TW202347037A - 流體抽取系統、方法、及微影設備 - Google Patents

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班哲明 康尼剛達 亨利克斯 史密斯
布拉姆 彼得 約翰 林森
威廉 阿里 羅斯
馬克 喬漢 赫瑪仕 法蘭克
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Abstract

本文中揭示一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及一控制器，其經配置以依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體在該流道中之流動速率。

Description

流體抽取系統、方法、及微影設備
本發明係關於一種流體處置系統及一種裝置製造方法。本發明亦係關於微影設備。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上的機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩)之圖案(亦常常稱作「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之一輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造製程持續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已繼續減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之數量已穩固地增加，從而遵循通常稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追逐使得能夠產生愈來愈小特徵之技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如，6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
可藉由在曝光期間在基板上提供諸如水之具有相對高折射率之浸潤流體來達成較小特徵之解析度的進一步改良。浸潤流體之效應將使得較小特徵能夠成像，此係由於曝光輻射在流體中相比於在氣體中將具有更短波長。浸潤流體之效應亦可視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度。浸潤流體可由流體處置結構限界至微影設備之投影系統與基板之間的局部區域。
本發明之一目標為提供一種相較於已知技術具有改良之效能的流體處置系統及方法。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及一控制器，其經配置以依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體在該流道中之流動速率。
根據本發明之一第二態樣，提供一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及一控制器，其經配置以依據該基板之掃描型樣、該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距來控制該流體沿著該流道之該流動速率；其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率，使得該流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。
根據本發明之第三態樣，提供一種微影設備，其包含：一流體處置系統，其包含一流體處置結構；及任一前述態樣的流體抽取系統；其中該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備中之一基板之一表面之間的一空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體來輻照該基板之該表面。
根據本發明之一第四態樣，提供一種在一微影設備中之裝置製造方法，該微影設備具有：一投影系統，其經組態以將一輻射光束投影至一基板上；及一流體處置系統，其包含一流體處置結構，該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備之一基板之一表面之間的空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體來輻照該基板之該表面，該方法包含：使用該流體處置結構以將該浸潤液體限界至該流體處置結構之至少一部分與該基板之表面之間的該空間；將一經圖案化輻射光束通過該空間中之該浸潤液體投影至該基板上；沿著一流體流道抽取一流體，該流體流道包含該基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體沿著該流體流道之該流動速率。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之其他實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例、特徵及優點的結構及操作。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在約5至100 nm之範圍內的波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化裝置」可廣泛地解釋為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化裝置之實例亦包括可程式化鏡面陣列或可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備。微影設備包括：照明系統(亦稱為照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；遮罩支撐件(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化裝置MA之第一***PM；基板支撐件(例如，基板台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板支撐件WT之第二***PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。控制器500控制設備之總體操作。控制器500可為集中控制系統或微影設備之各種子系統內之多個獨立子控制器的系統。
在操作中，照射系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照射器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影設備屬於如下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對高折射率之浸潤液體，例如水，覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間11--此亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US 6,952,253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備可屬於具有兩個或兩個以上基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除基板支撐件WT以外，微影設備可包含量測載物台(圖中未描繪)。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之性質或輻射光束B之性質。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如，投影系統PS之部分或提供浸浸液體之系統的部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於圖案化裝置支撐件MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且藉由存在於圖案化裝置MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二***PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦且對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一***PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中在基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記稱為切割道對準標記。
為闡明本發明，使用笛卡爾座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即x軸、y軸以及z軸。三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉稱為Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉稱為Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉稱作Rz旋轉。x軸及y軸定義水平平面，而z軸處於豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明且僅用於說明。實際上，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用於闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可不同，例如，使得z軸具有沿著水平平面之分量。
已將浸潤技術引入至微影系統中以使得能夠改良較小特徵之解析度。在浸潤微影設備中，在設備之投影系統PS (經由該投影系統朝向基板W投影經圖案化光束)與基板W之間的浸潤空間中***具有相對高折射率之浸潤液體的液體層。浸潤液體至少覆蓋在投影系統PS之最終元件下的基板W之部分。因此，經歷曝光的基板W之至少部分浸潤於浸潤液體中。
在商用浸潤微影中，浸潤液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體供應至浸潤空間之前經歷額外處理步驟。除了使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。此外，已設想將除了液體以外之其他流體用於浸潤微影中。
在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，在局域化浸潤中，浸潤液體在使用中經限界至最終元件與面向該最終元件之表面之間的空間。對向表面係基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐件WT)之表面。(請注意，除非另外以其他方式陳述，否則此外或在替代例中，在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐件WT之表面；且反之亦然。)存在於投影系統PS與基板支撐件WT之間的流體處置結構用以將浸潤液體限界於浸潤空間。由浸潤液體填充之浸潤空間在平面上小於基板W之頂表面，且浸潤空間相對於投影系統PS保持基本上靜止，同時基板W及基板支撐件WT在下面移動。
已設想到其他浸潤系統，諸如非受限界浸潤系統(所謂的「全濕潤(All Wet)」浸潤系統)及浴浸潤系統。在非受限界浸潤系統中，浸潤液體覆蓋不僅僅最終元件下面之表面。在浸潤空間外部之液體係作為薄液體膜而存在。液體可覆蓋基板W之整個表面，或甚至基板W及與基板W共面之基板支撐件WT。在浴型系統中，基板W完全浸潤於浸潤液體浴中。
流體處置結構為將浸潤液體供應至浸潤空間、自浸潤空間移除浸潤液體且藉此將浸潤液體限界至浸潤空間的結構。其包括為流體供應系統之一部分的特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示之配置為早期流體處置結構，該結構包含管道，該等管道供應浸潤液體或自浸潤空間回收浸潤液體，且取決於投影系統PS之下的載物台之相對運動而操作。在最新設計中，流體處置結構沿著投影系統PS之最終元件100與基板支撐件WT或基板W之間的浸潤空間之邊界的至少一部分延伸，以便部分界定浸潤空間。
流體處置結構可具有一系列不同功能。每一功能可來源於使流體處置結構能夠實現達成彼功能之對應特徵。該流體處置結構可由多數個不同術語來提及，每一術語係指代一功能，諸如障壁部件、密封部件、流體供應系統、流體移除系統、液體限界結構等等。
作為障壁部件，該流體處置結構為對浸潤液體自浸潤空間之流動的障壁。作為液體限界結構，該結構將浸潤液體限界於浸潤空間。作為密封部件，流體處置結構之密封特徵形成密封件以將浸潤液體限界於浸潤空間。密封特徵可包括來自密封部件(諸如氣刀)之表面中之開口的額外氣體流。
在一實施例中，流體處置結構可供應浸潤流體，且因此係流體供應系統。
在一實施例中，流體處置結構可至少部分地限界浸潤流體，且藉此為流體限界系統。
在一實施例中，流體處置結構可提供對浸潤流體之障壁，且藉此係障壁部件，諸如流體限界結構。
在一實施例中，流體處置結構可產生或使用氣流，例如以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。
氣流可形成用以限界浸潤流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限界結構。
在一實施例中，浸潤液體係用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置結構可為液體處置系統。在參考前述描述的情況下，在此段落中對關於流體所界定之特徵的參考可被理解為包括關於液體所界定之特徵。
微影設備具有投影系統PS。在基板W之曝光期間，投影系統PS將經圖案化輻射光束投影至基板W上。為了到達基板W，輻射光束B之路徑自投影系統PS穿過浸潤液體，該浸潤液體由投影系統PS與基板W之間的流體處置結構12限界。投影系統PS具有與浸潤液體接觸之透鏡元件，透鏡元件為光束路徑中的最末元件。與浸潤液體接觸之此透鏡元件可稱為「最末透鏡元件」或「最終元件」。最終元件100至少部分地由流體處置結構12包圍。流體處置結構12可將浸潤液體限界在最終元件100下方及對向表面上方。
圖2A說明根據實施例之微影設備的部分。圖2A中所說明且在下文所描述之配置可應用於上文所描述且圖1中所說明之微影設備。
圖2A為穿過基板台202、基板201、基板201之周圍結構204及流體處置系統之部分的橫截面。基板201可為如圖1中所繪示的基板W。基板台201可為如圖1中所示的基板台WT。流體處置系統包含液槽206及流體處置結構205。流體處置結構205將浸潤液體供應至浸潤空間211、自浸潤空間211移除浸潤液體且藉此將浸潤液體限界至浸潤空間211。流體處置結構205具有下表面205a。流體處置結構205可為如圖1中所示的流體處置結構12。
基板201由基板台202固持。基板201可支撐於基板台202之一或多個突出部203，亦即瘤節203上。負壓及/或夾持力可施加於基板201與基板台202之間以將基板201固持於適當位置。基板台202亦可包含並不意欲支撐基板201的兩個同心環214。
基板201之周圍結構204可圍繞基板201以圓周方式延伸。周圍結構204可為與基板台202分離的結構。替代地，周圍結構204可為基板台202的部分。周圍結構204可以平面形式塑形為環，且包圍基板201的外邊緣。基板201之周圍結構204可替代地被稱作蓋環204。
流體處置結構205之下表面205a由第一分離距離210與基板201的上表面201a分離。第一分離距離210可被稱為流體處置結構205在基板201上方的飛行高度。第二分離距離217可界定為流體處置結構205之下表面205a與周圍結構204之上表面之間的間距。第二分離距離217可被稱為流體處置結構205在周圍結構204上方的飛行高度。在基板201之上表面201a係在與周圍結構204之上表面相同的平面上，如圖2A中所繪示，基板201上方之飛行高度與周圍結構204上方的飛行高度相同。
液槽206經配置，使得其中之液體可流動至浸潤空間211中。浸潤空間211部分由流體處置結構205之下表面205a及基板201之上表面201a及/或基板台202之上表面，例如周圍結構204的上表面定界。
在基板201之邊緣與周圍結構204之邊緣之間存在間隙209。亦存在通過基板台202及/或周圍結構204的流體通道207。存在流體流道208，該流體流道208經配置，使得浸潤空間211中的流體可流動通過間隙209且接著流動通過流體通道207。流體通道207可自基板201之邊緣徑向向外定位。在流體通道207中可存在可變閥212。可變閥212亦可稱為比例閥。可變閥212經配置以控制通過流體通道207之流體流。流體通道207及可變閥212為根據實施例之流體抽取系統的部分。
在微影設備的使用中，流體處置結構205相對於基板201及基板台202可移動。在此相對移動期間，流體處置結構205可越過間隙209移動。詳言之，當基板201之邊緣正經成像或諸如在基板201第一次在投影系統PS下方移動時的其他時間，浸潤空間211中的浸潤液體可流動至間隙209中。
流體抽取系統可沿著流體通道207抽取在間隙209中流動的任一浸潤液體。流體抽取系統之另一功能為防止間隙209中的氣體逃逸至浸潤空間211中。若氣體的確洩漏至浸潤空間211中，則此可產生在浸潤空間211內浮動的氣泡。此氣泡在輻射光束B之路徑中情況下可導致成像誤差。流體抽取系統亦經組態以自間隙209移除氣體。流體通道207可因此經配置以抽取氣體及浸潤液體兩者。通過流體通道207之流體流可因此為雙相流。
存在針對基板201上之堆疊層之數目增大的一般需要，如同對於更高階3D結構之製造所要求一般。存在對在具有不同高度之基板情況下操作微影設備之能力的相關需要。
圖2A及圖2B繪示流體處置系統及流體抽取系統在具有兩個不同基板高度213的基板201經使用時的相對配置。圖2B中所繪示之基板201相較於繪示於圖2A中之基板201具有更大基板高度213。存在需要經維持的基板201之上部表面201a上方流體處置結構205的最小第一分離距離210。若最小第一分離距離210並未經維持，則在流體處置結構205與基板201之間可存在衝突。可因此有必要的是在存在基板高度213的增大時增大液體限界結構205與流體抽取系統之間的第二分離距離217。因此，在圖2B中，第二分離距離217大於圖2A中的第二分離距離。舉例而言，微影設備可經要求而以在約770 µm至約850 µm之範圍內的基板高度213操作。需要維持的最小分離距離210可為約135 µm。經組態而以約770 µm之基板高度213操作的流體處置結構205及流體抽取系統可能不能在不使流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距增大的情況下以約850 µm之基板高度213操作。
液體限界結構205與流體抽取系統之間的間距之任何改變及/或基板高度213的改變將改變浸潤空間211中之流體流動條件。在給定浸潤空間211中之流體流動條件情況下，通過流體抽取系統之流體通道207的流體流動速率應為適當的。通過流體通道207的流體流動速率需要足夠大以恰當地抽取氣體及浸潤液體。然而，若通過流體通道207之流體流動速率過大，則將存在浸潤液體的過度抽取，且此情形可引起諸如增大基板201上蒸發冷卻斑點及/或浸潤空間211中氣體之增大的出現。
在已知流體抽取系統中，流體通道207中的閥並非可變閥。閥因此全開或全閉。當閥開啟時，氣體及/或浸潤液體沿著流體通道207進行抽取。當閥關閉時，不存在沿著流體通道207的氣流及/或浸潤液體流。其為在閥開啟時判定通過流體通道207之流體流動速率的流體抽取系統之初始組態。通過流體通道207之流體流動速率可藉由關閉閥來停止。然而，通過流體通道207之流體流動速率不可以其他方式進行控制為由流體抽取系統之初始組態判定的不同流動速率。
已知流體抽取系統情況下的問題為，當閥打開時，通過流體通道207之流體流動速率對於浸潤空間211中之流體流動條件可能並非適當的。詳言之，已知流體抽取系統未能適應於其操作，如同經要求以允許對基板高度213的改變一般。
實施例解決由已知系統經歷的以上問題。在實施例中，流體抽取系統包含可變閥212。可變閥212允許通過流體通道207之流體流動速率進行控制。在給定浸潤空間211中之流體流動條件之任何改變情況下，通過流體通道207之流體流動速率可因此改變為適當流動速率。此情形確保，通過流體通道207之流體流動速率在給定對基板高度213的任何改變情況下為適當的。
實施例包括控制器，該控制器經配置以控制可變閥212的操作，亦即狀態。控制器可為如圖1中所示的控制器500或獨立控制器。控制器可因此藉由控制可變閥212之操作來控制通過流體通道207之流體流動速率。控制器亦可經配置以控制微影設備之其他部分的操作。舉例而言，控制器可為流入且流出流體處置結構之流體流的同一控制器。
控制器亦可能能夠控制微影設備之部分的組態。詳言之，控制器可能能夠改變流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距，及/或改變流體處置結構205的飛行高度。舉例而言，控制器可接收關於安裝或將要安裝於基板台202上的基板201之基板高度213的資料，且接著自動地改變流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距，使得提供預定第一分離距離210及/或預定第二分離距離217。預定第一分離距離210可為恆定的，或取決於例如基板高度213及/或微影設備的所欲操作。
控制器經配置以控制流體在流道208中之流動速率，使得流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。流體在流道208中之流動速率可因此經自動地控制從而適於浸潤空間211中之流體流動條件。
控制器可經配置以依據由控制器接收到的資料控制可變閥212的操作，且藉此控制流體在流道208中之流動速率。實施例包括控制器，該控制器經配置以依據實質上即時地接收到的資料控制可變閥212的操作且因此控制流體在流道208中之流動速率。控制器可使用開路來控制閥212，該迴路設定或追蹤閥位置。控制器可使用控制迴路，使得流體通道207中的壓力遵循所要設定點。
舉例而言，接收到的資料可包括關於基板201之性質、流體處置結構205之性質及/或流體抽取系統之性質的資料。接收到的資料可包括可影響沿著流道208之最佳流體抽取流動速率的任何資料。詳言之，接收到的資料可包括關於以下各者中之一或多者的資料：基板高度213、基板形狀、基板翹曲及基板201之接觸角、流體處置系統內之流體供應及/或抽取流、流體流道208內之壓力、微影設備之操作、飛行高度210，及流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距。
舉例而言，接收到的資料可包括關於當前基板201之基板高度213的資料。控制器可接著依據關於當前基板之基板高度213的接收到之資料而操作可變閥212以改變流體在流道208中之流動速率。接收到的資料可另外或替代地包括關於流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距的資料。控制器可接著依據關於流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距的接收到之資料操作可變閥212而改變流體在流道208中之流動速率。接收到的資料可另外或替代地包括關於流體處置系統之流體供應及/或抽取流的資料。控制器接著可依據關於流體處置系統之流體供應及/或抽取流之接收到的資料來操作可變閥212以改變流體在流道208中之流動速率。
接收到的資料可另外或替代地包括關於微影設備之操作的資料，諸如基板201的掃描型樣。詳言之，以基板之掃描型樣的某些基板移動可增大氣體在浸潤空間211中的存在。增大量的氣體可導致流體在流道208中的急劇壓力增大。控制器可依據基板201之掃描型樣來操作可變閥212以改變流體在流道208中之流動速率以便減小流道208中之壓力變化之量值。
實施例包括微影設備中之裝置製造方法。方法包含以下步驟：1)使用包含流體處置結構205的流體處置系統以將浸潤液體限界至浸潤空間211；2)通過浸潤空間211中之浸潤液體將經圖案化輻射光束投影至基板201上；3)沿著流體流道208抽取流體，該流體流道208包含基板201之邊緣與基板201之周圍結構204之邊緣之間的間隙209；及4)依據基板201之性質、流體處置結構205之性質及/或流體抽取系統的性質來控制流體沿著流體流道208之流動速率。方法可進一步包含:量測基板高度213；依據基板高度213調整流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距；及依據基板高度213及/或流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距來控制流體沿著流體流道208之流動速率。
實施例亦包括對上文所描述之技術的多個修改及變化。
如圖2A及圖2B中所繪示，流體抽取系統亦可包含同心環214與另一流體通道215中之可變閥216之間的另一流體通道215。可變閥216可經配置以控制通過另一流體通道215之流體流。流動通過間隙209或沿著任何其他流道自浸潤空間211流動的流體亦可沿著另一流體通道215抽取。在實施例的所有描述內容中，另一流體通道215中的可變閥216可以與可變閥212相同的方式或類似方式操作。
舉例而言，在實施例中包括控制器，該控制器經配置以依據安裝於基板台202上或將安裝於基板台202上的基板201之基板高度213來改變流體處置結構205與流體抽取系統之間的間距。此控制器可為與可變閥212之操作之控制器分離的控制器。
實施例亦包括依據由該控制器據接收到的資料來控制流體處置系統之流體供應及/或抽取流體流。除了可變閥212的控制外或作為對可變閥212之控制的替代，此情形可經執行。
閥212並不需要位於流體通道207中，且可替代地位於與允許控制沿著流道208之流體流的任何方位中。
本發明可提供微影設備。微影設備可具有如上文所描述之微影設備之其他特徵或組件中之任一者/全部。舉例而言，微影設備可視情況包含以下各者中之至少一或多者：源SO、照明系統IL、投影系統PS、基板支撐件WT等。
特定言之，微影設備可包含經組態以朝向基板W之表面之區投影輻射光束B的投影系統PS。微影設備可進一步包含如以上實施例及變化中描述的流體處置系統及/或流體抽取系統。
微影設備可包含一致動器，該致動器經組態以使基板W相對於流體處置系統移動。因此，致動器可用以控制基板W之位置(或替代地，流體處置系統之位置)。致動器可為或可包含：基板支撐件(例如，基板台) WT及/或經建構以固持基板W之基板固持器，及/或經組態以準確地定位基板支撐件WT之第二***PW。
儘管可在本文中特定地參考微影設備在IC製造中的使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(read only memory；ROM)；隨機存取記憶體(random access memory；RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或傳播信號之其他形式(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟件、例程、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由運算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起，且如此進行可使致動器或其他裝置與實體世界互動。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或者量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此種微影工具可使用環境(非真空)條件。
儘管上文已特定地參考本發明之實施例在光學微影之內容背景中的使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影。
實施例包括以下編號條項： 1.        一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及一控制器，其經配置以依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體在該流道中之流動速率。 2.        如條項1之流體抽取系統，其進一步包含該流體流道中之一可變閥，使得該流體在該流體流道中之流動速率係取決於該可變閥；其中該控制器經配置以控制該可變閥。 3.        如條項1或2之流體抽取系統，其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率，使得該流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。 4.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以控制該流動速率所依據的該基板之該性質為該基板之高度、形狀、翹曲及接觸角中的一或多者。 5.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該控制器經配置依據以下各者中之一或多者控制該流動速率：該流體處置系統內之流體流；該流體流道內之該壓力；及該流體處置結構與該基板之間的該分離距離。 6.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率以便減小該流體在該流道中之壓力變化之量值。 7.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以依據該基板的一掃描型樣來控制該流體在該流道中之流動速率。 8.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以依據一控制迴路控制該流體在該流道中之流動速率。 9.        如任一前述條項之流體抽取系統，其中該流體包含浸潤液體及/或氣體。 10.      如任一前述條項之流體抽取系統，其進一步包含用於支撐該基板之一基板支撐件，其中該基板支撐件包含該基板之該周圍結構。 11.      一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及一控制器，其經配置以依據該基板之掃描型樣、該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距來控制該流體沿著該流道之該流動速率；其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率，使得該流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。 12.      一種微影設備，其包含：包含一流體處置結構之一流體處置系統；及如任一前述條項之流體抽取系統；其中該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備中之一基板之一表面之間的一空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體而輻照該基板之該表面。 13.      提供一種在一微影設備中之裝置製造方法，該微影設備具有：一投影系統，其經組態以將一輻射光束投影至一基板上；及一流體處置系統，其包含一流體處置結構，該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備中之一基板之一表面之間的空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體來輻照該基板之該表面，該方法包含：使用該流體處置結構以將該浸潤液體限界至該流體處置結構之至少一部分與該基板之表面之間的該空間；將一經圖案化輻射光束通過該空間中之該浸潤液體投影至該基板上；沿著一流體流道抽取一流體，該流體流道包含該基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體沿著該流體流道之該流動速率。 14.      如條項13之方法，其進一步包含：量測該基板之高度；依據該基板之該所量測高度來調整該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距；及依據該基板之該所量測高度來控制該流體沿著該流體流道之該流動速率。
雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。由此，對於熟習此項技術者將顯而易見的是，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
12:流體處置結構 201:基板 201a:上表面 202:基板台 203:突出部/瘤節 204:周圍結構/蓋環 205:流體處置結構 205a:下表面 206:液槽 207:流體通道 208:流體流道 209:間隙 210:第一分離距離 211:浸潤空間 212:可變閥 213:基板高度 214:同心環 215:流體通道 216:可變閥 217:第二分離距離 500:控制器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 IF:位置量測系統 IL:照射系統 M 1:遮罩對準標記 M 2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MT:遮罩支撐件 P 1:基板對準標記 P 2:基板對準標記 PM:第一*** PS:投影系統 PW:第二*** SO:輻射源 W:基板 WT:基板支撐件
現將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中：
圖1描繪微影設備之示意性綜述；
圖2A繪示根據實施例之流體處置系統的部分；及
圖2B繪示根據實施例之流體處置系統的部分。
圖中所繪示之特徵不一定係按比例繪製且所描繪之大小及/或配置並非限制性的。將理解，諸圖包括可能對本發明並非必需的選用特徵。此外，並未在圖中之每一者中描繪設備之所有特徵，且該等圖可僅繪示與用於描述特定特徵相關之一些組件。
201:基板
201a:上表面
202:基板台
203:突出部/瘤節
204:周圍結構/蓋環
205:流體處置結構
205a:下表面
206:液槽
207:流體通道
208:流體流道
209:間隙
210:第一分離距離
211:浸潤空間
212:可變閥
213:基板高度
214:同心環
215:流體通道
216:可變閥
217:第二分離距離
W:基板
WT:基板支撐件

Claims (10)

  1. 一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及 一控制器，其經配置以依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體在該流道中之流動速率。
  2. 如請求項1之流體抽取系統，其進一步包含該流體流道中之一可變閥，使得該流體在該流體流道中之該流動速率係取決於該可變閥； 其中該控制器經配置以控制該可變閥。
  3. 如請求項1之流體抽取系統，其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率，使得該流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。
  4. 一種用於一微影設備之流體抽取系統，該流體抽取系統經組態以沿著一流道抽取流體，包含一流體處置結構之一流體處置系統經配置以供應該流體，該流道包含一基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及 一控制器，其經配置以依據該基板之掃描型樣、該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距來控制該流體沿著該流道之流動速率； 其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率，使得該流動速率可在一最大流動速率與不存在流體流之間的複數個不同流動速率中之任一者之間改變。
  5. 如請求項1至4中任一項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以控制該流動速率所依據的該基板之該性質為該基板之高度、形狀、翹曲及接觸角中的一或多者。
  6. 如請求項1至4中任一項之流體抽取系統，其中該控制器經配置以依據以下各者中的一或多者來控制該流動速率： 該流體處置系統內之流體流； 該流體流道內之壓力；及 該流體處置結構與該基板之間的分離距離，及/或 其中該控制器經配置以控制該流體在該流道中之該流動速率以便減小該流體在該流道中之壓力變化之量值，及/或 其中該控制器經配置以依據該基板之一掃描型樣控制該流體在該流道中之該流動速率，及/或 其中該控制器經配置以依據一控制迴路控制該流體在該流道中之該流動速率。
  7. 如請求項1至4中任一項之流體抽取系統，其進一步包含用於支撐該基板之一基板支撐件； 其中該基板支撐件包含該基板之該周圍結構。
  8. 一種微影設備，其包含： 一流體處置系統，其包含一流體處置結構；及 如請求項1至7中任一項之流體抽取系統； 其中該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備中之一基板之一表面之間的一空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體來輻照該基板之該表面。
  9. 一種在一微影設備中之裝置製造方法，該微影設備具有：一投影系統，其經組態以將一輻射光束投影至一基板上；及一流體處置系統，其包含一流體處置結構，該流體處置結構經組態以將浸潤液體限界至一投影系統之一部分與該微影設備中之一基板之一表面之間的一液體限界空間，藉以自該投影系統投影之一輻射光束可藉由通過該浸潤液體來輻照該基板之該表面，該方法包含： 使用該流體處置結構以將該浸潤液體限界至該流體處置結構之至少一部分與該基板之該表面之間的該空間； 將一經圖案化輻射光束通過該空間中之該浸潤液體投影至該基板上； 沿著一流體流道抽取一流體，該流體流道包含該基板之一邊緣與該基板之一周圍結構之一邊緣之間的一間隙；及 依據該基板之一性質、該流體處置系統之一性質、該流體處置結構之一性質、該流體抽取系統之一性質及該流體處置結構與該流體抽取系統之間的間距中的一或多者來控制該流體沿著該流體流道之流動速率。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含： 量測該基板之高度； 依據該基板之該所量測高度來調整該流體處置結構與該流體抽取系統之間的該間距；及 依據該基板之該所量測高度來控制該流體沿著該流體流道之該流動速率。
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