓋125之任何移動。

為了防止或減少遮蓋125之變形，該遮蓋可包括一或多個支撐件126，當遮蓋125位於凹座22中之基板W頂部上時，一或多個支撐件126自遮蓋125之下部表面125a延伸至凹座22之底部。

為了移動遮蓋125以便准許基板W之裝載及卸載，可提供遮蓋處置系統130(諸如機器人臂)。遮蓋處置系統130可經特定地組態成使得當遮蓋125接觸基板W或接近於基板W時遮蓋125之移動僅係在實質上垂直於基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21的方向上。

如上文所論述，在本發明之實施例(例如，圖11至圖18所描繪之實施例)中，可提供一致動器系統，該致動器系統將遮蓋25自基板W可被裝載至基板台WT及/或基板W可自基板台WT被卸載所處的敞開位置移動至遮蓋25自基板台WT之上部表面21延伸至基板W之周邊所處的閉合位置。在閉合位置中，遮蓋25可與基板W之周邊區段及基板台WT之上部表面21進行實體接觸(特別是在遮蓋25將形成密封件時)。此實體接觸可導致損害遮蓋25、基板W及/或基板台WT之上部表面21中之一或多者。因此，可提供用於致動器系統之適當控制系統。

在本發明之一實施例中，提供控制器，以便控制定位遮蓋25之致動器系統。為了有助於確保相對於基板W及/或基板台WT準確地移動遮蓋，控制器可使用表示基板W之至少周邊區段之上部表面相對於基板台WT之上部表面21的高度(或反之亦然)的資料。舉例而言，先前可在度量衡站中獲取此資料，該度量衡站可為微影裝置之部分或包括微影裝置的微影系統之部分。

基於表示基板W之周邊區段之上部表面相對於基板台WT之上部表面21的高度(或反之亦然)的資料，控制器可判定遮蓋25應被移動至之位置，以便提供遮蓋25與基板W之上部表面及基板台WT之上部表面21之間的所要接觸。

可為控制器提供適當回饋機構以控制致動器系統以將遮蓋25移動至藉由控制器判定之所要位置。

舉例而言，控制器可經組態以有助於確保在閉合位置中遮蓋25之位置充分地接近於或接觸基板W之周邊區段之上部表面，以防止、減少或最小化浸沒液體之洩漏。或者或另外，控制器可經組態以有助於確保：當遮蓋25處於閉合位置中時，藉由遮蓋25之下部表面施加於基板W之周邊區段之上部表面上的力係在給定範圍內。舉例而言，可能需要確保該力小於特定值，以便防止或減少對基板W之損害的可能性。或者或另外，可能需要確保藉由遮蓋25之下部表面施加於基板W之周邊區段之上部表面上的力超過特定值，以便確保進行充分接觸，以便將浸沒液體之洩漏控制至低於遮蓋25。

在本發明之一實施例中，表示基板W之周邊區段之上部表面相對於基板台WT之上部表面21的高度(或反之亦然)的資料可提供圍繞基板W之周邊區段之複數個部位處之相對高度的資料。根據此資料，控制器可能能夠判定在圍繞基板W之邊緣的複數個部位處遮蓋25之各別部分之所要位置。

在本發明之一實施例中，致動器系統可經對應地組態以能夠在圍繞遮蓋25之複數個部位處獨立地調整遮蓋25之高度。在此配置中，在控制在閉合位置中遮蓋25之定位時，可考量基板W及/或基板台WT之上部表面之高度的局域變化。此情形又可輔助防止或減少浸沒液體洩漏及/或對基板W、基板台WT及/或遮蓋25之損害。

如上文所識別，當遮蓋25移動至閉合位置時，遮蓋25可將力施加於基板W之周邊區段之上部表面上。應瞭解，可施加此力，而不管用以移動遮蓋25之致動器系統的控制系統之配置。施加於基板W上之力可足以導致基板W之上部表面之移動，例如，歸因於該基板之變形，及/或歸因於支撐基板W的基板台WT之支撐區段的變形。基板W之上部表面之此移動可為不良的，此係因為其可在形成於基板W上之圖案中導致誤差。

在本發明之一實施例中，遮蓋25可具備一區域，該區域係相對可撓性的，即，相較於該遮蓋之剩餘部分具有較低硬度。此相對可撓性區段可經組態成使得當遮蓋25移動至閉合位置時，施加於該遮蓋上之任何力及/或該遮蓋相對於基板W及/或基板台WT之定位之任何不準確度均導致該遮蓋之相對可撓性區段之變形，而非基板W之變形或支撐該基板的基板台WT之支撐區段的變形。

圖26至圖30以橫截面示意性地描繪具有相對可撓性區段的本發明之一實施例的遮蓋25之配置。如圖26至圖28所示，遮蓋25可由單一材料區段形成，且可提供一或多個相對可撓性區段，在該一或多個相對可撓性區段中，該遮蓋之厚度縮減。舉例而言，如圖26所描繪，遮蓋25之邊緣區段161、162中之一或多者可具有小於遮蓋25之主體之剩餘部分163之厚度的厚度。因此，厚度縮減區段161、162相較於遮蓋25之主體之剩餘部分163將較不堅硬。

遮蓋25之厚度縮減區段161、162可(例如)沿著遮蓋25之內部邊緣及/或外部邊緣的全部而圍繞遮蓋25延伸。亦應瞭解，在一些配置中，遮蓋25之僅一個邊緣將具有厚度縮減區段，以便提供相對可撓性區段。

應瞭解，此等配置可與上文所論述之實施例組合，在該等實施例中，遮蓋25之邊緣為錐形。在此情況下，應瞭解，厚度縮減區段161、162之邊緣161a、162a可為錐形。類似地，下文所描述的圖27至圖32所描繪之遮蓋之邊緣可為錐形。然而，出於簡潔起見，不針對下文所論述之每一實施例詳細地論述此情形。

如圖27所描繪，可藉由在遮蓋25之下部表面中形成凹槽165來提供遮蓋25之相對可撓性區段。凹槽165導致具有縮減厚度且因此具有縮減硬度的遮蓋25之關聯部分166。應瞭解，凹槽165可圍繞遮蓋25延伸。因此，在使用中，凹槽165可定位於基板W之邊緣與基板台WT中之凹座之邊緣之間的間隙上方，從而圍繞該基板之完整周邊延伸。

儘管圖27描繪在遮蓋25之下部表面中提供單一凹槽165的配置，但應瞭解，可提供複數個凹槽，以便增加遮蓋25之區段之可撓性。然而，一般而言，需要保持具有相對較高硬度的遮蓋25之主體之足夠區段(即，具有完整厚度的遮蓋之區段)，以便有助於確保遮蓋25不會在使用中過度地變形。

如圖28所描繪，可組合圖26及圖27所描繪之配置。換言之，遮蓋25可在遮蓋25之邊緣中之一或多者處具有厚度縮減區段161、162，且亦可在遮蓋25之下部表面上具備一或多個凹槽165。

在分別如圖29至圖31所描繪之對應另外配置中，遮蓋25之主體可由附接至至少一支撐材料區段171之平面材料區段170形成。平面材料區段170與支撐材料區段171之組合提供具有完整厚度且因此具有相對較高硬度的遮蓋25之主體之區段。由平面材料170(其未藉由支撐材料區段171支撐)形成的遮蓋25之主體之區段提供具有相對較低硬度的遮蓋25之厚度縮減區段161、162。同樣地，兩個支撐材料區段171之間的間隙提供凹槽165，凹槽165提供遮蓋25之相對可撓性區段。

儘管圖26至圖31中未描繪，但應瞭解，本發明之此態樣的遮蓋25可包括諸如上文所論述之支撐件的支撐件，該等支撐件包括用以將遮蓋25連接至致動器系統之支撐件。

圖32描繪本發明之一實施例，在該實施例中，藉由一或多個支撐件172支撐遮蓋25之主體。如所展示，遮蓋25在遮蓋25之任一邊緣處具有厚度縮減區段161、162，從而提供遮蓋25之相對可撓性區段。此外，凹槽165提供於遮蓋25之下部表面中。凹槽165經定位成使得在遮蓋25之各別邊緣與一或多個支撐件172之位置之間的位置中，該等凹槽各自圍繞遮蓋25延伸。因此，凹槽165提供遮蓋25之額外相對可撓性區段。應瞭解，在此配置之變化中，可省略遮蓋25之相對可撓性區段中之一或多者。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。

為了操作本發明之組件(諸如致動器)之一或多個移動，可存在一或多個控制器。該等控制器可具有用於接收、處理及發送信號之任何適當組態。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與明確地所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。該等電腦程式可適用於控制本文中所提及之控制器。

本發明之一或多個實施例可適用於任何浸沒微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，無論浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是在基板及/或基板台上未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒流體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。

應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在特定實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。

此外，儘管已在特定實施例及實例之內容背景中揭示本發明，但熟習此項技術者應理解，本發明超出特定揭示之實施例而延伸至其他替代實施例及/或本發明及其明顯修改以及等效物之使用。此外，雖然已詳細地展示及描述本發明之許多變化，但基於此揭示，對於熟習此項技術者而言，在本發明之範疇內的其他修改將係顯而易見的。舉例而言，據預期，可進行該等實施例之特定特徵及態樣的各種組合或子組合，且該等組合或子組合仍屬於本發明之範疇。因此，應理解，可將所揭示實施例之各種特徵及態樣彼此組合或彼此取代，以便形成本發明之變化模式。因此，本文中所揭示的本發明之範疇意欲不應受到上文所描述之特定揭示實施例限制，而應僅藉由以下申請專利範圍之清楚閱讀進行判定。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

11．．．投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間

12．．．液體限制結構

13．．．液體入口/液體出口

14．．．出口

15．．．氣體入口

16．．．無接觸密封件/氣體密封件

21．．．實質上平面上部表面

22．．．凹座

23．．．間隙

25．．．遮蓋

25a．．．遮蓋25之下部表面

25b．．．遮蓋25之上部表面

25c．．．遮蓋25之邊緣

25d．．．遮蓋25之邊緣

26．．．敞開中心區段

30．．．裂口

31．．．遮蓋25之內部周邊

32．．．遮蓋25之外部周邊

35．．．遮蓋25之部分

40．．．離散區段

45．．．基板W之上部表面之周邊部分/基板W之上部表面之周邊區域

50．．．致動器系統

51．．．致動器載物台

52．．．致動器載物台

60．．．移動導引器

61．．．第一組件

62．．．第二組件

63．．．彈性鉸鏈

70．．．致動器系統

71．．．活塞

72．．．移動導引器

73．．．移動導引器

74．．．負壓源

75．．．過壓源

77．．．另外間隙

78．．．額外組件

125．．．遮蓋

125a．．．遮蓋125之下部側/遮蓋125之下部表面

125b．．．遮蓋125之上部側

126．．．支撐件

127．．．開口

128．．．負壓源

130．．．遮蓋處置系統

141．．．疏液性塗層

141a．．．塗層141之下部表面

142．．．塗層

142b．．．塗層142之上部表面

143．．．錐形區段

145．．．邊緣區段

146．．．台階

147．．．錐形區段

148．．．錐形區段

161．．．遮蓋25之邊緣區段/遮蓋25之厚度縮減區段

161a．．．厚度縮減區段161之邊緣

162．．．遮蓋25之邊緣區段/遮蓋25之厚度縮減區段

162a．．．厚度縮減區段162之邊緣

163．．．遮蓋25之主體之剩餘部分

165．．．凹槽

166．．．遮蓋25之關聯部分

170．．．平面材料區段

171．．．支撐材料區段

172．．．支撐件

201．．．液體膜

202．．．隆脊

203．．．液體膜

204．．．通道

210．．．離散氣體噴口

211．．．開口

212．．．膜

251．．．彎液面剖面

252．．．彎液面剖面

253．．．彎液面剖面

254．．．彎液面剖面

254a．．．彎液面剖面254之區段

260．．．遮蓋25之邊緣之錐形區段143之表面相對於基板W之上部表面的角度

261．．．動態接觸角

262．．．動態接觸角

263．．．動態接觸角

264．．．彎液面相對於遮蓋25之邊緣之錐形區段143之表面的動態接觸角

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

C．．．目標部分

CO．．．聚光器

IF．．．位置感測器

IH．．．局域化浸沒系統

IL．．．照明系統/照明器

IN．．．積光器

M1．．．圖案化器件對準標記

M2．．．圖案化器件對準標記

MA．．．圖案化器件

MT．．．支撐結構

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一***

PS．．．投影系統

PW．．．第二***

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2及圖3描繪作為用於微影投影裝置之液體供應系統的流體處置結構；

圖4描繪用於微影投影裝置之另外液體供應系統；

圖5以橫截面描繪可在本發明之一實施例中用作液體供應系統的液體限制結構；

圖6以平面圖描繪根據本發明之一態樣的基板收納區段；

圖7及圖8以平面圖描繪分別在敞開位置及閉合位置中的根據本發明之一態樣的遮蓋；

圖9及圖10以平面圖描繪分別在閉合位置及敞開位置中的根據本發明之一態樣的遮蓋；

圖11、圖12及圖13以橫截面描繪分別在閉合位置、中間位置及敞開位置中的根據本發明之一態樣的用於遮蓋之致動器系統；

圖14及圖15以橫截面描繪可用於本發明之一態樣之致動器系統中的移動導引器之配置；

圖16、圖17及圖18描繪分別在閉合位置、中間位置及敞開位置中的根據本發明之一態樣的用於遮蓋之致動器系統；

圖19及圖20以橫截面描繪根據本發明之一態樣的遮蓋；

圖21以橫截面描繪根據本發明之一態樣的遮蓋之配置；

圖22至圖25示意性地描繪根據本發明之一態樣的遮蓋之邊緣之可能組態；

圖26至圖32以橫截面示意性地描繪根據本發明之一態樣的遮蓋之配置；

圖33描繪在使用中的遮蓋之配置；

圖34描繪根據本發明之一態樣的包括浸沒流體膜瓦解器之系統中之遮蓋之配置；

圖35描繪根據本發明之一態樣的包括浸沒流體膜瓦解器之系統中之遮蓋之配置；

圖36描繪根據本發明之一態樣的包括浸沒流體膜瓦解器之系統中之遮蓋之配置；

圖37說明性地描繪穿越遮蓋之邊緣之彎液面的位置；及

圖38說明性地描繪在特定條件集合下穿越遮蓋之彎液面的位置。