TWI457696B - 空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法 - Google Patents

空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法 Download PDF

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Description

空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法
本發明係關於空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法。
通常，在LSI等之高密度半導體積體電路、CCD(電荷耦合元件)、LCD(液晶顯示元件)用之彩色濾光片、磁頭等的製程中，係採用使用光罩之光微影技術來進行微細加工。
該微細加工係使用將空白光罩之遮光膜形成為預定的圖案之光罩，該空白光罩之遮光膜係在石英玻璃、矽酸鋁玻璃等之透光性基板上，以濺射或真空蒸鍍等形成一般由鉻膜等之金屬薄膜所構成的遮光膜而成。
使用該空白光罩之光罩係經由下列步驟而製造：對於形成在空白光罩上之光阻膜，實施所期望之圖案曝光的曝光步驟、對形成在空白光罩上之光阻膜實施所期望之圖案曝光後供給顯像液，於顯像液溶解可溶之光阻膜的部位，形成光阻圖案之顯像步驟、將所得之光阻圖案作為遮罩，藉由使用硝酸鈰銨與過氯酸之混合水溶液所構成的蝕刻液之濕蝕刻、使用氯氣之乾蝕刻等蝕刻，除去未形成光阻圖案之遮光膜露出的部位，將規定之遮罩圖案形成在透光性基板上之蝕刻步驟、及剝離除去殘存之光阻圖案的剝離除去步驟。
將遮光膜在蝕刻步驟予以圖案化之間，在該遮光膜上所形成的光阻圖案必須留下充分的膜厚，但是光阻膜厚增厚時，尤其是形成微細圖案時，縱橫比變大，而產生圖案倒塌等問題。因此，為使在光罩所形成之遮罩圖案微細化，形成於空白光罩之光阻膜必須予以薄膜化。
針對此點，日本專利公開公報2007-33470號(專利文獻1)中揭示一種空白光罩，其係使遮光膜的膜厚為100nm以下，具有高蝕刻速度之鉻系化合物的膜厚佔70%以上之構成，藉以縮短蝕刻時間並實現光阻的薄膜化。具體而言，專利文獻1係揭示在透光性基板上積層半透明膜、CrON膜、Cr膜及CrON膜，上述CrON膜的膜厚佔70%以上之空白光罩。
然而，上述CrON膜僅能設定在波長450nm的每單位膜厚之光學濃度，無法針對ArF準分子雷射光以下的曝光光線予以最適化。尤其是超高NA微影術，因為對光罩之光入射角度變淺，因此發生經微細化的遮罩圖案本身係在轉印圖像產生陰影(蔭蔽(shadowing))的問題。遮光膜為厚時，因蔭蔽導致之光量降低(對比惡化)的影響大。而且剖面形狀亦容易偏差，與蔭蔽一起成為使CD(Critical Dimension)轉印精度惡化的主要原因。
[專利文獻1]特許公開公報2007-33470號
在上述狀況之下，尋求可形成微細遮罩圖案之空白光罩。又，尋求可將形成在遮光膜上之光阻膜薄化，結果不易發生圖案倒塌的轉印精度良好之空白光罩。具體而言，為了防止光阻圖案倒塌，藉由使光阻膜薄膜化而減低光阻圖案的縱橫比，來尋求具有hp45nm、hp32nm以下程度的解像性之光罩。
在空白光罩中，為使光阻膜薄膜化必須縮短遮光膜的蝕刻時間(ET)，亦即，必須變更遮光膜之構成。
蝕刻時間(ET)係藉由蝕刻速度(ER)、遮光膜的膜厚(d)及遮光膜圖案之剖面角度調整時間(過量蝕刻時間)(OET)加以決定。此等之關係係如下式。
ET=d/ER+OET=CET+OET‧‧‧(1)
(式(1)中，「CET」為透明酸蝕刻(clear etching)(適量蝕刻(just etching))時間，監控圖案(一般為數mm見方的大型去除圖案)的蝕刻為到達基板或相位移膜等下層膜的時間。
因此，由於謀求蝕刻速度(ER)之高速化、遮光膜膜厚(d)之薄膜化、過量蝕刻時間(OET)之縮短化等，故尋求具有蝕刻時間(ET)短的遮光膜之空白光罩。
為了縮短過量蝕刻時間(OET)，必須減少負載(loading)導致之剖面形狀偏差，惟若蝕刻速度(ER)太快時，過量蝕刻中發生Under-cut，另一方面，蝕刻速度(ER)太慢時，蝕刻時間(ET)變長。因此，尋求可控制縱方向之蝕刻速度(各層的蝕刻速度)，結果上能縮短過量蝕刻時間(OET)之空白光罩。
為使蝕刻速度(ER)高速化，通常必須降低金屬的含有率。然而，若降低抑制金屬的含有率時，每單位膜厚之光學濃度會降低，結果，遮光膜為了得到預定之光學濃度，而使必要膜厚變大。因此，尋求具有蝕刻速度(ER)為高速，且膜厚較薄而有充分光學濃度之遮光膜的空白光罩。
又，藉由例如防止非期望的蝕刻(例如Under-cut)等，尋求一種不隨圖案密度變化，蝕刻後之遮光膜剖面的角度均形成為對基板垂直，而且，蝕刻後之遮光膜剖面可形成光滑形狀之空白光罩。
[1]一種空白光罩，其特徵為係用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩，其中在透光性基板上具有遮光膜，前述遮光膜係具有從靠近透光性基板側起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，遮光膜整體膜厚為60nm以下，防內面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第1蝕刻速度，防表面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第3蝕刻速度，遮光層係由含有與防內面反射層或防表面反射層所含之金屬相同的金屬之膜所構成，且具有比第1蝕刻速度及第3蝕刻速度慢之第2蝕刻速度，遮光層的膜厚為遮光膜整體膜厚的30%以下。
[2]如[1]所記載之空白光罩，其中前述遮光層的膜厚為防內面反射層之膜厚的40%以下。
[3]如[1]或[2]所記載之空白光罩，其中前述遮光層與防表面反射層的膜厚比為1.0：0.7～1.0：7.0。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載之空白光罩，其中前述遮光層的膜厚為前述遮光膜整體膜厚的0.5%以上。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層的厚度為23～33nm、前述遮光層的厚度為2～6nm及前述防表面反射層的厚度為11～17nm。
[6]如[1]至[5]中任一項所記載之空白光罩，其中前述遮光膜整體之光學濃度為1.8～3.1，前述遮光層之光學濃度與全部防反射層之光學濃度的總和之比為1：5～1：19，前述防反射層由含有與遮光層所含之金屬相同的金屬、N及O的膜所構成，N與O的含量合計為40～65atom%。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防反射層的每單位膜厚之光學濃度為0.04nm-1 以下，前述遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05nm-1 以上。
[8]如[1]至[7]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層之光學濃度為1.1～1.3，前述遮光層之光學濃度為0.1～0.3，前述防表面反射層之光學濃度為0.4～0.6。
[9]如[1]至[8]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層之N與O的含量合計為40～55atom%，前述遮光層之N與O的含量合計為30atom%以下，前述防表面反射層之N與O的含量合計為45～65atom%。
[10]如[1]至[9]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層的每單位膜厚之光學濃度為0.03～0.04nm-1 ，前述遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05～0.06nm-1 。
[11]如[1]至[10]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層係金屬的含量為25～50atm%、N與O的含量合計為35～65atm%，及光學濃度為1.1～1.3，前述遮光層係含金屬與N，金屬的含量為50～90atm%、膜厚為2～6nm、及光學濃度為0.1～0.3，前述防表面反射層係金屬的含量為25～50atm%、N與O的含量合計為45～65atm%，及光學濃度為0.4～0.6。
[12]如[1]至[11]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層係Cr的含量為30～40atm%、N與O的含量合計為40～55atm%，並且光學濃度為1.1～1.3，前述遮光層係含Cr的含量為50～90atm%、N的含量為3～25atm%、並且光學濃度為0.1～0.3，前述防表面反射層係Cr的含量為30～40atm%、N與O的含量合計為50～60atm%。
[13]如[1]至[12]中任一項所記載之空白光罩，其中前述防內面反射層、遮光層及防表面反射層的各蝕刻速度係具有下列關係：第2蝕刻速度<第1蝕刻速度≦第3蝕刻速度。
[14]如[1]至[13]中任一項所記載之空白光罩，其中在前述透光性基板與遮光膜之間具有相位移膜，前述遮光膜整體膜厚為50nm以下。
[15]一種光罩，其係使用如[1]至[14]中任一項所記載之空白光罩來製作。
本發明較佳態樣的空白光罩之遮光膜薄膜化為可能的，藉此可縮短透明酸蝕刻時間(CET)，同時亦縮短過量蝕刻時間(OET)。尤其是本發明較佳態樣的空白光罩係在複數層(尤其是3層)構造之遮光膜中設置Cr等金屬之含有率高的遮光層(吸收層)，藉此遮光膜之薄膜化成為可能，可縮短透明酸蝕刻時間(CET)與過量蝕刻時間(OET)。
又，本發明較佳態樣的空白光罩係組合高蝕刻速度(ER)的含金屬(例如Cr)膜(防反射層)與低蝕刻速度(ER)的含金屬膜(吸收層)，而且使高蝕刻速度(ER)的層與低蝕刻速度(ER)的層之膜厚為規定之平衡，同時將低蝕刻速度(ER)的層配置在規定位置，藉此可縮短過量蝕刻時間(OET)。
本發明較佳態樣的空白光罩係可縮短透明酸蝕刻時間(CET)、過量蝕刻時間(OET)或兩者，而可薄化形成在遮光膜上之光阻。藉此，本發明較佳態樣的空白光罩係不容易發生圖案倒塌等問題，可形成微細遮罩圖案。
又，本發明較佳態樣的空白光罩藉由具有以規定之膜厚積層金屬含量相異之複數層的構造，因此遮光膜整體之蝕刻速度(ER)為高速，並且可提供具有規定之膜厚且具有充分光學濃度的遮光膜之空白光罩。
 (實施發明之最佳形態)
本發明之空白光罩係在透光性基板上具有遮光膜者。具體而言，在本發明之空白光罩中，遮光膜係可直接設於透光性基板、亦可在遮光膜與透光性基板之間設有相位移膜等其他膜。
又，本發明之空白光罩係包括形成有光阻膜之空白光罩亦包括未形成有光阻膜之空白光罩。
(1第1態樣)
本發明的發明人發現下列事項，而完成了第1態樣之空白光罩的發明：進行形成在透光性基板上的遮光膜之加工時，
(1)在遮光層及防表面反射層之2層構造中，以蝕刻速度慢的材料形成下層的遮光層時，過量蝕刻時間必須為長，會使總蝕刻時間增長，另一方面，以蝕刻速度快的材料形成下層時，可縮短透明酸蝕刻時間，但因負載(loading)會有使過量蝕刻時間變長的情形，因此2層構造係難以縮短蝕刻時間；
(2)為了縮短過量蝕刻時間，做成防內面反射層、遮光層及防表面反射層之3層構造，在最下層的防內面反射層較佳為使用蝕刻速度比遮光層快的材料；
(3)作為3層構造時，為了縮短過量蝕刻時間，而且使遮光膜圖案的剖面形狀為良好，較佳為將蝕刻速度慢的中間層的膜厚調整成整體膜厚的30%以下。
本發明第1態樣之空白光罩，其特徵係用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩，其中在透光性基板上具有遮光膜，前述遮光膜係具有從靠近透光性基板側起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，遮光膜整體膜厚為60nm以下，防內面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第1蝕刻速度，防表面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第3蝕刻速度，遮光層係由含有與防內面反射層或防表面反射層所含之金屬相同的金屬之膜所構成，且具有比第1蝕刻速度及第3蝕刻速度慢之第2蝕刻速度，遮光層的膜厚為遮光膜整體膜厚的30%以下。
(1.1透光性基板)
透光性基板若為具有透光性之基板則無特別限定，可使用石英玻璃基板、矽酸鋁玻璃基板、氟化鈣基板、氟化鎂基板等。此等之中，由於石英玻璃基板係平坦度及平滑度高、使用光罩而在半導體基板上進行圖案轉印時，不易產生轉印圖案之歪斜而可進行高精度之圖案轉印，因而較佳。
(1.2遮光膜)
本發明第1態樣之空白光罩的遮光膜係具有從靠近透光性基板側起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造。遮光膜若為具有防內面反射層、遮光層及防表面反射層之至少3層即可，亦可更具有1層以上的層。
(1.2.1各層之構成)
防內面反射層係在形成遮光膜的層之中，設於遮光層下側(靠近透光性基板側)的層。防內面反射層較佳為除了控制遮光膜的遮光性及蝕刻特性外，尚控制防反射功能、與相位移膜等之密接性之構成。防內面反射層只要是能將從形成有遮光膜側的相反側之透光性基板所入射的曝光光線，藉由防內面反射層反射至曝光光線源側，在不影響轉印特性的程度，抑制內面反射率的程度即可，相對於ArF準分子雷射光的波長宜為40%以下、較佳為30%以下、進一步較佳為20%以下。
遮光層係在形成遮光膜的層之中，設於防內面反射層與防表面反射層之間的層。遮光層係控制遮光膜的遮光性及蝕刻特性。又，較佳為在多層膜中具有最高遮光性的層。
防表面反射層係在形成遮光膜的層之中，設於遮光層上側(離透光性基板遠側)的層。防表面反射層較佳為除了控制遮光膜的遮光性及蝕刻特性以外，尚控制對於在空白光罩、光罩的洗淨之耐藥性的構成。又，防表面反射層係作為光罩使用時，可達成防止來自半導體基板等被轉印物的反射光再次返回被轉印物而使圖案精度惡化之效果，表面反射率對ArF準分子雷射光的波長宜為30%以下、較佳為25%以下、進一步較佳為20%以下。
第1態樣之空白光罩，當在防內面反射層中金屬的含量為小於25atm%、或N與O的含量合計為大於65atm%；在遮光層中，金屬的含量為小於50atm%；或防表面反射層中金屬的含量為小於25atm%、或N與O的含量合計為大於65atm%時，會無法得到作為遮光膜整體之充分，或膜厚變厚。另一方面，當在防內面反射層中金屬的含量為大於50atm%、或N與O的含量合計為小於35atm%；在遮光層中金屬的含量為大於90atm%；或防表面反射層中金屬的含量為大於50atm%、或N與O的含量合計為小於45atm%時，遮光膜的蝕刻時間會變長。
又，當在防表面反射層中金屬的含量為大於50atm%、或N與O的含量合計為小於45atm%時，表面反射率會變得過高，而無法得到對ArF準分子雷射光而言所要求之約20%以下的表面反射率。另一方面，當在防表面反射層中金屬的含量為小於25atm%、或N與O的含量合計為大於65atm%時，缺陷品質會惡化。
在第1態樣之空白光罩，當在防內面反射層中Cr的含量為小於30atm%、或N與O的含量合計為大於55atm%；在遮光層中Cr的含量為小於50atm%、或N的含量為大於25atm%；或在防表面反射層中Cr的含量為小於30atm%、或N與O的含量合計為大於60atm%時，會無法得到作為遮光膜整體之充分，或膜厚變厚。另一方面，當在防內面反射層中Cr的含量為大於40atm%、或N與O的含量合計為小於40atm%；在遮光層中Cr的含量為大於90atm%、或N的含量合計為小於3atm%；或防表面反射層中Cr的含量為大於40atm%、或N與O的含量合計為小於50atm%時，遮光膜的蝕刻時間會變長。
又，在第1態樣之空白光罩，若遮光層中N的含量為3～25atm%時，在一定的膜厚中可得較大之光學濃度而較佳。
在第1態樣之空白光罩，於防內面反射層較佳為金屬的含量為25～50atm%且N與O的含量合計為35～65atm%、更佳為Cr的含量為30～40atm%且N與O的含量合計為40～55atm%。
又，遮光層較佳係含金屬與N，並且金屬的含量為50～90atm%，更佳為N的含量為3～25atm%，並且Cr的含量為50～90atm%。
又，防表面反射層較佳為金屬的含量為25～50atm%、並且N與O的含量合計為45～65atm%，更佳為Cr的含量為30～40atm%、並且N與O的含量合計為50～60atm%。
(1.2.2各層的膜厚)
在第1態樣之空白光罩，由於蝕刻速度慢的遮光層之膜厚為整體膜厚的30%以下，因此可縮短遮光膜整體的蝕刻時間。若遮光層的膜厚大於遮光膜整體膜厚的30%，則遮光膜的膜厚雖可薄膜化，但由於蝕刻速度快的內面或防表面反射層之比例變少，因此無法縮短蝕刻時間。
又，在第1態樣之空白光罩，由於遮光層的膜厚為遮光膜整體膜厚的30%以下，因此能夠緩和於蝕刻遮光層之間，在上層之防表面反射層所發生之負載所導致的剖面形狀偏差。之後，由於以第1蝕刻速度高速地蝕刻防內面反射層，因此在蝕刻防內面反射層之間，可抑制進一步蝕刻在防表面反射層等之不欲蝕刻的部分，而使圖案的剖面形狀為良好。而且，藉由使遮光層之導入位置最適化，可使剖面形狀更為良好。
在第1態樣之空白光罩，遮光層的膜厚較佳為遮光膜整體膜厚的20%以下、若為10%以下時，可更縮短蝕刻時間且剖面形狀更為良好，因而較佳。蝕刻速度慢的中間層為厚時，在中間層之幅度為大，因其影響而使下層的防內面反射層的蝕刻面積亦變窄，總蝕刻時間增長，在第1態樣之空白光罩，中間層為薄時，在中間層之幅度為小，不會妨礙下層蝕刻的進行，因而較佳。
又，薄化遮光層方面，若使防內面反射層的膜厚增厚時，可使圖案剖面的角度形成更接近垂直的角度。換言之，在遮光膜中，藉由控制蝕刻速度慢的遮光層之位置，可使剖面形狀良好，且使圖案的再現性良好。
因此，在第1態樣之空白光罩，遮光層的膜厚較佳為防內面反射層之膜厚的40%以下、更佳為15%以下。
遮光層與防表面反射層的膜厚比值大於1.0/0.7時，防表面反射層變得太薄，無法具有所希望的防反射功能；膜厚比值小於1.0/7.0時，會無法縮短過量蝕刻時間。
因此，在第1態樣之空白光罩，遮光層與防表面反射層的膜厚比較佳為1.0：0.7～1.0：7.0、更佳為1.0：2.0～1.0：7.0。藉由具有此種膜厚比，可抑制進一步蝕刻在防表面反射層等之不欲蝕刻的部分，因而剖面形狀為良好，圖案再現性可為良好。
在第1態樣之空白光罩，遮光層的膜厚為前述遮光膜整體膜厚的0.5%以上、更佳為3%以上。藉此，微細圖案與比較大的圖案產生蝕刻速度差(微負載)，因此雖然遮光層過薄時微負載導致CD線性惡化，但能夠防止其發生。
(1.3光學濃度)
在本說明書，光學濃度(OD)係滿足下述關係。
OD(遮光膜整體)=OD(防表面反射層)+OD(遮光層)+OD(防反射層)
又，在本說明書，「每單位膜厚之光學濃度」係滿足下述關係。
每單位膜厚之OD(nm-1 )=膜(層)之OD/膜(層)厚在第1態樣之空白光罩，遮光膜整體之光學濃度係在1.8～3.1之範圍，遮光層之光學濃度與全部防反射層之光學濃度的總和之比為1：5～1：19，藉由防反射層擔任大部分遮光膜整體之光學濃度的構成。光學濃度雖與組成及膜厚相關，但由於防反射層之N與O的含量的合計為40～65atom%，因此為了得到希望的光學濃度，膜厚係變為較厚，但蝕刻速度為快。藉此，蝕刻速度快的層之膜厚比例變大，故可縮短蝕刻時間，結果可使光阻膜薄膜化。
在此，當前述遮光層之光學濃度與防反射層之光學濃度的比值大於1/5時，防反射層的蝕刻速度變慢，另一方面，上述比值小於1/19則防反射層的膜厚會變得過厚。又，防反射層之N含量與O含量合計為大於65atom%時，膜厚變厚，另一方面，上述合計小於40atom%則蝕刻速度變慢。
在第1態樣之空白光罩，防內面反射層之光學濃度小於1.1時，光學濃度為不足，因此必須增厚各層之任一者的膜厚，另一方面，該光學濃度大於1.3時，由於蝕刻速度變慢，故各薄膜化係為困難。
又，遮光層之光學濃度小於0.1時，由於遮光膜整體之光學濃度為不足，因此必須增厚各層之任一者的膜厚，並且在遮光層之反射降低而無法得到充分的干涉效果。其結果，表面反射率變高而無法得到希望的反射率。又，遮光層之該光學濃度大於0.3時，則蝕刻時間變長，光阻薄膜化係為困難。
再者，防表面反射層之光學濃度小於0.4時，反射率變得過低並且整體膜厚變厚，該光學濃度大於0.6時，反射率變得過高。
因此，第1態樣之空白光罩係防內面反射層之光學濃度為1.1～1.3，遮光層之光學濃度為0.1～0.3，防表面反射層之光學濃度為0.4～0.6，藉此可容易得到具有所希望的膜厚、蝕刻速度及光學特性之遮光膜。
具體而言，試著比較具有光學濃度為1.9之遮光膜的3個態樣之空白光罩((1)光學濃度低之遮光膜；(2)光學濃度高之遮光膜；(3)組合光學濃度高的層與光學濃度低的層之3層構造遮光膜)。
(1)光學濃度低之遮光膜
形成高ER且每單位膜厚OD=0.036nm-1 之單層遮光膜時，遮光膜的膜厚為53nm。此時，透明酸蝕刻時間雖為最短，但過量蝕刻時間變長，會無法得到垂直的形狀。
(2)光學濃度高之遮光膜
形成低ER且每單位膜厚OD=0.05nm-1 之單層遮光膜時，膜厚為38nm。此時，透明酸蝕刻時間為最長，過量蝕刻時間亦變長，會無法得到垂直的形狀。
(3)組合光學濃度高的層與光學濃度低的層之3層構造遮光膜
以光學濃度低的層(每單位膜厚OD=0.039nm-1 )、光學濃度高的層(每單位膜厚OD=0.05nm-1 )及光學濃度低的層(每單位膜厚OD=0.036nm-1 )之3層形成遮光膜時，例如各層的膜厚分別為30nm、4nm及14nm，藉此可實現。此時，透明酸蝕刻時間為上述(1)之遮光膜與(2)之遮光膜的中間程度之時間，過量蝕刻時間係最適化。
由此點亦可明白，組合光學濃度高的層與光學濃度低的層之遮光層係可謀求蝕刻時間之縮短化。藉此，可實現光阻薄膜化、剖面形狀良化及減低負載導致之CD偏差。
(1.4蝕刻速度)
第1態樣之空白光罩係比具有第1蝕刻速度(防內面反射層之蝕刻速度)及第3蝕刻速度(防表面反射層之蝕刻速度)更慢的第2蝕刻速度(遮光層之蝕刻速度)。蝕刻速度係可例如藉由使金屬膜含有氧來使其上升。
(2第2態樣)
使含有構成遮光膜的金屬之層中含有氧時，雖然蝕刻速度上昇，但每單位膜厚之光學濃度變小，因此遮光層的膜厚變厚。又，在縱方向沒有蝕刻速度差的單一速度之膜係容易產生負載導致之剖面形狀偏差。
又，以ArF準分子雷射光曝光之光罩時，為了防止來自半導體基板等被轉印物的反射光再次返回被轉印物而使圖案精度惡化，較佳為具有防內面反射層及防表面反射層之構成。然而，藉由該積層構造，遮光膜係有一定膜厚(例如60nm)以下的限制，進行膜設計時，若遮光層的膜厚變厚，則內面或防表面反射層的膜厚必須變薄，但是僅單純地變薄係無法確保整體遮光性、反射率等光學特性。
因此，本發明第2態樣之用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩的特徵係在透光性基板上具有遮光膜，前述遮光膜為具有從靠近前述透光性基板側依序積層有防內面反射層、遮光層及防表面反射層的積層構造，且遮光膜整體膜厚為60nm以下，防內面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第1蝕刻速度，防表面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第3蝕刻速度，遮光層係由與防內面反射層或防表面反射層所含之金屬相同的金屬及含有氮之金屬氮化膜而成，具有比第1蝕刻速度及第3蝕刻速度慢的第2蝕刻速度。
藉由使金屬經過氮化，產生結晶構造之變化或膜密度的降低，因此遮光層含有氮的情形與純金屬膜的情況相比，可緩和拉伸應力、容易調整膜應力。
在第2態樣之空白光罩，藉由使遮光層為蝕刻速度慢的金屬氮化膜。能夠維持光學濃度為高，同時可使遮光膜薄膜化。藉此，能夠輕易地設計積層構造且整體膜厚為一定膜厚以下之具有期望的光學特性之遮光膜，可實現光阻膜之薄膜化。
又，若根據第2態樣之空白光罩，金屬氮化膜的第2蝕刻速度係比防內面反射層、防表面反射層之蝕刻速度慢，因此可在縱方向之蝕刻賦予變化。亦即，在將蝕刻速度慢的金屬氮化膜予以蝕刻之間，可緩和在蝕刻速度快的防表面反射層所產生之負載所導致的剖面形狀之偏差。於遮光層的蝕刻結束後，由於以第1蝕刻速度高速地蝕刻防內面反射層，因此在蝕刻防內面反射層之間，可抑制進一步蝕刻在防表面反射層等之不欲蝕刻的部分，而使圖案的剖面形狀為良好。
(3第3態樣) (1)本發明第3態樣之用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩的特徵為
在透光性基板上具有遮光膜，遮光膜係具備遮光層與至少一層之防反射層，遮光膜整體之光學濃度為1.8～3.1，遮光層之光學濃度與全部防反射層之光學濃度的總和之比為1：5～1：19，遮光層係由含有金屬的膜所構成，防反射層係由與遮光層所含之金屬相同的金屬且含有N及O的膜所構成，N與O的含量合計為40～65atom%。
第3態樣之空白光罩係遮光膜整體之光學濃度在1.8～3.1之範圍之範圍，遮光層之光學濃度與全部防反射層之光學濃度的總和之比為1：5～1：19，藉由防反射層擔任大部分遮光膜整體之光學濃度的構成。光學濃度係與組成及膜厚相關，由於防反射層的N與O的含量之合計為40～65atom%，因此為了得到希望的光學濃度，膜厚係變為較厚，但蝕刻速度為快。藉此，蝕刻速度快的層之膜厚比例變大，故可縮短蝕刻時間，結果可使光阻膜薄膜化。
在第3態樣之空白光罩，前述遮光層之光學濃度與防反射層之光學濃度的比值大於1/5時，防反射層的蝕刻速度變慢，另一方面，上述比值小於1/19則防反射層的膜厚變得過厚。又，在第3態樣之空白光罩，若防反射層之N含量與O含量合計大於65atom%，則膜厚變厚，另一方面，上述合計小於40atom%則蝕刻速度變慢。
(2)在第3態樣之空白光罩，較佳為防反射層的每單位膜厚之光學濃度為0.04nm-1 以下，遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05nm-1 以上。
前述遮光膜係包括下列態樣：具有從靠近透光性基板起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，防內面反射層之光學濃度為1.1～1.3，遮光層之光學濃度為0.1～0.3，防表面反射層之光學濃度為0.4～0.6。
該態樣之空白光罩係藉由使各層之光學濃度在此等範圍内，而能夠容易得到具有期望的膜厚、蝕刻速度及光學特性之遮光膜。
在第3態樣之空白光罩，防內面反射層之光學濃度小於1.1時則光學濃度不足，因此必須增厚各層中任一層的膜厚，另一方面，該光學濃度大於1.3時則蝕刻速度變慢，因此各薄膜化變得困難。
又，在第3態樣之空白光罩時，由於遮光層之光學濃度小於0.1時，遮光膜整體之光學濃度為不足，必須增厚各層中任一層的膜厚，並且在遮光層之反射降低而無法得到充分的干涉效果。其結果，表面反射率變高而無法得到希望的反射率。又，遮光層之該光學濃度為大於0.3時，則蝕刻時間變長，光阻薄膜化係為困難。
再者，在第3態樣之空白光罩，防表面反射層之光學濃度小於0.4時，反射率變得過低並且整體膜厚變厚，該光學濃度大於0.6時，反射率變得過高。
(3)在第3態樣之空白光罩，係包括下列態樣：遮光膜具有從靠近透光性基板起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，
防內面反射層之N與O的含量合計為40～55atom%，遮光層之N與O的含量合計為30atom%以下，防表面反射層之N與O的含量合計為45～65atom%。
該態樣之空白光罩係藉由使各層之N與O的含量為規定之範圍内，而能夠容易地得到具有期望的膜厚、蝕刻速度及光學特性之遮光膜。
在第3態樣之空白光罩，防內面反射層之N與O的含量合計為小於40atom%時，則蝕刻速度變慢，N與O的含量合計為大於55atom%時，則光學濃度變小(膜厚增厚)，各薄膜化係為困難。
又，在第3態樣之空白光罩，，遮光層之N與O的含量合計為大於30atom%時，則蝕刻速度變慢，薄膜化係為困難。
再者，在第3態樣之空白光罩，防表面反射層之N與O的含量合計為小於45atom%時，蝕刻速度變慢，N與O的含量合計為大於65atom%時，則光學濃度變小(膜厚增厚)，各薄膜化係為困難。
在第3態樣之空白光罩，較佳為防內面反射層的每單位膜厚之光學濃度為0.03～0.04nm-1 ，遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05～0.06nm-1 。
(4第4態樣)
本發明第4態樣之用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩的特徵為在透光性基板上具有遮光膜，前述遮光膜具有從靠近透光性基板側起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，防內面反射層係使用Cr標靶，在惰性氣體為45～65vol%、CO2 氣體為30～50vol%、N2 氣體為1～15vol%之混合氣體環境中所形成的CrOCN膜而成，遮光層係使用Cr標靶，在惰性氣體為70～90vol%、N2 氣體為5～25vol%之混合氣體環境中所形成的CrN膜而成，防表面反射層係使用Cr標靶，在惰性氣體為40～60vol%、CO2 氣體為25～45vol%、N2 氣體為5～20vol%之混合氣體環境中所形成的CrOCN膜而成。
第4態樣之空白光罩較佳係膜厚為60nm以下、具有期望的光學特性之積層構造之空白光罩。
又，在第4態樣之空白光罩，形成防反射層時雖可使用O2 氣體、NO氣體，惟若欲形成氧化度高的膜時，為使電漿安定化，必須在氣體壓力較高的狀態進行濺射。如此進行所得的膜係脆化，已附著於反應室内的膜係剝離而附著至成膜中之基板，因此缺陷品質係容易惡化。
相對於此，使用CO2 氣體時，在氣體壓力較低的狀態可控制氧化度，可在膜質不會脆化的程度之氣體流量下進行成膜。
因此，由改善缺陷品質的點來看，第4態樣之空白光罩，較佳為使用CO2 氣體來作為用於形成構成遮光膜之相所用的環境氣體。
(2)在第4態樣之空白光罩係包括用以形成防內面反射層之惰性氣體係由10～30vol%之Ar氣體、與20～40vol%之He氣體而成，用以形成防表面反射層之惰性氣體係由10～30vol%之Ar氣體、與20～40vol%之He氣體而成的態樣。
若根據該態樣之空白光罩，當在環境氣體放入He氣體時，在Cr系遮光膜的情況下所得層的壓縮應力增加，因此可控制膜應力，又，由於He氣體主要僅作用於膜應力之控制，使膜應力設計變得容易，因而較佳。
(5第5態樣)
(1)本發明第5態樣之用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩的特徵為在透光性基板上具有遮光膜，前述遮光膜具有從靠近透光性基板側起依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，防內面反射層的金屬含量為25～50atm%、N與O的含量合計為35～65atm%，及光學濃度為1.1～1.3，遮光層係含金屬與N，金屬的含量為50～90atm%、膜厚為2～6nm、及光學濃度為0.1～0.3，防表面反射層係金屬的含量為25～50atm%、N與O的含量合計為45～65atm%，及光學濃度為0.4～0.6。
在第5態樣之空白光罩，若在防內面反射層中金屬的含量為小於25atm%、或N與O的含量合計為大於65atm%；在遮光層中金屬的含量為小於50atm%；或在防表面反射層中金屬的含量為小於25atm%、或N與O的含量合計為大於65atm%時，會無法得到作為遮光膜整體之充分光學濃度。另一方面，若在防內面反射層中金屬的含量為大於50atm%、或N與O的含量合計為小於35atm；在遮光層中金屬的含量為大於90atm%；或在防表面反射層中金屬的含量為大於50atm%、或N與O的含量合計為小於45atm%時，遮光膜的蝕刻時間會變長。
又，在第5態樣之空白光罩，若遮光層中N的含量為3～25atm%時，由於能在一定的膜厚得到較大之光學濃度而較佳。
在第5態樣之空白光罩之遮光層，N的含量較佳為3～25atm%。再者，在空白光罩之遮光層，每單位膜厚之光學濃度較佳為0.05～0.06nm-1 。
(2)第5態樣之空白光罩係包括下列態樣：第5態樣之空白光罩係防內面反射層中Cr的含量為30～40atm%、N與O的含量合計為40～55atm%，並且光學濃度為1.1～1.3，遮光層係含Cr的含量為50～90atm%、N的含量為3～25atm%，並且光學濃度為0.1～0.3，防表面反射層係Cr的含量為30～40atm%、N與O的含量合計為50～60atm%，並且光學濃度為0.4～0.6。
該態樣之空白光罩中，若在防內面反射層，Cr的含量為小於30atm%、或N與O的含量合計為大於55atm%；在遮光層中Cr的含量為小於50atm%、或N的含量為大於25atm%；或防表面反射層中Cr的含量為小於30atm%、或N與O的含量合計為大於60atm%時，會無法得到作為遮光膜整體之充分光學濃度。另一方面，當在防內面反射層中Cr的含量為大於40atm%、或N與O的含量合計為小於40atm%；在遮光層中Cr的含量為大於90atm%、或N的含量合計為小於3atm%；或在防表面反射層中Cr的含量為大於40atm%、或N與O的含量合計為小於50atm%時，遮光膜的蝕刻時間會變長。
(3)在第5態樣之空白光罩包括遮光膜的膜厚為60nm以下之態樣。
(4)又，在第5態樣之空白光罩包括防內面反射層的厚度為23～33nm、遮光層的厚度為2～6nm及防表面反射層的厚度為11～17nm之態樣。
該態樣之空白光罩中，遮光膜的膜厚較佳為60nm以下。因此，若構成遮光膜之遮光層的膜厚越大，防內面反射層與防表面反射層的合計膜厚有變小的傾向，另一方面，若構成遮光膜之遮光層的膜厚變小，防內面反射層與防表面反射層的合計膜厚有變大的傾向。又，防內面反射層與防表面反射層係基於金屬含量等組成之性質，與遮光層相比，雖然蝕刻速度為快，但有每單位膜厚之光學濃度為小的傾向。
因此，在第5態樣之空白光罩中，於遮光膜的膜厚為60nm以下之限制下，即使防內面反射層為大於33nm之厚度、並且防表面反射層為大於17nm之厚度，若遮光層為小於2nm的厚度時，會無法得到作為遮光膜整體之充分光學濃度。另一方面，在遮光膜的膜厚為60nm以下之限制下，即使防內面反射層為小於23nm的厚度，且防表面反射層為小於11nm的厚度，若遮光層為大於17nm之厚度時，遮光膜整體的蝕刻時間會變長。
(5)在第5態樣之空白光罩，係包括防內面反射層係具有第1蝕刻速度，防表面反射層係具有第3蝕刻速度，遮光層係具有比第1蝕刻速度及第3蝕刻速度慢的第2蝕刻速度之態樣。
(6第1～第5態樣之空白光罩中的較佳態樣) (6.1蝕刻速度)
在第1～第5態樣之空白光罩中，若為「第2蝕刻速度<第1蝕刻速度≦第3蝕刻速度」之關係時，圖案剖面之角度係接近於垂直，因而較佳。又，若為第1蝕刻速度<第3蝕刻速度，則圖案剖面之角度更接近垂直，因而更佳。
又，第3蝕刻速度與第2蝕刻速度之比較佳為1.0：1.1～1.0：2.0。蝕刻速度比大於2.0時，在防反射層與遮光層之剖面會產生段差，另一方面，小於1.1倍時，會無法縮短整體的蝕刻時間。又，以前述第3蝕刻速度為0.67nm/sec以上，前述第2蝕刻速度為0.44nm/sec以下為較佳。
(6.2遮光膜的組成)
在第1～第5態樣之空白光罩中，作為防反射層(防內面反射層、防表面反射層等)或遮光層中所含之金屬，較佳為Cr、Mo、W、Ta等過渡金屬，由於Cr係以氯系及氧系進行乾蝕刻，故與玻璃基板或半色調型相位移膜的選擇比係為平衡，因此為特佳。又，Cr不僅為乾蝕刻，亦可為濕蝕刻，因此與其他金屬相比為更佳。
在第1～第5態樣之空白光罩中，防內面反射層或防表面反射層中Cr的含量為50atm%以下，係至少含O、C、N之任一者的層，遮光層較佳係Cr含量為50atm%以上之膜。藉由具有此種構成，可容易形成具有第2蝕刻速度<第1或第3蝕刻速度之關係的膜。
防內面反射層或防表面反射層較佳係由CrN、CrON、CrO、CrC、CrCO或CrOCN構成，此等之中，特佳為由CrOCN所構成。
又，遮光層係由CrN、CrON、CrO、CrC、CrCO或CrOCN構成，更佳為CrN或CrON所構成。
防內面反射層或防表面反射層係由CrOCN構成時，較佳為混合有Cr-Cr鍵結成份與CrOx Ny 成分之態樣。又，遮光層係由CrN構成時，較佳為Cr-Cr鍵結成份為主體、CrOx Ny 成分為少量之態樣。藉由增多CrOx Ny 成分，能夠使蝕刻速度變快。
再者，本實施形態之防內面反射層或防表面反射層較佳為緻密的非晶構造。
又，較佳為碳係鉻碳化物(Cr-C)為主體、混合存在其他成分C-C、C-O、C-N之狀態。
又，防內面反射層與防表面反射層係以彼此組成相同，組成比與膜厚互異者為佳。藉由具有此種構成，由於能使形成防內面反射層與表面防止反射相時的環境氣體相同，因此遮光膜的成膜步驟為容易。此時，調整氧化度以使防表面反射層之缺陷品質為良好，且調整防內面反射層使光學濃度提高、同時降低反射率係為容易。
(6.3遮光膜之光學濃度)
在第1～第5態樣之空白光罩中，較佳為對ArF準分子雷射光之遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05nm-1 以上。
(6.4平坦性變化量)
在第1～第5態樣之空白光罩中，成膜前後之平坦性變化量較佳為0.05μm以下。
(6.5光阻膜‧蝕刻遮罩膜)
在第1～第5態樣之空白光罩中，亦可在遮光膜上設置膜厚為200nm以下、更佳為150nm以下之光阻膜。
又，在第1～第5態樣之空白光罩中，亦可在遮光膜上設置蝕刻遮罩膜。遮光膜含Cr時，蝕刻加工通常係在蝕刻氣體使用氯及氧，以二氯二氧化鉻(chromyl chloride)的形態使其昇華，惟由於光阻的主成分為碳，故對氧電漿而言光阻係非常弱。因此，藉由設置蝕刻遮罩膜，能夠減低對光阻膜之負載，故可使光阻膜比100nm以下更加地薄膜化。遮光膜係以Cr為主成分時，蝕刻遮罩膜較佳為以5～20nm的膜厚設置選擇比高的SiON、SiN、SiO2 、MoSiON、MoSiN等。又，即使是含有20%以上之Si的有機膜，藉由使膜厚為20～40nm，亦可作為蝕刻遮罩膜設置。
在第1～第5態樣之空白光罩中，藉由在遮光膜上設置蝕刻遮罩膜，能夠使光阻更加薄膜化。具體而言，本發明人發現若使光阻膜厚為100nm以下時，圖案形狀顯著惡化，由於將遮罩圖案轉印於蝕刻遮罩膜時的LER(Line Edge Roughness)惡化，因此必須縮短蝕刻遮罩膜的蝕刻時間。上述實施形態之遮光膜由於蝕刻時間短，故可使蝕刻遮罩膜的膜厚變薄，能夠縮短蝕刻遮罩膜的蝕刻時間。
又，在第1～第5態樣之空白光罩中，若在遮光膜之防表面反射層或防內面反射層具有非晶構造時，由於其表面粗度為小，故能夠使上層蝕刻遮罩膜之表面粗度減小，因而較佳。其結果，將蝕刻遮罩膜進行蝕刻時的剖面形狀及LER變為良好，因此將蝕刻遮罩膜圖案作為遮罩蝕刻下層之遮光膜時，能夠防止遮光膜之剖面形狀及LER惡化。
(6.6關於本發明之空白光罩等)
在本說明書中，「空白光罩」係包括二元式空白光罩及半色調型相位轉移空白光罩，又，「光罩」係包括二元式遮罩及相位轉移遮罩之概念。
半色調型相位轉移空白光罩係在透光性基板與遮光膜之間具有半色調型相位移膜。
半色調型相位轉移空白光罩中相位移膜的透過率較佳為2～40%。
又，在半色調型相位轉移空白光罩，以遮光膜整體膜厚為50nm以下，相位移膜之透過率為2～6%的空白光罩為較佳。另一方面，為了提高所轉印之圖案的解像性，相位移膜之透過率較佳為7～20%。
設置相位移膜時，較佳為MoSiN或MoSiON所構成的材料。藉由在此等材料而成的相位移膜上設置本實施形態之遮光膜，與先前設置Cr系遮光膜的情形相比，可使相位移膜圖案的LER變為良好。
具體而言，先前的Cr系遮光膜為多空隙狀柱狀構造，因此Cr系遮光膜圖案的LER變大，故儘管相位移膜為非晶構造，當乾蝕刻相位移膜時，由於Cr系遮光膜的LER會使相位移膜圖案之LER惡化。然而，在本發明之較佳態樣，由於遮光膜中的防表面反射層或防內面反射層為非晶構造，故乾蝕刻遮光膜時遮光膜圖案的LER能夠減小。其結果，將遮光膜圖案作為遮罩乾蝕刻相位移膜時，不會使相位移膜圖案的LER惡化，可使相位移膜之LER成為良好。
(7光罩及其製造方法)
針對由本發明之空白光罩所得之光罩及其製造方法加以說明。
首先，在形成有遮光膜之空白光罩塗布光阻、並乾燥而得到光阻膜。光阻必須選擇對應所使用之描繪裝置的適當之物，惟通常使用之EB描繪用係在聚合物中具有芳香族骨架之正型或負型光阻，又，作為本發明特別有效使用之微細圖案用的光罩製造用，宜使用化學增幅型光阻。
必須在光阻膜厚為可得良好圖案形狀之範圍，且可達成作為蝕刻遮罩之功能的範圍，特別地，作為ArF曝光用遮罩形成微細圖案時，膜厚較佳為200nm以下、更佳為150nm以下。此外，利用藉由使用矽系樹脂之光阻與使用芳香族系樹脂之下層膜的組合之2層光阻法、或組合芳香族系化學增幅型光阻與矽系表面處理劑之表面成像法時，亦能更減低膜厚。塗布條件、乾燥方法係依照所使用之各光阻適當地選擇適合方法。
此外，為了減低微細光阻圖案的剝離、倒塌等問題的發生，亦可在塗布光阻前，於空白光罩之表面上形成樹脂層。又，代替樹脂層之形成，亦可在塗布光阻前，進行用以降低基板(空白光罩)表面之表面能量的表面處理。作為表面處理之方法，可舉出例如在半導體製程常用之HMDS或以其他有機矽系表面處理劑將表面予以烷基矽烷化之方法。
接著，在形成有光阻膜之空白光罩中對光阻之描繪係有藉由EB照射之方法、藉由光照射之方法，惟一般藉由EB照射之方法為用以形成微細圖案的較佳方法。使用化學增幅型光阻時，通常利用3～40μC/cm2 範圍的能量進行描繪，描繪後進行加熱處理，之後將光阻膜進行顯像處理而得到光阻圖案。
將上述所得之光阻圖案當作蝕刻遮罩進行遮光膜或遮光膜與其他膜(相位移膜等)之蝕刻加工。蝕刻加工係依照遮光膜(表面層、遮光層、防反射層等)或其他膜的組成可使用眾所周知的氯系或氟系乾蝕刻。
藉由蝕刻得到遮光圖案後，以規定之剝離液剝離光阻時，可得形成有遮光膜圖案之光罩。
(8圖案轉印)
本發明之光罩特別有用於作為利用開口數為NA>1之曝光方法及200nm以下之曝光光線波長，形成半導體設計規則中DRAM半節距(hp)45nm以下之微細圖案的圖案轉印方法中所使用之遮罩。
本發明之空白光罩係用以於空白光罩上形成小於100nm線寬之光阻圖案的情況下特別有效。作為此種空白光罩，可舉出具有OPC構造之遮罩。在該OPC遮罩中，為使主要圖案的解像性提升而設置在主要圖案周圍之補助圖案之寬度為最狹窄，故在使用具有此等圖案之光罩的圖案轉印中特別有用。
(實施例)
以下使用實施例具體地說明本發明，惟本發明係不受下述實施例限制。
[實施例1]
在本實施例，製造於透光性基板10上設有相位移膜5、與3層所構成之遮光膜的半色調型相位轉移空白光罩(參照第1圖)。
首先，在尺寸6吋見方、厚度0.25吋之石英玻璃所構成的透光性基板10上，使用疊層式濺射裝置，形成以Mo、Si及N為主要構成要素之單層構成的ArF準分子雷射(波長193nm)用半色調型相位移膜5(膜厚69nm)。
如表1所示，濺鍍(DC濺鍍)的條件如下。
濺射標靶：Mo與Si之混合標靶(Mo：Si=8：92mol%)
濺鍍氣體：Ar、N2 與He之混合氣體環境(Ar：9sccm、N2 ：81sccm、He：76sccm)
放電中之氣體壓力：0.3Pa
施加電力：2.8kW
在ArF準分子雷射(波長193nm)，所得之相位移膜5的透過率係分別為5.5%、相位轉移量為約180°。
接著，使用與形成相位移膜5之裝置同樣的濺射裝置，形成CrOCN所構成的防內面反射層3(膜厚30nm)。濺鍍(DC濺鍍)的條件係如表1所示。
之後，使用與形成防內面反射層3之裝置同樣的濺射裝置，形成CrN所構成之遮光層2(膜厚4nm)。濺鍍(DC濺鍍)的條件係如表1所示。
進一步使用與形成遮光層2之裝置同樣的濺射裝置，形成CrOCN所構成的表面層1(膜厚14nm)，濺鍍(DC濺鍍)的條件係如表1所示。
此外，若表1中的濺射氣體流量係換算成體積百分率時，係如以下所示
防表面反射層1：Ar=21.0vol%、CO2 =36.8vol%、N2 =10.5vol%、He=31.6vol%
遮光層2：Ar=83.3vol%、N2 =16.7vol%
防內面反射層3：Ar=22.0vol%、CO2 =38.9vol%、N2 =5.6vol%、He=33.3vol%
如此進行，而得在石英玻璃構成的透光性基板上依序積層有相位移膜5、防內面反射層3、遮光層2、表面層1之空白光罩。由防內面反射層3、遮光層2及表面層1所構成之遮光膜對波長193.4nm的光之光學濃度(OD)為1.9。又，各層之光學濃度係如表1所示。
又，利用RBS(Rutherford Backscattering Spectrometry)分析所得空白光罩之表面層1、遮光層2與防內面反射層3的組成及原子數密度。RBS係對於面密度(atms/cm2 )之表面組成在深度方向進行分析之方法，若每層的膜厚為已知，可由下式算出原子數密度(atms/cm3 )。
原子數密度=面密度/膜厚
藉由上述方法，算出表面層1之原子數密度。
其結果，表面層1(膜厚14nm)的膜組成係Cr為34atom%、C為11atom%、O為39atom%及N為16atom%。又，防表面反射層1之鉻比係C/Cr為0.3、O/Cr為1.2、N/Cr為0.5。再者，防表面反射層1的原子數密度為10.5×1022 atms/cm3 。
遮光層2(膜厚4nm)的膜組成係Cr為至少64atom%以上、N為至少8atom%以上。
又，防內面反射層3(膜厚30nm)的膜組成係Cr為36atom%、C為15atom%、O為39atom%及N為9atom%。又，防內面反射層3之鉻比係C/Cr為0.4、O/Cr為1.1、N/Cr為0.3。
又，以TEM(透射型電子顯微鏡)及X射線繞射裝置(XRD)觀察所得空白光罩的剖面，防表面反射層1係顆粒大小為1～2nm之非晶構造。使用原子力顯微鏡(AFM)測定表面粗度，Ra=0.45nm。
對本實施例所得之空白光罩，以流量1.4L/分鐘供給濃度50ppm之臭氧水60分鐘、邊以搖臂裝置(swing arm)搖動邊供給至基板表面，分別測定遮光膜接觸臭氧水液體後之遮光膜的膜厚、表面反射率及光學濃度之變化量，來進行耐藥性之評價。
結果，遮光膜的膜厚係不因臭氧水之噴霧而改變。又，表面反射率係在波長193nm的光係變化+0.82%。遮光膜之光學濃度為變化-0.04。
又，藉由濺鍍在玻璃基板直接形成與本實施例之防表面反射層1完全相同的層，對防表面反射層1以濃度50ppm之臭氧水噴霧60分鐘，測定其反射率之變化量。此外，本實施例之測定係以分光光度計(日立High Technology製：U-4100)，在臭氧水噴霧前後測定反射光譜，計算其變化量。
結果，波長193nm的光係變化+0.7%、257nm的光係變化+1.5%、365nm係變化+2.0%、488nm係變化+1.2%。本說明書中，「+」係表示反射率增加，「-」係表示反射率減少。
如此可確認本實施例之遮光膜係對臭氧處理具有高耐藥性。
(光罩之製作)
在所得空白光罩上藉由旋轉塗布法，以膜厚成為150nm的方式塗布電子線描繪(曝光)用化學增幅型正型光阻(PRL009：富士軟片電子材料公司製)。對所形成之光阻膜用電子線描繪裝置進行所期望之圖案描繪後，以規定之顯像液進行顯像而形成光阻圖案。
接著，沿著上述光阻圖案，進行由防內面反射層3、遮光層2及防表面反射層1構成之遮光膜的乾蝕刻，以形成遮光膜圖案。使用Cl2 與O2 (Cl2 ：O2 =4：1)之混合氣體作為乾蝕刻氣體。
在上述遮光膜之乾蝕刻，各層的蝕刻速度係如表1。遮光膜整體的透明酸蝕刻時間為84.5sec，確認與後述比較例1相比有約8%之縮短。又，使用SEM(Scanning Electron Microscopy)剖面觀察遮光膜圖案，遮光膜的剖面角度係良好的對基板形成為垂直。再者，確認即使縮短過量蝕刻時間亦可得垂直的剖面形狀，總蝕刻時間與比較例1相比可縮短約20%。
接著，將上述光阻圖案及遮光膜圖案當作遮罩進行相位移膜之蝕刻，形成相位移膜圖案。在該相位移膜的蝕刻中，雖影響上述遮光膜圖案的剖面形狀，但遮光膜圖案的剖面形狀為良好，因此相位移膜圖案的剖面形狀亦為良好。
之後，剝離殘存之光阻圖案，再度塗布光阻膜，進行圖案曝光以去除轉印範圍内之不需要的遮光膜圖案後，將該光阻膜顯像而形成光阻圖案。接著，進行濕蝕刻去除不需要的遮光膜圖案，剝離殘存之光阻圖案而得光罩。
對所得光罩進行解像性評價。光阻膜的解像性為良好，遮光膜圖案之解像性為小於60nm(相當於DRAM hp32nm)。
在實施例1所製造之半色調型相位轉移空白光罩中，將遮光層的膜厚當作1時，防表面反射層的膜厚比為3.5、相對於遮光膜之整體膜厚而言遮光層的膜厚比例為8%，對防內面反射層的膜厚而言遮光層的膜厚比例為13%(參照表2)。
[實施例2]
在本實施例，製造於透光性基板10上設有3層所構成之遮光膜的二元式空白光罩(參照第2圖)。
亦即，除了將濺鍍的條件設定為如表1所示以外，以與實施例1相同條件進行反應性濺鍍。
此外，若表1中的濺射氣體流量係換算成體積百分率時，係如以下所示
防表面反射層1：Ar=21.0vol%、CO2 =36.8vol%、N2 =10.5vol%、He=31.6vol%
遮光層2：Ar=30.8vol%、NO=23.1vol%、He=46.2vol%
防內面反射層3：Ar=23.5vol%、CO2 =29.4vol%、N2 =11.8vol%、He=35.3vol%
如此進行，如第2圖所示，得到在石英玻璃所構成的透光性基板10上依序積層有防內面反射層3、遮光層2、防表面反射層1之空白光罩。此外，由防內面反射層3、遮光層2及防表面反射層1構成的遮光膜對波長193.4nm的光之光學濃度(OD)為3。又，各層之光學濃度係如表1所示。
接著，與實施例1同樣地，藉由RBS分析所得防表面反射層1、遮光層2及防內面反射層3的組成與表面層1的原子數密度。
結果，防表面反射層1(膜厚14nm)的膜組成係Cr為32atom%、C為16atom%、O為37atom%及N為16atom%。又，防表面反射層1之鉻比係C/Cr為0.5、O/Cr為1.2、N/Cr為0.5。再者，防表面反射層1的原子數密度為11.0×1022 atms/cm3 。
遮光層2(膜厚25nm)的膜組成係Cr為87atom%、O為9atom%及N為4atom%。又，遮光層2之鉻比係O/Cr為0.1、N/Cr為0.05。
又，防內面反射層3(膜厚25nm)的膜組成係Cr為49atom%、C為11atom%、O為26atom%及N為14atom%。又，防內面反射層3之鉻比係C/Cr為0.2、O/Cr為0.5、N/Cr為0.3。
又，以TEM(透射型電子顯微鏡)及X射線繞射裝置(XRD)觀察所得空白光罩的剖面，防表面反射層1係顆粒大小為1～2nm之非晶構造。使用原子力顯微鏡(AFM)測定表面粗度，Ra=0.28nm。
對本實施例所得之空白光罩1，以流量1.4L/分鐘供給濃度50ppm之臭氧水60分鐘、邊以搖臂裝置(swing arm)搖動邊供給至基板表面，分別測定遮光膜接觸臭氧水液體後之遮光膜的膜厚、表面反射率及光學濃度之變化量，來進行耐藥性之評價。
結果，遮光膜的膜厚係不因臭氧水之噴霧而改變。又，表面反射率為波長193nm的光係變化-0.02%。遮光膜之光學濃度為變化-0.06。
又，藉由濺鍍在玻璃基板直接形成與本實施例之防表面反射層1完全相同的層，藉由與實施例1相同的測定方法，對防表面反射層1以濃度50ppm之臭氧水噴霧60分鐘，測定其反射率之變化量。
結果，波長193nm的光係變化+0.5%、257nm的光係變化+2.1%、365nm係變化+5.3%、488nm係變化+4.6%。
如此可確認本實施例之遮光膜係對臭氧處理具有高耐藥性。
在所得空白光罩上藉由旋轉塗布法，以膜厚成為200nm的方式塗布電子線描繪(曝光)用化學增幅型正型光阻(PRL009：富士軟片電子材料公司製)。對所形成之光阻膜用電子線描繪裝置進行所期望之圖案描繪後，以規定之顯像液進行顯像而形成光阻圖案。
接著，沿著上述光阻圖案，進行由防內面反射層3、遮光層2及防表面反射層1構成之遮光膜的乾蝕刻，以形成遮光膜圖案。使用Cl2 與O2 (Cl2 ：O2 =4：1)之混合氣體作為乾蝕刻氣體。之後，剝離殘存之光阻圖案得到光罩。
在上述遮光膜之乾蝕刻，各層的蝕刻速度係如表1。又，與實施例1同樣地觀察遮光膜圖案，有稍微的錐形，但遮光膜的剖面角度對基板而言係良好地形成為垂直。再者，確認即使縮短過量蝕刻時間亦可得垂直的剖面形狀，總蝕刻時間與比較例2相比可縮短約25%。
對所得光罩進行解像性評價。光阻膜的解像性為良好，遮光膜圖案之解像性為小於70nm(相當於DRAM hp45nm)。
[實施例3]
在本實施例除了變更在實施例2中遮光層2之成膜條件及膜厚、防內面反射層的膜厚以外，製造與實施例2同樣的二元式空白光罩。
亦即，除了將濺鍍的條件設定為如表1所示以外，係以與實施例2相同條件進行反應性濺鍍。
此外，若表1中的濺射氣體流量係換算成體積百分率時，係如以下所示
防表面反射層1：Ar=21.0vol%、CO2 =36.8vol%、N2 =10.5vol%、He=31.6vol%
遮光層2：Ar=27.2vol%、NO=18.2vol%、He=54.5vol%
防內面反射層3：Ar=23.5vol%、CO2 =29.4vol%、N2 =11.8vol%、He=35.3vol%
如此進行，如第2圖所示，得到在石英玻璃所構成的透光性基板10上依序積層有防內面反射層3、遮光層2、防表面反射層1之空白光罩。此外，由防內面反射層3、遮光層2及防表面反射層1構成的遮光膜對波長193.4nm的光之光學濃度(OD)為3.1。又，各層之光學濃度係如表1所示。
又，以TEM(透射型電子顯微鏡)及X射線繞射裝置(XRD)觀察所得空白光罩的剖面，防表面反射層1係顆粒大小為1～2nm之非晶構造。使用原子力顯微鏡(AFM)測定表面粗度，Ra=0.28nm。
又，與實施例2同樣地進行空白光罩耐藥性之評價，分別測定遮光膜的膜厚、表面反射率及光學濃度之變化量。
結果，遮光膜的膜厚係不因臭氧水之噴霧而改變。又，表面反射率為波長193nm的光係變化-0.02%。遮光膜之光學濃度為變化-0.06。
如此可確認本實施例之遮光膜係對臭氧處理具有高耐藥性。
之後與實施例2同樣地進行，得到光罩。
在上述遮光膜之乾蝕刻，各層的蝕刻速度係如表1。又，與實施例1同樣地觀察遮光膜圖案，遮光膜的剖面角度係對於基板而言良好地形成為垂直。再者，確認即使縮短過量蝕刻時間亦可得垂直的剖面形狀，總蝕刻時間與比較例2相比可縮短約25%。
對所得光罩進行解像性評價。光阻膜的解像性為良好，遮光膜圖案之解像性為小於70nm(相當於DRAM hp45nm)。
[比較例1]
在本比較例係製造具有由2層構成之遮光膜的半色調型相位轉移空白光罩。
具體而言，係使用串聯型濺射裝置，在與實施例1同樣的相位移膜上形成遮光層。亦如表1所示，濺鍍(DC濺鍍)的條件如下。
濺射標靶：Cr
濺鍍氣體：Ar、N2 與He之混合氣體環境(Ar：30sccm、N2 ：30sccm、He：40sccm)
放電中之氣體壓力：0.2Pa
施加電力：0.8kW
之後，在遮光層上形成表面層。濺鍍(DC濺鍍)的條件如下。
濺射標靶：鉻(Cr)
濺鍍氣體：氬(Ar)與甲烷(CH4 )之混合氣體(CH4 ：3.5體積%)、混合有NO及He氣體(Ar+CH4 ：65sccm、NO：3sccm、He：40sccm)
放電中之氣體壓力：0.3Pa
施加電力：0.3kW
如此進行，得到在石英玻璃所構成的透光性基板上依序積層有相位移膜、遮光層及防表面反射層之遮光膜厚48nm之。又，由遮光層及防表面反射層構成之遮光膜對波長193.4nm的光之光學濃度(O.D.)為1.9。
接著，與實施例1同樣地藉由RBS分析所得防表面反射層與遮光層的組成與防表面反射層的原子數密度。
結果，防表面反射層(膜厚24nm)的膜組成係Cr為34atom%、O為32atom%及N為23atom%。又，防表面反射層之鉻比係O/Cr為0.9及N/Cr為0.7。再者，防表面反射層的原子數密度為7.4×1022 atms/cm3 。
遮光層(膜厚24nm)的膜組成係Cr為59atom%及N為39atom%。又，遮光層之鉻比係N/Cr為0.7。
此外，由於使用串聯型濺射裝置，因此遮光層及防表面反射層係在各膜厚方向組成傾斜之傾斜膜。因此，上述膜組成為平均值。
又，以TEM(透射型電子顯微鏡)及X射線繞射裝置(XRD)觀察所得空白光罩的剖面，防表面反射層為密度低的多空隙狀柱狀構造。使用原子力顯微鏡(AFM)測定表面粗度，Ra=0.70nm。
然後，與實施例1同樣地進行本比較例所得之空白光罩的耐藥性之評價。
結果，遮光膜之膜厚係因臭氧水的噴霧而膜厚減少5.8nm。又，表面反射率為波長193nm的光係變化+2.72%變化。遮光膜之光學濃度係變化-0.38。
又，藉由濺鍍在玻璃基板上直接形成與本比較例之防表面反射層完全相同的層，且以與實施例1相同的測定方法，測定反射率之變化量。
結果，波長193nm的光係變化+2.5%(19.8%→22.3%)、257nm的光係變化+9.1%(16.4%→25.5%)、365nm係變化+13.9%(19.9%→33.8%)、488nm係變化+11.0%(29.9%→40.9%)。
藉此，與實施例1與2相比，確認本比較例之遮光膜係對臭氧處理之耐藥性低。
與實施例1同樣地，在所得空白光罩上，以膜厚成為150nm的方式塗布電子線描繪(曝光)用化學增幅型正型光阻，與實施例1同樣地進行得到光罩。
在上述遮光膜的乾蝕刻，蝕刻速度係比實施例1。遮光膜整體的透明酸蝕刻時間為92.0sec。又，與實施例1同樣地觀察遮光膜圖案，遮光膜的剖面角度係沒有對基板形成為垂直。因此，相位移膜圖案的剖面形狀亦非良好。
對所得光罩進行解像性評價。光阻膜之解像性差、蝕刻不良，因此遮光膜圖案之解像性為80nm以上。
[比較例2]
在本比較例係製造具有由2層構成之遮光膜的二元式空白光罩。
具體而言，使用串聯型濺射裝置在透光性基板上形成遮光層。濺鍍(DC濺鍍)的條件如下。
濺射標靶：Cr
濺鍍氣體：Ar、N2 與He之混合氣體環境(Ar：72sccm、N2 ：28sccm)
放電中之氣體壓力：0.3Pa
施加電力：0.6kW之後，在遮光層上形成表面層。濺鍍(DC濺鍍)的條件如下。
濺射標靶：鉻(Cr)
濺鍍氣體：氬(Ar)與甲烷(CH4 )之混合氣體(CH4 ：8體積%)、混合有NO及He氣體(Ar+CH4 ：105sccm、NO：3sccm)
放電中之氣體壓力：0.3Pa
施加電力：1.1kW
如此進行，製得在石英玻璃所構成的透光性基板上依序積層有遮光層及防表面反射層的遮光膜厚73nm之空白光罩。又，由遮光層及防表面反射層構成之遮光膜對波長193.4nm的光之光學濃度(O.D.)為3.0。
接著，與實施例1同樣地藉由RBS分析所得防表面反射層與遮光層的組成與防表面反射層的原子數密度。
結果，防表面反射層的膜組成係Cr為48atom%、O及N合計為50atom%。遮光層2的膜組成係Cr為60atom%、O及N合計為30atom%。此外，由於使用串聯型濺射裝置，因此遮光層及防表面反射層係在各膜厚方向組成傾斜之傾斜膜。因此，上述膜組成為平均值。
又，以TEM(透射型電子顯微鏡)及X射線繞射裝置(XRD)觀察所得空白光罩的剖面，防表面反射層為密度低的多空隙狀柱狀構造。使用原子力顯微鏡(AFM)測定表面粗度，Ra=0.60nm。
然後，與實施例1同樣地進行本比較例所得之空白光罩的耐藥性之評價。
結果，遮光膜之膜厚係因臭氧水的噴霧而膜厚減少4.2nm。又，表面反射率為波長193nm的光係變化+5.30%變化。遮光膜之光學濃度係變化-2.60。
與實施例2同樣地，在所得空白光罩上，以膜厚成為200nm的方式塗布電子線描繪(曝光)用化學增幅型正型光阻，與實施例2同樣地進行得到光罩。
在上述遮光膜之乾蝕刻，蝕刻速度係比實施例2慢。又，與實施例1同樣地觀察遮光膜圖案，與實施例2相比，遮光膜的剖面角度係不對基板形成為垂直。
對所得光罩進行解像性評價。光阻膜之解像性差、蝕刻不良，因此遮光膜圖案之解像性為80nm以上。
[實施例4]
實施例4除了將實施例1中遮光層的膜厚變薄、防內面反射層的膜厚增厚以外，係與實施例1相同。
實施例4所製造之半色調型空白光罩的構成及所得半色調型遮罩之解像性及剖面形狀係如表2所示。
又，在表2，膜厚比例欄中之數值係從上開始表示「將遮光層之遮光層膜厚當作1時，防表面反射層的膜厚比」(例如，實施例4為7.0)、「相對於遮光膜之整體膜厚而言遮光層的膜厚比例(%)」(例如，實施例4為4%)及「相對於防內面反射層的膜厚而言遮光層的膜厚比例(%)」(例如，實施例4為6%)。
[實施例5]
實施例5除了將實施例1中遮光層的膜厚增厚、防內面反射層的膜厚變薄以外，係與實施例1相同。
實施例5所製造之半色調型空白光罩的構成及所得半色調型遮罩之解像性及剖面形狀係如表2所示。
[比較例3]
比較例3除了將實施例5中遮光層的膜厚增厚、防內面反射層的膜厚變薄以外，係與實施例5相同。
比較例3所製造之半色調型空白光罩的構成及所得半色調型遮罩之解像性及剖面形狀係如表2所示。
[實施例6]
實施例6除了將實施例1中防內面反射層的Cr含量減少且N與O的合計含量增多、遮光層的膜厚增厚以外，係與實施例1相同。
實施例6所製造之半色調型空白光罩的構成及所得半色調型遮罩之解像性及剖面形狀係如表3所示。
又，表3中膜厚比例欄中的數值係與表2表示相同之物。
[實施例7]
實施例7除了將實施例1中防內面反射層的Cr含量增多且N與O的合計含量增多、遮光層的膜厚變薄且防內面反射層的膜厚增厚以外，係與實施例1相同。
實施例7所製造之半色調型空白光罩的構成及所得半色調型遮罩之解像性及剖面形狀係如表3所示。
[比較例4]
比較例4除了將實施例7中防內面反射層的Cr含量增多且N與O的合計含量減少、遮光層的膜厚變薄且防內面反射層的膜厚變薄以外，係與實施例7相同。
比較例4所製造之半色調型相位轉移空白光罩的構成及所得之半色調型相位轉移遮罩之解像性係如表3所示。
[比較例5]
比較例5除了將實施例6中防內面反射層的Cr含量減少且N與O的合計含量增多、遮光層的膜厚增厚且防內面反射層的膜厚變薄以外，係與實施例6相同。
比較例5所製造之半色調型相位轉移空白光罩的構成及所得之半色調型相位轉移遮罩之解像性係如表3所示。
[實施例8]
實施例8除了將實施例1中遮光層的Cr含量增多且N含量增多、遮光層的膜厚變薄且防內面反射層的膜厚增厚以外，係與實施例1相同。
實施例8所製造之半色調型相位轉移空白光罩的構成及所得之半色調型相位轉移遮罩之解像性係如表4所示又，在表4中，膜厚比例欄中的數值係表示與表2相同之物。
[實施例9]
實施例9除了將實施例1中遮光層的Cr含量增多且N含量增多以外，係與實施例1相同。
實施例9所製造之半色調型相位轉移空白光罩的構成及所得之半色調型相位轉移遮罩之解像性係如表4所示
[比較例6]
比較例6除了將實施例1中遮光層的Cr含量減少且N含量增多以外，係與實施例1相同。
比較例6所製造之半色調型相位轉移空白光罩的構成及所得半色調型相位轉移遮罩之解像性示於表4。
在上述實施例4～實施例9中，光阻膜之解像性為良好，遮光膜圖案之解像性小於60nm。又，剖面形狀亦垂直良好。
相對於此，在比較例3及比較例5，尤其是起因於遮光層的膜厚過厚，無法縮短蝕刻時間，因此光阻之解像性變差，無法實現60nm的遮光膜圖案之解像性。
在比較例4，尤其是起因於防內面反射層的蝕刻速度慢，無法縮短蝕刻時間，因此光阻之解像性變差，無法實現60nm的遮光膜圖案之解像性。
在比較例6，尤其是起因於遮光層過薄，而產生負載導致之速度差，無法縮短蝕刻時間，因此光阻之解像性變差，無法實現60nm的遮光膜圖案之解像性。
 [產業上之可利用性]
本發明較佳態樣的空白光罩由於可抑制蔭蔽，因此可用於高NA之微影術、亦可用於短波長的曝光光線之微影術。因此，藉由使用本發明較佳態樣的空白光罩，可形成極微細遮罩圖案。
又，本發明較佳態樣的空白光罩可使用於例如超高NA-ArF微影術中hp45nm、hp32nm程度以下之空白光罩。
1．．．防表面反射層
2．．．遮光層
3．．．防內面反射層
5．．．相位移膜
10．．．透光性基板
第1圖實施例1所製造之空白光罩的示意圖。
第2圖實施例2所製造之空白光罩的示意圖。
1．．．防表面反射層
2．．．遮光層
3．．．防內面反射層
5．．．相位移膜
10．．．透光性基板

Claims (12)

  1. 一種空白光罩，其係用於製作適用ArF準分子雷射光的光罩之空白光罩，其中在透光性基板上具有遮光膜，該遮光膜係具有從靠近透光性基板側起，依序積層防內面反射層、遮光層及防表面反射層而成之積層構造，防內面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第1蝕刻速度，防表面反射層係由含有金屬之膜所構成，且具有第3蝕刻速度，遮光層係由含有與防內面反射層或防表面反射層所含之金屬相同的金屬之膜所構成，且具有第2蝕刻速度，該防內面反射層、遮光層及防表面反射層的各蝕刻速度係具有下列關係：第2蝕刻速度<第1蝕刻速度<第3蝕刻速度，該遮光膜整體膜厚為50nm以下，該防內面反射層之膜厚大於該防表面反射層之膜厚，該遮光層與防表面反射層的膜厚比為1.0：2.3~1.0：7.0。
  2. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該遮光層的膜厚為遮光膜整體膜厚的30%以下，且為防內面反射層之膜厚的40%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該防表面反射 層之膜厚大於該遮光層之膜厚。
  4. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該遮光膜係藉由Cl2 與O2 之混合氣體乾蝕刻之膜。
  5. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該遮光膜係含有該金屬，以及N、O或C中任一者，該防內面反射層之N與O的含量合計為40~55atom%，該遮光層之N與O的含量合計為30atom%以下，該防表面反射層之N與O的含量合計為45~65atom%。
  6. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該遮光膜係含有Cr，以及N、O或C中任一者，該防內面反射層係Cr的含量為30~40atm%、N與O的含量合計為40~55atm%，該遮光層係含Cr的含量為50~90atm%、N的含量為3~25atm%，該防表面反射層係Cr的含量為30~40atm%、N與O的含量合計為50~60atm%。
  7. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該防反射層的每單位膜厚之光學濃度為0.04nm-1 以下，該遮光層的每單位膜厚之光學濃度為0.05nm-1 以上。
  8. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該防內面反射層之光學濃度為1.1~1.3， 該遮光層之光學濃度為0.1~0.3，該防表面反射層之光學濃度為0.4~0.6。
  9. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中在該透光性基板與遮光膜之間具有相位移膜。
  10. 如申請專利範圍第1項之空白光罩，其中在該防表面反射層上具有光阻膜。
  11. 一種光罩，其係使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之空白光罩來製作。
  12. 一種半導體積體電路的製造方法，其係使用如申請專利範圍第11項之光罩，在半導體基板上進行圖案轉印。
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