JP5313293B2 - リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造、およびデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板の上、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。生成されたパターンが、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）に転写される。パターンの転写は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層への結像によるものである。通常、１枚の基板には、順次パターニングされる、網状の隣接するターゲット部分が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャンニング」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。

[0003] 投影システムの最終エレメントと基板の間の空間を充填するために、リソグラフィ投影装置内の基板を屈折率が比較的大きい液体、例えば水に浸すことが提案されている。一実施形態では、この液体は、他の液体を使用することも可能であるが蒸留水である。本発明の一実施形態について、液体に関して説明する。しかしながら、他の液体も好適なものとすることができ、とりわけ湿潤流体、非圧縮性流体および／または屈折率が空気より大きい流体、望ましくは屈折率が水より大きい流体も好適なものとすることができる。ガスを除く流体はとりわけ望ましい。これの要点は、露光放射は液体中では波長がより短くなるため、より小さいフィーチャを結像させることができることである。（液体の効果は、システムの実効開口数（NA）を大きくすることであり、また、焦点深度を深くすることであると見なすことも可能である。）固体粒子（例えば石英）が懸濁した水、あるいは微小粒子（例えば最大寸法が１０ｎｍまでの粒子）が懸濁した液体を始めとする他の液浸液も提案されている。懸濁した粒子は、それらが懸濁している液体の屈折率と同様の屈折率または同じ屈折率を有していても、あるいは有していなくてもよい。好適なものとすることができる他の液体には、芳香族など炭化水素、フッ化炭化水素および／または水溶液が含まれている。

[0004] 基板または基板と基板テーブルの両方を液体に浸すことは（例えば米国特許第４５０９８５２号を参照されたい）、スキャン露光中に加速しなければならない大量の液体が存在していることを意味している。これは、追加の、またはより強力なモータを必要とすることになり、液体中のかく乱によって、望ましくない、予測不可能な影響がもたらされるおそれがある。

[0005] 提案されている他の構造には、閉じ込め液浸システムおよびオールウェット液浸システムが含まれる。閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して基板の局部領域、および投影システムの最終エレメントと基板の間にのみ液体を供給する（基板は、通常、投影システムの最終エレメントより広い表面積を有している）。このために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。

[0006] オールウェット液浸システムでは、ＰＣＴ特許出願ＷＯ２００５／０６４４０５号に開示されているように、液浸液は閉じ込められない。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。その場合、基板の上面全体がほぼ同じ条件に露光されるので有利になりうる。これには、温度制御および基板の処理の上で利点がありうる。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが、投影システムの最終エレメントと基板の間のギャップに液体を供給する。液体は、基板の残りの上に漏洩してもよい。基板テーブルの縁部にある障壁が、この液体が漏れ出ることを防ぎ、そのため、制御された方法で液体を基板テーブルの上面から除去できることになる。

[0007] 液浸システムは、流体ハンドリングシステムまたは装置とすることができる。液浸システムでは、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、構造体または装置によって取り扱われる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、したがって流体供給システムになりうる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、そのために流体閉じ込めシステムともいえる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体に対し障壁を設けることができ、そのために液体閉じ込め構造体などの障壁部材ともいえる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスの流れを生成または使用して、例えば、液浸流体の流れおよび／または位置を制御する際の助けとすることができる。ガスの流れで、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、したがって流体ハンドリング構造はシール部材と呼ぶことができ、このようなシール部材は流体閉じ込め構造体ともいえる。流体ハンドリングシステムは、投影システムと基板テーブルの間に置くことができる。一実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムとなりうる。上述の説明に関して、この段落で流体について定義される特徴への言及は、液体について定義される特徴を含むと理解されてよい。

[0008] 流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体では、液体は、ある空間、例えば閉じ込め構造体内に閉じ込められる。この空間は、閉じ込め構造体の本体、および下にある面（例えば、基板テーブル、基板テーブル上に支持された基板、シャッタ部材および／または測定テーブル）によって、また局部領域液浸システムの場合には、流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造体と下にある構造体すなわち液浸スペースとの間の液体メニスカスによって画定することができる。オールウェットシステムの場合には、液体は、液浸空間の中から外へ、基板および／または基板テーブルの上面へと流れることができる。

[0009] それぞれ参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願第ＵＳ２００４−０１３６４９４号に、ツインすなわちデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。液浸液がない第１の位置のテーブルを使用して水平測定が実行され、液浸液が存在している第２の位置のテーブルを使用して露光が実行される。別法としては、装置はテーブルを１つだけ有している。

[0010] 液浸リソグラフィ装置で基板を露光した後、基板テーブルは、その露光位置から、基板を取り外して別の基板と取り換えることができる位置まで移動する。これは、基板交換として知られている。２段階リソグラフィ装置、例えばＡＳＭＬの「Ｔｗｉｎｓｃａｎ」リソグラフィ装置では、基板テーブル交換は投影システムの下で行われる。

[0011] リソグラフィ装置では、基板が基板ホルダによって基板テーブルの上に支持される。基板ホルダは、基板テーブルの凹部内に置くことができる。凹部は、基板が基板ホルダによって支持されているときに、基板の上面が、基板を取り囲む基板テーブルの表面と概して同じ面内にあるように寸法設定することができる。基板の周りに、基板の縁部と基板テーブルの縁部の間のギャップがありうる。このようなギャップは、リソグラフィ装置の液浸システムでは望ましくないことがある。投影システムの最終エレメントと下にある面との間の空間内の液浸液の下でギャップが移動するとき、閉じ込め構造体と下にある面との間のメニスカスがギャップを横切る。ギャップを横切ることが、メニスカスの不安定性を増加させうる。メニスカスの安定性は、閉じ込め構造体と基板テーブルの間の相対速度、例えばスキャン速度またはステップ速度の増大に伴って低減しうる。次第に不安定性が増すメニスカスは、欠陥を増加させる危険要因になる。例えば、不安定なメニスカスにより、ガスが気泡として液浸液中に封入され、あるいは液浸空間から小滴が漏れ出ることになりうる。このような気泡は、空間内に吹い込まれ、イメージング欠陥をもたらすことがある。小滴は、汚染物質源になり、また蒸発するときには熱負荷になるとともに、後でメニスカスと衝突して、空間内に吹い込まれる気泡を生じさせることがある。

[0012] ギャップを横切ることについての１つまたは複数の問題は、二相抽出システムを設けることによって軽減することができる。二相抽出システムは、液浸液などの流体およびガス（液体中に気泡として存在しうる）をギャップから抽出する。気泡を空間中に放出することや、空間から小滴が漏れ出るなどの不具合の原因が、除去されないとしても低減される。しかし、このような抽出システムを設けることにより、基板テーブルおよび基板に熱負荷を与えることがある。このことが、基板上に形成されるパターンのオーバレイ精度に悪影響を及ぼしうる。ギャップは、信頼性の高い基板イメージングを実現するために使用できるスキャン速度を暗黙的に制限しうる。

[0013] したがって、例えば、メニスカスの安定性を増大させるとともに、例えば気泡を生成する可能性、または小滴を放出する可能性といった不具合を低減するシステムを提供することが望ましい。

[0014] 発明の一態様では、リソグラフィ装置が提供され、この装置は、
上面、および前記上面内の、基板を受け取り支持するように構成された凹部を有する基板テーブルと、
基板テーブルの上面および／または凹部内に置かれた基板に隣接する空間内に液浸流体を封じ込めるように構成された流体ハンドリング構造体と、
凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、使用時、上面から基板の上主面の周辺部まで基板を囲んで延在する平坦な本体を含むカバーと、
流体ハンドリング構造体に対し基板テーブルが移動する間に、カバーの縁部と、流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するように構成された液浸流体膜中断器であって、基板および／または基板テーブルの上面の反対側の流体ハンドリング構造体の表面に形成された複数の離散ガス噴射を備える液浸流体膜中断器とを備える。

[0015] 発明の一態様では、基板を受け取り支持するように構成された凹部が形成されているほぼ平坦な上面を有する基板テーブルと、凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、使用時、上面から基板の上主面の周辺部まで基板を囲んで延在するほぼ平坦な本体を備えたカバーとを含むリソグラフィ装置の流体ハンドリング構造体が提供され、この流体ハンドリング構造体は、流体ハンドリング構造体に対し基板テーブルが移動する間に、カバーの縁部と、流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するために、複数の対応する離散ガス噴射を与えるように構成された複数のアパーチャを備える。

[0016] 発明の一態様では、デバイス製造方法が提供され、この方法は、
上面、およびこの上面内の、基板を受け取り支持するように構成された凹部を有する基板テーブルに基板を供給する段階と、
凹部の縁部と基板の縁部との間のギャップを覆うために、平坦な本体を備えたカバーを、それが上面から基板の上主面の周辺部まで基板を囲んで延在するように設ける段階と、
投影システムの最終エレメントと基板および／または基板テーブルとの間の空間に、流体ハンドリング構造体を使用して液浸流体を供給する段階と、
流体ハンドリング構造体に対し基板テーブルが移動する間に、カバーの縁部と、流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するために、基板および／または基板テーブルの上面の反対側にある流体ハンドリング構造体の表面から複数の離散ガス噴射を与える段階とを含む。

[0017] 次に、本発明の諸実施形態を、ほんの一例として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して説明する。
[0018]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0019]リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体を示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造体を示す図である。 [0020]リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給システムを示す図である。 [0021]発明の一実施形態で液体供給システムとして使用することができる流体閉じ込め構造体の断面図である。 [0022]本発明の一態様による基板受け取り部分の平面図である。 [0023]本発明の一態様によるカバーを開位置で示す平面図である。 本発明の一態様によるカバーを閉位置で示す平面図である。 [0024]本発明の一態様によるカバーを閉位置で示す平面図である。 本発明の一態様によるカバーを開位置で示す平面図である。 [0025]本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを閉位置で示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを中間の位置で示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを開位置で示す断面図である。 [0026]本発明の一態様のアクチュエータシステムに使用できる移動ガイドの配置の断面図である。 本発明の一態様のアクチュエータシステムに使用できる移動ガイドの配置の断面図である。 [0027]本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを閉位置で示す図である。 本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを中間の位置で示す図である。 本発明の一態様によるカバーのアクチュエータシステムを開位置で示す図である。 [0028]本発明の一態様によるカバーの断面図である。 本発明の一態様によるカバーの断面図である。 [0029]本発明の一態様によるカバーの配置を示す断面図である。 [0030]本発明の一態様によるカバーの縁部の実現可能な構成を概略的に示す図である。 本発明の一態様によるカバーの縁部の実現可能な構成を概略的に示す図である。 本発明の一態様によるカバーの縁部の実現可能な構成を概略的に示す図である。 本発明の一態様によるカバーの縁部の実現可能な構成を概略的に示す図である。 [0031]本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様によるカバーの配置を概略的に示す断面図である。 [0032]使用時のカバーの配置を示す図である。 [0033]本発明の一態様による液浸流体膜中断器を含むシステムにおけるカバーの配置を示す図である。 [0034]本発明の一態様による液浸流体膜中断器を含むシステムにおけるカバーの配置を示す図である。 [0035]本発明の一態様による液浸流体膜中断器を含むシステムにおけるカバーの配置を示す図である。 [0036]図３６に示された配置の一部分をより詳細に示す図である。 [0037]図３６に示された配置の噴射ピッチと得られた小滴直径との関係を示す図である。 [0038]図３６に示された液浸流体膜中断器の配置を示す断面図である。 [0039]図３９に示された配置の一変形を示す図である。

[0040] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
[0041] 放射ビームＢ（例えばUV放射またはDUV放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0042] パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0043] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴであって、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0044] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えている。

[0045] この照明システムＩＬは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。

[0046] サポート構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされてよい。

[0047] 本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生み出すなどためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。

[0048] パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。

[0049] 本明細書に用いられる用語「投影システム」は、あらゆるタイプの投影システムを包含として広義に解釈されたい。投影システムのタイプには、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システム、あるいはそれらの任意の組合せが含まれうる。投影システムの選択または組合せは、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に見合ったものである。本明細書において「投影レンズ」の用語の使用があれば、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。

[0050] 本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でもよい。

[0051] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２以上のパターニングデバイステーブル）を有したタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、または１つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。

[0052] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置は、個別の構成要素とすることができる。このような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。それ以外の例えば放射源ＳＯが水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。

[0053] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータＩＬの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。このイルミネータＩＬを使用して放射ビームを、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように調整することができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えられることも考えられないこともある。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体型部品であることがあり、あるいはリソグラフィ装置とは別個のものであることもある。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬを装着できるように構成することができる。任意選択により、イルミネータＩＬは取外し可能で、別個に供給されてもよい（例えば、リソグラフィ装置製造業者または他の供給業者から）。

[0054] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通過した後、投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは、ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。

[0055] 図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。

[0056] ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0057] スキャンモードでは、サポート構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの幅を（非スキャン方向で）制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分Ｃの高さを（スキャン方向で）決定する。

[0058] 別のモードでは、サポート構造ＭＴは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0059] 前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も用いられてよい。

[0060] 投影システムＰＳの最終エレメントと基板の間に液体を供給する構成は、いわゆる局部液浸システムＩＨである。このシステムでは、液体が基板の局部領域にだけ供給される液体ハンドリングシステムが使用される。液体で充填される空間は、基板の上面よりも平面視で小さく、液体で充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。４つの異なるタイプの局部液体供給システムが図２〜５に示されている。

[0061] 図２および３に示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって、好ましくは基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って基板の上に供給される。液体は、投影システムの下方を通過した後、少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板がエレメントの下方でＸ方向にスキャンされる際に、エレメントの＋Ｘ側で液体が供給され、−Ｘ側で吸い取られる。図２は、入口を介して液体が供給され、低圧源に接続される出口によってエレメントのもう一方の側で吸い取られる構造を概略的に示したものである。図２の図解では、液体は、必ずしもその必要はないが、基板が最終エレメントに対して移動する方向に添って供給されている。最終エレメントの周りに配置される様々な配向および様々な数の入口および出口が可能であり、図３はその一例を示したもので、両側に出口を備えた４組の入口が最終エレメントの周りに規則的なパターンで提供されている。液体供給デバイスおよび液体回収デバイス内の矢印は、液体の流れの方向を示す。

[0062] 図４は、局部液体供給システムを備えた他の液浸リソグラフィ解決法を示したものである。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝入口によって供給され、入口の外側に半径方向に配置された複数の離散出口によって除去される。入口は、投射される投影ビームが通過する孔を中心部分に備えたプレートの中に配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方の側の１つの溝入口によって供給され、かつ、投影システムＰＳのもう一方の側の複数の離散出口によって除去され、したがって投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜が流れる。入口および出口のどの組合せを選択して使用するかは、基板Ｗが移動する方向によって決定することができる（入口および出口の他の組合せは使用されない）。図４の断面図で、矢印は、入口に入り出口から出る液体の流れの方向を示す。

[0063] 提案されている別の構成は、液体閉じ込め部材を有する液体供給システムを設けるものであり、この液体閉じ込め部材は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる。このような構成が図５に示されている。液体閉じ込め部材は、ＸＹ面では投影システムに対して実質的に固定されているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはいくらかの相対移動がありうる。液体閉じ込めと基板の表面の間にシールが形成される。一実施形態では、シールが液体閉じ込め構造体と基板の表面の間に形成され、これは、ガスシールなどの非接触シールとすることができる。このようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0064] 図５は、液体閉じ込め構造体１２を有する局部液体供給システムを概略的に示す。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部分に沿って延びる。（以下の文での基板Ｗの表面についての言及はまた、別に言明されない限り、基板テーブルＷＴの表面に加えて、またはそれに代えて言及することに留意されたい。）液体閉じ込め構造体１２は、ＸＹ面では投影システムＰＳに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはいくらかの相対移動がありうる。一実施形態では、シールが液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの表面の間に形成され、このシールは、流体シール、望ましくはガスシールなどの非接触シールとすることができる。

[0065] 液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の液浸空間１１内に、少なくとも部分的に液体を封じ込める。基板Ｗに対する非接触シール１６は、液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間１１の中に閉じ込められるように、投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。液浸空間１１は、投影システムＰＳの最終エレメントの下および周囲に配置された液体閉じ込め構造体１２によって少なくとも部分的に形成される。液体が、投影システムＰＳの下で液体閉じ込め構造体１２内部の空間１１の中に液体入口１３から入れられる。この液体は、液体出口１３から排除することができる。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの少し上に延びることができる。液体レベルは最終エレメントの上に上昇し、その結果、液体のバッファが形成されることになる。一実施形態では、液体閉じ込め構造体１２は、その上端で投影システムＰＳまたはその最終エレメントの形状とよく一致する内側周辺部を有し、これは例えば円形とすることができる。底部では、内側周辺部はイメージフィールドの形状、例えば長方形とよく一致するが、こうである必要はない。

[0066] 一実施形態では、液体は、使用中に流体閉じ込め構造体１２の底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって、液浸空間１１内に封じ込められる。シールなし（例えば、オールウェット実施形態において）、あるいは液体閉じ込め構造体１２の底面と、基板Ｗの表面、基板テーブルＷＴの表面、または両方の組合せの表面など、対向面との間の毛管力によって得られるシールであるような、他のタイプのシールも実現可能である。

[0067] ガスシール１６はガスによって、例えば空気または合成空気、ただし一実施形態ではＮ_２、あるいは他では不活性ガスによって形成される。ガスシール１６内のガスは圧力を受け、入口１５を経由して液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間のギャップに供給される。ガスは出口１４を経由して抽出される。ガス入口１５にかかる過圧力、出口１４の真空レベル、およびギャップの形状は、液体を閉じ込める高速ガス流が内向きにあるように構成される。液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗの間の液体にかかるガスの力で液体を液浸空間１１内に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝とすることができる。環状の溝は、連続していても断続していてもよい。ガスの流れは液体を空間１１内に封じ込めるのに効果的である。このようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

[0068] 他の構成も実現可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態で任意のタイプの局部液浸システムを使用することができる。

[0069] 局部液浸システムでは、液体閉じ込め構造体の一部と、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの表面など、下にある面との間にシールが形成される。このシールは、液体閉じ込め構造体と下にある面との間のメニスカスによって画定することができる。下にある面と液体閉じ込め構造体との間の相対移動により、ある限界速度を超えると、例えばメニスカスであるシールの破損につながる可能性がある。この限界速度を超えると、シールが破損して、液体が、例えば小滴の形で液体閉じ込め構造体から漏れ出る、あるいはガスが、すなわち気泡の形で液浸空間内の液浸液中に封入される可能性がありうる。

[0070] 小滴は欠陥の原因になることがある。小滴は、蒸発するときに、それが位置する表面に熱負荷をかけることがある。小滴は、それが蒸発した後に乾燥しみが残ることで、汚染の原因になることがある。小滴が、投影システムの下で移動する下にある面の上の経路にある場合、その小滴はメニスカスに接触する可能性がある。その結果起こるメニスカスと小滴との衝突により、液体中に気泡が形成されることがある。気泡は欠陥の原因になることがある。液浸液中の気泡は、投影システムと基板の間の空間に吸い込まれ、そこでイメージング投影ビームと干渉することがある。

[0071] 限界速度は、下にある面の特性によって決まりうる。閉じ込め構造体に対するギャップの限界速度は、基板などの比較的平坦な面の表面に対する限界速度よりも小さいことがある。底面の一部に対して最低限界速度を超えてスキャン速度を増大させると、スキャン速度は、より多くの底面に対して限界速度を超えることになる。この問題は、大きいスキャン速度でより顕著になることがある。しかし、スキャン速度の増大は、スループットが増大するので望ましい。

[0072] 図６は、基板Ｗを支持するために使用できる基板テーブルＷＴを平面図で示す。この基板テーブルは、ほぼ平坦な上面２１を有することができる。上面２１には、基板Ｗを受け取り支持するように構成された凹部２２がある。

[0073] この凹部には、基板サポートがあることがあり、これは凹部の表面であってよい。凹部２２の表面は、基板の下面を支持する複数の突起を含むことがある。凹部の表面は障壁を含むことがある。凹部の表面には、複数の開口を形成することができる。障壁は、突起を取り囲んで基板Ｗの下面の下に空間を画定する。開口は、減圧源に接続される。この開口の上に基板が置かれると、基板Ｗの下に空間が形成される。この空間は、減圧の作用によって排気される。この構成は、基板Ｗを基板テーブルＷＴに固定するのに使用することができる。

[0074] 一構成では、凹部は、基板の主面すなわち上面および下面が、基板テーブルの上面２１とほぼ平行になるように構成することができる。一構成では、基板Ｗの上面は、基板テーブルの上面２１とほぼ同一平面にあるように配置することができる。

[0075] 本出願では、上および下などの語は、説明されるシステム内のコンポーネントの相対位置を定義するために用いられることがあることを理解されたい。しかし、これらの語は便宜上、装置が特定の向きで使用される場合にコンポーネントの相対位置を示すために使用される。これらの語は、装置を使用することができる向きを指定するものではない。

[0076] 図６に示されるように、ギャップ２３が基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間に存在することがある。本発明の一態様によれば、基板Ｗを囲んで延びるカバー２５が設けられる。カバー２５は、基板Ｗの上面の周辺部（一実施形態では、基板の縁部でありうる）から基板テーブルＷＴの上面２１まで延びる。カバー２５は、基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間のギャップ２３を完全に覆うことができる。加えて、カバー２５の開放中央部２６は、カバーの内側縁部によって画定することができる。開放中央部２６は、パターン付き放射ビームを投影することになっている基板Ｗの一部分を、使用時にカバー２５が覆わないように構成することができる。カバーの内側縁部は、パターン付き投影ビームによって結像される基板表面に隣接する基板の一部分を覆うことができる。このカバーは、パターン付き投影ビームによって露光される基板の部分から離して置かれる。

[0077] 図６に示されるように、カバー２５が基板Ｗ上に配置される場合、開放中央部２６のサイズは、基板Ｗの上面のサイズよりもわずかに小さくすることができる。図６に示されるように、基板Ｗが円形である場合、カバー２５は、平面視で概して環状にすることができる。

[0078] カバー２５は、薄いカバープレートの形状とすることができる。このカバープレートは、例えば、ステンレス鋼から形成することができる。他の材料を使用することもできる。カバープレートは、Ｐｌａｓｍａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＧｍｂＨから提供されるタイプのＬｉｐｏｃｅｒコーティングで被覆することができる。Ｌｉｐｏｃｅｒは、疎液性（例えば疎水性）にできるコーティングであり、放射および液浸液（腐食性が強いことがある）にさらされることによる損傷に対し比較的耐性がある。Ｌｉｐｏｃｅｒに関するより多くの情報は、参照によりその全体を本明細書に組み込む、２００８年２月６日出願の米国特許出願第１２／３６７，０００号に見出すことができる。

[0079] 図２１に概略的に示されているように、Ｌｉｐｏｃｅｒの層などの疎液性コーティング１４１を、使用時に基板Ｗの上面の周辺部から基板テーブルＷＴの上面２１まで延在できるカバー２５の下面２５ａ、すなわち表面に塗布することができる。このようなコーティング１４１を下面２５ａに施すと、カバー２５の下の液浸液の漏洩を最小化または低減することができる。例えば、コーティング１４１は、カバー２５と基板Ｗの上面との間の液浸液の漏洩を低減することができる。このような液浸液漏洩の最小化または低減により、次には液浸液が基板Ｗの下側まで進む可能性を低減することができる。これにより、いわゆる裏面汚染の結果として生じることがある欠陥を低減することができる。液浸液漏洩を最小化または低減することで、基板Ｗ上の熱負荷を低減することができる。

[0080] カバー２５の下面２５ａのコーティング１４１は、粘着防止層になるように選択することができる。言い換えると、コーティング１４１は、カバー２５が基板Ｗの上面および／または基板テーブルＷＴの上面２１に粘着することを防止、最小化、または低減するように選択することができる。これにより、カバー２５が基板Ｗおよび基板テーブルＷＴから取り外されるときに、カバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴが損傷することを防止または低減することができる。

[0081] カバー２５の下面２５ａ上に疎液性および／または粘着防止のコーティング１４１を使用すると、カバー２５の下面に汚染粒子が蓄積することを防止または低減することができる。このような汚染粒子は、カバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴのいずれかの損傷を招き、あるいは、その後の基板Ｗ上の欠陥の原因となる可能性がある。あるいは、または加えて、このようの汚染粒子は、カバー２５と基板Ｗの上面および／または基板テーブルＷＴの上面２１との間に十分なシールが形成されることを妨げ、その結果、液浸液の望ましくない漏洩を招くことになる可能性がある。したがって、このような汚染粒子が蓄積することを防止することが望ましくなりうる。

[0082] カバー２５の下面２５ａ、および／またはカバー２５の下面２５ａに塗布されるコーティング１４１の下面１４１ａは、表面粗さが小さくなるように構成することができる。例えば、スプレーコーティングでは、表面粗さＲ_Ａを１μｍ未満にすることができる。堆積コーティングでは、表面粗さＲ_Ａを２００ｎｍ未満にすることができる。一般に、カバーの下面２５ａの表面粗さ、および／またはカバー２５の下面２５ａに塗布されるコーティング１４１の下面１４１ａの表面粗さを低減すると、基板Ｗの表面の応力集中を低減することができる。使用時に基板と接触するカバー２５の部分の表面粗さＲ_Ａは望ましくは、２００ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、または１０ｎｍ未満にすることができる。

[0083] カバー２５の下面２５ａの表面粗さ、および／またはカバー２５の下面２５ａに塗布されるコーティング１４１の下面１４１ａの表面粗さが確実に小さくなることはまた、カバー２５の下の液浸液の漏洩を低減または最小化する助けにもなりうる。カバー２５は、カバー２５の下面２５ａの平坦度、および／またはカバー２５の下面２５ａに塗布されるコーティング１４１の下面１４１ａの平坦度が最大になるように構成することができる。これにより、カバー２５と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間に最適化された接触が得られ、それによって液浸液漏洩が低減または最小化される。

[0084] 図２１に概略的に示されているように、コーティング１４２をカバー２５の上面２５ｂに代替として、または追加して設けることができる。カバー２５の上面２５ｂ、またはカバーの上面２５ｂのコーティング１４２の上面１４２ｂは、平滑性が得られるように選択することができる。これにより、メニスカスに穴があく可能性を低減することができる。例えば、カバー２５の上面２５ｂ、またはカバーの上面２５ｂのコーティング１４２の上面１４２ｂは、表面の山から谷の距離が１０μｍ未満、望ましくは５μｍ未満になるように平滑にすることができる。

[0085] カバー２５の上面２５ｂのコーティング１４２は、放射および液浸液にさらされることによる損傷に耐性を持つように選択することができる。これは、カバーの動作寿命が、リソグラフィ装置の故障時間を含めて、カバー２５の交換に関連する不要なコストを防ぐのに十分なだけ確実に長くなる助けになりうる。カバー２５の上面２５ｂのコーティング１４２は、上で論じたように、疎液性になるように選択することができる。このようなコーティングでは、液浸液に対してより大きい後退接触角を得ることができる。これにより次に、例えば、上で論じたようにメニスカスからの液浸液の喪失を伴わずに、より大きいスキャン速度を用いることが可能になりうる。上記のように、カバー２５の上面２５ｂのコーティング１４２は、Ｌｉｐｏｃｅｒから形成することができる。

[0086] カバー２５の下面２５ａおよび上面２５ｂのコーティング１４１、１４２は、単層の材料から形成できることを理解されたい。あるいは、コーティング１４１、１４２の一方または両方を複数の層から形成することもできる。例えば、各層を異なる材料から形成し、それによってコーティング１４１、１４２に異なる利益をもたらすことができる。カバー２５の下面２５ａおよび上面２５ｂのコーティング１４１、１４２は、互いに同じでも異なってもよいこともまた理解されたい。

[0087] カバープレートは、例えば、厚さ２５μｍとすることができる。例えば１つまたは複数の縁部で、局部的に厚さが低減するようにエッチングすることができる。局部的に低減した領域では、厚さが１０μｍになりうる。一部のカバーの厚さは、レーザアブレーション、ミリング、研磨など他の処理によって低減することもできる。

[0088] 図２１に示されるように、カバー２５の縁部２５ｃ、２５ｄ、すなわちカバー２５の下面２５ａと上面２５ｂを分けている縁部は、カバー２５の下面２５ａおよび上面２５ｂに対してほぼ直角にすることができる。このような構成は、製造するのに比較的簡単なことがある。

[0089] しかし、図２１に示された構成では、カバー２５の縁部２５ｃ、２５ｄは、基板Ｗの表面および基板テーブルＷＴの上面２１の上に段差を形成しうる。このような段差は望ましくないことがある。特に、上で論じたように、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造体に対して移動する場合、液体閉じ込め構造体と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間の液体メニスカスによって形成されたシールが破壊しないことを保証するように注意を払わなければならない。表面に段差が生じると、液体閉じ込め構造体および／または基板Ｗ／基板テーブルＷＴの、例えばメニスカスであるシールを破壊せずに移動できる限界速度が、液体閉じ込め構造体と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴとの間で低減することがある。

[0090] カバー２５の１つまたは複数の縁部２５ｃ、２５ｄは、段差が低減するように構成することができる。例えば、上で論じたようにカバーの厚さは、１つまたは複数の縁部で局部的に低減することができる。例えば、カバーの１つまたは複数の縁部２５ｃ、２５ｄは、図２２〜２５のいずれかの図に概略的に示された断面を有するように構成することができる。

[0091] 図２２に示されているように、カバー２５の縁部は、カバー２５が先端に向かって先細りになっている部分１４３を有するように構成することができる。したがって、このようなカバーには段差がない。しかし、このカバー２５が極端な縁部であると損傷を受けやすくなることがある。

[0092] 一代替構成では、図２３に示されるように、カバー２５は縁部１４５を有することができ、この縁部は、カバー２５の厚さよりも小さい段差１４６と、段差１４６と最大厚さを有するカバー２５の本体との間の先細り部分とを含む。例えば、カバー２５の本体は厚さ２５μｍとし、段差１４６は厚さ１０μｍとすることができる。このような構成では、直角縁部２５ｃ、２５ｄを有するカバーよりも段差が小さいが、図２２に示された構成より縁部損傷を受けにくいといえる。

[0093] 図２２および図２３に示されているように、カバー２５の縁部の先細り部分１４３、１４５は、縁部からの距離に対して厚さが直線的に増加するように構成することができる。しかし、これは絶対に必要なことではない。図２２および図２３にそれぞれ対応する図２４および図２５に示されているように、先細り部分１４７、１４８は、そうしないで湾曲させることもできる。こうすると、例えば、カバー２５の先細り部分と残りの間、または先細り部分とカバー２５の縁部の低減された段差との間に鋭い角部が形成されることを回避することができる。このような鋭い角部は、液体閉じ込め構造体と下にある面との間の、例えばメニスカスであるシールの不安定性の原因になりうる。したがって、このような鋭い角部を回避すると、小滴がメニスカスから失われる可能性が低減し、それによって、上で論じた起こりうる欠陥を低減することができる。

[0094] 図２２〜２５に示されているように、カバー２５の下方の角部、すなわち、使用時に基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの上面と接触しうる角部は、比較的鋭い角部にすることができる。こうすることにより、カバー２５と基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの間に比較的良好なシールを実現することができる。しかし、そうしないで下方の角部を湾曲させることが可能なことを理解されたい。これにより、基板Ｗの損傷の可能性を低減することができる。

[0095] 一般に、鋭い角部をカバー上で避けることにより、必要に応じてカバー２５にコーティングを施すことが容易になりうる。

[0096] 図２２〜２５は、先細り部分および／または丸みのある部分を伴うカバー２５の１つの縁部を示すが、カバー２５の１つまたは複数の縁部が先細りにされ、および／または、１つまたは複数の上で論じた丸みのある角部を有することが可能なことを理解されたい。さらに、カバー２５の各縁部は、先細り部分および／または丸みのある部分それぞれの異なる構成を有することができる。

[0097] カバー２５の縁部２５ｃ、２５ｄの一方または両方の構成の選択に影響を及ぼしうる別の問題は、液体閉じ込め構造体１２がカバー２５を横切る場合の液浸液の挙動である。この挙動はまた、液体閉じ込め構造体１２の構成、ならびに基板テーブルＷＴおよびカバー２５に使用される１つまたは複数の材料によっても影響を受けることがある。

[0098] 例えば、ガスナイフならびに疎液性（例えば疎水性）の基板テーブルＷＴおよびカバー２５を含まない液体閉じ込め構造体を使用する場合、液膜引張りが存在することがある。液膜引張りはまた、他の構成で起こることもある。液膜引張りは、基板上で液体喪失につながることがあり、これは望ましくない。特に、このような失われた小滴はその後に、液体閉じ込め構造体１２と基板テーブルＷＴの間のさらなる相対移動中にメニスカスと衝突することがある。このような衝突の結果、液浸液中に気泡が形成されることになりうる。

[0099] 液膜引張りは、メニスカスの下でカバー２５の縁部の移動によって（またはその逆によって）引き起こされることがある。メニスカスが９０°の高さ段差を越えるとき、メニスカス速度はそのステップ中、無限大でなければならない。このような段差は、図２１に示されたようなカバー２５の直角の縁部２５ｃ、２５ｄで生じる。無限大のメニスカス速度は実際にはありえず、したがってメニスカスは引き伸ばされ、その結果、図３３に示された液膜引張りが生じる。その後、液膜２０１が***し、その結果、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴ上で液体喪失が生じる。

[00100] 液膜引張りは、例えば図２２に示されたような先細りの縁部を使用することによって低減することができる。しかし、液膜は、直角縁部の場合よりも早く穴を塞がれるが、それでもなお液膜が引っ張られることがある。したがって、基板および／または基板テーブル上の液体喪失は低減できるが、依然として望ましいレベルを上回ったままになりうる。これは、カバー２５の縁部に無限に鋭い先端部を形成することが不可能であるためといえる。したがって、カバー２５の縁部の先端に、実質的に直角である小さな縁部が残りうる。

[00101] 一実施形態では、液浸液膜中断器が、液膜の速い***を促進するために設けられる。こうすると、液体喪失を低減することができる。

[00102] 一実施形態では、液浸液膜中断器は、カバー２５の上面および／または縁部に付けることができる１つまたは複数の構造体を含む。この構造体は、膜を不安定にして膜***を生じさせる。このような表面断面は、上述の直角の縁部、または先細りの縁部の任意の構成を有するカバー２５と組み合わせることができる。

[00103] カバー２５の上面および／または縁部に付けられる構造体は、表面の複数の局部変形物からなる任意の種類の形にすることができる。例えば、***部および／または溝などの細長いフィーチャを与えることができる。このような***部および／または溝の断面は、任意の適切な形状とすることができる。あるいは、または加えて、突起および／またはくぼみなどの比較的短いフィーチャを与えることもできる。このような突起および／またはくぼみは、任意の適切な形状を有することができる。

[00104] 図３４は、複数の***部２０２がカバー２５の上面に設けられている一実施形態を示す。図示のように、このような構成は液膜２０３の***を促進する。このような構成で、メニスカスに穴があく可能性を低減することができる。

[00105] 図３５は、複数の溝２０４がカバー２５の縁部に設けられている一実施形態を示す。図示のように、このような構成は液膜２０４の***を促進する。このような構成で、メニスカスに穴があく可能性を低減することができる。

[00106] 図３６およびより詳細に図３７に示された一実施形態で、液浸液膜中断器は、液体閉じ込め構造体１２によって供給される複数の離散ガス噴射２１０を含む。ガス噴射２１０は、液膜が形成し始めるときに液膜の上に向けられて、膜２１２が速く***することを促進する。このような構成で、メニスカスに穴があく可能性を低減することができる。

[00107] ガス噴射２１０は、例えば、液体閉じ込め構造体１２の表面に形成されてガス供給源に接続されたアパーチャ２１３の列によって形成することができる。アパーチャは、開口２１１のラインの外側に設けることができ、開口２１１は、液体閉じ込め構造体の表面に形成され、液浸液を封じ込めるために液浸液を取り出すのに使用される。言い換えると、ガス噴射２１０を形成するアパーチャ２１３は、開口２１１のラインの、液浸液が封じ込められる空間に対し反対側にあるといえる。例えば、アパーチャ２１３の列は、液浸液を取り出すために使用される開口２１１のラインにほぼ平行なラインとして設けることができる。

[00108] 例えば図３７に示されているように、等しい数のアパーチャ２１３および開口２１１を開口２１１のラインの所与の部分に設けることができるが、必ずしもこうでなくてもよい。開口２１１の適切な離隔を決定する要素は一般に、各アパーチャ２１３間の適切な離隔を決定する要素とは異なることになり、その結果、開口２１１の数とアパーチャ２１３の数に相違が生じる。

[00109] 加えて、図３６は、液体閉じ込め構造体１２が平面視で概して正方形の一構成を示すが、こうである必要はない。さらに、図３６に示されているように、開口２１１のラインは、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴ（したがって、基板Ｗおよびカバー２５）のスキャン方向に並行または直角にすることができるが、こうである必要はない。例えば、開口２１１のラインのそれぞれは、スキャン方向に４５度の角度、または任意の望ましい角度に配列することができる。さらに、図３６に示されているように、開口２１１のラインは直線にすることができるが、こうである必要はないことを理解されたい。したがって、例えば、開口２１１によって境界が定められている液体閉じ込め構造体１２の領域は、開口２１１の複数の凹形のラインによって境界を定めることもできる。

[00110] 一実施形態では、アパーチャ２１３の列は、開口２１１のラインの形状に整合する形状で設けることができる。しかし、こうである必要はなく、開口２１１のラインがアパーチャ２１３のラインとは異なる形状を画定することが望ましいこともある。特に、開口２１１のラインによって境界が定められた空間の角部では、開口２１１の配置と異なるアパーチャ２１３の配置が行われることがある。

[00111] 図３６および図３７に示された構成は、液体閉じ込め構造体１２の縁部で液浸液を取り出すシステムを、複数の離散開口２１１であるとして示すが、一実施形態では、異なる液体取出し構成にすることができる。例えば、開口２１１のラインの代わりに、１つの連続する開口を設けることができる。さらに、１つの連続する開口を設けることもでき、液浸液と接触するその開口面は、多孔質材料などのマイクロふるいによって覆われている。

[00112] 例えばガスナイフではなく、複数の離散ガス噴射２１０を使用する利点は、液滴がガス噴射２１０と開口２１１のラインの間に集まることがないことである。このような領域に液滴が集まると、液体閉じ込め構造体に対して基板テーブルＷＴが移動する間に問題となりうる。例えば、移動中にこのような領域に集まった液滴は、結合して大きな滴を形成しうる。このような大きな滴は、例えば、液体閉じ込め構造体１２に対する基板テーブルＷＴの移動の方向が逆転したときに、例えばメニスカスと衝突する可能性がある。メニスカスと滴のこのような衝突の結果、液浸液中に気泡が形成されることになり、その結果イメージ欠陥を生じることがある。

[00113] 上で説明したように、複数の離散ガス噴射２１０を供給することにより、膜２１２を複数の比較的小さな滴に***させることができる。この小滴は、メニスカスと衝突したときに気泡を生じないように十分に小さくすることができる。液浸液の膜は、カバー２５が相対移動して液体閉じ込め構造体１２と、液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗ、カバー２５および基板テーブルＷＴの上部の間に形成されたメニスカスとから離れるにつれ、カバー２５の縁部から引き出されることを理解されたい。

[00114] 膜に含まれる液体は、膜の厚さに比例する体積を有する。この体積はまた、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの表面上方の液体閉じ込め構造体１２の「飛行」高さ、ならびに液体閉じ込め構造体１２に対する基板および／または基板テーブルＷＴの相対速度を含む様々なパラメータによって決まりうる。膜厚は、液体閉じ込め構造体１２内の１つまたは複数の流量など、液体閉じ込め構造体１２の様々な設定値によって決まりうる。一例では、膜厚は約１０μｍ〜３０μｍになりうる。

[00115] 液体の膜２１２は次に、ガス噴射２１０によって細流２１４に***させることができる。例えば、細流２１４は、隣り合うアパーチャ２１３に対応する隣り合うガス噴射２１０の間に形成することができる。図３７に示されているように、細流２１４は、その後に***して離散小滴を形成する。

[00116] 理解されるように、細流２１４の幅は、各細流に対応する膜２１２の体積と関係がある。次にまたこれは、上で論じたように、膜の厚さとガス噴射２１０のピッチ、すなわち隣り合うアパーチャ２１３の中心間の離隔距離に依存する。

[00117] 次に、結果として生じる小滴２１５のサイズは、細流２１４の幅に依存する。したがって、小滴のサイズは、細流２１４の幅を最小限にすることによって最小にすることができ、細流２１４は、所与の膜厚に対して、ガス噴射２１０のピッチ、すなわち隣り合うアパーチャ２１３の中心間の離隔距離を最小限にすることによって最小にすることができる。

[00118] 図３８は、異なる膜厚に対する噴射ピッチと小滴直径の間の関係の理論的分析結果を、２つの実験の結果と共に示す。垂直軸は小滴直径をμｍ単位で表し、水平軸は噴射ピッチをμｍ単位で表す。２つの実験結果は大きい正方形で示され、厚さが１０μｍの膜の分析結果は小さいダイヤモンド形マーカで示され、厚さが２０μｍの膜の分析結果は小さい正方形マーカで示され、厚さが３０μｍの膜の分析結果は小さい三角形マーカで示されている。これは、噴射ピッチを最小限にすることが望ましいことを裏付けるものである。

[00119] しかし、機械加工できる最小サイズまで噴射ピッチを簡単に最小化することはできない。これは、ガス噴射２１０が離散ガス噴射としてとどまり、したがって液膜２１２を確実に***できることが望ましいからである。

[00120] ガス噴射ピッチが減少するにつれ、ガス噴射２１０が結合し、実質的にガスナイフを形成する傾向が増大する。使用可能な最小ガス噴射ピッチ、すなわちガス噴射２１０が液膜２１２を***できるのに十分なだけ離散したままであるガス噴射ピッチは、液体閉じ込め構造体１２の「飛行」高さ、アパーチャ２１３の直径、およびガス噴射２１０の速度によって決まりうる。特に、「飛行」高さとアパーチャ直径の比は、重要な要素になりうる。

[00121] 「飛行」高さがアパーチャ２１３の直径に対して増すにつれ、所与のガス噴射ピッチで各ガス噴射２１０が結合する傾向が大きくなる。「飛行」高さがアパーチャ２１３の直径の１．５〜２倍である一構成では、ガス噴射は、ガス噴射ピッチとアパーチャ２１３の直径の比が約１．５である場合に、液膜２１２を***させる働きをするのに十分なだけ離隔したままとなりうる。

[00122] 例えば、隣り合うアパーチャの各中心は、約１００μｍ〜１ｍｍの範囲内、例えば約７５０μｍとすることができる。アパーチャ２１３の直径は、例えば約５０μｍ〜１５０μｍの範囲内、例えば１００μｍとすることができる。

[00123] 上記のように、ガス噴射２１０中のガス流の速度は、液膜２１２を***させる際のガス噴射の働きに影響を及ぼしうる。ガス噴射２１０が結合することのない使用できるガス噴射ピッチに影響を及ぼすことに加えて、ガス噴射中のガス流の速度はまた、結果として生じる小滴のサイズにも直接影響を及ぼしうる。

[00124] 一実施形態では、ガス速度は約Ｍａ０．３〜Ｍａ０．６、例えば約Ｍａ０．５とすることができる。

[00125] 上で論じたように、ガス噴射２１０は、それが結合してガスナイフを形成しないように構成することが望ましいことがあるが、加えてガスナイフを形成することが望ましいこともある。一実施形態では、例えば、アパーチャ２１３のラインと平行なラインに沿って、アパーチャ２１３のラインの、開口２１１のラインから反対側にガスナイフを形成することができる。

[00126] 一実施形態では、液体閉じ込め構造体の表面に形成されて液浸液を取り出すのに使用される開口２１１のラインと、ガス噴射２１０を形成するアパーチャ２１３のラインとの間の離隔距離は、例えば約０．５ｍｍ〜３ｍｍ、例えば約１．５ｍｍとすることができる。

[00127] 図３９は、アパーチャ２１３の列から供給される複数のガス噴射２１０の断面を概略的に示す。図示のように、各アパーチャ２１３は、ガス源を含むガス供給源２２１にガス導管２２０によって接続することができる。ガス源は、例えば、清浄空気または窒素を供給することができる。

[00128] ガス源は、例えばコントローラ２２２によって制御することができる。コントローラ２２２は、ガス供給源２２１を用いることによって、それぞれのアパーチャ２１３へのガス流を制御することができる。コントローラ２２２を使用して、必要なときだけガス噴射２１０をオンにすることができる。例えば、リソグラフィ装置の通常使用中、ガス噴射２１０は形成されないことがあるが、液体引張りが発生する可能性がある、液体閉じ込め構造体１２がカバー２５を横切るときに、ガス噴射２１０が形成される。あるいは、または加えて、例えば、コントローラ２２２は、１つまたは複数の適切な制御バルブおよび／またはガス源の制御手段を用いることによって、ガス噴射２１０のガス速度を制御することもできる。

[00129] さらに、コントローラ２２２は、１つまたは複数の適切な制御バルブおよび／またはガス源の適切な制御手段を用いることによって、ガス噴射２１０を形成するのに使用されるべき１つまたは複数のアパーチャ２１３を選択することもできる。したがって、例えば、使用中に、ガス噴射２１０は、１組のアパーチャ２１３によって供給され、第２の組のアパーチャによっては供給されないことがある。例えば、液体閉じ込め構造体１２がカバー２５を横切るとき、液体閉じ込め構造体１２の一方の側のアパーチャ２１３だけを使用してガス噴射２１０を形成することがある。

[00130] 図４０は、図３９に示された実施形態の変形形態を示す。その相違についてのみ論じる。図示のように、図４０に示された実施形態は複数の開口２３０を含み、それぞれがアパーチャ２１３の隣り合う対の間に設けられている。開口２３０は、適切なガス導管２３１によって減圧源２３２に接続することができる。この減圧源は、図示のコントローラ２２２によって制御することができ、あるいは別のコントローラを備えることができる。

[00131] 減圧源２３２は、隣り合うアパーチャ２１３がガス噴射２１０を形成するために使用されているときに、開口２３０を通して抽気を行うように制御することができる。このような構成にすると、ガス噴射２１０が結合する可能性を増大させることなくガス噴射ピッチを低減することが可能になる。

[00132] 一実施形態では、カバー２５の上面２５ｂ、またはカバー２５の上面２５ｂにあるコーティング１４２の上面１４２ｂは、可能な限り平坦になるように構成することができる。こうすると、上で論じたメニスカスのいかなる不安定性もさらに低減し、それによって、上で論じたようなメニスカスから小滴が失われ、その後に欠陥が生じる可能性を低減することができる。

[00133] 一実施形態では、カバーは基板テーブルの一部とすることができる。少なくとも閉位置と開位置の間でカバーを移動させるようにアクチュエータシステムを設けることができる。閉位置でカバー２５は、凹部２２の中で基板Ｗの上面と接触することができる。閉位置でカバー２５は、基板テーブルＷＴの上面２１と接触することができる。閉位置でカバー２５は、基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間のギャップ２３を覆うことができる。

[00134] カバー２５は、空間内の液浸液に対して、ギャップが液浸空間１１の下を通るときにギャップが閉じられるように構成することができる。ギャップを閉じることによって、ギャップを横切る際のメニスカスの安定性を改善することができる。一実施形態では、カバーは、凹部２２内の基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１の一方または両方と共にシールを形成する。基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１の両方と共にシールを形成するカバー２５は、液浸液がギャップ２３に進入するのを防ぐことができる。カバーは、ギャップ２３への液浸液の流入を低減することができる。カバーは、ギャップが空間１１の下を通る結果として空間１１に入る気泡の流れを防止できないとしても、低減する助けになりうる。

[00135] 開位置では、カバー２５は、凹部２２の表面に対する閉位置でその場所から離して移動させることができる。基板が凹部２２の表面によって支持されているとき、カバー２５は、基板Ｗから離れた状態になりうる。開位置は、カバー２５が開位置にあるとき、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り外せるように配置することができる。基板Ｗが凹部２２内に存在しない場合、基板Ｗを基板テーブルＷＴの上に装填することができる。

[00136] 一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５を閉位置から開位置に移動させることで、図８に示されるようにカバー２５の開放中央部２６を大きくするように構成することができる。このような方法では、カバー２５の開放中央部２６は、開放中央部２６が開位置で基板Ｗの上面よりも大きくなるのに十分な大きさにすることができる。カバー２５の開放中央部２６は、基板Ｗがカバー２５の開放中央部２６を通り抜けるのに十分な大きさにすることができる。

[00137] 一実施形態では、カバー２５を開位置まで移動し、基板Ｗをカバー２５の中央開放部２６に通すことによって、基板Ｗを基板テーブルの上に装填し、または取り外すことができる。基板Ｗを基板テーブルＷＴに装填する場合は、基板Ｗをカバー２５の開放中央部２６に通した後、基板テーブルＷＴの凹部２２に基板Ｗを受け入れることができる。その後、カバー２５は、アクチュエータシステムによって閉位置まで移動させることができ、その位置で、基板Ｗの縁部と、基板Ｗが支持されている凹部２２の縁部との間のギャップ２３を覆う。

[00138] アクチュエータシステムは、カバー２５を開位置まで移動させる際に、カバー２５の複数の部分が互いに異なるそれぞれの方向に移動するように構成することができる。この構成は、開位置まで移動させることでカバー２５の開放中央部２６を大きくするのに用いることができる。

[00139] 一実施形態では、アクチュエータシステムは、カバー２５の少なくとも一部を弾性変形させるように構成することができる。例えば、アクチュエータシステムは、開放中央部２６を大きくするためにアクチュエータシステムがカバー２５の複数の部分をそれぞれ別々の方向に移動させるときに、カバー２５の少なくとも一部を弾性変形させることができる。

[00140] 図７および図８は、本発明の一実施形態による、それぞれ閉位置および開位置にあるカバー２５を平面視で示す。図示のように、カバー２５は、平面視の形状が概して環状になりうる。カバー２５の、例えば円周である内側周辺部３１は、カバー２５が閉位置にあるときのカバー２５の開放中央部２６を画定することができる。形状が概して環状のカバー２５の切れ目は、カバー２５の、例えば円周である内側周辺部３１と、例えば円周である外側周辺部３２との間に設けることができる。

[00141] 図７および図８に示されたような構成では、カバー２５は、アクチュエータシステムによってそれぞれ別々の方向にそれぞれが移動可能である複数の部分３５を有する。複数の部分３５を移動させると、カバー２５の開放中央部２６を大きくも小さくもすることができる。複数の部分は、組み合わさって単一の一体形カバーを形成することができる。しかし、図８に示されるように、カバー２５の例えば円周である周辺部を横切る切れ目３０が設けられると、中央開放部２６を大きくするようにカバー２５を弾性変形させることが容易になりうる。

[00143] 図７および図８の構成は、カバー２５の内側周辺部３１から外側周辺部３２への切れ目３０を含むが、これは不可欠なものではない。

[00144] 本発明のこの態様によるカバー２５の開放中央部２６を大きくするために、例えば弾性変形によってカバー２５の拡大を容易にするように追加の切れ目を設けることができる。

[00145] 本明細書で開示されるカバーのどれが設けられても、上記のように、気泡によって生じる欠陥の低減および／または気泡の低減に加えて、リソグラフィ装置内の基板テーブルに様々な付加的利益がありうる。

[00146] 基板テーブルＷＴおよび液浸システムを洗浄することは、低減することができる。そうすると、リソグラフィ装置の休止時間を低減することができる。

[00147] カバーは、基板Ｗの上面から基板Ｗの下面への汚染物質の移転を低減することができる。これにより、いわゆる裏面汚染の結果として生じうる欠陥を低減することができる。

[00148] 基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部の間のギャップを覆うカバーを設けることにより、基板Ｗの縁部が投影システムおよび液浸システムを、そうしない場合に実現可能な速度よりも高速で横切ることを可能にしうる。これにより、リソグラフィ装置のスループットを向上させることができる。

[00149] カバーを設けることにより、基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部の間のギャップから液浸液および気泡を除去するための抽出システムを不要にすることができる。これにより、基板テーブルＷＴにかかる熱負荷を低減することができる。基板テーブルＷＴの熱安定性が向上しうる。その結果、基板Ｗ上に形成されるパターンのオーバレイ精度が向上しうる。

[00150] 基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間のギャップ用の抽出システムは、二相抽出器になりうる。このタイプの抽出器は、流れ誘導振動を引き起こすことがある。したがって、カバーを設けると、旧式化している（必要とされない）そのような抽出器になることがあり、基板テーブルＷＴ内の振動を低減することができる。

[00151] カバーを設けると、上で開示した基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間のギャップ用の抽出器を用いるシステムよりも全体が簡単なシステムになりうる。ギャップ２３の上にカバーを設けると、装置の物品のコストを全体として低減することができる。

[00152] 本発明の一態様によるカバーを設けると、上で論じた基板Ｗの縁部と凹部２２の縁部との間のギャップに抽出システムが不要になりうることを理解されたい。しかし、本発明の一態様によるカバーは、抽出システムと組み合わせて使用することもできる。抽出システムの要件が軽減されうるので、上で論じた利益がやはり当てはまりうる。

[00153] 図９および図１０は、本発明の一実施形態によるカバー２５の一構成を平面視で示す。図９および図１０に示されたカバーは、図７および図８に示されたカバーと類似しており、簡潔にするために相違だけを詳細に論じる。

[00154] 図示のように、カバー２５は、複数の個別部分４０から形成される。閉位置では、部分４０は、単一カバー２５を形成するためにカバー２５の隣り合う部分４０と接するように配置される。例えば、図９に示されるように円形の基板Ｗでは、閉位置でカバー２５の個別部分４０のそれぞれが互いに接すると、個別部分４０の組合せにより、概して環状の形状を有するカバー２５が形成される。

[00155] アクチュエータシステムは、カバーを閉位置から開位置に移動させるために、カバー２５の各部分を別々の方向に移動できるように構成される。図９および図１０に示されたようなカバー２５の場合、そのようなカバー２５の各部分は、個別部分４０の１つである。アクチュエータシステムは、カバー２５の各個別部分４０をそれぞれ別々の方向に移動させる。

[00156] カバー２５が開位置にあるとき、カバー２５の各個別部分４０は互いに引き離されて、それによって、上記のように基板Ｗが通り抜けることができる大きな開放中央部２６が形成されうる。

[00157] 図１１、１２および１３は、本発明の一態様で使用できる、それぞれ閉位置、中間位置および開位置にあるアクチュエータシステムを断面図で示す。

[00158] 図１１に示すように、閉位置でカバー２５の各部分は、基板Ｗの上面の周辺部４５および基板テーブルＷＴの上面２１の上に配置され、かつこれらの間に延在する。カバー２５を閉位置から開位置に移動させる際、アクチュエータシステム５０は、カバー２５の各部分がまず、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向に移動するように構成することができる。

[00159] 図１２は、上で説明した最初の移動の後に、閉位置と開位置の間の中間の位置にあるカバー２５の一部分を示す。

[00160] 開位置から閉位置に移動する際、カバー２５は、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向の移動によってのみ引き続き閉位置に移動できるようにして、図１２に示される中間位置に移動させることができる。

[00161] このような構成により、カバー２５が基板Ｗと接触している、または基板Ｗに近接しているとき、基板Ｗに対するカバー２５の相対移動が基板Ｗの上面にほぼ直角の方向のみであることを有利に保証することができる。これにより、基板Ｗの縁部で汚染粒子が発生することを防止または低減することができる。これにより、基板Ｗの縁部にすでに存在している汚染粒子が、パターンが形成されるべき基板Ｗの上面に向かって移動することを防止または低減することができる。カバーを基板Ｗの面にほぼ直角の方向に移動させることによって基板に接触させると、基板Ｗにかかる力は、基板Ｗにほぼ直角の方向にかかる。この力が基板Ｗの周辺部辺りにかかるとき、かかる力はほぼ均一である。したがって、力がかかることによって生じる基板Ｗの変形は、最小限にならないとしても低減される。カバー２５を当てることによる基板Ｗの面内の力は、低減または最小限にされ、それによって凹部内の基板Ｗの移動が制限される。カバー２５を基板Ｗの縁部に当てることによる位置エラーは、防止できないとしても低減することができる。

[00162] アクチュエータシステム５０は、カバー２５のそれぞれの部分を基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ平行な方向に移動させることによって、カバー２５のそれぞれの部分を図１２に示された中間位置と図１３に示された開位置の間で移動させることができるように構成することができる。

[00163] 図１１、１２および１３に示されるように、アクチュエータシステム５０は、アクチュエータステージ５１を含むことができ、このアクチュエータステージは、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向、例えば鉛直方向にカバー２５の移動を行うように構成される。アクチュエータステージ５１は横断アクチュエータステージと呼ばれることがある。

[00164] アクチュエータシステム５０は、アクチュエータステージ５２を含むことができ、このアクチュエータステージは、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ平行な方向、例えば水平方向にカバー２５の移動を行うように構成される。アクチュエータステージ５２は、横アクチュエータステージと呼ばれることがある。

[00165] 図示の空気式アクチュエータを使用することが有益であるが、代替のアクチュエータをアクチュエータステージ５１、５２の一方または両方に使用できることを理解されたい。例えば、静電気アクチュエータおよび／または電磁アクチュエータを使用することができる。

[00166] アクチュエータステージ５１は、行われる移動が実質的に、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向だけになることを保証するように構成することができる。アクチュエータステージ５１は、１つまたは複数の移動ガイドを含むことができる。この１つまたは複数の移動ガイドは、アクチュエータステージ５１のコンポーネントが基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向に相対移動できるように構成される。しかし、移動ガイドは、アクチュエータステージ５１のコンポーネントが基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ平行な方向に移動することは低減または最小限にする。

[00167] 図１４および図１５は、アクチュエータステージ５１が特定の方向にだけ移動することを保証する助けになるように使用できる移動ガイドの配置を断面図で示す。このような方向は、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向になりうる。図１４は、カバー２５が閉位置にあるときの移動ガイド６０を示す。図１５は、カバー２５が開位置にあるときの移動ガイド６０を示す。

[00168] 図示のように、アクチュエータステージ５１は、第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２を含む。第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２は、上記のように設けられたアクチュエータを用いることによって、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向に互いに移動することができる。弾性ヒンジ６３が、アクチュエータステージ５１の第１のコンポーネント６１と第２のコンポーネント６２の間に設けられる。この弾性ヒンジにより、第１のコンポーネント６１および第２のコンポーネント６２が、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向に移動することが可能になる。弾性ヒンジは、この所望の移動方向にほぼ直角の方向の移動を制限するように構成される。

[00169] 代替または追加の移動ガイドを使用できることを理解されたい。しかし、上記の１つまたは複数のこのような弾性ヒンジを使用することは、この移動ガイドの形状では摩擦力がない、または望ましいことに最小限になるので有益でありえる。摩擦力は、カバー２５が閉位置に移動するときに基板Ｗの上面にかかる力の再現性を低下させることがある。

[00170] 図１６、１７および１８は、本発明の一態様で使用できる別のアクチュエータシステムを示す。図１６は、カバー２５が閉位置にあるときのアクチュエータシステム７０を示す。図１７は、中間位置にあるアクチュエータシステム７０を示す。図１８は、カバー２５が開位置にあるときのアクチュエータシステム７０を示す。

[00171] 図１６、１７および１８に示されたアクチュエータシステム７０では、図１１、１２および１３に示されたものより簡単なアクチュエータシステムを実現することができる。別個のアクチュエータステージが不要である。代わりに、カバー２５のそれぞれの部分がピストン７１に接続され、このピストンは、基板テーブルＷＴ内の移動ガイド７２、７３のシステム内に装着される。

[00172] 移動ガイド７２は、ピストン７１と協働して使用されて、カバー２５を閉位置から、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向に、中間位置まで移動させることができる。移動ガイド７３は、ピストン７１と共に、基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ平行な方向にカバー２５を移動させるように構成される。カバー２５を閉位置と開位置の間で移動させるために、ピストン７１の片側または両側のガス圧力は、移動ガイド７２、７３の一方または両方を適切な減圧限７４または過圧源７５に接続することによって変えることができる。

[00173] カバー２５は、閉位置で、基板Ｗの縁部と基板テーブル内の凹部２２の縁部との間のギャップ２３を覆うだけでなく、別のギャップ７７も覆うように構成することができる。例えば、追加のギャップが、アクチュエータシステムと、追加コンポーネント７８など基板ホルダからさらに離れた基板テーブルの一部分との間に存在することがある。追加コンポーネント７８は、投影システムに対する基板テーブルＷＴの位置および／または変位を監視するために使用されるセンサシステムのコンポーネントであることがある。

[00174] 図１９および図２０は、基板Ｗの縁部と、基板Ｗが支持される基板テーブルＷＴ内の凹部２２の縁部との間のギャップ２３を覆うために別の構成のカバー１２５が設けられている、本発明の一実施形態を断面図で示す。具体的には、本発明の一実施形態のカバー１２５は、基板テーブルＷＴ内の凹部２２への基板Ｗの装填／取外しを可能にするために、基板テーブルＷＴから離れて移動できるように構成することができる。このような構成では、カバー１２５を開位置に移動させる際に、カバー１２５の開放中央部を大きくする必要がない。

[00175] 前に論じた構成と共通して、カバー１２５は、基板Ｗの縁部を取り囲む材料の薄い板の形状で構成される。カバー１２５は、基板Ｗの上面の周辺領域４５から基板受け部の上面２１まで延びる。減圧源１２８に接続されているガス出口の開口１２７を設けることができる。カバー１２５の下側１２５ａに対する空間内圧力は、カバー１２５の上側１２５ｂに対するガス圧力よりも低くすることができる。この圧力差は、カバー１２５を固定し、使用中のカバー１２５のいかなる移動も実質的に防止するために使用することができる。

[00176] カバー１２５の変形を防止または低減するために、カバーは、１つまたは複数のサポート１２６を含むことができ、このサポートは、カバー１２５が凹部２２内の基板Ｗの上部にあるときにカバー１２５の下面１２５ａから凹部２２の底面まで延びている。

[00177] 基板Ｗの装填および取外しができるようにカバー１２５を移動させるために、ロボットアームなどのカバーハンドリングシステム１３０を設けることができる。カバーハンドリングシステム１３０は、カバー１２５が基板Ｗと接触または基板Ｗに近接しているときに、カバー１２５の移動が基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１にほぼ直角の方向だけになるよう特に構成することができる。

[00178] 前に論じたように、例えば図１１〜１８で示した本発明の実施形態では、アクチュエータシステムを設けることができ、このシステムは、基板Ｗを基板テーブルＷＴに装填し、および／または基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り外すことができる開位置から、カバー２５が基板テーブルＷＴの上面２１から基板Ｗの周辺部まで延びる閉位置まで、カバー２５を移動させる。閉位置では、特にカバー２５がシールを形成すべき場合に、カバー２５は、基板Ｗの周辺部および基板テーブルＷＴの上面２１と物理的に接触しうる。このような物理的接触は、１つまたは複数のカバー２５、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの上面２１の損傷をもたらすことがある。したがって、アクチュエータシステムの適切な制御システムが設けられることがある。

[00179] 本発明の一実施形態では、カバー２５を位置付けるアクチュエータシステムを制御するためのコントローラが設けられる。カバーが基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴに対して正確に移動することを保証する助けになるように、コントローラは、基板テーブルＷＴの上面２１に対する基板Ｗの少なくとも周辺部の上部（またはその逆）の高さを表すデータを使用することができる。このようなデータは、例えば、リソグラフィ装置の一部、またはリソグラフィ装置を含むリソグラフィシステムの一部とすることが可能なメトロロジーステーションで事前に取得することができる。

[00180] 基板テーブルＷＴの上面２１に対する基板Ｗの周辺部の上部（またはその逆）の高さを表すデータに基づいて、コントローラは、カバー２５と基板Ｗの上面および基板テーブルＷＴの上面２１との間に望ましい接触を得るためにカバー２５を移動させるべき位置を決定することができる。

[00181] コントローラによって決定された望ましい位置までカバー２５を移動させるようにアクチュエータシステムを制御するために、コントローラに適切なフィードバック機構を設けることができる。

[00182] コントローラは、例えば、閉位置にあるカバー２５の位置が基板Ｗの周辺部の上面に十分に近接または接触して、液浸液の漏洩を防止、低減または最小限にすることを保証する助けになるように構成することができる。あるいは、または加えて、コントローラは、カバー２５が閉位置にあるときに、カバー２５の下面によって基板Ｗの周辺部の上面に作用する力が所与の範囲内にあることを保証する助けになるように構成することができる。例えば、その力が特定の値未満であることを保証することが、基板Ｗの損傷を防止する、または損傷の可能性を低減するのに望ましいことがある。あるいは、または加えて、カバー２５の下面によって基板Ｗの周辺部の上面に作用する力が、カバー２５の下の液浸液の漏洩を制限するための十分な接触が確実に行われる特定の値を越えるように保証するのが望ましいことがある。

[00183] 本発明の一実施形態では、基板テーブルＷＴの上面２１に対する基板Ｗの周辺部の上面（またはその逆）の高さを表すデータにより、基板Ｗの周辺部辺りの複数の場所における相対高さのデータを得ることができる。このようなデータから、コントローラは、基板Ｗの縁部辺りの複数の場所におけるカバー２５のそれぞれの位置の所望の位置を決定することができる。

[00184] それに対応して、本発明の一実施形態でアクチュエータシステムは、カバー２５の周りの複数の場所において独立してカバー２５の高さを調整できるように構成することができる。このような構成では、カバー２５を閉位置に位置付ける制御において、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの上面の高さの局部変化を考慮に入れることができる。こうすると、液浸液漏洩、および／または基板Ｗ、基板テーブルＷＴおよび／またはカバー２５の損傷を防止または低減する助けになりうる。

[00185] 上で明らかにされたように、カバー２５は、閉位置に移動するときに基板Ｗの周辺部の上面に力を作用させうる。この力は、カバー２５を移動させるために使用されるアクチュエータシステムの制御システムの構成に関係なく作用しうることを理解されたい。基板Ｗに作用する力は、例えば基板の変形により、および／または基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴのサポート部の変形により、基板Ｗの上面を移動させるのに十分なことがある。このような基板Ｗの上面の移動は、基板Ｗ上に形成されるパターンのエラーをもたらす可能性があるので、望ましくないことがある。

[00186] 本発明の一実施形態では、カバー２５は、比較的可撓性の、すなわちカバーの残りよりも低い剛性を有する領域を備えることができる。このような比較的可撓性の部分は、カバー２５が閉位置に移動するとき、カバーにどんな力が作用しても、および／または基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴに対するカバーの位置付けがどれだけ不正確でも、結果として基板Ｗ、または基板を支持する基板テーブルＷＴのサポート部が変形するのではなく、カバーの比較的可撓性の部分が変形することになるように構成される。

[00187] 図２６〜３０は、本発明の一実施形態の、比較的可撓性の部分を有するカバー２５の構成を概略的に示す断面図である。図２６〜２８に示されるように、カバー２５は、単一部分をなす材料から形成し、カバーの厚さが低減されている１つまたは複数の比較的可撓性の部分を設けることができる。例えば、図２６に示されるように、カバー２５の１つまたは複数の縁部１６１、１６２は、カバー２５の本体の残り１６３の厚さよりも薄い。したがって、低減された厚さの部分１６１、１６２は、カバー２５の本体の残り１６３よりも剛性が低くなる。

[00188] カバー２５の低減された厚さの部分１６１、１６２は、カバー２５の周り、例えばカバー２５の内側および／または外側の縁部全体に沿って延びることができる。いくつかの構成では、比較的可撓性の部分を設けるために、カバー２５の１つの縁部だけが、低減された厚さの部分を有することも理解されたい。

[00189] このような構成は、カバー２５の縁部が先細りにされている、前に論じた実施形態と組み合わされてよいことを理解されたい。この場合には、低減された厚さの部分１６２、１６２の縁部１６１ａ、１６２ａを先細りにできることを理解されたい。同様に、以下で説明する図２７〜３２に示されたカバーの縁部を先細りにすることができる。しかし、簡潔にするために、このことは以下で論じる各実施形態については詳細に論じない。

[00190] 図２７に示すように、カバー２５の比較的可撓性の部分は、カバー２５の下面に溝１６５を形成することによって設けることができる。溝１６５は、カバー２５の付随部分１６６になり、これは低減された厚さを有し、したがって低減された剛性を有する。溝１６５は、カバー２５の周りに延在できることを理解されたい。したがって、使用時、溝１６５は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部との間のギャップ上に配置されて、基板全部の周辺部辺りに延在することができる。

[00191] 図２７は、カバー２５の下面に単一の溝１６５が設けられる一構成を示すが、カバー２５の一部分の可撓性を増大させるために複数の溝を設けることができることを理解されたい。しかし、一般に、使用時にカバー２５が過度に変形しないことを保証する助けになるように、剛性が比較的高いカバー２５の本体部分、すなわち全厚を有するカバーの部分を十分に保持することが望ましい。

[00192] 図２８に示すように、図２６と図２７に示された構成を組み合わせることができる。言い換えると、カバー２５は、カバー２５の１つまたは複数の縁部に低減された厚さの部分１６１、１６２を有することができ、またカバー２５の下面に１つまたは複数の溝１６５を備えることもできる。

[00193] 対応する別の構成では、図２９〜３１それぞれに示されるように、カバー２５の本体は、少なくとも１つのサポート部をなす材料１７１に付けられた、平坦部をなす材料１７０から形成することができる。平坦部をなす材料１７０とサポート部をなす材料１７１の組合せにより、全厚を有し、それだけカバー２５の剛性が比較的高い本体部分が得られる。サポート部をなす材料１７１によって支持されていない平坦な材料１７０から形成されるカバー２５の本体部分で、厚さが低減された、剛性が比較的低いカバー２５の部分１６１、１６２が得られる。同様に、材料１７１の２つのサポート部分の間のギャップで、カバー２５の比較的可撓性の部分を形成する溝１６５が得られる。

[00194] 図２０〜３１には示されていないが、本発明のこの態様のカバー２５は、カバー２５をアクチュエータシステムに接続するサポートを含め、前に論じたようなサポートを含むことができることを理解されたい。

[00195] 図３２は、カバー２５の本体が１つまたは複数のサポート１７２によって支持される本発明の一実施形態を示す。図示のように、カバー２５は、カバー２５の両縁部に低減された厚さの部分１６１、１６２を有して、カバー２５の比較的可撓性の部分が設けられている。加えて、溝１６５がカバー２５の下面に設けられている。溝１６５は、カバー２５のそれぞれの縁部と１つまたは複数のサポート１７２の場所との間の位置で、それぞれがカバー２５の周りに延びるように配置される。したがって、溝１６５により、カバー２５の追加の比較的可撓性の部分が得られる。この構成の変形では、カバー２５の１つまたは複数の比較的可撓性の部分を省略できることを理解されたい。

[00196] 本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、マイクロスケールのフィーチャを有し、またはナノスケールのフィーチャさえも有するコンポーネントを製造する他の応用分野がありうることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、そのため、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すことがある。

[00197] 本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外線（UV）放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含される。

[00198] 文脈によって許される場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネントおよび反射光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味しうる。

[00199] アクチュエータなど、本発明のコンポーネントの１つまたは複数の移動の動作をさせるために、１つまたは複数のコントローラがありうる。コントローラは、信号を受け取り、処理し、送出するための任意の適切な構成を有することができる。例えば、各コントローラは、１つまたは複数のプロセッサを含むことができ、このプロセッサは、上述の方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、および／またはこのような媒体を受け入れるハードウェアを含むことができる。

[00200] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、明示的に説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることは理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することも可能である。これらの複数のコンピュータプログラムは、１つまたは複数の異なる記憶装置および／またはデータ記憶媒体に記憶させることができる。コンピュータプログラムは、本明細書で言及したコントローラを制御するのに適切でありうる。

[00201] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それだけには限定されないが、液浸液が槽の形態で供給されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ供給されるものであれ、あるいは液浸液が基板および／または基板テーブル上で閉じ込められないものであれ、上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および／または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび／または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。

[00202] 本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈すべきである。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を供給する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または液体を空間に供給する１つまたは複数の液体出口の組合せを備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および／または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択により、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための１つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。

[00203] さらに、本発明を特定の実施形態および実施例との関連で開示したが、本発明が、具体的に開示した実施形態を越えて他の代替実施形態および／または本発明の利用法、ならびにそれらの明らかな修正形態および等価物にまで及ぶことは当業者に理解されよう。加えて、本発明のいくつかの変形形態を詳細に図示し説明したが、本開示に基づいて当業者には本発明の範囲内にある他の修正形態が容易に明らかになろう。例えば、諸実施形態の特定の特徴および態様の様々な組合せまたは下位の組合せを作ることができ、これらがやはり本発明の範囲内に入りうることが企図されている。したがって、開示された本発明の変更モードを形成するために、開示された実施形態の様々な特徴および態様を互いに組み合わせ、または置き換えることができることを理解されたい。それゆえに、本明細書で開示された本発明の範囲は、上で説明した特定の開示実施形態によって限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲を公正に読むことによってのみ決定されるべきものである。

[00204] 上記の記述は、説明を意図したものであり、限定するものではない。したがって、以下に詳述される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に修正を加えることができることが当業者には明白であろう。

Claims (13)

1. 上面と、基板を受け取り支持するように構成された前記上面内の凹部と、を有する基板テーブルと、
   前記基板テーブルの前記上面および／または前記凹部内に置かれた基板に隣接する空間内に液浸流体を封じ込めるように構成された流体ハンドリング構造体と、
   前記凹部の縁部と前記基板の縁部との間のギャップを覆うために、使用時、前記上面から前記基板の上主面の周辺部まで基板を囲んで延在する平坦な本体を含むカバーと、
   前記流体ハンドリング構造体に対し前記基板テーブルが移動する間に、前記カバーの縁部と、前記流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するように構成された液浸流体膜中断器であって、前記基板の上面および／または基板テーブルの上面の反対側の前記流体ハンドリング構造体の表面に形成された複数の離散ガス噴射を備える液浸流体膜中断器と
   を備えるリソグラフィ装置。
2. 前記複数のガス噴射が、前記流体ハンドリング構造体の表面に形成された複数の対応するアパーチャによって供給される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記ガス噴射がそれぞれ、液浸液の膜が形成するときにその上にガスの噴射を与えるように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記流体ハンドリング構造体の表面が、液浸流体が封じ込められる空間を取り囲む開口のラインを備え、前記開口のラインが、前記液浸流体を前記空間内に封じ込めるために液浸流体を抽出するように構成され、前記複数のガス噴射が、前記開口のラインの外に向かって供給される、請求項２または請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記ガス噴射を与える前記複数のアパーチャが、前記開口のラインに平行な第２のラインに沿って配置される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記複数のアパーチャがガス供給源に接続され、前記装置がさらにコントローラを備え、前記アパーチャが前記カバーの領域にあるときに前記ガス噴射が供給され、前記アパーチャが前記カバーの領域にないときに前記ガス噴射が供給されないように、前記アパーチャへのガスの供給を制御するように前記コントローラが構成されている、請求項２から５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記コントローラが、１つまたは複数のアパーチャの第２の群から１つまたは複数のアパーチャの第１の群への前記ガスの供給を独立して制御できるように構成される、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記ガスが前記アパーチャに、前記ガスの最大速度がＭａ０．３〜Ｍａ０．６の範囲になるように供給される、請求項６または請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. １つのアパーチャの中心と隣接アパーチャの中心との間の隔離が１００μｍ〜１ｍｍ
   の範囲にある、請求項２から８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
10. 前記アパーチャの幅が５０μｍ〜１５０μｍの範囲にある、請求項２から９のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
11. 前記流体ハンドリング構造体が、隣り合う２つのアパーチャの間にそれぞれが設けられた複数の開口を備え、前記開口が減圧源に接続される、請求項２から１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
12. 基板を受け取り支持するように構成された凹部が形成されているほぼ平坦な上面を有する基板テーブルと、前記凹部の縁部と前記基板の縁部との間のギャップを覆うために、使用時、前記上面から前記基板の上主面の周辺部まで前記基板を囲んで延在するほぼ平坦な本体を備えたカバーとを含むリソグラフィ装置の流体ハンドリング構造体であって、前記流体ハンドリング構造体に対し前記基板テーブルが移動する間に、前記カバーの縁部と、前記流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するために、複数の対応する離散ガス噴射を与えるように構成された複数のアパーチャを備える、流体ハンドリング構造体。
13. 上面と、基板を受け取り支持するように構成された前記上面内の凹部と、を有する基板テーブルに基板を供給する段階と、
    前記凹部の縁部と前記基板の縁部との間のギャップを覆うために、平坦な本体を備えたカバーを、それが前記上面から前記基板の上主面の周辺部まで基板を囲んで延在するように設ける段階と、
    投影システムの最終エレメントと前記基板および／または基板テーブルとの間の空間に、流体ハンドリング構造体を使用して液浸流体を供給する段階と、
    前記流体ハンドリング構造体に対し前記基板テーブルが移動する間に、前記カバーの縁部と、前記流体ハンドリング構造体によって封じ込められた液浸流体との間の液浸流体の膜の形成を中断するために、前記基板および／または基板テーブルの上面の反対側にある前記流体ハンドリング構造体の表面から複数の離散ガス噴射を与える段階と
    を含むデバイス製造方法。

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