TWI485534B - 微影裝置及其控制方法及器件製造方法 - Google Patents

Description

微影裝置及其控制方法及器件製造方法

本發明係關於一種微影裝置、一種控制微影裝置之方法，及一種器件製造方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然 而，另一流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體係特別理想的。因為曝光輻射在液體中將具有較短波長，所以此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為合適的其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴，及/或水溶液。

將基板或基板及基板台浸沒於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。

在浸潤裝置中，藉由流體處置系統、器件結構或裝置來處置浸潤流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤流體之障壁且藉此為障壁構件(諸如，流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可創製或使用氣流，例如，以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封構件；此密封構 件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤液體用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵之參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。

在浸潤微影中，在液體處置系統與基板台之間的力通常恆定，惟當液體處置系統在基板與基板台之間的間隙上方時除外。在此位置中所經歷之力跳躍可導致基板台在z方向上之伺服誤差。基板台在z方向上之伺服誤差可導致散焦誤差。

舉例而言，需要縮減或消除此散焦誤差之風險。

根據一態樣，提供一種浸潤微影裝置，該浸潤微影裝置包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以將浸潤液體供應及限制至界定於該投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一控制器，其用以取決於該基板及/或該基板台相對於在該液體處置系統下方之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向而調整在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度。

根據本發明之一態樣，提供一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：使支撐一基板之一基板台相對於經組態 以將一經圖案化輻射光束通過受到一液體處置系統限制之浸潤液體而投影至一基板上之一投影系統而移動；及取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向而調整在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度。

現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件MA之第一***PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位基板W之第二***PW；及-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類 型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面 中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為如下類型：其具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台及一或多個感測器或量測台之組合。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板台、感測器台及/或量測台之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化器件台(或載物台或支撐件)。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面 及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部件，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL為可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定 位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一***PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二***PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於在目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台 WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，如在其他模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。在一實施例中，可程式化鏡面陣列可用以最佳化投影光束(且不創製圖案化器件(例如，光罩)圖案)。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

可將用於在投影系統之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成至少兩種通用類別。此等類別為浴類型配置及所謂局域化浸潤系統。在浴類型配置中，基板之實質上全部及(視情況)基板台之部分被浸沒於液體浴中。所謂局域化浸潤系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。在後一類別中，藉由液體填充之空間在平面 圖上小於基板之頂部表面，且經填充有液體之區域相對於投影系統保持實質上靜止，而基板在彼區域下方移動。

所提議配置中之一者係使用液體限制系統而使液體供應系統將液體僅提供於基板之局域化區域上，及投影系統之最終元件與基板之間(基板相比於投影系統之最終元件通常具有較大表面區域)。WO 99/49504中揭示一種已經提議以安排此情形之方式。如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口供應至基板上(理想地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在已傳遞於投影系統下方之後藉由至少一出口移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。基板W上方之箭頭說明液體流動方向，且基板W下方之箭頭說明基板台之移動方向。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件而定位之入口及出口之各種定向及數目係可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上入口及出口之四個集合。液體供應器件及液體回收器件中之箭頭指示液體流動方向。

圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側之兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口及出 口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一個側上之一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上之複數個離散出口被移除，從而造成液體薄膜在投影系統PS與基板W之間流動。對將使用入口及出口之哪一組合之選擇可取決於基板W之移動方向(入口及出口之另一組合處於非作用中)。在圖4之橫截面圖中，箭頭說明進入入口及離開出口之液體流動方向。

在全文各自據此以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式載物台或雙載物台浸潤微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台。在無浸潤液體之情況下藉由在第一位置處之台進行調平量測，且在存在浸潤液體之情況下藉由在第二位置處之台進行曝光。替代地，該裝置具有僅一個台。

PCT專利申請公開案WO 2005/064405揭示一種全濕潤配置，其中浸潤液體係未受限制的。在此系統中，基板之整個頂部表面被覆蓋於液體中。此情形可為有利的，此係因為基板之整個頂部表面因而被曝露至實質上相同條件。此情形具有用於基板之溫度控制及處理之優點。在WO 2005/064405中，液體供應系統將液體提供至在投影系統之最終元件與基板之間的間隙。允許彼液體洩漏(或流動)遍及基板之剩餘部分。基板台之邊緣處之障壁防止液體逸出，使得可以受控方式自基板台之頂部表面移除液體。儘管此系統改良基板之溫度控制及處理，但仍可能會發生浸 潤液體之蒸發。美國專利申請公開案第US 2006/0119809號中描述一種幫助減輕彼問題之方式。提供一構件，該構件在所有位置中覆蓋基板，且該構件經配置以使浸潤液體延伸於該構件與該基板及/或固持該基板之基板台之頂部表面之間。

圖2至圖5之液體供應器件中任一者可用於全濕潤系統中；然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。圖2至圖5中說明四個不同類型之局域化液體供應系統。上文已描述圖2至圖4所揭示之液體供應系統。

已提議之另一配置係提供具有流體限制結構之液體供應系統。流體限制結構可沿著在投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。流體限制結構在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。密封件形成於流體限制結構與基板之表面之間。在一實施例中，密封件形成於流體限制結構與基板之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

圖5示意性地描繪具有形成障壁構件或流體限制結構之液體限制結構12(或本體)之局域化液體供應系統或流體處置結構或器件，液體限制結構12沿著在投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，另外或在替代例中，除非另有明 確陳述，否則在以下本文中對基板W之表面之參考亦指代基板台WT之表面)。流體處置結構在XY平面中相對於投影系統PS實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件或流體密封件之無接觸密封件。

液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。對基板W之無接觸密封件(諸如，氣體密封件16)可圍繞投影系統PS之影像場而形成，使得將液體限制於在基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間11內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12至少部分地形成。藉由液體入口13將液體帶入至在投影系統PS下方且在液體限制結構12內之空間11中。可藉由液體出口13來移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統PS之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統PS或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此狀況。

可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16係藉由氣體(例如，空氣或合 成空氣)形成，但在一實施例中，係藉由N₂ 或另一惰性氣體形成。在壓力下經由入口15而將氣體密封件16中之氣體提供至在液體限制結構12與基板W之間的間隙。經由出口14而萃取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流。氣體對在液體限制結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續的或不連續的。氣流對於使在空間11中含有液體係有效的。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。

圖5之實例為所謂局域化區域配置，其中在任一時間將液體僅提供至基板W之頂部表面之局域化區域。其他配置係可能的，包括使用如(例如)美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之單相萃取器或二相萃取器之流體處置系統。在一實施例中，單相萃取器或二相萃取器可包含被覆蓋於多孔材料中之入口。在單相萃取器之實施例中，多孔材料用以使液體與氣體分離以實現單液相液體萃取。在多孔材料下游之腔室維持於輕微負壓下且經填充有液體。腔室中之負壓係使得形成於多孔材料之孔中之彎液面防止周圍氣體被牽引至腔室中。然而，當多孔表面接觸液體時，不存在用以限定流動之彎液面且液體可自由地流動至腔室中。多孔材料具有(例如)直徑在5微米至300微米(理想地，5微米至50微米)之範圍內之大量小孔。在一實施例中，多孔材料係至少輕微地親液性的(例如，親水性 的)，亦即，與浸潤液體(例如，水)成小於90°之接觸角。

可能的另一配置為基於氣體拖曳原理(gas drag principle)而工作之配置。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046號以及美國專利申請公開案第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中，萃取孔係以理想地具有隅角之形狀而配置。隅角可與步進方向或掃描方向對準。對於在步進方向或掃描方向上之給定速率，相比於在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於掃描方向的情況，隅角可與步進方向或掃描方向對準的情況縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。

US 2008-0212046中亦揭示徑向地定位於主液體擷取特徵外部之氣刀。氣刀截留經過主液體擷取特徵之液體。此氣刀可存在於所謂氣體拖曳原理配置(如US 2008-0212046中所揭示)中、存在於單相萃取器配置或二相萃取器配置(諸如美國專利申請公開案第US 2009-0262318號中所揭示)中，或存在於任何其他配置中。

本發明之一實施例可應用於全濕潤浸潤裝置中所使用之流體處置結構。在全濕潤實施例中，舉例而言，藉由允許液體自將液體限制至投影系統之最終元件與基板之間的限制結構洩漏，允許流體覆蓋基板台之整個頂部表面。可在美國專利申請公開案第US 2010-0060868號中找到用於全濕潤實施例之流體處置結構之實例。

許多其他類型之液體供應系統係可能的。本發明不限於 任何特定類型之液體供應系統。本發明對於用於受限制浸潤系統可為有利的，在受限制浸潤系統中，(例如)在最佳化使用時，在投影系統之最終元件與基板之間的液體受到限制。然而，本發明可用於任何其他類型之液體供應系統。

如圖6所說明，基板固持器可用以支撐基板W。基板台WT支撐基板固持器。基板固持器可在基板台WT內之凹座中。凹座之深度可經定大小成使得當基板W存在於基板固持器上時，基板W之表面係與基板台WT之頂部表面實質上共平面。當基板W存在於基板支撐件上時，在基板W之邊緣與基板台之對向邊緣20之間可存在間隙G。

在間隙G中，可存在用以在操作期間自間隙G移除液體之流體萃取器件之一經界定間隙開口，其在一實施例中可為複數個間隙開口100。間隙開口100可位於凹座之邊緣附近(例如，在至基板W之徑向向外位置處)。在基板支撐件之周邊110處或附近可存在一開口(或一或多個下方開口120)。可在操作期間藉由基板W覆蓋此開口，使得可自基板W下方通過下方開口120而移除液體。

局域化區域供應解決方案之問題在於：當成像基板之邊緣時，間隙G相對於流體處置系統之至少一部分(例如，液體限制結構12)而移動。對於許多類型之流體處置系統(本發明適用於所有類型之流體處置系統，特別是局域化區域流體處置系統)，在相對於間隙G之此相對移動後，隨即發生在流體處置系統與基板台之間的力改變。此情形引起在 z方向上之基板台伺服誤差，其意謂基板台WT相比於所要位置未正確地定位於z方向(光軸之方向)上。

圖7為以灰階指示在z方向上基板台之位置與所要位置相隔多遠的圖表。自圖7可看出，存在某些晶粒，特別是恰好在來自基板邊緣中在頂部兩個隅角處及恰好在來自基板邊緣中在圍繞基板之底部之區中的晶粒，該等晶粒具有在z方向上之特別大伺服誤差(正(白色)或負(黑色))。在z方向上之伺服誤差(若未經校正)導致在受影響晶粒上所成像之影像之散焦。經散焦晶粒所產生之圖案為該等晶粒被成像之次序之假影。在液體限制系統下方橫跨間隙G之前或之後所成像之任何晶粒可能受到影響。

z方向伺服誤差係與隨著間隙G傳遞於流體處置結構下方在基板台WT與流體處置結構之間的力改變相關聯。在準靜態情形(例如，在流體處置系統與基板台之間的相對速度為10毫米/秒)中，力改變為約0.3牛頓。在掃描情形(其中速度為610毫米/秒)中，力跳躍較大，處於約0.6牛頓。

在z方向上之伺服誤差可引起散焦，且因此引起成像誤差。

對散焦問題之解決方案係在可能受到影響之晶粒/場處減慢掃描速率。此情形向基板台致動器給出考量力改變且藉此幫助防止z方向伺服誤差之機會。然而，此情形係以產出率為代價而發生。

不同策略係量測對虛設基板之力干擾(特別是對於當流體處置系統橫跨間隙G時之場)。此量測可在生產基板之曝 光期間用於基板台之定位系統中。然而，此解決方案具有產出率成本，且其有效性係可疑的。然而，可結合本發明之一實施例而使用此配置(例如，2010年7月26日申請之美國專利申請案第US 61/367,722號中所揭示，該申請案之全文以引用之方式併入本文中)。

應注意，對於浸潤液體覆蓋基板W之表面之至少全部及(理想地)基板台WT之周圍表面之一些的全濕潤浸潤系統，此問題可較不相關。然而，在此系統中可存在相似系統誤差，且本發明之一實施例可應用於此系統。舉例而言，基板邊緣可傳遞於全濕潤浸潤系統之流體供應結構下方。

在本發明之一實施例中，控制器50經組態以調整微影裝置之一或多個操作條件。舉例而言，控制器可經組態以調整液體限制結構12及/或定位系統PW之一或多個操作條件，定位系統PW經組態以相對於投影系統PS及/或液體限制結構12來定位基板W及/或基板台WT。因此，控制器50自藉由一或多個主控制器判定之操作條件來改變一或多個操作條件。亦即，控制器50將一或多個操作條件設定為不同於將在不存在控制器50之情況下選擇之操作條件。

在液體限制結構12之底部表面與基板W及/或基板台WT之間的較高距離(該距離有時被稱為飛行高度)可意謂當橫跨間隙G時之較小力變化，且藉此意謂基板台WT在z方向上之較小伺服誤差且藉此意謂較小散焦問題。然而，增加整個液體限制結構12之飛行高度也許係不可能的，此係因為彼情形可增加缺陷度。通常，飛行高度愈低，則自缺陷 度觀點而言愈好。飛行高度增加可引起在液體限制結構12下方之表面上所留下之液體增加。在表面上所留下之液體可在碰撞延伸於液體限制結構12與表面之間的彎液面時引起在投影系統與基板之間的浸潤液體中產生氣泡。此等氣泡可干涉投影光束，從而導致成像缺陷。因此，增加飛行高度可導致缺陷度增加。

本發明之一實施例使液體限制結構12傾斜(使得在液體限制結構12之下部表面相對於基板W之表面之間存在不同於零度之角度差)。因此，有可能在需要較高飛行高度之位置處增加液體限制結構12之飛行高度，同時在不同位置處使液體限制結構12之飛行高度處於標稱(例如，預定)量值。

通常，飛行高度在液體限制結構12之前進側上增加(前進側為供基板台WT開始移動之側)，且在液體限制結構12之後退側處維持於標稱(例如，預定)值(後退側為供基板台WT移動到達之側)。

液體限制結構12之傾斜方向及量值取決於在液體限制結構12與基板台WT之間的相對移動方向(例如，掃描或步進方向)及/或液體限制結構12相對於基板W之位置。

在一實施例中，僅當液體限制結構12處於基板W之邊緣處時才誘發液體限制結構12之傾斜。

在一實施例中，誘發傾斜，使得液體限制結構12之底部表面朝向基板之邊緣而旋轉(例如，使得液體限制結構12之下方表面之徑向外部邊緣(相對於基板W)相比於內部邊 緣更遠離基板W之頂部表面)。

在一實施例中，傾斜係圍繞一軸線，該軸線之方向具有實質上平行於基板之局域邊緣之至少一分量。

在一實施例中，取決於液體限制結構12橫跨至基板上抑或離開基板，傾斜可不同。傾斜方向及量可隨不同晶粒(例如，不同場)而改變。

在一實施例中，傾斜係圍繞一軸線，該軸線之方向具有實質上垂直於在液體限制結構12與基板W之間的相對移動方向之至少一分量。

圖8說明在液體限制結構12(如所說明)之左側邊緣橫跨離開基板期間液體限制結構12如何相對於基板W而傾斜之典型實例。在此實施例中，箭頭200指示基板台WT相對於靜止液體限制結構12之移動。

如所說明，相比於液體限制結構12之(未經說明)後邊緣，液體限制結構12之前邊緣具有較大飛行高度。因此，相比於在別處，在間隙G上方之位置處在液體限制結構12之間存在較大間隙。結果，相比於飛行高度在前邊緣處較低的狀況，隨著液體限制結構12傳遞於間隙G上方而經歷在液體限制結構12與基板台WT之間的較低力變化。結果，可期望基板台WT在z方向上之較小伺服誤差，且藉此期望較小散焦。

本發明之一實施例可被看作在投影系統PS下方用於基板W之路徑選擇，其中連續地或半連續地判定液體限制結構12之傾斜(例如，對於每一場(晶粒))。替代地或另外，傾 斜取決於在液體限制結構12與基板W之間的相對移動位置及/或方向，及/或相對移動之速率。此傾斜之目的係實現高度梯階(諸如，在液體限制結構12下方的基板之邊緣(間隙G))之較快速傳遞，而不必減慢在液體限制結構12與基板W之間的相對速率。此情形係可能的，同時亦幫助防止浸潤液體損失且維持在基板W上投影光束之聚焦。

在假定液體限制結構12處於某一飛行高度之情況下進行投影光束之聚焦。用以橫跨基板邊緣之最佳飛行高度處於不同飛行高度(因為飛行高度具有對延伸於液體限制結構12與基板及/或基板台WT之間的彎液面之穩定性之效應)。增加飛行高度可導致液體損失，且可在空間11中之浸潤液體中引起氣泡。因此，本發明之一實施例為飛行高度兩者之最佳化。

亦可存在產出率益處(例如，在一實施例中，每小時約7個基板)，此係因為在液體限制結構12與基板W之間的相對移動速率無需減低成與在液體限制結構12不傾斜之情形中一樣多。

因此，控制器50可使液體限制結構12傾斜，使得液體限制結構12之底部表面不平行於基板W及/或基板台WT之頂部表面。亦即，液體限制結構12之底部表面可成角度而不平行於基板W及/或基板台WT之頂部表面。

美國專利申請公開案第US 2005-0007569號(該公開案之全文據此以引用之方式併入)描述一種流體處置結構(亦被稱為浸潤罩)，該流體處置結構被致動，因此，其可傾斜 且垂直地移動。此類型之流體處置結構可用於本發明之一實施例中。

另外，控制器50可改變在液體限制結構12之底部與基板W及/或基板台WT之表面之間的距離。

在一實施例中，控制器不使用固定飛行高度，但(例如)基於位置或經感測飛行高度而變化飛行高度。

當其他特徵傳遞於液體限制結構12下方時(例如，在橫跨表面及/或接近表面之邊緣(諸如，接近在基板台與另一物件之間的間隙)期間)，可使用該方法。在一實施例中，該另一物件可為安裝於基板台WT上或安裝於量測台上之感測器。舉例而言，感測器可為透射影像感測器(TIS)、透鏡干涉計感測器(ILIAS)或光點感測器。在一實施例中，該另一物件為橋接器或橋接元件。橋接元件可在(例如)投影系統PS下方之台(例如，兩個基板台，或針對一量測台之一基板台)之調換期間充當存在於至少兩個台(例如，一基板台及一量測台，或兩個基板台)之間的間隙中之虛設基板。橋接元件可(例如)至少在供橋接元件傳遞於投影系統PS下方之持續時間期間附接至台。橋接元件經設計成允許液體限制結構12在投影系統PS下方之台之調換期間維持為實質上充滿浸潤液體。在一實施例中，橋接元件可為另一台(諸如，基板台或量測台)之部件。

圖9說明本發明之一實施例之一個通用原理。在一實施例中，在基板W自液體限制結構12下方之移動(藉由箭頭220說明(如在液體限制結構12自基板W上方橫跨至基板台 WT上方時))期間，在液體限制結構12之前進側(如所說明之頂側)處存在(例如，總是存在)增加之飛行高度H。舉例而言，液體限制結構12可圍繞軸線225而旋轉。對於液體限制結構12回至基板W上之返回橫跨(藉由箭頭230說明)，存在三個選項，如圖9之方框中所說明：1)液體限制結構12之前進側(如所說明之底部)可使其飛行高度增加(左側選項)；2)在前進側及後側處可不存在飛行高度改變，使得兩個側具有相同高度(中心選項)；或3)後側之高度可增加(右側選項)。

在一實施例中，液體限制結構12僅針對在液體限制結構12定位於遠離x軸及y軸之區域處時基板相對於液體限制結構12之移動而傾斜。x軸及y軸之原點為基板之中心。該等軸線實質上平行於及垂直於掃描方向。在一實施例中，液體限制結構12僅針對在液體限制結構傳遞離開基板W及/或傳遞至基板W上時之移動而傾斜。

在一實施例中，基板W相對於液體限制結構12而移動且在液體限制結構12下方移動，使得曝光光束成像在第一方向上接連地延伸之晶粒列。接著，成像在第一方向上延伸之鄰近晶粒列。在此狀況下，旋轉可僅圍繞平行於液體限制結構12之第一方向之軸線。在一實施例中，替代地或此外，可使用圍繞正交於第一方向之方向之旋轉。

圖10說明一系統，在該系統中，液體限制結構之旋轉取決於基板W之哪一片段被成像。圖10以平面圖展示基板W，基板W***成片段1至9。可根據哪一區段1至9被成像 來判定傾斜。舉例而言，可僅在片段1、3、7及/或9之成像期間才誘發傾斜。

以下程式碼行為如何根據哪一片段1至9被成像且根據在哪一方向上在基板W與液體限制結構12之間存在相對移動而調整圍繞x 方向(Rx)及圍繞y 方向(Ry)之傾斜之例示性實施例。原點係在基板之中心，v_y 為在y 方向上在基板W與液體限制結構12之間的相對速度。

if(v_y >0 AND y>0)OR(v_y <0 AND y<0)

Rx_tilt=Rx_tilt_W2C,

else

Rx_tilt=Rx_tilt_C2W

End

1：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=Ry_tilt

2：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=0

3：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=-Ry_tilt

4：Rx=0；Ry=Ry_tilt

5：Rx=0；Ry=0

6：Rx=0；Ry=-Ry_tilt

7：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=Ry_tilt

8：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=0

9：Rx=Rx_tilt^＊ sign(v_y )；Ry=-Ry_tilt

每區域z_offset應藉由如下各者判定：Tilt=max(|Rx|,|Ry|)

z_offset=z_user+tilt^＊ 44.5[μm/mrad] 其中Rx_tilt_W2C為針對離開基板W之運動之傾斜(方向220)，且Rx_tilt_C2W為針對至基板W上之運動之傾斜(方向230)。在兩種狀況下，液體限制系統之前邊緣相比於後邊緣具有較高飛行高度。

圖11說明等效於圖7之結果的結果，惟已實踐本發明之一實施例除外。在此實驗中，應用以下條件：對於自基板W至基板台WT之移動：在Rx上之1毫拉德傾斜，亦即，液體限制結構12之前進側在預定距離(例如，250微米)處飛行，且在預定距離(例如，150微米)(亦即，標稱飛行高度)處後退。

對於自基板台WT至基板W之移動：在Rx上之1毫拉德傾斜，亦即，液體限制結構12之前進側在預定距離(例如，250微米)處飛行，且在預定距離(例如，150微米)(亦即，標稱飛行高度)處後退。

正傾斜被定義為液體限制結構12之前進側高於後退側。在Ry上無傾斜。

液體限制結構12之中心之飛行高度隨著傾斜而增加以確保液體限制結構12之最低點總是處於預定距離(例如，150微米)。

彼意謂液體限制結構12在其於基板邊緣上方移動時自一個場至下一場之步進移動期間翻轉。

自圖11可看出，相比於圖7，具有在z方向上之高伺服誤 差之場之數目已減低。所有晶粒之平均偏移展示約25%之改良，且峰值伺服偏移縮減達約8%。

圖12及圖13分別展示圖7及圖11之標準偏差。自此等圖可看到改良，特別是在受到起因於間隙G傳遞於液體限制系統下方之散焦影響之晶粒之縮減標準偏差方面的改良。藉由恰好在來自基板邊緣中在頂部兩個隅角處及恰好在來自基板邊緣中在圍繞基板之底部之區中之晶粒自零之較低變化(引起受影響晶粒較暗)可看到改良。

圖14為基板W之場的以平面圖之說明。每一場被編號。特別傾於本申請案所論述之散焦誤差之場為(例如)場165、157及179。

圖15至圖17分別展示針對未應用本發明之一實施例(亦即，無傾斜)之參考(實線)及針對本發明之一實施例(點線)(亦即，其中根據上文所概述之系統而應用傾斜)兩者對於場165、157及179的基板台W在z方向上之伺服偏移之變化(其隨著y位置而變化)。圖18至圖20展示針對未應用本發明之一實施例(亦即，無傾斜)之參考(實線)及針對本發明之一實施例(點線)(亦即，其中根據上文所概述之系統而應用傾斜)兩者對於相同場的移動標準偏差之改變。

可看出，用本發明之一實施例所產生之結果相比於該參考(其中不存在液體限制結構12之底部表面相對於基板W之表面之傾斜)引起較低伺服誤差。變化之量值(例如，峰值及谷值之大小)較小。

在用本發明之一實施例的情況下，移動標準偏差伺服誤 差相比於參考值較小。針對本發明之一實施例，峰值(即，變化之量值)亦較小。

在一實施例中，基於基板W相對於液體限制結構12之位置而判定液體限制結構12相對於基板W之頂部表面之旋轉軸線及/或旋轉角度量值。相對位置可為基板W之邊緣之部分相對於投影系統PS之光軸的位置。替代地或另外，可基於基板W之邊緣之部分相對於投影系統PS之光軸的相對移動方向而判定旋轉軸線及/或旋轉角度量值。在上文所提及之實施例中，基板之邊緣之部分可為最靠近光軸或投影系統PS的基板W之邊緣之部分。在一實施例中，旋轉軸線(及/或旋轉角度量值)之判定取決於基板W之邊緣之部分之切線的一或多個屬性。舉例而言，判定可取決於切線與裝置之掃描及/或步進方向所成之角度。舉例而言，可基於切線相對於掃描及/或步進方向之角度係在某一(例如，預定)範圍內而選擇軸線及量值。基於此情形，有可能選擇在哪些晶粒之掃描期間發生液體限制結構12相對於基板W之傾斜。舉例而言，自圖7可看出，若最靠近投影系統PS之光軸的基板之邊緣之部分的切線相對於掃描及/或步進方向為約45°(比如，介於30°與60°之間或介於35°與55°之間)，且在此範圍內誘發傾斜，則將在具有最大伺服偏移之晶粒之掃描期間發生傾斜。在一實施例中，該部分之切線係在基板之平面中及/或垂直於光軸。

圖21說明在受到散焦(圖22所示且在下文予以解釋)影響之晶粒之成像期間針對不同傾斜設定之結果。以毫拉德為 單位之設定係以矩形展示於圖21之曲線圖下方，其包含：在頂部處，在Ry方向上之傾斜；接著在中間，在向內運動(亦即，在方向230上至基板W上)期間之Rx方向傾斜；及在底部處，在向外運動(亦即，在方向220上離開基板W)期間之Rx方向傾斜。受到散焦影響之晶粒中任一者之最大伺服偏移被標繪於左側曲線圖中之對應設定上方。受到散焦影響之晶粒中任一者之最大移動標準偏差被標繪於圖21之右側曲線圖中之對應設定上方。被展示為正方形之結果係針對第一層，且被展示為三角形之結果係針對第二層。兩個層之間的唯一差異為掃描方向。標繪兩個層之結果會指示該等結果之再現性。

圖22展示受到散焦影響之晶粒，對於該等晶粒，誘發傾斜以獲得圖21所示之結果。受到散焦影響之晶粒為在基板W之中心部分與外部晶粒之間的晶粒(亦即，其為圖22中在其中具有對角線之晶粒)。

可看出，某些傾斜設定(以矩形展示於圖21之曲線圖下方)引起最低伺服偏移(左側曲線圖)及最低移動標準偏差(右側曲線圖)。藉由使液體限制結構圍繞x軸而傾斜來達成最好結果。在某些情況下，使液體限制結構12另外圍繞y軸而傾斜亦會有幫助。在一實施例中，控制器50獨立地決定是否使液體限制結構12圍繞x軸及/或y軸而傾斜。

下表概括最好傾斜設定之結果，其中該等結果係相對於參考(無傾斜值)而正規化。

本發明之一實施例亦可用以改良對除了上文所描述之晶粒以外之晶粒的缺陷度效能。舉例而言，可在發生氣泡缺陷之晶粒處或附近控制液體限制結構之傾斜。此等缺陷起因於在先前移動期間在基板W上所留下之液體(諸如，小滴)同延伸於基板W與液體限制結構12之間的彎液面的碰撞。碰撞可引起在小滴與彎液面之間的氣體變得截留於彎液面內之浸潤液體中。因此，氣體在浸潤液體中形成氣泡，且藉此增加成像誤差之風險。在小滴以其他方式被留下之部位處液體限制結構12相對於基板W之移動期間，或在彼等位置處之後續移動時，可誘發且以其他方式控制傾斜(例如，如上文所描述)。液體限制結構之此傾斜可藉由縮減氣泡形成之機會來改良該情形。在可產生小滴之部位處使液體限制結構12傾斜可引起產生較少小滴。替代地或另外，可減低飛行高度以減低在基板W及/或基板台WT之頂部表面上所留下之小滴同延伸於基板W及/或基板台WT與液體限制結構12之間的彎液面進行潛在碰撞期間創製氣泡之機會。

另外，控制器50可能要求滿足另外條件，以便調整一或多個操作條件(例如，傾斜及/或飛行高度)(即使在基板邊緣附近發生成像或步進)。舉例而言，用於在成像期間調整操作條件之先決條件可為：成像「移動」係在基板上或離開基板或朝向基板W之X軸且不遠離基板W之X軸。此情形可為有利的，此係因為：相比於離開基板W之掃描或更靠近基板W之邊緣而移動，至基板W上或恰好在基板W上之掃描可傾向於引起更多缺陷。

以上描述提及「晶粒」。替代地，此描述可提及曝光場。曝光場可包括若干晶粒。一晶粒通常為一種消費型產品。

應瞭解，上文所描述之特徵中任一者可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所覆蓋的明確地描述之彼等組合。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之 揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。

當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之控制器可各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機 器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。

本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，尤其(但不獨佔式地)為上文所提及之彼等類型，且不管浸潤液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤系統中，液體供應系統可能不限制浸潤液體或其可能提供浸潤液體限制之比例，但不提供浸潤液體之實質上完全限制。

應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。開口可各自為進入浸潤空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或離開浸潤空間之出口(或進入流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、 量、品質、形狀、流率或任何其他特徵之一或多個元件。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

條項

1.一種浸潤微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以將浸潤液體供應及限制至界定於該投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一控制器，其用以取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向而調整在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度。

2.如條項1之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得該液體處置系統之一前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠離該基板及/或該基板台之該頂部表面。

3.如條項2之浸潤微影裝置，其中該角度係針對當該基板之一邊緣移動至該液體處置系統或自該液體處置系統下方移動時予以調整。

4.如條項2或3之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成 使得當該基板移動遠離該液體處置系統下方時，該液體處置系統之該前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠離該基板及/或該基板台之該頂部表面。

5.如條項2至4中任一項之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得當該基板移動至該液體處置系統下方時，該液體處置系統之該前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠離該基板及/或該基板台之該頂部表面。

6.如條項1之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得當該基板之一邊緣移動至該液體處置系統下方時，該液體處置系統之一前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更靠近該基板及/或該基板台之一頂部表面。

7.如條項6之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得當該液體處置系統變得位於該基板上方時，該液體處置系統之該前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更靠近該基板及/或該基板台之該頂部表面。

8.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中在該液體處置系統與該基板及/或該基板台之該頂部表面之間的一最小距離在該運動期間維持為實質上恆定。

9.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中該運動包含接連地成像至少兩個場列。

10.如條項9之浸潤微影裝置，其中該角度係藉由該液體處置系統圍繞平行於該等場列延伸之方向之一方向的旋轉而產生。

11.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中該角度 係取決於所成像之該場及/或哪些場在之間移動予以調整。

12.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中該角度係根據在該液體處置系統與該基板台之間的相對速度予以調整。

13.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中該角度在該位置係用於場之成像時增加，在該成像期間，在該液體處置系統與該基板之間的力變化高於某一量值。

14.如前述條項中任一項之浸潤微影裝置，其中旋轉軸線及/或旋轉角度量值係基於該位置及/或該方向予以判定。

15.如條項14之浸潤微影裝置，其中該/該等旋轉軸線及/或該(該等)旋轉角度量值係基於該基板之該邊緣之一部分相對於該投影系統之光軸的位置予以判定。

16.如條項14或15之浸潤微影裝置，其中該/該等旋轉軸線及/或該(該等)旋轉角度量值係基於該基板之該邊緣之一部分相對於該投影系統之該光軸的相對移動方向予以判定。

17.如條項15或16之浸潤微影裝置，其中該基板之該邊緣之該部分為最靠近該投影系統之該光軸的該基板之一邊緣。

18.如條項15至17中任一項之浸潤微影裝置，其中該/該等旋轉軸線及/或該(該等)旋轉角度量值之該判定取決於該基板之該邊緣之該部分之一切線的一屬性。

19.如條項18之浸潤微影裝置，其中該基板之該邊緣之該部分之該切線係在該基板之平面中、垂直於該光軸，或其兩者。

20.一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：使支撐一基板之一基板台相對於經組態以將一經圖案化輻射光束通過受到一液體處置系統限制之浸潤液體而投影至一基板上之一投影系統而移動；及取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向而調整在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度。

1‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

2‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

3‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

4‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

5‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

6‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

7‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

8‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

9‧‧‧片段(圖10)/區段(圖10)/場(圖14)

10‧‧‧場

11‧‧‧空間(圖5)/場(圖14)

12‧‧‧液體限制結構(圖5)/場(圖14)

13‧‧‧液體入口(圖5)/液體出口(圖5)/場(圖14)

14‧‧‧出口(圖5)/場(圖14)

15‧‧‧入口(圖5)/場(圖14)

16‧‧‧氣體密封件(圖5)/場(圖14)

17‧‧‧場

18‧‧‧場

19‧‧‧場

20‧‧‧基板台之對向邊緣(圖6)/場(圖14)

21‧‧‧場

22‧‧‧場

23‧‧‧場

24‧‧‧場

25‧‧‧場

26‧‧‧場

27‧‧‧場

28‧‧‧場

29‧‧‧場

30‧‧‧場

31‧‧‧場

32‧‧‧場

33‧‧‧場

34‧‧‧場

35‧‧‧場

36‧‧‧場

37‧‧‧場

38‧‧‧場

39‧‧‧場

40‧‧‧場

41‧‧‧場

42‧‧‧場

43‧‧‧場

44‧‧‧場

45‧‧‧場

46‧‧‧場

47‧‧‧場

48‧‧‧場

49‧‧‧場

50‧‧‧控制器(圖1)/場(圖14)

51‧‧‧場

52‧‧‧場

53‧‧‧場

54‧‧‧場

55‧‧‧場

56‧‧‧場

57‧‧‧場

58‧‧‧場

59‧‧‧場

60‧‧‧場

61‧‧‧場

62‧‧‧場

63‧‧‧場

64‧‧‧場

65‧‧‧場

66‧‧‧場

67‧‧‧場

68‧‧‧場

69‧‧‧場

70‧‧‧場

71‧‧‧場

72‧‧‧場

73‧‧‧場

74‧‧‧場

75‧‧‧場

76‧‧‧場

77‧‧‧場

78‧‧‧場

79‧‧‧場

80‧‧‧場

81‧‧‧場

82‧‧‧場

83‧‧‧場

84‧‧‧場

85‧‧‧場

86‧‧‧場

87‧‧‧場

88‧‧‧場

89‧‧‧場

90‧‧‧場

91‧‧‧場

92‧‧‧場

93‧‧‧場

94‧‧‧場

95‧‧‧場

96‧‧‧場

97‧‧‧場

98‧‧‧場

99‧‧‧場

100‧‧‧間隙開口(圖6)/場(圖14)

101‧‧‧場

102‧‧‧場

103‧‧‧場

104‧‧‧場

105‧‧‧場

106‧‧‧場

107‧‧‧場

108‧‧‧場

109‧‧‧場

110‧‧‧基板支撐件之周邊(圖6)/場(圖14)

111‧‧‧場

112‧‧‧場

113‧‧‧場

114‧‧‧場

115‧‧‧場

116‧‧‧場

117‧‧‧場

118‧‧‧場

119‧‧‧場

120‧‧‧下方開口(圖6)/場(圖14)

121‧‧‧場

122‧‧‧場

123‧‧‧場

124‧‧‧場

125‧‧‧場

126‧‧‧場

127‧‧‧場

128‧‧‧場

129‧‧‧場

130‧‧‧場

131‧‧‧場

132‧‧‧場

133‧‧‧場

134‧‧‧場

135‧‧‧場

136‧‧‧場

137‧‧‧場

138‧‧‧場

139‧‧‧場

140‧‧‧場

141‧‧‧場

142‧‧‧場

143‧‧‧場

144‧‧‧場

145‧‧‧場

146‧‧‧場

147‧‧‧場

148‧‧‧場

149‧‧‧場

150‧‧‧場

151‧‧‧場

152‧‧‧場

153‧‧‧場

154‧‧‧場

155‧‧‧場

156‧‧‧場

157‧‧‧場

158‧‧‧場

159‧‧‧場

160‧‧‧場

161‧‧‧場

162‧‧‧場

163‧‧‧場

164‧‧‧場

165‧‧‧場

166‧‧‧場

167‧‧‧場

168‧‧‧場

169‧‧‧場

170‧‧‧場

171‧‧‧場

172‧‧‧場

173‧‧‧場

174‧‧‧場

175‧‧‧場

176‧‧‧場

177‧‧‧場

178‧‧‧場

179‧‧‧場

180‧‧‧場

181‧‧‧場

182‧‧‧場

183‧‧‧場

184‧‧‧場

185‧‧‧場

186‧‧‧場

187‧‧‧場

188‧‧‧場

189‧‧‧場

190‧‧‧場

191‧‧‧場

192‧‧‧場

193‧‧‧場

200‧‧‧基板台相對於靜止液體限制結構之移動

220‧‧‧基板自液體限制結構下方之移動/方向

225‧‧‧軸線

230‧‧‧液體限制結構回至基板上之返回橫跨/方向

AD‧‧‧調整器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

G‧‧‧間隙

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

M₁ ‧‧‧圖案化器件對準標記

M₂ ‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P₁ ‧‧‧基板對準標記

P₂ ‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一***

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二***/定位系統

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖5描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖6以橫截面描繪基板及周圍基板台之邊緣；圖7說明在不使用本發明之一實施例作為基板之平面圖的情況下在z方向上之基板台伺服誤差之實驗結果(最淡陰影及最濃陰影說明最高伺服誤差)；圖8以橫截面說明在基板與基板台之間的間隙上方之流體處置系統；圖9說明用於變化在流體處置系統下方基板邊緣之向後 及向前移動期間之傾斜的不同選項；圖10說明針對用於變化傾斜之例示性規則集合的晶粒數目之定義；圖11說明使用本發明之一實施例的類似於圖7之結果的結果；圖12及圖13分別說明當不使用本發明之一實施例時及當使用本發明之一實施例時在z方向上之基板台伺服誤差之標準偏差之變化；圖14以平面圖說明基板，其中場中每一者經標註有一數字；圖15至圖17說明在使用及不使用本發明之一實施例的兩種情況下在z方向上之基板台伺服誤差之選定場之橫截面；圖18至圖20說明在使用及不使用本發明之一實施例的兩種情況下在z方向上之基板台伺服誤差之標準偏差之選定場的橫截面；圖21說明針對各種傾斜參數的在z方向上之基板台伺服誤差之最大值及基板之所有場在z方向上之伺服誤差之最大標準偏差；及圖22說明三個不同類型之晶粒。

50‧‧‧控制器

AD‧‧‧調整器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

C‧‧‧目標部分

CO‧‧‧聚光器

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

M₁ ‧‧‧圖案化器件對準標記

M₂ ‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P₁ ‧‧‧基板對準標記

P₂ ‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一***

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二***/定位系統

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

Claims (19)

1. 一種浸潤微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以將浸潤液體供應及限制(confine)至界定於該投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一控制器，其用以取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動(movement)方向，而在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動(motion)期間，調整該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度，其中該角度經調整成使得該液體處置系統之一前邊緣(leading edge)相比於該液體處置系統之一後邊緣(trailing edge)更遠離(further from)該基板及/或該基板台之該頂部表面。
2. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度係針對當該基板之一邊緣移動至該液體處置系統或自該液體處置系統下方移動時予以調整。
3. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得當該基板移動遠離該液體處置系統下方時，該液體處置系統之該前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠 離該基板及/或該基板台之該頂部表面。
4. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度經調整成使得當該基板移動至該液體處置系統下方時，該液體處置系統之該前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠離該基板及/或該基板台之該頂部表面。
5. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中在該液體處置系統與該基板及/或該基板台之該頂部表面之間的一最小距離在該運動期間維持為實質上恆定。
6. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該運動包含接連地成像至少兩個場列(rows of fields)。
7. 如請求項6之浸潤微影裝置，其中該角度係由該液體處置系統圍繞平行於該等場列的方向之一方向之旋轉而產生。
8. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度係取決於所成像之該場及/或哪些場在之間移動予以調整。
9. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度係根據在該液體處置系統與該基板台之間的相對速度予以調整。
10. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該角度在該位置係用於場之成像時增加，在該成像期間，在該液體處置系統與該基板之間的力變化高於某一量值。
11. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中一或多個旋轉軸線及/或旋轉角度量值係基於該位置及/或該方向予以判定。
12. 如請求項11之浸潤微影裝置，其中該或該等旋轉軸線及/或該或該等旋轉角度量值係基於該基板之該邊緣之一部 分相對於該投影系統之光軸的位置予以判定。
13. 如請求項11之浸潤微影裝置，其中該或該等旋轉軸線及/或該或該等旋轉角度量值係基於該基板之該邊緣之一部分相對於該投影系統之該光軸的相對移動方向予以判定。
14. 如請求項12之浸潤微影裝置，其中該基板的該邊緣之該部分係最接近該投影系統的該光軸之該基板的一邊緣。
15. 如請求項12之浸潤微影裝置，其中該或該等旋轉軸線及/或該或該等旋轉角度量值之判定係取決於該基板的該邊緣之該部分的一切線(tangent)之一屬性(property)。
16. 如請求項15之浸潤微影裝置，其中該基板的該邊緣之該部分的該切線係在該基板的平面中、垂直於該光軸或二者均是。
17. 一種浸潤微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以支撐一基板；一投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束引導至一基板上；一液體處置系統，其經組態以將浸潤液體供應及限制至界定於該投影系統與一基板或該基板台或其兩者之間的一空間；一控制器，其用以取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向，而在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間，調整 該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度，其中該角度經調整成使得當該基板之一邊緣移動至該液體處置系統下方時，該液體處置系統之一前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更靠近該基板及/或該基板台之一頂部表面。
18. 如請求項17之浸潤微影裝置，其中該角度經調整使得當該液體處置系統位於該基板之上方時，該液體處置系統的該前邊緣相比於該液體處置系統的該後邊緣更接近該基板及/或該基板台之該頂部表面。
19. 一種操作一微影裝置之方法，該方法包含：使支撐一基板之一基板台相對於一投影系統而移動，該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束通過受到一液體處置系統限制之浸潤液體而投影至一基板上；及取決於該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之一位置及/或在該基板及/或該基板台與該液體處置系統之間的一相對移動方向而調整，在該基板及/或該基板台相對於該液體處置系統之運動期間，該液體處置系統之一下部表面相對於該基板之頂部表面之一角度，其中該角度經調整成使得該液體處置系統之一前邊緣相比於該液體處置系統之一後邊緣更遠離該基板及/或該基板台之該頂部表面。